CN113345945B - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113345945B CN113345945B CN202110602263.XA CN202110602263A CN113345945B CN 113345945 B CN113345945 B CN 113345945B CN 202110602263 A CN202110602263 A CN 202110602263A CN 113345945 B CN113345945 B CN 113345945B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- auxiliary electrode
- spacer
- display panel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括发光区以及围绕发光区的非发光区;显示面板还包括:基板;辅助电极,设置于基板上且位于非发光区内;间隔层,设置于基板与辅助电极上,且间隔层包括设置于非发光区内的第一开口,以露出辅助电极的上表面;支撑部,设置于间隔层上,支撑部延伸至第一开口内且位于辅助电极上方;隔垫部,设置于辅助电极的上表面,且隔垫部在基板上的正投影与支撑部在基板上的正投影相间隔;以及封装层,至少连续地设置于隔垫部与支撑部上。本发明可以使得封装层连续地覆盖于阴极层上以及隔垫部与支撑部上,提高了封装层的封装效果,提高了显示面板的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
随着时代及技术的进步,大尺寸、高分辨率的OLED显示装置逐渐发展起来,相应的,大尺寸OLED显示装置也需要较大尺寸的面板及较多数量的像素,面板导线长度将越来越长,导线电阻也越大。不可避免的,电压会在导线上产生电压降(IR Drop),导线的电阻值使得每一个像素驱动电路获得的电压不同,从而使得在相同的数据信号电压输入下,不同的像素有不同的电流、亮度输出,导致整个面板的显示亮度不均匀。
目前,通常在显示面板的辅助阴极的上方设置undercut结构,配合有机发光材料和阴极材料的蒸镀角不同,使阴极与辅助阴极搭接,实现电压降的改善,但由于undercut结构具有一定的开口区域,容易导致封装层无法完好的覆盖undercut结构的开口区域,进而导致封装失效,降低了显示面板的良品率和可靠性。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够使得封装层连续地覆盖于辅助电极的上方,提高了封装的可靠性,提高了显示面板的良品率。
本发明实施例提供了一种显示面板,所述显示面板包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区;
所述显示面板还包括:
基板;
辅助电极,设置于所述基板上且位于所述非发光区内;
间隔层,设置于所述基板与所述辅助电极上,且所述间隔层包括设置于所述非发光区内的第一开口,以露出所述辅助电极的上表面;
支撑部,设置于所述间隔层上,所述支撑部延伸至所述第一开口内且位于所述辅助电极上方;
隔垫部,设置于所述辅助电极的上表面,且所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影相间隔;以及
封装层,至少连续地设置于所述隔垫部与所述支撑部上。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括位于所述间隔层上的像素定义层,且所述像素定义层包括位于所述第一开口之外的挡墙结构,所述隔垫部与所述挡墙结构在同一制程中形成。
在本发明的一种实施例中,所述显示面板还包括位于所述像素定义层与所述隔垫部上的发光功能层,以及至少位于所述发光功能层上的阴极层,且所述阴极层包括位于所述发光功能层上的第一部分,以及位于所述支撑部与所述辅助电极之间的第二部分,所述第二部分的一端与所述第一部分连接,另一端与所述辅助电极搭接。
在本发明的一种实施例中,所述挡墙结构围绕所述发光区设置,以限定出多个第二开口,且所述显示面板还包括设置于所述第二开口内的阳极,所述发光功能层还设置于所述阳极上;
其中,所述支撑部与所述阳极在同一制程中形成。
在本发明的一种实施例中,所述隔垫部与所述支撑部之间形成有空隙,且所述封装层至少填充于所述空隙中。
在本发明的一种实施例中,所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影之间具有第一距离,且所述第一距离大于500纳米,且小于或等于2020纳米。
在本发明的一种实施例中,所述隔垫部的厚度为第一值,所述支撑部与所述辅助电极之间的距离为第二值,其中,所述第一值大于所述第二值的二分之一,且小于或等于所述第二值。
根据本发明的上述目的,提供一种显示面板的制作方法,所述显示面板包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区,且所述显示面板的制作方法包括以下步骤:
在基板上形成辅助电极,且所述辅助电极位于所述非发光区;
在所述基板与所述辅助电极上形成间隔层,且所述间隔层在所述非发光区形成有第一开口,以露出所述辅助电极的上表面;
在所述间隔层上形成支撑部,所述支撑部延伸至所述第一开口内且位于所述辅助电极上方;
在所述辅助电极的上表面形成隔垫部,所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影相间隔;以及
至少在所述隔垫部与所述支撑部上形成连续的封装层。
在本发明的一种实施例中,所述在所述辅助电极的上表面形成隔垫部包括以下步骤:
在所述间隔层与所述辅助电极上形成绝缘层;
对所述绝缘层进行图案化处理,以形成位于所述第一开口内的隔垫部,以及位于所述第一开口外的挡墙结构。
根据本发明的上述目的,提供一种显示装置,所述显示装置包括所述显示面板,或由所述显示面板的制作方法制得的显示面板。
本发明的有益效果:本发明通过在辅助电极上设置隔垫部,且隔垫部在基板上的正投影与支撑部在基板上的正投影相间隔,通过隔垫部与支撑部相配合,进而可以有效减小第一开口的开口面积,当形成封装层于隔垫部与支撑部上时,隔垫部可对其上的封装层产生支撑作用,有利于封装层连续地设置于隔垫部与支撑部上,有效地避免了封装层由于第一开口的开口面积过大,而导致封装层在第一开口的区域无法连续覆盖,进而提高了封装层的可靠性,提高了显示面板的良品率。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有的显示面板的局部结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图;
图4至图7为本发明实施例提供的显示面板的制程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
目前,由于顶发射型OLED显示面板的阴极层存在严重的电压降现象,因此,常采用辅助阴极与undercut结构相结合的方式来改善阴极层的电压降现象。请参照图1,显示面板包括基底1、设置于基底1上的辅助阴极4、设置于基底1与辅助阴极4上的第一钝化层2与第二钝化层3,其中,第一钝化层2与第二钝化层3在对应辅助阴极4的上方形成有开口6,以露出辅助阴极4,同时在第一钝化层2与第二钝化层3上设置延伸部5,延伸部5延伸至开口6内并位于辅助阴极4的上方,即在延伸部5与辅助阴极4之间形成一空间(即undercut结构),使得阴极层7可以延伸至该空间内并与辅助阴极4相接触。但是,当阴极层7制备完成之后,延伸部5与阴极层7之间的间距较大,即开口6内尚存在较大的空余空间,进而在后续制备封装薄膜8时,封装薄膜8在开口6内的空余空间处难以得到支撑,无法完好的覆盖开口6,进而容易出现封装失效,导致水氧侵入,降低了显示面板的可靠性。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示面板,请参照图2,显示面板包括发光区AA以及围绕发光区的非发光区BA。
显示面板包括基板10、辅助电极21、间隔层30、支撑部41、隔垫部51以及封装层80。
其中,辅助电极21设置于基板10上并位于非发光区BA内,间隔层30设置于基板10与辅助电极21上,且间隔层30包括设置于非发光区BA内的第一开口91,以露出辅助电极21的上表面。
支撑部41设置于间隔层30上,且支撑部41延伸至第一开口91内并位于辅助电极21的上方。
隔垫部51设置于辅助电极21的上表面,且隔垫部51在基板10上的正投影与支撑部41在基板10上的正投影相间隔。
封装层80至少连续地设置于隔垫部51与支撑部41上。
在实施应用过程中,本发明实施例通过在辅助电极21的上表面制备与支撑部41相间隔的隔垫部51,进而可以有效地减少第一开口91内的空余空间,并对设置于隔垫部51上的封装层80起到了有效的支撑作用,使得封装层80可以连续地覆盖于第一开口91内,提高了封装层80的封装效果,提高了显示面板的可靠性和良品率。
具体地,请参照图2,显示面板包括基板10、设置于基板10上的辅助电极21与源极22、设置于基板10、辅助电极21以及源极22上的间隔层30、设置于间隔层30上的支撑部41与阳极42、设置于间隔层30上的像素定义层、设置于辅助电极21上的隔垫部51设置于像素定义层与隔垫部51上的发光功能层60、设置于发光功能层60上的阴极层70以及设置于阴极层70上的封装层80。
进一步地,显示面板还包括设置于基板10上的薄膜晶体管阵列层(图中并未示出),薄膜晶体管阵列层包括薄膜晶体管器件,且薄膜晶体管器件包括栅极、有源层、源极和漏极,间隔层30覆盖薄膜晶体管器件以起到绝缘的作用,在本发明实施例中,仅示出源极22以表明薄膜晶体管器件与阳极42之间的连接关系。
辅助电极21与源极22设置于基板10上,且辅助电极21与源极22在同一制程中形成,同理,辅助电极21与源极22、漏极均在同一制程中形成,以缩减工艺工序,降低工艺成本。
