CN112095074B - 一种掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法。所述掩模板，包括开孔、第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述开孔在第一表面形成第一开口；所述开孔在第二表面形成第二开口；所述第一开口在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口。本发明通过设置在掩模板上的在相对表面形成不同开口面积的开孔，使得利用该掩模板在OLED阵列基板的阳极上形成的空穴注入层的厚度自阵列基板的中心点位置向边缘位置减薄，从而利用厚度变化的空穴注入层实现对阵列基板的亮度补偿，从而弥补了现有技术中存在的问题，有效改善OLED阵列基板的显示均一性，具有广泛的应用前景。

Description

一种掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件由于其具有的全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽等一系列优点，目前已经成为极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。其发光结构由一对电极以及有机材料层所构成。当施加直流电压时，空穴从阳极注入有机发光材料层，电子从阴极注入有机发光材料层，电子和空穴在发光层中结合放出能量，激发有机发光材料分子形成激发态分子，当激发态分子回到基态时，便会放出光子而发光。

现有技术的阵列基板由于阳极的电阻压降(IR Drop)的影响，显示区域存在显示亮度不一致的现象，导致阵列基板的显示均一性较差，这个现象在采用尺寸较大的阵列基板更为明显。

因此，需要一种新的掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种掩模板，

所述掩模板开孔、第一表面和与第一表面相对的第二表面，

所述开孔在第一表面形成第一开口；

所述开孔在第二表面形成第二开口；

所述第一开口在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口。

进一步的，所述开孔为棱柱体结构或锥体结构，所述第一开口和第二开口的形状相同，为三角形、矩形、多边形或圆形。

进一步的，所述第一开口在所述第二表面的正投影的中心点与所述第二开口的中心点重合。

进一步的，所述第一开口与所述第二开口的面积比大于1且小于4。

本发明第二个实施例提供一种阵列基板，包括依次层叠设置在衬底上的驱动电路层和器件层，其特征在于，所述器件层包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极，其中

所述发光层的空穴注入层为使用如上述掩模板形成的，其中，所述掩模板的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板，所述空穴注入层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小。

进一步的，所述空穴注入层的厚度根据所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，并且所述空穴注入层的厚度与所需加载的电压成反比例关系。

进一步的，所述掩模板的第一开口和第二开口的边部尺寸比为2，所述空穴注入层对应于所述阵列基板的中心点位置的厚度与所述空穴注入层对应于所述阵列基板的边缘位置的厚度的差值为8nm。

进一步的，所述阵列基板的出光方向为顶发射或底发射。

进一步的，所述阵列基板的出光方向为顶发射，

所述阵列基板的衬底为与所述空穴注入层对应的弧状凹槽结构；

或者

所述器件层的阳极的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述阳极的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大；

或者

所述阵列基板还包括设置在所述器件层远离所述衬底一侧的封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

本发明第三个实施例提供一种显示装置，其特征在于，包括如上述的阵列基板。

本发明第四个实施例提供制作上述阵列基板的方法，包括：

在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极；

利用上述掩模板在所述阳极上形成空穴注入层，所述掩模板的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板，所述空穴注入层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小；

在所述空穴注入层上层叠形成发光层和阴极以形成器件层。

进一步的，所述阵列基板的出光方向为顶发射，

在所述在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极之前，所述方法还包括：对所述衬底进行图案化形成与待形成的空穴注入层对应的弧状凹槽结构；

或者

所述在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极进一步包括：在所述驱动电路层上形成所述阳极，所述阳极的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述阳极的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大；

或者

在所述空穴注入层上层叠形成发光层和阴极以形成器件层之后，所述方法还包括：在所述器件层远离所述衬底一侧形成封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

本发明的有益效果如下：

本发明针对目前现有的问题，制定一种掩模板，通过设置在掩模板上的在相对表面形成不同开口面积的开孔，使得利用该掩模板在OLED阵列基板的阳极上形成的空穴注入层的厚度自阵列基板的中心点位置向边缘位置减薄，从而利用厚度变化的空穴注入层实现对阵列基板的亮度补偿，从而弥补了现有技术中存在的问题，有效改善OLED阵列基板的显示均一性，具有广泛的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出本发明的一个实施例所述掩模板的结构框图；

