JP2004327389A

JP2004327389A - 有機電界発光素子およびその製造方法

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Publication number: JP2004327389A
Application number: JP2003124163A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Fuchigami; 宏幸渕上; Ichiji Yamayoshi; 一司山吉; Tomoyuki Irizumi; 智之入住; Koji Oda; 耕治小田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2003-04-28
Filing date: 2003-04-28
Publication date: 2004-11-18
Anticipated expiration: 2023-04-28
Also published as: US7091659B2; JP4170138B2; CN1543285A; US20040256984A1; CN100385706C

Abstract

【課題】有機ＥＬ層への正孔の注入効率を高めることができ、かつ、有機ＥＬ層からの発光を前面に取り出すための光反射特性を備え、さらには高精細パターンが形成可能な構造を有する有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】有機電界発光素子は、基板１と、基板１の上側に絶縁体で形成された陽極分離膜３と、陽極分離膜３によって区画された領域内において基板１の上面に形成された陽極導電層２と、陽極分離膜３を包み込み、下方が広がるように絶縁体で形成された素子分離膜４とを備える。さらに、陽極分離膜３の上面にも陽極導電層２と同じ種類の導電層７が形成され、この導電層７も素子分離膜４によって覆われている。好ましくは、陽極分離膜３は、上面が下面よりも大きくなっている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子（「有機ＥＬ素子」ともいう。）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的な、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ素子は、光をＴＦＴアレイ基板側から外部に取り出すボトムエミッション構造である。この場合、出射しようとする光の一部が画素回路によって遮蔽される、すなわち開口率が低くなる、という欠点があり、特に高精細化に伴ってこの問題が顕著となっていた。これに対して、有機ＥＬ素子の開口率を改善するために、光をＴＦＴアレイ基板と反対側である上面から取り出すトップエミッション構造が提案されている。
【０００３】
たとえば、特開２００１−４３９８０公報（特許文献１）では、発光層、正孔輸送層などを含む有機ＥＬ層を、光を反射する陽極と光を透過する陰極とで挟持することにより、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子を構成している。この有機ＥＬ素子では、陽極の材料として、Ｃｒなどの周期律表の５族または６族の金属を用いている。この場合、陽極の仕事関数が４．８ｅＶ未満と低いことが示されている。しかし、５．０ｅＶ以上のイオン化ポテンシャルを有する正孔輸送層に対して正孔を注入するに当たって、このように仕事関数の小さい陽極では、注入効率が低下することおよび駆動電圧が上昇することが問題となっている。
【０００４】
特開２００２−１９８１８２公報（特許文献２）では、上記特許文献１に開示された技術を改善するものとして、光反射性の陽極部上に正孔注入用薄膜層として、仕事関数が大きい材料であるＡｕを膜厚が１〜１０ｎｍになるように積層した構造が開示されている。これは、正孔注入効率を高めるとともに、Ａｕ膜の透過率を高めることによって、光を反射する役割を陽極部に担わせたものである。しかし、この構成では，正孔注入用薄膜層として示されているＡｕなどの高仕事関数の金属がリソグラフィーなどの微細加工に適さないという問題がある。Ａｕなどの高仕事関数の金属は、化学的に安定でありエッチングによって除去することが困難であることが微細加工に適さない主たる原因である。そこで、上記特許文献２では、正孔注入用薄膜層の蒸着を行なう際に、シャドーマスクによって開口部だけに選択的に蒸着させることによって、高仕事関数の金属膜のパターンを形成している。しかし、この製造方法においても、パターンの加工精度は低く、高精細化を進める上では不十分であった。さらに、この製造方法では、本構成の素子を製造する際、シャドーマスクを高精度でアライメントする必要が生じ、そのため、生産性が低下するという問題があった。結局のところ、正孔注入用薄膜層を形成するために高仕事関数の金属膜を微細加工することが困難であるという状況は変わらず、何ら問題の解決に至っていない。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−４３９８０公報
