JP6719246B2 - 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 - Google Patents

計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法に関する。
半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどのデバイスを製造するリソグラフィ装置として、レチクルのパターンを、投影光学系を介して、ウエハなどの基板に投影してパターンを転写する露光装置が使用されている。このような露光装置では、一般的に、装置内に搬送された基板を基板ステージに送り込む前に、プリアライメントステージにおいて、基板に設けられたノッチを検出し、かかるノッチを基準として基板の位置補正が行われる。これにより、プリアライメントステージから基板ステージに基板を送り込んだ際に、基板ステージに保持された基板に設けられたアライメントマークをアライメントスコープの視野内に位置させることが可能となる。
一方、例えば、基板上に個別のチップが配列されるＦＯＷＬＰ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ−Ｌｅｖｅｌ−Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）などの再構成基板では、ノッチとチップの平均格子との間におけるθ（回転方向）位置に誤差（θ誤差）が含まれていることが多い。ここで、平均格子とは、基板上のチップの配列からチップ（パターン領域）の境界上（チップの間）に規定される平均的なラインであって、スクライブラインとも呼ばれる。このような場合、ノッチを基準として基板の位置補正を行ったとしても、プリアライメントステージから基板ステージに基板を送り込んだ際に、基板に設けられたアライメントマークがアライメントスコープの視野から外れてしまうことがある。
アライメントスコープの視野を広げてアライメントマークを視野内に入れることも考えられるが、アライメントマークを検出可能としても、基板の回転量が大きい場合には、基板ステージの回転方向のストロークが不足する可能性がある。このような場合には、基板ステージから基板を取り外し、再度、基板ステージに送り込まなければならないため、基板を持ち替える時間が発生することになる。
そこで、ノッチを検出した後にスクライブラインを検出し、その結果からノッチに対するチップの平均格子のθ誤差を求め、かかるθ誤差に基づいてプリアライメントステージ上で基板を回転させる（θ位置を補正する）技術が提案されている（特許文献１参照）。但し、検出対象であるスクライブラインの位置は、チップの形状や配列によって異なる。従って、多種多様な基板に対応するために、スクライブラインを検出するためのスコープの視野を広くしなければならない。
スクライブラインを広い視野で高精度に検出するためには、バー照明などの広域な照明が必要となる。このような照明では、スクライブラインを照明するための照明光が基板上の検出領域（視野）以上の広がりを有することが知られている。照明光のうち基板上の検出領域以外の領域を照明する光は、かかる領域で反射され、周辺の構造物などで更に反射されて迷光となり、スコープに入り込むことで検出誤差を発生させてしまう。従って、このような迷光に起因する検出誤差の影響を低減するための技術が提案されている（特許文献２参照）。
特開昭６３−１０４３４９号公報 特開２００６−４１３８７号公報
特許文献２に開示された技術では、マークが形成された物体上のマーク領域とは異なる非マーク領域を撮像して迷光を除去するための代表的な補正画像を予め取得（用意）している。しかしながら、実際には、基板の材料（反射率）の違いやステージに保持された基板の姿勢ごとに迷光の影響（見え方）が異なるため、予め取得した代表的な補正画像では、迷光の影響を十分に低減することができない。ロットごと、或いは、基板ごとに、補正画像を取得することで迷光の影響を低減することは可能であるが、補正画像の取得に要する時間を考えると、スループットの観点から現実的ではない。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測するのに有利な計測方法を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての計測方法は、基板の外縁に設けられた基準部分に対する前記基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測する計測方法であって、前記基板を回転させながら前記基準部分の位置を検出している間に、前記基板上に配列されたパターン領域にある対象物を含む対象領域を撮像して第１画像を取得する工程と、前記基板を静止させた状態で前記対象物を撮像して第２画像を取得する工程と、前記第２画像を前記第１画像を用いて補正して前記第１画像と前記第２画像との差分を示す第３画像を取得する工程と、前記第３画像に基づいて前記対象物の位置を求め、求められた前記対象物の位置に基づいて前記基準部分に対する前記パターン領域の回転ずれ量を求める工程と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測するのに有利な計測方法を提供することができる。
