CN105810711A

CN105810711A - 有机发光显示装置及其制造方法

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Publication number: CN105810711A
Application number: CN201510688598.2A
Authority: CN
Inventors: 吴彦锡; 金相烈; 张炳民; 赵美衍
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2015-01-16
Filing date: 2015-10-21
Publication date: 2016-07-27
Anticipated expiration: 2035-10-21
Also published as: EP3046157A1; US20160211316A1; CN105810711B; KR102372091B1; KR20160088978A; US9741784B2

Abstract

提供了一种有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置包括：基底，包括多个像素区，多个像素区中的每个包括发光区和透射区；第一电极，设置在基底的发光区上；第二电极，与第一电极相对；有机发光层，设置在基底的发光区上并设置在第一电极与第二电极之间；以及辅助电极，设置在基底的透射区上并电连接到第二电极。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

技术领域

示例性实施例涉及有机发光显示(“OLED”)装置及其制造方法。更具体地，示例性实施例涉及具有改善的外部光透射率的OLED装置及其制造方法。

背景技术

显示装置通常可以包括发射光的多个像素，使得图像可以被显示。有机发光显示(“OLED”)装置的像素可以包括有机发光二极管。有机发光二极管可以发射光，所述光的波长依赖于包括在其中的有机材料的类型。有机发光二极管可以包括发射例如红色光、绿色光和蓝色光之一的不同类型的有机材料。可以发射并组合具有不同颜色的光以在OLED装置中形成彩色图像。

最近，已经研究具有预定透射率的OLED装置。

发明内容

示例性实施例提供了一种包括具有减小的电阻的电极的有机发光显示(“OLED”)装置。

示例性实施例提供了一种制造包括具有减小的电阻的电极的OLED装置的方法。

根据示例性实施例，OLED装置可以包括基底、第一电极、第二电极、有机发光层和辅助电极。基底可以包括多个像素区。多个像素区中的每个可包括发光区和透射区。第一电极可以设置在基底的发光区上。第二电极可以与第一电极相对。有机发光层可以设置在基底的发光区上。有机发光层可以设置在第一电极与第二电极之间。辅助电极可以设置在基底的透射区上。辅助电极可以电连接到第二电极。

在示例性实施例中，辅助电极可以包括导电层和导电图案。

在示例性实施例中，导电层和第一电极可包括相同的材料。

在示例性实施例中，导电层和第一电极可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO_x)、氧化镁(MgO_x)、氧化钛(TiO_x)、石墨烯、碳纳米管(“CNT”)和PEDOT:PSS中的至少一种。

在示例性实施例中，导电层的底表面和第一电极的底表面可以在同一平面上，并且导电层和第一电极可彼此分隔开。

在示例性实施例中，导电图案可以包括多条导线。多条导线可以在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸。多条导线可以在第二方向上彼此分隔开，第二方向垂直于第一方向并平行于基底的顶表面。

在示例性实施例中，导电图案可以包括多条导线。多条导线可以在第一方向和第二方向上延伸以彼此交叉。第一方向和第二方向平行于基底的顶表面并彼此垂直。

在示例性实施例中，多条导线中的每条导线的宽度可以小于多条导线中的相邻导线之间的距离。

在示例性实施例中，导电图案可以具有网格布置。

在示例性实施例中，导电图案可以包括电阻率低于导电层的电阻率的材料。

在示例性实施例中，导电图案可以包括石墨烯、CNT、PEDOT:PSS、金属纳米线、银(Ag)和金(Au)中的至少一种。

在示例性实施例中，第二电极可以包括铝(Al)、银(Ag)和镁-银(MgAg)中的至少一种。

在示例性实施例中，OLED装置还可以包括：空穴注入层，在第一电极与有机发光层之间；空穴传输层，在空穴注入层与有机发光层之间；电子注入层，在第二电极与有机发光层之间；以及电子传输层，在电子注入层与有机发光层之间。

在示例性实施例中，OLED装置还可以包括：接触件，穿过空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层电连接到第二电极和辅助电极。

