JP6489483B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板の主面に貼り付けられた樹脂フィルムをパターニングする工程と、基板をプラズマ処理する工程と、を組み合わせたプラズマ処理方法に関する。
ラミネートマスク（例えばドライフィルムレジスト）を用いたパターニングは、半導体回路、電子回路などの製造工程を簡略化するものであり、多方面での応用が求められている。しかし、ラミネートマスクを基板の主面に貼り付ける工程では、ラミネートマスクと基板の主面との間に空気が介在しやすく、不可避的に微小な空隙が形成される（特許文献１参照）。このような現象を低減するには、高度に減圧された雰囲気中で貼り付け工程を行う必要があるが、コストの上昇や工程の煩雑化を招く。また、ラミネートマスクは、それ自身が表面に微小な凹凸を有し、基板の主面にも微小な凹凸が存在し得る。そのため、ラミネートマスクと基板の主面との間に空隙が形成される現象を回避することは原理的に困難である。
精細なエッチングが要求されない分野では、ラミネートマスクと基板の主面との間の微小な空隙は問題にならない。しかし、精細なエッチングが要求される場合、空隙が存在する領域では、基板の主面からマスクの少なくとも一部が浮いた状態となる。そのため、後続のエッチング工程で基板の余分な部分がエッチングされ、最終製品の不良を生じやすい。
特開平３−１４１３５８号公報
本発明は、簡易な工程で、精細なパターンで基板をエッチングすることを目的とする。
本発明の一局面は、第１主面および前記第１主面の反対側の第２主面を備える基板の前記第１主面に樹脂フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、前記樹脂フィルムをパターニングして、前記基板の被処理領域を露出させる開口部を有するマスクを形成するパターニング工程と、第１ガスを含む減圧雰囲気中で、前記第１ガスの第１プラズマを生成させて、前記マスクを前記第１プラズマに晒すことにより、前記マスクと前記第１主面との間の空隙を減少させる第１プラズマ工程と、第２ガスを含む雰囲気中で、前記第２ガスから第２プラズマを生成させて、前記開口部から露出する前記被処理領域を前記第２プラズマに晒すことにより、前記被処理領域をエッチングする第２プラズマ工程と、を有する、プラズマ処理方法に関する。
本発明のプラズマ処理方法によれば、樹脂フィルムを基板の主面に貼り付ける際に樹脂フィルムと基板の主面との間に微小な空隙が介在した場合でも、精細なパターンで基板をエッチングすることができる。
本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法で使用するプラズマ処理装置の一例の構造を模式的に示す概略断面図である。 本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法のスキームを模式的に示す工程図である。 本発明の別の実施形態に係るプラズマ処理方法のスキームを模式的に示す工程図である。
本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法は、第１主面およびその反対側の第２主面を備える基板の第１主面に樹脂フィルムを貼り付ける工程（貼り付け工程）を有する。貼り付け工程は、液状のレジストを塗布して樹脂層を形成する工程ではなく、予め準備された樹脂フィルムを基板の第１主面に貼り付ける工程である。このとき、樹脂フィルムと第１主面との間に微小な空隙が形成され得るが、後続の第１プラズマ工程で空隙を減少させることができるため、貼り付け工程を減圧雰囲気中で行う必要はない。
樹脂フィルムは、基板の第１主面に付着できる粘着性を有すればよく、樹脂フィルムの種類、構造などは特に限定されない。樹脂フィルムは、粘着性を有する粘着層だけでもよいが、取り扱い性を向上させるために基材シートを有してもよい。通常は、基材シートに保持された粘着層が用いられ、粘着層を基板の第１主面に貼り付けた後、基材シートは剥がされる。この場合、樹脂フィルムは粘着層のみで構成される。
