CN114300631A - 显示基板、显示面板以及显示基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种显示基板、显示面板以及显示基板的制造方法。本申请实施例提供的显示基板包括：基底；多个发光器件，位于所述基底的一侧，其中每个发光器件包括沿远离所述基底的方向依次层叠的第一电极、辅助发光层、发光层和第二电极，所述多个发光器件共用所述辅助发光层；以及烧结电极，位于相邻的发光器件之间且与所述辅助发光层接触，用于烧结部分所述辅助发光层，其中所述辅助发光层的被烧结的部分位于相邻的发光器件之间，所述辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于所述辅助发光层的未被烧结的部分的电阻率。以此方式，能够降低相邻的发光器件之间的电流串扰的风险。

Description

显示基板、显示面板以及显示基板的制造方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板、具有该显示基板的显示面板以及该显示基板的制造方法。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等诸多优点，因而广泛应用于各种电子显示产品。

然而，对于采用有机发光二极管技术的电子显示产品，相邻的发光器件(即像素)之间通常存在电流串扰的问题。相邻发光器件之间的电流串扰劣化了电子显示产品的显示品质，降低了用户的使用体验。

发明内容

本申请的第一方面，提供一种显示基板。该显示基板包括：基底；多个发光器件，位于基底的一侧，其中每个发光器件包括沿远离基底的方向依次层叠的第一电极、辅助发光层、发光层和第二电极，多个发光器件共用辅助发光层；以及烧结电极，位于相邻的发光器件之间且与辅助发光层接触，用于烧结部分辅助发光层，其中辅助发光层的被烧结的部分位于相邻的发光器件之间，辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于辅助发光层的未被烧结的部分的电阻率。

通过设于相邻的发光器件之间且与辅助发光层接触的烧结电极烧结部分辅助发光层，能够获得位于相邻的发光器件之间的辅助发光层的被烧结的部分。由于辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于未被烧结部分的电阻率，因此能够有效地降低电流通过辅助发光层在相邻的发光器件之间串扰的风险，改善显示基板的显示品质。

结合第一方面，在一些实施例中，辅助发光层被烧结的部分是通过在第一电极和烧结电极之间施加电压而获得的。

结合第一方面，在一些实施例中，该显示基板还包括设有多个像素开口的像素限定层，多个发光器件的第一电极位于基底和像素限定层之间且分别暴露于多个像素开口，其中烧结电极位于像素限定层背离基底的一侧且形成在像素限定层的位于相邻的两个像素开口之间的部分上，辅助发光层位于烧结电极背离像素限定层的一侧。

由于烧结电极形成在像素限定层上，烧结电极的顶面和像素限定层的顶面存在落差。由于落差的存在，辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分相较于其他部分更薄，从而辅助发光层的这部分的电阻率较大。此外，辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分与烧结电极之间存在接触不良。基于上述原因，当在第一电极和烧结电极之间施加烧结电压时，辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分更容易被烧结。由此，可以通过设置适当大小的烧结电压，使得辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分被烧结被充分烧结的同时，避免辅助发光层的位于发光器件中的部分被烧结。

结合第一方面，在一些实施例中，烧结电极的沿垂直于基底的剖切面截取的截面呈矩形。

以此方式，可使得烧结电极的边缘处更加陡峭，从而使得辅助发光层的位于烧结电极边缘处的部分更易于减薄，辅助发光层与烧结电极之间更易于出现接触不良，从而使得辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分更容易被烧结。

结合第一方面，在一些实施例中，烧结电极的沿垂直于基底的剖切面截取的截面呈倒梯形。

相较于矩形，将烧结电极的沿垂直于基底的剖切面截取的截面形状设置为倒梯形，可使得辅助发光层位于烧结电极边缘处的部分更易于减薄，辅助发光层与烧结电极更易于出现接触不良，从而使得辅助发光层的位于烧结电极的边缘处的部分更容易被烧结。

