JP6573231B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
基板1は、プラズマ処理の対象物である。基板1は、例えば、本体部の一方の表面に、半導体回路、電子部品素子、MEMS等の回路層を形成した後、回路層とは反対側である本体部の裏面を研削し、厚みを薄くすることにより作製される。基板1を個片化することにより、上記回路層を有する電子部品(図示せず)が得られる。
フレーム2は、基板1の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム2は、保持シート3および基板1を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。
保持シート3は、例えば、粘着剤を有する面(粘着面3a)と粘着剤を有しない面(非粘着面3b)とを備えている。粘着面3aの外周縁は、フレーム2の一方の面に貼着しており、フレーム2の開口を覆っている。また、粘着面3aのフレーム2の開口から露出した部分には、基板1が貼着される。
次に、図2を参照しながら、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置100を説明する。図2は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置100の構造の断面を概略的に示している。
保持シート3の張力を増加させる張力増加工程について説明する。張力増加工程は、搬送キャリア10を準備する準備工程と、基板1にプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、の間で行われる。すなわち、張力増加工程は、準備工程が終了した後、プラズマ処理工程が開始される前に行われる。
(加熱ステップ)
加熱ステップは、基板1を保持する前(準備工程後、後述する基板保持工程前)の搬送キャリア10の保持シート3を加熱することにより行ってもよいし、基板1を保持した後(基板保持工程後、プラズマ処理工程前)の搬送キャリア10の保持シート3を加熱することにより行ってもよい。保持シート3の加熱の条件は特に限定されず、保持シート3の材質、厚み等に応じて適宜設定すれば良い。なかでも、保持シート3の損傷を抑制する観点から、表面が50〜60℃程度になるように保持シート3を加熱することが好ましい。
冷却ステップは、加熱ステップが終了した後、プラズマ処理工程が開始される前に実行される。冷却ステップは、好ましくは、基板1が保持された(基板保持工程が終了した後の)搬送キャリア10の保持シート3を冷却することにより行われる。この場合、保持シート3の基板1が貼着されていない領域とともに、保持シート3の基板1が貼着されている領域のシワも解消される。言い換えれば、冷却ステップにより、基板1はシワのない保持シート3に貼着された状態になる。保持シート3の基板1が貼着されていない領域は、基板1が貼着されている領域とフレーム2との間で張力がよりかかり易いため、シワを解消する効果が高くなる。
UV照射ステップは、冷却ステップと同様、基板1が保持された搬送キャリア10の保持シート3に対して行われることが好ましい。UV照射ステップは、プラズマ処理装置100の内部で行われてもよいし、外部で行われてもよい。UV照射ステップは、UV光の照射を用いた上記加熱ステップと同様の方法により行うことができる。
以下、張力増加工程として、UV光の照射によって保持シート3を加熱して伸長させる加熱ステップと、保持シート3を冷却により収縮させる冷却ステップとを含む第1実施形態について、図面を参照しながら説明する。本実施形態において、加熱ステップは、基板保持工程が終了した後、搬入工程が開始される前に、プラズマ処理装置100の外部で行われる。冷却ステップは、プラズマ処理装置100の外部から内部への搬送中およびプラズマ処理装置100の内部で、加熱ステップが終了した後、プラズマ処理工程が開始される前に実行される。本実施形態に係るプラズマ処理方法により実行される具体的な工程を、図3および図4を用いて説明する。図3は、プラズマ処理方法を示すフローチャートであり、図4は、本実施形態におけるプラズマ処理方法の一部を示す概念図である。
本工程では、搬送キャリア10を準備する。搬送キャリア10は、例えば、ロール状に捲回された保持シート3を、図示しない架台に置かれたフレーム2の開口を覆うように巻き出して、フレーム2の一方の面に貼着し、固定する。このとき、図1(b)に示すように、保持シート3の粘着面3aをフレームに対向させる。
次いで、搬送キャリア10を粘着面3aを上向きに架台20に載置し、基板1を粘着面3aに貼着することにより、基板1を搬送キャリア10に保持させる。なお、図4(a)では、架台20に載置された搬送キャリア10の保持シート3に基板1を貼着しているが、これに限定されない。例えば、基板1を架台20に載置しておき、これに搬送キャリア10を被せるようにして、基板1を保持シート3に貼着させてもよい。
続いて、保持シート3をUV光の照射によって加熱し、伸長させる(UV光の照射による加熱ステップ)。このとき、フレーム2および保持シート3の基板1が貼着されている領域を覆うように、マスク30を配置することが好ましい。基板1が十分に厚い場合(例えば、100μm以上)、保持シート3の基板1が貼着されている領域を覆うマスクは、省略することができる。UV光の照射は、保持シート3の表面が50〜60℃程度になるような条件で行う。これにより、保持シート3を損傷することなく、伸長させることができる。なお、図4(c)では、保持シート3の基板1が貼着されている面(粘着面3a)側からUV光を照射しているが、これに限定されない。例えば、保持シート3の基板1が貼着されていない面(非粘着面3b)側からUV光を照射してもよい。加熱ステップの後、冷却ステップが行われる。本実施形態では、保持シート3を常温に置くことおよびステージ111への載置により、保持シート3を冷却して収縮させる。
