CN101740504B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其制造方法，其不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理工艺并可防止有机发光器件劣化。所述制造显示装置的方法包括以下步骤：在基板上的显示区域中形成多个有机发光器件以形成发光面板；在基体上形成分别对应于所述多个有机发光器件的凸状反射元件以形成反射体；沿所述发光面板的外边缘形成粘合层；和在真空中气氛中将所述发光面板和所述反射体与所述粘合层接合在一起，由此在所述发光面板和所述反射体之间的空间中形成真空层。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法，所述显示装置包括在使用有机发光器件(有机EL(电致发光)器件)的发光面板的光提取侧上用于改善亮度的反射体。
背景技术
自发光器件例如有机发光器件依次包括在基板上的第一电极、包含发光层的层和第二电极，当在第一电极和第二电极之间施加DC电压时，在发光层中产生电子空穴复合从而发光。发射的光可从更靠近第一电极和基板的侧面提取，或者发射的光可从更靠近第二电极的一侧(即从与其中布置有包括TFT(薄膜晶体管)或者配线的电路以增加开口率的侧面相反的侧面)提取。
使用自发光器件的显示装置的一个实例是使用有机发光器件的显示装置，例如，如日本未审查的专利申请公开No.2005-227519所述。然而，在相关技术的显示装置中，由发光层发出的光没有通过全反射或类似方式从显示装置提取，所以显示装置的光使用效率不是很高。因此，例如，如日本未审查的专利申请公开No.2007-248484中所述，提出将被称为反射体的光学部件直接设置在有机发光器件上以改善光提取效率。通过在基体例如玻璃上设置多个凸状的反射元件形成反射体，并且在每个反射元件的侧表面上形成反射镜膜。
发明内容
然而，在相关技术中的制造反射体的这种方法中，在形成反射元件之后，需要后处理以在每个反射元件的侧表面上形成反射镜膜。因此，在相关技术的制造反射体的方法中，需要在大的面积上的成膜步骤和抛光步骤，由此耗费相当大的努力，并且成膜步骤和抛光步骤使成本增加而产率降低。而且，由例如铝(Al)制成的反射镜膜的反射率最大为约90％，由此因吸收而导致损失。
此外，日本未审查的专利申请公开No.2004-164912中记载：在透射由发光层输出的光的透射层中设置凹陷24，并且每个凹陷24的侧表面24a用作全反射面。凹陷24的内部充有气体或者为基本真空状态。然而，在日本未审查的专利申请公开No.2005-227519中，没有描述使得凹陷24的内部成为基本真空状态的具体制造方法。此外，在凹陷24的内部充有气体的情况下，有机发光器件由于湿气等的影响而劣化，由此可靠性可能降低。
此外，在日本未审查的专利申请公开No.2004-164912中，当基板11和透明元件22在减压气氛中对准、然后彼此接触时，通过旋涂利用粘合层17涂敷整个基板11，所以特别是在其中基板大的情况下，难以利用粘合层均匀地涂敷基板。
期望提供一种显示装置及其制造方法，其不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理并可防止发光器件劣化。
根据本发明的一个实施方案，提供一种制造显示装置的方法，包括以下步骤(A)～(D)：
(A)在基板上的显示区域中形成多个有机发光器件以形成发光面板；
(B)在基体上形成分别对应于所述多个有机发光器件的凸状反射元件以形成反射体；
(C)沿发光面板的外边缘形成粘合层；和
(D)在真空气氛中将发光面板和反射体与粘合层接合在一起，由此在发光面板和反射体之间的空间中形成真空层。
根据本发明的一个实施方案，提供一种包括以下部件(A)～(D)的显示装置，即：
(A)包括在基板上的显示区域中的多个有机发光器件的发光面板；
(B)包括在基体上分别对应于所述多个有机发光器件的凸状反射元件的反射体；
(C)沿发光面板的外边缘形成以将发光面板和反射体接合在一起的粘合层；和
(D)在发光面板和反射体之间的空间中形成的真空层。
在根据本发明一些实施方案的显示装置中，发光面板和反射体之间的空间是真空层，所以从发光面板上的有机发光器件发出的光从其顶端表面进入每个反射元件，并通过每个反射元件的侧表面与真空层之间的界面反射以使得光被提取至外部。此外，消除了湿气等从发光面板和反射体之间的空间进入有机发光器件的可能性，并防止有机发光器件由于湿气等的影响所导致的劣化。
在根据本发明一些实施方案制造显示装置的方法中，沿发光面板外边缘形成粘合层，然后在真空气氛中使发光面板和反射体与粘合层接合在一起，由此在发光面板和反射体之间的空间中形成真空层。因此，不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理，并且可防止有机发光器件的劣化。