在示例性实施例中，OLED装置还可以包括与导电图案直接接触的辅助布线。辅助布线可以设置在接触件与辅助电极之间。

在示例性实施例中，第二电极可以完全覆盖发光区和透射区。

在示例性实施例中，第二电极可以选择性地覆盖发光区，使得透射区可被暴露。

根据示例性实施例，提供了一种制造OLED装置的方法。在所述方法中，提供基底以包括多个像素区。每个像素区可以包括发光区和透射区。可以同时提供在基底的发光区上的第一电极和在基底的透射区上的导电层。可以通过在导电层上形成导电图案来提供辅助电极。可以在第一电极上设置有机发光层。可以在有机发光层上设置第二电极。第二电极可以电连接到辅助电极。

在示例性实施例中，在形成有机发光层之前可限定空穴传输层。空穴传输层可以完全覆盖发光区和透射区。在形成有机发光层之后可以设置电子传输层。电子传输层可以完全覆盖发光区和透射区。在形成第二电极之前可以穿过空穴传输层和电子传输层设置接触件。

在示例性实施例中，形成接触件的步骤可以包括通过激光钻孔工艺穿过空穴传输层和电子传输层来限定接触孔。

根据示例性实施例的OLED装置包括电连接到辅助电极的第二电极。辅助电极可以包括导电层和导电图案。导电图案的导线以预定的距离彼此分隔开，使得辅助电极的电阻可以减小并且透射率的降低可被最小化。因此，第二电极可以具有改善的电阻。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解说明性的、非限制性的示例性实施例。

图1和图2是示出根据本发明的有机发光显示(“OLED”)装置的示例性实施例的俯视平面图；

图3是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的剖视图；

图4是示出根据本发明的OLED装置的辅助电极的示例性实施例的透视图；

图5是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的剖视图；

图6至图13是示出根据本发明的制造OLED装置的方法的示例性实施例的剖视图；

图14是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的俯视平面图；

图15是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的剖视图；

图16是示出根据本发明的OLED装置的辅助电极的示例性实施例的透视图；

图17是示出根据本发明的OLED装置的示例性实施例的剖视图。

具体实施方式

将参照示出示例性实施例的附图在下文中更全面地描述各种示例性实施例。然而，示例性实施例可以以很多不同形式体现并且不应该解释为限制于在这里所阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本发明将是完整的和彻底的，并且将示例性实施例的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或者结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。同样的附图标记始终指的是同样的元件。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何或所有组合。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，在下面所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

为了易于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语，以描述在图中所示出的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了图中所描绘的方位之外的在使用中或操作中的装置的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“之下”或“下方”的元件将位于其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两个方位。装置可以另外定位(旋转90度或在其他方位)并且相应地解释在这里所使用的空间相对描述语。

在这里所使用的术语仅用于描述具体示例性实施例的目的，并且不意图限制示例性实施例。如在这里所使用的，单数形式“一”、“一个”、“一种”、“该”和“所述”意图也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，表明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在这里参照作为理想化示例性实施例(及中间结构)的示意图的剖视图描述示例性实施例。如此，预期到例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，示例性实施例不应该被理解为受限于在这里所示的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。在附图中所示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的真实形状且不意图限制示例性实施例的范围。

如在这里所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着在考虑到正在被提及的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测试系统的局限性)而由本领域普通技术人员所确定的具体值的可接受误差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差之内，或在所述值的±30％、20％、10％、5％之内。

除非另有限定，否则在这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例性实施例所属的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，诸如在通用字典中所定义的那些术语应该被理解为具有与在相关领域的环境中它们的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非在这里清楚地这样定义。

在下文中，将参照附图详细解释示例性实施例。

图1和图2是示出根据示例性实施例的有机发光显示(“OLED”)装置的俯视平面图。具体地，图2是由图1的虚线矩形指示的区域Z的放大俯视平面图。

参照图1，OLED装置的第一基底100可以分为显示区X和外围区Y。显示区X可以是在OLED装置上实现图像的区域。外围区Y可以是用于驱动显示区X的驱动集成电路(“IC”)和布线可以设置的区域。