樹脂フィルムには、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル系糊剤などをベース材料とする感光性を有さない粘着層を用いてもよく、感光性を有する粘着層（レジスト層）を用いてもよい。中でも、基材シートに保持されたレジスト層（ドライフィルムレジスト）は、様々な種類が市販されているため、容易に入手できる。
基材シートには、例えばポリエステルフィルムが用いられる。市販のドライフィルムレジストの場合、粘着層がカバーフィルムで覆われた三層構造を有する。カバーフィルムには、例えばポリエチレンフィルムが用いられる。なお、基材シートの材質は、上述のポリエステルの他、塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレートなどでもよい。
エッチングの対象である基板は、様々な回路部材であり得るため、特に限定されないが、シリコンウエハのような半導体基板、フレキシブルプリント基板のような樹脂基板、セラミックス基板などが挙げられる。半導体基板を構成する半導体としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。
半導体基板は、その第１主面に回路層を有してもよい。回路層は、少なくとも絶縁膜を含んでおり、その他、金属材料、樹脂保護層、電極パッドなどを含んでもよい。絶縁膜は、配線用の金属材料との積層体（多層配線層）として含まれてもよい。絶縁膜は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）、ポリイミドなどの樹脂膜、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）等を含む。
次に、樹脂フィルムをパターニングして、基板の被処理領域を露出させる開口部を樹脂フィルムに形成する工程（パターニング工程）が行われる。パターニング工程は、樹脂フィルムから開口部を有するマスクを形成する工程であり、その方法は特に限定されない。
ドライフィルムレジストを用いる場合、パターニング工程では、例えばウェットエッチングにより、樹脂フィルムのマスクの開口部に対応する部分を除去すればよい。ウェットエッチングでは、基板の第１主面に貼り付けられた樹脂フィルムもしくはレジスト層を所望のパターンで露光した後、エッチング液にレジスト層を浸して開口部を有するマスクを形成する工程である。レジスト層のタイプは、ポジ型とネガ型とを問わない。
感光性を有さない樹脂フィルムもしくは粘着層を用いる場合、パターニング工程では、例えばレーザによるスクライビングにより、樹脂フィルムもしくは粘着層のマスクの開口部に対応する部分を除去すればよい。
次に、パターニングにより形成されたマスクを有する基板の周囲に、第１ガスを含む減圧雰囲気が形成される。引き続き、第１ガスの第１プラズマを生成させ、マスクを第１プラズマに晒すことにより、マスクと第１主面との間の空隙を減少させる工程（第１プラズマ工程）が行われる。マスクが減圧雰囲気中で第１プラズマに晒されることで、少なくともマスクの開口部の近傍に存在する空隙内から空気が流出し、基板の第１主面からのマスクの浮き上がりが是正される。これにより、基板の第１主面とマスクとの密着性が向上する。よって、後続のエッチング工程で、基板の余分な部分のエッチングが抑制され、精細なエッチングが可能になる。仮に、マスクの開口部の近傍でマスクが基板の第１主面から浮き上がった状態でエッチングを行うと、第１主面のマスクから離れた部分からもエッチングが進行し、精細なエッチングが困難になる。
第１プラズマ工程では、マスクの少なくとも一部を軟化させることが望ましい。これにより、基板の第１主面とマスクとの密着性が更に向上する。そのためには、マスクの少なくとも一部が軟化温度以上になるまで、第１プラズマでマスクを加熱すればよい。マスクが粘着層もしくはレジスト層である場合、マスクの温度が６０℃〜１１０℃になるように、好ましくは８０℃〜１００℃になるように、第１プラズマを制御してマスクを加熱することが望ましい。必要に応じて、第１プラズマに基板に向かう方向のバイアスを印加してもよい。
