CN112701114B - 背光装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种背光装置及其制作方法，所述方法通过采用黄光工艺制备反射层于所述背光装置内，以得到高精度且膜厚均一的反射层，相比于现有技术，提高了背光装置的背光亮度以及光效。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种背光装置及其制作方法。
背景技术
随着面板显示行业的发展，面板制造技术将朝着更低的成本、更高的发光效率的方向行进。
目前，Mini-LED LocalDimming 背光因为亮度高、寿命长、不“烧屏”、功耗低、成本低以及可靠性和适应性高的优势，已成为挑战OLED显示的一项技术。
但是，现有的Mini-LED背光装置制备过程中，需要利用钢网涂敷白油以提升发光的反射率，但是白油工艺制作粗糙，精准度差，厚度均一性控制不佳，进而影响发光的均一，降低了光效。
发明内容
本申请实施例提供一种背光装置及其制作方法，能够解决现有技术中因反射层工艺粗糙，精准度差，使得反射层的厚度不均一，进而影响发光效果以及光效的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种背光装置的制作方法，所述背光装置包括电晶体区以及装贴区，所述方法包括：
S10、于基板上制备对应所述电晶体区的电晶体器件、对应所述装贴区的信号导线以及位于所述电晶体器件与所述信号导线上方的间隔层，其中所述间隔层在对应所述信号导线处形成有第一开口，以暴露所述信号导线的上表面；
S20、采用黄光工艺制备反射层于所述间隔层上，其中所述反射层在对应所述第一开口处形成第二开口，以暴露所述信号导线的上表面；以及
S30、对应所述第一开口以及所述第二开口依次制备导通件以及发光件于所述信号导线上，以形成所述背光装置。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S10包括：在所述电晶体区以及所述装贴区形成第一金属层以及位于所述第一金属层上方的第二金属层，其中，所述电晶体器件包括位于所述第一金属层的栅极，以及位于所述第二金属层的源极和漏极。
在本申请的一种实施例中，所述第一金属层以及所述第二金属层位于所述装贴区的部分叠加形成所述信号导线，所述发光件包括正极端子以及负极端子，且所述信号导线包括与所述正极端子电性连接的第一信号导线以及与所述负极端子电性连接的第二信号导线。
在本申请的一种实施例中，所述背光装置还包括绑定区以及电源，且所述绑定区内设置有与所述电源电性连接的导线，所述步骤S10包括：在所述绑定区形成所述第一金属层与所述第二金属层、以及与所述第二金属层电性连接的导电膜层，以共同组成所述导线。
在本申请的一种实施例中，所述电源的正极通过所述导线与所述源极电性连接，所述漏极通过所述第一信号导线与所述正极端子电性连接，所述负极端子通过所述第二信号导线与所述电源的负极电性连接。
在本申请的一种实施例中，所述正极端子包括红色正极端子、绿色正极端子以及蓝色正极端子，所述负极端子包括红色负极端子、绿色负极端子以及蓝色负极端子。
在本申请的一种实施例中，所述导通件的厚度大于所述第一开口与所述第二开口的深度之和。
在本申请的一种实施例中，所述步骤S30还包括：制备保护层于所述反射层上，并覆盖所述反射层以及所述发光件。
在本申请的一种实施例中，所述反射层的材料包括聚酰亚胺材料或硅基材料。
根据本申请的上述目的，提供一种背光装置，所述背光装置包括电晶体区以及装贴区，且所述背光装置还包括：
基板；
电晶体器件，对应所述电晶体区设置于所述基板上；
信号导线，对应所述装贴区设置于所述基板上；
间隔层，对应所述电晶体区以及所述装贴区设置于所述电晶体器件与所述信号导线上方，其中所述间隔层在对应所述信号导线处形成有第一开口，以暴露所述信号导线的上表面；
反射层，设置于所述间隔层上，且所述反射层对应所述第一开口处设置有第二开口，以暴露所述信号导线的上表面；
导通件，对应设置于所述第一开口以及所述第二开口内，并与所述信号导线电性连接；以及
发光件，设置于所述导通件上，并通过所述导通件与所述信号导线电性连接。
本申请的有益效果：本申请通过采用黄光工艺制备反射层，以制得具有高精度、厚度均一的反射层，进而提高了背光装置发光的均一性和亮度，提高了光效。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的背光装置制作方法流程图。
图2为本申请实施例提供的背光装置制作流程结构示意图。
图3为本申请实施例提供的背光装置制作流程结构示意图。
图4为本申请实施例提供的背光装置制作流程结构示意图。
图5为本申请实施例提供的背光装置结构示意图。
图6为本申请实施例提供的发光件顶视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的背光装置及其制作方法，因反射层工艺粗糙，精准度差，使得反射层的厚度不均一，进而影响发光效果以及光效的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种背光装置的制作方法，所述背光装置包括电晶体区以及装贴区，所述方法包括：
S10、于基板上制备对应所述电晶体区的电晶体器件、对应所述装贴区的信号导线以及位于所述电晶体器件与所述信号导线上方的间隔层，其中所述间隔层在对应所述信号导线处形成有第一开口，以暴露所述信号导线的上表面。
S20、采用黄光工艺制备反射层于所述间隔层上，其中所述反射层在对应所述第一开口处形成第二开口，以暴露所述信号导线的上表面；以及
S30、对应所述第一开口以及所述第二开口依次制备导通件以及发光件于所述信号导线上，以形成所述背光装置。
在实施应用过程中，现有的背光装置在制备过程中，需要利用钢网涂敷白油以提升发光的反射率，但是白油工艺制作粗糙，精准度差，厚度均一性控制不佳，进而影响发光的均一，降低了光效，而本申请实施例中通过采用黄光工艺制备反射层，以制得具有高精度、厚度均一的反射层，进而提高了背光装置发光的均一性和亮度，提高了光效。
具体地，请结合图1、图2、图 3、图4以及图5所示，为本申请实施例提供的背光装置的制作方法流程图以及结构示意图，所述背光装置包括电晶体区106以及装贴区107，所述方法包括：
S10、于基板101上制备对应所述电晶体区106的电晶体器件102、对应所述装贴区107的信号导线103以及位于所述电晶体器件102与所述信号导线103上方的间隔层104，其中所述间隔层104在对应所述信号导线103处形成有第一开口105，以暴露所述信号导线103的上表面。
更进一步地，首先提供所述基板101，并对应所述电晶体区106和所述装贴区107制备第一金属层114于所述基板101上，其中，所述第一金属层114包括对应所述电晶体区106的栅极，以及对应所述装贴区107的所述信号导线103的第一部分。
形成栅绝缘层1041于所述基板101上，且所述栅绝缘层1041覆盖所述电晶体器件102的栅极，并在对应所述信号导线103的位置形成有开口，以暴露所述信号导线103的第一部分的上表面，接着制备所述电晶体器件102的有源层于所述栅绝缘层1041上，且制备第一绝缘层1042于所述栅绝缘层1041上并覆盖所述电晶体器件102的有源层，所述第一绝缘层1042在对应所述信号导线103的位置形成有开口，以暴露所述信号导线103的第一部分的上表面。
再制备第二金属层115于所述第一绝缘层1042上，且所述第二金属层115包括对应所述电晶体器件102的源极和漏极，以及位于所述第一部分上的第二部分，其中，所述第一金属层114与所述第二金属层115位于所述装贴区107的部分叠加形成所述信号导线103，即所述第一部分与所述第二部分叠加形成所述信号导线103。
接着制备所述第二绝缘层1043于所述第二金属层115上，其中，所述第二绝缘层1043在位于所述信号导线103的位置形成有开口，以暴露所述信号导线103的上表面，即所述栅绝缘层1041、所述第一绝缘层1042以及所述第二绝缘层1043组成的所述间隔层104，在对应所述信号导线103处形成有所述第一开口105，以暴露所述信号导线103的上表面。
需要说明的是，所述背光装置还包括电源（图中并未示出）以及绑定区108，且所述绑定区108内设置有与所述电源电性连接的导线，则所述步骤S10包括：在所述绑定区108形成所述第一金属层114与所述第二金属层115、以及与所述第二金属层115电性连接的导电膜层116，以共同组成所述导线。
在本申请实施例中，所述第一金属层114以及所述第二金属层115各自独立地包括铜或铝，所述导电膜层116可以为ITO材料，其中，所述信号导线103的第二部分对应的所述第二金属层115的材料为铜，以增强信号的传递。
S20、采用黄光工艺制备反射层109于所述间隔层104上，其中所述反射层109在对应所述第一开口105处形成第二开口110，以暴露所述信号导线103的上表面。
采用黄光工艺，利用掩膜板在所述间隔层104上制备所述反射层109，所述反射层109对应覆盖所述电晶体区106以及绑定区108，所述装贴区107不覆盖所述反射层109，以得到具有高精度的反射膜层，提高背光的反射精度，且由于黄光工艺的精度高，可以提高所述反射层109的膜厚均一性，进而提高了背光的反射率，提高了所述背光装置的光效。
在本申请实施例中，所述反射层109的材料包括聚酰亚胺材料或硅基材料，或其他白色有机材料，以对背光产生反射作用，其次，由于黄光工艺的高精度，进而使得所述反射层109的厚度可控，以得到满足实施要求的背光装置，更进一步地，在本申请实施例中，所述反射层109对于波长介于380nm~700nm的白光的反射率大于85%，对于波长为700nm的红光的反射率大于85%，且其他波段的红光可以大于或者小于85%，在此不作限定，对应波长为550nm的绿光的反射率大于85%，且其他波段的绿光可以大于或者小于85%，在此不作限定，对应波长为450nm的蓝光的反射率大于85%，且其他波段可以大于或者小于85%，在此不作限定。
S30、对应所述第一开口105以及所述第二开口110依次制备导通件111以及发光件112于所述信号导线103上，以形成所述背光装置。
在所述第一开口105与所述第二开口110中制备导通件111，且所述导通件111包括锡膏，并在所述导通件111上制备发光件112，且所述发光件112通过所述导通件111与所述信号导线103电性连接，其中，所述导通件111的厚度大于所述第一开口105与所述第二开口110的深度之和，以使所述发光件112突出于所述反射层109表面，使得更多的光可以照射出来，并经过所述反射层109的反射以形成背光，提高所述背光装置的亮度以及光效。
所述发光件112可以包括红色光源、绿色光源以及蓝色光源，经混合可以发出任意颜色的背光。
更进一步地，请参照图5和图6所示，所述发光件112包括正极端子1121以及负极端子1122，对应的，所述信号导线103包括与所述正极端子1121电性连接的第一信号导线1031以及与所述负极端子1122电性连接的第二信号导线1032，其中，所述正极端子1121、所述负极端子1122与所述信号导线103均是通过所述导通件111电性连接。
在本申请实施例中，所述电源的正极通过所述导线与所述电晶体器件102的源极电性连接，所述电晶体器件102的漏极通过所述第一信号导线1031与所述正极端子1121电性连接，所述负极端子1122通过所述第二信号导线1032与所述电源的负极电性连接，已完成所述发光件112的通电需求，实现所述发光件112的发光。
另外，所述正极端子1121包括红色正极端子1121a、绿色正极端子1121b以及蓝色正极端子1121c，所述负极端子1122包括红色负极端子1122a、绿色负极端子1122b以及蓝色负极端子1122c，对应的，所述第一信号导线1031包括与所述红色正极端子1121a电性连接的第一红色信号导线1031a、与所述绿色正极端子1121b电性连接的第一绿色信号导线1031b以及与所述蓝色正极端子1121c电性连接的第一蓝色信号导线1031c，所述第二信号导线1032包括与所述红色负极端子1122a电性连接的第二红色信号导线1032a、与所述绿色负极端子1122b电性连接的第二绿色信号导线1032b以及与所述蓝色负极端子1122c电性连接的第二蓝色信号导线1032c。
在本申请的一种实施例中，每个所述发光件112对应一个所述电晶体器件102，即每个所述发光件112上的红色、绿色以及蓝色光通过同一个所述电晶体器件102控制，以实现同开同关。
在本申请的另一种实施例中，每个所述发光件112至少对应三个所述电晶体器件102，即所述红色光源、所述绿色光源以及所述蓝色光源均通过各自不同的所述电晶体器件102控制，以实现每个所述发光件112中不同颜色的光可以自由开关，以得到色域更广的背光。
需要说明的是，本申请实施例提供的图示仅为所述背光装置的结构示意图，其中电源与电晶体器件之间，电源与发光件之间，电晶体器件与发光件之间均是通过信号导线、导线以及不同膜层之间开设的过孔进行搭接，图示中并未完全示出，且上述连接方式也可参照常规技术进行设置，在此不再赘述。
另外，本申请实施例提供的背光装置可以包括有多个电晶体区106以及多个装贴区107，所述绑定区108可以设置于所述多个电晶体区106以及所述多个装贴区107的外围，且所述多个电晶体区106与所述多个装贴区107一一对应，以实现每个所述发光件112的单独控制，具体地，可根据每个所述电晶体区106内设置的电晶体器件102的数量，以实现其对应的所述装贴区107内的所述发光件112上的不同颜色的光源是同步控制或分步控制。
所述步骤S30还包括：制备保护层113于所述反射层109上，并覆盖所述反射层109以及所述发光件112，且所述保护层113为透明材料制成，在起到保护作用的同时，亦不会影响所述背光装置的透光性能。
综上所述，本申请实施例提供的背光装置的制作方法，通过采用黄光工艺制备反射层，利用黄光工艺的高精度以及参数可控，以得到精度高、膜厚均一的反射层，进而提高了背光装置发光的均一性和亮度，提高了光效。
在本申请实施例中，还提供一种背光装置，且所述背光装置为上述实施例中提供的背光装置的制作方法制得背光装置，请参照图2至图5所示，其中，所述背光装置包括电晶体区106以及装贴区107，且所述背光装置还包括：基板101；电晶体器件102，对应所述电晶体区106设置于所述基板101上；信号导线103，对应所述装贴区107设置于所述基板101上；间隔层104，对应所述电晶体区106以及所述装贴区107设置于所述电晶体器件102与所述信号导线103上方，其中所述间隔层104在对应所述信号导线103处形成有第一开口105，以暴露所述信号导线103的上表面；反射层109，设置于所述间隔层104上，且所述反射层109对应所述第一开口105处设置有第二开口110，以暴露所述信号导线103的上表面；导通件111，对应设置于所述第一开口105以及所述第二开口110内，并与所述信号导线103电性连接；以及发光件112，设置于所述导通件111上，并通过所述导通件111与所述信号导线103电性连接，且所述背光装置的其他结构均可与上述实施例所述相同，在此不再赘述。
本申请实施例提供一种具有高精度、膜厚均一的反射层的背光装置，提高了背光装置的光亮度以及光效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种背光装置及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种背光装置的制作方法，所述背光装置包括电晶体区以及装贴区，其特征在于，所述方法包括：
S10、于基板上制备对应所述电晶体区的电晶体器件、对应所述装贴区的信号导线以及位于所述电晶体器件与所述信号导线上方的间隔层，其中所述间隔层在对应所述信号导线处形成有第一开口，以暴露所述信号导线的上表面，其中，在所述电晶体区以及所述装贴区形成第一金属层以及位于所述第一金属层上方的第二金属层，所述电晶体器件包括位于所述第一金属层的栅极，以及位于所述第二金属层的源极和漏极，所述第一金属层以及所述第二金属层位于所述装贴区的部分叠加形成所述信号导线；
S20、采用黄光工艺制备反射层于所述间隔层上，其中所述反射层在对应所述第一开口处形成第二开口，以暴露所述信号导线的上表面；以及
S30、对应所述第一开口以及所述第二开口依次制备导通件以及发光件于所述信号导线上，以形成所述背光装置。
2.根据权利要求1所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述发光件包括正极端子以及负极端子，且所述信号导线包括与所述正极端子电性连接的第一信号导线以及与所述负极端子电性连接的第二信号导线。