【０００６】
【特許文献２】
特開２００２−１９８１８２公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来のトップエミッション構造では、有機ＥＬ層への正孔の注入効率を高めることができ、かつ、有機ＥＬ層からの発光を前面に取り出すための光反射特性を備え、さらには高精細パターンが形成可能であるという陽極の構造は見出されていなかった。そのため、トップエミッション構造を採用することでたとえ開口率が向上しても、総合的な性能向上に結びつかないという重大な問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、有機ＥＬ層への正孔の注入効率を高めることができ、かつ、有機ＥＬ層からの発光を前面に取り出すための光反射特性を備え、さらには高精細パターンが形成可能な構造を有する有機電界発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく有機電界発光素子は、基板と、上記基板の上側に絶縁体で形成された陽極分離膜と、上記陽極分離膜によって区画された領域内において上記基板の上面に形成された陽極導電層と、上記陽極分離膜を包み込み、下方が広がるように絶縁体で形成された素子分離膜とを備える。
【００１０】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
（構成）
図１を参照して、本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、基板１と、基板１の上側に絶縁体で形成された陽極分離膜３と、陽極導電層２と、素子分離膜４とを備える。陽極分離膜３は、上面が下面より大きくなっている。陽極分離膜３の側面が斜面となっており、いわゆる「逆テーパ形状」となっている。陽極導電層２は、陽極分離膜３によって平面的に各画素ごとに区画された領域内において基板１の上面に形成されている。素子分離膜４は、陽極分離膜３を包み込み、下方が広がるように絶縁体で形成されている。より明確な特徴としては、この有機ＥＬ素子では、陽極分離膜３の上面にも陽極導電層２と同じ種類の膜として導電層７が形成されている。導電層７は、素子分離膜４によって覆われている。
【００１１】
図１の例では、陽極導電層２は、光を主に反射する性質を有する金属層である。陽極導電層２はいわゆる画素電極の役割を果たすものであり、素子分離膜４の開口した部分は陽極導電層２によって覆われている。素子分離膜４の開口した部分では、陽極導電層２の上側に有機ＥＬ層５が配置されている。有機ＥＬ層５は、素子分離膜４の開口した部分に露出した陽極導電層２の上側を覆うとともに素子分離膜４にも部分的に乗り上げるように配置されている。この有機ＥＬ層５の上面を覆い、さらに素子分離膜４の上側も覆うように陰極導電層６が配置されている。陰極導電層６は、光を透過できる（以下、「光透過性の」という。）材料からなり、複数の画素領域にまたがって連続して形成されている。
【００１２】
図１には示されていないが、この他に、吸湿剤、封止部材、シール剤、偏光板、各種光学フィルムに関しては、従来どおりのものが従来同様に配置されている。
【００１３】
さらに、陽極導電層２は、仕事関数が４．８ｅＶ以上である層（以下、「高仕事関数層」という。）を含むことが好ましい。図１の例では、陽極導電層２は単一の金属層からなる構造であり、この金属層が高仕事関数層に該当するが、陽極導電層２を複数層の積層構造としてその中に少なくとも１層の高仕事関数層を含むこととしてもよい。
【００１４】
高仕事関数層の材料としては、仕事関数の大きい金属であるＡｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｓｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｏｓ，またはこれらを含む合金などが用いられる。仕事関数の値は、上述したように４．８ｅＶ以上であることが好ましいが、５．０ｅＶ以上であることがより好ましい。
【００１５】
陽極分離膜３は、たとえば、アクリル、ポリイミド、ノボラックなどの樹脂組成物からなる。あるいは、無機絶縁膜からなるものとしてもよい。
【００１６】
有機ＥＬ層５を構成する化合物としては、特に制限はなく、低分子、高分子、高分子マトリックス中に低分子が分散したものなどを用いることができる。有機ＥＬ層の形成方法としては、真空蒸着、真空蒸着のシャドーマスクパターニングなどのドライプロセスを用いることができる。そのほかに、スピンコート、キャスト、ディップコート、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などのウェットプロセスや各種印刷法も用いることができる。
【００１７】
陰極導電層６としては、光透過性の導電性膜であればよく、たとえば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）などの膜が用いられる。また、これらの光透過性の導電性膜に、電子注入特性を向上させるための金属電極および絶縁膜を薄く積層しても構わない。光透過率としては、５０％以上が好ましく、より好ましくは７０％以上がよい。陰極導電層６の形成方法としては、スパッタ、ＣＶＤ、真空蒸着などの方法が適用可能である。