在示例性实施例中，显示区X可以位于第一基底100的中心部，外围区Y可以位于第一基底100的边缘部。在示例性实施例中，例如，外围区Y可以围绕显示区X的至少一侧。在示例性实施例中，例如，外围区Y可以围绕显示区X的四侧，如图1所示。外围区Y可以位于显示区X的右侧、左侧、顶侧和/或底侧。

驱动电路IC可以包括数据驱动电路、扫描驱动电路、电平移位器和缓冲电路。驱动电路IC可以设置在第一基底100的外围区Y中。驱动电路IC可以控制可传输到像素区P的电信号。在示例性实施例中，驱动电路IC可以设置在显示区X的左侧或右侧，并且驱动电路IC可以沿第二方向延伸。第二方向与第一方向垂直，并且第一方向和第二方向与第一基底100的顶表面平行。

参照图1和图2，多个像素区P可以布置在第一基底100的显示区X中。

在示例性实施例中，多个像素区P可以在第一基底100上沿第一方向和第二方向布置。

每个像素区P可以包括第一区I和第二区II。第一发光区S1、第二发光区S2和第三发光区S3可以位于第一区I中。在示例性实施例中，例如，第一区I可以是包括发光区S1、S2和S3的发光区，并且第二区II可以是邻近发光区S1、S2和S3的透射区。

在示例性实施例中，红色光、绿色光和蓝色光可以分别从第一发光区S1、第二发光区S2和第三发光区S3产生。在示例性实施例中，例如，包括在第一发光区S1、第二发光区S2和第三发光区S3中的发光材料可以分别产生红色光、绿色光、蓝色光。

在示例性实施例中，例如，第一发光区S1、第二发光区S2和第三发光区S3中的每个可以具有沿第一方向延伸的多边形形状。第三发光区S3可以具有大于第一发光区S1和第二发光区S2中的每个发光区的面积的面积。在示例性实施例中，第三发光区S3可以具有基本上与第一发光区S1和第二发光区S2中的每个发光区的面积相等的面积。

第二区II可以在第一方向上与第一区I分隔开。在示例性实施例中，例如，第二区II基于像素区P的总面积的面积比可以在大约20％至大约90％的范围内。

图3是沿图2的III-III’线截取的剖视图。

参照图2和图3，OLED装置可以包括第一基底100、开关器件、第一电极150、辅助电极160、发光结构和第二电极195。

在示例性实施例中，第一基底100可以包括透明绝缘基底。在示例性实施例中，第一基底100可以包括例如玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。在示例性实施例中，第一基底100可以包括柔性基底。

缓冲层105可以限定在第一基底100上。缓冲层105可以基本上用作平坦化层，并且可以防止杂质扩散到第一基底100中。缓冲层105可以包括无机材料、有机材料或它们的组合。在示例性实施例中，例如，无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛中的至少一种，并且有机材料可以包括聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂和丙烯酰类树脂中的至少一种。上述元素可以单独使用或以其组合的形式使用。在其他示例性实施例中，缓冲层105可以省略。

开关器件可以设置在缓冲层105上。在示例性实施例中，例如，电路结构可以由开关器件和电容器(未示出)来限定。电路结构可以设置在第一发光区至第三发光区S1、S2和S3中的每个上。

在示例性实施例中，例如，开关器件可以包括晶体管，并且晶体管可以包括有源图案110、栅极绝缘层120、栅电极125、源电极132和漏电极134。

有源图案110可以包括例如氧化物半导体、多晶硅、掺杂的多晶硅、非晶硅和掺杂的非晶硅等中的至少一种。在示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以包括二元组合(ABx)、三元组合(ABxCy)和四元组合(ABxCyDz)中的至少一种，所述二元组合(ABx)、三元组合(ABxCy)和四元组合(ABxCyDz)可包括铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)等中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们组合的形式使用。在示例性实施例中，氧化物半导体可以包括表示为例如G-I-Z-O([(In₂O₃)_a(Ga₂O₃)_b(ZnO)_c]，a、b和c均是满足a≥0,b≥0,c>0的实数)的材料。在示例性实施例中，当有源图案110包括氧化物半导体时，可以改善在发光区S1、S2和S3处对外部光的透射率。