图2示出现有技术的阵列基板点亮时亮度区域的示意图；

图3示出本发明的一个实施例所述的阵列基板的层结构示意图；

图4示出本发明的一个实施例所述的利用掩模板进行空穴注入层蒸镀时的示意图；

图5示出本发明的一个实施例所述的空穴注入层的结构示意图；

图6示出本发明实施例所述的不同厚度的空穴注入层的电压与亮度的曲线图；

图7a-7c示出本发明实施例所述的出光方向为顶发射时，阵列基板的层结构示意图；

图8示出本发明的一个实施例所述的阵列基板制作方法的流程图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

现有技术中，阵列基板可分为顶发射阵列基板和底发射阵列基板，但是无论阵列基板为顶发射还是底发射，由于阳极电阻影响，都具有均一性较差的问题。如图2所示，该问题具体表现为：在阵列基板2’进行点亮时，靠近柔性线路板(FPC)走线的边缘区域BB’亮度比较高，而远离FPC走线的中心区域AA’亮度比较低，因此，整个显示区域的亮度显示不均。

具体的，导致阵列基板显示时亮度均一性较差的根本原因是：由于阵列基板的阳极电阻引起的压降(IR Drop)，因此，在离FPC较远的中间区域，其电致发光(EL)器件两端的电压值低于边缘区域的电压值，从而表现为中间区域和边缘区域的亮度出现差异。

随着对于产品亮度的均一性要求越来越高，现有技术通常是通过辅助阴极的方法进行改善，然而，辅助阴极会降低显示屏的开口率，也无法应用于被动矩阵有机电激发光(PMOLED)产品。

因此，发明人提出一种掩模板、阵列基板、显示装置及制作方法以解决上述问题。

如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种掩模板1，包括开孔13，所述掩模板1包括第一表面11和与第一表面相对的第二表面12，

所述开孔13在第一表面11形成第一开口131；

所述开孔13在第二表面12形成第二开口132；

所述第一开口131在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口132。

本发明针对目前现有的问题，制定一种掩模板，通过设置在掩模板上的在相对表面形成不同开口面积的开孔，使得利用该掩模板在OLED阵列基板的阳极上形成的空穴注入层的厚度自阵列基板的中心点位置向边缘位置减薄，从而利用厚度变化的空穴注入层实现对阵列基板的亮度补偿，从而弥补了现有技术中存在的问题，有效改善OLED阵列基板的显示均一性，具有广泛的应用前景。

在本实施例中，如图1所示，第一开口131在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口132，即所述形成在第一表面的第一开口的面积大于形成在第二表面的第二开口的面积。利用该掩模板形成的空穴注入层(HIL层)结构在不同区域的厚度随所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比改变而改变，例如使用该掩模板在OLED的阵列基板的阳极上形成的空穴注入层的厚度从该阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小。

需说明的是，如图1所示，位于虚线框内的本发明实施例提出的掩模板1为对应于一个OLED的阵列基板，在掩模板本体上可包括多个与OLED阵列基板一一对应的掩模板1，本领域技术人员可根据实际应用进行设计。

在一个可选的实施例中，所述开孔为棱柱体结构或锥体结构，所述第一开口131和第二开口132的形状相同，为三角形、矩形、多边形或圆形。在本实施例中，开孔为棱柱体结构或锥体结构，每一第一开口边部和对应的第二开口边部所形成的开孔的侧壁为一倾斜的平滑面。本发明实施例的第一开口131和第二开口132的形状相同，包括但不限于三角形、矩形、多边形、椭圆形或圆形，并且第一开口131的边部与第二开口132的边部一一对应，以形成前述棱柱体结构或锥体结构的开孔。即所述第一开口和第二开口为形状相同但面积不同的相似图形，例如第一开口和第二开口为相似三角形，相似矩形或半径不同的圆形。

在一个可选的实施例中，所述第一开口131在所述第二表面的正投影的中心点与所述第二开口132的中心点重合。在本实施例中，第一开口131和第二开口132为同心图形，第一开口131和第二开口132的中心点连线垂直于第一表面11和第二表面12，此时开孔的每一侧壁为平滑表面，每一侧壁的倾斜程度相同。即使得利用该掩模板形成在阳极上的空穴注入层的厚度变化更为均匀，使得阵列基板自中间区域至边缘区域的亮度均一性更高。