第１ガスは、化学的な作用を有さないことが望ましい。よって、第１ガスは、アルゴン、酸素、窒素およびヘリウムよりなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。このとき、第１ガスを含む減圧雰囲気の圧力は、例えば０．１Ｐａ〜１００Ｐａであればよく、０．５Ｐａ〜２０Ｐａが好ましい。
次に、第１プラズマ処理後の基板の周囲に第２ガスを含む雰囲気が形成される。引き続き、第２ガスから第２プラズマを生成させ、開口部から露出する被処理領域を第２プラズマに晒すことにより、被処理領域をエッチングする工程（第２プラズマ工程）が行われる。このとき、第１プラズマ工程と第２プラズマ工程とを、同じ空間内で連続して行うことが効率的であり、好ましい。第１プラズマ工程と第２プラズマ工程は、例えばドライエッチング装置が具備するチャンバの内側の処理空間で行われる。
第２ガスは、第１ガスと同じでもよく、異なってもよい。すなわち、第２プラズマは第１プラズマと同じ条件で発生させてもよい。ただし、通常、マスクと第１主面との間の空隙を減少させるために必要な第１プラズマの条件と、被処理領域をエッチングするために必要な第２プラズマの条件とは異なっている。第２ガスの種類、圧力、第２プラズマの条件などは、エッチングする基板の種類によって適宜選択される。
第２プラズマ工程では、例えば、第２プラズマによって被処理領域が第１主面から第２主面までエッチングされ、基板が個片化される。このような工程は、例えばドライエッチング装置を用いる半導体基板のプラズマダイシングに適している。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法の一例について説明する。まず、図１を参照しながら、第１プラズマ工程と第２プラズマ工程を行う際に使用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。ただし、プラズマ処理装置はこれに限定されるものではない。
プラズマ処理装置２００は、真空チャンバ２０３を備え、その内側の処理空間にステージ２１１を備えている。真空チャンバ２０３には、ガス導入口２０３ａおよび排気口２０３ｂが設けられている。ガス導入口２０３ａには、プロセスガス源２１２およびアッシングガス源２１３が、それぞれ接続されている。排気口２０３ｂには、真空チャンバ２０３内のガスを排気して減圧する真空ポンプを含む減圧機構２１４が接続されている。
ステージ２１１には、搬送キャリア２０に保持された基板１０が載置される。搬送キャリア２０は、環状のフレーム２１と保持シート２２とで構成されており、フレーム２１は保持シート２２の周囲を固定している。保持シート２２は、基板１０の第２主面を貼り付けるための粘着面を有している。ステージ２１１の外周には昇降機構２２３Ａにより昇降駆動される複数の支持部２２２が配置されており、真空チャンバ２０３内に搬入された搬送キャリア２０が支持部２２２に受け渡され、ステージ２１１上に搭載される。
ステージ２１１の上方には、少なくともフレーム２１を覆うとともに基板１０を露出させる窓部２２４Ｗを有するカバー２２４が配置されている。カバー２２４は複数の昇降ロッド２２１と連結しており、昇降機構２２３Ｂにより昇降駆動される。真空チャンバ２０３の上部は誘電体部材２０８により閉鎖され、誘電体部材２０８の上方に上部電極としてアンテナ２０９が配置されている。アンテナ２０９は、第１高周波電源２１０Ａと接続されている。
ステージ２１１は、上方から順に配置された電極層２１５、金属層２１６および基台１１７を具備し、これらは外周部２１８で取り囲まれ、外周部２１８の上面には保護用の外周リング２２９が配置されている。電極層２１５の内部には、静電吸着用の電極部（ＥＳＣ電極）２１９と、第２高周波電源２１０Ｂに接続された高周波電極部２２０とが配置されている。ＥＳＣ電極２１９は直流電源２２６と接続されている。高周波電極部２２０に高周波電力を印加することで、第１プラズマ工程および／または第２プラズマ工程を、バイアス電圧を印加しながら行うことができる。金属層２１６内には、ステージ２１１を冷却するための冷媒流路２２７が形成され、冷媒循環装置２２５により冷媒が循環される。
制御装置２２８は、第１高周波電源２１０Ａ、第２高周波電源２１０Ｂ、プロセスガス源２１２、アッシングガス源２１３、減圧機構２１４、冷媒循環装置２２５、昇降機構２２３Ａ、昇降機構２２３Ｂおよび静電吸着機構を含むプラズマ処理装置２００の動作を制御する。
