KR0144083B1 - 노광기 해상도 측정용 포토마스크 - Google Patents

노광기 해상도 측정용 포토마스크

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Abstract

본 발명은 노광기 해상도 측정용 포토마스크에 있어서, 서로 대칭되는 2개의 패턴(5)을 형성하되, 두패턴(5) 사이는 다수의 간격이 형성되어 순차적으로 증가하거나 감소되어 지는 것을 특징으로 하며, 노광기 해상도를 신속·정확하게 측정할 수 있으므로 반도체 소자의 제조에 있어서 수율증가 및 정확한 회로 구현을 가능하게 하는 노광기 해상도 측정용 포토마스크에 관한 것이다.

Description

노광기 해상도 측정용 포토마스크
제 1 도는 웨이퍼 상의 스크라이브 라인(scribe line) 내에 형성된 노광기 해상도 측정용 패턴을 도시한 웨이퍼의 평면도,
제 2 도는 제 1 도의 노광기 해상도 측정용 패턴의 상세도,
제 3 도는 본 발명의 일실시예에 따른 노광기 해상도 측정용 패턴의 평면도,
제 4 도는 제 3 도의 측정용 패턴을 사용하여 현상한 감광막 패턴의 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 능동영역 2 : 스크라이브 라인
3 : 노광기 해상도 측정용 패턴
5,8 : 크롬막 패턴 4,6 : 감광막 패턴
7 : 잔류 감광막
본 발명은 노광기 해상도 측정용 포토마스크에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 회로 제조시 중요한 하나의 단계는 동일한 많은 회로를 하나의 웨이퍼 상에 동시에 형성시키는 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정이며, 이 포토 리소그래피 공정은 하나의 웨이퍼에 동일한 다수의 회로를 형성하는 일괄제조 공정으로 반도체 소자의 수율을 결정 짓는 중요한 공정 중의 하나이다. 따라서, 포토마스크 공정은 극도로 정확성을 요구하고, 또한 각 포토 리소그래피 공정 단계에서 포토마스크의 정렬이 잘 이루어져야 한다. 특히, 포토마스크 공정 중 노광기의 해상도, 포토공정 및 식각공정에서 형성된 패턴의 해상도, 노광기 최상의 촛점 상태를 측정하기 위하여 노광기 해상도 측정용 포토마스크를 주로 사용해 왔다.
종래 노광기 해상도 측정용 포토마스크를 도면 제 1 도 및 제 2 도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
노광기 해상도 측정용 패턴(3)은 제 1 도와 같이 각각의 능동영역(1)을 구분짓는 웨이퍼 상의 스크라이브 라인(Scribe line)(2) 내에 형성하는데, 이때 노광기 해상도 측정용 패턴(3)은 제 2 도에 도시된 바와 같이 동일한 선폭과 선폭 간격을 가지는 여러개의 감광막 패턴(4)의 군(group) 으로 이루어지고, 그 군의 크기(size)를 양각 또는 음각의 글씨로 형성하여 각 군의 선폭간격을 인지할 수 있도록 하여 최소선폭을 갖는 선명한 감광막 패턴(4)으로 노광기의 해상도를 측정한다.
그러나, 상기와 같은 노광기 해상도 측정용 패턴은 현미경을 통해 육안으로 측정되기 때문에, 사람마다 측정오차가 발생하여 정확한 측정이 어려워 노광기 최상의 상태를 찾아내기가 곤란했었다. 따라서, 노광기 해상도의 최소 한계를 정확하게 설정하기가 어려운 문제점이 남아 있었다.
따라서, 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은 종래의 해상도 측정용 포토마스크 패턴의 장점을 그대로 유지하면서 노광기의 해상도, 포토 공정 및 식각 공정에서 형성된 패턴의 해상도, 노광기의 최적 상태를 측정하기가 용이한 노광기 해상도 측정용 포토마스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 노광기 해상도 측정용 포토마스크에 있어서, 서로 대칭되는 2개의 패턴을 형성하되, 두패턴 사이는 다수의 간격이 형성되어 순차적으로 증가하거나 감소되어 지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제 3 도 내지 제 4 도를 참조하여 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.
먼저, 제 3 도는 본 발명의 일실시예에 따라 노광기의 해상도를 측정하기 위해 포토마스크에 형성된 크롬(Cr)막 패턴을 도시한 것으로, 서로 대칭되는 2개의 크롬막 패턴(5)을 사용하여 현상된 감광막으로 노광기의 해상도를 측정하도록 한 포토마스크 의 평면도이다.
도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 포토마스크는 두 크롬막 패턴(5) 사이의 간격이 순차적으로 증가하거나 감소되도록 서로 대칭되는 2개의 크롬막 패턴(5)을 구비한다.
본 일실시예에서는 두 크롬막 패턴(5) 간의 간격을 패턴 중심에서 밖으로 0.3㎛ 에서 0.1 ㎛ 씩 순차적으로 커지게 패턴을 형성시키며, 각 간격의 폭을 5㎛ 내지 15㎛ 로 일정하게 형성시킨다.
이렇게 하여 형성된 노광기 해상도 측정용 포토마스크를 이용해서 반도체 기판 상의 스크라이브 라인 내에 감광막 패턴(6)을 형성하면 제 4 도와 같이 노광기 해상도의 한계를 넘어선 영역에 잔류 감광막(7)이 남게 된다. 일예로, 제 4 도에 도시된 감광막 패턴(6)은 0.3㎛ 및 0.4 ㎛ 영역에서 정확하게 디파인(define)되지 않았으며, 따라서 해상도가 0.5 ㎛ 라는 것을 쉽게 알 수 있게 된다.
상기와 같은 본 발명의 일실시예는 노광기 해상도를 신속·정확하게 측정할 수 있어, 반도체 소자의 제조에 있어서 수율증가 및 정확한 회로 구현을 가능하게 하는 특유의 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 노광기 해상도 측정용 포토마스크에 있어서, 서로 대칭되는 2개의 패턴을 형성하되, 두패턴 사이는 다수의 간격이 형성되어 순차적으로 증가하거나 감소되어 지는 것을 특징으로 하는 노광기 해상도 측정용 포토마스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 두패턴 사이의 간격은 일정한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 노광기 해상도 측정용 포토마스크.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 일정한 폭은, 5㎛ 내지 15㎛ 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 노광기 해상도 측정용 포토마스크.
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