本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 図１に示す露光装置に搬入される基板の一例を示す平面図である。 図１に示す露光装置における露光処理を説明するためのフローチャートである。 図３に示すフローチャートのＳ３０４、Ｓ３０６及びＳ３０８のそれぞれで取得される画像の一例を示す図である。 ノッチに対するチップ領域の平均格子のθ誤差を求める手法を説明するための図である。 広域な照明の一例であるバー照明を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一側面としての露光装置１の構成を示す概略図である。露光装置１は、マスク又はレチクル（原版）を介して基板を露光してパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１は、プリアライメントステージ１０２と、基板Ｗを搬送する搬送系１０４と、第１撮像部１０６と、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌと、照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌとを有する。また、露光装置１は、マスクＭを照明する照明光学系（不図示）と、マスクＭのパターンの像を基板Ｗに投影する投影光学系１１２と、基板Ｗを保持する基板ステージ１１４と、アライメントスコープ１１６と、制御部１１８とを有する。
基板Ｗは、搬送系１０４を介して装置内に搬入され、プリアライメントステージ１０２に保持される。プリアライメントステージ１０２は、基板Ｗを保持して回転させる機能を有する。制御部１１８の制御下において、プリアライメントステージ１０２に保持された基板Ｗのプリアライメントが行われる。
プリアライメントステージ１０２の上方には、基板Ｗの外縁ＷＥを撮像する第１撮像部１０６と、基板上の領域ＷＳを撮像する第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌとが配置されている。第１撮像部１０６、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌは、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサなどの撮像素子を含む。第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌのそれぞれの周囲には、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌのそれぞれの撮像領域を照明するための照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌが配置されている。照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌは、本実施形態では、バー照明などの広域な照明を実現する。
また、図２に示すように、基板Ｗの外縁ＷＥには、基板Ｗの回転方向の位置の基準となる部分（基準部分）としてノッチＮが設けられており、基板上には、複数のチップ領域（パターン領域）ＣＨ１乃至ＣＨ１２が２次元状に配列されている。このように、本実施形態では、基板Ｗとして、基板上に個別のチップが配列されるＦＯＷＬＰなどの再構成基板を想定している。なお、基板Ｗの外縁ＷＥに設けられる基準部分はノッチＮに限定されるものではなく、オリエンテーションフラットであってもよい。また、図２では、基板Ｗの外形を円形としているが、矩形であってもよい。
照明光学系は、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、位相板、回折光学素子、絞りなどを含み、光源からの光でマスクＭを照明する。マスクＭには、基板Ｗに転写すべきパターンが形成されている。マスクＭと基板Ｗとは、投影光学系１１２に対して光学的に共役な位置に配置されている。投影光学系１１２は、等倍結像光学系、拡大結像光学系及び縮小結像光学系のいずれの光学系も適用可能である。基板ステージ１１４は、例えば、基板Ｗを吸着するチャックを含み、基板Ｗを保持して移動可能なステージである。アライメントスコープ１１６は、基板ステージ１１４に保持された基板Ｗに設けられたマーク、例えば、アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を検出する。
制御部１１８は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１の全体を制御する。制御部１１８は、露光装置１の各部を統括的に制御して、基板Ｗを露光する処理、即ち、マスクＭのパターンを基板Ｗに転写する処理を制御する。ここで、基板Ｗを露光する処理は、例えば、プリアライメントステージ１０２で行われるプリアライメントを含む。かかるプリアライメントにおいて、制御部１１８は、後述するように、ノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の回転ずれ量を求める処理を行う処理部として機能する。
