CN111326675A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以实现隔断阴极。本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板包括：衬底，位于所述衬底之上的像素定义层，位于所述像素定义层之上的阴极隔离结构；所述阴极隔离结构至少包括：第一隔离子层，以及位于所述像素定义层和所述第一隔离子层之间的第二隔离子层；所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示产品由于对比度高、响应时间段、色彩度高、轻薄、可弯曲等优良特点，逐渐在手机显示屏、电视面板中扩大市场，被誉为最有可能取代液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)的下一代显示技术。
现有技术中，OLED显示产品需要形成图案化阴极，需要设置隔离柱来隔断整阴极，对于采用蒸镀工艺形成的阴极，只需要倒梯形隔垫层就可以实现阴极的隔断。但随着各种技术的发展，例如需要采用溅射(Sputter)工艺形成阴极，如仍利用倒梯形隔垫层，对于延展性好的材料，倒梯形隔垫层连续的斜面而无法实现对Sputter工艺形成的阴极的隔断。
综上，目前无法利用现有的倒梯形隔离柱对Sputter工艺形成的阴极进行隔断。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以实现隔断阴极。
本申请实施例提供的一种显示面板，所述显示面板包括：衬底，位于所述衬底之上的像素定义层，位于所述像素定义层之上的阴极隔离结构；
所述阴极隔离结构至少包括：第一隔离子层，以及位于所述像素定义层和所述第一隔离子层之间的第二隔离子层；
在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
本申请实施例提供的显示面板，阴极隔离结构至少包括第一隔离子层和第二隔离子层两层隔离子层，且第二隔离子层的横截面小于第一隔离子层的横截面，第二隔离子层在衬底的正投影的边界落入第一隔离子层在衬底的正投影内，这样阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，从而当需要整面设置阴极时，本申请实施例提供的阴极隔离结构可以实现隔断阴极，形成需要的阴极图案。
可选地，所述阴极隔离结构还包括：在所述像素定义层与所述第二隔离子层之间的第三隔离子层；
在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第三隔离子层在所述衬底的正投影内。
可选地，所述第三隔离子层在所述衬底的正投影与所述第一隔离子层在所述衬底的正投影重合。
本申请实施例提供的显示面板，当阴极隔离结构包括第三隔离子层、第二隔离子层以及第一隔离子层，且第三隔离子层在衬底的正投影与第一隔离子层在衬底的正投影重合，相当于阴极隔离结构的侧面形成凹槽，第三隔离子层的设置可以避免在对阴极隔离结构侧面的刻蚀工艺中损伤像素定义层，进而可以避免损伤阳极，保证显示面板的制备良率。并且第三隔离子层和第一隔离子层在衬底的正投影重合，还可以在避免对像素定义层造成损伤的同时简化阴极隔离结构制备工艺难度。
可选地，所述第一隔离子层的厚度不小于200纳米。
可选地，所述第一隔离子层的材料包括氧化硅，所述第二隔离子层的材料包括聚酰亚胺，所述第三隔离子层的材料包括氮化硅。
可选地，所述显示面板还包括：与所述像素定义层相互间隔设置的阳极，位于所述阳极之上的发光功能层，位于所述发光功能层之上的阴极；其中，所述阴极包括：位于所述第一隔离子层之上的第一部分以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间断开。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
在衬底之上形成像素定义层；
在所述像素定义层之上形成第二隔离子层以及在所述第二隔离子层之上形成第一隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，在像素定义层之上形成至少包括第一隔离子层和第二隔离子层两层隔离子层的阴极隔离结构，且第二隔离子层的横截面小于第一隔离子层的横截面，第二隔离子层在衬底的正投影的边界落入第一隔离子层在衬底的正投影内，这样阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，从而当需要整面设置阴极时，本申请实施例提供的阴极隔离结构可以实现隔断阴极，形成需要的阴极图案。
可选地，在所述像素定义层之上形成第二隔离子层之前，所述方法还包括：
在所述像素定义层上形成第三隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第三隔离子层在所述衬底的正投影内。
可选地，在所述像素定义层之上形成第三隔离子层、第二隔离子层，以及第一隔离子层，具体包括：
在所述像素定义层之上形成整层第三隔离子层；
在所述第三隔离子层上形成整层第二隔离子层；
在所述第二隔离子层上形成整层第一隔离子层；
在所述第一隔离子层上涂覆光刻胶；
采用曝光显影工艺形成所述光刻胶的图案；
采用刻蚀工艺处理所述第一隔离子层、所述第二隔离子层、以及所述第三隔离子层，以使所述第三隔离子层在所述衬底的正投影与所述第一隔离子层在所述衬底的正投影重合，并对所述第二隔离子层进行侧面过刻，形成所述第一隔离子层的图案、所述第二隔离子层的图案、以及所述第三隔离子层的图案；
