JP2005227519A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 駆動用基板11に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜13を形成し、焼成する。平坦化絶縁膜13の上に、複数の第1電極14を形成し、これらの第1電極14の間の領域に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜15を形成し、焼成する。平坦化絶縁膜13を焼成する温度を、電極間絶縁膜15を焼成する温度よりも高くすることにより、電極間絶縁膜15を焼成する工程において平坦化絶縁膜13からの脱ガスの発生を抑制し、第1電極14および電極間絶縁膜15の表面の荒れを防止する。そののち、複数の第1電極14の上に、発光層を含む有機層16および第2電極17を順に形成する。
【選択図】 図1
Description
上記実施の形態の図3および図4に示した工程により、駆動用基板11上に、平坦化絶縁膜13,第1電極14および電極間絶縁膜15を作製した。その際、平坦化絶縁膜13をポリベンゾオキサゾールにより構成し、平坦化絶縁膜13を焼成する温度を350℃とし、電極間絶縁膜15をポリベンゾオキサゾールにより構成し、電極間絶縁膜15を焼成する温度を320℃とした。得られた電極間絶縁膜15の表面を光学顕微鏡で観察した。その結果を図8に示す。
Claims (9)
- 基板に感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜を形成して焼成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の上に複数の第1電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極の間の領域に感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜を形成して焼成する工程と、
前記複数の第1電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記発光層を含む有機層の上に、第2電極を形成する工程と
を含み、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を前記電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くする
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成する
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を300℃以上400℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を280℃以上380℃以下とする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を220℃以上400℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を200℃以上380℃以下とする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を300℃以上400℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリイミドにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を200℃以上380℃以下とする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を300℃以上400℃以下とし、前記電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を280℃以上380℃以下とする
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
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