JP2002270372A

JP2002270372A - 有機ｅｌ表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002270372A
Application number: JP2001072929A
Authority: JP
Inventors: Takashi Okino; 剛史沖野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2001-03-14
Publication date: 2002-09-20

Abstract

(57)【要約】【課題】製造歩留まりを改善することが可能であるとと
もに、表示品位の良好な信頼性の高い有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１基板１００の一主面上に、アノード電
極とカソード電極との間に有機発光層を挟持した複数の
有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法にお
いて、有機ＥＬ素子の一方の電極を形成し、一方の電極
に電位を供給するための端子部Ｔを覆うように壁部１７
０を配置し、有機発光層１１０を壁部１７０の高さより
薄い膜厚で配置し、壁部１７０を除去する、ことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、アノード電極と
カソード電極との間に挟まれた有機薄膜層に電界を印加
することにより発光させる有機ＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）表示装置に係り、特に、製造歩留まりを改善
することが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面表示装置として、有機ＥＬ表
示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自
発光性素子であるため、視野角が広く、バックライトを
必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、
且つ応答速度が速いといった特徴を有している。

【０００３】この有機ＥＬ表示装置は、透明ガラス基板
上に、透明なＩＴＯなどのアノード電極とカソード電極
との間に発光能を有する有機化合物を含む有機発光層を
挟持した有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置することに
よって構成される。有機ＥＬ素子を発光させるために
は、アノード電極とカソード電極との間に電界を印加す
る必要がある。有機発光層の下層に配置されるアノード
電極またはカソード電極と外部の電源回路とを接続する
ためには、この電極に電圧を供給するための端子部を有
機発光層から露出させる必要がある。

【０００４】有機発光層は、低分子材料や、高分子材料
を用いて構成される。低分子材料を用いた有機発光層
は、主に、蒸着法によって形成される。また、高分子材
料を用いた有機発光層は、スピンコート法やインクジェ
ット法によって形成されることが多い。この蒸着法で
は、メタルマスクを介して低分子材料の有機発光層を蒸
着するため、有機発光層を容易にパターン化することが
可能である。インクジェット法では、塗布部位の制御が
可能であるため、有機発光層を容易にパターン化するこ
とが可能である。

【０００５】しかしながら、高分子材料を用いた有機発
光層を形成する場合、蒸着法を適用することは困難であ
り、また、インクジェット法を利用するとコスト面で不
利となる。このため、高分子材料を用いた有機発光層
は、主にスピンコート法によって形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、有機
ＥＬ表示装置における高分子材料を用いた有機発光層の
形成工程においては、スピンコート法を利用することが
多い。しかしながら、この場合、有機発光層の下層に配
置される電極に電圧を供給するための端子部を有機発光
層から露出させる必要がある。

【０００７】すなわち、スピンコート法により、有機発
光層を基板全面に塗布し、端子部が有機発光層によって
覆われてしまった場合には、有機発光層を突き破るよう
に先端の尖った針のようなもので端子部との接点をとる
必要がある。しかしながら、このような方法で接点をと
って素子を駆動することは、ノイズの発生や信頼性の面
での問題を抱えている。しかも、有機ＥＬ表示装置を量
産する場合、このような接点のとり方は、不向きであ
り、製造歩留まりが低下する問題を発生する。

【０００８】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、製造歩留まりを改善する
ことが可能であるとともに、表示品位の良好な信頼性の
高い有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の
製造方法は、基板の一主面上に、アノード電極とカソー
ド電極との間に有機発光層を挟持した複数の有機ＥＬ素
子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機
ＥＬ素子の一方の電極を形成し、前記一方の電極に電位
を供給するための端子部を覆うように壁部を配置し、有
機発光層を前記壁部の高さより薄い膜厚で配置し、前記
壁部を除去する、ことを特徴とする。

【００１０】請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造
方法は、基板の一主面上に、アノード電極とカソード電
極との間に有機発光層を挟持した複数の有機ＥＬ素子を
備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ
素子の一方の電極を形成し、有機発光層を配置し、前記
一方の電極に電位を供給するための端子部を露出するよ
うに前記有機発光層を選択的に除去して、前記有機発光
層をパターン化する、ことを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の有機ＥＬ表示装
置の製造方法の一実施の形態について図面を参照して説
明する。