一般的なプリアライメントにおいては、プリアライメントステージ１０２に保持された基板Ｗの外縁ＷＥを第１撮像部１０６で撮像して得られる画像からノッチＮの位置を検出する。そして、ノッチＮを基準として基板Ｗの位置補正を行ってから、搬送系１０４によって、プリアライメントステージ１０２から基板ステージ１１４に基板Ｗを送り込む。これにより、基板ステージ１１４に保持された基板Ｗに設けられたアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を、アライメントスコープ１１６の視野内に位置させる、即ち、アライメントスコープ１１６で検出することが可能となる。
但し、基板Ｗが再構成基板である場合には、図２に示すように、ノッチＮとチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の平均格子との間におけるθ位置にθ誤差（回転ずれ量）Ｍｑが含まれている。従って、ノッチＮを基準として基板Ｗの位置補正を行ったとしても、プリアライメントステージ１０２から基板ステージ１１４に基板Ｗを送り込んだ際に、アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２がアライメントスコープ１１６の視野から外れてしまう可能性が高い。ここで、平均格子とは、基板上のチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の配列からチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の間に規定される平均的なライン（スクライブライン）ＳＬである。
このような場合、例えば、特許文献１に開示されているように、ノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の平均格子のθ誤差Ｍｑを求め、θ誤差Ｍｑに基づいてプリアライメントステージ上で基板Ｗを回転させてθ位置を補正すればよい。具体的には、図５に示すように、ノッチＮを検出した後、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌや照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌを用いてスクライブラインＳＬを撮像して、第２撮像部１０８Ｒで画像ＣＲＡを取得し、第２撮像部１０８Ｌで画像ＣＬＡを取得する。画像ＣＲＡ及びＣＬＡのそれぞれを水平方向に積算投影して波形ＰＪ２及びＰＪ１を生成し、波形ＰＪ２及びＰＪ１から垂直方向のずれ量ＤＩＦＦを求めることで、θ誤差Ｍｑを求めることができる。
本実施形態では、スクライブラインＳＬを広い視野で高精度に検出するために、照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌによって、広域な照明、具体的には、バー照明を実現している。一方、バー照明においては、図６に示すように、スクライブラインＳＬを照明するための照明光ＩＬが基板上の検出領域（第２撮像部１０８Ｒの撮像領域）ＤＲよりも広がることになる。照明光ＩＬのうち、基板上の検出領域以外の領域ＥＲを照明する光は、領域ＥＲで反射され、周辺の構造物などで更に反射されて迷光となり、第２撮像部１０８Ｒに入り込むことで検出誤差を発生させてしまう。ここでは、第２撮像部１０８Ｒを例に説明したが、第２撮像部１０８Ｌについても同様に検出誤差が発生することになる。
そこで、本実施形態では、以下に説明するように、このような迷光に起因する検出誤差の影響を抑えながら、基板Ｗを露光する処理（露光処理）を行う。図３は、露光装置１における露光処理を説明するためのフローチャートである。ここでは、特に、ノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２のθ誤差Ｍｑの計測に関する処理（計測方法）を詳細に説明する。
Ｓ３０２では、プリアライメントステージ１０２において、基板Ｗの外縁ＷＥに設けられたノッチＮの位置を検出する。具体的には、プリアライメントステージ１０２（に保持された基板Ｗ）を回転させながら、基板Ｗの外縁ＷＥを第１撮像部１０６で撮像して画像を取得し、かかる画像からノッチＮの位置を検出する。
Ｓ３０４では、Ｓ３０２（ノッチＮの位置の検出）と並行して、迷光を補正するための第１画像を取得する。具体的には、プリアライメントステージ１０２によって基板Ｗを回転させている状態において、照明部１１０Ｒ及び１１０Ｌで基板Ｗをバー照明しながら、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで連続的に蓄電を行うことで、図４（ａ）に示すような第１画像を取得する。換言すれば、基板Ｗを回転させている間において、基板上の対象領域を撮像し続けて１つの第１画像を取得する。この際、迷光Ｍは、基板Ｗの回転に追従しないため、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで撮像（観察）される位置が変化しない。また、基板上のチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２（のパターン）は、基板Ｗの回転によって像が流れるため、基板Ｗが回転している間、蓄電を継続する第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌでは平均化されたノイズとして撮像される。従って、基板Ｗが回転している間に第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで取得される第１画像は、図４（ａ）に示すように、迷光Ｍのみが存在する画像となる。