在根据本发明一些实施方案的显示装置中，在发光面板和反射体之间的空间中形成真空层，所以允许通过每个反射元件的侧表面和真空层之间的界面来反射由发光面板上的有机发光器件发出的光。因此，不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理，并且可消除湿气等从发光面板和反射体之间的空间进入有机发光器件的可能性，而且可防止有机发光器件由于湿气等的影响所导致的劣化。
通过以下描述，本发明的其它的和进一步的目的、特征和优点将更全面地变得清晰。
附图说明
图1是根据本发明一个实施方案的显示装置的结构的说明图。
图2是说明图1中所示的像素驱动电路的一个实例的等效电路图。
图3是说明图1中所示的显示装置的显示区域的结构的截面图。
图4是说明当从反射元件侧面观察时图3中所示的反射体的结构的平面图。
图5是说明图3中所示的显示装置的分解透视图。
图6A和6B是按照步骤次序说明制造图3中所示的显示装置的方法的截面图。
图7A和7B是说明图6A和6B之后的步骤的截面图。
图8A和8B是说明图7A和7B之后的步骤的截面图。
图9是说明图8A和8B之后的步骤的截面图。
图10A～10D是说明图9之后的步骤的截面图。
图11是说明图10A～10D之后的步骤的截面图。
图12是说明图11之后的步骤的截面图。
图13是说明图12之后的步骤的截面图。
图14说明确定图3中所示显示装置的发光角度分布的结果。
图15是包括根据上述实施方案的显示装置的模块的平面示意图。
图16是根据上述实施方案的显示装置的应用实施例1的外部透视图。
图17A和17B分别是从应用实施例2的正面的外部透视图和从应用实施例2的背面的外部透视图。
图18是应用实施例3的外部透视图。
图19是应用实施例4的外部透视图。
图20A～20G说明应用实施例5，图20A和20B分别是在其中应用实施例5打开的状态中的正视图和侧视图，图20C、20D、20E、20F和20G分别是在其中应用实施例5关闭的状态中的正视图、左视图、右视图、顶视图和底视图。
具体实施方式
以下将参考附图详细描述优选实施方案。
图1说明根据本发明一个实施方案的显示装置的结构。该显示装置用作超薄有机发光彩色显示装置等。例如，该显示装置包括：通过在驱动基板11上以矩阵形式布置下文将描述的多个有机发光器件10R、10G和10B所形成的显示区域110。在显示区域110周围形成信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130作为用于图像显示的驱动器。
在显示区域110中形成像素驱动电路140。图2说明像素驱动电路140的一个实例。像素驱动电路140在第一电极13下形成(下文将描述)，像素驱动电路140是有源驱动电路，其包括：驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2、驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2之间的电容器(保持电容器)Cs、在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间串联连接至驱动晶体管Tr1的有机发光器件10R(或10G或10B)。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2均由通常的薄膜晶体管(TFT)构成，TFT可具有例如倒置交错式结构(所谓的底栅型)或交错式结构(顶栅型)，TFT的结构没有特别限制。
在像素驱动电路140中，沿列方向布置多个信号线120A，沿行方向布置多个扫描线130A。每个信号线120A和每个扫描线130A之间的交点对应于有机发光器件10R、10G和10B中的一个(子像素)。每个信号线120A连接至信号线驱动电路120，图像信号通过信号线120A从信号线驱动电路120供给至写入晶体管Tr2的源电极。每个扫描线130A连接至扫描线驱动电路130，扫描信号通过扫描线130A从扫描线驱动电路130依次地供给至写入晶体管Tr2的栅电极。
图3说明图1中所示显示装置的显示区域110中的截面图。显示装置包括在发光面板10的光提取侧面上的反射体20。发光面板10和反射体20与沿发光面板10的外边缘形成的粘合层30接合在一起，发光面板10和反射体20之间的空间是真空层40。由此，在该显示装置中，不需要用于在反射体20中形成反射镜膜的复杂的后处理，并且可防止有机发光器件10R、10G和10B的劣化。
通过在由玻璃、硅(Si)晶片、树脂等制成的驱动基板11上以矩阵形式依次形成发红光的有机发光器件10R、发绿光的有机发光器件10G和发蓝光的有机发光器件10B，作为整体形成发光面板10。此外，有机发光器件10R、10G和10B均具有矩形平面形状，彼此相邻的一个有机发光器件10R、一个有机发光器件10G和一个有机发光器件10B的组合构成一个像素。
有机发光器件10R、10G和10B均具有如下结构：在其间具有上述像素驱动电路140和平坦化层12的驱动基板11上依次层叠作为阳极的第一电极13、绝缘膜14、包括以后将描述的发光层的有机层15和作为阴极的第二电极16，并且如果必要，利用保护膜17覆盖有机发光器件10R、10G和10B。
第一电极13形成为分别对应于有机发光器件10R、10G和10B，并且通过绝缘膜14使得彼此电隔离。此外，第一电极13具有如下功能：用作将从发光层发出的光进行反射的反射电极，并且期望第一电极13具有尽可能高的反射率以改善发光效率。第一电极13均具有例如100nm～1000nm(包含两个端值)的厚度，并由铝(Al)或者包含铝(Al)的合金、或者银(Ag)或者包含银(Ag)的合金制成。此外，第一电极13可由例如如下所述的任何其它金属元素的单质或者合金制成：铬(Cr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)或者金(Au)。
提供绝缘膜14以确保第一电极13和第二电极16之间的绝缘和使发光区域精确地具有期望形状，并由例如有机材料例如光敏的丙烯酸树脂、聚酰亚胺或者聚苯并噁唑或者无机绝缘材料例如二氧化硅(SiO2)所制成。绝缘膜14具有对应于第一电极13的发光区域的开口。有机层15和第二电极16可连续地设置在发光区域上而且也可设置在绝缘膜14上，但是光仅仅从绝缘膜14的开口发出。
有机层15具有例如如下结构：其中空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层从第一电极13侧依次地层叠，但是如果必要的话可设置除了发光层之外的这些层中任何层。此外，根据从有机发光器件10R、10G或10B发出的光的颜色，有机层15可具有不同的结构。提供空穴注入层以提高空穴注入效率，并且作为用于防止泄漏的缓冲层。提供空穴传输层以提高至发光层的空穴传输效率。发光层响应于施加的电场而通过电子和空穴的复合来发光。提供电子传输层以提高至发光层的电子传输效率。此外，在电子传输层和第二电极16之间可设置由LiF、Li2O等制成的电子注入层(未示出)。
在有机发光器件10R中，空穴注入层的材料的实例包括4，4′4″-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺(m-MTDATA)和4，4′4″-三(2-萘基苯氨基)三苯胺(2-TNATA)，空穴传输层的材料的一个实例是双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)。此外，在有机发光器件10R中，发光层的材料的一个实例是与40体积％的2，6-双[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二腈(BSN-BCN)混合的8-羟基喹啉铝(Alq3)配合物，电子传输层的材料的一个实例是Alq3。
在有机发光器件10G中，空穴注入层的材料的实例包括m-MTDATA和2-TNATA，空穴传输层的材料的一个实例是α-NPD。此外，在有机发光器件10G中，发光层的材料的一个实例是与3体积％的香豆素6混合的Alq3，电子传输层的材料的一个实例是Alq3。
在有机发光器件10B中，空穴注入层的材料的实例包括m-MTDATA和2-TNATA，空穴传输层的材料的一个实例是α-NPD。此外，在有机发光器件10B中，发光层的材料的一个实例是spiro6Φ，电子传输层的材料的一个实例是Alq3。
第二电极16的厚度为例如5nm～50nm(包含两个端值)，并由金属元素例如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)或者钠(Na)的单质或者合金制成。其中，第二电极16优选由镁和银的合金(MgAg合金)或者铝(Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)制成。此外，第二电极16可由ITO(铟锡复合氧化物)或者IZO(铟锌复合氧化物)制成。
保护膜17具有例如500nm～10000nm(包含两个端值)的厚度并由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)等制成。
图4说明反射体20的平面图。提供反射体20以提高从有机发光器件10R、10G和10B的光提取效率，由此改善亮度，反射体20设置在光提取侧面上，即发光面板10的第二电极16一侧上。反射体20具有如下结构：其中在透明基体21的表面上形成作为黑色基体的光屏蔽膜23和滤色器22，并且在滤色器22上设置有反射元件24。
基体21由例如玻璃、由耐热树脂制成的树脂膜或者树脂基板、或者熔凝石英制成。
提供滤色器22和光屏蔽膜23以提取从有机发光器件10R、10G和10B发出的光，和吸收由有机发光器件10R、10G和10B以及它们之间的配线所反射的外部光，由此改善对比度。