【００１８】
（作用・効果）
本実施の形態では、上面が下面より大きくなった形状の陽極分離膜３が各画素領域を隔てているので、各画素領域に陽極導電層２を形成するための蒸着において、隣同士の画素においてそれぞれ画素電極となるべき陽極分離膜３同士は、確実に電気的に断絶した状態にすることができる。シャドーマスクによる選択的蒸着やエッチングによるパターン形成などを行なわなくとも高精細のパターンを容易に形成することが可能となる。したがって、陽極導電層の材料として、従来は高精細な加工が困難であった高仕事関数の金属をも問題なく選択することができるようになる。陽極導電層の製造方法としては、スパッタなどの通常の薄膜作製方法を採用することができる。
【００１９】
本実施の形態における有機ＥＬ素子では、このように、画素電極としての陽極導電層２を高仕事関数の金属で形成することができるので、有機ＥＬ層５への正孔の注入効率を高めることができる。陽極導電層２が画素領域ごとに別個に配置されるのに対して、陰極導電層６は、共通電極として形成され、用いられる。
【００２０】
陽極分離膜３および素子分離膜４を形成する際に、いかにして上述のような所望の形状にするかについて説明する。これは、それぞれの材料に対する露光、現像、エッチング、ベークなどの条件を操作することによって行なうことができる。たとえば、陽極分離膜３としてネガ型の感光性ノボラック樹脂を用い、感光性を高めておけば、露光の際に膜の上部で光が吸収されてしまい、膜の下部には光による反応があまり起こらない。この状態で、現像を行なうと、膜の上部では現像液に溶かされにくく、下部にいくほど現像液に溶かされやすくなるので、上面が下面より大きくなる、いわゆる「逆テーパ形状」のパターンを得ることができる。また、たとえば、素子分離膜４としてポジ型の感光性ポリイミド樹脂を用い、通常の現像によりパターンを形成した後に、２００℃程度のポストベークを行なうことにより、上面より下面の方が大きい、すなわち、下方が広がるような形状、いわゆる「正テーパ形状」とすることができる。なお、より確実な被覆のためには陽極分離膜３に対して，素子分離膜４の方が厚い方が望ましい。
【００２１】
なお、本実施の形態では、カラー表示用の有機ＥＬ素子の例を示しており、その場合、有機ＥＬ層５の一部が画素ごとに分かれて別個となっている。しかし、モノクロ表示用の有機ＥＬ素子の場合でも本発明は適用可能であり、その場合、有機ＥＬ層は複数の画素にまたがって延々とつながった構造であってもよい。
【００２２】
（実施の形態２）
（製造方法）
図２〜図５、図１を参照して、本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００２３】
図２に示すように、基板１の上面に、絶縁体で陽極分離膜３のパターンを形成する。ただし、陽極分離膜３は、実施の形態１で例示したような方法を用いて上面が下面よりも大きくなるように形成する。次に、図３に示すように、金属膜を形成する。このとき、図３の矢印に示すように真上から金属の蒸着を行なうと、陽極分離膜３の形状に起因して、基板１上面と陽極分離膜３の上面とで、物理的にも電気的にも分断した形で金属膜が形成され、それぞれ、陽極導電層２および導電層７となる。図４に示すように、絶縁体で素子分離膜４を形成する。素子分離膜４は、実施の形態１で例示したような方法を用いて下方にいくほど広がるように形成する。図５に示すように、有機ＥＬ層５を形成する。有機ＥＬ層５は、陽極導電層２および素子分離膜４の上側を覆うように形成する。ただし、有機ＥＬ層５の一部は、陽極導電層２の露出する箇所の１つ１つ、すなわち、画素領域の１つ１つに対応するように分離したパターンで形成される。もっとも、カラー表示用の有機ＥＬ素子の場合、このように画素領域ごとに分けて形成することが一般的だが、モノクロ表示用の有機ＥＬ素子の場合、有機ＥＬ層は画素領域ごとに分けず延々とつながって延びるように形成してもよい。さらに、有機ＥＬ層５および素子分離膜４の上側を覆うように、陰極導電層６を形成することによって、図１に示す有機ＥＬ素子を得る。陰極導電層６の形成方法は、実施の形態１で説明した通りである。
【００２４】
（作用・効果）
本実施の形態によれば、実施の形態１で説明した有機ＥＬ素子を容易に製造することができる。
【００２５】
（実施の形態３）
（構成）