【００１２】図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
１画素毎に２つの薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１０
及び２０と、補助容量素子３０と、有機ＥＬ素子すなわ
ち発光部４０とを備えている。有機ＥＬ素子４０は、Ｔ
ＦＴ１０を介して選択され、有機ＥＬ素子４０に対する
励起電力は、ＴＦＴ２０により制御される。

【００１３】このような有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ
素子４０の行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙ
と、有機ＥＬ素子４０の列方向に沿って配置された複数
の信号線Ｘとを備えている。ＴＦＴ１０及び２０は、走
査線Ｙと信号線Ｘとの交差部近傍に配置されている。Ｔ
ＦＴ２０は、有機ＥＬ素子４０と直列に接続されてい
る。また、補助容量素子３０は、ＴＦＴ１０と直列に、
且つＴＦＴ２０と並列に接続されている。

【００１４】すなわち、ＴＦＴ１０のゲート電極は、走
査線Ｙに接続され、ソース領域は、信号線Ｘに接続さ
れ、ドレイン領域は、補助容量素子３０の一端及びＴＦ
Ｔ２０のゲート電極に接続されている。ＴＦＴ２０のソ
ース領域は、電源供給線Ｐに接続され、ドレイン領域
は、有機ＥＬ素子４０のアノード電極に接続されてい
る。補助容量素子３０の他端は、電源供給線Ｐに接続さ
れている。

【００１５】この電源供給線Ｐは、複数の画素がマトリ
クス状に配置された表示エリアから外部に引き出され、
基板上の端子部Ｔに接続されている。電源供給線Ｐは、
端子部Ｔを介して外部回路としての電源供給回路１５０
に接続されている。すなわち、電源供給回路１５０を含
む外部回路は、表示エリアの周辺に引き出された各外周
配線の端子部に異方性導電膜などを介して電気的に接続
されている。

【００１６】ＴＦＴ１０は、対応走査線Ｙを介して選択
されたときに対応信号線Ｘの駆動信号をＴＦＴ２０及び
補助容量素子３０に供給し、ＴＦＴ２０の駆動を制御す
る。ＴＦＴ２０は、駆動信号に基づいて電源供給線Ｐか
ら有機ＥＬ素子４０に駆動電流を供給する。

【００１７】図２は、有機ＥＬ表示装置の構造を概略的
に示す断面図であり、ここでは、特に１画素分の有機Ｅ
Ｌ素子すなわち発光部の構造を示している。

【００１８】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１
は、第１基板１００と、この第１基板に所定の間隔をお
いて対向して配置された第２基板２００と、を備えてい
る。この第１基板１００と第２基板２００とは、シール
材３００によって貼り合わされ、第１基板１００と第２
基板２００との間に密閉空間４００を形成している。有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体は、密閉空間４００内
に収容されている。

【００１９】第１基板１００は、例えばガラス基板など
の透明な絶縁性基板である。この第１基板１００は、有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体を形成するために、Ｔ
ＦＴ２０と、絶縁層１０２を介してＴＦＴ２０のドレイ
ン領域にコンタクトしたアノード電極１０４と、アノー
ド電極１０４上に配置された有機ＥＬ層１１０と、アノ
ード電極１０４との間に有機ＥＬ層１１０を挟持するカ
ソード電極１１２と、カソード電極１１２を覆うカバー
メタル１１４を備えている。１画素分の有機ＥＬ素子４
０は、格子状に配置された隔壁１３０によって区画され
ている。

【００２０】ＴＦＴ２０は、アモルファスシリコンまた
はポリシリコンの半導体薄膜を有している。アノード電
極１０４は、透明な絶縁膜１０２上に配置され、透明な
導電性部材、例えばインジウム−ティン−オキサイド
（ＩＴＯ）によって形成されている。

【００２１】有機ＥＬ層１１０は、ホール輸送層１０６
及び発光層１０８を含んでいる。すなわち、ホール輸送
層１０６は、アノード電極１０４上に配置され、芳香族
アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘
導体などの薄膜によって形成されている。発光層１０８
は、ホール輸送層１０６上に配置され、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、または青（Ｂ）に発光する有機化合物によって
形成されている。この発光層１０８は、例えばＡｌｑ_３
（アルミキノリ錯体）によって形成された薄膜を含み積
層構造や、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やポ
リフルオレン誘導体またはその前駆体などを積層して構
成されている。