次に、図２に示される模式的スキームを参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理方法の一例について説明する。ここでは、基板としてシリコンウエハのような半導体基板を用い、第２プラズマ工程において半導体基板を個片化する場合について説明する。ただし、本発明に係るプラズマ処理方法はこれに限定されない。
まず、半導体基板１０が準備される（図２（ａ））。半導体基板１０は、複数の素子領域Ｒ１と、複数の素子領域Ｒ１を画定する被処理領域Ｒ２とを備えている。半導体基板１０の第１主面１０Ｓの反対側の第２主面１０Ｒは、この時点から搬送キャリア２０の保持シート２２に貼り付けてもよいが、保持シート２２への貼り付けの要否は任意である。半導体基板１０は、保持シート２２に保持された状態でもよく、保持シート２２に保持されていなくもよい。
半導体基板１０の大きさは特に限定されず、例えば、最大径５０ｍｍ〜３００ｍｍ程度である。半導体基板１０の形状も特に限定されず、例えば、円形、角型である。絶縁膜または多層配線層の厚みは特に限定されず、例えば、２〜１０μｍである。半導体基板１０には、オリエンテーションフラット、ノッチ等の切欠き（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。素子領域Ｒ１の表面には、半導体回路、電子部品素子、ＭＥＭＳ等の回路層（いずれも図示せず）が形成されていてもよい。
次に、半導体基板１０の第１主面１０Ｓに、樹脂フィルム３０を貼り付ける工程が行われる（図２（ｂ））。樹脂フィルム３０は、それ自身が表面に微小な凹凸を有し、半導体基板１０の主面１０Ｓにも微小な凹凸が存在し得る。そのため、樹脂フィルム３０と半導体基板１０の第１主面１０Ｓとの間には不可避的に空隙２３が形成される。第１主面１０Ｓに樹脂フィルム３０を貼り付ける工程は、減圧雰囲気中で行う必要はないが、例えば０．１Ｐａ〜１００Ｐａ程度の減圧雰囲気中で行ってもよい。
次に、樹脂フィルム３０から、半導体基板１０の被処理領域Ｒ２を露出させる開口部３０Ｗを有するマスク３０Ｍを形成するパターニング工程が行われる（図２（ｃ））。樹脂フィルム３０が基材シートと粘着層とを有する場合は、樹脂フィルム３０を基板の第１主面に貼り付けた後、基材シートを剥がし、粘着層のみからマスク３０Ｍを形成してもよい。
パターニング工程では、樹脂フィルムもしくは粘着層３０のうち、被処理領域Ｒ２を覆う部分が除去され、開口部３０Ｗが形成される。パターニング工程では、例えば、レーザによるスクライビングによって、樹脂フィルム３０の被処理領域Ｒ２を覆う部分が除去される。なお、半導体基板１０が保持シート２２に保持されていない状態であれば、樹脂フィルム３０を所定のパターンで露光した後、エッチング液で現像するウェットエッチング工程を行ってもよい。
パターニング工程により、素子領域Ｒ１において第１主面１０Ｓを覆い、被処理領域Ｒ２において第１主面１０Ｓを露出させるマスク３０Ｍが形成される。マスク３０Ｍの厚さは、例えば５μｍ〜８０μｍとすることができる。被処理領域Ｒ２の最小幅（すなわち開口部３０Ｗの最小幅）は、マスクの厚み、マスクの種類、パターニング方法などによるが、例えば２０μｍ〜４０μｍである。
次に、マスク３０Ｍを有する半導体基板１０は、搬送キャリア２０の保持シート２２に保持された状態で、図１に示すようなプラズマ処理装置が備える真空チャンバ２０３の内側の処理空間に搬入され、ステージ２１１上に載置される。
（第１プラズマ工程）
次に、真空チャンバ２０３内の処理空間に、ガス導入口２０３ａを介して、プロセスガス源２１２から第１ガスが導入される。第１ガスの組成は、特に限定されないが、例えばアルゴンガスであることが好ましい。
ＥＳＣ電極２１９に電力を供給すると、保持シート２２がステージ２１１に密着する。続いて、誘電体部材２０８を介して上部に配置されたアンテナ２０９に第１高周波電源２１０Ａから電力を供給すると、磁場が生成し、第１ガスから第１プラズマが生成する。このとき、処理空間内の圧力は、例えば０．１Ｐａ〜１００Ｐａに設定すればよい。減圧雰囲気中で第１プラズマによりマスク３０Ｍが加熱されることで、図２（ｄ）に示すように、マスク３０Ｍと半導体基板１０の第１主面１０Ｓとの間に介在する空隙が減少もしくは除去され、マスク３０Ｍと第１主面１０Ｓとの密着性が高められる。