结合第一方面，在一些实施例中，该显示基板还包括设有多个像素开口的像素限定层，多个发光器件的第一电极位于基底和像素限定层之间且分别暴露于多个像素开口，其中像素限定层包括沿远离基底的方向依次层叠的第一像素限定子层和第二像素限定子层，烧结电极位于第一像素限定子层和第二像素限定子层之间且暴露于多个像素开口。

相较于将烧结电极设于像素限定层的远离基底的一侧，将烧结电极设于像素限定层的第一像素限定子层和第二像素限定子层之间，能够避免像素限定层的远离基底的一侧存在凸起，从而能够降低第二电极在相邻的发光器件之间断开的风险。

结合第一方面，在一些实施例中，烧结电极设有贯通孔，第二像素限定子层穿过贯通孔与第一像素限定子层连接。

通过在烧结电极上设置贯通孔，使得第二像素限定子层可以穿过贯通孔直接与第一像素限定子层连接。这样可以确保第一像素限定子层、第二像素限定子层以及烧结电极之间的连接强度，避免彼此之间剥离。

结合第一方面，在一些实施例中，烧结电极包括第一子烧结电极和第二子烧结电极，第一子烧结电极和第二子烧结电极均位于相邻的发光器件之间且彼此间隔，第一子烧结电极和第二子烧结电极均与辅助发光层接触，其中辅助发光层的被烧结的部分是通过在第一子烧结电极和第二子烧结电极之间施加电压而获得的。

通过在第一电极和烧结电极之间施加电压来将部分辅助发光层烧结的实施例中，若烧结电压过大则会导致辅助发光层的位于发光器件中的部分被烧结，若烧结电压过小则会导致烧结不充分。相比之下，通过在第一子烧结电极和第二子烧结电极之间施加电压来烧结部分辅助发光层，则可以采用较大烧结电压来将部分辅助发光层充分烧结，且无需担心将辅助发光层位于发光器件中的部分烧结。

结合第一方面，在一些实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，辅助发光层包括空穴注入层和空穴传输层二者中的至少一者。

本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板。该显示面板包括本申请实施例第一方面提供的任意一种显示基板。

本申请的第三方面，提供一种显示基板的制造方法。该制造方法包括：提供基底；形成多个发光器件，其中多个发光器件位于基底的一侧，每个发光器件包括依次层叠的第一电极、辅助发光层、发光层和第二电极，多个发光器件的第一电极彼此间隔，多个发光器件共用辅助发光层；以及形成烧结电极，其中烧结电极位于相邻的发光器件之间且与辅助发光层接触；以及利用烧结电极烧结部分辅助发光层，其中辅助发光层的被烧结的部分位于相邻的发光器件之间，辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于辅助发光层的未被烧结的部分的电阻率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。

应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定。

应当理解，在附图中使用相同或相似的附图标记来表示相同或相似的元素(构件或组成部分)。

应当理解，附图仅是示意性的，附图中的元素(构件或组成部分)的尺寸和比例不一定精确。

图1是根据本申请一实施例的显示基板的结构示意图。

图2是图1所示的显示基板的示意性局部剖视图。

图3是图1所示的显示基板的另一个示意性局部剖视图。

图4是根据本申请一实施例的像素限定层的局部示意图。

图5是根据本申请另一实施例的显示基板的示意性局部剖视图。

图6是根据本申请另一实施例的显示基板的示意性局部剖视图。

图7是根据本申请另一实施例的显示基板的示意性局部剖视图。

图8是根据本申请另一实施例的显示基板的示意性局部剖视图。

图9是根据本申请另一实施例的显示基板的示意性局部剖视图。

图10是根据本申请一实施例的显示基板的制造方法的流程示意图。

具体实施方式

在相关技术提供的显示基板中，多个发光器件通常共用一部分膜层(例空穴注入层、空穴传输层)。这种实现方式的一个好处是，能够降低显示基板的制备工艺的精度。然而，当驱动某一发光器件发光时，驱动电流可能会通过共用的膜层传导至相邻的发光器件中，从而驱动相邻的发光器件发光，这种现象可以被称为电流串扰。电流串扰会劣化显示基板的显示品质，导致诸如色偏差、对比度降低等问题。