有源图案110可以包括沟道区112、源区114和漏区116。源区114和漏区116可以掺杂有杂质，并且沟道区112可以设置在源区114和漏区116之间。

栅极绝缘层120可以设置在缓冲层105上并覆盖有源图案110。栅电极125可以设置在栅极绝缘层120上。在示例性实施例中，栅电极125可以基本上与有源图案110的沟道区112叠置。

第一绝缘层间层130可以设置在栅极绝缘层120上并覆盖栅电极125。源电极132和漏电极134可以通过限定在第一绝缘层间层130和栅极绝缘层120中的孔分别电连接到源区114和漏区116。

图3中示出的晶体管可以具有栅电极125设置在有源图案110上方的顶栅结构。然而，本发明不限于此，并且晶体管可以具有栅电极125设置在有源图案110下方的底栅结构。

通路绝缘层140可以设置第一绝缘层间层130上并覆盖开关器件。在示例性实施例中，例如，通路绝缘层140可以具有基本上水平的顶表面。

第一电极150可以设置在通路绝缘层140上。第一电极150可以设置在第一区I中的第一发光区至第三发光区S1、S2和S3中的每个上。第一电极150可以通过限定在通路绝缘层140中的孔电连接到开关器件。

在示例性实施例中，第一电极150可以包括透明导电材料。在示例性实施例中，例如，第一电极150可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO_x)、氧化镁(MgO_x)、氧化钛(TiO_x)、石墨烯、碳纳米管(“CNT”)和诸如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)的导电聚合物中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们的组合的形式使用。

辅助电极160可以设置在第二区II中的通路绝缘层140上。

参照图3和图4，辅助电极160可以包括导电层162和导电图案164。

导电层162可以设置在第二区II上。导电层162可以与设置在第一区I上的第一电极150分隔开。在示例性实施例中，例如，导电层162可以不直接接触第一电极150。

导电层162和第一电极150可以包括基本相同的材料。导电层162和第一电极150可以具有基本相同的厚度。在示例性实施例中，例如，导电层162和第一电极150可以通过同一工艺同时设置。导电层162可以包括如上所述的透明导电材料，使得在第二区II上的透射率可以不因导电层162而降低。

导电图案164可以设置在导电层162上并设置在第二区II上。导电图案164的底表面和导电层162的顶表面可以直接彼此接触和/或彼此电连接。辅助电极160的电阻可因导电图案164而减小。

在示例性实施例中，例如，导电图案164可以具有网格布置，所述网格布置包括例如可沿第一方向和第二方向延伸并可以彼此交叉的多条导线。导线可以彼此分隔开预定的距离。

导电图案164的导线中的每条可以具有第一宽度W。导线可以在第一方向上布置并且沿第一方向彼此分隔开第一距离D1，也可以在第二方向上布置并沿第二方向彼此分隔开第二距离D2。第一距离D1和第二距离D2可以基本上彼此相同或不同。

可以考虑到辅助电极160的电阻和透射率来确定第一宽度W、第一距离D1和第二距离D2。在示例性实施例中，例如，当第一宽度W增大并且当第一距离D1和第二距离D2减小时，可以减小电阻和透射率。然而，当第一宽度W减小并且当第一距离D1和第二距离D2增大时，可以增大电阻和透射率。在示例性实施例中，例如，第一宽度W小于第一距离D1和第二距离D2中的每个。

导电图案164可以包括电阻率不大于导电层162的电阻率的材料。在示例性实施例中，导电图案164可以包括诸如PEDOT:PSS的导电聚合物材料、诸如金属纳米线、银(Ag)或金(Au)的金属、石墨烯和CNT等中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们的组合的形式使用。在示例性实施例中，导电图案164可以具有网格布置，使得可以最小化由导电图案164导致的在第二区II上透射率的降低。

当第一距离D1和第二距离D2基本上相同时，辅助电极160的电阻可以由例如下列等式1至3计算。

【等式1】

\frac{1}{R_{e l e c t r o d e}} = \frac{1}{R_{p l a t e}} + \frac{1}{R_{p a t t e r n}}

(这里，值R_electrdoe是辅助电极160的电阻，值R_plate是导电层162的电阻，值R_pattern是导电图案164的电阻。)

【等式2】

R_{p a t t e r n} = R_{s h e e t, p a t t e r n} \times (\frac{1 \sqrt{A} + A}{1 - \sqrt{A}})

(这里，值R_{sheet,pattern}是导电图案164的薄层电阻并且由导电图案164的组成材料和厚度确定。值A由等式3确定。)

【等式3】

A = {(\frac{D 1}{W + D 1})}^{2}

(这里，值W是导电图案164的每条导线的宽度，并且值D1是导电图案164的沿第一方向相邻的导线之间的距离。)

如图2和图3所示，辅助布线168可以设置在辅助电极160上。在示例性实施例中，辅助布线168可以部分地覆盖辅助电极160。

辅助布线168可以与辅助电极160的导电图案164直接接触。辅助电极160和接触件190之间的接触电阻可以因辅助布线168而减小。用于形成接触件190的区域可以因辅助布线168而扩展，由此在例如电路设计方面，可以改善自由度。

像素限定层170可以设置在通路绝缘层140上并且部分地覆盖第一电极150、辅助电极160和辅助布线168。在示例性实施例中，像素限定层170可以包括有机绝缘材料或诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料。

发光结构可以设置在第一电极150、辅助电极160、辅助布线168和像素限定层170上。在示例性实施例中，发光结构可以包括空穴传输层(“HTL”)175、有机发光层180和电子传输层(“ETL”)185。发光结构还可以包括在HTL175下方的空穴注入层(“HIL”)和在ETL185上的电子注入层(”EIL”)。

HTL175和ETL185可以公共地并连续地设置在第一区I和第二区II上，有机发光层可以选择性地设置在第一区I上的第一发光区至第三发光区S1、S2和S3(参照图2)中的每个上。

接触件190可以穿过发光结构电连接到辅助布线168。在示例性实施例中，接触件190可以邻近像素限定层170，然而，可以不与像素限定层170叠置。在示例性实施例中，在接触件190的形成中，可以穿过发光结构限定接触孔，但可以不穿过像素限定层170限定接触孔。

第二电极195可以设置在发光结构和接触件190上。第二电极195可以通过接触件190电连接到辅助电极160。在示例性实施例中，第二电极195可以在第一区I和第二区II上公共地并连续地延伸。

在示例性实施例中，第二电极195可以包括金属。在示例性实施例中，第二电极195可以包括例如铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)及其合金中的至少一种。在示例性实施例中，第二电极195可以包括例如具有低电阻和改善的透射率的Al、Ag及镁和银的合金中的至少一种。第二电极195的厚度可以考虑到第二电极195的电阻和透射率来确定。当第二电极195的厚度减小时，可以增大第二电极195的电阻并可以改善第二电极195的透射率。

在示例性实施例中，第二电极195电连接到辅助电极160，使得还可以减小第二电极195的电阻。因此，第二电极195可以被设计为具有基本上薄的厚度，并且还可以改善第二电极195的透射率。在示例性实施例中，第二电极195的厚度可以在大约10埃至大约的范围内。

图5是示出根据示例性实施例的OLED装置的剖视图。

如参照图2至图4所示，OLED装置可以包括第一基底100、开关器件、第一电极150、辅助电极160、发光结构和第二电极195。

OLED装置还可以包括第二基底200、阻光图案210和滤色器220。第二基底200可以关于发光结构和第二电极195面对第一基底100。阻光图案210和滤色器220可以设置在第二基底200上。

第二基底200可以包括与第一基底100的材料基本相同的材料。

阻光图案210可以设置在第二基底200的相对于第一基底100的相对表面上。阻光图案210可以设置成使得可以通过阻光图案210暴露第一区I上的发光区S1、S2和S3中的每个和第二区II上的透射区。