（第２プラズマ工程）
第１プラズマ工程に引き続き、真空チャンバ２０３の内側の処理空間に、ガス導入口２０３ａを介して、プロセスガス源２１２から第２ガスが導入される。続いて、アンテナ２０９に第１高周波電源２１０Ａから電力を供給すると、磁場が生成し、第２ガスから第２プラズマが生成する。第２プラズマ工程は、被処理領域Ｒ２をエッチングして半導体基板１０をダイシングし、個片化する工程である。
第２プラズマ工程でのエッチング条件は、半導体基板１０の材質に応じて適宜選択することができる。半導体基板１０がシリコンの場合、被処理領域Ｒ２のエッチングには、いわゆるボッシュプロセスを用いることができる。ボッシュプロセスでは、堆積膜形成ステップと、堆積膜エッチングステップと、シリコンエッチングステップとが順次繰り返される。これにより、被処理領域Ｒ２を深さ方向に掘り進むことができる。
堆積膜形成ステップでは、例えば、原料ガスとしてＣ4Ｆ8を１５０〜２５０ｓｃｃｍで供給しながら、処理空間内の圧力を１５Ｐａ〜２５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を０Ｗ、処理時間を５〜１５秒とすればよい。
堆積膜エッチングステップでは、例えば、原料ガスとしてＳＦ6を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理空間内の圧力を５Ｐａ〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を１００〜３００Ｗ、処理時間を２〜１０秒とすればよい。
シリコンエッチングステップでは、例えば、原料ガスとしてＳＦ6を２００〜４００ｓｃｃｍで供給しながら、処理空間内の圧力を５Ｐａ〜１５Ｐａに調整し、第１高周波電源２１０Ａからアンテナ２０９への投入電力を１５００〜２５００Ｗ、第２高周波電源２１０Ｂから高周波電極部２２０への投入電力を５０〜２００Ｗ、処理時間を１０〜２０秒とすればよい。
上記の条件で、堆積膜形成ステップと、堆積膜エッチングステップと、シリコンエッチングステップとを繰り返すことにより、例えばシリコン基板を１０μｍ／分の速度で掘り進むことができる。
第２プラズマ工程は、ＥＳＣ電極２１９に電圧を印加して保持シート２２をステージ２１１に静電吸着させながら行うことが好ましい。第２プラズマにより、半導体基板１０の被処理領域Ｒ２は第１主面１０Ｓから第２主面１０Ｒまでエッチングされ、個片化される。すなわち、第２プラズマ工程により、半導体基板１０は、素子領域Ｒ１を備える複数の素子チップ１１に分割される（図２（ｅ））。
（アッシング工程）
次に、マスク３０Ｍを除去するアッシング工程を行ってもよい（図２（ｆ））。アッシング工程は、第２プラズマ工程が行われた処理空間内で引き続き行うことができる。アッシング用のプロセスガス（例えば、酸素ガス）は、ガス導入口２０３ａを介してアッシングガス源２１３から処理空間内に導入される。所定圧力に維持された処理空間内に高周波電力を供給すると、プラズマが発生し、素子チップ１１の表面からマスク３０Ｍが除去される。
次に、図３は、本発明の実施形態に係る別のプラズマ処理方法のスキームを模式的に示している。本発明に係るプラズマ処理方法は、図３（ａ）に示すように、第１主面１０Ｓａに複数の凹凸を有する基板１０Ａをエッチングする場合に有用なプロセスである。
基板１０Ａが第１主面１０Ｓａに複数の凹凸を有する場合、樹脂フィルム３０を第１主面１０Ｓａに貼り付ける際に、樹脂フィルム３０と第１主面１０Ｓａとの間に、多数の凹部２４に起因して多数の空隙が形成される（図３（ｂ））。このような状態で樹脂フィルム３０をパターニングすると、形成されたマスク３０Ｍと基板１０Ａの第１主面１０Ｓａとの接合領域が非常に小さくなり、マスク３０Ｍの浮き上がりの程度は大きくなる（図３（ｃ））。この点、第１プラズマ工程によってマスク３０Ｍを加熱すれば、図３（ｄ）に示すように、マスク３０Ｍの一部（特に粘着層）が軟化して第１主面１０Ｓａの凹部２４に充填される現象が起こる。これにより、マスク３０Ｍと第１主面１０Ｓａとの密着性が顕著に高められる。よって、引き続き行われる第２プラズマ工程は、複数の凹凸の影響を受けず、基板１０Ａが余分にエッチングされにくくなる（図３（ｅ））。この場合にも、アッシング工程を行えば、第１主面１０Ｓａに充填されていたマスク３０Ｍに由来する部材は除去されるため、初期の第１主面１０Ｓａの凹凸を維持した素子チップ１１Ａが得られる（図３（ｆ））。