作为本申请实施例的一个目的，为了改善相邻发光器件之间的电流串扰的问题，本申请实施例提供一种显示基板。下面结合附图，对本申请实施例进行举例说明。应当理解，本申请的实现方式可以有多种，不应被解释为限于这里阐述的实施例，这里阐述的实施例仅是为了更加透彻和完整地理解本申请。

图1是根据本申请一实施例的显示基板10的结构示意图。如图1所示，显示基板10包括多个发光器件11。

图2是图1所示的显示基板10的示意性局部剖视图。图2中示出的发光器件11可以代表图1中示出的多个发光器件11中的任意一个。

如图1和图2所示，显示基板10还包括基底12。多个发光器件11可以形成在基底12上并位于基底12的一侧。每个发光器件11包括沿远离所述基底12的方向依次层叠的第一电极111、辅助发光层112、发光层113和第二电极115。在某些实施例中，发光层113和第二电极115之间还可以设有公共层114。

示例性地，基底12可以包括衬底121和驱动电路层122。驱动电路层122可以包括像素驱动电路122a。像素驱动电路122a可以与第一电极111电性连接，从而控制发光器件11的开关状态和/或发光亮度。

第一电极111可以作为阳极。多个发光器件11的第一电极111可以呈阵列分布并彼此间隔。第二电极115可以作为阴极。多个发光器件11可以共用第二电极115。也就是说，第二电极115可以为整层结构，覆盖多个发光器件11的第一电极111。

辅助发光层112可以包括空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)，或者可以包括空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)，或者可以包括空穴注入层和空穴传输层组成的叠层。

多个发光器件11可以共用辅助发光层112。也就是说，辅助发光层112可以为整层结构，覆盖多个发光器件11的第一电极111。这种实现方式的一个好处是，能够降低显示基板10的制备工艺的精度，提高制造效率，降低制造成本。

公共层114可以包括电子注入层(Electron Injection Layer,EIL)，或者可以包括电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)，或者可以包括电子注入层和电子传输层组成的叠层。

多个发光器件11可以共用公共层114。也就是说，公共层114可以为整层结构，覆盖多个发光器件11的第一电极111。这种实现方式的一个好处是，能够降低显示基板10的制备工艺的精度，提高制造效率，降低制造成本。

多个发光器件11可以具有各自的发光层113。或者说，每个发光器件11可以具有独立的发光层113。在某些实施例中，在某几个相邻的发光器件11中，不同的发光器件11的发光层113可以由不同的材质制成，以便发出不同颜色的光。

下面对发光器件11的发光原理进行举例描述。当在第一电极111和第二电极112之间施加电压时，空穴从第一电极111经辅助发光层112迁移至发光层113，电子从第二电极115经公共层114迁移至发光层113，空穴和电子在发光层113中相遇，形成激子并使发光分子激发，被激发的发光分子经过辐射弛豫后发出可见光。

图3是图1所示的显示基板10的另一个示意性局部剖视图。图3中示出的两个发光器件11可以表示图1中示出的多个发光器件11中的任意相邻的两个。

为了表述方便，图3中位于左侧的发光器件11可以表述为发光器件11a，与之对应的发光层113可以被表述为发光层113a，与之对应的第一电极111可以被表述为第一电极111a，图3中位于右侧的发光器11件可以被表述为发光器件11b，与之对应的发光层113可以被表述为发光层113b，与之对应的第一电极111可以被表述为第一电极111b。

参见图3，显示基板11还包括烧结电极13，烧结电极13位于相邻的发光器件11a,11b之间，并且发光器件11a,11b共用的辅助发光层112与烧结电极13接触。烧结电极13用于烧结(氧化)部分辅助发光层112，以获得位于相邻的发光器件11a,11b之间的辅助发光层112的被烧结的部分112a。

通过烧结辅助发光层112，能够降低其导电能力，增加其电阻率。因此，相较于辅助发光层112的未被烧结的部分(例如位于发光器件11a或发光器件11b中的部分)，辅助发光层112的被烧结的部分112a的电阻率更高。