【００２２】カソード電極１１２は、有機ＥＬ層１１０
上に配置され、電子注入の機能を果たす材料によって形
成された反射電極である。このカソード電極１１２は、
例えばバリウム、カルシウム、バリウム−イッテルビウ
ムなどを蒸着することによって形成される。有機ＥＬ層
１１０は、カソード電極１１２からの電子注入効率を向
上するために、発光層１０８とカソード電極１１２との
間に電子輸送層を含んで構成しても良い。

【００２３】カバーメタル１１４は、カソード電極１１
２上に配置され、例えばアルミニウムを蒸着することに
よって形成されている。

【００２４】このように構成された有機ＥＬ素子４０で
は、アノード電極１０４とカソード電極１１４との間に
挟持された発光層１０８に電子及びホールを注入し、こ
れらを再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光す
る。

【００２５】なお、第１基板１００上において、表示エ
リアの外側まで引き出された電源供給線Ｐなどの外周配
線１６０は、シール材３００の外側に配置された端子部
Ｔを有している。

【００２６】次に、この有機ＥＬ表示装置の製造方法に
ついて説明する。

【００２７】すなわち、図３の（ａ）に示すように、ま
ず、半導体膜、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニング
とを繰り返し、第１基板１００の表示エリア内に、薄膜
トランジスタすなわちＴＦＴ２０を形成する。また、同
時に、第１基板１００に、各種電極配線を形成し、縦４
８０ピクセル、横６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ピクセル、
合計約９２万画素を有したアレイ基板を形成する。この
時、各種電極配線は、表示エリアからその外周まで引き
出される。各種配線の外周配線１６０は、それぞれ端子
部Ｔに接続される。

【００２８】続いて、図３の（ｂ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法により、第１基板１００上に透明な絶縁膜１０２、
例えば酸化シリコン膜を成膜する。さらに、エッチング
により、この絶縁膜１０２にＴＦＴ２０のドレイン領域
まで貫通するコンタクトホール１０２ａを形成する。

【００２９】続いて、図３の（ｃ）に示すように、各画
素に対応して、透明な電極部材、例えばＩＴＯを配置し
てアノード電極１０４を形成する。このアノード電極１
０４は、ＩＴＯを基板全面に堆積した後にフォトエッチ
ングプロセスによりパターニングすることによって形成
しても良いし、各画素に対応してＩＴＯをマスクスパッ
タ法で堆積することによって形成しても良い。

【００３０】続いて、図３の（ｄ）に示すように、各画
素間の電気的なショートを防ぐために、各画素を囲むよ
うに格子状に隔壁１３０を形成する。この隔壁１３０
は、紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを配置した後、
フォトリソグラフィ工程によってパターニングし、さら
に、２２０℃で３０分間ベーク処理することによって形
成される。

【００３１】続いて、図４の（ａ）に示すように、各画
素のアノード電極１０４上に有機ＥＬ層１１０を形成す
る。この実施の形態では、アノード電極１０４上に、ま
ず、ホール輸送層１０６を形成し、続けて、ホール輸送
層１０６上に、発光層１０８を積層する。この有機ＥＬ
層１１０の形成工程は、例えば、スピンコート法によっ
て行われる。例えば、アノード電極１０４上に塗布され
た有機ＥＬ層１１０の膜厚は、１乃至１００μｍであ
り、乾燥後、アノード電極１０４上に形成された有機Ｅ
Ｌ層１１０の膜厚は、１０乃至１００００オングストロ
ームである。

【００３２】続いて、図４の（ｂ）に示すように、有機
ＥＬ層１１０上に、カソード電極１１２を形成し、続け
てカソード電極１１２上にカバーメタル１１４を形成す
る。この実施の形態では、真空チャンバ内において、ま
ず、有機ＥＬ層１１０上にバリウム単体を蒸着すること
によってカソード電極１１２を形成する。続いて、カソ
ード電極１１２上にアルミニウム単体または合金を蒸着
することによってカバーメタル１１４を形成する。

【００３３】続いて、図４の（ｃ）に示すように、封止
を行うための第２基板２００の外周に沿って紫外線硬化
型のシール材３００を塗布し、窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガス雰囲気中において、有機ＥＬ素子４０
を備えた第１基板１００と貼り合わせる。これにより、
有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間４０
０内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール
材３００を硬化する。