図６を参照して、本発明に基づく実施の形態３における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子では、陽極導電層２が多層構造となっている。陽極導電層２は３層以上の積層構造であってもよいが、積層構造の一例として図６では、層２ａと層２ｂとからなる２層構造の例を示している。このように多層構造の陽極導電層２においては、有機ＥＬ層５に最も近い側の層、すなわち最上層である層２ｂとして、実施の形態１で説明したような金属種が用いられる。すなわち、層２ｂの材料としては仕事関数が大きいものが好ましい。たとえば、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｓｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｏｓ，またはこれらを含む合金などが好ましい。一方、陽極導電層２を構成する層のうち有機ＥＬ層５から遠い側の層２ａとしては、仕事関数に関係なくあらゆる導電性薄膜を使用可能である。たとえば、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｗおよびこれらの金属の合金などが用いられる。基板１に接することになる層２ａには基板１との密着性に優れた材料を用いることが好ましい。
【００２６】
陽極導電層２のうち最上層は、実施の形態１で説明した陽極導電層２の形成方法のように、上側から全面に蒸着させて、陽極分離膜３の形状を利用して個々の画素電極のパターンを分けて形成するが、陽極導電層２のうち最上層以外の層については、予め通常のリソグラフィによりパターニングすることとしてもよい。
【００２７】
その他の構成は、実施の形態１で説明したものと同様である。特に、陽極分離膜３は、上面の方が下面より大きくなっている。陽極分離膜３の上端部における上面と側面とのなす角度は９０°以下となっており、断面図で見た陽極分離膜３は、いわゆる垂直形状ないしいわゆる逆テーパ形状となっている。また、素子分離膜４は下方にいくほど広くなっている。素子分離膜４の上端部における上面と側面のなす角度は９０°以上となっており、断面図で見るといわゆる垂直形状ないしいわゆる正テーパ形状となっている。
【００２８】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子では、実施の形態１と同様に、陽極導電層２が基板１の上面と陽極分離膜３の上面とで幾何学的にも電気的にも隔てられた配置に形成することが容易にできる。したがって、他の手法ではできなかった高仕事関数の材料による画素電極の高精細パターンを容易に形成することが可能となる。高仕事関数の材料で画素電極を形成することで有機ＥＬ層への正孔の注入効率を向上させ、有機ＥＬ素子としての効率も向上させることができる。
【００２９】
さらに，本実施の形態における有機ＥＬ素子では、図６に示したように陽極導電層２が多層構造となっており、基板１などの下層構成物に接する層と、有機ＥＬ層５に接する層とで異なる種類の材料を用いることができるので、材料の選択の自由度が高まる。したがって、最上層および最下層に適切な材料を選ぶことによって、正孔注入効率を高めつつ、基板１などの下層構成物に対する陽極導電層２の密着性を向上させることができる。
【００３０】
（実施の形態４）
（構成）
図６を参照して、本発明に基づく実施の形態４における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子では、陽極導電層２が多層構造となっている。最上層である層２ｂとして高仕事関数の材料を用いることは、実施の形態３と同様である。
【００３１】
本実施の形態では、最上層であって高仕事関数層でもある層２ｂは、光透過性とするために膜厚を０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とする。さらに、最上層のすぐ下の層である層２ａには、高反射率の材料を用いる。たとえば、Ａｌ，Ａｇおよびこれらの合金などが用いられる。この高反射率の材料としては、可視領域での反射率が８０％以上の材料を用いることが好ましい。これは、上から２層目以下のいずれかの層に用いることが好ましい。陽極導電層２のうち最上層以外の層については、予め通常のリソグラフィによりパターニングすることとしてもよい。
【００３２】
その他の構成は、実施の形態１で説明したものと同様である。
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子では、実施の形態１と同様に、高仕事関数の材料による画素電極の高精細パターンを容易に形成することが可能となり、その結果として、有機ＥＬ層への正孔の注入効率が向上し、有機ＥＬ素子としての効率が向上する。
【００３３】
さらに、最上層およびそのすぐ下の層に適切な材料を選ぶことによって、正孔注入効率を高めつつ、陽極導電層２全体として発揮する反射率を高めることができる。したがって、有機ＥＬ発光現象に対する光取り出し効率が向上し、有機ＥＬ素子としての効率を向上させることができる。
【００３４】
（実施の形態５）
（構成）
図６を参照して、本発明に基づく実施の形態５における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子では、陽極導電層２が多層構造となっている。最上層である層２ｂとして高仕事関数の材料を用いることは、実施の形態３，４と同様である。
【００３５】