需要说明的是，本实施例通过开孔为棱柱体结构或锥体结构掩模板说明本申请的具体实施方式，但不限于此，本领域技术人员应当理解，应当根据实际应用需求选择适当的开孔结构，凡通过具有不同面积开口的开孔的掩模板形成具有不同厚度比的结构层的技术方案，均在本申请的保护范围内。

在一个可选的实施例中，所述第一开口与所述第二开口的面积比大于1且小于4。

在本实施例中，通过调节掩模板第一开口和第二开口的面积比可形成不同比例下的第一开口131和第二开口132，从而调节利用该掩模板在OLED阵列基板阳极上形成的空穴注入层的中间区域与边缘区域的厚度差，通过该结构空穴注入层可实现对亮度较低的中间区域进行亮度补偿，在保证原阵列基板中间区域和边缘区域的工作电压不受影响的基础上，可有效消除因阳极电阻IR drop导致的亮度不均的问题。在一个具体示例中，当掩模板第一开口和第二开口为正方形时，若掩模板第一开口和第二开口面积比为4:1，则掩模板第一开口和第二开口的边部尺寸比为2:1。

基于上述实施例的掩模板，本发明的另一个实施例提供了一种阵列基板2，如图3所示，该阵列基板2包括：

依次层叠设置在衬底21上的驱动电路层22和器件层23，所述器件层23包括依次层叠设置的阳极231、发光层232和阴极233，其中

所述发光层232的空穴注入层2321为使用上述掩模板形成的，其中，所述掩模板1的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板2，所述空穴注入层2321的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小。

本实施例利用第一开口和第二开口面积不同的掩模板在阵列基板的阳极231上形成空穴注入层2321，形成的空穴注入层2321的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，通过厚度均匀变化的空穴注入层可对阵列基板显示时因中间区域电压较低导致的中间区域的低亮度进行亮度补偿，从而减小阵列基板的中间区域和边缘区域的亮度差，能够改善阵列基板的亮度均一性。

在本实施例中，如图4所示，位于第一表面的尺寸面积较大的第一开口131靠近阵列基板2一侧，位于第二表面的尺寸面积较小的第二开口132相较于第一开口131远离阵列基板2，利用掩模板在基板上进行蒸镀时，蒸镀材料自第二开口132向第一开口131扩散，在阵列基板的阳极231上形成与开孔整体对应的HIL层2321，如图5所示，受掩模板开孔形状的影响，HIL层2321的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，形成中间厚边缘薄的HIL层。

值得说明的是，如图5所示，一个掩模板在衬底基板上形成多个OLED阵列基板对应的HIL层2321，例如图中虚线区域对应一个OLED阵列基板的HIL层下表示出了不同厚度下的空穴注入层的各项指标数据：

表1

在一个可选的实施例中，所述空穴注入层2321的厚度根据所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，并且所述空穴注入层2321的厚度与所需加载的电压成反比例关系。

在本实施例中，由于HIL层2321的厚度越厚，则空穴蒸镀材料更容易从阳极231注入到HIL层2321中，减小了注入势垒，使得EL器件的标准工作电压减小。如表1所示，根据电流效率参数可知，在相同电流效率下，不同厚度的HIL层可达到相同的亮度。根据色坐标参数CIEx和CIEy可知，在相同电流效率(相同亮度显示)下，不同厚度的HIL层的色度性能没有受到影响。因此，当空穴注入层相对于阵列基板的中心点位置的厚度越厚时，其所需加载的工作电压越小。即利用本发明实施例的掩模板形成中间区域较厚边缘区域较薄的HIL层，可有效改善阵列基板因阳极压降产生的亮度不均的问题。并且，通过调节掩模板第一开口和第二开口的面积比例以形成面积不同的第一开口和第二开口，可以调节利用该掩模板在基板上形成的中间区域与边缘区域的厚度差。

因此，本发明实施例提出的阵列基板，在保证阵列基板中间区域和边缘区域的工作电压不受影响的基础上，不会产生色差不良，可有效消除因阳极电阻压降导致的亮度均一性不良，能够解决现有技术中由于IR-drop导致的靠近FPC的地方电压高，远离FPC的地方电压低的问题。