【００３４】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、実質的な厚さが
第１基板及び第２基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。

【００３５】ところで、上述した有機ＥＬ表示装置の製
造方法において、有機ＥＬ層１１０を形成するプロセス
について、より詳細に説明する。すなわち、有機ＥＬ層
１１０をスピンコート法によって形成する場合、有機Ｅ
Ｌ層１１０の下層に配置される各種外周配線１６０のそ
れぞれの端子部Ｔは、有機ＥＬ層１１０によって覆われ
てしまう。このため、外周配線１６０の端子部Ｔを外部
回路と電気的に接続するためには、端子部Ｔを露出させ
ることが必要である。

【００３６】まず、第１の手法としては、有機ＥＬ層１
１０を形成する前に、保護したい部分を覆うように壁部
を接着し、その後、有機ＥＬ層１１０を塗布する際に、
壁部によって保護された部分に有機ＥＬ層１１０が塗布
されないようにする方法がある。すなわち、この第１の
手法は、有機ＥＬ層１１０を形成する際に、端子部Ｔ上
に有機ＥＬ層１１０が配置されないように壁部を用いて
被覆保護し、有機ＥＬ層１１０を形成した後に壁部を剥
離するものである。なお、このときに用いる壁部として
は、耐有機溶剤性であるものが好ましい。また、この壁
部は、塗布される有機ＥＬ層１１０の膜厚よりも厚い膜
厚を有するものが好ましく、例えば、約０．１ｍｍの膜
厚を有している。

【００３７】この第１の手法では、壁部は、その壁面が
接着される基板の一主面に対して９０度未満の成す角度
で形成されることが望ましい。これにより、有機ＥＬ層
１１０の上にカソード電極を蒸着した際に、有機ＥＬ層
１１０のエッジによってカソード電極が切断されること
を防止することができる。

【００３８】また、この第１の手法では、壁部を除去し
た後、有機ＥＬ層１１０の壁部との境界部近傍を有機Ｅ
Ｌ層１１０を溶解可能な溶液に接触させてもよい。これ
により、有機ＥＬ層１１０の境界部近傍のエッジの傾斜
を緩やかにすることができ、有機ＥＬ層１１０のエッジ
によってカソード電極が切断されることを防止すること
ができる。

【００３９】この第１の手法では、壁部は、粘着テープ
によって形成されてもよい。また、壁部は、その一部も
しくは全体を強磁性体によって形成し、基板が載置され
る基板ホルダに電磁石を設けることによって磁力により
壁部を基板に接着させるようにしてもよい。このよう
に、壁部を基板に接着させることにより、壁部と基板と
を一体に回転させることができ、有機ＥＬ層１１０をス
ピンコートすることが可能となる。

【００４０】また、第２の手法としては、有機ＥＬ層１
１０を全面に形成した後、何らかの手法で端子部Ｔを覆
っている有機ＥＬ層１１０を選択的に除去する方法があ
る。

【００４１】この第２の手法では、例えば、基板の中心
より外側に有機ＥＬ層１１０を溶解可能な溶液を滴下し
ながら基板を回転させることによって、端子部Ｔを覆っ
ている有機ＥＬ層１１０を選択的に除去する。また、こ
の第２の手法では、基板の一部を有機ＥＬ層１１０を溶
解可能な溶液に浸すことによって、端子部Ｔを覆ってい
る有機ＥＬ層１１０を選択的に除去する。

【００４２】なお、上述した第１及び第２の手法以外に
端子部Ｔを有機ＥＬ層１１０から露出させる方法とし
て、有機ＥＬ層１１０の下層に配置される各種外周配線
１６０を基板の側面または裏面まで引き回し、それぞれ
の端子部Ｔを基板の側面または裏面に配置する方法があ
る。この方法によれば、例え基板上の全面に有機ＥＬ層
１１０をスピンコート法によって塗布したとしても配線
の端子部Ｔが有機ＥＬ層１１０によって覆われることが
なく、露出させておくことが可能となる。

【００４３】これらの手法によれば、確実に外周配線の
端子部を露出することが可能となり、外部回路との間で
確実に電気的に接続することができる。これにより、信
頼性の高い表示品位の良好な有機ＥＬ表示装置を提供す
ることが可能となる。また、これらの手法によれば、容
易に外周配線の端子部を露出させることが可能となるた
め、製造歩留まりを改善することが可能となる。

