CN101599534A - 有机发光器件及其制造方法、显示单元和电子装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 218
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 130
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 68
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Alpha-Naphthyl phenyl diamines Chemical class 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-methyl-pyrrolidinone Natural products CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound NCC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 HDDYZBALTSRZPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- BXFYXYKLIORMBI-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[2-(2-phenylphenyl)ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 BXFYXYKLIORMBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
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Abstract
本发明提供了不利用像素隔离掩模就能够保证辅助布线层与第二电极之间的良好电连接的有机发光器件及其制造方法、显示单元和电子装置。在所述有机发光器件中，例如在基板上方依次形成有辅助布线层、作为阳极的第一电极、像素间绝缘膜、包括发光层的有机层和作为阴极的第二电极。在与所述辅助布线层对应的所述有机层的区域中，设置有开口。在所述辅助布线层上，形成有具有多个凸部的连接部。在所述有机层的开口中，所述辅助布线层和所述第二电极通过所述连接部进行电连接。本发明能够良好地保证所述辅助布线层与所述第二电极之间的电连接，抑制所述第二电极中的电压下降，并抑制屏幕中的亮度波动，实现良好的显示质量。
Description
相关申请的交叉参考
本申请包含与2008年6月6日向日本专利局提交的日本在先专利申请JP 2008-149263的公开内容相关的主题，在此将该在先专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种设有例如用于抑制电压下降的辅助布线的有机发光器件、该有机发光器件的制造方法、使用该有机发光器件的显示单元和电子装置。
背景技术
近年来，使用有机发光器件的有机发光显示器受到了关注。在有机发光器件中，在基板上方依次层叠第一电极、包括发光层的有机层和第二电极。作为该有机层的材料，可以用低分子材料和高分子材料。通常使用真空蒸发法来形成前述的低分子有机层。
同时，在某些情况下，为了抑制电压下降并防止屏幕中的亮度波动，在基板上设置有与第一电极绝缘的辅助布线，并将该辅助布线电连接至第二电极(例如，参见日本专利申请公开公报特开No.2001-195008)。
在上述情况下，在利用真空蒸发法来形成有机层的过程中，具有开口的像素隔离掩模被用于防止辅助布线被有机层覆盖，该开口对应于要形成有机层的位置。此后，在基板的几乎整个区域上方形成第二电极，并因而使辅助布线与第二电极电连接。
通过将上述像素隔离掩模设置在基板与蒸发源之间来使用该像素隔离掩模。因此，随着显示器的尺寸增大，要求掩模本身的尺寸增大。然而，如果像素隔离掩模的尺寸增大，则会产生偏差并且使搬运像素隔离掩模变得困难，因此使对准变得困难。结果，可能使开口率降低并使器件特性劣化。此外，如果附着在像素隔离掩模上的颗粒粘附到有机层等上，则这种情况可能导致短路。因此，期望在不使用像素隔离掩模的情况下形成有机层。然而，如果不使用像素隔离掩模来形成有机层，则该有机层被形成在基板的几乎整个区域上，因此使得辅助布线与第二电极之间的电连接变难。
因此，已提出了一种技术，在该技术中，在设有辅助布线的基板上方进行有机层的制膜步骤时，利用辅助布线的“台阶(厚度)”使得有机层被辅助布线的侧面分离(例如，参见日本专利申请公开公报特开No.2005-93398)。也就是说，使辅助布线的侧面露出，并且将第二电极形成为覆盖住该露出的侧面，因此在不使用像素隔离掩模的情况下保证了辅助布线与第二电极之间的电连接。
在上述日本专利申请公开公报特开No.2005-93398的技术中，有机层被辅助布线的台阶分离。因此，辅助布线的厚度至少应当大于有机层的厚度。此外，为了确定地保证电连接，期望在辅助布线的侧面处形成锥度，这样会使制造步骤复杂。此外，由于有机层被形成在辅助布线的顶面上，因而仅在辅助布线的侧面处保证了与第二电极的连接。因此，会出现辅助布线与第二电极之间的电连接不足的可能。
发明内容
鉴于上述问题，在本发明中期望提供一种不利用像素隔离掩模就能够保证辅助布线层与第二电极之间的良好电连接的有机发光器件、该有机发光器件的制造方法、显示单元和电子装置。
本发明实施例提供了一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：在基板上方的第一电极；在所述基板上与所述第一电极绝缘的辅助布线层；在所述第一电极上的第一有机层，所述第一有机层包括发光层和在与所述辅助布线层对应的区域中的开口；覆盖所述第一有机层和所述开口的第二电极；在所述辅助布线层上的连接部，所述连接部将所述第二电极电连接至所述辅助布线层并具有至少一个凸部；以及在所述连接部的凸部附近的第二有机层。