经过大量实验后确认，阵列基板的HIL层的厚度在0-30nm的范围内进行调节较优，掩模板第一开口和第二开口的面积比在4：1-1：1的范围内形成的HIL层可实现不同的均一性补偿。

由图6示出的不同厚度的HIL层的电压与亮度的曲线图可知，在同一亮度下，HIL层厚度每增加2nm，EL器件的工作电压减少0.05V。通常EL器件电压约为4V左右，整个阵列基板的亮度的不均一度在5％，即，受阳极电阻IR drop影响，边缘区域至中间区域的电压压差为0.2V。在一个可选的实施例中，所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比为4时，所述空穴注入层对应于所述阵列基板的中心点位置的厚度与所述空穴注入层对应于所述阵列基板的边缘位置的厚度的差值为8nm。

在一个具体的示例中，以HIL层中间区域的厚度为16nm为例，则其边缘区域的厚度为8nm，此厚度差下的HIL层可弥补0.2V的电压压差，从而弥补5％的亮度不均一度，使得阵列基板的亮度均一性达到最优。以实际OLED产品为例，若OLED产品对角线长度为15cm(4.5寸OLED产品)，掩模板的厚度为四分之一产品尺寸(3.75cm)时尺寸最佳。

可理解的是，根据不同尺寸下的阵列基板的标准工作电压以及不均一度，可选择对应的掩模板第一开口和第二开口的边部尺寸比，以对中间区域的工作电压进行补偿，使得中间区域的亮度和边缘区域的亮度差减小，改善阵列基板的亮度均一性。

在一个可选的实施例中，所述阵列基板的出光方向为顶发射或底发射。

在本实施例中，形成在阵列基板上的OLED器件可分为顶发射器件和底发射器件，其中，顶发射器件采用ITO/Ag/ITO的阳极材料以及薄层阴极(通常为10-20nm的Mg/Ag合金)，通过微腔效应使发光从阴极面发出，通常用于中小尺寸显示屏产品中。而底发射器件阳极为透明ITO电极，阴极一般为较厚的金属层，如100nm以上的Al，Ag等，发光从阳极面发出，通常用于大尺寸显示产品或者OLED照明产品。但是无论阵列基板为顶发射还是底发射，由于阳极电阻IR drop影响，都具有亮度均一性较差的问题，因此，本发明实施例的阵列基板均可应用于顶发射器件和底发射器件，可有效提高亮度均一性，具有广泛的应用前景。

在用于顶发射产品时，由于HIL层的厚度不同会对微腔产生影响，可能会影响阵列基板中间区域和边缘区域的色坐标不一致。因此，考虑到HIL层的厚度对顶发射时微腔的影响，如图7a所示，在一个可选的实施例中，所述阵列基板的出光方向为顶发射，所述阵列基板的衬底21为与所述空穴注入层2321对应的弧状凹槽结构。

在本实施例中，通过对衬底21进行刻蚀形成与空穴注入层2321对应的弧状凹槽结构，即衬底21的中间区域较薄且边缘区域较厚，以与空穴注入层2321形成厚度互补。在该衬底21上依次层叠形成驱动电路层22和阳极231，此时形成的驱动电路层22和阳极231均为与空穴注入层2321对应的弧状结构。在阳极231上利用掩模板进行蒸镀即可形成本发明实施例的厚度变化的空穴注入层2321，如图7a所示，此时形成的空穴注入层2321靠近阳极231的一侧为弧状结构，远离阳极231的一侧为平面结构。空穴注入层2321的厚度自中间区域向边缘区域减薄。在本实施例中，通过在衬底形成凹槽结构以实现对应位置处的空穴注入层的厚度补偿，在利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，可通过刻蚀衬底对微腔结构进行补偿。

在另一个可选的实施例中，如图7b所示，所述器件层23的阳极231的厚度与所述空穴注入层2321的厚度对应设置，所述阳极231的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

本实施例在平面结构的衬底21上层叠形成驱动电路层22和阳极231，但阳极231远离驱动电路层22一侧的表面为与空穴注入层2321对应的弧形曲面，此时，阳极231厚度自阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大，在阳极231上利用掩模板进行蒸镀即可形成本发明实施例的厚度变化的空穴注入层2321，此时形成的空穴注入层2321靠近阳极231的一侧为弧状结构，远离阳极231的一侧为平面结构。空穴注入层2321的厚度自中间区域向边缘区域减薄。在本实施例中，在利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，可通过厚度变化的阳极对微腔结构进行补偿。