本実施の形態では、最上層であって高仕事関数層でもある層２ｂは、光透過性とするために膜厚を０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内とする。さらに、最上層のすぐ下の層である層２ａには、波長による反射率の変動の少ない材料を用いる。たとえば、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａおよびこれらの合金などが用いられる。陽極導電層２のうち最上層以外の層については、予め通常のリソグラフィによりパターニングすることとしてもよい。
【００３６】
その他の構成は、実施の形態１で説明したものと同様である。
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子では、実施の形態１と同様に、高仕事関数の材料による画素電極の高精細パターンを容易に形成することが可能となり、その結果として、有機ＥＬ層への正孔の注入効率が向上し、有機ＥＬ素子としての効率が向上する。
【００３７】
さらに、最上層およびそのすぐ下の層に適切な材料を選ぶことによって、正孔注入効率を高めつつ、陽極導電層２全体として、有機ＥＬ層が発した光を発光スペクトルをほとんど変えることなく反射することができるようになる。したがって、色を正しく表示することのできる有機ＥＬ素子とすることができる。
【００３８】
（実施の形態６）
（構成）
図７を参照して、本発明に基づく実施の形態６における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極分離膜の形状が異なる点以外は、実施の形態１におけるものと同じである。本実施の形態における有機ＥＬ素子は、図７に示すように陽極分離膜３ｈを備えている。陽極分離膜３ｈは、上面が下面より大きくなっているという点では、実施の形態１におけるものと同様であるが、実施の形態１における陽極分離膜３が逆テーパ形状だったのに対して、本実施の形態の陽極分離膜３ｈは、断面図で見てＴ字形となるような形状をしている。
【００３９】
このような陽極分離膜３ｈは、エッチングレートの異なる２種類の層を積層し、エッチングすることによって得ることができる。たとえば、酸化シリコン膜の上に窒化シリコン膜を積み重ねた２層構造を、通常のレジストを用いて、ＣＦ_４およびＣＨＦ_３などのフッ素系ガスを含むガス雰囲気中でドライエッチングすることにより、酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の両方をパターニングする。引き続き、ＨＦ水溶液により下層の酸化シリコン膜をエッチングすることにより、陽極分離膜３ｈを得ることができる。これは、ＨＦ水溶液によるエッチングレートの大きい酸化シリコン膜では側方から除去が大きく進むのに比べて、エッチングレートの小さい窒化シリコン膜では側方からの除去の進行量が小さいことにより、結果的に、断面図で見てＴ字形となるような形状となるものである。
【００４０】
また、陽極分離膜３ｈを形成する他の方法として、たとえば、窒化シリコン膜の上に酸化シリコン膜を積み重ねた２層構造を、通常のレジストを用いて、ＣＦ_４およびＣＨＦ_３などのフッ素系ガスを含むガス雰囲気中でドライエッチングすることにより、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜の両方をパターニングする。引き続き、熱リン酸により下層の窒化シリコン膜をエッチングすることにより、陽極分離膜３ｈを得ることができる。これは、熱リン酸によるエッチングレートの大きい窒化シリコン膜では側方から除去が大きく進むのに比べて、エッチングレートの小さい酸化シリコン膜では側方からの除去の進行量が小さいことにより、結果的に、断面図で見てＴ字形となるような形状となるものである。
【００４１】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子のような構成によっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態の構成に実施の形態３，４，５の構成を組合せてもよい。
【００４２】
（実施の形態７）
（構成）
図８を参照して、本発明に基づく実施の形態７における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極分離膜の形状が異なる点以外は、実施の形態１におけるものと同じである。本実施の形態における有機ＥＬ素子は、図８に示すように陽極分離膜３ｉを備えている。陽極分離膜３ｉは、上面が下面より大きくなっているという点では、実施の形態１におけるものと同様であるが、実施の形態１における陽極分離膜３が逆テーパ形状だったのに対して、本実施の形態の陽極分離膜３ｉは、側面が凹状の曲面となっている。
【００４３】
このような形状の陽極分離膜は、たとえば、以下の〈１〉〜〈４〉のいずれかを行なってから露光、現像を行なうことによって実現可能である。
〈１〉化学増幅型ポジレジストの膜上面をアルカリ雰囲気に暴露する。
〈２〉化学増幅型ポジレジストの膜上面をアルカリ性溶液に曝す。
〈３〉化学増幅型ネガレジストの膜上面を酸雰囲気に暴露する。
〈４〉化学増幅型ネガレジストの膜上面を酸性溶液に曝す。