本发明实施例提供了一种有机发光器件制造方法，所述制造方法包括如下步骤：在基板上形成辅助布线层；在所述基板上方形成与所述辅助布线层绝缘的第一电极；在所述辅助布线层上形成具有至少一个凸部的连接部；形成包括发光层的第一有机层，并使所述第一有机层覆盖所述第一电极和所述连接部；选择性地除去与所述连接部相对的所述第一有机层的区域，将剩余部分留下以作为在所述连接部的凸部附近的第二有机层；以及形成第二电极，并使所述第二电极覆盖所述第一有机层和所述连接部。
本发明实施例提供了一种显示单元，所述显示单元包括在基板上方的本发明上述实施例的多个有机发光器件。
本发明实施例提供了一种电子装置，所述电子装置装配有本发明实施例的显示单元。
在本发明实施例的有机发光器件制造方法中，在设置于所述基板上的所述辅助布线层上形成了具有至少一个凸部的所述连接部，并形成了所述第一有机层以覆盖所述连接部和所述第一电极。此后，选择性地熔融与所述连接部相对的所述第一有机层的区域。因此，所述第一有机层的熔融区域汇集在所述连接部的凸部附近，然后固化并被留下作为所述第二有机层。因此，在所述辅助布线层上形成的所述凸部的至少一部分被露出。此后，形成了所述第二电极以覆盖所述第一有机层和所述连接部，因此所述辅助布线层与所述第二电极通过所述连接部进行电连接。
在本发明实施例的有机发光器件和显示单元中，在与所述辅助布线层对应的所述第一有机层的区域中设置有开口。因此，所述辅助布线层与所述第二电极通过在所述辅助布线层上形成的所述连接部进行电连接。由于所述连接部具有至少一个凸部，因此增大了所述连接部的表面面积而使其大于在所述连接部由平坦面构成的情况下的表面面积，并且容易保证与所述第二电极的电接触面积。
根据本发明实施例的有机发光器件制造方法，将所述第一有机层形成为覆盖住在所述辅助布线层上的所述第一电极和所述连接部，对与所述连接部相对的所述第一有机层的区域进行选择性地熔融，并且所述第一有机层的熔融区域被留下以作为凸部附近的所述第二有机层。此后，形成了所述第二电极以覆盖所述连接部和所述第一有机层。因此，不利用像素隔离掩模就能够良好地保证所述辅助布线层与所述第二电极之间的电连接。
根据本发明实施例的有机发光器件和显示单元，在与所述辅助布线层对应的所述第一有机层的区域中设置有开口。另外，在所述辅助布线层上设置有具有至少一个凸部的所述连接部。因此，能够良好地保证所述辅助布线层与所述第二电极之间的电连接。这样，能够抑制所述第二电极中的电压下降，并能够抑制屏幕中的亮度波动。相应地，能够实现具有良好显示质量的电子装置。
从下面的说明中将会更充分地体现本发明的其它和进一步的目的、特征及优点。
附图说明
图1是图示了本发明第一实施例显示单元的结构的截面图；
图2是图1所示有机发光器件的放大截面图；
图3是形成有图1所示连接部的区域的放大截面图；
图4是按照步骤顺序图示了图1所示显示单元的制造方法的截面图；
图5是图示了图4的后面步骤的截面图；
图6是图示了图5的后面步骤的截面图；
图7是图示了图6的后面步骤的截面图；
图8是图示了图7的后面步骤的截面图；
图9是图示了图8的后面步骤的截面图；
图10是形成有本发明第一实施例之变形例的连接部的区域的放大截面图；
图11是形成有本发明第一实施例之另一变形例的连接部的区域的放大截面图；
图12是形成有本发明第二实施例显示单元中的连接部的区域的放大截面图；
图13是图示了按照步骤来制造图12所示显示单元的方法的截面图；
图14是图示了图13的后面步骤的截面图；
图15是本发明第二实施例之变形例的有机发光器件的放大截面图；
图16是本发明第二实施例之另一变形例的有机发光器件的放大截面图；
图17是本发明第二实施例之又一变形例的有机发光器件的放大截面图；
图18是图示了包括各实施例显示单元的模块的示意性结构的平面图；
图19是图示了图18所示模块中的显示单元的驱动电路结构的平面图；
图20是图示了图19所示像素驱动电路示例的等效电路示意图；
图21是图示了各实施例显示单元的第一应用示例的外观的立体图；
图22A和图22B是图示了各实施例显示单元的第二应用示例的外观的立体图；
图23是图示了各实施例显示单元的第三应用示例的外观的立体图；
图24是图示了各实施例显示单元的第四应用示例的外观的立体图；以及
图25A～图25G是图示了各实施例显示单元的第五应用示例的外观的立体图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的各实施例。
第一实施例
图1示出了本发明第一实施例的显示单元1的截面结构。显示单元1适合用作薄型有机发光显示器，在该薄型有机发光显示器中，驱动板10和密封板32相对地布置着，并且驱动板10和密封板32的整个区域通过由例如热固性树脂制成的粘接层31结合在一起。在驱动板10中，例如，在诸如玻璃等绝缘材料的基板10a上方隔着TFT 11和平坦化层12整体上以矩阵的状态依次设置有产生红光的有机发光器件10R、产生绿光的有机发光器件10G和产生蓝光的有机发光器件10B。
TFT 11是对应于各个有机发光器件10R、10G和10B的驱动元件。有机发光器件10R、10G、10B被有源矩阵系统驱动。TFT 11的栅极电极(未图示)与扫描电路(未图示)连接。TFT 11的源极和漏极(均未图示)与设置有层间绝缘膜11-1的布线层11a连接，在该层间绝缘膜11-1中例如包括有氧化硅和PSG(Phospho-Silicate Glass，磷硅酸盐玻璃)。布线层11a通过设置在层间绝缘膜11-1内的连接孔(未图示)与TFT 11的源极和漏极连接，并被用作信号线。布线层11a例如由铝(Al)单质的单层膜或铝合金的单层膜、钛(Ti)/铝层叠膜或者钛/铝/钛三层膜制成。TFT 11的结构不受具体限制。例如，TFT 11的结构可以是底栅型或顶栅型。
平坦化层12的用途是使得设置有TFT 11的基板10a的表面平坦化并使得均匀地形成有机发光器件10R、10G、10B的各层膜厚度。平坦化层12也起到防止后述的第一电极13与布线层11a之间彼此不必要地进行接触的作用。在各个有机发光器件10R、10G、10B中，平坦化层12设置有用于将第一电极13连接至布线层11a的开口12a和对应于辅助布线层11b的开口12b。作为平坦化层12的材料，能够使用诸如聚酰亚胺树脂、丙烯树脂和酚醛树脂等有机材料，或者诸如氧化硅(SiO2)等无机材料。
在有机发光器件10R、10G、10B中，例如，从基板10a侧隔着TFT11和平坦化层12依次层叠有作为阳极的第一电极13、像素间绝缘膜15、包括发光层的有机层(第一有机层)16和作为阴极的第二电极20。此外，在基板10a上面设置有与第一电极13电绝缘的辅助布线层11b。在辅助布线层11b上设置有连接部14。在第二电极20上，根据需要形成有钝化膜30。
辅助布线层11b的用途是抑制第二电极20中的电压下降。辅助布线层11b例如被形成在平坦化层12的开口12b、像素间绝缘膜15的开口15b和有机层16的开口16a(全部在后面予以说明)中。辅助布线层11b例如由与布线层11a的材料相同的材料形成。因此，在后述的制造步骤中，能够在用于形成布线层11a的同一步骤中形成辅助布线层11b。辅助布线层11b的材料和结构不是必须与布线层11a的材料和结构相同。
第一电极13用作将空穴注入至有机层16(空穴输送层17)的电极。如果第一电极13被用作反射层，则第一电极13优选具有尽可能高的反射系数从而提高发光效率。第一电极13的构成材料的示例包括诸如银(Ag)、铝、钼(Mo)和铬(Cr)等金属元素的单质或合金。第一电极13例如是100nm以上、500nm以下的厚度。第一电极13可具有单层结构或由多层构成的层叠结构。
连接部14的用途是将辅助布线层11b电连接至第二电极20。连接部14包括例如多个凸部。稍后将会说明连接部14的具体结构。
像素间绝缘膜15被设置为分别在第一电极13与第二电极20之间以及第一电极13与辅助布线层11b之间保证绝缘。像素间绝缘膜15例如包括诸如氧化硅和聚酰亚胺等绝缘膜。像素间绝缘膜15设置有与有机发光器件10R、10G、10B中的发光区域对应的开口15a以及与辅助布线层11b对应的开口15b。
在第一电极13和像素间绝缘膜15上形成有有机层16。稍后将会说明有机层16的结构及材料。
第二电极20用作将电子注入至有机层16(电子输送层19)的电极。第二电极20的构成材料的示例包括具有透明特性的材料。这些材料的示例包括：银(Ag)、铝(Al)和镁(Mg)的金属或合金，或者氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锌(IZO)。
钝化膜30例如是500nm以上、10000nm以下的厚度。钝化膜30由透明电介质构成。钝化膜30例如包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)等。
密封板32位于驱动板10的第二电极20侧，且用途是将有机发光器件10R、10G、10B与粘接层31密封在一起。密封板32由对于有机发光器件10R、10G、10B中所产生的光呈透明性的诸如玻璃等材料制成。密封板32设置有分别与有机发光器件10R、10G、10B的布置相对应的红色滤光器、绿色滤光器和蓝色滤光器(未图示)。因此，分别在有机发光器件10R、10G、10B中产生的光被取出作为三原色光，被各层反射的外界光被吸收，并且对比度有所提高。可以将彩色滤光器设置在驱动板10侧。
下面，参照图2说明有机层16的具体结构。图2是与图1中各个有机发光器件对应的放大区域的图。
有机层16具有相同的结构而与有机发光器件10R、10G、10B的发光颜色无关。在有机层16中，例如从第一电极13侧起层叠有空穴输送层17、红色发光层18R、绿色发光层18G、蓝色发光层18B和电子输送层19。在有机层16的与辅助布线层11b对应的区域中具有开口16a。
空穴输送层17的用途是提高对各个发光层的空穴注入效率。在本实施例中，空穴输送层17也起到空穴注入层的作用。空穴输送层17例如约为40nm的厚度，并包括4，4′，4″-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯胺(4，4′，4″-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenyl amine，m-MTDATA)或α-萘基苯基二胺(α-naphthylphenyldiamine，α-NPD)。
红色发光层18R在电场作用下利用从第一电极13经过空穴输送层17注入的一部分空穴与从第二电极20经过电子输送层19注入的一部分电子之间的复合而产生红光。绿色发光层18G在电场作用下利用从第一电极13经过空穴输送层17注入的一部分空穴与从第二电极20经过电子输送层19注入的一部分电子之间的复合而产生绿光。蓝色发光层18B在电场作用下利用从第一电极13经过空穴输送层17注入的一部分空穴与从第二电极20经过电子输送层19注入的一部分电子之间的复合而产生蓝光。
红色发光层18R含有红色发光材料，并且也可含有空穴输送材料、电子输送材料和两种电荷输送材料之中的一种以上材料。红色发光材料可以是荧光性的或磷光性的。在本实施例中，红色发光层18R例如是约5nm的厚度，并包括如下化合物：在该化合物中，30wt％的2，6-二[(4′-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(2，6-bis[(4′-methoxydiphenylamino)styril]-1，5-dicyanonaphthalene，BSN)与4，4-二(2，2-二苯基乙烯基)联苯(4，4-bis(2，2-diphenylvinyl)biphenyl，DPVBi)混合。
绿色发光层18G含有绿色发光材料，并且也可含有空穴输送材料、电子输送材料和两种电荷输送材料之中的一种以上材料。绿色发光材料可以是荧光性的或磷光性的。在本实施例中，绿色发光层18G例如是约10nm的厚度，并包括如下化合物：在该化合物中，5wt％的香豆素6(Coumarn 6)与DPVBi混合。
蓝色发光层18B含有蓝色发光材料，并且也可含有空穴输送材料、电子输送材料和两种电荷输送材料之中的一种以上材料。蓝色发光材料可以是荧光性的或磷光性的。在本实施例中，蓝色发光层18B例如是约30nm的厚度，并包括如下化合物：在该化合物中，2.5wt％的4，4′-二[2-{4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯(4，4′-bis[2-{4-(N，N-diphenylamino)phenyl}vinyl]biphenyl，DPAVBi)与DPVBi混合。
电子输送层19的用途是提高对各个颜色发光层的电子注入效率。电子输送层19例如是约20nm的厚度，并包括8-羟基喹啉铝(8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)。
下面，参照图3说明连接部14的具体结构。图3是图1中的形成有连接部的区域的放大图。
连接部14例如包括在辅助布线层11b上形成的多个凸部14a。各个凸部14a包括具有导电性的材料，例如银(Ag)、铝、钼(Mo)和铬(Cr)等金属元素的单质或合金。在一个连接部14中，凸部14a的数量例如为2～10个。凸部14a之间的距离例如是3μm以上、10μm以下。各个凸部14a的厚度(高度)例如是100nm以上、1000nm以下。
在本实施例中，多个凸部14a包括与第一电极13的材料相同的材料并具有与第一电极13的厚度相同的厚度。因此，能够在同一步骤中形成凸部14a和第一电极13。在凸部14a附近的区域中，即在多个凸部14a之间的区域的底面(称作凹部14b)处设置有有机层(第二有机层)14c。有机层14c例如是通过将构成有机层16的材料熔融并固化来形成的。形成第二电极20并使其覆盖多个凸部14a和有机层14c。各个凸部14a的顶面和部分侧面被第二电极20掩埋着。此外，在本实施例中，凹部14b被形成为向下到达辅助布线层11b的顶面。有机层14c被形成为与辅助布线层11b的顶面接触。
例如，上述显示单元1能够通过如下步骤制造而成。
图4～图9按照步骤顺序示出了显示单元1的制造方法。首先，如图4所示，在包含上述材料的基板10a上形成TFT 11和层间绝缘膜11-1。随后，在所形成的层间绝缘膜11-1上形成包含上述材料的布线层11a。此时，通过例如溅射方法等制膜工艺在层间绝缘膜11-1上形成包含上述材料的单层膜或层叠膜，然后利用例如光刻方法同时进行图形化工艺以形成布线层11a和辅助布线层11b。之后，通过例如旋转涂敷方法在基板10a的整个表面涂敷上述材料。通过曝光和显影将平坦化层12图形化为规定的形状。在对应于布线层11a的区域中形成有开口12a，并且在对应于辅助布线层11b的区域中形成有开口12b。
随后，如图5所示，在平坦化层12上形成包含上述材料且具有上述厚度的第一电极13。此时，优选在用于形成第一电极13的同一步骤中形成连接部14。也就是说，通过例如溅射方法等制膜工艺在基板10a的整个区域上方形成包含上述材料的金属膜。此后，利用光刻方法同时进行图形化工艺以得到作为第一电极13的部分和作为连接部14的部分。
接着，如图6所示，通过例如化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)方法在基板10a的整个区域上方沉积包含上述材料的像素间绝缘膜15。利用例如光刻技术，通过选择性地除去像素间绝缘膜15的对应于发光区域的部分和像素间绝缘膜15的对应于辅助布线层11b的部分，从而形成开口15a和15b。
随后，如图7所示，在基板10a的整个区域上方依次沉积包含上述材料的空穴输送层17、红色发光层18R、绿色发光层18G、蓝色发光层18B和电子输送层19，由此形成有机层16。
接着，如图8所示，用激光(辐射线)L照射所形成的有机层16的对应于辅助布线层11b的区域。辅助布线层11b吸收该照射光因而温度升高。结果，使辅助布线层11b上的有机层16熔融。此时，将激光L的强度和照射时间以及辅助布线层等的构成材料的光吸收率调整为适当的值，从而使温度上升到高于有机层16熔融点的度数。通过这种激光照射，在有机层16的对应于辅助布线层11b的区域内形成了开口16a(图9)。此外，经过激光照射而熔融的有机层16由于表面张力而被汇集到连接部14的凹部14b中。将汇集的有机层16直接冷却并固化。该固化部分被留下作为有机层14c。因此，凸部14a的顶面和部分侧面被露出。
随后，通过例如溅射方法等在基板10a的整个区域上方形成包含上述材料的第二电极20。因此，在有机层16的开口16a中，第二电极20与辅助布线层11b电连接。此后，在第二电极20上形成包含上述材料的钝化膜30。
最后，在用包含例如热固性树脂的粘接层31涂敷在钝化膜30上之后，将密封板32与钝化膜30隔着粘接层31相结合。此后，使密封板32的彩色滤光器的相对于有机发光器件10R、10G和10B的位置对准，然后提供规定的热处理以使粘接层31的热固性树脂固化。因此，完成了图1所示的显示单元1。
在本实施例的显示单元1中，当向第一电极13与第二电极20之间施加规定电压时，电流被注入到有机层16的红色发光层18R、绿色发光层18G和蓝色发光层18B中，空穴和电子相互复合，因此在红色发光层18R中产生红光、在绿色发光层18G中产生绿光、在蓝色发光层18B中产生蓝光。红光、绿光和蓝光透射穿过在密封板32上设置的彩色滤光器，从而被取出作为三原色光。
由于在有机层16的与辅助布线层11b对应的区域中具有开口16a，因此通过在辅助布线层11b上形成的连接部14使辅助布线层11b与第二电极20电连接。因此，抑制了第二电极20d中的电压下降。此外，由于连接部14具有多个凸部14a，各个凸部14a的顶面和至少一部分侧面被第二电极20覆盖着，因而增加了与第二电极20的电接触面积。
凸部14a的数量、各凸部14a之间的距离和各凸部14a的高度等不受具体限制。然而，随着凸部14a的图形越来越精细，连接部14的表面面积会越来越大。因此，在图形更精细的情况下，能够更有效地保证电连接。
如上所述，在本实施例中，在有机层16的与辅助布线层11b对应的区域中设置有开口16a，在辅助布线层11b上设置有连接部14，并形成有第二电极20使其覆盖连接部14。因此，不利用像素隔离掩模就能够保证辅助布线层11b与第二电极20之间的电连接。此外，由于连接部14具有多个凸部14a，因而能够增加第二电极20与连接部14之间的电接触面积，并能够良好地保证辅助布线层11b与第二电极20之间的电连接。因此，能够抑制第二电极中的电压下降，并能抑制屏幕内的亮度波动。
第一变形例
图10图示了上述第一实施例的第一变形例的连接部21的截面结构。本变形例除了连接部21的结构不同之外具有与上述第一实施例显示单元1的结构相似的结构。因此，与上述第一实施例相同的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
连接部21具有多个凸部21a。介于多个凸部21a之间的区域是凹部21b。在本变形例中，凹部21b不是被形成为向下到达辅助布线层11b，并且连接部21顶面侧的局部区域被图形化为凹凸形状。在凹部21b的底面处形成有有机层21c。作为连接部21的构成材料，能够使用与上述第一实施例中连接部14的材料相似的材料。此外，除了进行图形化并使得凹部21b不是被形成为向下到达辅助布线层11b之外，能够通过与上述第一实施例中连接部14的形成方式相同的方式来形成连接部21。此外，与上述有机层14c一样，通过熔融并固化有机层16来形成有机层21c。
如上所述，连接部21的凹部21b不是必须被形成为向下到达辅助布线层11b，并且形成具有能够汇集所熔融的有机层的尺寸的空间就足够了。即使在这样结构的情况下，也能够得到与上述第一实施例的效果相似的效果。
第二变形例
图11图示了上述第一实施例的第二变形例的连接部22的截面结构。本变形例除了连接部22的结构不同之外具有与上述第一实施例显示单元1的结构相似的结构。因此，与上述第一实施例相同的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
连接部22包括一个凸部22a。在凸部22a附近的区域中，即在凹部22b中，形成有有机层22c。作为连接部22的构成材料，能够使用与上述第一实施例中连接部14的材料相似的材料。除了凸部22a的数量不同之外，能够通过与上述第一实施例中连接部14的形成方式相同的方式来进行图形化以形成连接部22。此外，与上述有机层14c一样，通过熔融并固化有机层16来形成有机层22c。
如上所述，连接部22存在着至少一个凸部22a是足够的。这种结构与平面结构的情况相比，易于保证与第二电极20的接触面积。因此，能够得到与上述第一实施例的效果相似的效果。
第二实施例
图12示出了形成有本发明第二实施例显示单元中的连接部14的区域的放大图。本实施例除了有机层23c的结构不同之外具有与第一实施例的结构相似的结构。因此，与第一实施例相同的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
在连接部14的凹部14b的底面处形成有有机层23c。有机层23c例如除了含有上述有机层16的构成材料以外还含有导电微粒。形成有第二电极20并使其覆盖有机层23c和凸部14a。导电微粒的示例包括诸如金、银和铝等金属微粒，诸如ITO和ZnO等导电微粒，等等。
例如能够通过下面的步骤来形成这种有机层23c。一直到在基板10a的整个区域上方形成有机层16的各步骤都与上述第一实施例的那些步骤相似。也就是说，如图13所示，用含有导电微粒且能使有机层16溶解的溶剂P涂敷有机层16的对应于辅助布线层11b的区域，或将溶剂P滴到该区域上。此时，作为用于溶解有机层16的溶剂，能够使用例如N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)等。因此，在有机层16中形成了开口16a，并且被溶剂P溶解的有机层16流入至连接部14的凹部14b中。此后，对基板10a进行加热使溶剂P蒸发，从而在凹部14b的底面处形成了有机层23c，该有机层23c是被溶解的有机层16的构成材料与导电微粒的混合层(图14)。随后，按照与上述第一实施例相同的方式，形成第二电极20，从而使辅助布线层11b与第二电极20电连接。如上所述，不仅能够通过上述激光照射方法在有机层16中形成开口16a，而且也能够通过使用含有导电微粒的溶剂P来溶解有机层16从而在有机层16中形成开口16a。随后的各步骤与上述第一实施例的那些步骤相似。
在本实施例中，能够得到与上述第一实施例的效果等同的效果。另外，由于在连接部14的凹部14b中形成的有机层23c具有导电性，因此不仅能够在凸部14a的顶面和侧面上实现与第二电极20的电接触，而且也能够在有机层23c的表面上实现与第二电极20的电接触。因此，在易于保证电接触面积这个方面更有效果。
有机层23c不是必须具有导电性。如果有机层23c不具有导电性，则可以仅通过利用溶剂使有机层溶解来形成开口16a。即使有机层23c不具有导电性时，利用连接部14的凸部14a也足以保证电连接。反之，如果有机层23c具有上述导电性，则连接部14的凸部14a不是必须具有导电性。也就是说，该材料不限于上述材料，也可以使用其它的绝缘材料等。
第三变形例
图15图示了上述第二实施例的第三变形例的显示单元中与一个有机发光器件对应的区域的截面结构。本变形例除了连接部24的结构不同之外具有与上述第一和第二实施例显示单元的结构相似的结构。因此，与上述第一和第二实施例中那些元件相似的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
在本变形例中，连接部24也兼有与上述辅助布线层11b的功能一样的功能。也就是说，在辅助布线层11b本身中形成有多个凸部。在这种情况下，能够在形成布线层11a的步骤中进行图形化以形成连接部24。因此，能够同时形成辅助布线层和连接部24，并因此能够简化制造步骤。图15图示了一种结构，在该结构中，在辅助布线层11b中形成的凹凸图形之中，凹部被形成为向下到达该辅助布线层的底面，但该凹部不是必须被形成为向下到达该辅助布线层的底面。
第四变形例
图16图示了上述第二实施例的第四变形例的显示单元中与一个有机发光器件对应的区域的截面结构。本变形例除了平坦化层25及连接部25-1的结构不同之外具有与上述第一和第二实施例显示单元的结构相似的结构。因此，与第一和第二实施例中那些元件相似的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
在本变形例中，形成有平坦化层25并使其覆盖TFT 11、布线层11a和辅助布线层11b。在平坦化层25中，在对应于布线层11a的区域中设置有开口25a，并且在对应于辅助布线层11b的区域中形成有作为连接部25-1的多个凸部。凹凸图形之中的凹部被形成为向下到达辅助布线层11b的顶面。在被形成为向下到达辅助布线层11b顶面的凹部中，设置有具有上述导电性的有机层23c(图16中未图示)。因此，通过有机层23c保证了辅助布线层11b与第二电极20之间的电连接。因而，能够得到与上述第二实施例的效果等同的效果。
第五变形例
图17图示了上述第二实施例的第五变形例的显示单元中与一个有机发光器件对应的区域的截面结构。本变形例除了平坦化层26、辅助布线层27、像素间绝缘膜28及连接部28-1的结构不同之外具有与上述第一和第二实施例显示单元的结构相似的结构。因此，与上述第一和第二实施例的那些元件相似的元件用相同的附图标记表示，并适当省略对其的说明。
在本变形例中，形成有平坦化层26并使其覆盖TFT 11和布线层11a。在平坦化层26的对应于布线层11a的区域中，设有用于将布线层11a连接至第一电极13的开口26a。在平坦化层26上，形成有第一电极13从而覆盖开口26a，并设置有辅助布线层27。在第一电极13和辅助布线层27上，形成有用于使第一电极13与辅助布线层27绝缘的像素间绝缘膜28。在像素间绝缘膜28的与发光区域对应的区域中具有开口28a，并且在像素间绝缘膜28的与辅助布线层27对应的区域中具有作为连接部28-1的多个凸部。根据与上述第四变形例的方式一样的方式，凹凸图形之中的凹部被形成为向下到达辅助布线层11b的顶面。在被形成为向下到达辅助布线层11b顶面的凹部中，设置有具有上述导电性的有机层23c(图17中未图示)。因此，保证了辅助布线层11b与第二电极20之间的电连接。因此，能够得到与上述第二实施例的效果等同的效果。
应用示例和模块
下面说明上述各实施例中所述显示单元的模块及该模块的应用示例。显示单元能够应用于任何领域的电子装置，这些电子装置用于把从外部输入的图片信号或者在内部产生的图片信号显示为图像或图片，例如是电视机、数码照相机、笔记本电脑、诸如移动电话等便携终端设备和摄像机等。
模块
例如，将显示单元作为如图18所示的模块而结合到诸如后述第一～第五应用示例等各种电子装置中。在该模块中，在驱动基板50的侧边上设置有从密封基板25露出的区域210，并且通过延长稍后说明的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的布线在区域210中形成有外部连接终端(未图示)。该外部连接终端可以设置有用于输入和输出信号的柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)220。
例如，如图19所示，在驱动基板50中，形成有显示区域110以及作为用于显示影像的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130。在显示区域110中形成有像素驱动电路140。在显示区域110中，整体上按矩阵状态布置有机发光器件10R、10G、10B。有机发光器件10R、10G、10B具有长条状(reed-like)平面形状，并且彼此相邻的有机发光器件10R、10G、10B的组合构成一个像素。
如图20所示，在低于第一电极51的层中形成有像素驱动电路140。像素驱动电路140是有源驱动电路，该像素驱动电路140具有驱动晶体管Tr1、写晶体管Tr2、在驱动晶体管Tr1与写晶体管Tr2之间的电容(保持电容)Cs以及在第一电源线(Vcc)与第二电源线(GND)之间跟驱动晶体管Tr1串联连接的有机发光器件10R(或者10G，10B)。驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2由普通的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)构成。驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2的结构不受具体限制，并且可以是例如逆错列结构(inversely staggered structure)(所谓的底栅型)或错列结构(staggered structure)(顶栅型)。
在像素驱动电路140中，在列方向上布置有多条信号线120A，并且在行方向上布置有多条扫描线130A。各条信号线120A与各条扫描线130A之间的各个交叉部对应于有机发光器件10R、10G和10B之中的一个有机发光器件(子像素)。各条信号线120A与信号线驱动电路120连接。从信号线驱动电路120通过信号线120A将图像信号提供给写晶体管Tr2的源极电极。各条扫描线130A与扫描线驱动电路130连接。从扫描线驱动电路130通过扫描线130A依次将扫描信号提供给写晶体管Tr2的栅极电极。
第一应用示例
图21是应用了上述各实施例显示单元的电视机的外观。该电视机例如具有包括前板310和滤光玻璃320在内的图像显示屏部300。
第二应用示例
图22A和图22B是应用了上述各实施例显示单元的数码照相机的外观。该数码照相机例如具有用于闪光灯410的发光部、显示部420、菜单开关430和快门按钮440。
第三应用示例
图23是应用了上述各实施例显示单元的笔记本电脑的外观。该笔记本电脑例如具有主体510、用于进行输入字符等操作的键盘520和用于显示图像的显示部530。
第四应用示例
图24是应用了上述各实施例显示单元的摄像机的外观。该摄像机例如具有主体610、设置在主体610前侧面上的用于拍摄物体的镜头620、拍摄时的开始/停止开关630和显示部640。
第五应用示例
图25A～25G是应用了上述各实施例显示单元的移动电话的外观。在该移动电话中，例如，上部壳体710和下部壳体720通过连接部(铰接部)730连接起来。该移动电话具有显示器740、副显示器750、图片灯760和照相机770。
虽然参照各实施例说明了本发明，但本发明不限于上述各实施例，并可作各种修改。例如，在上述各实施例中，已经给出了以具有矩形截面的凸部作为示例的连接部14中的凸部的说明。然而，凸部的形状不限于此，也可采用诸如三角形截面或梯形截面等其它形状。此外，凸部的数量、各个凸部之间的距离和凸部的高度等不限于上述结构。此外，在形成有多个凸部的情况下，各个凸部不是必须具有相同的形状和相同的厚度，而是各个形状和各个厚度可以不同。
此外，各层的材料、厚度、制膜方法、制膜条件等不限于上述各实施例中说明的那样，可以采用其它材料、其它厚度、其它制膜方法和其它制膜条件。
此外，例如在上述各实施例中，根据具体示例已经给出了有机发光器件和显示单元的结构的说明。然而，不是必须设置有诸如钝化膜30等各层，并且也可设置有其它层。
此外，在上述各实施例中，已经给出了以如下结构作为示例的说明，在该结构中，有机层16的发光层在整体上产生了白光，且通过彩色滤光器来提取三原色光。然而，也可通过使用仅透射特定波长的光的滤光器等代替这种彩色滤光器，来进行彩色显示。
此外，在上述各实施例中，已经给出了有机层16a的发光层包括三层(红色发光层18R、绿色发光层18G和蓝色发光层18B)的情况的说明。然而，用于发出白光的发光层的结构不限于此。可以采用如下结构，在该结构中有彼此互补的两个颜色的两层发光层，例如橙色发光层和蓝色发光层的结合以及蓝绿色发光层和红色发光层的结合。有机层16的发光层不是必须发出白光。本发明能够应用于例如仅形成有绿色发光层18G的单色显示单元。
此外，在上述实施例中，已经给出了如下情况的说明，在该情况中，驱动板10与密封板32隔着粘接层31结合在一起，并因而密封有机发光器件10R、10G、10B。然而，密封方法不受具体限制。例如，可以通过在驱动板10的背面上布置密封外壳来实现密封。
此外，例如在上述各实施例中，已经给出了第一电极13被用作阳极且第二电极20被用作阴极的情况的说明。然而，相反地，可以将第一电极13用作阴极且将第二电极20用作阳极。在此情况下，作为第二电极20的材料，金、银、铂、铜等的单质或合金是合适的。此外，在第一电极13被用作阴极且第二电极20被用作阳极的情况下，优选从第二电极20侧起依次层叠红色发光层18R、绿色发光层18G和蓝色发光层18B。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其它因素，可以在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合及改变。
Claims (22)
1.一种有机发光器件，其包括：
在基板上方的第一电极；
在所述基板上与所述第一电极绝缘的辅助布线层；
在所述第一电极上的第一有机层，所述第一有机层包括发光层和在与所述辅助布线层对应的区域中的开口；
覆盖所述第一有机层和所述开口的第二电极；
在所述辅助布线层上的连接部，所述连接部将所述第二电极电连接至所述辅助布线层并具有至少一个凸部；以及
在所述连接部的凸部附近的第二有机层。
2.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二电极覆盖所述凸部的顶面和至少一部分侧面。
3.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，
所述连接部具有多个凸部；并且
所述第二有机层位于在所述多个凸部中的相邻凸部之间的各个凹部区域中。
4.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述凸部由导电材料制成。
5.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第二有机层包含导电材料。
6.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述凸部是所述辅助布线层的在所述第二电极侧的至少一部分。
7.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述凸部由绝缘材料制成。
8.如权利要求7所述的有机发光器件，所述有机发光器件包括在所述基板上的驱动元件以及覆盖所述驱动元件的平坦化层，
其中，所述凸部由与所述平坦化层的材料相同的材料形成。
9.如权利要求1所述的有机发光器件，所述有机发光器件包括在所述基板上的驱动元件以及将所述驱动元件连接至所述第一电极的布线层，
其中，所述辅助布线层由与所述布线层的材料相同的材料制成。
10.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述凸部由与所述第一电极的材料相同的材料制成。
11.一种有机发光器件制造方法，其包括如下步骤：
在基板上形成辅助布线层；
在所述基板上方形成与所述辅助布线层绝缘的第一电极；
在所述辅助布线层上形成具有至少一个凸部的连接部；
形成包括发光层的第一有机层，并使所述第一有机层覆盖所述第一电极和所述连接部；
选择性地除去与所述连接部相对的所述第一有机层的区域，将剩余部分留下以作为在所述连接部的凸部附近的第二有机层；以及
形成第二电极，并使所述第二电极覆盖所述第一有机层和所述连接部。
12.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其中，通过利用辐射线进行照射来使与所述连接部相对的所述第一有机层的区域熔融从而除去该区域。
13.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其中，通过利用溶剂使所述第一有机层溶解来除去与所述连接部相对的所述第一有机层的区域。
14.如权利要求13所述的有机发光器件制造方法，其中，将导电材料混合在所述溶剂中。
15.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其中，所述凸部由导电材料形成。
16.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其包括如下步骤：
在所述基板上形成驱动元件和用于将所述驱动元件连接至所述第一电极的布线层，
其中，所述辅助布线层与所述布线层一起形成。
17.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其中，在同一步骤中形成所述连接部的凸部和所述第一电极。
18.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，其中，在所述辅助布线层的顶面侧区域中形成所述凸部。
19.如权利要求11所述的有机发光器件制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
在所述基板上形成驱动元件；以及
形成平坦化层，并使所述平坦化层覆盖所述驱动元件和所述辅助布线层，
其中，通过对与所述辅助布线层相对的所述平坦化层的区域进行图形化来形成所述凸部。
20.一种显示单元，所述显示单元包括在基板上方的多个有机发光器件，其中，所述有机发光器件包括：
在所述基板上方的第一电极；
在所述基板上与所述第一电极绝缘的辅助布线层；
在所述第一电极上的第一有机层，所述第一有机层包括发光层和在与所述辅助布线层对应的区域中的开口；
覆盖所述第一有机层和所述开口的第二电极；
在所述辅助布线层上的连接部，所述连接部将所述第二电极电连接至所述辅助布线层并具有至少一个凸部；以及
在所述连接部的凸部附近的第二有机层。
21.如权利要求20所述的显示单元，所述显示单元包括在所述基板上方的使所述多个有机发光器件彼此电分离的绝缘膜，
其中，所述凸部被形成在与所述绝缘膜相同的层中，并且由与所述绝缘膜的材料相同的材料形成。
22.一种装配有显示单元的电子装置，在所述显示单元中在基板上方形成有多个有机发光器件，其中，所述有机发光器件包括：
在所述基板上方的第一电极；
在所述基板上与所述第一电极绝缘的辅助布线层；
在所述第一电极上的第一有机层，所述第一有机层包括发光层和在与所述辅助布线层对应的区域中的开口；
覆盖所述第一有机层和所述开口的第二电极；
在所述辅助布线层上的连接部，所述连接部将所述第二电极电连接至所述辅助布线层并具有至少一个凸部；以及
在所述连接部的凸部附近的第二有机层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008149263 | 2008-06-06 | ||
| JP2008149263A JP5256863B2 (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置 |
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| CN101599534A true CN101599534A (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=41399684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CNA2009101423430A Pending CN101599534A (zh) | 2008-06-06 | 2009-06-01 | 有机发光器件及其制造方法、显示单元和电子装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (1) | US8362694B2 (zh) |
| JP (1) | JP5256863B2 (zh) |
| KR (1) | KR20090127220A (zh) |
| CN (1) | CN101599534A (zh) |
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- 2009-06-01 CN CNA2009101423430A patent/CN101599534A/zh active Pending
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| CN113193025A (zh) * | 2021-04-27 | 2021-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113193025B (zh) * | 2021-04-27 | 2024-05-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN114284331A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5256863B2 (ja) | 2013-08-07 |
| US8362694B2 (en) | 2013-01-29 |
| US20090302751A1 (en) | 2009-12-10 |
| TW201010500A (en) | 2010-03-01 |
| KR20090127220A (ko) | 2009-12-10 |
| JP2009295479A (ja) | 2009-12-17 |
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|
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