对于烧结电极13材质，本申请实施例不做具体限定。例如，烧结电极13的至少部分可以由金属单质、金属氧化物或合金中的一种或多种制成。作为更具体的示例，烧结电极13的至少部分可以由Ti，Ag，Al，Mo，ITO或IGZO中的一种或多种制成。

通过设于相邻的发光器件11a,11b之间且与辅助发光层112接触的烧结电极13烧结部分辅助发光层，能够获得位于相邻的发光器件11a,11b之间的辅助发光层112的被烧结的部分112a。由于辅助发光层112的被烧结的部分112a的电阻率大于未被烧结部分的电阻率，因此能够有效地降低电流通过辅助发光层112在相邻的发光器件11a,11b之间串扰的风险，改善显示基板10的显示品质。

需要说明的是，在本申请实施例中，每个发光器件11可以由与之对应的发光层113界定。例如，烧结电极13位于相邻的发光器件11a,11b之间可以被理解为，烧结电极13在基底12上的正投影落在发光器件11a,11b的发光层113a,1113b在基底12上的正投影之间。例如，辅助发光层112的被烧结的部分112a位于相邻的发光器件11a,11b之间可以被理解为，被烧结的部分112a在基底12上的正投影落在发光器件11a,11b的发光层113a,1113b在基底12上的正投影之间。

图4是根据本申请一实施例的烧结电极13的局部示意图。作为一种示例性的实现方式，如图4所示，烧结电极13可以呈设有多个网孔131的网格结构。多个网孔131可以分别与多个发光器件11一一对应。或者说，多个发光器件11可以分别位于多个网孔131中。

通过烧结电极13烧结部分辅助发光层112的方式有多种，本申请实施例对此不做具体限定。作为一种实现方式，可以通过在第一电极111和烧结电极13之间施加电压(为了便于表述，下称烧结电压)，来将部分辅助发光层112烧结。

应当理解，对于烧结电压的大小，本申请实施例不做具体限定。烧结电压过小则会导致烧结不充分，烧结电压过大则会导致辅助发光层112的位于发光器件11中的部分(即辅助发光层112的在基底12上的正投影落入发光层113在基底12上的正投影中的部分)被烧结。本领域技术人员可以根据实际工艺需求来设置烧结电压的数值。例如，烧结电压可以，但不限于，为2V左右。

下面结合附图，对通过在第一电极111和烧结电极13之间施加电压来烧结部分辅助发光层112的方式进行举例描述。

在一些实施例中，再次参见图1和图2，显示基板10还可以包括像素限定层14，多个发光器件11的第一电极111设于基底12和像素限定层14之间。像素限定层14设有多个像素开口141，多个发光器件11的第一电极111(至少部分)分别暴露于多个像素开口141。

图3示出了两个相邻的像素开口141。为了便于描述，图3中位于左侧的像素开口141可以被表述为像素开口141a，位于右侧的像素开口141可以被表述为像素开口141b。

再次参见图3，烧结电极13位于像素限定层14背离基底12的一侧。烧结电极13形成在像素限定层14的位于相邻的两个像素开口141a,141b之间的部分上。也就是说，烧结电极13在基底12上的正投影可以落在两个像素开口141a,141b在基底12上的正投影之间。辅助发光层112位于烧结电极13的背离像素限定层14的一侧。或者说，烧结电极13位于像素限定层14和辅助发光层112之间。烧结电极13和第一电极111a,111b可以均与辅助发光层112接触。

由于烧结电极13形成在像素限定层14上，烧结电极13的顶面(即烧结电极13背离像素限定层14的一侧的表面)和像素限定层14的顶面(即像素限定层14背离基底12的一侧的表面)存在落差h(或称为高度差，level difference)。由于落差h的存在，辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分(即图3中的被烧结的部分112a)相较于其他部分更薄，从而辅助发光层112的这部分的电阻率较大(或者说注入势垒更大)。此外，辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分与烧结电极13之间存在接触不良。基于上述原因，当在第一电极111和烧结电极13之间施加烧结电压时，辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分更容易被烧结。由此，可以通过设置适当大小的烧结电压，使得辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分被烧结被充分烧结的同时，避免辅助发光层112的位于发光器件11中的部分被烧结。