滤色器22在反射元件24下形成并包括设置为分别对应于有机发光器件10R、10G和10B的红色滤色器22R、绿色滤色器22G和蓝色滤色器22B。红色滤色器22R、绿色滤色器22G和蓝色滤色器22B均具有例如矩形形状并且紧密地形成。红色滤色器22R、绿色滤色器22G和蓝色滤色器22B均由混有颜料的树脂制成，并通过选择颜料来调节，使得在目标红色、绿色或者蓝色波长范围中的透光率高，而在其它波长范围中的透光率低。
沿红色滤色器22R、绿色滤色器22G和蓝色滤色器22B的边界设置光屏蔽膜23。光屏蔽膜23由例如与黑色着色剂混合并具有光密度为1或更大的一种或多种黑色树脂膜制成、或者由使用薄膜干涉的薄膜滤光器制成。其中，光屏蔽膜23优选由黑树脂膜制成，这是因为易于以低成本形成光屏蔽膜23。薄膜滤光器由包括例如金属、金属氮化物或者金属氧化物的一层或多层薄膜的叠层制成，从而通过利用薄膜干涉来衰减光。更具体地，使用通过交替层叠铬层和氧化铬(III)(Cr2O3)层形成的叠层作为薄膜滤光器。此外，不是必需设置光屏蔽膜23。
反射元件24均具有例如平截头圆锥体的形状，并且每个反射元件24的底部表面与滤色器22接触，并且每个反射元件24的顶表面是平坦的，顶表面的面积小于底部表面的面积。反射元件24由树脂例如可紫外固化的树脂或者热固性树脂制成，但是反射元件24也可由低熔点玻璃制成。
通过每个反射元件24的侧表面24A和真空层40之间的界面，反射体20对由有机发光器件10R、10G和10B发出的光进行反射。由此，在显示装置中，可防止在现有技术中由金属等制成的反射镜膜所导致的吸收损失，并且可进一步改善光提取效率。
每个反射元件24的侧表面24A可具有例如线性地逐渐缩小的截面形状或者允许近似于多项式非球面(asperic polynomial)的弯曲表面形状。特别地，侧表面24A优选具有允许接近似多项式非球面的弯曲表面形状，这是因为入射到每个反射元件24的下部上的光和入射到每个反射元件24的上部上的光容易满足全反射条件，由此当光导向基体21一侧时具有这种弯曲表面的侧表面24A是有利的。在其中侧表面24A具有线性逐渐缩小的截面形状的情况下，入射到每个反射元件24下部上的光难以满足全反射条件，但是与其中不提供反射体20的情况相比，光提取效率总体上可得到充分改善。
图3中说明的粘合层30由例如热固性树脂或者可紫外固化的树脂制成。此外，在发光面板10的保护膜17和反射元件24的顶端表面24B之间优选设置用于将反射元件24固定至发光面板10的固定层31。固定层31由例如热敏粘合片或者封装材料(potting material)制成。此外，作为接合固定层31的方法，不是必需使用热粘附，并且固定层31的形状也不限于片状。
在发光面板10的显示区域110和粘合层30之间设置片状、糊状等的吸气剂50。吸气剂50设置的位置或吸气剂50的数目没有特别限制，但是例如如图5所示，吸气剂50优选设置在显示区域110周围。用于有机发光器件的湿气吸气剂、更具体地为SAES Getters的“DryFlex(注册商标)”或者“GDO(吸气干燥剂)”(CaO粉末)可用作这种吸气剂50。此外，用于MEMS器件或者平板显示装置封装的烧结的高孔隙率非蒸发性的吸气剂，更具体地为钛和Zr-V-Fe吸气剂合金的混合物的HPTF吸气剂，或者进行氢化和粉末化的具有纯度为90％或更高的锆，可用作吸气剂50。
例如，通过以下步骤制造显示装置。
图6A和6B至图13说明以如下步骤次序制造显示装置的方法。首先，如图6A所示，在由上述材料制成的驱动基板11上形成像素驱动电路140。
然后，如图6B所示，通过例如旋涂方法，用例如由光敏的聚酰亚胺制成的平坦化层12涂敷驱动基板11的整个表面，并且通过曝光和显影将平坦化层12图案化为预定形状，形成连接孔12A，然后烘焙平坦化层12。
然后，如图7A所示，通过例如溅射方法，在平坦化层12上形成由例如上述材料制成并具有上述厚度的第一电极13，然后通过例如光刻技术和蚀刻将第一电极13图案化为预定形状。由此，在平坦化层12上形成多个第一电极13。
然后，如图7B所示，利用光敏树脂涂敷驱动基板11的整个表面，并且通过曝光和显影在光敏树脂中形成开口，然后烘焙光敏树脂以形成绝缘膜14。
然后，如图8A所示，依次形成由上述材料制成的有机发光器件10R的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，以形成有机发光器件10R的有机层15。然后，还是如图8A所示，和有机发光器件10R的有机层15的情况一样，依次形成由上述材料制成的有机发光器件10G的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，以形成有机发光器件10G的有机层15。然后，还是如图8A所示，和有机发光器件10R的有机层15的情况一样，依次形成由上述材料制成的有机发光器件10B的空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，以形成有机发光器件10B的有机层15。
形成有机发光器件10R、10G和10B的有机层15之后，如图8B所示，通过例如蒸发法在驱动基板11的整个表面上形成由上述材料制成并具有上述厚度的第二电极16。由此，形成图3中所示的有机发光器件10R、10G和10B。