3.根据权利要求2所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述背光装置还包括绑定区以及电源，且所述绑定区内设置有与所述电源电性连接的导线，所述步骤S10包括：在所述绑定区形成所述第一金属层与所述第二金属层、以及与所述第二金属层电性连接的导电膜层，以共同组成所述导线。
4.根据权利要求3所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述电源的正极通过所述导线与所述源极电性连接，所述漏极通过所述第一信号导线与所述正极端子电性连接，所述负极端子通过所述第二信号导线与所述电源的负极电性连接。
5.根据权利要求2所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述正极端子包括红色正极端子、绿色正极端子以及蓝色正极端子，所述负极端子包括红色负极端子、绿色负极端子以及蓝色负极端子。
6.根据权利要求1所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述导通件的厚度大于所述第一开口与所述第二开口的深度之和。
7.根据权利要求1所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述步骤S30还包括：制备保护层于所述反射层上，并覆盖所述反射层以及所述发光件。
8.根据权利要求1所述的背光装置的制作方法，其特征在于，所述反射层的材料包括聚酰亚胺材料或硅基材料。
9.一种背光装置，所述背光装置包括电晶体区以及装贴区，其特征在于，所述背光装置采用如权利要求1至8任一项所述的背光装置的制作方法制得，所述背光装置包括：
所述基板；
所述电晶体器件，对应所述电晶体区设置于所述基板上；
所述信号导线，对应所述装贴区设置于所述基板上；
所述间隔层，对应所述电晶体区以及所述装贴区设置于所述电晶体器件与所述信号导线上方，其中所述间隔层在对应所述信号导线处形成有所述第一开口，以暴露所述信号导线的上表面；
所述反射层，设置于所述间隔层上，且所述反射层对应所述第一开口处设置有所述第二开口，以暴露所述信号导线的上表面；
所述导通件，对应设置于所述第一开口以及所述第二开口内，并与所述信号导线电性连接；以及
所述发光件，设置于所述导通件上，并通过所述导通件与所述信号导线电性连接。
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN108535916A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 直下式背光模组及其制作方法 |
| CN109270698A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-01-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 光线准直薄膜及其应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW563250B (en) * | 2002-10-11 | 2003-11-21 | Highlink Technology Corp | Full-color display device |
| US9070900B2 (en) * | 2008-11-13 | 2015-06-30 | Joled Inc | Method of manufacturing display, and display |
| CN110189642B (zh) * | 2018-02-22 | 2021-10-26 | 和鑫光电股份有限公司 | 显示装置 |
| CN110018593B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-05-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 板上芯片封装基板及其制作方法、显示装置、电子设备 |
| CN110265586A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-20 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN112071830B (zh) * | 2020-09-10 | 2021-09-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 基板和基板的制备方法 |
-
2020
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108535916A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 直下式背光模组及其制作方法 |
| CN109270698A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-01-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 光线准直薄膜及其应用 |
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