このように、Ｓ３０２及びＳ３０４では、基板Ｗを回転させながらノッチＮの位置を検出している間において、基板上の対象物、本実施形態では、スクライブラインＳＬを含む対象領域を第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで撮像して第１画像を取得する。なお、第１画像を取得する際には、迷光以外、例えば、チップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２などのノイズを平均化するために、基板Ｗを少なくとも１回転させるとよい。
Ｓ３０６では、ノッチＮを検出した後、基板Ｗを静止させた状態において、基板上の対象物であるスクライブラインＳＬを第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで撮像して第２画像を取得する。ここでは、基板Ｗが回転していないため、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌで取得される第２画像は、図４（ｂ）に示すように、スクライブラインＳＬに迷光Ｍが重なった画像となる。
Ｓ３０８では、Ｓ３０６で取得された図４（ｂ）に示す第２画像を、Ｓ３０４で取得された図４（ａ）に示す第１画像で補正することで、図４（ｃ）に示すように、スクライブラインＳＬから迷光Ｍが除去された第３画像を取得する。第３画像は、第１画像と第２画像との差分を示す画像であって、一般的な画像処理、例えば、第２画像から第１画像を差し引いたり、第２画像を第１画像で除算したりすることで取得される。第３画像を用いることで、迷光Ｍの影響を低減して、スクライブラインＳＬの位置を高精度に求めることが可能となる。
Ｓ３１０では、Ｓ３０８で取得された第３画像、即ち、迷光Ｍが除去された第３画像に基づいて、スクライブラインＳＬの位置を求める。具体的には、上述したように、図４（ｃ）に示す第３画像を水平方向に積算投影して波形を生成し、波形のピーク位置からスクライブラインＳＬの位置を求める。但し、スクライブラインＳＬの位置を求めるための処理は、積算投影に限定されるものではなく、パターンマッチングなどであってもよい。後述するように、プリアライメントステージ上でノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の回転ずれ量を求めることができれば、その処理は限定されない。
Ｓ３１２では、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌの中心位置とＳ３１０で求めたスクライブラインＳＬの位置とのずれ量から、ノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２のθ誤差（回転ずれ量）Ｍｑを求める。
Ｓ３１４では、Ｓ３１２で求めたθ誤差Ｍｑに基づいて、プライアライメントステージ上で基板Ｗを回転させてθ位置を補正する。ここでは、Ｓ３１２で求めたθ誤差Ｍｑを、プリアライメントステージ１０２から基板ステージ１１４に基板Ｗを受け渡す際の基板Ｗの回転量（補正値）として決定し、かかる回転量に従ってプリアライメントステージ１０２を回転させる。このように、制御部１１８は、Ｓ３１２で求めたθ誤差Ｍｑに基づいて、基板Ｗを受け渡す際の基板Ｗの回転量を決定する決定部として機能する。
Ｓ３１６では、プリアライメントステージ１０２を回転させることでθ位置が補正された基板Ｗを、搬送系１０４によって、プリアライメントステージ１０２から基板ステージ１１４に受け渡す。このように、搬送系１０４は、θ誤差Ｍｑが低減された状態、即ち、Ｓ３１４において基板Ｗを回転させた状態で、プリアライメントステージ１０２から基板ステージ１１４に基板Ｗを受け渡す。これにより、基板ステージ１１４に保持された基板Ｗに設けられたアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２を、アライメントスコープ１１６の視野内に位置させることが可能となる。
Ｓ３１８では、基板ステージ１１４に保持された基板Ｗに設けられたアライメントマークＡＭ１及びＡＭ２をアライメントスコープ１１６で検出し、その検出結果に基づいて、マスクＭに対する基板Ｗの位置を補正する（基板アライメントを行う）。
Ｓ３２０では、投影光学系１１２を介してマスクＭのパターンの像を基板Ｗに投影して基板Ｗを露光する。
このように、露光装置１では、迷光Ｍを除去するための代表的な補正画像を用いるのではなく、基板Ｗを回転させながらノッチＮの位置を検出している間に基板上の対象領域を撮像して取得された第１画像を用いて、迷光Ｍの影響を低減させている。従って、基板Ｗの材料の違いやプリアライメントステージ１０２に保持された基板Ｗの姿勢ごとに迷光Ｍの影響が異なる場合においても、迷光Ｍの影響を十分に低減させることができる。また、ノッチＮの位置を検出している間に迷光Ｍを除去するための第１画像を取得しているため、かかる第１画像を取得するために特別な時間を要することがなく、スループットを低下させることもない。
