JP2002268057A - マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置 - Google Patents

マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置

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JP2002268057A JP2001062416A JP2001062416A JP2002268057A JP 2002268057 A JP2002268057 A JP 2002268057A JP 2001062416 A JP2001062416 A JP 2001062416A JP 2001062416 A JP2001062416 A JP 2001062416A JP 2002268057 A JP2002268057 A JP 2002268057A
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正哲 池田
Akihiro Funamoto
昭宏 船本
Motohiko Matsushita
元彦 松下
Shigeru Aoyama
茂 青山
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Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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    • B29K2995/003—Reflective

Abstract

(57)【要約】 【課題】 種々の３次元形状を加工精度がよく形成で
き、薄膜化できるマイクロ凹凸パターンを有する光学素
子の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板５表面の樹脂薄膜４を、マイクロ凹
凸パターンを有する型材３３により押圧してマイクロ凹
凸パターンを形成する光学素子の製造方法において、感
光性樹脂による前記樹脂薄膜を前記基板５上にコート
し、前記樹脂薄膜４の温度を感光性消滅温度未満に制御
し、前記樹脂薄膜を軟化もしくは溶融させた状態で加圧
手段２により前記型材３３のマイクロ凹凸パターン面を
前記樹脂薄膜表面に押圧し、前記樹脂薄膜表面にマイク
ロ凹凸パターンを押圧形成することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ凹凸パタ
ーンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造
方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】本明細書においては、マイクロ凹凸パタ
ーンとは、深さ方向が０．１μｍ〜数１００μｍの一次
元又は二次元的に任意な幅、長さ、形状の凹凸形状を総
称する。また、反射型液晶表示装置とは、透明電極を備
えた透明な対向基板と、表面にマイクロ凹凸パターンを
備えた反射面を有するアクティブマトリクス基板との間
に液晶材料を封止した装置を総称する。
【０００３】さて、近年においては、パーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）、テレビ、ワープロ、ビデオ等への液晶
表示装置の応用が進展している。その一方でこのような
電子機器に対して一層の高機能化とともに小型化、省電
力化、低コスト化等のためにバックライトを用いずに、
外部から入射した光を反射させて液晶画像を表示する反
射型液晶表示装置が開発されている。
【０００４】このような反射型液晶表示装置では、図１
７に示すように、反射型液晶表示装置に用いられる反射
板１は、液晶層２７に対面する透明電極、該透明電極の
上にカラーフィルタ部、その上に表面ガラス基板などで
構成される対向基板２８の下方に配置され、対向基板２
８から入射した光を拡散反射し、当該液晶表示装置の画
像表示の可視認角度を広くする目的で使用された。
【０００５】この液晶表示装置に用いられる反射板は、
特開２０００−１７１７９４公報に記載されているよう
に、ガラスや樹脂などで形成した基板の表面、または、
該表面にＴＦＴトランジスタや液晶駆動素子などを形成
した、その表面にスピンコートなどで塗布した感光性樹
脂材料に対してフォトリソグラフィ技術を施すことで断
面が略矩形な凹凸形状を加工し、熱処理により滑らかな
曲面を表面張力などで形成する溶融法が知られている。
【０００６】また、特開平７−２２５３０３号公報、ま
た、特開平１０−３１１９１０号公報に記載されている
ように、マイクロ凹凸パターンの版型（スタンパ）によ
って、基板上にコートされた樹脂薄膜を押圧してマイク
ロ凹凸パターンを形成するエンボス法が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】反射型液晶表示装置に
おいては、図１８に示すようにマイクロ凹凸パターン４
０を備えた樹脂薄膜４の下層に薄膜トランジスタや配線
コンタクト部３１等があり、電気的な接続を得るために
樹脂を貫通するコンタクトホール３７を形成する必要が
あった。
【０００８】従来の溶融法でマイクロ凹凸パターン４０
を形成する場合は、感光性樹脂を用いてフォトリソグラ
フィ技術でコンタクトホールを形成するが、該フォトリ
ソグラフィ技術では、強い酸、アルカリ溶液などを用い
るウエットエッチングや、反応性プラズマなどのドライ
エッチングなどによるエッチング技術のように下層にダ
メージを与えることなく貫通孔形成できるため、コンタ
クトホールの形成には適している。
【０００９】しかしながら、この溶融法は、１）形状ダ
レを応用するために、鋭角や平面形状などを実現する３
次元の自由度が低い、２）溶融条件のバラツキにより形
状バラツキが生じるため加工精度が低い、３）工程数が
多いことからタクト時間が長い、という問題があった。
【００１０】一方、エンボス法は、スタンパが樹脂薄膜
上にマイクロ凹凸パターンを転写することで、３次元形
状の自由度が高く、また再現性の高いマイクロ凹凸パタ
ーンが得られる。また、樹脂材料は溶融するものであれ
ば使用できるので、幅広い選択肢がある。
【００１１】しかしながら、このエンボス法は、基板表
面に感光性樹脂薄膜をスピンコートし、該樹脂薄膜をス
タンパにより押圧成形するに適した温度に加熱すると、
マイクロ凹凸パターン成形完了後も感光性を保つことが
できず、感光性が消滅するという問題があった。
【００１２】上述の事情に鑑み本発明は、種々の３次元
形状を加工精度がよく形成でき、薄膜化できるマイクロ
凹凸パターンを有する光学素子の製造方法及び製造装置
を提供することを目的とする。
【００１３】また、本発明の他の目的は、マイクロ凹凸
パターンの下方に液晶駆動素子もしくは配線コンタクト
部を配置し、マイクロ凹凸パターン上面の反射膜から前
記液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部へ導通通路を
有した光学素子、反射板の製造方法および装置を提供す
ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】光学素子の製造方法にか
かる発明は、基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パタ
ーンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターン
を形成する光学素子の製造方法において、感光性樹脂に
よる前記樹脂薄膜を前記基板上にコートし、前記樹脂薄
膜の温度を感光性消滅温度未満に制御し、前記樹脂薄膜
を軟化もしくは溶融させた状態で加圧手段により前記型
材のマイクロ凹凸パターン面を前記樹脂薄膜表面に押圧
し、前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形
成することを特徴とする。
【００１５】ここにおいて、型材とは、少なくとも樹脂
薄膜表面にマイクロ凹凸パターン部を形成する逆型を有
するものであって、プレス雄型であってもローラー型の
転動式であってもよい。また、光学素子とは、表面に少
なくともマイクロ凹凸パターンを有し、光の拡散、集
光、反射などを行う素子を意味する。
【００１６】かかる発明によると、型材のマイクロ凹凸
パターン面を前記樹脂薄膜表面に押圧し、前記樹脂薄膜
表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成するので、樹脂
薄膜側に残るマイクロ凹凸パターンが３次元形状に自由
に形成でき、自由度が高く、また再現性の高いマイクロ
凹凸パターンが得られる。
【００１７】そして、前記基板上にコートされる感光性
樹脂の薄膜の温度を感光性消滅温度未満に制御している
ので、その後必要に応じてスルーホールを開設したり、
また樹脂薄膜の形状を適宜形状に切断する際に、フォト
リソグラフィ法によって容易に行うことができる。
【００１８】また、前記型材の押圧動作を前記樹脂薄膜
上で複数回繰り返すことによって、凹凸パターン形状の
レイアウトを規則的に、または任意に形成することがで
きる。
【００１９】また、前記基板を前記型材と相対的に移動
させて、前記基板側に設けた基板側アライメントマーク
と前記型材側の基準位置とを一致させて調整することも
本発明の有効な手段である。かかる技術手段によると、
前記型材に対する前記基板の取付誤差を、前記基板を前
記型材と相対的に移動させることによって、前記基板側
に設けた基板側アライメントマークと前記型材側の基準
位置とを一致させて調整することができ加工精度が高い
マイクロ凹凸パターンを得ることができる。
【００２０】また、不活性ガス雰囲気で前記樹脂薄膜に
マイクロ凹凸パターンを形成したり、また、大気圧未満
の減圧された雰囲気で前記樹脂薄膜にマイクロ凹凸パタ
ーンを形成することも本発明の有効な手段である。かか
る技術手段によると、予め光学素子を製造する製造装置
が配置されるチャンバ内の空気を排気するので、チャン
バ内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清浄
な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成するの
で、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、さらに凹凸パタ
ーン形成中にその不純物が樹脂薄膜に付着して凹凸パタ
ーン上に固着するのを防止でき、光学素子の製造の歩留
まりを向上することができる。
【００２１】また、特に、チャンバ内を減圧させた場合
は、型材と樹脂薄膜との間に空気が捕らわれることがな