滤色器220可以对应于第一区I上的发光区S1、S2和S3中的每个。从有机发光层180发射的光可以穿过滤色器220以具有具体的波长。在示例性实施例中，滤色器220也可以用作例如外部光的抗反射层。滤色器220可以不覆盖第二区II，因此可改善第二区II的透射率。

图6至图13是示出根据示例性实施例的制造OLED装置的方法的剖视图。

参照图6，可以在第一基底100上设置开关器件。

如图2中所示，第一基底100可以包括多个像素区。每个像素区可以分为第一区I和第二区II。第一区I可以包括发光区，第二区II可以包括透射区。

可以在第一基底100上设置缓冲层105。在示例性实施例中，例如，可以通过使用无机材料、有机材料或它们的组合的沉积工艺或涂覆工艺来设置缓冲层105。在示例性实施例中，例如，无机材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛和氮化钛中的至少一种，有机材料可以包括聚酰亚胺类树脂、聚酯类树脂和丙烯酰类树脂中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们的组合的形成使用。在示例性实施例中，缓冲层105可以省略。

可以使用氧化物半导体、多晶硅、非晶硅等在缓冲层105上设置半导体层，然后可以部分地蚀刻半导体层以形成有源图案110。在示例性实施例中，例如，半导体层可以包括通过使用多个靶的溅射工艺制造的氧化物半导体。

可以在缓冲层105上设置覆盖有源图案110的栅极绝缘层120。可以在栅极绝缘层120上设置栅电极125并且栅电极125可与有源图案110部分地叠置。

可以通过使用栅电极125作为离子注入掩模来将杂质注入到有源图案110的部分中，使得可以提供源区114和漏区116。

可以在栅极绝缘层120上设置覆盖栅电极125的第一绝缘层间层130。可以穿过第一绝缘层间层130和栅极绝缘层120设置源电极132和漏电极134，使得源电极132和漏电极134可以分别电连接到源区114和漏区116。

参照图7，可以在第一绝缘层间层130上设置通路绝缘层140，并且可以在通路绝缘层140上设置第一电极150和导电层162。

通路绝缘层140可以覆盖源电极132和漏电极134。

可以部分地去除通路绝缘层140以限定暴露漏电极134的接触孔。可以设置第一电极层以填充通路绝缘层140上的接触孔，然后可以部分地去除第一电极层以形成第一电极150和导电层162。

第一电极150和导电层162可以包括基本相同的材料并可以在基本上同一平面上延伸。

在示例性实施例中，例如，第一电极层可以包括ITO、IZO、氧化锌(ZnO_x)、氧化镁(MgO_x)、氧化钛(TiO_x)、石墨烯、CNT和诸如PEDOT:PSS的导电聚合物材料中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们的组合的形式使用。

在示例性实施例中，当第一电极层包括ITO、IZO、氧化锌(ZnO_x)、氧化镁(MgO_x)或氧化钛(TiO_x)时，第一电极层可以通过诸如物理气相沉积(“PVD”)或化学气相沉积(“CVD”)的相对高温沉积工艺来提供。

在示例性实施例中，当第一电极层包括石墨烯、CNT或PEDOT:PSS时，第一电极层可以通过诸如涂覆工艺的相对低温工艺来提供。

参照图8，可以在导电层162上限定导电图案164。

可以在导电层162、第一电极150和通路绝缘层140上设置层，然后可以部分地去除该层以形成导电图案164。

在示例性实施例中，该层可以包括电阻率不大于导电层162的电阻率的材料。例如，导电图案164可以包括诸如PEDOT:PSS的导电聚合物材料、诸如金属纳米线、银(Ag)或金(Au)的金属、石墨烯和CNT等中的至少一种。上述元素可以单独使用或以它们的组合的形式使用。

在示例性实施例中，当导电图案164包括金属纳米线、银(Ag)或金(Au)时，可以通过诸如PVD或CVD的相对高温沉积工艺来提供该层。

在示例性实施例中，当导电图案164包括石墨烯、CNT或诸如PEDOT:PSS的导电聚合物材料时，可以通过诸如涂覆工艺的相对低温工艺来提供该层。

在示例性实施例中，当导电图案164包括诸如PEDOT:PSS的导电聚合物材料时，可以使用嵌段共聚物来形成该层。可以使用蚀刻溶液部分地去除嵌段共聚物来形成导电图案，而不使用光学图案化工艺。