本実施形態では、Ｓ３０６において第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌによって撮像する、プリアライメントステージ１０２に保持された基板上の対象物をスクライブラインＳＬとしているが、これに限定されるものではない。基板上の対象物は、基板上に設けられたマーク、例えば、アライメントマークＡＭ１及びＡＭ２であってもよいし、チップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２の格子Ｅ１及びＥ２（図４（ｃ）参照）やチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２のパターンの一部であってもよい。
また、本実施形態では、基板Ｗの中心を挟んで２つの第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌを配置しているが、画素数が多く、広い視野を高い解像度で撮像（観察）可能な撮像素子を用いる場合には、第２撮像部は１つであってもよい。
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、第１画像を取得する際（Ｓ３０４）に、基板Ｗを回転させている間において基板上の対象領域を撮像し続けて１つの第１画像を取得している。一方、第２実施形態では、Ｓ３０４において、基板Ｗを回転させている間に複数の第１画像を取得する。例えば、基板Ｗを回転させている間において、基板上の対象領域内の互いに異なる複数の領域のそれぞれを撮像して複数の第１画像を取得する。但し、基板上の対象領域内の互いに異なる複数の領域の少なくとも１つの領域は、基板上の対象物であるスクライブラインＳＬを含むとよい。
Ｓ３０８では、Ｓ３０６で取得された第２画像をＳ３０４で取得された複数の第１画像のそれぞれで補正して、複数の第１画像のそれぞれと第２画像との差分を示す複数の第３画像を取得する。
Ｓ３１０では、Ｓ３０８で取得された複数の第３画像のそれぞれのコントラストを求め、かかるコントラストが最も高い第３画像に基づいて、スクライブラインＳＬの位置を求める。
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、迷光Ｍの影響を十分に低減させて、スクライブラインＳＬの位置を高精度に求めることができるとともに、スループットの低下を防止することができる。
＜第３実施形態＞
第２実施形態では、第３画像を取得する際（Ｓ３０８）に、Ｓ３０４で取得された複数の第１画像のそれぞれについて、第２画像との差分を示す第３画像を求めている。一方、第３実施形態では、Ｓ３０８において、Ｓ３０４で取得された複数の画像を平均化して平均画像（第１画像）を取得し、Ｓ３０６で取得された第２画像を平均画像で補正して平均画像と第２画像との差分を示す画像を第３画像として取得する。
第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、迷光Ｍの影響を十分に低減させて、スクライブラインＳＬの位置を高精度に求めることができるとともに、スループットの低下を防止することができる。
＜第４実施形態＞
露光装置１は、例えば、デバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１を用いて、基板にパターンを形成する（即ち、基板を露光する）工程と、パターンを形成された基板を処理する（例えば、基板を現像する）工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、リソグラフィ装置は、露光装置に限定されるものではなく、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置や荷電粒子線で基板にパターンを描画する描画装置なども含む。また、プリアライメントステージ１０２と、第１撮像部１０６と、第２撮像部１０８Ｒ及び１０８Ｌと、制御部１１８とを有し、ノッチＮに対するチップ領域ＣＨ１乃至ＣＨ１２のθ誤差を計測する計測装置も本発明の一側面を構成する。更に、本発明は、重ね合わせ検査装置などにも適用可能である。
１：露光装置 １０２：プリアライメントステージ １０４：搬送系 １０６：第１撮像部 １０８Ｒ及び１０８Ｌ：第２撮像部 １１０Ｒ及び１１０Ｌ：照明部 １１４：基板ステージ １１８：制御部

Claims (12)

  1. 基板の外縁に設けられた基準部分に対する前記基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測する計測方法であって、
    前記基板を回転させながら前記基準部分の位置を検出している間に、前記基板上に配列されたパターン領域にある対象物を含む対象領域を撮像して第１画像を取得する工程と、
    前記基板を静止させた状態で前記対象物を撮像して第２画像を取得する工程と、
    前記第２画像を前記第１画像を用いて補正して前記第１画像と前記第２画像との差分を示す第３画像を取得する工程と、
    前記第３画像に基づいて前記対象物の位置を求め、求められた前記対象物の位置に基づいて前記基準部分に対する前記パターン領域の回転ずれ量を求める工程と、