くなり気泡のない凹凸パターンが形成できる。さらに加
えて、気泡は加圧時にダンパとして働くため、加圧力を
大きくする必要が生じていたが、気泡がなくなることで
加圧力を小さくできるので、凹凸パターンの残留応力が
低減できる。すなわち、光学素子の製造の歩留まりを向
上することができる。
【００２２】また、前記樹脂薄膜はポリイミド（ＰＩ）
系もしくはアクリル系を含有していてもよい。ポリイミ
ド（ＰＩ）は熱可塑性であり、ポリアミドイミド（ＰＡ
Ｉ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等の全芳香族ポリ
イミドが望ましい。なお、ＰＩ系もしくはアクリル系の
感光性樹脂は、感光性消滅温度が１００〜１５０℃であ
る。また、該樹脂の押圧成形の温度は、感光性消滅温度
未満に設定すればよいが、前記加熱手段による加熱温度
ばらつきで感光性特性のばらつきが発生することを避け
るために、感光性消滅温度−１０℃程度に設定すること
が望ましい。
【００２３】また、光学素子の製造装置の発明は、基板
表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを有する型材
により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成する光学素
子の製造装置において、前記型材の下方に配置され前記
基板を保持する転写ステージと、該転写ステージを初期
位置と該初期位置から移動して移動が終了する移動終了
位置との間を往復動させる転写ステージ転写方向移動機
構と前記型材を所定位置で前記樹脂薄膜を押圧する加圧
機構とを備え、前記加圧機構により前記型材を前記樹脂
薄膜表面に押圧しマイクロ凹凸パターンを押圧形成する
ことを特徴とする。
【００２４】ここにおいて、転写ステージ転写方向移動
機構は、前記基板を保持する転写ステージを、例えば初
期位置が左側にある場合は、該初期位置から右側の移動
終了位置へ移動中に樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンが
形成され、移動終了位置から復動して初期位置へ復帰可
能な機構である。そして、前述したように型材はプレス
雄型であってもローラー型の転動式であってもよい。
【００２５】かかる発明によると、転写ステージ上の基
板が初期位置から移動終了位置に移動し、その間に基板
上の樹脂薄膜が型材によって押圧され、マイクロ凹凸パ
ターンが押圧形成される。よって、加工精度が良いマイ
クロ凹凸パターン部を有した光学素子を提供することが
できる。
【００２６】また、他の光学素子の製造装置にかかる他
の発明は、基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パター
ンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを
形成する光学素子の製造装置において、前記型材の下方
に配置され前記基板を保持する転写ステージと、前記型
材を所定位置で前記樹脂薄膜を押圧する加圧機構と、該
加圧機構を初期位置と該初期位置から移動して移動が終
了する移動終了位置との間を往復動させる加圧機構転写
方向移動機構とを備え、前記加圧機構により前記型材を
前記樹脂薄膜表面に押圧しマイクロ凹凸パターンを押圧
形成することを特徴とする。
【００２７】ここにおいて、加圧機構転写方向移動機構
とは、前記加圧機構が基板の樹脂薄膜上を、例えば初期
位置が左側にある場合は、該初期位置から右側の移動終
了位置へ移動中に樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンが形
成され、移動終了位置から復動して初期位置へ復帰可能
な機構である。そして、前述したように型材はプレス雄
型であってもローラー型の転動式であってもよい
【００２８】かかる発明によると、加圧機構が初期位置
から移動終了位置に移動し、その間に基板上の樹脂薄膜
が型材によって押圧され、マイクロ凹凸パターンが押圧
形成される。よって、加工精度が良いマイクロ凹凸パタ
ーン部を有した光学素子を提供することができる。
【００２９】また、前記型材の下方に前記基板をＸ軸及
びＹ軸方向に移動可能であって、かつ前記型材に向かう
Ｚ軸中心に回動可能に配置し、前記型材に対する前記基
板位置を調整可能に構成することが望ましい。かかる技
術手段によると、前記型材に対して前記基板をＸ軸及び
Ｙ軸方向に移動でき、また、前記型材に向かうＺ軸中心
に回動できるので、前記型材に対する前記基板位置を調
整でき、加工精度のよい光学素子を提供することができ
る。
【００３０】また、前記型材を外周にマイクロ凹凸パタ
ーンを有する円筒状に形成し、前記型材が前記樹脂薄膜
表面を転動してマイクロ凹凸パターンを押圧形成するこ
とも本発明の有効な手段である。
【００３１】かかる技術手段によると、基板表面に形成
された樹脂薄膜を、外周にマイクロ凹凸パターンを有す
る円筒状に形成した型材によりマイクロ凹凸パターンを
押圧形成するので、樹脂薄膜内に気泡が存在しても前記
型材の凹凸パターンの凹部により、樹脂薄膜が移動して
いる場合にはその移動方向とは逆方向に、また、前記型
材が移動している場合には、その移動方向に前記気泡が
押されて移動し、前記型材の凹凸パターンの凸部によっ
て樹脂部分が破れて気泡が外に漏れて、樹脂薄膜内に残
った気泡によって凹凸パターンが変形して形成されるこ
とが減少し、歩留まりが向上する。
【００３２】また、前記マイクロ凹凸パターンが転写さ
れる転写方向と交差する交差方向に、前記転写ステージ
を移動する転写ステージ交差方向移動機構を備え、前記
樹脂薄膜を前記型材に対して相対的に前記転写方向及び
前記交差方向に移動可能に構成することも本発明の有効
な手段である。
【００３３】ここにおいて、転写ステージ交差方向移動
機構とは、前記型材によって樹脂薄膜にマイクロ凹凸パ
ターンが転写されるが、型材による移動方向と転写ステ
ージに取付られた基板との基準位置とがズレていると、
所定の位置にマイクロ凹凸パターンが形成されないの
で、型材による移動方向と交差する方向に移動させる必
要がある。そのための機構であり、前記マイクロ凹凸パ
ターンが転写される転写方向と直交することが望ましい
が、製造誤差により直交させるのは高度な技術を必要と
するために、必ずしも直交させなくてもよい。
【００３４】かかる技術手段によると、この転写ステー
ジ交差方向移動機構と、前記転写ステージを初期位置と
該初期位置から移動して移動が終了する移動終了位置と
の間を往復動させる転写ステージ転写方向移動機構、も
しくは前記加圧機構を初期位置と該初期位置から移動し
て移動が終了する移動終了位置との間を往復動させる加
圧機構転写方向移動機構を用いて、前記型材に対して相
対的に転写ステージを前記転写方向及び前記交差方向に
移動して、転写ステージに保持された前記樹脂薄膜の初
期位置を調整することができる。また、一度型材によっ
てマイクロ凹凸パターンを押圧形成した後に、転写ステ
ージ交差方向移動機構によって転写ステージを移動して
その横に新しいマイクロ凹凸パターンを押圧形成するこ
とができる。
【００３５】また、前記型材は、前記樹脂薄膜にマイク
ロ凹凸パターンを押圧形成するスタンパ部と、該スタン
パ部を保持する基部とで構成され、前記スタンパ部と前
記基部の間に弾性部材を介在して構成することも本発明
の有効な手段である。
【００３６】かかる技術手段によると、前記スタンパ部
及び前記基部のウネリなどの製造誤差を吸収してマイク
ロ凹凸パターンの加工精度が向上する。
【００３７】また、前記型材は、前記樹脂薄膜にマイク
ロ凹凸パターンを押圧形成するスタンパ部と、該スタン
パ部を回転可能に保持するロール部との間に弾性部材を
介在して構成することも本発明の有効な手段である。
【００３８】かかる技術手段によると、前記スタンパ部
及び前記ロール部のウネリなどの製造誤差を吸収してマ
イクロ凹凸パターンの加工精度が向上する。
【００３９】また、前記型材と前記転写ステージとを加
熱する加熱部と、該加熱部を制御する温度制御部とを備
えて構成することも本発明の有効な手段である。かかる
技術手段によると、製造工程にかかるタクト時間が一定
して加工精度が向上する。
【００４０】また、前記加圧機構に少なくとも１つのア
ライメントマーク観察用光学装置を設け、前記基板に配
設された少なくとも１つのアライメントマークを視認可
能に構成することも本発明の有効な手段であり、また、
前記基板下方に少なくとも１つのアライメントマーク観
察用光学装置を設け、少なくとも１組の、前記基板上に
配設された第１のアライメントマークと、前記型材上に
配設された第２のアライメントマークを視認可能に構成
することも本発明の有効な手段である。尚、前記アライ
メントマーク観察用光学装置が前記基板下方であれば、
転写ステージ内、または前記した回転移動機構内、もし
くは前記転写ステージ及び回転移動機構内に跨って配置
されていてもよい。かかる技術手段によると、位置精度
のよい凹凸パターンを形成することができる。
【００４１】また、光学素子の他の製造装置にかかる発
明は、基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを
有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成
する光学素子の製造装置において、少なくとも、前記基
板を保持する転写ステージと、前記型材を所定位置で前
記樹脂薄膜を押圧する加圧機構と、前記型材を前記樹脂
薄膜表面に押圧しつつ、前記転写ステージ若しくは前記
型材を移動する移動機構とを、排気手段を有した気密室
内に配置し、前記型材が前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹
凸パターンの押圧形成動作に先立って前記排気手段によ
り前記気密室内の気体を排気することを特徴とする。
【００４２】かかる発明によると、前記型材が前記樹脂
薄膜表面にマイクロ凹凸パターンの押圧形成動作に先立
って前記排気手段により前記気密室内の気体を排気する
ので、前記気密室内の空気中に含まれる酸素や不純物が
排気され、清浄な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターン
を形成し、前記薄膜の酸化や変質が防止でき、さらに凹
凸パターン形成中にその不純物が樹脂薄膜に付着して凹
凸パターン上に固着するのを防止できるので、光学素子
の製造の歩留まりを向上することができる。
【００４３】また、マイクロ凹凸パタ−ン部とスルーホ
ール部とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた
光学素子の製造方法において、基板上に感光性樹脂薄膜