在一个具体示例中，厚度变化的阳极231可以通过两道以上的掩模刻蚀工艺多次曝光实现，也可以使用半刻蚀掩模板进行制作。

在另一个可选的实施例中，如图7c所示，所述阵列基板还包括设置在所述器件层23远离所述衬底21一侧的封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层2321的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

本实施例通过在平面结构的衬底21上层叠形成厚度不变的驱动电路层22和阳极231，然后利用本发明实施例的掩模板形成厚度变化的空穴注入层2321，此时形成的空穴注入层2321远离阳极231的一侧的厚度自中心区域向边缘区域逐渐减薄。然后在空穴注入层2321的基础上依次层叠形成发光层232和阴极233后，在整个完整的器件层23上形成封装辅助层，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大，封装辅助层靠近衬底21的一侧为与空穴注入层2321对应的弧形结构，远离所述衬底21一侧的为平面结构。

在本实施例中，利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，通过厚度变化的封装辅助层以实现对应位置处的空穴注入层的厚度补偿，即通过厚度变化的封装辅助层对微腔结构进行补偿。

在一个具体的示例中，封装辅助层可以通过在柔性封装的CVD腔室使用两张以上的掩模板进行制作，从而实现对微腔结构进行补偿。

在本实施例中，考虑到顶发射时因厚度变化的空穴注入层2321导致对微腔的影响，从而对通过上述实施例对微腔进行补偿，值得说明的是，本发明的具体实施方式不限于上述膜层，阵列基板还包括衬底、驱动电路层、阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光前导层(Prime)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)以及阴极。本领域技术人员应当根据实际应用需求进行设置，以实现对微腔补偿作为设计准则解决现有问题，在此不再赘述。

与上述实施例提供的阵列基板相对应，本申请的一个实施例还提供一种制作上述阵列基板的方法，由于本申请实施例提供的阵列基板制作方法与上述几种实施例提供的阵列基板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的阵列基板制作方法，在本实施例中不再详细描述。

如图8所示，本发明的一个实施例提供了一种上述阵列基板的制作方法，包括：

在衬底21上依次层叠形成驱动电路层22和阳极231；

利用掩模板在所述阳极231上形成空穴注入层2321，所述掩模板的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板，所述空穴注入层2321的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小；

在所述空穴注入层2321上层叠形成发光层232和阴极233以形成器件层23。

本实施例利用第一开口和第二开口面积不同的掩模板在阳极上形成空穴注入层，形成的空穴注入层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，通过厚度均匀变化的空穴注入层可对阵列基板显示时低亮度的中间区域的实现亮度补偿，减小阵列基板的中间区域和边缘区域的亮度差，能够改善阵列基板的亮度均一性。

考虑到HIL的厚度对顶发射时微腔的影响，在一个可选的实施例中，所述阵列基板的出光方向为顶发射，

在所述在衬底21上依次层叠形成驱动电路层22和阳极231之前，所述方法还包括：对所述衬底21进行图案化形成与待形成的空穴注入层对应的弧状凹槽结构。

在本实施例中，通过在衬底形成凹槽结构以实现对应位置处的空穴注入层的厚度补偿，在利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，可通过刻蚀衬底对微腔结构进行补偿。

在另一个可选的实施例中，所述在衬底21上依次层叠形成驱动电路层22和阳极231进一步包括：在所述驱动电路层22上形成所述阳极231，所述阳极231的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述阳极231的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

在本实施例中，在利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，可通过厚度变化的阳极对微腔结构进行补偿。

在另一个可选的实施例中，在所述空穴注入层上层叠形成发光层232和阴极233以形成器件层23之后，所述方法还包括：在所述器件层23远离所述衬底21一侧形成封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

在本实施例中，利用HIL层不同区域的不同厚度对阵列基板进行亮度补偿的基础上，通过厚度变化的封装辅助层以实现对应位置处的空穴注入层的厚度补偿，即通过厚度变化的封装辅助层对微腔结构进行补偿。

由于本申请实施例提供的阵列基板制作方法与上述几种实施例提供的阵列基板相对应，因此，前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，相同的部分不再赘述。

还值得说明的是，本发明实施例提出的阵列基板，其不限于利用本发明上述实施例的制作方法而形成的具体结构，也可由本领域技术人员采用其他加工工艺形成该阵列基板的具体结构。

本发明上述实施例的阵列基板适用于以其为基础形成的显示装置，因此，本发明的另一个实施例提供了一种显示装置，包括上述阵列基板，前述实施方式也适用于本实施例提供的显示装置，在本实施例中不再详细描述。

在一个具体示例中，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明针对目前现有的问题，制定一种掩模板，通过设置在掩模板上的在相对表面形成不同开口面积的开孔，使得利用该掩模板在OLED阵列基板的阳极上形成的空穴注入层的厚度自阵列基板的中心点位置向边缘位置减薄，从而利用厚度变化的空穴注入层实现对阵列基板的亮度补偿，从而弥补了现有技术中存在的问题，有效改善OLED阵列基板的显示均一性，具有广泛的应用前景。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括依次层叠设置在衬底上的驱动电路层和器件层，其特征在于，所述器件层包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极，其中

所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光前导层、有机发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，所述发光层的空穴注入层为使用预设置的掩模板形成的，其中，

所述掩模板，包括开孔，所述掩模板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述开孔在第一表面形成第一开口；所述开孔在第二表面形成第二开口；所述第一开口在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口，所述开孔的每一侧壁为平滑表面并且每一侧壁的倾斜程度相同；

所述掩模板的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板，所述空穴注入层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述掩模板的第一开口在所述第二表面的正投影的中心点与所述第二开口的中心点重合。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述掩模板的第一开口与所述第二开口的面积比大于1且小于4。

4.根据权利要求1-2中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口和第二开口为正方形，所述第一开口和第二开口面积比为4:1，所述第一开口和第二开口的边部尺寸比为2:1；使得使用所述掩模板形成的膜层的中心点位置的厚度与边缘位置的厚度的差值为8nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述空穴注入层的厚度根据所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小，当所述空穴注入层相对于阵列基板的中心点位置的厚度越厚时，其所需加载的工作电压越小。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述掩模板的第一开口和第二开口的面积比为4，所述空穴注入层对应于所述阵列基板的中心点位置的厚度为16nm，所述空穴注入层对应于所述阵列基板的边缘位置的厚度为8nm，二者的厚度的差值为8nm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的出光方向为顶发射或底发射。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板的出光方向为顶发射，所述阵列基板的衬底为与所述空穴注入层对应的弧状凹槽结构；

或者

所述阵列基板的出光方向为顶发射，所述器件层的阳极的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述阳极的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大；

或者

所述阵列基板的出光方向为顶发射，所述阵列基板还包括设置在所述器件层远离所述衬底一侧的封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板。

10.一种制作如权利要求1-8中任一项所述的阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极；

利用预设置的掩模板在所述阳极上形成空穴注入层，所述掩模板，包括开孔，所述掩模板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，所述第一表面和第二表面为平面，并且所述第一表面和第二表面平行，所述开孔在第一表面形成第一开口；所述开孔在第二表面形成第二开口；所述第一开口在所述第二表面的正投影覆盖所述第二开口，所述开孔的每一侧壁为平滑表面并且每一侧壁的倾斜程度相同；所述掩模板的第一表面相对于第二表面靠近所述阵列基板，所述空穴注入层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐减小；

在所述空穴注入层上层叠形成发光层和阴极以形成器件层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述阵列基板的出光方向为顶发射，所述方法还包括：

在所述在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极之前，所述方法还包括：对所述衬底进行图案化形成与待形成的空穴注入层对应的弧状凹槽结构；

或者

所述在衬底上依次层叠形成驱动电路层和阳极进一步包括：在所述驱动电路层上形成所述阳极，所述阳极的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述阳极的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大；

或者

在所述空穴注入层上层叠形成发光层和阴极以形成器件层之后，所述方法还包括：在所述器件层远离所述衬底一侧形成封装辅助层，所述封装辅助层的厚度与所述空穴注入层的厚度对应设置，所述封装辅助层的厚度从所述阵列基板的中心点位置向边缘位置逐渐增大。

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