然后，如图9所示，在第二电极16上形成由上述材料制成并具有上述厚度的保护膜17。由此，形成如图3中所示的发光面板10。
此外，形成反射体20。首先，如图10A所示，在由上述材料制成的基体21上形成由上述材料制成的光屏蔽膜23，并将其图案化为预定形状。然后，也如图10A所示，通过旋涂等利用红色滤色器22R的材料涂敷基体21的表面，通过光刻技术图案化红色滤色器22R的材料并烘焙以形成红色滤色器22R。然后，和红色滤色器22R的情况一样，依次形成蓝色滤色器22B和绿色滤色器22G。
然后，如图10B所示，通过喷涂等，利用抗蚀剂(例如，固化之后可用于光学应用的永久抗蚀剂，如SU-8)涂敷基体21的整个表面，然后在给定温度下预烘焙抗蚀剂以形成厚度为50μm～150μm(包含两个端值)的抗蚀剂膜61。
然后，如图10C所示，通过扩散板62和掩模63从基体21的表面侧对抗蚀剂施加紫外线UV。此时，基体21和掩模63正确地对准并暴露于光。然后，如图10D所示，通过显影在滤色器22上形成反射元件24，反射元件24均具有抛物线形状的侧表面24A。
形成发光面板10和反射体20之后，如图11所示，在发光面板10的保护膜17上形成由例如热敏粘合片制成的固定层31，并沿发光面板10的外边缘形成粘合层30。此外，在发光面板10的显示区域110和粘合层30之间设置片状、糊状等的吸气剂50。然后，如图12所示，发光面板10和反射体20对准以彼此重叠，然后如图13所示，将发光面板10和反射体20装载入真空室71中，并将真空室71中的空气从排气孔72抽吸以减小真空室71内的压力，然后通过在真空气氛中对发光面板10和反射体20分别施加以箭头P和箭头H表示的压力和热，使得发光面板10和反射体20与粘合层30接合在一起。由此，在发光面板10和反射体20之间的空间中形成真空层40。因此，完成图1～3中说明的显示装置。
此外，为进一步改善气密性，通过剥离(lift-off)方法或者蒸发，在发光面板10的外部区域中预先形成由钨等制成的用于加热的布线图案，并且利用低熔点玻璃(焊接用的玻璃)对布线图案进行玻璃涂覆，可通过导电来仅仅局部加热待用玻璃料进行密封的发光面板10的所述外部区域。由此，可减小损伤有机发光器件10R、10G和10B的可能性。
然而，将发光面板10和反射体20接合在一起的方法不必然限于这些方法，通过使用例如室温接合可将发光面板10和反射体20一起接合而不损伤有机发光器件10R、10G和10B。
此外，当通过所述制造方法实际形成显示装置并点亮获得的显示装置以确定发光角度分布时，如图14所示，证实与通过蒸发在反射元件的侧表面上形成铝反射镜膜的现有技术中的结构相比，正面强度改善11％、能量效率改善12％。这是因为例如在其中通过蒸发形成铝反射镜膜的现有技术中的结构情况下，由铝的反射指数和反射元件的材料的反射指数综合所确定的理论反射率最大是约90％，但是在该实施方案中的反射体20在每个反射元件24的侧表面24A和真空层40之间的界面处使用全反射，由此光损失是零。
在显示装置中，通过写入晶体管Tr2的栅电极将扫描信号从扫描线驱动电路130供给至每个像素，通过写入晶体管Tr2从信号线驱动电路120供给的图像信号保持在保持电容器Cs中。换言之，响应于在保持电容器Cs中保持的信号来实施驱动晶体管Tr1的导通/断开控制，由此将驱动电流Id注入每个有机发光器件10R、10G和10B，从而通过电子和空穴的复合而发光。光穿过第二电极16、滤色器22和透明基体21以被提取。
在这种情况下，发光面板10和反射体20之间的空间是真空层40，所以从发光面板10上的有机发光器件10R、10G和10B发出的光从其顶端表面24B进入每个反射元件24，并通过每个反射元件24的侧表面24A和真空层40之间的界面而反射，以提取至外部。当调节每个反射元件24的侧表面24A的形状使得满足全反射条件时，允许光通过全反射而提取，因此可改善光提取效率和亮度。此外，消除了湿气等从发光面板10和反射体20之间的空间进入有机发光器件10R、10G和10B的可能性，并防止有机发光器件10R、10G和10B由于湿气等的影响所导致的劣化。
因此，在根据该实施方案制造显示装置的方法中，沿发光面板10的外边缘形成粘合层30，然后在真空气氛中将发光面板10和反射体20与粘合层30接合在一起，由此在发光面板10和反射体20之间的空间中形成真空层40。因此，不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理，并可防止有机发光器件10R、10G和10B的劣化。
在根据该实施方案的显示装置中，发光面板10和反射体20之间的空间是真空层40，所以由发光面板10上的有机发光器件10R、10G和10B发出的光可通过每个反射元件24的侧表面24A和真空层40之间的界面而反射。由此，不需要用于形成反射镜膜的复杂的后处理，并且可防止湿气等可能从发光面板10和反射体20之间的空间进入有机发光器件10R、10G和10B，并且可防止有机发光器件10R、10G和10B的劣化。
