CN101340751B - 显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示器，包括受主基板，该受主基板上具有红色发光元件列、绿色发光元件列和蓝色发光元件列，这些发光元件列沿行方向排列，并且它们中的每一个都通过沿有机发光元件的长度方向排列用于生成红色、绿色和蓝色光的矩形有机发光元件来获得。通过本发明，抑制了亮度不均匀、颜色不均匀、发光效率降低等，提高了显示质量。

Description

显示器
相关申请的交叉参考
本发明包含涉及于2007年3月14日提交到日本专利局的日本专利申请JP 2007-064787的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种采用具有通过热转印(transfer)法获得的转印发光层的有机发光元件的显示器。
背景技术
作为有机发光元件的一种制造方法，已经公开了采用热转印的图样制造法。在热转印法中，形成通过在支撑部上形成包含发光材料的转印层所形成的施主(donor)组件。随后，将该施主组件设置为与用于形成有机发光元件的受主(acceptor)基板相对，以及通过在低压环境下照射辐射线来将转印层转印到受主基板。作为支撑部，在一些情况下使用诸如玻璃的刚性材料(参照例如日本专利公开第2006-309994号(专利文件1))，以及在其它情况下使用软膜(参照例如日本专利公开第2003-168569号(专利文件2))。在后一种情况下，以使施主组件与受主基板上的电极完全接触的方式来执行转印。在前一种情况下，在受主基板上设置用于限定发光区的绝缘层。随后，在使施主基板与受主基板间隔等于该绝缘层高度的距离的状态来执行照射辐射线，以使转印层升华或蒸发，从而将转印层转引到受主基板。
然而，如专利文件1所述，如果将诸如玻璃的刚性材料用作施主组件的支撑部，则由于抑制了发光区中的转印发光层的膜厚分布和与相邻发光区的颜色混合，所以存在改进用于限定发光区的绝缘层的尺寸和形状以及转印图样的宽度和位置的余量。
在日本专利公开第2003-168569号中，公开了针对升华或蒸发转印层的转引法中的边缘图样的对策。然而，在该文献中没有描述用于抑制发光区中的转印发光层的膜厚分布和避免颜色混合的根本方法。
此外，担心在如图30A所示的转引步骤中发生所谓的逆转印(reverse transfer)。具体地，在转印步骤中，通过使用与大气压的压差，使其上形成有转印层850的施主基板840与其上形成有第一电极813、绝缘层814、以及空穴注入层和空穴传输层815AB的受主基板811紧密接触。因此，施主基板840的紧密接触压力可能引起已经沉积的空穴注入层和空穴传输层815AB的压力转印。当对施主基板840的加压施加转印时通过激光加热时，容易发生这种逆转印现象。如果发生了逆转印，则扰乱了受主基板811上空穴注入层和空穴传输层的沉积表面，从而如图30所示，产生通过由逆转印所导致的缺陷的电流泄漏CL。这种电流泄漏CL引起在显示器发光时出现线条不均匀和斑点不均匀的问题。为此，期望进行逆转印的确实抑制。
发明内容
需要本发明提供一种显示器，其抑制了发光区中转印发光层的膜厚分布，并提高了显示质量。
根据本发明的一种模式，提供了一种显示器，包括受主基板，被配置为在其上具有红色发光元件列、绿色发光元件列和蓝色发光元件列，其中，这些发光元件列沿行方向排列并且通过沿有机发光元件的长度方向排列用于生成红色、绿色和蓝色中的一种光的矩形有机发光元件来获得。有机发光元件包括：第一电极；绝缘层，具有与第一电极的发光区相对应的开口；有机层，包括发光层，并至少形成在发光区上；以及第二电极。至少在红色发光元件列和绿色发光元件列中的发光层是转印发光层，其中，通过以其上形成有第一电极和绝缘层的受主基板和其上形成有包含发光材料的转印层的施主基板在其间夹置绝缘层来彼此相对的方式设置受主基板和施主基板，以及通过辐射线执行照射来升华或蒸发转印层，从而至少将转印层转印到发光区来形成转印发光层。如果从发光区的末端引出的绝缘层的切线与施主基板表面的交点为A，并且从A引出的受主基板的垂线与绝缘层表面的交点为C，则转印发光层包括C。如果绝缘层的侧面是倾斜面或凸面，则如上所述，术语“切线”是指从发光区的末端引出的绝缘层的切线。相反，如果绝缘层的侧面是凹面，则“切线”是指用于连接发光区的末端与绝缘层侧面上多个位置中朝向发光区最突出的位置的直线。
在根据本发明这种模式的显示器中，在从发光区的末端引出的绝缘层的切线与施主基板表面的交点为A并且从A引出的受主基板的垂线与绝缘层表面的交点为C的定义下，转印发光层包括C。该特征提供了发光区中转印发光层的膜厚的更窄分布。因此，抑制了亮度不均匀、颜色不均匀、发光效率降低等，提高了显示质量。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的显示器结构的示意图；
图2是示出图1所示像素驱动电路的一个实例的示意图；
图3是示出图1所示显示区结构的平面图；