を形成し、該樹脂薄膜の温度を感光性消滅温度未満に制
御して、前記樹脂薄膜を軟化もしくは溶融させた状態で
マイクロ凹凸パターンを有する型材にて前記樹脂薄膜上
に前記マイクロ凹凸パターン部を押圧形成し、その後に
フォトリソグラフィ法にて前記マイクロ凹凸パターン部
表面から前記基板表面までスルーホールを形成し、その
後に感光性消滅温度を超える温度にて焼成することを特
徴とする。
【００４４】かかる発明によると、型材のマイクロ凹凸
パターン面を前記樹脂薄膜表面に押圧し、前記樹脂薄膜
表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成するので、樹脂
薄膜側に残るマイクロ凹凸パターンが３次元形状に自由
に形成でき、自由度が高く、また再現性の高いマイクロ
凹凸パターンが得られる。
【００４５】そして、前記基板上にコートされる感光性
樹脂の薄膜の温度を感光性消滅温度未満に制御している
ので、その後スルーホールを開設する際に、フォトリソ
グラフィ法によって容易に行うことができる。なお、こ
の焼成温度は、感光性消滅温度以上に設定するが、液晶
素子の製造工程において、該樹脂薄膜のマイクロ凹凸パ
ターン形成工程の後、主としてポリイミド系樹脂からな
る配向膜を２００℃でシンタリングするため、前記樹脂
薄膜からの残留溶剤の揮発、残留感光成分の分解に伴う
ガス発生を避けるため、２００℃以上に設定することが
望ましい。また、当然ながら、該焼成工程中のマイクロ
凹凸パターン形状くずれを防ぐため、焼成後の感光性樹
脂のガラス転移温度は少なくとも２００℃であることが
望ましい。
【００４６】また、反射板の製造方法にかかる発明は、
マイクロ凹凸パタ−ン部とスルーホール部とを有して基
板上に配置された樹脂薄膜を備えた反射板の製造方法に
おいて、予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト
部を形成した基板を用い、該基板上に形成した感光性樹
脂薄膜の温度を感光性消滅温度未満に加熱制御して、前
記樹脂薄膜を軟化もしくは溶融させた状態でマイクロ凹
凸パターンを有する型材にて前記樹脂薄膜上に前記マイ
クロ凹凸パターン部を押圧形成し、フォトリソグラフィ
法にて前記マイクロ凹凸パターン部表面から前記薄膜液
晶駆動素子もしくは配線コンタクト部までスルーホール
を形成した後に、前記スルーホール内周面を含んで前記
マイクロ凹凸パターン面に金属材料による反射膜層を形
成して、その後に感光性消滅温度を超える温度にて焼成
することを特徴とする。
【００４７】かかる発明によると、予め薄膜液晶駆動素
子もしくは配線コンタクト部を形成した基板を用い、そ
の基板上に感光性樹脂薄膜を形成し、該感光性樹脂薄膜
の温度を感光性消滅温度未満に加熱制御して、溶融中に
型材にて前記樹脂薄膜上に前記マイクロ凹凸パターン部
を押圧形成しているので、その後のフォトリソグラフィ
法のための感光性を消失することはない。
【００４８】そして、前記マイクロ凹凸パターン部表面
から前記薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部ま
でスルーホールを形成した後に、前記スルーホール内周
面を含んで前記マイクロ凹凸パターン面に金属材料によ
る反射膜層を形成して、その後に前記樹脂薄膜を感光性
消滅温度を超える温度にて焼成するので、マイクロ凹凸
パターンへ反射膜を形成するまでは高温でのシンターリ
ングを行わないので樹脂薄膜の感光性を消滅することが
なく容易にマイクロ凹凸パターンを有した反射板を形成
することができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。但しこの実
施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形
状、その相対的配置等は特に特定的な記載がないかぎり
は、この発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単
なる説明例にすぎない。
【００５０】図１は、本発明の実施の形態にかかる樹脂
薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法の
説明図である。同図（ａ）において、ガラス基板５には
液晶駆動素子ＴＦＴもしくは配線コンタクト部３１が形
成されている。このコンタクト部３１は、ガラス基板５
にスパッタ法で金属膜を形成し、その上にスピンコーテ
ィング法でレジストを塗布し、高温で焼いてレジストを
硬化させ、適宜マスクを紫外線で露光し、露光されたレ
ジストを現像液によって取り去り、再度高温で焼いた後
にエッチングでレジストで覆われていない部分の膜を取
り去り、残っているレジストを剥離液で取り去るという
工程を繰り返して形成したものである。
【００５１】さて、図１（ａ）に示されるように、ガラ
ス基板５の上にアクリルなどの感光性樹脂である樹脂薄
膜４をスピンコートした後、（ｂ）に示すように樹脂薄
膜４を加熱して不要な溶剤を揮発させつつ軟化させる。
（ｃ）その状態で柔らかな樹脂薄膜４の上からスタンパ
３３によりプレス、またはエンボスロール３Ａを転動さ
せ、樹脂薄膜４を押圧させた後、樹脂薄膜４を冷却する
と、（ｄ）に示されるように樹脂薄膜４の表面にはスタ
ンパの反転パターンであるマイクロ凹凸パターン４０と
して転写される。
【００５２】（ｅ）に示すように、透過部材３０の必要
部分以外をマスク（３０ａ、３０ａ）して紫外線を照射
して現像（ｆ）すると、露光で紫外線が照射された部分
を取り去ることでコンタクトホール３７としてコンタク
ト部３１は露呈される。その後２００℃程度で焼成する
ことにより、樹脂薄膜の感光性が消滅するとともに、溶
剤の揮発や感光成分の分解に伴うガスの発生が低減し、
マイクロ凹凸パターン４０の膜質が安定化する。
【００５３】尚、該感光性樹脂は、会社名[ＪＳＲ
（株）]製のアクリル樹脂、ＮＮ７７７（製品番号）を
用いると好ましい。該感光性樹脂は、感光性消滅開始温
度が１００℃前後であり、溶剤揮発温度及びエンボス時
の加熱温度はともに９０℃である。そして、エンボス、
フォトリソグラフィ後に、重合反応させ樹脂薄膜を安定
化させるために、２００℃程度のシンターリングが必要
な条件である。
【００５４】よって、本実施の形態においては、基板５
の表面に感光性の樹脂薄膜４をコートした後は、室温
（３０℃）以上の溶剤揮発温度９０℃に加熱して溶剤を
揮発させつつスタンパでマイクロ凹凸パターンを押圧形
成し、その後室温に冷却してマイクロ凹凸パターンを完
成した後に、感光性消滅開始温度１００℃より低い温度
で、フォトリソグラフィ工程を行い、その後に２００℃
でシンターリングを行った。
【００５５】この後、図１８に示すように、樹脂薄膜４
のパターン４０上にＡｇ、Ａｌなどの金属薄膜をスパッ
タ形成により堆積させ、反射膜２６を形成し、これによ
って反射板１が完成される。
【００５６】図２は、本発明の第１実施の形態にかかる
樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装
置１Ａの要部説明図である。同図において、セラミッ
ク、ガラス、プラスチック、アルミ、モリブデン、シリ
コン等で形成される不透明もしくは透明な基板５は、両
面を研磨し、所定のウネリ、反り、平坦度を有してい
る。反りは、数ｃｍ以内の曲率の場合許容される。すな
わち、５５０×６５０ｍｍの基板の場合は４００μｍ以
内である。そして、ウネリは４μｍ以内の曲率に、平滑
度は数１０ｎｍ以内の曲率の凹凸に設定される。
【００５７】基板５上にアクリル系樹脂（ＰＭＭＡ）、
ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポ
リエーテルイミド（ＰＥＩ）などの樹脂薄膜４を略０．
１μｍ〜略１００μｍ程度の厚さにスピンコートしてい
る。樹脂薄膜４上方に配設されたスタンパ３３は、Ｎ
ｉ、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｃｕ等の金属材料、セラミック、ガ
ラス、シリコン、樹脂などの材料で形成されている。該
スタンパ３３は、板材の表面に直接彫刻、エッチング、
印刷等によって凹凸パターンを形成してもよい。
【００５８】該スタンパ３３は基部３８に固定され、該
基部３８内にはヒータ部６Ｂがスタンパのマイクロ凹凸
パターンが形成されている略全域にわたって加熱可能に
内蔵されている。尚、この温度センサ１５Ａは、基板５
の周囲に複数配置しその部位の温度の平均値を用いて制
御するのがよい。なお、樹脂薄膜４に用いられる樹脂は
上記樹脂に限定されるものではない。例えばノボラック
樹脂やフェノール系樹脂などを用いることができる。
【００５９】樹脂薄膜４を押圧成形するスタンパ３３は
加圧機構２に保持されるとともに、加圧機構２によって
数ＭＰａ〜数千ＭＰａ程度の圧力が印加されるように構
成されている。加圧機構２は油圧機構を用いて加圧する
が、その他空圧機構、高弾性バネの反力、形状記憶合金
の復元力などを用いてもよい。
【００６０】基板５は転写ステージ７に真空吸着してい
るが、静電吸引、その他の保持手段により固着してもよ
い。そして、転写ステージ７内には基板５を略全域にわ
たって加熱可能なヒータ部６Ａが内蔵されている。該ヒ
ータ部６Ａ及び前記ヒータ部６Ｂは、基板５の周囲に配
置された温度センサ１５Ａの温度情報をもとに温度制御
部２０によって所定温度に制御可能に構成されている。
【００６１】本第１実施の形態はこのように構成されて
いるので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、加圧
機構２によりスタンパ３３の凹凸パターンが樹脂薄膜４
を押圧することによって、樹脂薄膜４上面にマイクロ凹
凸パターン４０を形成する。
【００６２】本第１実施の形態は、基板５の周囲に配置
した温度センサの温度情報をもとに樹脂薄膜４の温度を
制御するので、マイクロ凹凸パターンの加工精度がよ
い、光学素子、反射板を製造することができる。
【００６３】図３は、第２実施の形態にかかる樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置１Ｂの
要部説明図である。第１実施の形態との相違点は、エン
ボスロール部１３を円筒状に形成し、エンボスロール部
１３内にヒータ部１６Ｃを配設して、該ヒータ１６Ｃ及
び転写ステージ７内に内蔵したヒータ部６Ａを温度制御
部２０にて制御可能に構成し、エンボスロール部１３に
よる樹脂薄膜４を押圧中に樹脂薄膜４を加熱するように
構成したことである。
【００６４】この第２実施の形態は、エンボスロール部
１３内部に該エンボスロール部１３を内周側から加熱で
きるようにヒータ部１６Ｃが配設され、また、ヒータ部
６Ａは転写ステージ７内に配設されている。これらのヒ