以此方式，便可以通过在第一电极111和烧结电极13之间施加电压，将部分辅助发光层112烧结，形成位于相邻的发光器件11a,11b之间的被烧结的部分112a，并防止将辅助发光层112的位于发光器件11a,11b之间的部分烧结。

在一些实施例中，再次参见图3，烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面可以呈矩形。以此方式，可使得烧结电极13的边缘处更加陡峭，从而使得辅助发光层112的位于烧结电极13边缘处的部分更易于减薄，辅助发光层112与烧结电极13之间更易于出现接触不良，从而使得辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分更容易被烧结。

应当理解，虽然在图3所示的实施例中，烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面呈矩形，但是在其他实施例中，烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面也可以呈其他形状。

图5是根据本申请另一实施例的显示基板10的示意性局部剖视图。

需要说明的是，图5所示的实施例与前述实施例具有诸多大致相同的元素。在不发生矛盾的情况下，这些元素在前述实施例中的描述也同样适用于图5所示的实施例。出于简洁的目的，对这些元素采用相同的附图标记(即沿用前述实施例中的附图标记)，并适当省略相应描述。

在一些实施例中，参见图5，烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面可以呈倒梯形(即呈短边位于靠近基底12的一侧且长边位于远离基底12的一侧的梯形)。相较于矩形，将烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面形状设置为倒梯形，可使得辅助发光层112位于烧结电极13边缘处的部分更易于减薄，辅助发光层112与烧结电极13更易于出现接触不良，从而使得辅助发光层112的位于烧结电极13的边缘处的部分更容易被烧结。

图6是根据本申请另一实施例的显示基板10的示意性局部剖视图。

需要说明的是，图6所示的实施例和前述实施例具有诸多大致相同的元素。在不发生矛盾的情况下，这些元素在前述实施例中的描述也同样适用于图6所示的实施例。出于简洁的目的，对这些元素采用相同的附图标记(即沿用前述实施例中的附图标记)，并适当省略相应描述。

在一些实施例中，参见图6，像素限定层14包括沿远离基底12的方向依次层叠的第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b。烧结电极13位于第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b之间，并且烧结电极13暴露于像素开口141a,142b。辅助发光层112可以位于像素限定层14的远离基底12的一侧，并与烧结电极13和第一电极111a,111b接触。

由于在辅助发光层112与烧结电极13接触的位置存在接触不良和注入势垒，辅助发光层112的与烧结电极13接触的部分(即图6中部分112a)更容易被烧结，因此通过在烧结电极13和第一电极111a,111b之间施加适当的电压，便可使得辅助发光层112的与烧结电极13的接触的部分被充分烧结的同时，避免辅助发光层112的位于发光器件11a,11b中的部分被烧结。

此外，相较于将烧结电极13设于像素限定层14的远离基底12的一侧，将烧结电极13设于像素限定层14的第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b之间，能够避免像素限定层14的远离基底12的一侧存在凸起(或者说落差)，从而能够降低第二电极15在相邻的发光器件11a,11b之间断开的风险。

需要说明的是，在实际制备工艺中，像素开口141可以呈沿远离基底12的方向逐渐扩大的扩口形状。在图6所示的实施例中，辅助发光层112的被烧结的部分可以位于像素开口141a,141b的侧壁上。由于像素开口141a,141b呈扩口状，因此通过设置烧结电极13的位置和烧结电压的大小，便可以使得辅助发光层112的被烧结的部分112a在基底12上的正投影落在发光层113a,113b在基底12的正投影之间，或者说使得辅助发光层12位于相邻的发光器件11a,11b之间。

图7是根据本申请另一实施例的显示基板10的示意性局部剖视图。

需要说明的是，图7所示的实施例与前述实施例具有诸多大致相同的元素。在不发生矛盾的情况下，这些元素在前述实施例中的描述也同样适用于图7所示的实施例。出于简洁的目的，对这些元素采用相同的附图标记(即沿用前述实施例中的附图标记)，并适当省略相应描述。

在一些实施例中，参见图7，烧结电极13设有贯通孔132，第二像素限定子层14b可以穿过贯通孔132与第一像素限定子层14a连接。

考虑到第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b二者与烧结电极13的材质不同，若将第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b分别与烧结电极13连接，则会导致连接处强度较低，从而使得烧结电极13、第一像素限定子层14a以及第二像素限定子层14b之间容易出现剥离。

在图7所示的实施例中，通过在烧结电极13上设置贯通孔132，使得第二像素限定子层14b可以穿过贯通孔132直接与第一像素限定子层14a连接。这样可以确保第一像素限定子层14a、第二像素限定子层14b以及烧结电极13之间的连接强度，避免彼此之间剥离。

虽然在上述实施例中，通过在烧结电极13和第一电极111之间施加电压来烧结部分辅助发光层112，但是在其他实施例中，也可以通过其他方式来烧结部分辅助发光层112。

作为一种实现方式，烧结电极13可以包括第一子烧结电极和第二子烧结电极。第一子烧结电极和第二子烧结电极可以均位于相邻的发光器件11之间且彼此间隔。第一子烧结电极和第二子烧结电极可以均与辅助发光层112接触。这样，便可以通过在第一子烧结电极和第二子烧结电极之间施加电压，来将位于相邻的发光器件11之间的部分辅助发光层112烧结。

通过在第一电极111和烧结电极13之间施加电压来将部分辅助发光层112烧结的实施例中，若烧结电压过大则会导致辅助发光层112的位于发光器件11中的部分被烧结，若烧结电压过小则会导致烧结不充分。

相比之下，通过在第一子烧结电极和第二子烧结电极之间施加电压来烧结部分辅助发光层112，则可以采用较大烧结电压来将部分辅助发光层112充分烧结，且无需担心将辅助发光层112位于发光器件11中的部分烧结。

下面结合附图，对该实现方式进行举例描述。

图8是根据本申请另一实施例的显示基板10的示意性局部剖视图。

需要说明的是，图8所示的实施例与前述实施例具有诸多大致相同的元素。在不发生矛盾的情况下，这些元素在前述实施例中的描述也同样适用于图8所示的实施例。出于简洁的目的，对这些元素采用相同的附图标记(即沿用前述实施例中的附图标记)，并适当省略相应描述。

在一些实施例中，参见图8，烧结电极13包括第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b。第一子烧结电极13a和第二子烧结13b位于相邻的发光器件11a,11b之间，并且彼此间隔。像素限定层14包括沿远离基底12的方向依次层叠的第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b。第一烧结电极13a位于像素限定层14的背离基底12的一侧，且形成在像素限定层14上。第二烧结电极13b位于第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b之间，并且暴露于像素开口141a,141b。

通过在第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b之间施加电压，可以将辅助发光层112的位于第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b之间的部分112a烧结，获得辅助发光层112的被烧结的部分112a。

这种实现方式，能够确保辅助发光层112的位于相邻的发光器件11a,11b之间的部分112a充分烧结，并避免将辅助发光层112的位于发光器件11a,11b中的部分烧结。此外，这种实现方式具有较大的烧结范围，从而能够更好地防止发光器件11a,11b之间的电流串扰。

图9是根据本申请另一实施例的显示基板10的示意性局部剖视图。

需要说明的是，图9所示的实施例和前述实施例具有诸多大致相同的元素。在不发生矛盾的情况下，这些元素在前述实施例中的描述也同样适用于图9所示的实施例。出于简洁的目的，对这些元素采用相同的附图标记(即沿用前述实施例中的附图标记)，并适当省略相应描述。

在一些实施例中，参见图9，烧结电极13包括第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b。第一子烧结电极13a和第二子烧结13b位于相邻的发光器件11a,11b之间，并且彼此间隔。像素限定层14包括沿远离基底12方向依次层叠的第一像素限定子层14a、第二像素限定子层14b以及第三像素限定子层14c。