图4是示出图3所示有机发光元件结构的截面图；
图5是示出用于制造图1所示显示器的方法的中间步骤以及示出受主基板和施主基板之间的位置关系的截面图；
图6是示出图5的步骤之后的步骤以及示出在有机发光元件的发光层、第一电极的发光区和绝缘层之间的位置关系的截面图；
图7是示出图6所示步骤中形成的发光层的平面图；
图8是示出图5所示绝缘层的修改实例的截面图；
图9是示出图5所示绝缘层的另一修改实例的截面图；
图10是示出图5所示绝缘层的又一修改实例的截面图；
图11是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图12A和图12B是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图13A和图13B是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图14A和图14B是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图15是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图16是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图17是示出图5所示绝缘层的再一修改实例的截面图；
图18A和图18B是示出根据本发明第二实施例的显示器中的绝缘层形状的截面图；
图19A和图19B是示出图18A和图18B所示绝缘层的修改实例的截面图；
图20A和图20B是示出图18A和图18B所示绝缘层的另一修改实例的截面图；
图21A和图21B是示出图18A和图18B所示绝缘层的又一修改实例的截面图；
图22是示出关于工作实例1的结果的曲线图；
图23是示出了关于工作实例2的结果的曲线图；
图24是示出包括根据任意实施例的模块的示例性结构的平面图；
图25是示出根据任意实施例的显示器的应用实例1外观的透视图；
图26A和图26B是分别示出显示器的应用实例2的前侧和后侧的外观的透视图；
图27是示出显示器的应用实例3的外观的透视图；
图28是示出显示器的应用实例4的外观的透视图；
图29A～图29G是示出显示器的应用实例5的视图，其中，A和B分别是打开状态的前视图和侧视图，以及C、D、E、F和G分别是关闭状态的前视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图；以及
图30A和图30B是用于解释现有技术的转印方法的问题的示图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本发明的实施例。
(第一实施例)
图1示出了根据本发明第一实施例的显示器结构。该显示器被用作超薄有机发光彩色显示器等。例如，对于该显示器，在由玻璃构成的受主基板11上形成稍后进行描述的多个有机发光元件10R、10G和10B以矩阵形式配置在其中的显示区110。此外，在该显示区110周围，形成信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130作为用于视频显示的驱动器。
像素驱动电路140形成在显示区110中。图2示出了像素驱动电路140的一个实例。该像素驱动电路140形成在稍后描述的第一电极下方，并且是包括驱动晶体管Tr1、写晶体管Tr2、在这些晶体管之间的电容器(保持电容器)Cs、以及在第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间与驱动晶体管Tr1串连连接的有机发光元件10R(或10G、10B)的有源型驱动电路。由普通的薄膜晶体管(TFT)形成驱动晶体管Tr1和写晶体管Tr2。例如，不特别限制这些晶体管的结构：这些晶体管可以具有反交错(reverse-stagger)结构(所谓的底栅结构)或交错结构(顶栅结构)。
对于像素驱动电路140，多条信号线120A沿列方向配置，并且多条扫描线130A沿行方向配置。信号线120A与扫描线130A的每个交点都对应于任意一个有机发光元件10R、10G和10B(子像素)。每条信号线120A都连接至信号线驱动电路120。经由信号线120A，将图像信号从该信号线驱动电路120提供给写晶体管Tr2的源极。每条扫描线130A都连接至扫描线驱动电路130。经由扫描线130A，将扫描信号从该扫描线驱动电路130顺序提供给写晶体管Tr2的栅极。
图3示出了显示区110的平面结构的一个实例。在显示区110中，用于生成红色光的有机发光元件10R、用于生成绿色光的有机发光元件10G和用于生成蓝色光的有机发光元件10B依次总体上形成为矩阵。有机发光元件10R、10G和10B的每一个均具有矩形的平面形状，并沿元件的长度方向(列方向)排列元件而形成红色发光元件列110R、绿色发光元件列110G和蓝色发光元件列110B。这些红色发光元件列110R、绿色发光元件列110G和蓝色发光元件列110B在显示区110中沿行方向排列。相邻有机发光元件10R、10G和10B的组合用作一个像素10。像素间隙为例如300μm。