【００４４】以下に、上述した各種の手法に対応した実
施例について、図面を参照して詳細に説明する。

【００４５】（実施例１）まず、図３の（ｄ）に示すよ
うなアノード電極を形成した第１基板１００を用意す
る。

【００４６】続いて、図５の（ａ）に示すように、第１
基板１００における外周配線１６０の端子部Ｔを覆うよ
うに、ポリイミド製の粘着テープを接着し、壁部１７０
を形成する。続いて、図５の（ｂ）に示すように、第１
基板１００の上面に、ＰＰＶすなわちポリパラフェニレ
ンビニレン（ＰＦすなわちポリフルオレンなども利用
可）を溶解したキシレン２重量％溶液を滴下し、スピン
ナーにより毎分２０００回転で１分間回転塗布する。塗
布した溶液を乾燥することにより、アノード電極及び外
周電極１６０上に有機ＥＬ層１１０を形成する。

【００４７】その後、有機ＥＬ層１１０を塗布する前に
接着した壁部１７０を除去し、図５の（ｃ）に示すよう
に、壁部１７０によって覆われていた外周配線１６０の
一部及び端子部Ｔを露出させる。この後、図４の（ｂ）
乃至（ｃ）に示したように、カソード電極１１２などを
形成し、シール材３００の外側に露出された端子部Ｔに
外部回路を接続することによって有機ＥＬ表示装置を製
造する。

【００４８】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。サンプル
測定数２０箇所のうち、１７箇所で明るく発光した。

【００４９】（実施例２）壁部１７０は、その壁面と第
１基板１００の主面との成す角度θが９０度以上である
場合、図６の（ａ）に示すように、有機ＥＬ層１１０
は、逆台形状の断面を有するようになる。この場合、壁
部１７０を除去した後に、図６の（ｂ）に示すように、
有機ＥＬ層１１０の上面にカソード電極を配置すると、
カソード電極から基板の外周に引き出された外周配線１
６１は、有機ＥＬ層１１０の壁部１７０との境界部近傍
１１０Ｘ付近で断線を発生しやすい。

【００５０】このため、壁部１７０は、図７の（ａ）に
示すように、その壁面と第１基板１００の主面との成す
角度θが９０度未満となるように形成されることが望ま
しい。この場合、有機ＥＬ層１１０は、台形状の断面を
有するようになる。このとき、壁部１７０を除去した後
に、図７の（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層１１０の上
面にカソード電極を配置すると、カソード電極から引き
出された外周配線１６１は、緩やかな勾配の有機ＥＬ層
１１０の側面に沿って配置されることになる。このた
め、有機ＥＬ層１１０の壁部１７０との境界部近傍１１
０Ｘ付近での断線の発生を防止することが可能となる。

【００５１】この実施例２では、外周配線１６０の一部
及び端子部Ｔを覆う壁部１７０としての粘着テープの断
面を逆台形状にして、壁部１７０の壁面と第１基板１０
０の主面との成す角度θが９０度未満となるようにした
以外は、上述した実施例１と同様にサンプルを作製し、
同様の測定を行ったところ、サンプル測定数２０箇所す
べてが明るく発光した。

【００５２】（実施例３）図６の（ａ）及び（ｂ）に示
したように、第１基板１００の主面との成す角度θが９
０度以上の場合、有機ＥＬ層１１０の壁部１７０との境
界部近傍１１０Ｘにおいて、いわゆるバリが形成される
おそれがあり、外周配線１６１を断線させる要因とな
る。また、図７の（ａ）及び（ｂ）に示したように、第
１基板１００の主面との成す角度θが９０度未満の場合
であっても、９０度に比較的近い急峻な角度の場合に
は、外周配線１６１を断線させる要因となる。

【００５３】そこで、この実施例３では、図８の（ａ）
に示すように、有機ＥＬ層１１０を形成し、壁部１７０
を除去した後、有機ＥＬ層１１０を溶解可能な溶液、例
えばキシレン溶液を浸した綿棒１８０を用いて、有機Ｅ
Ｌ層１１０の壁部１７０との境界部近傍１１０Ｘを拭く
ことを特徴としている。このように、有機ＥＬ層１１０
を溶解可能な溶液を有機ＥＬ層１１０の境界部近傍１１
０Ｘに接触させることにより、図８の（ｂ）に示すよう
に、バリを除去することが可能となるとともに、境界部
近傍１１０Ｘが比較的急峻な場合であっても緩やかな勾
配とすることが可能となる。

【００５４】このように、有機ＥＬ層１１０を溶解可能
な溶液に接触させる以外は、上述した実施例１と同様に
サンプルを作製し、同様の測定を行ったところ、サンプ
ル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００５５】（実施例４）まず、図３の（ｄ）に示すよ
うなアノード電極を形成した第１基板１００を用意す
る。

【００５６】続いて、図９の（ａ）に示すように、第１
基板１００を電磁石を備えた基板ホルダ１８２上の所定
位置に載置する。また、第１基板１００における外周配
線１６０の端子部Ｔを覆うように、鉄などの強磁性体を
多量に含んだ枠体を電磁石の磁力によって接着し、壁部
１７０を形成する。続いて、図９の（ｂ）に示すよう
に、第１基板１００の上面に、ＰＰＶを溶解したキシレ
ン２重量％溶液を滴下し、基板ホルダ１８２を毎分２０
００回転で１分間回転させる。塗布した溶液を乾燥する
ことにより、アノード電極及び外周電極１６０上に有機
ＥＬ層１１０を形成する。

【００５７】その後、有機ＥＬ層１１０を塗布する前に
磁力によって接着した壁部１７０を除去し、図９の
（ｃ）に示すように、壁部１７０によって覆われていた
外周配線１６０の一部及び端子部Ｔを露出させる。この
後、図４の（ｂ）乃至（ｃ）に示したように、カソード
電極１１２などを形成し、シール材３００の外側に露出
された端子部Ｔに外部回路を接続することによって有機
ＥＬ表示装置を製造する。

【００５８】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。この結
果、サンプル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００５９】なお、この強磁性体によって形成された壁
部１７０も、実施例２と同様に、その壁面と第１基板１
００の主面との成す角度θが９０度未満とすることによ
り、断線の発生を防止することが可能である。また、実
施例３と同様に、有機ＥＬ層１１０の壁部１７０との境
界部近傍を、有機ＥＬ層１１０を溶解可能な溶液に接触
させて緩やかな勾配を形成することにより、断線の発生
を防止することが可能である。

【００６０】（実施例５）まず、図３の（ｄ）に示すよ
うなアノード電極を形成した直径１０ｃｍの円形の第１
基板１００を用意する。

【００６１】続いて、第１基板１００の上面に、ＰＰＶ
を溶解したキシレン２重量％溶液を滴下し、スピンナー
により毎分２０００回転で１分間回転塗布する。塗布し
た溶液を乾燥することにより、アノード電極及び外周電
極上に有機ＥＬ層１１０を形成する。

【００６２】その後、図１０の（ａ）に示すように、毎
分８００回転で回転する第１基板１００上に、基板中心
から４ｃｍ離れた地点で有機ＥＬ層１１０を溶解可能な
溶液、例えばキシレンを滴下する。これにより、図１０
の（ｂ）に示すように、円形の第１基板１００の外周に
沿って１ｃｍ幅の有機ＥＬ層１１０を除去し、有機ＥＬ
層１１０によって覆われていた外周配線１６０の一部及
び端子部Ｔを露出させる。

【００６３】この後、図４の（ｂ）乃至（ｃ）に示した
ように、カソード電極１１２などを形成し、シール材３
００の外側に露出された端子部Ｔに外部回路を接続する
ことによって有機ＥＬ表示装置を製造する。

【００６４】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。この結
果、サンプル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００６５】（実施例６）まず、図３の（ｄ）に示すよ
うなアノード電極を形成した一辺１０ｃｍの正方形の第
１基板１００を用意する。

【００６６】続いて、第１基板１００の上面に、ＰＰＶ
を溶解したキシレン２重量％溶液を滴下し、スピンナー
により毎分２０００回転で１分間回転塗布する。塗布し
た溶液を乾燥することにより、アノード電極及び外周電
極上に有機ＥＬ層１１０を形成する。

【００６７】その後、図１１の（ａ）に示すように、毎
分８００回転で回転する第１基板１００上に、基板外周
から１ｃｍ内側の正方形辺上に細かく並べられた滴下口
から有機ＥＬ層１１０を溶解可能な溶液、例えばキシレ
ンを滴下する。なお、滴下口を支持する冶具は、基板１
００を支持する冶具に接続されて固定されており、基板
を回転する際には、同じ回転速度で回転する。

【００６８】これにより、図１１の（ｂ）に示すよう
に、正方形の基板１００の外周に沿って１ｃｍ幅の有機
ＥＬ層１１０を除去し、有機ＥＬ層１１０によって覆わ
れていた外周配線１６０の一部及び端子部Ｔを露出させ
る。この後、図４の（ｂ）乃至（ｃ）に示したように、
カソード電極１１２などを形成し、シール材３００の外
側に露出された端子部Ｔに外部回路を接続することによ
って有機ＥＬ表示装置を製造する。

【００６９】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。この結
果、サンプル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００７０】なお、この実施例では、複数の滴下口を第
１基板１００の外周に沿って配置したが、これに代え
て、第１基板１００の外周から１ｃｍ内側の正方形辺上
を第１基板１００に対して移動する単一の滴下口であっ
ても良い。

【００７１】（実施例７）まず、図３の（ｄ）に示すよ
うなアノード電極を形成した一辺１０ｃｍの正方形の第
１基板１００を用意する。

【００７２】続いて、第１基板１００の上面に、ＰＰＶ
を溶解したキシレン２重量％溶液を滴下し、スピンナー
により毎分２０００回転で１分間回転塗布する。塗布し
た溶液を乾燥することにより、アノード電極及び外周電
極上に有機ＥＬ層１１０を形成する。

【００７３】その後、図１２に示すように、第１基板１
００を垂直に保持し、基板外周から１ｃｍだけ有機ＥＬ
層１１０を溶解可能な溶液、例えばキシレン溶液１９０
に１分間浸した後、第１基板１００を引き上げて乾燥す
る。さらに、他の３辺についても同様にキシレン溶液１
９０に１分間浸した後に、引き上げて乾燥する工程を繰
り返す。

【００７４】これにより、正方形の基板１００の外周に
沿って１ｃｍ幅の有機ＥＬ層１１０を除去し、有機ＥＬ
層１１０によって覆われていた外周配線１６０の一部及
び端子部Ｔを露出させる。この後、図４の（ｂ）乃至
（ｃ）に示したように、カソード電極１１２などを形成
し、シール材３００の外側に露出された端子部Ｔに外部
回路を接続することによって有機ＥＬ表示装置を製造す
る。

【００７５】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。この結
果、サンプル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００７６】（実施例８）まず、アノード電極を形成し
た一辺１０ｃｍの正方形の第１基板１００を用意する。
このとき、外周配線１６０は、図１３の（ａ）に示すよ
うに、基板の側面まで引き出され、側面に設けられた端
子部Ｔに接続されている。

【００７７】続いて、第１基板１００の上面に、ＰＰＶ
を溶解したトルエン１重量％溶液を滴下し、スピンナー
により毎分１５００回転で１分間回転塗布する。塗布し
た溶液を乾燥することにより、アノード電極及び外周電
極１６０上に有機ＥＬ層１１０を形成する。

【００７８】これにより、正方形の第１基板１００の側
面に有機ＥＬ層１１０によって覆われていない外周配線
の一部及び端子部を設けることができる。この後、カソ
ード電極１１２などを形成し、基板の側面に配置された
端子部Ｔに外部回路を接続することによって有機ＥＬ表
示装置を製造する。

【００７９】このような製造方法によれば、有機ＥＬ層
１１０を部分的に除去する工程や、端子部を覆う工程が
不要となり、製造工程数を削減することが可能となって
製造歩留まりを改善することが可能となる。

【００８０】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極１０４とカソード
電極１１２との間に、５Ｖの電圧を印加した。この結
果、サンプル測定数２０箇所すべてが明るく発光した。

【００８１】また、図１３の（ｂ）に示すように、外周
配線１６０を基板の裏面まで引き出し、基板の裏面に設
けられた端子部Ｔに接続してもよい。このような構造で
あっても、上述した場合と同様の効果を得ることが可能
となる。

【００８２】（比較例）まず、アノード電極を形成した
第１基板を用意する。続いて、第１基板の上面に、ＰＰ
Ｖを溶解したキシレン２重量％溶液を滴下し、スピンナ
ーにより毎分２０００回転で１分間回転塗布する。この
後、カソード電極などを形成し、シール材３００の外側
で有機ＥＬ層１１０によって覆われた端子部Ｔに針先を
突き刺して接点をとり、外部回路と接続した有機ＥＬ表
示装置を製造する。