第一子烧结电极13a位于第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b之间，并且第一子烧结电极13a暴露于像素开口141a,141b。第二子烧结电极13b位于第二像素限定子层14b和第二像素限定子层14c之间，并且第二子烧结电极13b暴露于像素开口141a,141b。

通过在第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b之间施加电压，可以将辅助发光层112的位于第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b之间的部分112a烧结，获得辅助发光层112的被烧结的部分112a。

这种实现方式，能够确保辅助发光层112的位于相邻的发光器件11a,11b之间的部分112a充分烧结，并避免将辅助发光层112的位于发光器件11a,11b中的部分烧结。此外，这种实现方式，能够避免像素限定层14的远离基底12的一侧存在凸起(或者说落差)，从而能够降低第二电极15在相邻的发光器件11之间断开的风险。

本申请实施例还提供一种显示面板。本申请实施例提供的显示面板可以包括本申请实施例提供的显示基板10。

作为一个示例，本申请实施例提供的显示面板除了包括显示基板10外还可以包括封装层，封装层可以位于显示基板10的设有多个发光器件11的一侧，并覆盖多个发光器件11，以便对多个发光器件11进行保护。

作为另一个示例，申请实施例提供的显示面板除了包括显示基板10外还可以包括封装盖板，该封装盖板可以和显示基板11对置，二者围成的盒体的周边填充封框胶以实现封装。

作为另一个示例，本申请实施例提供的显示面板还可以包括触控结构，以具备触控功能。例如，该触控结构可以为触控面板或者触控层，触控结构可以通过贴合的方式设置在显示基板上，例如设置为显示基板的出光侧。例如，触控结构可以直接在显示面板的封装层或者封装盖板上制备，以有利于显示面板的轻薄化设计。

本申请实施例还提供一种显示装置。本申请实施例提供的显示装置可以包括本申请实施例提供的显示面板。本申请实施例提供的显示装置可以，但不限于是，以下电子显示产品中的任意一种：电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑或导航仪等。

本申请实施例还提供一种显示基板的制造方法。图10示出了根据本申请一实施例的显示基板制造方法S100。该制造方法S100可以用于制造本申请上述实施例中的显示基板10。下面将图10结合至图1至图9，对制造方法S100进行详细描述。应当理解，制造方法S100的实施例与显示基板10的实施例一一对应，出于简洁的目的，适当省略重复描述。

如图10所示，制造方法S100包括步骤S110至步骤S140。

在步骤S110中，提供基底12。

在步骤S120中，形成多个发光器件11。这里，多个发光器件11位于基底12的一侧，每个发光器件11包括依次层叠的第一电极111、辅助发光层112、发光层113和第二电极115，多个发光器件11的第一电极111彼此间隔，多个发光器件11共用所述辅助发光层112。

在步骤S130中，形成烧结电极13。这里，烧结电极13位于相邻的发光器件11a,11b之间且与辅助发光层112接触。

在步骤S140中，利用烧结电极13烧结部分辅助发光层112。这里，辅助发光层112的被烧结的部分112a位于相邻的发光器件11a,11b之间，辅助发光层112的被烧结的部分112a的电阻率大于辅助发光层112的未被烧结的部分的电阻率。

在一些实施例中，辅助发光层112被烧结的部分112a是通过在第一电极111和烧结电极13之间施加电压而获得的。

在一些实施例中，方法S100还包括步骤：在基底12上形成设有多个像素开口141的像素限定层14。这里，多个发光器件11的第一电极111位于基底12和像素限定层14之间且分别暴露于多个像素开口141，烧结电极13位于像素限定层14背离基底12的一侧且形成在像素限定层14的位于相邻的两个像素开口141之间的部分上，辅助发光层112位于烧结电极13背离像素限定层14的一侧。

在一些实施例中，烧结电极13的沿垂直于基底12的剖切面截取的截面呈矩形或倒梯形。

在一些实施例中，像素限定层14包括沿远离基底12的方向依次层叠的第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b，烧结电极13位于第一像素限定子层14a和第二像素限定子层14b之间且暴露于多个像素开口141。