【００４４】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子のような構成によっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態の構成に実施の形態３，４，５の構成を組合せてもよい。
【００４５】
（実施の形態８）
（構成）
図９を参照して、本発明に基づく実施の形態８における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極分離膜の形状が異なる点以外は、実施の形態１におけるものと同じである。本実施の形態における有機ＥＬ素子は、図９に示すように陽極分離膜３ｊを備えている。陽極分離膜３ｊは、上面が下面より大きくなっているという点では、実施の形態１におけるものと同様であるが、実施の形態１における陽極分離膜３が逆テーパ形状だったのに対して、本実施の形態の陽極分離膜３ｊは、側面が凸状の曲面となっている。
【００４６】
このような形状の陽極分離膜は、たとえば、以下の〈５〉〜〈８〉のいずれかを行なってから露光、現像を行なうことによって実現可能である。
〈５〉基板１を予め酸雰囲気に暴露した後に化学増幅型ポジレジストを配置する。
〈６〉基板１を予め酸性溶液に曝した後に化学増幅型ポジレジストを配置する。
〈７〉基板１を予めアルカリ雰囲気に暴露した後に化学増幅型ネガレジストを配置する。
〈８〉基板１を予めアルカリ性溶液に曝した後に化学増幅型ネガレジストを配置する。
【００４７】
ここでは、陽極分離膜のすぐ下の層が基板１であったので、〈５〉〜〈８〉では、基板１に対して酸またはアルカリを用いた処理を行なうこととしたが、陽極分離膜のすぐ下の層が基板１以外の層であった場合にはその該当する層に対して処理を行なえばよい。
【００４８】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子のような構成によっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態の構成に実施の形態３，４，５の構成を組合せてもよい。
【００４９】
（実施の形態９）
（構成）
図１０を参照して、本発明に基づく実施の形態９における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極分離膜の形状が異なる点以外は、実施の形態１におけるものと同じである。本実施の形態における有機ＥＬ素子は、図１０に示すように陽極分離膜３ｋを備えている。陽極分離膜３ｊは、上面と下面とが同じ大きさ、すなわち、いわゆる「垂直形状」となっている。このような形状の陽極分離膜は、公知技術によって通常の露光、現像を行なうことによって実現可能である。
【００５０】
（作用・効果）
本実施の形態における有機ＥＬ素子のような構成によっても、陽極導電層のための金属膜を蒸着する際には、陽極分離膜３ｋによって生じる高低差によって、金属膜が分断される。したがって、互いに隣接する画素に対応する画素電極同士は電気的に断絶した状態にすることができるので、結局のところ、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態の構成に実施の形態３，４，５の構成を組合せてもよい。
【００５１】
ただし、互いに隣接する画素に対応する画素電極同士が電気的につながってしまうことをより確実に防止するには、実施の形態１，６，７，８に示したように、陽極分離膜を形成する際に、上面の方が下面より大きくなるようにすることがより好ましい。
【００５２】
（実施の形態１０）
（構成）
図１１を参照して、本発明に基づく実施の形態１０における有機ＥＬ素子について説明する。この有機ＥＬ素子は、陽極分離膜、素子分離膜の形状および陽極導電層の２層の組合せの仕方に関しては、実施の形態３（図６参照）と同様である。実施の形態３では、陽極導電層２や陽極分離膜３のすぐ下側に接する層が基板１となっていたが、本実施の形態では、すぐ下側に接する層は層間絶縁膜２７となっており、ここに、ＴＦＴアレイおよび配線が配置されている。具体的には、基板１の上面に各画素に対応するようにゲート電極２１が配置され、ゲート電極２１を含めて基板１上面を覆うようにゲート絶縁膜２２が形成されている。このゲート絶縁膜２２の上側において、各ゲート電極２１に対応する位置に半導体薄膜２３が形成され、それぞれＴＦＴ素子を構成している。半導体薄膜２３を含めてゲート絶縁膜２２上面を覆うように層間絶縁膜２６が形成されている。層間絶縁膜２６を上下方向に貫通するようにして、半導体薄膜２３のソース側、ドレイン側にそれぞれ接続するように、ソース電極２４、ドレイン電極２５が形成されている。ソース電極２４、ドレイン電極２５を含めて層間絶縁膜２６上面を覆うように層間絶縁膜２７が形成されている。層間絶縁膜２７を上下方向に貫通するようにして、画素コンタクトホール２８が形成されており、画素電極としての陽極導電層２と、ドレイン電極２５とが電気的に接続されている。ソース電極２４に対しては、図１１には表れていないが、別途、配線が設けられ、これらのＴＦＴ素子の集合によってＴＦＴアレイを構成している。なお、陽極導電層２は、ドレイン電極２５の代わりにソース電極２４と接続されていてもよい。
【００５３】