去除所述光刻胶。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，第三隔离子层的设置可以避免在对阴极隔离结构侧面的刻蚀工艺中损伤像素定义层，进而可以避免损伤阳极，保证显示面板的制备良率。并且第三隔离子层和第一隔离子层在衬底的正投影重合，形成第三隔离子层的图案可以利用第一隔离子层的图案作为掩膜，还可以在避免对像素定义层造成损伤的同时简化阴极隔离结构制备工艺难度以及简化阴极隔离结构制备的工艺复杂度。
可选地，在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之前，所述方法还包括：
形成与所述像素定义层相互间隔的阳极的图案；
在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之后，所述方法还包括：
在所述阳极之上形成发光功能层；
在所述发光功能层之上采用溅射工艺形成阴极的图案，其中，所述阴极包括：位于所述第一隔离子层之上的第一部分以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间断开。
本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意图；
图6～图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示面板，如图1所示，所述显示面板包括：衬底1，位于所述衬底1之上的像素定义层2，位于所述像素定义层2之上的阴极隔离结构3；
所述阴极隔离结构3至少包括：第一隔离子层4，以及位于所述像素定义层2和所述第一隔离子层4之间的第二隔离子层5；
在平行于所述衬底1的方向上，所述第二隔离子层5的横截面小于所述第一隔离子层4的横截面，且所述第二隔离子层5在所述衬底1的正投影的边界落入所述第一隔离子层4在所述衬底1的正投影内。
本申请实施例提供的显示面板，阴极隔离结构至少包括第一隔离子层和第二隔离子层两层隔离子层，且第二隔离子层的横截面小于第一隔离子层的横截面，第二隔离子层在衬底的正投影的边界落入第一隔离子层在衬底的正投影内，这样阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，从而当需要整面设置阴极时，本申请实施例提供的阴极隔离结构可以实现隔断阴极，形成需要的阴极图案。
图1中以阴极隔离结构包括两层隔离子层为例进行举例说明，当然阴极隔离结构也可以包括更多层隔离子层。
可选地，如图1所示，所述显示面板还包括：与所述像素定义层2相互间隔设置的阳极7，位于所述阳极7之上的发光功能层8，位于所述发光功能层8之上的阴极9；其中，所述阴极9包括：位于所述第一隔离子层4之上的第一部分10以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分11，所述第一部分10和所述第二部分11之间断开。
需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板，像素定义层与阳极间隔且相互接触，像素定义层可以覆盖阳极边缘。发光功能层包括有机发光层，还可以包括但不限于下列之一或其组合：电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层。在具体实施时，电子注入层位于阴极和有机发光层之间，电子传输层位于电子注入层和有机发光层之间，空穴注入层位于阳极和有机发光层之间，空穴传输层位于空穴注入层和有机发光层之间。
可选地，如图2～图4所示，所述阴极隔离结构3还包括：在所述像素定义层2与所述第二隔离子层5之间的第三隔离子层6。
图2中，第三隔离子层6、第二隔离子层5以及第一隔离子层4横截面逐渐递增。
可选地，如图3、图4所示，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层5在所述衬底1的正投影的边界落入所述第三隔离子层6在所述衬底1的正投影内。
图3和图4中第三隔离子层的横截面大于第二隔离子层的横截面。
可选地，如图3所示，所述第三隔离子层6在所述衬底1的正投影的边界落入所述第一隔离子层4在所述衬底1的正投影内。图3所示的显示面板中，第三隔离子层的横截面大于第二隔离子层的横截面且小于第一隔离子层的横截面。
当然，可选地，如图4所示，所述第三隔离子层6在所述衬底1的正投影与所述第一隔离子层4在所述衬底1的正投影重合。图4中第三隔离子层的横截面大于第二隔离子层的横截面且等于第一隔离子层的横截面。
本申请实施例提供的显示面板，当阴极隔离结构包括第三隔离子层、第二隔离子层以及第一隔离子层，且第三隔离子层在衬底的正投影与第一隔离子层在衬底的正投影重合，相当于阴极隔离结构的侧面形成凹槽，第三隔离子层的设置可以避免在对阴极隔离结构侧面的刻蚀工艺中损伤像素定义层，进而可以避免损伤阳极，保证显示面板的制备良率。并且第三隔离子层和第一隔离子层在衬底的正投影重合，还可以在避免对像素定义层造成损伤的同时简化阴极隔离结构制备工艺难度。
可选地，所述第一隔离子层的厚度不小于2000埃。
可选地，所述第一隔离子层的材料包括氧化硅，所述第二隔离子层的材料包括聚酰亚胺，所述第三隔离子层的材料包括氮化硅。