在一些实施例中，烧结电极13设有贯通孔132，第二像素限定子层14b穿过贯通孔132与第一像素限定子层14a连接。

在一些实施例中，烧结电极13包括第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b，第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b均位于相邻的发光器件11之间且彼此间隔，第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b均与辅助发光层112接触，辅助发光层112的被烧结的部分112a是通过在第一子烧结电极13a和第二子烧结电极13b之间施加电压而获得的。

在一些实施例中，第一电极111为阳极，第二电极115为阴极，辅助发光层112包括空穴注入层和空穴传输层二者中的至少一者。

应当理解，上述实施例仅为本申请的部分实施例，而不是本申请的全部实施例。本申请的实现方式并不限于上述实施例。例如，虽然在上述实施例中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，但是在其他实施例中，也可以是，第一电极为阴极，第二电极为阳极。

应当理解，本申请使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。

应当理解，虽然术语“第一”或“第二”等可能在本申请中用来描述各种元素(如第一电极和第二电极)，但这些元素不被这些术语所限定，这些术语只是用来将一个元素与另一个元素区分开。

需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征(元素)，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本申请对各种可能的组合方式不再另行说明。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

基底；

多个发光器件，位于所述基底的一侧，其中每个发光器件包括沿远离所述基底的方向依次层叠的第一电极、辅助发光层、发光层和第二电极，所述多个发光器件共用所述辅助发光层；以及

烧结电极，位于相邻的发光器件之间且与所述辅助发光层接触，用于烧结部分所述辅助发光层，其中所述辅助发光层的被烧结的部分位于相邻的发光器件之间，所述辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于所述辅助发光层的未被烧结的部分的电阻率。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助发光层被烧结的部分是通过在所述第一电极和所述烧结电极之间施加电压而获得的。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括设有多个像素开口的像素限定层，所述多个发光器件的第一电极位于所述基底和所述像素限定层之间且分别暴露于所述多个像素开口，其中

所述烧结电极位于所述像素限定层背离所述基底的一侧且形成在所述像素限定层的位于相邻的两个像素开口之间的部分上，所述辅助发光层位于所述烧结电极背离所述像素限定层的一侧。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述烧结电极的沿垂直于所述基底的剖切面截取的截面呈矩形或倒梯形。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括设有多个像素开口的像素限定层，所述多个发光器件的第一电极位于所述基底和所述像素限定层之间且分别暴露于所述多个像素开口，其中

所述像素限定层包括沿远离所述基底的方向依次层叠的第一像素限定子层和第二像素限定子层，所述烧结电极位于所述第一像素限定子层和所述第二像素限定子层之间且暴露于所述多个像素开口。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述烧结电极设有贯通孔，所述第二像素限定子层穿过所述贯通孔与所述第一像素限定子层连接。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述烧结电极包括第一子烧结电极和第二子烧结电极，所述第一子烧结电极和所述第二子烧结电极均位于相邻的发光器件之间且彼此间隔，所述第一子烧结电极和所述第二子烧结电极均与所述辅助发光层接触，其中所述辅助发光层的被烧结的部分是通过在所述第一子烧结电极和所述第二子烧结电极之间施加电压而获得的。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述辅助发光层包括空穴注入层和空穴传输层二者中的至少一者。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的显示基板。

10.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

形成多个发光器件，其中所述多个发光器件位于所述基底的一侧，每个发光器件包括依次层叠的第一电极、辅助发光层、发光层和第二电极，所述多个发光器件的第一电极彼此间隔，所述多个发光器件共用所述辅助发光层；以及

形成烧结电极，其中所述烧结电极位于相邻的发光器件之间且与所述辅助发光层接触；以及

利用所述烧结电极烧结部分所述辅助发光层，其中所述辅助发光层的被烧结的部分位于相邻的发光器件之间，所述辅助发光层的被烧结的部分的电阻率大于所述辅助发光层的未被烧结的部分的电阻率。

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