【００８３】このようにして製造された有機ＥＬ表示装
置のサンプルにおいて、アノード電極とカソード電極と
の間に、５Ｖの電圧を印加した。サンプル測定数２０箇
所のうち、１３箇所で明るく発光したが、電流波形をモ
ニタしたところ、動作が不安定であった。

【００８４】上述したように、この発明の有機ＥＬ表示
装置の製造方法によれば、確実に外周配線の端子部を露
出することが可能となり、外部回路との間で確実に電気
的に接続することができる。これにより、信頼性の高い
表示品位の良好な有機ＥＬ表示装置を提供することが可
能となる。また、この発明の有機ＥＬ表示装置の製造方
法によれば、容易に外周配線の端子部を露出させること
が可能となるため、製造歩留まりを改善することが可能
となる。

【００８５】なお、この発明は、上述した実施の形態だ
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造歩留まりを改善することが可能であるととも
に、表示品位の良好な信頼性の高い有機ＥＬ表示装置の
製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の一実施の形態にかかる有機
ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す回路図である。

【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画
素分の構造を概略的に示す断面図である。

【図３】図３の（ａ）乃至（ｄ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。

【図４】図４の（ａ）乃至（ｃ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。

【図５】図５の（ａ）乃至（ｃ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法における実施例１を説明するため
の図である。

【図６】図６の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法における実施例２を説明するため
の図である。

【図７】図７の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法における実施例２を説明するため
の図である。

【図８】図８の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法における実施例３を説明するため
の図である。

【図９】図９の（ａ）乃至（ｃ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法における実施例４を説明するため
の図である。

【図１０】図１０の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有
機ＥＬ表示装置の製造方法における実施例５を説明する
ための図である。

【図１１】図１１の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有
機ＥＬ表示装置の製造方法における実施例６を説明する
ための図である。

【図１２】図１２は、この発明の有機ＥＬ表示装置の製
造方法における実施例７を説明するための図である。

【図１３】図１３の（ａ）及び（ｂ）は、この発明の有
機ＥＬ表示装置の製造方法における実施例８を説明する
ための図である。

【符号の説明】

１…有機ＥＬ表示装置１０、２０…ＴＦＴ３０…補助容量素子４０…有機ＥＬ素子１００…第１基板１０４…アノード電極１１０…有機ＥＬ層１１２…カソード電極１１４…カバーメタル１５０…電源供給回路１６０…外周配線１７０…壁部２００…第２基板３００…シール材Ｔ…端子部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の一主面上に、アノード電極とカソー
ド電極との間に有機発光層を挟持した複数の有機ＥＬ素
子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の一方の電極を形成し、前記一方の電極に電位を供給するための端子部を覆うよ
うに壁部を配置し、有機発光層を前記壁部の高さより薄い膜厚で配置し、前記壁部を除去する、ことを特徴とする有機ＥＬ表示装
置の製造方法。
【請求項２】前記壁部は、その壁面が前記基板の一主面
に対して９０度未満の成す角度で形成されたことを特徴
とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】前記壁部を除去した後、前記有機発光層の
前記壁部との境界部近傍を、前記有機発光層を溶解可能
な溶液に接触させる工程を有することを特徴とする請求
項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】前記壁部は、粘着テープによって形成され
たことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置
の製造方法。
【請求項５】前記壁部は、磁力によって基板に接着され
たことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置
の製造方法。
【請求項６】基板の一主面上に、アノード電極とカソー
ド電極との間に有機発光層を挟持した複数の有機ＥＬ素
子を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の一方の電極を形成し、有機発光層を配置し、前記一方の電極に電位を供給するための端子部を露出す
るように前記有機発光層を選択的に除去して、前記有機
発光層をパターン化する、ことを特徴とする有機ＥＬ表
示装置の製造方法。
【請求項７】前記有機発光層の除去は、基板の中心より
外側に前記有機発光層を溶解可能な溶液を滴下しながら
前記基板を回転させることによって行うことを特徴とす
る請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】前記有機発光層の除去は、基板の一部を前
記有機発光層を溶解可能な溶液に浸すことによって行う
ことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置の
製造方法。