因此，辅助电极160可以由导电层162和导电图案164限定。

参照图9，可以在辅助电极160上设置辅助布线168。

可以在通路绝缘层140、第一电极150和辅助电极160上设置布线层，然后可以部分地去除布线层以形成辅助布线168。

辅助布线168可以部分地覆盖辅助电极160，并且可以与具有低电阻率的导电图案164直接接触。可以通过辅助布线168减小辅助电极160与接触件190之间的接触电阻。用于形成接触件190的区域可以因辅助布线168而扩展，由此在例如电路设计方面，可以改善自由度。

参照图10，可以在通路绝缘层140上设置部分地覆盖第一电极150、辅助电极160和辅助布线168的像素限定层170。

可以使用有机材料来提供像素限定层170。通过形成像素限定层170，可以在第一区I上限定发光区S1、S2和S3，并且可以在第二区II上限定透射区。像素限定层170可以不覆盖发光区和透射区。

参照图11，可以在第一电极150、辅助电极160和像素限定层170上设置发光结构。

形成发光结构的工艺可以包括形成空穴注入层、空穴传输层175、有机发光层180、电子传输层185和电子注入层的工艺。

可以在第一区I和第二区II上公共地并连续地设置空穴注入层、空穴传输层175、电子传输层185和电子注入层，并且可以不执行额外的图案化工艺。

然而，可以选择性地在发光区S1、S2和S3中的每个上设置有机发光层180。

参照图12，可以穿过发光结构提供接触件190。

在示例性实施例中，接触件190可以通过激光钻孔工艺来提供。在示例性实施例中，可以使用激光束来部分地去除发光结构的有机层以限定接触孔，然后可以提供接触件190以填充接触孔。

在示例性实施例中，接触件190可以邻近像素限定层170，然而，可以不与像素限定层170叠置。在示例性实施例中，在接触孔的形成中，例如可以不去除像素限定层170。

参照图13，可以在发光结构和接触件190上设置第二电极195。

在示例性实施例中，第二电极195可以包括铝(Al)、铂(Pt)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)及其合金中的至少一种。

第二电极195可以通过接触件190电连接到辅助电极160，使得可以减小第二电极195的电阻。

图14是示出根据示例性实施例的OLED装置的俯视平面图。图15是示出根据示例性实施例的OLED装置的剖视图。图16是示出根据示例性实施例的OLED装置的辅助电极的透视图。

如参照图2至图4所示，OLED装置可以包括第一基底100、开关器件、第一电极150、辅助电极161、发光结构和第二电极195。

辅助电极161可以设置在第二区II中的通路绝缘层140上。辅助电极161可以包括导电层162和导电图案165。

导电层162可以包括与第一电极150的材料基本相同的材料。导电层162可以具有与第一电极150基本相同的厚度。

导电图案165可以限定在导电层162上。导电图案165可以包括电阻率不大于导电层162的电阻率的材料。

导电图案165可以具有这样的布置，其包括例如可以在第一方向上延伸的多条导线。导线可以在第二方向上彼此分隔开。第一方向和第二方向平行于第一基底100的顶表面，并且第二方向与第一方向垂直。

导电图案165的导线中的每条可以具有第一宽度W。导线可以彼此分隔开第一距离D1。

可以通过例如下面的等式4和等式5来计算包括导电层162和导电图案165的辅助电极161的电阻。

【等式4】

\frac{1}{R_{e l e c t r o d e}} = \frac{1}{R_{p l a t e}} + \frac{1}{R_{p a t t e r n}}

(这里，值R_electrode是辅助电极161的电阻，值R_plate是导电层162的电阻，值R_pattern是导电图案165的电阻。)

【等式5】

R_{p a t t e r n} = R_{s h e e t, p a t t e r n} \times (\frac{W}{W + D 1})