次に、基板1が保持された搬送キャリア10を真空チャンバ103内に搬入する。
真空チャンバ103内では、昇降ロッド121の駆動により、カバー124が所定の位置まで上昇している。続いて、図示しないゲートバルブが開いて搬送キャリア10が搬入される。搬送キャリア10がステージ111上方の所定の位置に到達すると、複数の支持部122が上昇し、搬送キャリア10を支持する。搬送キャリア10は、保持シート3の基板1を保持している面が上方を向くように、支持部122の上端面に載置される。
搬送キャリア10が支持部122に受け渡されると、ゲートバルブが閉じられ、反応室103は密閉状態に置かれる。次に、支持部122が降下を開始する。支持部122の上端面が、ステージ111と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア10は、ステージ111に載置される。続いて、昇降ロッド121が駆動する。昇降ロッド121は、カバー124を所定の位置にまで降下させる。このとき、カバー124が搬送キャリア10に接触することなくフレーム2を覆うことができるように、カバー124とステージ111との距離は調節されている。これにより、フレーム2および保持シート3の基板1を保持していない部分は、カバー124と接触することなくカバー124によって覆われ、基板1はカバー124の窓部124Wから露出する。このとき、図4に示されないESC電極119には電圧が印加されている。
支持部122およびカバー124が所定の位置に配置されると、プロセスガス源112からガス導入口103aを通って、プロセスガスが真空チャンバ103内部に導入される(図2参照)。一方、減圧機構114は、真空チャンバ103内のガスを排気口103bから排気し、真空チャンバ103内を所定の圧力に維持する。
アッシングが終了すると、真空チャンバ103内のガスが排出され、ゲートバルブが開く。個片化された基板1を保持する搬送キャリア10は、ゲートバルブから進入した搬送機構によって、プラズマ処理装置100から搬出される。搬送キャリア10が搬出されると、ゲートバルブは速やかに閉じられる。搬送キャリア10の搬出プロセスは、上記のような基板1をステージ111に搭載する手順とは逆の手順で行われても良い。すなわち、カバー124を所定の位置にまで上昇させた後、ESC電極119への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア10のステージ111への吸着を解除し、支持部122を上昇させる。支持部122が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア10は搬出される。
本実施形態は、加熱ステップを、準備工程が終了した後、基板保持工程において基板1を保持シート3に貼着する前に開始すること、および、加熱ステップが、保持シート3をホットプレートを用いて加熱することにより行われること以外、第1実施形態と同様である。図5に、プラズマ処理方法を示すフローチャートを示す。図6に、本実施形態のプラズマ処理方法の一部を概念的に示す((a)〜(e))。なお、図6の(c)〜(e)は、図4の(d)〜(f)に対応している。
本実施形態は、UV光の照射による加熱ステップを、基板1が保持された搬送キャリア10を真空チャンバ103の内部に搬入した後に行うこと、および、保持シート3へのUV光の照射が、真空チャンバ103の内部で弱いプラズマを発生させることにより実行されること以外、第1実施形態と同様である。図7に、プラズマ処理方法を示すフローチャートを示す。図8に、本実施形態のプラズマ処理方法の一部を概念的に示す((a)〜(e))。なお、図8の(b)、(d)、(e)は、図4の(d)〜(f)にそれぞれ対応している。
Claims (4)
- 搬送キャリアに保持された基板を、プラズマ処理装置に備えられたステージに載置して、前記基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
保持シートと前記保持シートの外周部に配置されるフレームとを備える前記搬送キャリアを準備する準備工程と、
前記保持シートに前記基板を貼着して、前記搬送キャリアに前記基板を保持させる基板保持工程と、
前記保持シートの張力を増加させる張力増加工程と、
前記基板保持工程の後、前記搬送キャリアを前記ステージに載置して、前記基板を前記保持シートを介して前記ステージに接触させる、載置工程と、
前記載置工程の後、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、を備え、
前記張力増加工程が、前記保持シートを50℃以上60℃以下に加熱して伸長させる加熱ステップと、前記加熱ステップの後、前記保持シートを収縮させる収縮ステップと、を含み、
前記張力増加工程が、前記基板保持工程と前記プラズマ処理工程との間に行われる、プラズマ処理方法。 - 前記収縮ステップが、前記保持シートを冷却させて収縮させる冷却ステップである、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記加熱ステップが、前記保持シートに紫外線を照射することにより行われる、請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記加熱ステップが、前記保持シートをプラズマに晒すことにより行われる、請求項1または2に記載のプラズマ処理方法。
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