图4示出了图3所示有机发光元件10R、10G和10B的截面结构。有机发光元件10R、10G和10B中的每一个都具有上述像素驱动电路140中的驱动晶体管(未示出)和平面化绝缘膜(未示出)夹在中间从基板侧顺序堆叠作为阳极的第一电极13、绝缘层14、包括稍后描述的发光层15C的有机层15以及作为阴极的第二电极16而获得的结构。
通过由氮化硅(SiNx)构成的保护膜17覆盖有机发光元件10R、10G和10B。此外，通过夹在中间的粘着层20将由玻璃等构成的密封基板30粘接到该保护膜17的整个表面上，使得有机发光元件10R、10G和10B被密封。
第一电极13包括例如ITO(铟锡氧化物)。
绝缘层14应确保第一电极13和第二电极16之间的绝缘，并使发光区精确地具有期望形状。例如，绝缘层14由诸如聚酰亚胺的感光树脂构成。在绝缘层14中，对应于第一电极13的发光区13A设置开口。不仅可以在发光区13A上而且可以在绝缘层14上连续设置有机层15和第二电极16。然而，仅在绝缘层14的开口中进行发光。
有机层15具有通过从第一电极侧顺序堆叠空穴注入层和空穴传输层15AB、发光层15C以及电子传输层和电子注入层15DE而获得的结构。然而，根据需要设置除发光层15C之外的层。有机层15可具有根据由有机发光元件10R、10G和10B发出的光的颜色的不同结构。空穴注入层用于提高空穴注入效率，并且是作为防止泄露的缓冲层。空穴传输层用于提高到发光层15C的空穴传输的效率。在发光层15C中，发生电子和空穴之间的再组合，从而响应于电场施加而产生光。电子传输层用于提高到发光层15C的电子传输的效率。电子注入层具有例如约0.3nm的厚度，并由LiF、Li2O等组成。在图4中，空穴注入层和空穴传输层被表示为一层(空穴注入层和空穴传输层15AB)，以及电子传输层和电子注入层被表示为一层(电子传输层和电子注入层15DE)。
有机发光元件10R的空穴注入层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由4，4′，4″-三(甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4，4′，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯胺(2-TNATA)构成。有机发光元件10R的空穴传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(α-NPD)构成。有机发光元件10R的发光层15C具有10～100nm范围内的厚度，并例如由掺杂30-wt.％的2.6≡双[(4′≡甲氧基二苯基氨氰)苯乙烯基]≡1.5≡二腈氰基萘(BSN)的9，10-二-(2-萘基)蒽(ADN)构成。有机发光元件10R的电子传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由8≡羟基喹啉铝(Alq3)构成。
有机发光元件10G的空穴注入层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由m-MTDATA或2-TNATA构成。有机发光元件10G的空穴传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由α-NPD构成。有机发光元件10G的发光层15C具有10～100nm范围内的厚度，并例如由掺杂5-wt.％的香豆素6的AND构成。有机发光元件10G的电子传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由Alq3构成。
有机发光元件10B的空穴注入层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由m-MTDATA或2-TNATA构成。有机发光元件10B的空穴传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由α-NPD构成。有机发光元件10B的发光层15C具有10～100nm范围内的厚度，并例如由掺杂2.5-wt.％的4，4′≡双[2≡{4≡(N，N≡二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)的AND构成。有机发光元件10B的电子传输层具有5～300nm范围内的厚度，并例如由Alq3构成。
图5和图6示出了有机发光元件10R、10G和10B的发光层15C、第一电极13的发光区13A以及绝缘层14的位置关系。如上所述，有机发光元件10R、10G和10B的发光层15C为如下形成的转印发光层。具体地，在其间具有绝缘层14的情况下，其上形成有第一电极13和绝缘层14的受主基板11和其上形成有包含发光材料的转印层50的施主基板40彼此相对设置。在这种状态下，执行激光照射以升华或蒸发转印层50，从而将转印层50至少转印到发光区13A。此外，在从发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为A，并且从A引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为C的定义下，发光层15被形成为包括C。
图4所示的第二电极16具有5～50nm范围内的厚度，并且例如由诸如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、或钠(Na)、或这些金属中任一的合金的基础金属组成。其中，优选镁银合金(MgAg合金)和铝(Al)锂(Li)合金(AlLi合金)。
图4所示的保护膜17用于防止水等进入有机层15。其由具有低透水性和低吸水性的材料构成，并具有足够的厚度。此外，保护膜17对于由发光层15C生成的光具有高透射性：其例如由具有80％以上的透射率的材料构成。这种保护膜17具有约2～3μm范围的厚度，并例如由无机非晶绝缘材料构成。具体地，优选非晶硅(α-Si)、非晶碳化硅、非晶氮化硅(α-Si1-xNx)和非晶碳(α-C)。这些无机非晶绝缘材料不包括颗粒，因此具有低透水性，从而用作良好的保护膜17。可选地，保护膜17可由诸如ITO的透明导电材料构成。
图4所示的粘着层20由例如热固性树脂或UV-固化树脂构成。
图4所示的密封基板30位于有机发光元件10R、10G和10B的第二电极侧。其将有机发光元件10R、10G和10B和粘着层20密封到一起，并由具有对由有机发光元件10R、10G和10B生成的光透明的材料(例如，玻璃)构成。密封基板30可设置有例如滤色器(未示出)，使得可以通过滤色器提取由有机发光元件10R、10G和10B生成的光，并且可以通过滤色器吸收由有机发光元件10R、10G和10B以及在这些元件之间的互连配线反射的外部光，从而提高对比度。
尽管滤色器可设置在密封基板30的任一表面上，但优选将滤色器设置在接近有机发光元件10R、10G和10B的表面上。这是因为滤色器没有暴露给外部，而可以被粘着层20保护。此外，这是因为发光层15C和滤色器之间的距离较小，因此可以避免由于从发光层15C发射的光进入另一种颜色的滤色器而发生颜色混合。滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(图中未示出它们中的任一个)，并且对应于有机发光元件10R、10G和10B依次设置这些滤色器。
红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的每一个都形成为矩形，而未在滤色器之间留下间隙。红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的每一个都由与颜料混合的树脂构成。通过选择颜料，调整滤色器的光学透射比，使得预期的红色、绿色和蓝色波长范围的光学透射比较高，而其他波长范围的光学透射比较低。
例如，以下列方式制造这种显示器。
首先，制备包括上述材料的受主基板11，并在该受主基板11上形成每一个均包括驱动晶体管的像素驱动电路140。然后，通过在整个表面上涂敷感光树脂来形成平面化绝缘膜，然后执行曝光和显影，从而将膜图样化为预定形状，并形成用于连接驱动晶体管和第一电极13的连接孔(未示出)，然后进行烧制。
然后，通过例如溅射形成包含上述材料的第一电极13，然后通过例如干蚀刻将其处理为预定形状。在受主基板11上的预定位置处，形成用于在稍后描述的转印步骤中与施主基板对准的对准掩模。
随后，在受主基板11的整个表面上涂敷感光树脂，然后通过例如光刻法对应于发光区设置开口，接着进行烧制。结果，形成绝缘层14。
此后，通过例如蒸镀，顺序沉积具有上述厚度并由上述材料构成的空穴注入层和空穴传输层15AB。
在形成空穴注入层和空穴传输层15AB之后，通过热转印法形成发光层15C。具体地，如图5所示，其上形成有第一电极13和绝缘层14的受主基板11以及其上形成有包含发光材料的转印层50的施主基板40以其间夹置绝缘层14而被设置为彼此相对，并在真空的环境下使两个基板彼此紧密接触。此后，以通过使用真空保持框来保持两个表面之间的真空的方法，将基板暴露于大气压环境。因此，由于基板内部和外部之间的压差，施主基板40与受主基板11进行均匀地紧密接触。然而，在施主基板40上转印层50的表面与受主基板11上的空穴注入层和空穴传输层15AB(图6中未示出)的表面之间保持等于绝缘层14的厚度(高度)的距离。
然后，执行激光照射，以升华或蒸发传输层50，从而将转印层50至少转印到发光区13A上。因此，如图6和图7所示，形成发光层15C。此时，在从发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为A，并且从A引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为C的定义下，发光层被形成为包括C。该特征使该显示器抑制了发光区13A中发光层15C的膜厚分布，并提高了显示质量。
此外，在从沿行方向邻近于发光区13A的下一发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为B，并且从B引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为D的定义下，优选发光层15C被形成为不包括D。这是因为这种形成方式可以抑制与相邻发光区13A的颜色混合，因此可以提高显示质量。
此外，在沿行方向在发光区13A的两侧上获得的交点C之间的距离为CC，并且交点D之间的距离为DD的定义下，优选将沿行方向的发光层15C的宽度W设置为大于等于CC且小于DD。这是因为这种形成方式可以抑制发光区13A中发光层15C的膜厚分布以及与相邻发光区13A的颜色混合，从而可以提高显示质量。此外，可以容易地优化诸如激光的光点大小的转印条件，因此可以缩短确定该条件所需的时间。此外，可以预测转印的位置精度容限，因此还可以类似于稍后描述的修改实例将绝缘层14设计为用于增大容限的形状。
作为另一特征，优选将发光区13A的末端与绝缘层14和施主基板40之间的接触面(绝缘层14顶面的平坦部分)之间沿行方向的距离d设置为大于等于4μm。这是因为这种特征可以抑制诸如归因于逆转印的线条不均匀和斑点不均匀的不良影响。
例如，通过在通用基板(未示出)上形成光热转换层(未示出)来获得施主基板40。根据需要，可在通用基板和光热转换层之间设置由非晶硅等构成的吸收层，以提高对激光的吸收效率，以及可通过由氮化硅(SiNx)等构成的保护层覆盖光热转换层，以防止光热转换层的氧化。通用基板由具有使其与受主基板11对准的足够坚固并对于激光高透明的材料(例如，玻璃)构成。光热转换层由具有高吸收性的金属材料构成，例如，钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、或包含这些金属中任一种的合金。转印层50包括上述有机发光元件10R、10G和10B的发光层15C的材料，并通过例如真空蒸镀在制备的施主基板40上形成。
在形成了有机发光元件10R、10G和10B的发光层15C之后，通过例如蒸镀形成电子传输层和电子注入层15DE以及第二电极16。以这种方式，形成有机发光元件10R、10G和10B。
在形成了有机发光元件10R、10G和10B之后，在这些元件上形成由上述材料构成的保护膜17。作为用于形成保护膜17的方法，优选沉积颗粒的能量很低使得不会造成对下层的影响的沉积方法，例如蒸镀或CVD。此外，期望在形成第二电极16之后连续执行保护膜17的形成，而不使第二电极16暴露给空气。这是因为这种形成方式可以抑制由于空气中的水和氧气而造成的有机层15的劣化。此外，在保护膜17的这种膜沉积中，期望将沉积温度设置为室温，以防止由于有机层15的劣化而造成的亮度降低，以及将沉积条件设置为使膜应力最小，以防止保护膜17剥离。
此外，例如，通过旋涂等将红色滤色器的材料涂敷到由上述材料构成的密封基板30上，然后通过光刻技术图样化并烧制，从而形成红色滤色器。然后，与红色滤色器类似，顺序形成蓝色滤色器和绿色滤色器。
此后，粘着层20形成在保护膜17上，并且以在其间夹置粘着层20的方式将密封基板30粘着到保护膜17。以这种粘着方式，优选将其上形成有滤色器的密封基板30的表面设置为与有机发光元件10R、10G和10B相对。这种粘着完成了图1所示的显示器。
在由此获得的显示器中，经由写晶体管Tr2的栅电极将扫描信号从扫描线驱动电路130提供给各个像素，并经由写晶体管Tr2将图像信号从信号线驱动电路120保持在保持电容器Cs中。具体地，驱动晶体管Tr1根据保持在保持电容器Cs中的信号而运行。这将驱动电流Id施加给各个有机发光元件10R、10G和10B，从而引起空穴和电子之间的再结合而导致发光。通过第二电极16、滤色器和密封基板30提取该光。
在该显示器中，在从发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为A，并且从A引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为C的定义下，发光层15C被形成为包括C。从而，抑制了发光区13A中发光层15C的膜厚分布。因此，抑制了亮度不均匀、颜色不均匀和发光效率的降低，提高了显示质量。
如上所述，本实施例可以实现发光区13A中发光层15C的膜厚分布，并提高显示质量，这是因为在从发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为A，并且从A引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为C的定义下，发光层15C被形成为包括C。
此外，在从沿行方向邻近发光区13A的下一发光区13A的末端引出的绝缘层14的切线与施主基板40表面的交点为B，并且从B引出的受主基板11的垂线与绝缘层14表面的交点为D的定义下，发光层15C被形成为不包括D。因此，可以抑制与相邻发光区13A的颜色混合，因此可以提高显示质量。
此外，在沿行方向在发光区13A的两侧上获得的交点C之间的距离为CC，并且交点D之间的距离为DD的定义下，将沿行方向的发光层15C的宽度W设置为大于等于CC且小于DD。该特征可以抑制发光区13A中发光层15C的膜厚分布以及与相邻发光区13A的颜色混合，因此可以提高显示质量。此外，可以容易地优化转印条件，因此可以缩短确定该条件所需的时间。此外，可以预测转印的位置精度容限，因此还可以类似于稍后描述的修改实例将绝缘层14设计为用于增大容限的形状。该特征可以进一步提高产量。
此外，将发光区13A的末端与绝缘层14和施主基板40之间的接触面之间的沿行方向的距离d设置为大于等于4μm。该特性可以抑制诸如归因于逆转印的线条不均匀和斑点不均匀的不良影响。
在上述实施例中，绝缘层14的侧面是倾斜面。然而，绝缘层14的侧面可具有如图8所示的凸起状或如图9所示的凹陷状。即，各种修改实例是可行的。
例如，如图10和图11所示，可将凸纹(突出缘或突起)14A设置在绝缘层14的上表面上。如图12A和图12B所示，凸纹14A可沿发光区13A的长度方向和宽度方向延伸。可选地，如图13A和图13B所示，其可仅沿发光区13A的长度方向延伸。此外，可选地，如图14A和图14B所示，其可以以点状方式设置。可以在用于处理绝缘层14的光刻步骤中通过执行二次曝光(double exposure)来形成凸纹14A。
此外，如图15所示，凸纹14A可设置在绝缘层14的每个部分的顶面的两端。可选地，如图16和图17所示，发光区13A两侧上的绝缘层14的形状可以彼此不同。
(第二实施例)
图18A和图18B示出了根据本发明第二实施例的显示器中绝缘层14的形状。在该显示器中，只有有机发光元件10R和10G的发光层15C是通过转印所形成的转印发光层15C，而通过除转印之外的方法(例如，蒸镀)形成有机发光元件10B的发光层15C。此外，如果绝缘层14均等分配给红色、绿色和蓝色发光元件列110R、110G和110B的每一个，则蓝色发光元件列10B中的绝缘层14和施主基板40之间的接触面积(即，凸纹14A顶面的面积)最大。由于这一特征，可在该显示器中抑制其自身的逆转印。因此，可以避免发生线条不均匀和斑点不均匀，从而提高显示质量。此外，可以进一步扩大转印的位置精度容限，因此还可以进一步提高产量。
在用于形成有机发光元件10R和10G的发光层15C(转印发光层)的步骤中，除绝缘层14与施主基板40之间的接触面(凸纹14A的顶面)之外，优选执行激光照射，从而在除该接触面之外的区域上形成有机发光元件10R和10G的发光层15C。这是因为这种形成方式可以在几乎不发生逆转印的情况下转印有机发光元件10R和10G的发光层15C，因此使电流泄露量减少，并抑制显示不均匀的发生。
如图18A和图18B所示，凸纹14A可仅沿发光区13A的长度方向延伸。可选地，如图19A和图19B所示，其可以沿发光区13A的长度方向和宽度方向延伸。此外，可选地，如图20A和图20B所示，其可以仅沿发光区13A的宽度方向延伸。此外，可选地，如图21A和图21B所示，其可以以点状方式设置。
工作实例
下面将示出本发明的具体工作实例。
(工作实例1)
与第一实施例相似，制造包括红色和蓝色有机发光元件10R和10B的显示器。在该制造过程中，测量发光区13A的宽度以及距离CC和DD。结果，发光区13A的宽度为70μm，以及距离CC和DD分别为78μm和122μm。对于有机发光元件10R和10B中的每一个，通过转印形成发光层15C。将激光的射束点的纵轴长度改变为70～130μm范围内的不同值，使得将沿行方向的发光层15C的宽度W改变为70～130μm范围内的不同值。激光的射束点的短轴被固定为20μm，并且移动激光以在垂直于激光射束点长度方向的方向上扫描。分别将激光的波长和能量密度设置为800nm和2.6E-3J/μm2。通过转印获得的发光层15C基本与发光区13A同一中心。
(工作实例2)
除了将图10所示的凸纹14A形成在绝缘层14的顶面以及距离CC和DD分别设置为82μm和118μm，以与工作实例1相同的方法制造显示器。
关于如工作实例1和2获得的显示器，研究有机发光元件10R的发光区13A中发光层15C的膜厚分布以及有机发光元件10B的发光效率。图22中示出了结果。
如图22所示，如果发光层15C不包括C，即，如果发光层15C沿行方向的宽度W小于距离CC，则有机发光元件10R的发光区13A中发光层15C的膜厚分布非常宽。这导致平面内的亮度不均匀和色度不均匀。另一方面，如果发光层15C包括D，即，如果发光层15C沿行方向的宽度W大于距离DD，则相邻有机发光元件10B的发光效率非常低。
即，这证明了如果发光层15C沿行方向的宽度W被设置为大于等于CC且小于DD，则可以抑制发光区13A中发光层15C的膜厚分布和与相邻发光区13A的颜色混合，因此可以提高显示质量。
(工作实例3-1～3-4)
与第一实施例相似，制造包括红色、绿色和蓝色有机发光元件10R、10G和10B的显示器。在该制造过程中，通过调整用于处理绝缘层14的光刻条件，发光区13A的末端与绝缘层14和施主基板40之间的接触面之间沿行方向的距离d被改变为下列值：在工作实例3-1中为5μm；在工作实例3-2中为4μm；在工作实例3-3中为3μm；以及在工作实例3-4中为2μm。
(工作实例4)
与第二实施例相似，制造红色、绿色和蓝色的三种颜色的显示器。在该制造过程中，距离d被设置为15μm以上。
关于如工作实例3-1～3-4和工作实例4获得的显示器，检查显示器发光时是否存在线条不均匀和斑点不均匀。表1中示出了结果。
表1
  距离d(μm)   线条不均匀   斑点不均匀
  工作实例3-1   5   不存在   不存在
  工作实例3-2   4   不存在   不存在
  工作实例3-3   3   不存在   局部存在
  工作实例3-4   2   存在   存在
  工作实例4   15以上   不存在   不存在
如表1所示，与距离d分别被设置为3μm和2μm的工作实例3-3和3-4相比，在距离d被设置为4μm以上的工作实例3-1、3-2和4中，很好地抑制了线条不均匀和斑点不均匀。这可能是由于下列原因。具体地，在工作实例3-1和3-2中，设置较长的距离d，使得确保了较长的电流泄露路径，因此增大其电阻，这抑制了不均匀。在工作实例4中，抑制了其自身的逆转印。即，证实了将距离d设置为4μm以上可以抑制诸如归因于逆转印的线条不均匀和斑点不均匀的不良影响，因此可以提高显示质量。
(模块和应用实例)
下面将描述根据上述实施例的显示器的应用实例。根据上述实施例的显示器可用作任意领域中电子设备的显示部(例如，电视机、数码相机、笔记本个人电脑、由便携式电话代表的便携式终端设备以及摄像机)，其将从外部输入至其的视频信号或在其中生成的视频信号显示为图像或视频。
(模块)
将根据上述实施例的显示器作为例如图24的模块集成到诸如稍后描述的应用实例1～5的各种电子设备中。具体地，沿受主基板11的一侧设置将密封基板30和附着层20暴露给外部的区域210。在该露出区域210上，通过延伸信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的互连配线形成外部连接端(未示出)。通过用于输入/输出信号的柔性印刷配线板(柔性印刷电路(FPC))220设置外部连接端。
(应用实例1)
图25示出了应用根据上述任一实施例的显示器的电视机的外观。该电视机具有例如包括前面板310和滤色器玻璃320的视频显示屏300，并且该视频显示屏300由根据上述任一实施例的显示器形成。
(应用实例2)
图26A和图26B示出了应用根据上述任一实施例的显示器的数码相机的外观。例如，该数码相机包括用于闪光的发光部410、显示部420、菜单开关430和快门按钮440。该显示部420由根据上述任一实施例的显示器形成。
(应用实例3)
图27示出了应用根据上述任一实施例的显示器的笔记本个人计算机的外观。例如，该笔记本个人计算机包括主体510、用于输入字符等的操作的键盘520以及用于显示图像的显示部530。该显示部530由根据上述任一实施例的显示器形成。
(应用实例4)
图28示出了应用根据上述任一实施例的显示器的摄像机的外观。例如，该摄像机包括主体610、设置在主体610的前侧并用于拍摄对象图像的透镜620、用于成像操作的开始/停止开关630和显示部640。该显示部640由根据上述任一实施例的显示器形成。
(应用实例5)
图29A～图29G示出了应用根据上述任一实施例的显示器的便携式电话的外观。通过连接部(铰链)730使上壳体710与下壳体720连接来形成该便携式电话，并且其包括显示器740、副显示器750、镜前灯(picture light)760和相机770。显示器740和副显示器750由根据上述任一实施例的显示器形成。
这是本发明的实施例和工作实例描述的结束。然而，本发明不限于上述实施例和工作实例，而是可以做出各种改变。例如，在上述实施例和工作实例中，在转印步骤中执行激光照射。然而，可以执行诸如来自灯的光线的另一种辐射线的照射。
在上述第一实施例中，执行三次转印，以与发光颜色的数量相匹配。然而，还在第一实施例中，与第二实施例相似，在仅通过热转印法形成红色和绿色的发光层15C之后，通过蒸镀在整个表面上沉积蓝色通用层。在这种情况下，在有机发光元件10R中，形成包含红色发光材料的发光层15C和包含蓝色发光材料的蓝色通用层。然而，在有机发光元件10R中主要进行红光发射，这是因为在有机发光元件10R中，相对于与最低能量等级相应的红色偏移能量。在有机发光元件10G中，形成包含绿色发光材料的发光层15C和包含蓝色发光材料的蓝色通用层。然而，在有机发光元件10G中主要进行绿光发射，这是因为在有机发光元件10G中，相对于与较低能量等级的绿色偏移能量。在有机发光元件10B中，发生蓝光发射，这是因为其仅包括蓝色通用层。
不对上述实施例和工作实例示出的各层的材料和厚度、膜沉积方法、膜沉积条件、激光照射的条件等进行限制。可以利用其他材料、厚度、沉积方法、沉积条件和照射条件。例如，代替ITO，第一电极13可包含IZO(铟锌氧化物)。可选地，由反射电极形成第一电极13。在这种情况下，考虑到高发光效率的实现，期望第一电极13具有例如100～1000nm范围内的厚度，并具有尽可能高的反射率。第一电极13材料实例包括诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)、和银(Ag)的基础金属以及这些金属中任一种的合金。此外，可选地，第一电极13可具有例如介电多层膜。
此外，在上述实施例中，从基板侧顺序在受主基板11上堆叠第一电极13、有机层15和第二电极16，并通过密封基板30提取光。然而，堆叠顺序可以逆转。具体地，从基板侧顺序在受主基板11上堆叠第二电极16、有机层15和第一电极13，并通过受主基板11提取光的结构也是可用的。
此外，在上述实施例中，第一电极13被用作阳极，第二电极16被用作阴极。然而，阳极和阴极可以彼此互换：第一电极13可以用作阴极，第二电极16可以用作阳极。此外，还可以利用第一电极13被用作阴极，第二电极16被用作阳极，以及从基板侧顺序在受主基板11上堆叠第二电极16、有机层15和第一电极13，并通过受主基板11提取光的结构。
此外，尽管对上述实施例示出了有机发光元件10R、10G和10B的具体结构，但不必设置所有层，而可以进一步设置另一层。例如，在第一电极13和有机层15之间，可形成包括氧化铬(III)(Cr2O3)、铟锡氧化物(ITO：铟(In)和锡(Sn)的氧化物的混合膜)等的空穴注入薄层。
此外，在上述实施例中，由半透射电极形成第二电极16，并通过第二电极16提取由发光层15C生成的光。可选地，可通过第一电极13提取生成的光。在这种情况下，考虑到高发光效率的实现，期望第二电极16具有尽可能高的反射率。
此外，尽管上述实施例应用于有源矩阵显示器，但该实施例还可以应用于无源矩阵显示器。此外，用于有源矩阵驱动的像素驱动电路的结构不限于上述实施例所示出的，可根据需要将电容元件和晶体管添加到电路。在这种情况下，根据像素驱动电路的改变，除上述信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130之外还可以添加必要的电路。
本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其它因素，可以有多种修改、组合、再组合和改进，均应包含在本发明的权利要求或等同物的范围之内。

Claims (5)

1.一种显示器，包括
受主基板，其上具有红色发光元件列、绿色发光元件列和蓝色发光元件列，所述红色发光元件列、所述绿色发光元件列和所述蓝色发光元件列沿行方向排列，并且每一个都通过排列用于生成红色、绿色和蓝色中的一种的光的矩形有机发光元件来获得，其中，
所述有机发光元件包括第一电极、具有与所述第一电极的发光区相对应的开口的绝缘层、有机层以及和第二电极；
至少在所述红色发光元件列和所述绿色发光元件列中的发光层是通过将转印层从施主基板转印到受主基板而得到的转印发光层；
如果从所述发光区的末端引出的所述绝缘层的切线与所述施主基板的表面之间的交点为A，并且从所述A引出的所述受主基板的垂线与所述绝缘层的表面之间的交点为C，则所述转印发光层包括所述C；
如果所述绝缘层均等分配给所述红色发光元件列、所述绿色发光元件列和所述蓝色发光元件列中的每一个，则所述蓝色发光元件列中所述绝缘层和所述施主基板之间的接触面积大于在所述红色发光元件列和所述绿色发光元件列中的接触面积。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中，
如果从沿行方向与所述发光区相邻的发光区的末端引出的所述绝缘层的切线与所述施主基板表面的交点为B，并且从所述B引出的所述受主基板的垂线与所述绝缘层的表面的交点为D，则所述转印发光层不包括所述D。
3.根据权利要求2所述的显示器，其中，
如果沿所述行方向在所述发光区的两侧上获得的所述交点C之间的距离为CC，并且沿所述行方向在所述发光区的两侧上获得的所述交点D之间的距离为DD，则沿所述行方向的所述转印发光层的宽度大于等于所述CC且小于所述DD。
4.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述发光区的末端与所述绝缘层和所述施主基板之间的接触表面之间沿所述行方向的距离大于等于4μm。
5.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述转印发光层形成在所述绝缘层和所述施主基板之间的接触表面之外的区域上。
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