(这里，值R_{sheet,pattern}是导电图案165的薄层电阻并且由导电图案165的组成材料和厚度来确定。值W是导电图案165的每条导线的宽度，值D1是导电图案165的相邻导线之间的距离。)

辅助电极161的电阻可以因导电图案165而减小。

接触件190可以穿过发光结构直接接触辅助电极161。在示例性实施例中，例如，接触件190可以将辅助电极161和第二电极195电连接。

因此，第二电极195的电阻可以通过与辅助电极161的连接来减小。

图17是示出根据示例性实施例的OLED装置的剖视图。

如图2至图4所示，OLED装置可以包括第一基底100、开关器件、第一电极150、辅助电极160、发光结构和第二电极196。

第二电极196可以设置在第一区I上。在示例性实施例中，例如，第二电极196可以不设置在第二区II上或可以部分地设置在第二区II上。因此，第二区II中的透射区的透射率可以不因第二电极196而减小。然而，可以图案化第二电极196，使得可以增大第二电极196的电阻。

在示例性实施例中，第二电极196可以通过接触件190和辅助布线168电连接到辅助电极160。因此，可以减小第二电极196的电阻。

尽管已经参照附图描述了用于OLED装置的像素和包括该像素的基底的一些示例性实施例，但是本领域的技术人员将容易领会的是，在实质上不脱离本发明的新颖教导和优点的情况下，在示例性实施例中可以有许多修改。

本发明可以应用于包括OLED装置的任何电子装置。在示例性实施例中，例如，本发明可以应用于诸如计算机、膝上型计算机、数码相机、视频摄像机、蜂窝电话、智能电话、智能平板电脑、PMP、PDA、MP3播放器、导航系统、视频电话、监控系统、跟踪系统、运动检测系统、图像稳定系统等的各种电子装置/系统。

上述是示例性实施例的举例说明，并不被解释为其限制。尽管已经描述了一些示例性实施例，但是本领域的技术人员将容易领会的是，在实质上不脱离本发明的新颖教导和优点的情况下，在示例性实施例中许多修改是可能的。因此，所有这样的修改意图包括在权利要求所限定的本发明的范围内。因此，将理解的是，上述是各种示例性实施例的举例说明，并不被解释为限制于所公开的特定示例性实施例，对于所公开的示例性实施例的修改和其他示例性实施例意图被包括在权利要求的范围内。

Claims

1.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括：

基底，包括多个像素区，所述多个像素区中的每个包括发光区和透射区；

第一电极，设置在所述基底的所述发光区上；

第二电极，与所述第一电极相对；

有机发光层，设置在所述基底的所述发光区上并设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

辅助电极，设置在所述基底的所述透射区上并电连接到所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述辅助电极包括导电层和导电图案。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电层和所述第一电极包括相同的材料。

4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电层和所述第一电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化镁、氧化钛、石墨烯、碳纳米管和聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电图案包括在第一方向上延伸的多条导线，所述第一方向平行于所述基底的顶表面，以及

所述多条导线在第二方向上彼此分隔开，所述第二方向垂直于所述第一方向并平行于所述基底的所述顶表面。

6.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电图案包括在第一方向和第二方向上延伸以彼此交叉的多条导线，并且

所述第一方向和所述第二方向平行于所述基底的顶表面并彼此垂直。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述多条导线中的每条导线的宽度小于所述多条导线中的相邻导线之间的距离。

8.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电图案包括电阻率低于所述导电层的电阻率的材料。

9.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述导电图案包括石墨烯、碳纳米管、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐、金属纳米线、银和金中的至少一种。

10.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还包括：

空穴注入层，在所述第一电极与所述有机发光层之间；

空穴传输层，在所述空穴注入层与所述有机发光层之间；

电子注入层，在所述第二电极与所述有机发光层之间；

电子传输层，在所述电子注入层与所述有机发光层之间；

接触件，穿过所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子注入层和所述电子传输层电连接到所述第二电极和所述辅助电极；以及

辅助布线，与所述导电图案直接接触，所述辅助布线设置在所述接触件与所述辅助电极之间。