    を有することを特徴とする計測方法。
  2. 前記第１画像を取得する工程では、前記基板を回転させている間において前記対象領域を撮像し続けて１つの第１画像を取得することを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
  3. 前記第１画像を取得する工程では、前記基板を回転させている間において前記対象領域内の互いに異なる複数の領域のそれぞれを撮像して複数の第１画像を取得し、
    前記第３画像を取得する工程では、前記第２画像を前記複数の第１画像のそれぞれで補正して前記複数の第１画像のそれぞれと前記第２画像との差分を示す複数の第３画像を取得し、
    前記回転ずれ量を求める工程では、前記複数の第３画像のそれぞれのコントラストを求め、前記コントラストが最も高い第３画像に基づいて前記対象物の位置を求めることを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
  4. 前記第１画像を取得する工程では、前記基板を回転させている間において前記対象領域内の互いに異なる複数の領域のそれぞれを撮像して複数の画像を取得し、
    前記第３画像を取得する工程では、前記複数の画像を平均化して、平均化された画像を前記第１画像として取得し、前記第２画像を前記第１画像を用いて補正して前記第１画像と前記第２画像との差分を示す画像を前記第３画像として取得することを特徴とする請求項１に記載の計測方法。
  5. 前記複数の領域の少なくとも１つの領域は、前記対象物を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の計測方法。
  6. 前記第１画像を取得する工程では、前記基板を少なくとも１回転させることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の計測方法。
  7. 前記対象物は、前記パターン領域のそれぞれの間に規定されるスクライブライン、前記基板上に配列されたパターン領域にあるマーク、及び、前記パターン領域のパターンの一部のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の計測方法。
  8. 前記第１画像を取得する工程では、前記基板を回転させている間において撮像素子に連続的に蓄電させることにより前記第１画像を取得することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の計測方法。
  9. 前記基準部分は、前記基板のノッチ又はオリエンテーションフラットを含むことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の計測方法。
  10. 基板の外縁に設けられた基準部分に対する前記基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測する計測装置であって、
    前記基板を保持して回転させるステージと、
    前記基板の外縁を撮像する第１撮像部と、
    前記基板上の領域を撮像する第２撮像部と、
    前記基準部分に対する前記パターン領域の回転ずれ量を求める処理を行う処理部と、を有し、
    前記処理部は、
    前記ステージによって前記基板を回転させながら前記基板の外縁を前記第１撮像部で撮像して前記基準部分の位置を検出している間に、前記基板上に配列されたパターン領域にある対象物を含む対象領域を前記第２撮像部で撮像して第１画像を取得し、
    前記基板を静止させた状態で前記対象物を前記第２撮像部で撮像して第２画像を取得し、
    前記第２画像を前記第１画像を用いて補正して前記第１画像と前記第２画像との差分を示す第３画像を取得し、
    前記第３画像に基づいて前記対象物の位置を求め、求められた前記対象物の位置に基づいて前記基準部分に対する前記パターン領域の回転ずれ量を求める、ことを特徴とする計測装置。
  11. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板を保持して回転させるプリアライメントステージと、
    前記プリアライメントステージに配置された前記基板の外縁に設けられた基準部分に対する前記基板上に配列されたパターン領域の回転ずれ量を計測する請求項１０に記載の計測装置と、
    前記基板を保持する基板ステージと、
    前記計測装置によって計測された回転ずれ量に基づいて、前記基板を前記プリアライメントステージから前記基板ステージに受け渡す際の前記基板の回転量を決定する決定部と、
    前記決定部によって決定された回転量に従って基板を回転させた状態で前記プリアライメントステージから前記基板ステージに受け渡す搬送系と、
    を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
  12. 請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を有し、処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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