本申请实施例提供的显示面板，阳极的材料例如可以是氧化铟锡(ITO)，阴极的材料例如可以是ITO、银(Ag)、氧化铟锌(IZO)等金属或金属氧化物。本申请实施例提供的显示面板，即便阴极的材料选择延展性很好的金属或金属氧化物，由于阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，当阴极需要图案化时，本申请实施例提供的阴极隔离结构也可以实现隔断阴极。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，如图5所示，所述方法包括：
S101、在衬底之上形成像素定义层；
S102、在所述像素定义层之上形成第二隔离子层以及在所述第二隔离子层之上形成第一隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，在像素定义层之上形成至少包括第一隔离子层和第二隔离子层两层隔离子层的阴极隔离结构，且第二隔离子层的横截面小于第一隔离子层的横截面，第二隔离子层在衬底的正投影的边界落入第一隔离子层在衬底的正投影内，这样阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，从而当需要整面设置阴极时，本申请实施例提供的阴极隔离结构可以实现隔断阴极，形成需要的阴极图案。
可选地，步骤S102中，在所述像素定义层之上形成第二隔离子层之前，所述方法还包括：
在所述像素定义层上形成第三隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第三隔离子层在所述衬底的正投影内。
可选地，在所述像素定义层之上形成第三隔离子层、第二隔离子层，以及第一隔离子层，具体包括：
在所述像素定义层之上形成整层第三隔离子层；
在所述第三隔离子层上形成整层第二隔离子层；
在所述第二隔离子层上形成整层第一隔离子层；
在所述第一隔离子层上涂覆光刻胶；
采用曝光显影工艺形成所述光刻胶的图案；
采用刻蚀工艺处理所述第一隔离子层、所述第二隔离子层、以及所述第三隔离子层，以使所述第三隔离子层在所述衬底的正投影与所述第一隔离子层在所述衬底的正投影重合，并对所述第二隔离子层进行侧面过刻，形成所述第一隔离子层的图案、所述第二隔离子层的图案、以及所述第三隔离子层的图案；
去除所述光刻胶。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法，形成光刻胶的图案之后，先形成第一隔离子层的图案，并以第一隔离子层的图案作为掩膜对第二隔离子层和第三隔离子层进行刻蚀，具体实施时，例如，在隔离子层材料选择上，第二隔离子层的材料与第三隔离子层的材料的刻蚀难易程度不同，第二隔离子层比第三隔离子层更易刻蚀，从而刻蚀过程中可以在侧面对第二隔离子层过刻，最终形成“工”字型的阴极隔离结构。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，第三隔离子层的设置可以避免在对阴极隔离结构侧面的刻蚀工艺中损伤像素定义层，进而可以避免损伤阳极，保证显示面板的制备良率。并且第三隔离子层和第一隔离子层在衬底的正投影重合，形成第三隔离子层的图案可以利用第一隔离子层的图案作为掩膜，还可以在避免对像素定义层造成损伤的同时简化阴极隔离结构制备工艺难度以及简化阴极隔离结构制备的工艺复杂度。
可选地，所述光刻胶为正性光刻胶。
可选地，所述第一隔离子层的厚度不小于200纳米。从而在刻蚀形成第一隔离子层的图案、第二隔离子层的图案、以及第三隔离子层的图案的工艺中，可以避免第一隔离子层的图案的损伤，避免后续无法形成侧面具有凹陷的阴极隔离结构。
在具体实施时，第二隔离子层和第三隔离子层的厚度可以根据具体工艺中的刻蚀速率进行设置，本申请在此不做限定。
可选地，在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之前，所述方法还包括：
形成与所述像素定义层相互间隔的阳极的图案；
在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之后，所述方法还包括：
在所述阳极之上形成发光功能层；
在所述发光功能层之上采用溅射工艺形成阴极的图案，其中，所述阴极包括：位于所述第一隔离子层之上的第一部分以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间断开。
本申请实施例提供的显示面板制备方法，即便阴极选择延展性好的材料，由于形成的阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，当需要采用溅射工艺形成图案化的阴极时，采用本申请实施例提供的方法形成的阴极隔离结构可以实现隔断阴极。
接下来以阴极隔离结构包括三层隔离子层为例，对本申请实施例提供的显示面板的制备方法进行举例说明，如图6～图7所示，显示面板的制备方法包括如下步骤：
S201、在衬底1之上形成相互间隔的像素定义层2和阳极7；
S202、在像素定义层2和阳极7之上沉积一层氮化硅(SiNx)作为第三隔离子层6；
SiNx的厚度例如可以是100纳米(nm)；
S203、在第三隔离子层6上涂覆一层聚酰亚胺(PI)作为第二隔离子层5，并进行固化；
PI的厚度例如可以是1000nm；
S204、在第二隔离子层5上沉积一层氧化硅(SiOx)作为第一隔离子层4；
SiOx的厚度例如可以是200nm；
S205、在第一隔离子层4上涂覆光刻胶12；
S206、采用曝光显影工艺形成光刻胶12的图案；
S207、采用刻蚀工艺处理第一隔离子层4形成第一隔离子层的图案，并以第一隔离子层4的图案为掩膜继续采用刻蚀工艺处理第二隔离子层5以及第三隔离子层6，以使第三隔离子层6在衬底1的正投影与第一隔离子层4在衬底1的正投影重合，并对第二隔离子层5进行侧面过刻，形成“工”字型的阴极隔离结构3；