ここに述べたＴＦＴアレイなどは通常の構成であって、従来の工程により製造することができる。層間絶縁膜２６，２７の材料には特に制限はないが、アクリル、ポリイミド、ノボラックなどの樹脂組成物、あるいは無機絶縁体などが使用可能である。
【００５４】
このような構成によれば、ＴＦＴ素子によって有機ＥＬ素子を駆動するアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ層への正孔の注入効率が向上し、有機ＥＬ素子としての効率が向上する効果が得られる。
【００５５】
実施の形態１〜９においても、本実施の形態と同様に構成することによって、アクティブマトリックス方式の表示装置に適応させることができる。
【００５６】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、陽極分離膜が各画素領域を隔てているので、各画素領域に陽極導電層を形成するための蒸着においては、シャドーマスクによる選択的蒸着やエッチングによるパターン形成などを行なわなくとも、隣同士の画素においてそれぞれ画素電極となるべき陽極分離膜同士が電気的に断絶した状態にすることができる。したがって、高精細のパターンを容易に形成することが可能となる。この結果、陽極導電層の材料として、従来は高精細な加工が困難であった高仕事関数の金属をも問題なく選択することができるようになり、高仕事関数の金属を用いて陽極導電層を形成することで、有機ＥＬ層への正孔の注入効率を高めることができる。さらに、発光を前面に取り出すための光反射特性を備えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ素子の製造方法の第１の工程の説明図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ素子の製造方法の第２の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ素子の製造方法の第３の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における有機ＥＬ素子の製造方法の第４の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態３，４，５における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態６における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態７における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態８における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態９における有機ＥＬ素子の断面図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態１０における有機ＥＬ素子の断面図である。
【符号の説明】
１基板、２陽極導電層、２ａ，２ｂ層、３，３ｈ，３ｉ，３ｊ，３ｋ陽極分離膜、４素子分離膜、５有機ＥＬ層、６陰極導電層、７，７ｂ導電層、２１ゲート電極、２２ゲート絶縁膜、２３半導体薄膜、２４ソース電極、２５ドレイン電極、２６，２７層間絶縁膜、２８画素コンタクトホール。

Claims

基板と、
前記基板の上側に絶縁体で形成された陽極分離膜と、
前記陽極分離膜によって区画された領域内において前記基板の上面に形成された陽極導電層と、
前記陽極分離膜を包み込み、下方が広がるように絶縁体で形成された素子分離膜とを備える、有機電界発光素子。
前記陽極分離膜の上面にも前記陽極導電層と同じ種類の膜が形成され、この膜が前記素子分離膜によって覆われている、請求項１に記載の有機電界発光素子。
前記陽極分離膜は、上面が下面よりも大きくなっている、請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
前記陽極導電層は、仕事関数が４．８ｅＶ以上である高仕事関数層を含む、請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光素子。
前記陽極導電層は、２層以上の積層構造とし、前記高仕事関数層は前記積層構造のうち最上層に位置する、請求項４に記載の有機電界発光素子。
前記陽極導電層は、前記積層構造の上から２層目以下に可視領域での反射率が８０％以上の層を含む、請求項５に記載の有機電界発光素子。
前記高仕事関数層は厚みが０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項４から６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
基板の上面に、上面が下面よりも大きくなるように絶縁体で陽極分離膜を形成する工程と、
前記基板の上側から前記陽極分離膜を含む領域に向けて金属により陽極導電層を形成する工程と、
前記陽極分離膜を包み込み下方が広がるように、絶縁体で素子分離膜を形成する工程とを含む、
有機電界発光素子の製造方法。