本発明のプラズマ処理方法は、例えばドライフィルムレジストのような樹脂フィルムを貼り付けてマスクを形成し、引き続き、精細なパターンでエッチングを行う場合に有用である。
１０,１０Ａ：基板（半導体基板）、１０Ｓ,１０Ｓａ：第１主面、１０Ｒ：第２主面、Ｒ１：素子領域、Ｒ２：被処理領域、１１,１１Ａ：素子チップ、２０：搬送キャリア、２１：フレーム、２２：保持シート、２３：空隙、２４：凹部、３０：樹脂フィルム、３０Ｍ：マスク、３０Ｗ：開口部、２００：プラズマ処理装置、２０３：真空チャンバ、２０３ａ：ガス導入口、２０３ｂ：排気口、２０８：誘電体部材、２０９：アンテナ、２１０Ａ：第１高周波電源、２１０Ｂ：第２高周波電源、２１１：ステージ、２１２：プロセスガス源、２１３：アッシングガス源、２１４：減圧機構、２１５：電極層、２１６：金属層、２１７：基台、２１８：外周部、２１９：ＥＳＣ電極、２２０：高周波電極部、２２１：昇降ロッド、２２２：支持部、２２３Ａ，２２３Ｂ：昇降機構、２２４：カバー、２２４Ｗ：窓部、２２５：冷媒循環装置、２２６：直流電源、２２７：冷媒流路、２２８：制御装置、２２９：外周リング

Claims (8)

  1. 第１主面および前記第１主面の反対側の第２主面を備える基板の前記第１主面に樹脂フィルムを貼り付ける貼り付け工程と、
    前記樹脂フィルムをパターニングして、前記基板の被処理領域を露出させる開口部を有するマスクを形成するパターニング工程と、
    第１ガスを含む減圧雰囲気中で、前記第１ガスの第１プラズマを生成させて、前記マスクを前記第１プラズマに晒すことにより、前記マスクと前記第１主面との間の空隙を減少させる第１プラズマ工程と、
    第２ガスを含む雰囲気中で、前記第２ガスから第２プラズマを生成させて、前記開口部から露出する前記被処理領域を前記第２プラズマに晒すことにより、前記被処理領域をエッチングする第２プラズマ工程と、を有する、プラズマ処理方法。
  2. 前記第１プラズマ工程が、前記マスクを前記第１プラズマで加熱して、前記マスクの少なくとも一部を軟化させることを含む、請求項１に記載のプラズマ処理方法。
  3. 前記第１ガスが、アルゴン、酸素、窒素およびヘリウムよりなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
  4. 前記第１ガスを含む減圧雰囲気の圧力が、０．１Ｐａ〜１００Ｐａである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  5. 前記第１プラズマ工程と前記第２プラズマ工程とが、同じ空間内で連続して行われる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  6. 前記パターニング工程が、ウェットエッチングにより、前記樹脂フィルムの前記開口部に対応する部分を除去することを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  7. 前記パターニング工程が、レーザによるスクライビングにより、前記樹脂フィルムの前記開口部に対応する部分を除去することを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
  8. 前記第２プラズマ工程が、前記被処理領域を前記第１主面から前記第２主面までエッチングして、前記基板を個片化することを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。

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