S208、去除光刻胶12；
S209、在阳极7之上依次形成发光功能层8，并在发光功能层8上采用溅射工艺形成阴极9的图案；
其中，所述阴极9包括：位于所述第一隔离子层4之上的第一部分10以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分11，所述第一部分10和所述第二部分11之间断开。
本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置，例如可以是手机、电脑、电视等装置。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置，阴极隔离结构至少包括第一隔离子层和第二隔离子层两层隔离子层，且第二隔离子层的横截面小于第一隔离子层的横截面，第二隔离子层在衬底的正投影的边界落入第一隔离子层在衬底的正投影内，这样阴极隔离结构的侧面并不是连续的平整表面，并且阴极隔离结构的侧面具有凹陷区域，从而当需要整面设置阴极时，本申请实施例提供的阴极隔离结构可以实现隔断阴极，形成需要的阴极图案。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底，位于所述衬底之上的像素定义层，位于所述像素定义层之上的阴极隔离结构；
所述阴极隔离结构至少包括：第一隔离子层，以及位于所述像素定义层和所述第一隔离子层之间的第二隔离子层；
在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极隔离结构还包括：在所述像素定义层与所述第二隔离子层之间的第三隔离子层；
在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第三隔离子层在所述衬底的正投影内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三隔离子层在所述衬底的正投影与所述第一隔离子层在所述衬底的正投影重合。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔离子层的厚度不小于200纳米。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一隔离子层的材料包括氧化硅，所述第二隔离子层的材料包括聚酰亚胺，所述第三隔离子层的材料包括氮化硅。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：与所述像素定义层相互间隔设置的阳极，位于所述阳极之上的发光功能层，位于所述发光功能层之上的阴极；其中，所述阴极包括：位于所述第一隔离子层之上的第一部分以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间断开。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底之上形成像素定义层；
在所述像素定义层之上形成第二隔离子层以及在所述第二隔离子层之上形成第一隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第一隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第一隔离子层在所述衬底的正投影内。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述像素定义层之上形成第二隔离子层之前，所述方法还包括：
在所述像素定义层上形成第三隔离子层；其中，在平行于所述衬底的方向上，所述第二隔离子层的横截面小于所述第三隔离子层的横截面，且所述第二隔离子层在所述衬底的正投影的边界落入所述第三隔离子层在所述衬底的正投影内。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述像素定义层之上形成第三隔离子层、第二隔离子层，以及第一隔离子层，具体包括：
在所述像素定义层之上形成整层第三隔离子层；
在所述第三隔离子层上形成整层第二隔离子层；
在所述第二隔离子层上形成整层第一隔离子层；
在所述第一隔离子层上涂覆光刻胶；
采用曝光显影工艺形成所述光刻胶的图案；
采用刻蚀工艺处理所述第一隔离子层、所述第二隔离子层、以及所述第三隔离子层，以使所述第三隔离子层在所述衬底的正投影与所述第一隔离子层在所述衬底的正投影重合，并对所述第二隔离子层进行侧面过刻，形成所述第一隔离子层的图案、所述第二隔离子层的图案、以及所述第三隔离子层的图案；
去除所述光刻胶。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之前，所述方法还包括：
形成与所述像素定义层相互间隔的阳极的图案；
在所述像素定义层之上形成阴极隔离结构之后，所述方法还包括：
在所述阳极之上形成发光功能层；
在所述发光功能层之上采用溅射工艺形成阴极的图案，其中，所述阴极包括：位于所述第一隔离子层之上的第一部分以及位于所述阴极隔离结构之外区域的第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间断开。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1～6任一项所述的显示面板。
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