间隔层30设置于基板10、辅助电极21与源极22上,且间隔层30包括位于非发光区BA内的第一开口91以及过孔,其中,第一开口91露出辅助电极21的上表面,过孔露出源极22的上表面。此外,间隔层30包括层叠设置的层间绝缘层31以及平坦层32,且第一开口91与过孔皆贯穿层间绝缘层31与平坦层32。
支撑部41与阳极42设置于间隔层30上,且层间绝缘层31与平坦层32在第一开口91靠近支撑部41处呈阶梯状,即平坦层32的侧面相对于层间绝缘层31的侧面内缩,以使得支撑部41贴合的覆盖该阶梯状侧面,并由层间绝缘层31上延伸至第一开口91内,以与辅助电极21之间形成一空间。在本发明实施例中,支撑部41与阳极42在同一制程中形成,以缩减工艺工序,降低工艺成本。
隔垫部51设置于第一开口91内并位于辅助电极21的上表面,且隔垫部51在基板10上的正投影与支撑部41在基板10上的正投影相间隔,即在缩小第一开口91内空间的同时,还形成一预留空间使得阴极层70可以延伸至支撑部41与辅助电极21之间。
像素定义层设置于间隔层30上,且像素定义层包括位于非发光区BA内的挡墙结构52,挡墙结构52围绕发光区AA设置并限定出多个第二开口92。
可选的,隔垫部51与挡墙结构52在同一制程中形成,以缩减工艺工序,降低工艺成本。
发光功能层60设置于挡墙结构52、隔垫部51以及支撑部41上,发光功能层60包括层叠设置的有机发光层61与电子传输层62,其中,有机发光层61设置于第二开口92内并位于阳极42上,电子传输层62设置于有机发光层61、当挡墙结构52、隔垫部51以及支撑部41上,且电子传输层62在支撑部41与隔垫部51之间隔断,以留出预留空间。
阴极层70设置于发光功能层60上,且阴极层70在支撑部41与隔垫部51之间隔断,同时,部分阴极层70由预留空间延伸至支撑部41与隔垫部51之间,以与辅助电极21搭接。具体地,阴极层70包括位于发光功能层60上的第一部分71以及位于支撑部41与辅助电极21之间的第二部分72,其中,第二部分72的一端与第一部分71连接,另一端与辅助电极21搭接,即第二部分72延伸至支撑部41与隔垫部51之间,并与辅助电极21电性连接。
封装层80包括层叠设置的无机封装层81以及有机封装层82,其中,无机封装层81连续地覆盖于阴极层70上,且支撑部41与隔垫部51之间在设置有阴极层70之后,还包括有空隙,且封装层80至少填充与空隙内,即无机封装层81还填充与空隙内。有机封装层82连续地覆盖于无机封装层81上,在本发明实施例中,有机封装层82为致密有机材料形成,且有机封装层82的厚度大于或等于5um。
需要说明的是,隔垫部51在基板10上的正投影与支撑部41在基板10上的正投影相间隔,且隔垫部51在基板10上的正投影与支撑部41在基板10上的正投影之间具有第一距离,由于阴极层70需要由支撑部41与隔垫部51之间的间隔处延伸至支撑部41与隔垫部51之间,且需要对支撑部41与隔垫部51之间的空间进行封装。因此,第一距离小于或等于2020纳米,以使得阴极层70延伸至支撑部41与隔垫部51之间,并使得封装层80可以对支撑部41与隔垫部51之间的空间进行封装。但是,若第一距离过小,则会影响到阴极层70与辅助电极21之间的搭接,因此,第一距离还需要大于500纳米。
此外,隔垫部51的厚度为第一值,支撑部41与隔垫部51之间的距离为第二值,若第一值较大,会影响阴极层70在支撑部41与隔垫部51之间的蒸镀深度,对阴极层70与辅助电极21的搭接面积产生影响;第一值过小会影响封装层80的致密性。因此,在本发明实施例中,第一值大于第二值的二分之一,且小于或等于第二值,在提高阴极层70与辅助电极21搭接可靠性的同时,提高封装层80的致密性。
在本发明实施例中,通过在辅助电极21的上表面设置隔垫部51,进而可以减小第一开口91内的空间,在支撑部41与隔垫部51之间预留出大小合适的空间,在使得阴极层70可以延伸至支撑部41与隔垫部51之间的基础上,还可以使得封装层80连续地覆盖于阴极层70上,避免了封装层80在支撑部41与隔垫部51之间的位置发生断裂,防止了封装失效的现象发生,进而可以提高显示面板的可靠性。
另外,本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法,该显示面板即为上述实施例中所述的显示面板,请参照图3以及图4至图7,且本发明实施例中仅以显示面板设有辅助电极21的部分结构的制备过程为例,进行说明。
显示面板包括发光区AA以及围绕发光区AA的非发光区BA,具体地,显示面板的制作方法包括一下步骤:
S10、在基板10上形成辅助电极21,且辅助电极21位于非发光区BA。
步骤S10还包括在基板10上形成薄膜晶体管阵列层(图中并未示出),且薄膜晶体管阵列层包括薄膜晶体管器件,且可按照按常规工艺实现,在此不再赘述。
S20、在基板10与辅助电极21上形成间隔层30,且间隔层30在非发光区BA形成有第一开口91,以露出辅助电极21的上表面。
在基板10与辅助电极21上制备层叠的层间绝缘层31以及平坦层32,以形成间隔层30,并对间隔层30进行图案化处理,以在间隔层30对应非发光区BA处形成第一开口91,以露出辅助电极21的上表面。