模块和应用实施例
以下将描述在上述实施方案中描述的显示装置的应用实施例。根据上述实施方案的显示装置适用于任何领域中的电子器件的显示装置，显示作为图像或者图片的从外面输入的图像信号或者在内部产生的图像信号，所述电子器件为例如电视、数字照相机、笔记本式个人计算机、便携式终端装置例如移动电话和摄像机。
模块
将根据上述实施方案的显示装置引入各种电子器件例如下文将描述的应用实施例1～5，作为如图15所示的模块。在该模块中，例如，在基板11的侧面上设置由反射体20和粘合层30所暴露的区域210，并且通过延伸信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的配线在暴露的区域210中形成外接终端(未示出)。在外接终端中，可设置用于信号输入/输出的柔性印刷电路(FPC)220。
应用实施例1
图16说明应用根据上述实施方案的显示装置的电视的外观。例如电视具有包括正面板310和滤色玻璃320的图像显示屏部分300。图象显示屏部分300由根据上述实施方案的显示装置构成。
应用实施例2
图17A和17B说明应用根据上述实施方案的显示装置的数字式照相机的外观。例如数字式照相机具有用于闪光灯410的发光部分、显示部分420、菜单开关430和快门按钮440。显示部分420由根据上述实施方案的显示装置构成。
应用实施例3
图18说明应用根据上述实施方案的显示装置的笔记本式个人计算机的外观。例如笔记本式个人计算机具有主体510、用于输入字符等操作的键盘520、用于显示图像的显示部分530。显示部分530由根据上述实施方案的显示装置构成。
应用实施例4
图19说明应用根据上述实施方案的显示装置的摄像机的外观。摄像机具有例如主体610、在主体610的正表面上设置的用于拍摄目标的透镜620、拍摄启/停开关630和显示部分640。显示部分640由根据上述实施方案的显示装置构成。
应用实施例5
图20A到20G说明应用根据上述实施方案的显示装置的移动电话的外观。例如通过连接部分(铰合部分)730将顶侧的外壳710和底侧外壳720彼此连接形成移动电话。移动电话具有显示屏740、子显示屏750、图像光760和照相机770。显示屏740或者子显示屏750由根据上述实施方案的显示装置构成。
虽然本发明参考实施方案进行了描述，但是本发明不限于此，并且可进行各种改变。例如，在上述实施方案中，描述了其中在反射体20中形成滤色器22和光屏蔽膜23的CF集成型的情况。然而，本发明也适用于没有滤色器结构的情况，其中没有设置滤色器22或光屏蔽膜23。
此外，例如，每层的材料和厚度、形成每层的方法和条件都不限于上述实施方案中描述的那些，每层均可由任何其它材料、通过任何其它方法、在任何其它的条件下、制成为具有任何其它厚度。例如，反射元件24不仅可通过如上述实施方案中所述的抗蚀剂膜61的光刻法形成，而且也可通过任何其它方法例如激光加工或者通过使用机械加工模具的模制成型来形成。
此外，在上述实施方案中，对有机发光器件10R、10B和10G的结构进行了具体描述。然而，不必包含所有的层，或者可还包含任何其它的层。
此外，本发明的显示装置适用于用于除了显示之外的任何目的的任何发光器件，例如照明装置。
本申请包含2008年11月13日提交给日本专利局的日本优先权专利申请JP2008-290941中涉及的主题，通过引用将其全部内容并入本文。
本领域技术人员应理解根据设计要求和其它因素可做出各种改变、组合、次组合和变化，但是它们都在所附权利要求或者其等同的范围内。

Claims (6)

1.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤：
在基板上的显示区域中形成多个有机发光器件，以形成发光面板；
在透明基体上形成分别对应于所述多个有机发光器件的凸状反射元件，以形成反射体；
沿所述发光面板的外边缘形成粘合层；和
在真空气氛中将所述发光面板和所述反射体与所述粘合层接合在一起，由此在所述发光面板和所述反射体之间的空间中形成真空层，并且
其中所述反射体具有如下结构：其中在所述透明基体的表面上形成作为黑色基体的光屏蔽膜和滤色器，并且在所述滤色器上设置有所述反射元件；
其中所述反射元件的侧表面具有近似于多项式非球面的弯曲表面形状。
2.根据权利要求1所述的制造显示装置的方法，其中
在形成所述粘合层的步骤中，在所述发光面板的所述显示区域外侧设置吸气剂，然后在所述吸气剂外侧形成所述粘合层。
3.一种显示装置，包括：
发光面板，所述发光面板包括在基板上的显示区域中的多个有机发光器件；
反射体，所述反射体包括在透明基体上分别对应于所述多个有机发光器件的凸状反射元件；
粘合层，所述粘合层沿所述发光面板的外边缘形成以将所述发光面板和所述反射体接合在一起；和
真空层，所述真空层形成于所述发光面板和所述反射体之间的空间中，并且
其中所述反射体具有如下结构：其中在所述透明基体的表面上形成作为黑色基体的光屏蔽膜和滤色器，并且在所述滤色器上设置有所述反射元件；