ータ部は温度制御部２０によって温度センサ１５Ｂの検
出温度を基にして制御される。これらヒート部のヒータ
は、電熱線ヒータ、高出力ランプ、セラミックヒータ等
を用いることができる。これらのヒータによって、樹脂
薄膜４の熱分布が均等になるように制御される。
【００６５】尚、図示していないが、これ以外に、転写
ステージ７、エンボスロール部及び加圧機構２、移動機
構８Ａにはヒータ部と断熱する断熱性材料が用いられ、
また、水冷、空冷などの冷却機構が備えられている。
【００６６】この第２実施の形態は、エンボスロール部
１３が樹脂薄膜４の表面を押圧するので、エンボスロー
ル部１３の凹部３ａによって、樹脂薄膜４の表面を押圧
することとなり、樹脂薄膜４内に気泡が存在してもエン
ボスロール部１３の凹部３ａにより樹脂薄膜４の移動方
向とは逆方向に該気泡が押されて移動し、エンボスロー
ル凸部３ｂによって樹脂部分が破れて気泡が外に漏れて
マイクロ凹凸パターンが気泡によって変形して形成され
ることが減少する。
【００６７】図４は、第３実施の形態にかかる樹脂薄膜
にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パター
ン形成装置１Ｃの要部説明図である。図２との形態との
相違点は、基部３８とスタンパ部３３との間に、合成ゴ
ムまたは波形の金属薄板、もしくはそれらの組み合わせ
からなる弾性体１０を介在し、基部３８、スタンパ部３
３等にウネリ等の製作誤差があっても、それらを吸収し
寸法精度のよい光学素子を製造することができる。尚、
ヒータ部６Ａ、６Ｂは説明の便宜上省略している。
【００６８】図５は、第４実施の形態にかかる樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置１Ｄの
要部説明図である。図３にかかる第２実施の形態との相
違点は、エンボスロール部の構成である。すなわち、加
圧機構２と連結するロール受３２を設け、該ロール受３
２で円筒状ロール３９の両端を保持し、該ロール３９内
に温度制御部２０から配線３５を介してヒータ３４を配
置し、ロール３９とエンボスロール部１３との間に金属
もしくは樹脂からなる薄板１１による弾性部材を介在さ
せたものである。
【００６９】かかる実施の形態によると、ロール３９と
エンボスロール部１３との間に弾性部材を介在させてい
るので、エンボスロール部１３、ロール３９等にウネリ
等の製作誤差があっても、それらを吸収し寸法精度のよ
い光学素子を製造することができる。
【００７０】図６は、第５実施の形態にかかる樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置１Ｅの
要部説明図である。図３にかかる第２実施の形態との相
違点は、エンボスロール３Ａを腕２ａ、２ｂで保持する
加圧機構２Ａを樹脂薄膜４を押圧中に上下動可能に構成
するとともに、移動機構８Ａをエンボスロール回転軸方
向移動機構８Ｂの上に載置してエンボスロール回転軸方
向に移動可能に構成したことである。尚、ヒータ部６
Ａ、１６Ｃは説明の便宜上省略している。
【００７１】この第５実施の形態は、このように構成し
ているので、転写ステージ７の移動中に加圧機構２Ａを
上下動することによって、凹凸パターンを適宜間隔で適
宜の量だけ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄのように形
成することができる。よって、規則的に、また、任意に
凹凸パターンを形成することができる。
【００７２】図７は、第６実施の形態にかかる樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置１Ｆの
要部説明図である。図５にかかる第４実施の形態との相
違点は、樹脂薄膜４を押圧成形するスタンパ３Ｂは加圧
機構２に保持されるとともに、加圧機構２によって数Ｍ
Ｐａ〜数千ＭＰａ程度の圧力が印加されるように構成さ
れている。そして、加圧機構２を樹脂薄膜４を押圧中に
上下動可能に構成する。尚、ヒータ部６Ａ、１６Ｃは説
明の便宜上省略している。
【００７３】本第６実施の形態はこのように構成されて
いるので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、加圧
機構２によりスタンパ３Ｂの凹凸パターンが樹脂薄膜４
を押圧することによって、樹脂薄膜４上面にマイクロ凹
凸パターン４０を形成する。
【００７４】そして、この第６実施の形態は、転写ステ
ージ７の移動中に加圧機構２を上下動することによっ
て、凹凸パターンを適宜間隔で適宜量だけ４０ａ、４０
ｂ、４０ｃ、４０ｄのように形成することができる。よ
って、規則的に、また、任意に凹凸パターンを形成する
ことができる。
【００７５】図８は、第７実施の形態にかかる樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置１Ｇの
要部説明図であり、図６の改良例を示すものである。図
６にかかる第５実施の形態との相違点は、転写ステージ
７と基板５との間に基板回転方向調整機構１６Ａを介在
させるとともに、基板５上もしくは樹脂薄膜４上のアラ
イメントマークを読みとり可能なアライメントマーク観
察用光学装置２１（ａ〜ｄ）を有した加圧機構２Ｂを配
設した点である。
【００７６】よって、基板回転方向調整機構１６Ａに
は、基板５は真空吸着しているが、静電吸引、その他の
保持手段により固着してもよい。基板回転方向調整機構
１６Ａは、転写ステージ７Ａ上に回動可能に保持される
とともに、図示しない位置に操作レバーが配設され、該
操作レバーを操作することによって転写ステージ７Ａ上
に固定される固定操作と、転写ステージ７Ａ上における
固定が解除し回動が許容される解除操作とを操作可能に
構成されている。
【００７７】また、図示しない位置には微調整ダイアル
が配置され、該微調整ダイアルを操作することによっ
て、基板回転方向調整機構１６Ａが回動可能に構成さ
れ、基板回転方向調整機構１６Ａに設けられた指標１６
ａと転写ステージ７上に設けられた移動量マーク７ａを
用いて基板５の回動量調整の目安とすることができる。
なお、本実施の形態では基板回転調整機構１６Ａを転写
ステージ７Ａと基板５との間に設けたが、基板回転方向
調整機構１６Ａを介在させる位置はそれに限定されるも
のではない。例えば、エンボスロール回転軸方向移動機
構１５の下部に設けてもかまわない。
【００７８】また、基板回転方向調整機構１６Ａ内には
アライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）に対
応する位置に照明光源が配設されている。一方、加圧機
構２Ｂの上面にはアライメントマーク観察用光学装置２
１（ａ〜ｄ）によって樹脂薄膜４下方の基板５の表面に
設けられたアライメントマークを読みとる観察窓２Ｂ
（ａ〜ｄ）が設けられている。
【００７９】次に、図９を用いてアライメントマークを
説明する。アライメントマークはカラー液晶表示装置を
例にとると（ａ）（ｂ）に示すアライメントマーク５
ａ、５ｂ、２２、２２は図示しないカラーフィルタ層と
基板５に形成された液晶駆動素子３１との位置的一致を
得るために設けられるものである。
【００８０】図９（ａ）に示す場合は、基板５にアライ
メントマーク用の凹部５ａ、５ｂを設け、該基板５の表
面にスパッタ法で金属膜を形成し、その上にスピンコー
ト法でレジストを塗布し、高温で焼いてレジストを硬化
させ、適宜マスクを紫外線で露光し、露光されたレジス
トを現像液によって取り去り、再度高温で焼いた後にエ
ッチングで覆われていない部分の膜を取り去り、残って
いるレジストを剥離液で取り去るという工程を繰り返し
てＴＦＴなどの液晶駆動素子３１を形成した後に、基板
５の表面に樹脂薄膜４Ａをスピンコートしたものであ
り、樹脂薄膜４Ａは凹部５ａ、５ｂに侵入している。
【００８１】また、図９（ｂ）に示す場合は、基板５の
表面に上述した方法で、ＴＦＴなどの液晶駆動素子３１
とともにアライメントマーク２２、２２を形成した後
に、基板５の表面に樹脂薄膜４Ｂをスピンコートしたも
のである。
【００８２】よって、（ｃ）に示すように樹脂薄膜４
（Ａ、Ｂ）の４隅にアライメントマーク２２、５（ａ〜
ｄ）が配置される。尚、このアライメントマークは、十
字型、正方形、丸形等中心位置が確認しやすいマークが
望ましい。（ｄ）に示すものは図８の右方から視た、基
板回転方向調整機構１６Ａと加圧機構２Ｂとの間の概略
構成図である。
【００８３】次にこのように構成された第７実施の形態
の動作を図８を用いて説明する。アライメントマーク観
察用光学装置２１（ａ〜ｄ）からのアライメントマーク
の投影像を観察窓２Ｂ（ａ〜ｄ）にて観察して、基板５
に設けた前記したアライメントマーク５（ａ〜ｄ）とア
ライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）の基準
位置がズレていると、エンボスロール回転軸方向移動機
構１５及び／または基板回転方向調整機構１６Ａを移動
調整して、前記基準位置のズレを所定基準値内に一致さ
せる。
【００８４】そして、転写ステージ７を右方の初期位置
に移動して、その初期位置において、加圧機構２Ｂを所
定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しな
がら、転写ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０
ａ、４０ｂ、４０ｃを形成する。１回目の転写ステージ
７の左行後に、加圧機構２Ｂは上昇して初期位置に復帰
し、エンボスロール回転軸方向移動機構１５によって移
動機構８Ａを図上手前側に所定量移動するとともに、転
写ステージ７を右側の初期位置に復帰させる。そして、
再度加圧機構２Ｂを所定位置まで降下させるとともに、
所定圧力にて押圧しながら、転写ステージ７を左行させ
て、凹凸パターン４０ｄ〜を形成する。
【００８５】尚、本実施の形態においては、４個のアラ
イメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）を用いて
いるが、１個または２個のアライメントマーク観察用光
学装置２１を用いて、エンボスロール回転軸方向移動機
構１５もしくは移動機構８Ａを駆動してアライメントマ
ークの位置ズレを求め、基板回転方向調整機構１６Ａを
移動調整して、前記基準位置のズレが所定基準値内に一
致させることもできる。
【００８６】また、本実施の形態においては、観察窓に
アライメントマークを投影しているが、ＣＣＤカメラな
どを用いてモニタ画面による観察をおこなってもよい。
【００８７】また、アライメントマークは、基板そのも
のをウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブ
ラスト加工、エンボス加工などにより直接加工してもよ
いが、基板表面に金属、絶縁体、樹脂等の薄膜をスパッ
タ、スピンコート、蒸着、ＣＶＤなどで形成し、その面
をウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラ
スト加工、エンボス加工などにより加工してもよい。
【００８８】また、本実施の形態においては、アライメ
ントマークを基板５の表面に形成したが、エンボスロー
ル３のアライメントマーク部と外れた部位に凹凸パター
ン部とともにアライメントマーク部を設け、アライメン
トマーク５ａ、５ｂ、または２２に対応する別のアライ
メントマーク部を樹脂薄膜４の表面に形成して、該アラ
イメントマーク部をアライメントマーク観察用光学装置
２１（ａ〜ｄ）を用いて観察するように構成することも
可能である。
【００８９】図１０は、エンボスロール部３Ａの代わり
に図７で用いられるスタンパ３Ｂを用いたものであり、
他の構成は図７と同じである。よって、アライメントマ
ーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）からのアライメント
マークの投影像を観察窓２Ｂ（ａ〜ｄ）にて観察して、
基板５に設けた前記したアライメントマーク２Ｂ（ａ〜
ｄ）とアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜
ｄ）の基準位置がズレていると、エンボスロール回転軸
方向移動機構１５及び／または基板回転方向調整機構１
６Ｂを移動調整して、前記基準位置のズレを所定基準値
内に一致させることができる。
【００９０】そして、転写ステージ７を右方の初期位置
に移動して、その初期位置において、加圧機構２を所定
位置まで降下させて、所定圧力にて押圧した後に、転写
ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０ａ、４０
ｂ、４０ｃを形成する。１回目の転写ステージ７の左行
後に、加圧機構２は上昇して初期位置に復帰し、エンボ
スロール回転軸方向移動機構１５によって移動機構８Ａ
を図上手前側に所定量移動するとともに、転写ステージ
７を右側の初期位置に復帰させる。そして、再度加圧機
構２を所定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて
押圧しながら、転写ステージ７を左行させて、凹凸パタ
ーン４０ｄ〜を形成する。
【００９１】次に、図１１を用いて反射板下方側にアラ
イメントマーク観察用装置を有する凹凸パターン形成装
置を説明する。図８に適用するうえでの図８との相違点
は、図８においては加圧機構２Ｂ、基板回転方向調整機
構１６Ａ、転写ステージ７Ａを用いているのに対して、
図１１においては、加圧機構２Ｃ、基板回転方向調整機
構１６Ｂ、転写ステージ７Ｂが用いられる点である。加
圧機構２Ｃによって回転可能に配置されたエンボスロー
ル３は、マイクロ凹凸パターンが形成されている外面に
アライメントマーク３ｃ、３ｄが設けられている。基板
５は基板回転方向調整機構１６Ｂに保持され、該基板回
転方向調整機構１６Ｂには通孔１６Ｂａ、１６Ｂａが削
設され、該通孔１６Ｂａ、１６Ｂａにはアライメントマ
ーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂが配設保持され
ている。そして、このアライメントマーク観察用光学装
置２９Ａａ、２９Ａｂには光検出手段が配置され、該光
検出手段は図示しないコンピュータを介してモニタ画面
に接続している。
【００９２】尚、このアライメントマーク観察用光学装
置２９Ａａ、２９Ａｂは調整量を超える視野を有する場
合は、転写ステージ７Ｂ側に保持されていてもよい。ま
た、アライメントマーク観察用光学装置は、図１２
（ａ）に示すように、エンボスロール３の外周面に配置
したアライメントマーク３ｃを視認可能な位置にアライ
メントマーク観察用光学装置２９Ｂを配置し、基板側の
アライメントマーク２２を介して入射した光を検出可能
に構成してもよい。また、図１１に示すように、アライ
メントマーク観察用光学装置を基板の下方に配置し、図
１２（ｂ）のように樹脂薄膜４の外側からアライメント
マーク３ｃを介して入射した光を検出可能に構成しても
よく、また、（ｃ）に示すように、アライメントマーク
観察用光学装置２９Ｂからの光を直上のアライメントマ
ーク２２を介してアライメントマーク３ｃに反射させ、
その反射光を検出可能に構成してもよい。
【００９３】次にこのように構成された本実施の形態の
動作を説明する。アライメントマーク観察用光学装置２
９Ａａ、２９Ａｂからのアライメントマークの投影像を
前記モニタにて観察して、基板５に設けた前記したアラ
イメントマーク２２、とアライメントマーク観察用光学
装置２９Ａａ、２９Ａｂの基準位置がズレていると、エ
ンボスロール回転軸方向移動機構１５及び／または基板
回転方向調整機構１６Ｂを移動調整して、前記基準位置
のズレを所定基準値内に一致させる。
【００９４】そして、転写ステージ７Ｂを初期位置に移
動して、その初期位置において、加圧機構２を所定位置
まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しながら、
転写ステージ７Ｂを移動させて、エンボスロール３を転
動させて凹凸パターンを形成する。
【００９５】尚、本実施の形態においては、２個のアラ
イメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂを用
いているが、１個または４個のアライメントマーク観察
用光学装置を用いて、エンボスロール回転軸方向移動機
構１５もしくはエンボスロール回転軸方向移動機構８を
駆動してアライメントマークの位置ズレを求め、基板回
転方向調整機構１６Ｂを移動調整して、前記基準位置の
ズレが所定基準値内に一致させることもできる。
【００９６】図１３は、不活性ガス雰囲気中における樹
脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置
の要部説明図である。同図において、気密に構成された
チャンバ２３内に転写ステージ７が配置され、該転写ス
テージ７上には樹脂薄膜４がコートされた基板５が取り
外し可能に保持されている。樹脂薄膜４の上方には加圧
機構２が上下動及び左右動可能に配設され、該加圧機構
２には（ａ）においてはスタンパ３Ｂが取付られ、
（ｂ）においては、エンボスロール部３Ａが回転可能に
取付られている。
【００９７】チャンバ２３には排気部２４が該チャンバ
２３内の気体を排気可能に配設されている。該排気部２
４には換気扇、ロータリポンプ等が配置され、チャンバ
２３内の気体をある程度排気可能に構成されている。ま
た、チャンバ２３にはパージ部２５がチャンバ２３内に
所定の気体を送入可能に配設されている。該パージ部２
５には、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスをチャンバ２３内
に送入する機構として、マスフローコントローラ、ＡＰ
Ｃバルブなどのガス流量を制御する装置が配置されてい
る。該パージ部２５は図示しない不活性ガスの供給源で
あるガスボンベもしくはガス精製装置に連結されてい
る。
【００９８】このように構成された本実施の形態は、樹
脂薄膜４がスピンコートされた基板５を転写ステージ７
上に固定する。次に、排気部２４を動作させ、チャンバ
２３内の空気を排気する。排気部２４の動作を停止した
後にパージ部２５を動作させ不活性ガスをチャンバ２３
内に導入する。その後、加圧機構２をチャンバ２３内の
左側の初期位置から所定圧力で右側に移動させることに
よって、樹脂薄膜４には凹凸パターンが形成される。
【００９９】本実施の形態によると、予め排気部２４に
よってチャンバ２３内の空気を排気するので、チャンバ
２３内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清
浄な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成するの
で、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、さらに凹凸パタ
ーン形成中にその不純物が樹脂薄膜４に付着して凹凸パ
ターン上に固着するのを防止できるので、光学素子の製
造の歩留まりを向上することができる。
【０１００】尚、本実施の形態は加圧機構２を左右動可
能に構成したが、エンボスロール回転方向移動機構８を
用いて転写ステージ７を移動させたり、また、基板回転
方向調整機構１６を用いてもよいことは勿論のことであ
る。
【０１０１】図１４は、減圧雰囲気中における樹脂薄膜
に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部
説明図である。図１３との相違点は、チャンバ２３内を
不活性ガス雰囲気の代わりに大気圧未満の減圧雰囲気で
光学素子を製造する点である。
【０１０２】チャンバ２３に連結される排気部２４に
は、ロータリポンプ、ターボポンプ、ディフージョンポ
ンプ等が配置され、チャンバ２３内の圧力を、１０−３
〜１０ −７Ｔｏｒｒに気体を排気可能に構成されてい
る。また、チャンバ２３にはパージ部２５によって、Ｎ
２、Ａｒなどの不活性ガスをチャンバ２３内に送入して
もよいが、不活性ガスを導入しないままで光学素子を製
造してもよい。
【０１０３】本実施の形態によると、予め排気部２４に
よってチャンバ２３内の空気を排気するので、チャンバ
内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清浄な
不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成することが
できる。そして、特に、チャンバ内を減圧させた場合
は、水分も容易に気化して排気されるので、型材と樹脂
薄膜との間に空気が捕らわれることがなくなり、凹凸パ
ターン形成中に浮遊する不純物、水蒸気等が樹脂薄膜４
に付着して凹凸パターン上に固着するのを防止できる。
さらに、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、気泡のない
凹凸パターンが形成できるので、気泡は加圧時にダンパ
として働き、加圧力を大きくする必要が生じていたが、
気泡がなくなることで加圧力を小さくできるので、凹凸
パターンの残留応力が低減できる。すなわち、光学素子
の製造の歩留まりを向上することができる。
【０１０４】上述した実施の形態により図１５に示すよ
うな、基板上の樹脂薄膜に凹凸パターンを形成すること
ができる。このようにして得られた凹凸パターンを有す
る樹脂薄膜を備えた光学素子は、凹凸パターン形状、樹
脂薄膜の材質、基板の材質などを適宜選定することによ