需要说明的是,间隔层30在第一开口91的一侧形成有阶梯状侧面,即平坦层32的侧面相对于层间绝缘层31的侧面内缩,以形成阶梯状侧面。
S30、在间隔层30上形成支撑部41,支撑部41延伸至第一开口91内且位于辅助电极21上方。
支撑部41贴合阶梯状侧面设置于间隔层30上,且支撑部41由层间绝缘层31上延伸至第一开口91内,并位于辅助电极21的上方。
S40、在辅助电极21的上表面形成隔垫部51,隔垫部51在基板10上的正投影与支撑部41在基板10上的正投影相间隔。
在间隔层30与辅助电极21上形成绝缘层53。
采用半透掩膜板101对绝缘层53进行图案化处理,以形成位于第一开口91内的隔垫部51以及位于第一开口91外的挡墙结构52。
其中,半透掩膜板101包括第一区域1011以及第二区域1012,通过控制第一区域1011与第二区域1012的投光量的差异,使得第一区域1011与第二区域1012在绝缘层53上形成厚度不同的膜层结构。其中,对应第一区域1011形成有挡墙结构52,对应第二区域1012形成有隔垫部51,且隔垫部51的厚度小于挡墙结构52的厚度,即本发明实施例中通过使用半透掩膜板101在同一制程中形成隔垫部51与挡墙结构52,进而可以缩减工艺工序,节省工艺成本。
需要说明的是,隔垫部51也可在单独的制程中进行制备,且隔垫部51的材料包括有机材料或无机材料,在此不做限定。
依次制备发光功能层60以及阴极层70于挡墙结构52与隔垫部51上。其中,发光功能层60覆盖挡墙结构52、隔垫部51、支撑部41,并在支撑部41与隔垫部51之间隔断,阴极层70包括位于发光功能层60上的第一部分71,以及延伸至支撑部41与辅助电极21之间的第二部分72,且第二部分72的一端与第一部分71连接,第二部分72的另一端与辅助电极21搭接。
S50、至少在隔垫部51与支撑部41上形成连续的封装层80。
形成封装层80于阴极层70上,且支撑部41与隔垫部51之间具有空隙,封装层80还填充于空隙内。
其中,先形成无机封装层81于阴极层70上,且无机封装层81还填充于空隙内,以对阴极层70以及支撑部41与隔垫部51之间的空间均起到封装作用。然后形成有机封装层82与无机封装层81上,且有机封装层82为致密有机材料形成,且有机封装层82的厚度大于或等于5um。
承上,本发明实施例通过在辅助电极21的上表面设置隔垫部51,进而可以减小第一开口91内的空间,在支撑部41与隔垫部51之间预留出大小合适的空间,在使得阴极层70可以延伸至支撑部41与隔垫部51之间的基础上,还可以使得封装层80连续地覆盖于阴极层70上,避免了封装层80在支撑部41与隔垫部51之间的位置发生断裂,防止了封装失效的现象发生,进而可以提高显示面板的可靠性。且隔垫部51与挡墙结构52在同一道制程中形成,进而可以缩减工艺工序,节省工艺成本。
另外,本发明实施例还提供一种显示装置,显示装置包括上述实施例中所述的显示面板,或由上述实施例所述的显示面板的制作方法制得的显示面板。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区;所述显示面板还包括:
基板;
辅助电极,设置于所述基板上且位于所述非发光区内;
间隔层,设置于所述基板与所述辅助电极上,且所述间隔层包括设置于所述非发光区内的第一开口,以露出所述辅助电极的上表面;
支撑部,设置于所述间隔层上,所述支撑部延伸至所述第一开口内且位于所述辅助电极上方;
隔垫部,设置于所述辅助电极的上表面,且所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影相间隔;
像素定义层,设置于所述间隔层上;
发光功能层,设置于所述像素定义层与所述隔垫部上;
阴极层,至少设置于所述发光功能层上,所述阴极层包括位于所述发光功能层上的第一部分,以及位于所述支撑部与所述辅助电极之间的第二部分,所述第二部分的一端与所述第一部分连接,另一端与所述辅助电极搭接;
封装层,至少连续地设置于所述隔垫部与所述支撑部上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素定义层包括位于所述第一开口之外的挡墙结构,所述隔垫部与所述挡墙结构在同一制程中形成。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述挡墙结构围绕所述发光区设置,以限定出多个第二开口,且所述显示面板还包括设置于所述第二开口内的阳极,所述发光功能层还设置于所述阳极上;
其中,所述支撑部与所述阳极在同一制程中形成。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫部与所述支撑部之间形成有空隙,且所述封装层至少填充于所述空隙中。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影之间具有第一距离,且所述第一距离大于500纳米,且小于或等于2020纳米。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述隔垫部的厚度为第一值,所述支撑部与所述辅助电极之间的距离为第二值,其中,所述第一值大于所述第二值的二分之一,且小于或等于所述第二值。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括发光区以及围绕所述发光区的非发光区,且所述显示面板的制作方法包括以下步骤:
在基板上形成辅助电极,且所述辅助电极位于所述非发光区;
在所述基板与所述辅助电极上形成间隔层,且所述间隔层在所述非发光区形成有第一开口,以露出所述辅助电极的上表面;
在所述间隔层上形成支撑部,所述支撑部延伸至所述第一开口内且位于所述辅助电极上方;
在所述辅助电极的上表面形成隔垫部,所述隔垫部在所述基板上的正投影与所述支撑部在所述基板上的正投影相间隔;
依次制备发光功能层以及阴极层于挡墙结构与所述隔垫部上;其中,所述发光功能层覆盖所述隔垫部和所述支撑部,并在所述支撑部与所述隔垫部之间隔断,所述阴极层包括位于所述发光功能层上的第一部分,以及延伸至所述支撑部与所述辅助电极之间的第二部分,且所述第二部分的一端与所述第一部分连接,所述第二部分的另一端与所述辅助电极搭接;
至少在所述隔垫部与所述支撑部上形成连续的封装层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述辅助电极的上表面形成隔垫部包括以下步骤:
在所述间隔层与所述辅助电极上形成绝缘层;
对所述绝缘层进行图案化处理,以形成位于所述第一开口内的隔垫部,以及位于所述第一开口外的挡墙结构。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至6任一项所述的显示面板,或由权利要求7或8所述的显示面板的制作方法制得的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110602263.XA CN113345945B (zh) | 2021-05-31 | 2021-05-31 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110602263.XA CN113345945B (zh) | 2021-05-31 | 2021-05-31 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113345945A CN113345945A (zh) | 2021-09-03 |
CN113345945B true CN113345945B (zh) | 2022-12-23 |
Family
ID=77473228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110602263.XA Active CN113345945B (zh) | 2021-05-31 | 2021-05-31 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113345945B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114141826B (zh) * | 2021-11-16 | 2023-08-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN114188379A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114171569B (zh) * | 2021-12-07 | 2023-05-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN114583081A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-06-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110911461A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102575459B1 (ko) * | 2015-07-31 | 2023-09-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
KR102482990B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR20200049336A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN110176483B (zh) * | 2019-06-24 | 2020-10-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