其中所述反射元件的侧表面具有近似于多项式非球面的弯曲表面形状。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中
在所述反射体中，从所述多个有机发光器件发出的光被每个所述反射元件的侧表面与所述真空层之间的界面所反射。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中
在所述发光面板的显示区域和所述粘合层之间设置吸气剂。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中
在所述发光面板的显示区域和所述粘合层之间设置吸气剂。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120112896A (ko) * 2011-04-04 2012-10-12 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2013062027A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
KR101463474B1 (ko) 2011-11-21 2014-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI569490B (zh) * 2011-11-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體，發光模組，及製造密封體之方法
JPWO2015045213A1 (ja) * 2013-09-30 2017-03-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP6317565B2 (ja) * 2013-10-24 2018-04-25 リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 有機ｅｌ光源及びその製造方法
JP2015216096A (ja) * 2014-04-25 2015-12-03 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置用基板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造装置
JPWO2017183383A1 (ja) * 2016-04-21 2019-01-17 パナソニック・タワージャズセミコンダクター株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR102604993B1 (ko) * 2016-05-17 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10527885B2 (en) * 2018-04-03 2020-01-07 Facebook Technologies, Llc Display device with optical reflecting layer for reduction of screen door effect
CN109256491B (zh) * 2018-10-11 2021-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示模组及电子装置
WO2022054831A1 (ja) * 2020-09-10 2022-03-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
CN112701114B (zh) * 2020-12-23 2023-04-07 惠州市华星光电技术有限公司 背光装置及其制作方法
CN113066361A (zh) * 2021-03-01 2021-07-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1201363C (zh) * 2000-07-28 2005-05-11 松下电器产业株式会社 真空容器和显示装置
JP2005227519A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp 表示装置の製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354714B1 (en) * 2000-04-04 2002-03-12 Michael Rhodes Embedded led lighting system
JP3724725B2 (ja) * 2001-11-01 2005-12-07 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
WO2003056876A2 (en) * 2001-12-14 2003-07-10 Digital Optics International Corporation Uniform illumination system
US7345824B2 (en) * 2002-03-26 2008-03-18 Trivium Technologies, Inc. Light collimating device
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
EP1543358A2 (en) * 2002-09-20 2005-06-22 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly
JP3951893B2 (ja) 2002-11-11 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 表示体、表示パネル及び表示装置
US6869206B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-22 Scott Moore Zimmerman Illumination systems utilizing highly reflective light emitting diodes and light recycling to enhance brightness
KR100648781B1 (ko) * 2003-11-26 2006-11-23 삼성코닝 주식회사 면광원 장치 및 이를 제조하기 위한 방법
US20050281033A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Charles Coushaine LED automotive headlamp
KR20060007161A (ko) * 2004-07-19 2006-01-24 엘지전자 주식회사 액정표시장치
ATE517368T1 (de) * 2005-05-16 2011-08-15 Donnelly Corp Fahrzeugspiegelanordnung mit zeichen am reflektierenden teil
KR20070007423A (ko) * 2005-07-11 2007-01-16 삼성전자주식회사 표시기판 및 이를 구비한 액정표시패널
DE102005061208A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
JP2007103164A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネル、および自発光パネルの製造方法。
US7594839B2 (en) * 2006-02-24 2009-09-29 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP2007248484A (ja) 2006-03-13 2007-09-27 Sony Corp 表示装置
KR101691274B1 (ko) * 2006-09-29 2016-12-29 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치
US7825570B2 (en) * 2007-06-11 2010-11-02 Global Oled Technology Llc LED device having improved contrast
US7948172B2 (en) * 2007-09-28 2011-05-24 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1201363C (zh) * 2000-07-28 2005-05-11 松下电器产业株式会社 真空容器和显示装置
JP2005227519A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp 表示装置の製造方法

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Publication number Publication date
JP2010140896A (ja) 2010-06-24
US9070900B2 (en) 2015-06-30
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US20100118515A1 (en) 2010-05-13

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