り、例えば、透明回折格子基板、ホログラム、光ディス
クなどの光記憶媒体、フレネルレンズ、マイクロレンズ
アレー、光導波管等として用いることができる。
【０１０５】また、このような基板の凹凸パターン面を
スパッタ、蒸着などでＡｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金
などの高反射率材料を２０００Å程度堆積させて反射膜
２６を形成すると図１６に示すような反射板を製造する
ことができる。
【０１０６】尚、この際には、前記反射膜２６と樹脂薄
膜４との間にＴｒ、Ｃｒ、Ｓｉなどの間接膜を積層す
る、すなわち、予め前記間接膜を凹凸パターン面にコー
トした後に、前記反射膜２６を形成することによって樹
脂薄膜と反射膜との密着性を向上することができる。
【０１０７】この反射板は、ホログラム、フレネルミラ
ー、マイクロミラーアレイ等の光学素子として用いるこ
とができる。また、前記反射膜２６を金属薄膜で形成
し、その表面を絶縁膜、例えば、透明のポリイミドやア
クリル系樹脂などの樹脂薄膜でスピンコートにより平坦
化して封止することにより、ＳＴＮなどの液晶表示装置
の電極基板として用いることができる。
【０１０８】図１７は、液晶表示装置の一実施の形態を
説明する図である。基板５は無アルカリガラス、もしく
は高耐熱性樹脂などで成型され、表面には例えばＴＦＴ
などの液晶駆動素子３１の形成工程である半導体形成工
程によって薄膜の前記ＴＦＴ３１が形成されている。
【０１０９】樹脂薄膜４は２００℃より十分高いガラス
転移温度を有するポリイミド樹脂などの高耐熱性材料で
スピンコートされる。この樹脂薄膜４は凹凸パターンを
形成後に、スパッタ、蒸着などでＡｌ、Ａｇ、Ａｌ合
金、Ａｇ合金などの高反射率材料を堆積させて反射膜２
６を形成するために液晶駆動素子３１が形成される基板
５と同じ程度以上のガラス転移温度を必要とする。そし
て、該反射膜２６の上には上述した高耐熱材料であるポ
リイミド樹脂などがスピンコートされ、透明の絶縁性の
配向膜として用いられる。また、反射膜２６の厚さを制
御することで光透過率を高くすることが可能であって、
反透過型液晶表示装置を製造することができる。
【０１１０】なお、本実施の形態の反射板は反射型液晶
表示装置に限らず、その他の反射型表示装置にも用いる
ことができる。また、図示しないが、バックライト光源
のパワーを少なくしたり、液晶パネル以外のところから
入射光を取り入れる、いわゆる半透過型液晶表示装置に
も用いることができる。
【０１１１】尚、ここでは反射板の表面に凹凸パターン
を形成し、各凹凸の表面で入射光を反射させる表面反射
型の反射板を説明したが、基板をガラスや透明樹脂など
で形成し、基板の裏面に形成した凹凸パターンによって
入射光を反射させるようにした裏面反射型の反射板でも
よい。
【０１１２】このように構成された反射板１を備えた反
射型液晶表示装置は、携帯電話や弱電力型無線機器など
の電子機器のディスプレイ用に用いることが可能であ
る。尚、本実施の形態は、前記した電子機器のみではな
く、電子手帳、携帯用コンピュータ、携帯用テレビなど
の携帯情報端末に応用できることは勿論のことである。
【０１１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
型材のマイクロ凹凸パターン面を前記樹脂薄膜表面に押
圧し、マイクロ凹凸パターンを押圧形成するので、樹脂
薄膜側に残るマイクロ凹凸パターンが３次元形状に自由
に形成でき、自由度が高く、また再現性の高いマイクロ
凹凸パターンが得られる。そして、前記基板上にコート
される感光性樹脂の薄膜の温度を感光性消滅温度未満に
制御しているので、その後必要に応じてスルーホールを
開設したり、また樹脂薄膜の形状を適宜形状に切断する
際に、フォトリソグラフィ法によって容易に行うことが
でき、加工精度がよい光学素子を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸
パターンを形成する凹凸パターン形成方法の説明図であ
る。
【図２】 第１実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図３】 第２実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図４】 第３実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図５】 第４実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図６】 第５実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図７】 第６実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図８】 第７実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図９】 反射板下方に液晶駆動素子用アライメントマ
ークを有する基板を用いた場合の樹脂薄膜に凹凸パター
ンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図（１）
である。
【図１０】 反射板下方に液晶駆動素子用アライメント
マークを有する基板を用いた場合の樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図
（２）である。
【図１１】 反射板下方側にアライメントマーク観察用
装置を有する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図１２】 アライメントマーク観察用装置の観察方法
を説明する説明図である。
【図１３】 不活性ガス雰囲気中における樹脂薄膜に凹
凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明
図である。
【図１４】 減圧雰囲気中における樹脂薄膜に凹凸パタ
ーンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図であ
る。
【図１５】 凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた基
板を説明する図である。
【図１６】 凹凸パターン面に反射膜をコートした反射
板を説明する図である。
【図１７】 液晶表示装置の一実施の形態を説明する図
である。
【図１８】 反射板凹凸パターン側の導体部分と基板側
の導体部分との導通路を説明する説明図である。
【符号の説明】
１ 反射板 ２ 加圧機構（加圧手段） ４ 樹脂薄膜 ５ 基板 ７ 転写ステージ ２０ 温度制御部 ３３ スタンパ（型材）
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｃ Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 1/1368 1/1368 // Ｂ２９Ｋ 33:00 Ｂ２９Ｋ 33:00 77:00 77:00 101:10 101:10 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 (72)発明者 松下 元彦 京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地 オムロン株式会社内 (72)発明者 青山 茂 京都市下京区塩小路通堀川東入南不動堂町 801番地 オムロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H042 DA02 DA04 DA11 DC02 DC08 DD00 DD02 DE00 2H091 FA16Y FC19 FD06 GA02 GA13 LA12 2H092 GA19 GA29 JA24 JA46 JB08 JB56 KB21 MA12 MA13 MA37 NA27 PA12 4F202 AA21 AD04 AD08 AH33 AH42 CA01 CA03 CB01 CB11 CB27 CC10 CL01 CL04 CL06 CM90 CN01 CN05 4F204 AA21 AD04 AD08 AH33 AH42 EA03 EB01 EB11 EB23 EB25 EE16 EF01 EF37 EF49 EK10 EK13 EK15 EK17 EK18 EK19 EK24 EW01 EW06 EW15 EW34

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パ
    ターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パター
    ンを形成する光学素子の製造方法において、 感光性樹脂による前記樹脂薄膜を前記基板上にコート
    し、前記樹脂薄膜の温度を感光性消滅温度未満に制御
    し、前記樹脂薄膜を軟化もしくは溶融させた状態で加圧
    手段により前記型材のマイクロ凹凸パターン面を前記樹
    脂薄膜表面に押圧し、前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸
    パターンを押圧形成することを特徴とする光学素子の製
    造方法。
  2. 【請求項２】 前記型材の押圧動作を前記樹脂薄膜上で
    複数回繰り返すことを特徴とする請求項１記載の光学素
    子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記基板を前記型材と相対的に移動させ
    て、前記基板側に設けた基板側アライメントマークと前
    記型材側の基準位置とを一致させて調整することを特徴
    とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 不活性ガス雰囲気で前記樹脂薄膜にマイ
    クロ凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１
    記載の光学素子の製造方法。
  5. 【請求項５】 大気圧未満の減圧された雰囲気で前記樹
    脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成することを特徴と
    する請求項１記載の光学素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記樹脂薄膜はポリイミド（ＰＩ）系も
    しくはアクリル系を含有していることを特徴とする請求
    項１または２記載の光学素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パ
    ターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パター
    ンを形成する光学素子の製造装置において、 前記型材の下方に配置され前記基板を保持する転写ステ
    ージと、 該転写ステージを初期位置と該初期位置から移動して移
    動が終了する移動終了位置との間を往復動させる転写ス
    テージ転写方向移動機構と前記型材を所定位置で前記樹
    脂薄膜を押圧する加圧機構とを備え、 前記加圧機構により前記型材を前記樹脂薄膜表面に押圧
    しマイクロ凹凸パターンを押圧形成することを特徴とす
    る光学素子の製造装置。
  8. 【請求項８】 基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パ
    ターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パター
    ンを形成する光学素子の製造装置において、 前記型材の下方に配置され前記基板を保持する転写ステ
    ージと、 前記型材を所定位置で前記樹脂薄膜を押圧する加圧機構
    と、 該加圧機構を初期位置と該初期位置から移動して移動が
    終了する移動終了位置との間を往復動させる加圧機構転
    写方向移動機構とを備え、 前記加圧機構により前記型材を前記樹脂薄膜表面に押圧
    しマイクロ凹凸パターンを押圧形成することを特徴とす
    る光学素子の製造装置。
  9. 【請求項９】 前記型材の下方に前記基板をＸ軸及びＹ
    軸方向に移動可能であって、かつ前記型材に向かうＺ軸
    中心に回動可能に配置し、前記型材に対する前記基板位
    置を調整可能に構成したことを特徴とする請求項７また
    は８記載の光学素子の製造装置。
  10. 【請求項１０】 前記型材を外周にマイクロ凹凸パター
    ンを有する円筒状に形成し、前記型材が前記樹脂薄膜表
    面を転動してマイクロ凹凸パターンを押圧形成すること
    を特徴とする請求項７または８記載の光学素子の製造装
    置。
  11. 【請求項１１】 前記マイクロ凹凸パターンが転写され
    る転写方向と交差する交差方向に、前記転写ステージを
    移動する転写ステージ交差方向移動機構を備え、前記樹
    脂薄膜を前記型材に対して相対的に前記転写方向及び前
    記交差方向に移動可能に構成したことを特徴とする請求
    項７または８記載の光学素子の製造装置。
  12. 【請求項１２】 前記型材は、前記樹脂薄膜にマイクロ
    凹凸パターンを押圧形成するスタンパ部と、該スタンパ
    部を保持する基部とで構成され、前記スタンパ部と前記
    基部の間に弾性部材を介在したことを特徴とする請求項
    ７または８記載の光学素子の製造装置。
  13. 【請求項１３】 前記型材は、前記樹脂薄膜にマイクロ
    凹凸パターンを押圧形成するスタンパ部と、該スタンパ
    部を回転可能に保持するロール部との間に弾性部材を介
    在したことを特徴とする請求項１０記載の光学素子の製
    造装置。
  14. 【請求項１４】 前記型材と前記転写ステージとを加熱
    する加熱部と、該加熱部を制御する温度制御部とを備え
    たことを特徴とする請求項７または８記載の光学素子の
    製造装置。
  15. 【請求項１５】 前記加圧機構に少なくとも１つのアラ
    イメントマーク観察用光学装置を設け、前記基板に配設
    された少なくとも１つのアライメントマークを視認可能
    に構成したことを特徴とする請求項７または８記載の光
    学素子の製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記基板下方に少なくとも１つのアラ
    イメントマーク観察用光学装置を設け、少なくとも１組
    の、前記基板上に配設された第１のアライメントマーク
    と、前記型材上に配設された第２のアライメントマーク
    を視認可能に構成したことを特徴とする請求項７または
    ８記載の光学素子の製造装置
  17. 【請求項１７】 基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸
    パターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パタ
    ーンを形成する光学素子の製造装置において、 少なくとも、前記基板を保持する転写ステージと、前記
    型材を所定位置で前記樹脂薄膜を押圧する加圧機構と、
    前記型材を前記樹脂薄膜表面に押圧しつつ、前記転写ス
    テージ若しくは前記型材を移動する移動機構とを、排気
    手段を有した気密室内に配置し、 前記型材が前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンの
    押圧形成動作に先立って前記排気手段により前記気密室
    内の気体を排気することを特徴とする光学素子の製造装
    置。
  18. 【請求項１８】 マイクロ凹凸パタ−ン部とスルーホー
    ル部とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた光
    学素子の製造方法において、 基板上に感光性樹脂薄膜を形成し、該樹脂薄膜の温度を
    感光性消滅温度未満に制御し、前記樹脂薄膜を軟化もし
    くは溶融させた状態でマイクロ凹凸パターンを有する型
    材にて前記樹脂薄膜上に前記マイクロ凹凸パターン部を
    押圧形成し、 その後にフォトリソグラフィ法にて前記マイクロ凹凸パ
    ターン部表面から前記基板表面までスルーホールを形成
    し、その後に感光性消滅温度を超える温度にて焼成する
    ことを特徴とする光学素子の製造方法。
  19. 【請求項１９】 マイクロ凹凸パタ−ン部とスルーホー
    ル部とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた反
    射板の製造方法において、 予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部を形成
    した基板を用い、 該基板上に形成した感光性樹脂薄膜の温度を感光性消滅
    温度未満に加熱制御し、前記樹脂薄膜を軟化もしくは溶
    融させた状態でマイクロ凹凸パターンを有する型材にて
    前記樹脂薄膜上に前記マイクロ凹凸パターン部を押圧形
    成し、 フォトリソグラフィ法にて前記マイクロ凹凸パターン部
    表面から前記薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト
    部までスルーホールを形成した後に、前記スルーホール
    内周面を含んで前記マイクロ凹凸パターン面に金属材料
    による反射膜層を形成して、 その後に感光性消滅温度を超える温度にて焼成すること
    を特徴とする反射板の製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005227519A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP2007233382A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置の製造装置及びこれを利用した表示装置の製造方法
US7419770B2 (en) 2003-09-01 2008-09-02 Omron Corporation Manufacturing method of optical device provided with resin thin film having micro-asperity pattern
JP2008258517A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Toppan Printing Co Ltd テクスチャー形成板およびその製造方法、並びに、それを用いた透明電極付き基板、太陽電池および太陽電池モジュール
CN100437244C (zh) * 2005-06-13 2008-11-26 三星电子株式会社 液晶显示器的制造方法
CN100437259C (zh) * 2005-07-19 2008-11-26 三星电子株式会社 显示装置的制造方法
KR20170142392A (ko) * 2016-06-17 2017-12-28 주식회사 옵티움 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터, 및 백라이트유닛의 반사판 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 반사판을 구비한 백라이트유닛
WO2019107959A1 (ko) * 2017-11-29 2019-06-06 주식회사 레티널 광학 장치의 제조 방법
WO2019160166A1 (ja) * 2018-02-19 2019-08-22 株式会社ダイセル モールドの製造方法、及びこれを利用した成形体の製造方法
CN111741840A (zh) * 2018-02-19 2020-10-02 株式会社大赛璐 模具的制造方法、以及利用了该制造方法的成型体的制造方法
US11656460B2 (en) 2017-11-29 2023-05-23 Letinar Co., Ltd Method of manufacturing optical device with first and second optical elements having reflective units

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002268057A (ja) * 2001-03-06 2002-09-18 Omron Corp マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置
US7252492B2 (en) * 2002-06-20 2007-08-07 Obducat Ab Devices and methods for aligning a stamp and a substrate
KR100883096B1 (ko) * 2002-10-05 2009-02-11 삼성전자주식회사 광학 부재, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 액정표시장치
US8268446B2 (en) 2003-09-23 2012-09-18 The University Of North Carolina At Chapel Hill Photocurable perfluoropolyethers for use as novel materials in microfluidic devices
KR101376715B1 (ko) 2003-12-19 2014-03-27 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 소프트 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 분리된 마이크로- 및 나노- 구조를 제작하는 방법
US9040090B2 (en) * 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
WO2005084191A2 (en) * 2004-02-13 2005-09-15 The University Of North Carolina At Chapel Hill Functional materials and novel methods for the fabrication of microfluidic devices
FI20045293A (fi) * 2004-08-13 2006-02-14 Avantone Oy Laite ja menetelmä diffraktiivisen mikrorakenteen tuottamiseksi
US20090027603A1 (en) * 2005-02-03 2009-01-29 Samulski Edward T Low Surface Energy Polymeric Material for Use in Liquid Crystal Displays
WO2007133235A2 (en) * 2005-08-08 2007-11-22 Liquidia Technologies, Inc. Micro and nano-structure metrology
EP2537657A3 (en) 2005-08-09 2016-05-04 The University of North Carolina At Chapel Hill Methods and materials for fabricating microfluidic devices
DE102005041505B3 (de) * 2005-09-01 2007-04-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Abformen von Strukturen
DE102006005073B4 (de) * 2006-02-03 2013-06-06 Itw Morlock Gmbh Tampondruckanlage
DE102006008626B4 (de) * 2006-02-24 2008-01-10 Flooring Technologies Ltd. Vorrichtung zur Veredelung von Bauplatten
US20070283832A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Apple Computer, Inc. Imprint circuit patterning
US20080181958A1 (en) * 2006-06-19 2008-07-31 Rothrock Ginger D Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials
JP4264757B2 (ja) * 2006-07-28 2009-05-20 株式会社マグエックス マグネットシートに対する表示体形成方法
US20100151031A1 (en) * 2007-03-23 2010-06-17 Desimone Joseph M Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response
US20090046219A1 (en) * 2007-08-15 2009-02-19 Gareth Paul Bell Optical diffuser
CN102037393A (zh) * 2008-05-19 2011-04-27 株式会社Lstech 导光板图像形成装置
JP6489483B2 (ja) * 2016-03-09 2019-03-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法
KR20180138305A (ko) * 2017-06-21 2018-12-31 현대자동차주식회사 일체형 엠블럼 제조장치 및 그 제조방법
EP4085455A1 (en) * 2021-03-16 2022-11-09 Ceramic Data Solutions GmbH Data carrier, reading method and system utilizing super resolution techniques
CN113293560A (zh) * 2021-05-13 2021-08-24 刘可思 一种布料压花烫金工艺及其压花装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071597A (en) * 1989-06-02 1991-12-10 American Bank Note Holographics, Inc. Plastic molding of articles including a hologram or other microstructure
JP2812851B2 (ja) 1993-03-24 1998-10-22 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JP2002214414A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Omron Corp マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、該光学素子の製造方法及び装置
JP2002268057A (ja) * 2001-03-06 2002-09-18 Omron Corp マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7419770B2 (en) 2003-09-01 2008-09-02 Omron Corporation Manufacturing method of optical device provided with resin thin film having micro-asperity pattern
JP2005227519A (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Sony Corp 表示装置の製造方法
US7817228B2 (en) 2005-06-13 2010-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing method of an LCD comprising a mold and a mask
CN100437244C (zh) * 2005-06-13 2008-11-26 三星电子株式会社 液晶显示器的制造方法
US7875477B2 (en) 2005-07-19 2011-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Manufacturing method of liquid crystal display
CN100437259C (zh) * 2005-07-19 2008-11-26 三星电子株式会社 显示装置的制造方法
JP4712740B2 (ja) * 2006-02-27 2011-06-29 三星電子株式会社 表示装置の製造装置及びこれを利用した表示装置の製造方法
JP2007233382A (ja) * 2006-02-27 2007-09-13 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置の製造装置及びこれを利用した表示装置の製造方法
JP2008258517A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Toppan Printing Co Ltd テクスチャー形成板およびその製造方法、並びに、それを用いた透明電極付き基板、太陽電池および太陽電池モジュール
KR20170142392A (ko) * 2016-06-17 2017-12-28 주식회사 옵티움 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터, 및 백라이트유닛의 반사판 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 반사판을 구비한 백라이트유닛
KR101936314B1 (ko) 2016-06-17 2019-04-03 주식회사 옵티움 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 플래시용 ｌｅｄ 모듈의 리플렉터, 및 백라이트유닛의 반사판 제조 방법과 그 제조방법에 의하여 제조된 반사판을 구비한 백라이트유닛
WO2019107959A1 (ko) * 2017-11-29 2019-06-06 주식회사 레티널 광학 장치의 제조 방법
US11656460B2 (en) 2017-11-29 2023-05-23 Letinar Co., Ltd Method of manufacturing optical device with first and second optical elements having reflective units
WO2019160166A1 (ja) * 2018-02-19 2019-08-22 株式会社ダイセル モールドの製造方法、及びこれを利用した成形体の製造方法
CN111741840A (zh) * 2018-02-19 2020-10-02 株式会社大赛璐 模具的制造方法、以及利用了该制造方法的成型体的制造方法
EP3756847A4 (en) * 2018-02-19 2021-11-24 Daicel Corporation MOLD PRODUCTION PROCESS AND MOLDED ARTICLE PRODUCTION PROCESS USING IT

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