CN111029376A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-04-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112164766B (zh) * | 2020-09-24 | 2022-08-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示基板的制法 |
-
2021
- 2021-05-31 CN CN202110602263.XA patent/CN113345945B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110911461A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113345945A (zh) | 2021-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113345945B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
TWI578593B (zh) | 有機發光二極體裝置及其製造方法 | |
US9236419B2 (en) | Organic light emitting display device having electrodes of subpixels with different thicknesses and method of manufacturing the same | |
JP3993129B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
US9502683B2 (en) | Sealing portion structure for display device | |
US9231035B2 (en) | Organic light emitting diode display device having improved effective emitting area | |
JP7416940B2 (ja) | ディスプレイパネル、フレキシブルディスプレイ、電子デバイスおよびディスプレイパネルの製造方法 | |
KR101927334B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
US7683538B2 (en) | Dual panel-type organic electroluminescent display device | |
JP2004200167A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
US8841832B2 (en) | Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant | |
US20100066232A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
CN111564481A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US10797127B2 (en) | Electroluminescent display device | |
CN108321305B (zh) | 一种oled显示面板及显示装置 | |
KR100705819B1 (ko) | 전계발광소자의 제조방법 및 전계발광소자 | |
US20230010053A1 (en) | Display device | |
KR100474000B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20100011034A (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 | |
KR101578703B1 (ko) | 듀얼패널 타입 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
CN114824127B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
CN114824126B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
WO2021189247A1 (zh) | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 | |
CN118102811A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN114784081A (zh) | 显示面板及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |