JP2007123066A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】画素シュリンク及びダークスポットの発生を低減する。
【解決手段】エッジカバー４７は、平坦化層４１の表面に接しており、凹部６２に有機ＥＬ層５０が形成される前に、平坦化層４１と共にベーク処理される。エッジカバー４７は、平坦化層４１と共にベーク処理された際に平坦化層４１から発生するガスと同種のガスを発生する材料で形成されている。エッジカバー４７が平坦化層４１と接しているため、平坦化層４１で発生した水分及びその他の生成物を含むガスが、エッジカバー４７を介して平坦化層４１及びエッジカバー４７の外部に逃がされる。したがって、平坦化層４１及びエッジカバー４７を熱処理した後に凹部６２に形成される有機ＥＬ層５０において、画素シュリンクの低減でき、且つダークスポットの発生を低減できる。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば画像表示装置に応用される有機ＥＬ装置の技術分野に関する。

この種の有機ＥＬ装置の一例である画像表示装置では、基板上の画素部毎に設けられた凹部に有機ＥＬ層が形成されており、この有機ＥＬ層を発光させることによって画像を表示することが多い。凹部は、基板上に形成された隔壁部によって規定されており、有機ＥＬ層は、インクジェット法又は蒸着法等の成膜方法を用いて凹部毎に互いに分離された膜として、或いは凹部及び隔壁部の表面に沿って連続した膜として形成される。隔壁部は、例えばノボラック樹脂で形成される場合がある（例えば特許文献１参照。）。

有機ＥＬ層に駆動電流を流すＴＦＴ等の駆動素子又は有機ＥＬ層から出射された白色光に含まれる赤色光、緑色光及び青色光の夫々を透過させるカラーフィルタは、例えば基板上に形成された平坦化層に埋め込まれている。平坦化層及び平坦化層上に形成された隔壁部が互いに異なる材料で形成されている場合、例えば平坦化層がアクリル樹脂で形成され、隔壁部がノボラック樹脂で形成されている場合、平坦化層をベークする際に発生するガスが隔壁部を介して十分に抜け切らず、ガスが平坦化層或いは隔壁部に残留する場合がある。平坦化層又は隔壁部に残留したガスは、凹部に形成された有機ＥＬ層の膜質を低下させることによってダークスポットを生じさせたり、画素シュリンクを生じさせたりする。ここで、“ダークスポット”とは、発光しない有機ＥＬ層によって画素領域内で生じた表示欠陥であり、“画素シュリンク”とは、有機ＥＬ層の発光面積が収縮することによって画素領域における発光面積が低下する表示欠陥である。

このような欠陥を低減するために、有機ＥＬ装置では平坦化層の上層側に移動してくるガスを低減する保護層（パッシベーション層）を平坦化層の表面に形成する場合がある。

特開２００５−２１６６２５号公報

しかしながら、平坦化層をベークする際に生じたガスが平坦化層の上層側に移動することを抑制するためには、例えば保護層の膜厚を１μｍ程度まで厚くしなければならず、有機ＥＬ装置を製造する際に要する製造コストの増大、及び製造効率の低下を招く製造プロセス上の問題点があった。

加えて、保護層の膜厚を厚くした場合、保護層を貫通するようにコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して、例えば保護層の上層側に形成された陽極と平坦化層に埋め込まれたＴＦＴ等の駆動素子を電気的に接続することが困難となる設計上の問題点もある。例えば、保護層を厚くした場合、製造時における陽極及びＴＦＴの電気的な接続し、且つＴＦＴと陽極との電気的な接続を長期間に亘って維持することは困難となり、画素領域においてダークスポットの個数を増大させてしまう。したがって、有機ＥＬ装置の表示性能及び信頼性を高めるためには、画素シュリンク及びダークスポットを一挙に低減する技術が重要となる。

よって本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば画素シュリンク及びダークスポット等の不具合が低減された有機ＥＬ装置を提供することを課題とする。

本発明に係る有機ＥＬ装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上に形成された平坦化層と、前記平坦化層の表面に接し、前記基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部を規定しており、前記平坦化層と共に熱処理された際に前記平坦化層から発生するガスと同種のガスを発生する隔壁部と、前記凹部に形成された有機ＥＬ層とを備える。

本発明に係る有機ＥＬ装置によれば、平坦化層は例えばアクリル樹脂等の高分子材料で形成されており、その表面は平坦な面である。

隔壁部は、平坦化層の表面に接しており、凹部に有機ＥＬ層が形成される前に、平坦化層と共に、例えばベーク処理等の熱処理が施される。熱処理が施された平坦化層及び隔壁部では、例えば水分及びその他の生成物を含むガスが生成される。ここで、隔壁部は平坦化層と接しており、且つ熱処理が施された際に平坦化層と同種のガスが発生するため、平坦化層で発生したガスが隔壁部を介して平坦化層及び隔壁部から逃がされる。したがって、平坦化層及び隔壁部を熱処理した後に凹部に形成される有機ＥＬ層の膜質が、平坦化層を熱処理した際に発生したガスによって低下することを低減できる。より具体的には、例えば平坦化で発生したガスに含まれる水分及びその生成物によって有機ＥＬ層が収縮し、発光面積が減少することを抑制できる。これにより画素シュリンク等の不具合の発生を低減でき、有機ＥＬ装置の表示特性が低下することを抑制できる。尚、より効果的にガスを逃がすためには、平坦化層及び隔壁部が同一種類の材料で形成されていることが好ましい。

加えて、本発明に係る有機ＥＬ装置によれば、平坦化層上に保護層を設けなくても画素シュリンク等の不具合の発生を抑制できるため、保護層を設けることによって発生するダークスポットの発生を低減できる。より具体的は、本発明に係る有機ＥＬ装置では、平坦化層で発生したガスの移動を低減するために厚い膜厚を有する保護層が形成されていない。したがって、本発明に係る有機ＥＬ装置は、保護層を設けられていない分、平坦化層内に形成された、例えば配線部等と有機ＥＬ層とを電気的に導通させるためのコンタクトホールを容易且つ確実に簡便な製造プロセスによって形成できる。これにより、本発明に係る有機ＥＬ装置は、高品位の画像表示及び高い信頼性を維持されているにも拘らず、製造コストの増大及び製造効率の低下を招くことがない。

尚、有機ＥＬ層は、発光層として機能するだけに限定されるものではなく、正孔注入層及び電子注入／輸送層を含んでいてもよい。

以上より、本発明に係る有機ＥＬ装置によれば、例えば画素シュリンク及びダークスポットの発生が抑制された、高品位の画像表示及び高い信頼性を実現できる有機ＥＬ装置を提供できる。

本発明に係る有機ＥＬ装置の一の態様では、前記画素領域において平面的にみて前記凹部毎に島状に形成された電極を備え、前記電極の縁は、前記隔壁部によって覆われており、前記有機ＥＬ層は前記電極上に形成されていてもよい。

この態様によれば、例えば電極はＩＴＯ（indium Tin Oxide）等の透明導電材料で形成された陽極であり、前記凹部毎に島状に形成されている。したがって、例えば凹部毎に形成された陽極と、有機ＥＬ層の上側に形成された陰極との間で有機ＥＬ層を発光させるための駆動電流を流すことによって、本発明に係る有機ＥＬ装置は、凹部毎に有機ＥＬ層を発光させることが可能である。陽極は、例えば光透過性を有する材料で形成されており、有機ＥＬ層で発生した光を平坦化層側に透過させる。したがって、この態様に係る有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ層からみて基板側に光を出射する、所謂ボトムエミッション型の表示方式で画像を表示する。

電極の縁は、隔壁部によって覆われている。例えば平坦化層の表面にＩＴＯ等からなる陽極が形成された後に、この陽極の縁を覆うように隔壁部が形成されていることになる。陽極の縁が隔壁部によって覆われていることによって、例えば蒸着法を用いて有機ＥＬ材料を凹部及び隔壁部の表面に沿って蒸着させる際に、陽極の側面において有機ＥＬ層が分断されることを低減でき、その上側から蒸着法を用いて陰極を形成した際に、陽極の側面において陽極及び陰極が電気的に接続されることを低減できる。したがって、隔壁部は、有機ＥＬ層が形成される凹部を規定すると共に、陽極の縁をカバーするエッジカバーとしても機能する。これにより、陽極及び陰極間が短絡することを抑制でき、例えば表示特性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。尚、この態様では、電極は陰極であってもよい。そのような場合、有機ＥＬ層の上側には陽極が形成される。

本発明に係る有機ＥＬ装置の他の態様では、前記平坦化層内に形成された導電部を介して前記電極に電気的に接続された駆動素子を備えていてもよい。

この態様によれば、例えば電源から供給される駆動電流を有機ＥＬ層に供給するＴＦＴ等の駆動素子が平坦化層内に形成されている。ＴＦＴのドレインは、例えば平坦化層内に形成されたコンタクトホールを介して電極に電気的に接続されている。この態様では、保護層が形成されていない分、平坦化層にコンタクトホールを形成することは容易である。

したがって、この態様によれば、例えば有機ＥＬ層の下側に形成された陽極及び平坦化層内に形成されたＴＦＴを確実且つ容易に電気的に接続できる。

本発明に係る有機ＥＬ装置の他の態様では、前記駆動素子は、前記電極の下側を避けるように形成されていてもよい。

この態様によれば、例えば光透過性を有する電極を介して基板側に向かって出射された光が、光透過性を有しない駆動素子によって遮られることがない。このような駆動素子は、例えば互いに隣接する凹部毎に形成された電極の間の領域に延びる隔壁部の下側に形成されている。

本発明に係る有機ＥＬ装置の他の態様では、前記平坦化層のうち平面的にみて前記電極に重なる部分に埋め込まれたカラーフィルタを備えていてもよい。

この態様によれば、例えば光透過性を有する電極を介してカラーフィルタに到達した白色光に含まれる赤色光、緑色光及び青色光の夫々がカラーフィルタの種類に応じて透過される。これにより、例えば白色光源である有機ＥＬ層を用いてフルカラーで画像を表示できる。ここで、白色光源とされる有機ＥＬ層は、隔壁部によって規定された凹部毎に互いに分離された膜として、或いは凹部及び隔壁部の表面に沿って連続した膜として形成される。例えば、有機ＥＬ層は、凹部及び隔壁部の上側から有機ＥＬ材料を蒸着させてなる連続した一枚の膜である。したがって、例えば凹部毎に形成された陽極が、各凹部に延びる有機ＥＬ層の部分に駆動電流を供給することによって赤色光、緑色光及び青色光の夫々の発光を制御でき、これに伴いフルカラーの画像表示が可能になる。

本発明に係る有機ＥＬ装置の他の態様では、前記平坦化層及び前記電極間に介在するように島状に形成された光反射膜を備え、該光反射膜は、前記有機ＥＬ層から出射された光を前記有機ＥＬ層の上側に反射してもよい。

この態様によれば、有機ＥＬ層から出射された光を光反射膜によって前記有機ＥＬ層の上側に反射でき、所謂トップエミッション型の表示方式で画像を表示できる。尚、有機ＥＬ層が白色光源である場合には、赤色光、緑色光及び青色光を透過させるカラーフィルタが、凹部の平面的な配列に応じて有機ＥＬ層の上側に配設されている。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下、図面を参照しながら本実施形態の有機ＥＬ装置を説明する。

（第１実施形態）
先ず、図１乃至図３を参照しながら、本実施形態の有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ装置１０は、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示装置であり、有機ＥＬ装置１０が有する各画素部７０はサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂを含んで構成されている。

有機ＥＬ装置１０の画素領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ、及び７０Ｂはマトリクス状に配列され、これら３つのサブ画素部を一組として一つの画素部７０が構成されている。サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂは、白色に発光する有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂを夫々有している。後述するように、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々は、カラーフィルタを介して赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の各色の波長を有する光を出射する。これにより、有機ＥＬ装置７０は、白色に発光する単色の光源を用いて画像をフルカラー表示できる。

画素領域１１０には各データ線１１４に対して配列されたサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに対応する電源供給線１１７が設けられている。

画素領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。データ線駆動回路１５０は、画素領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、走査線駆動回路１３０の動作とデータ線駆動回路１５０の動作とは、同期信号線１６０を介して相互に同期が図られる。

電源供給線１１７には、外部回路から画素部７０を駆動するための画素駆動用電源が供給される。図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂが設けられていると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８がサブ画素部毎に設けられている。スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のソース電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。

尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。

次に、図２及び図３を参照しながら有機ＥＬ装置１０の具体的な構成を説明する。図２は、有機ＥＬ装置１０の概略構成を示す平面図であり、図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。

図２において、有機ＥＬ装置１０は、図３に示す基板１に形成された画素部７０、本発明の「隔壁部」の一例であるエッジカバー４７、及び有機ＥＬ素子７２を備えている。

画素部７０は、基板上における画素領域１１０にマトリクス状に配設されている。画素部７０は、図中横方向に沿って配列された３つのサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂを一組として構成されており、画素領域１１０の図中縦方向及び横方向の夫々に沿って配列されている。

エッジカバー４７は、平面的に見て有機ＥＬ素子７２を囲むように平面的にみて画素領域１１０に格子状に形成されている。有機ＥＬ素子７２は、有機ＥＬ層、及び有機ＥＬ層上に形成された陰極を備えている。これら有機ＥＬ層及び陰極は画素領域１１０の全面に蒸着法を用いて成膜されるため、各画素部７０に渡って延在している。

図３において、有機ＥＬ装置１０は、基板１、平坦化層４１、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂ、駆動用トランジスタ７４、エッジカバー４７、封止板２０、カラーフィルタ２２、及び遮光膜２１を備えている。

基板１は、例えば、ガラス基板等で形成されている。有機ＥＬ素子７２は、図中上側に光を出射するトップエミッション型の発光素子であるため、駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６は、有機ＥＬ素子７２の下側に形成されている。図１に示す走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０の各種回路は、基板１における画素領域１１０の周辺領域に設けられる。

平坦化層４１は、駆動用トランジスタ７４を埋め込んで基板１上に形成されており、その表面は平坦な面である。平坦化層４１は、例えばアクリル樹脂等の高分子材料で形成されている。

エッジカバー４７は、平坦化層４１の表面に接しており、凹部６２に有機ＥＬ層５０が形成される前に、平坦化層４１と共にベーク処理される。エッジカバー４７は、基板１上の画素領域１１０を構成する複数の画素部７０の各々内に設けられた凹部６２を規定している。エッジカバー４７は、平坦化層４１と共にベーク処理された際に平坦化層４１から発生するガスと同種のガスを発生する材料で形成されており、本実施形態では、平坦化層４１と同一材料であるアクリル樹脂によって形成されている。尚、平坦化層４１及びエッジカバー４７にベーク処理を施した際には、平坦化層４１及びエッジカバー４７から水分及びアクリル樹脂の組成に応じて生成される生成物を含むガスが発生する。

エッジカバー４７が平坦化層４１と接しているため、平坦化層４１で発生した水分及びその他の生成物を含むガスは、エッジカバー４７を介して平坦化層４１及びエッジカバー４７の外部に逃がされる。したがって、平坦化層４１及びエッジカバー４７をベーク処理した後に凹部６２に形成される有機ＥＬ層５０の膜質が、平坦化層４１及びエッジカバー４７に残留するガスによって低下することを低減できる。より具体的には、平坦化層４１に接したエッジカバー４７によれば、平坦化層４１で発生したガスに含まれる水分及びその他の生成物によって有機ＥＬ層５０が収縮し、発光面積が減少することを抑制できる。これにより、有機ＥＬ装置１０は、画素シュリンク等の不具合の発生を低減でき、有機ＥＬ装置１０の表示特性が低下することを抑制できる。

加えて、有機ＥＬ装置１０は、平坦化層４１で発生したガスが平坦化層４１の上層側に移動することを低減する保護層を設けなくても画素シュリンク等の不具合の発生を抑制できるため、保護層を設けることによって発生するダークスポットを低減できる。また、有機ＥＬ装置１０は、保護層を設けられていない分、平坦化層４１内に形成された駆動用トランジスタ７４或いは配線部と有機ＥＬ層５０とを電気的に導通させるためのコンタクトホールを容易且つ確実に簡便な製造プロセスによって形成できる。これにより、有機ＥＬ装置１０は、高品位の画像表示及び高い信頼性が維持されているにも拘らず、製造コストの増大及び有機ＥＬ装置１０が製造される際の製造効率を低下させることがない。

各有機ＥＬ素子７２は、有機ＥＬ層５０、陰極４９、及び本発明の「電極」の一例である陽極３４、電腐防止膜３３、陰極カバー層５５、及び光反射膜３１を備えて構成されている。

光反射膜３１は、基板１上に順次形成されたゲート絶縁層２及び平坦化層４１のうち平坦化層４１の表面に形成された、例えばＡｌ等の金属薄膜である。光反射膜３１は、平坦化層４１及び陽極３４極間に介在するように島状に形成されている。光反射膜３１は、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に形成されており、有機ＥＬ層５０で発生した白色光を図中上側に向かって反射する。したがって、有機ＥＬ装置１０は、所謂トップエミッション型の表示装置である。

腐食防止膜３３は、窒化シリコン（ＴｉＮ）によって形成されており、その中に光反射膜３１が埋め込まれている。腐食防止膜３３は、有機ＥＬ装置１０の動作時に光反射膜３１が腐食することを防止する。

陽極３４は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電材料を用いて形成されており、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に形成されている。即ち、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に形成された陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂは、画素領域１１０において平面的にみて凹部６２毎に島状に形成されている。

陽極３４の縁は、エッジカバー４７によって覆われている。エッジカバー４７は、陽極３４の側面に陰極４９を構成する材料が蒸着されないように陽極３４の縁を保護する。より具体的には、陽極３４の縁がエッジカバー４７によって覆われていない場合、有機ＥＬ層５０を形成する際に陽極３４上から有機ＥＬ層５０を構成する有機ＥＬ材料を蒸着させることによって陽極３４の側面に有機ＥＬ材料が蒸着されない部分が形成される。このまま有機ＥＬ層５０の上側から陰極４９を構成する電極材料を蒸着させた場合、陽極３４の側面に陰極４９が回り込み、陰極４９及び陽極３４が短絡する不具合が生じる。このような不具合を低減するために、エッジカバー４７は陽極３４の縁を被っている。

尚、エッジカバー４７を形成する際には、画素領域１１０にアクリル樹脂からなる樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィ技術等を用いてこの樹脂層をパターニングする。これにより、凹部６２を規定し、且つ陽極３４の縁を覆うエッジカバー４７が形成できる。

有機ＥＬ層５０は、エッジカバー４７及び平坦化層４１がベーク処理された後、低分子有機ＥＬ材料を図１及び図２に示した画素領域１１０全体に蒸着させることによって形成されている。

有機ＥＬ層５０は、低分子有機ＥＬ材料から構成された発光層を含んでおり、この発光層は白色に発光する。したがって、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂは白色光Ｗを出射する光源である。有機ＥＬ層５０は、エッジカバー４７の表面及び凹部６２の内壁面に沿って連続した膜として形成されている。有機ＥＬ層５０のうち実質的に発光する部分は、陽極３４及び陰極４９に挟まれた部分である。即ち、有機ＥＬ層５０のうちサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に含まれる部分が、各サブ画素部における光源となる。ここで、陽極３４がサブ画素部毎に形成されているため、後述するように陰極４９がサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに共通に形成されている場合でも、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂの夫々から個別、或いは同時に白色光を出射できる。これにより、有機ＥＬ装置１０は、後述するカラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂの夫々を介して図中上側に出射される赤色光Ｒ、緑色光Ｇ及び青色光Ｂを用いてフルカラーで画像を表示できる。

尚、有機ＥＬ層５０は発光層だけでなく、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層等の各種層を含んでいてもよい。

陰極４９は、エッジカバー４７の表面及び凹部６２内に形成された有機ＥＬ層５０の表面を被うように形成されており、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂに共通とされる共通電極である。有機ＥＬ層５０で発生した白色光及び光反射膜３１によって反射された白色光を含む白色光Ｗは、陰極４９を透過して図中上側に向かって出射される。したがって、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂからみて基板１と反対側に光を出射する。陰極４９は、例えばＡｌ等の金属薄膜或いは複数の金属薄膜が積層された積層膜である。但し、このような金属薄膜及び積層膜は、有機ＥＬ層５０で発生した光を透過するように薄く成膜されている。陰極４９の表面は、陰極カバー層５５によって保護されている。

駆動用トランジスタ７４は、平坦化層４１内に形成された導電部３５を介して陽極３４に電気的に接続されている。

導電部３５は、平坦化層４１内に形成されたコンタクトホールの内壁面に導電材料を蒸着させて、或いはコンタクトホールに導電材料を埋め込んで形成されている。有機ＥＬ装置１０では、平坦化層４１及び陽極３４間に保護膜が形成されていないため、平坦化層４１にコンタクトホールを容易に形成できる。したがって、有機ＥＬ装置１０によれば、有機ＥＬ層５０の下側に形成された陽極３４及び平坦化層４１内に形成された駆動用トランジスタ７４を確実且つ容易に電気的に接続できる。

駆動用トランジスタ７４のソース電極７４ｓは、図１に示す電源供給線１１７に電気的に接続されており、ドレイン電極７４ｄは陽極３４に電気的に接続されている。駆動用トランジスタ７４は、図１に示すデータ線１１４を介してゲート電極３ａに供給されるデータ信号に応じてオンオフされ、駆動電流を有機ＥＬ素子７２に供給する。半導体層３は、例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成された多結晶シリコン層或いはアモルファスシリコン層である。半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び図１に示す走査線１１２は、ゲート絶縁層２上に形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。

尚、駆動用トランジスタ７４と同様に図１に示すスイッチング用トランジスタ７６も基板１上に形成されており、走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。保持容量７８の下部容量電極は、走査線１１２と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線１１７の一部が保持容量７８の上部容量電極として形成されている。

有機ＥＬ装置１０の駆動時、走査線１１２を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ７６がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ７６がオン状態となると、データ線１１４より画像信号が保持容量７８に供給される。この保持容量７８に供給された画像信号の電圧に応じて、駆動用トランジスタ７４の電気的な導通状態が決まる。保持容量７８に供給された画像信号に応じた電流が、駆動用トランジスタ７４のチャネルを介して電源供給線１１７より有機ＥＬ素子７２に供給されると、供給された電流に応じて各有機ＥＬ素子７２に含まれる有機ＥＬ層５０が発光する。

封止板２０は、ガラス等の光透過性を有する材料を用いて形成されており、水分が有機ＥＬ装置１０の外部から有機ＥＬ層５０に浸入することを防止する。より具体的には、封止板２０は、基板１上に接着剤によって接着されており、有機ＥＬ装置１０の外気が有機ＥＬ素子７２に触れないように有機ＥＬ素子７２を封止する。封止板２０は、封止板２０の周縁部にディスペンサ等の塗布手段を用いて塗布された接着剤を介して基板１に接着される。封止板２０における陰極４９に臨む側の面において、封止板２０の周縁部は中央部に対して凸状となっている。有機ＥＬ素子７２及び封止板２０間にエポキシ層５６が形成されており、装置外部から侵入する水分が低減されている。

カラーフィルタ２２は、封止板２０の陰極４９に臨む側の面にサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に形成されている。カラーフィルタ２２Ｒは、有機ＥＬ素子７２Ｒから出射された白色光Ｗに含まれる赤色光を透過させる。同様に、カラーフィルタ２２Ｇは、有機ＥＬ素子７２Ｇから出射された白色光Ｗに含まれる緑色光を透過させ、カラーフィルタ２２Ｂは、有機ＥＬ素子７２Ｂから出射された白色光Ｗに含まれる青色光を透過させる。カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂは、遮光膜２１を挟むように配置されている。したがって、有機ＥＬ装置１０は、画素部７０を構成するサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々から出射された赤色、緑色及び青色の光を組み合わせることによって画像をフルカラー表示できる。

以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１０によれば、エッジカバー４７及び平坦化層４１をベーク処理する際に生成されるガスが逃がされるため、画素シュリンク及びダークスポットの発生が抑制された、高品位の画像表示及び高い信頼性を実現できる有機ＥＬ装置を提供できる。

（比較例）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の比較例を説明する。図４は、本実施形態の有機ＥＬ装置の比較例の一例（比較例１）である有機ＥＬ装置の構成を示す図であり、図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図に対応する断面図である。図５は、本実施形態の有機ＥＬ装置の比較例の他の例（比較例２）である有機ＥＬ装置の構成を示す図であり、図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図に対応する断面図である。尚、以下の例及び実施形態では、上述の有機ＥＬ装置１０と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。

図４において、有機ＥＬ装置２１０は、平坦化層４１を構成するアクリル樹脂とは異なる材料であるノボラック樹脂で形成されたエッジカバー４７´を備えている。エッジカバー４７´及び平坦化層４１にベーク処理を施した際には、エッジカバー４７´を形成するノボラック樹脂及び平坦化層４１を形成するアクリル樹脂は互いに異なる組成を有するガスを生成する。

したがって、有機ＥＬ装置２１０では、平坦化層４１及びエッジカバー４７´にベーク処理を施した際に発生するガスが、平坦化層４１及びエッジカバー４７´の外部に十分に逃がされていない。このため、凹部６２内に形成された有機ＥＬ層５０が、エッジカバー４７´及び平坦化層４１に残留するガスによって劣化し、発光面積が顕著に減少する不具合が生じる。

図５において、有機ＥＬ装置３１０は、平坦化層４１と、光反射膜３１及び腐食防止膜３３との間に形成されたパッシベーション膜４５を備えている。

パッシベーション膜４５は、例えば１００ｎｍの膜厚を有する窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）膜である。パッシベーション膜４５は、平坦化層４１にベーク処理を施した際に平坦化層４１で発生するガスが平坦化層４１の上層側に移動することを防止する。したがって、パッシベーション膜４５によれば、画素シュリンクの発生を低減できる。しかしながら、パッシベーション膜４５を形成した分、有機ＥＬ装置３１０の製造プロセスが煩雑になり、加えて、平坦化層４１に埋め込まれた駆動用トランジスタ７４及び陽極３４間の電気的な接続が困難となり、ダークスポット等の不具合が生じてしまう。

（試験結果）
次に、表１を参照しながら本願発明者が有機ＥＬ装置１０、２１０及び３１０について行った試験結果を説明する。本試験では、試料Ａ、Ｂ及びＣを９５℃の環境下に５００時間放置し、発光面積の収縮率及びダークスポットの発生数を各試料間で比較した。ダークスポットの発生数は、単位面積（１ｃｍ^２）当たりに発生した１００μｍより大きなサイズを有するダークスポットの発生数である。

表１に示すように、有機ＥＬ装置２１０と同様の構成を有する試料Ｂでは、発光面積の収縮率が４０％であり、ダークスポットの発生数が２個であった。有機ＥＬ装置３１０と同様の構成を有する試料Ｃでは、発光面積の収縮率が１０％であり、ダークスポットの発生数が３０個であった。一方、有機ＥＬ装置１０と同様の構成を有する試料Ａでは、発光面積の収縮率が１０％であり、ダークスポットは発生しなかった。

この結果により、試料Ａは、発光面積の収縮率の低減、即ち画素シュリンクの低減、及びダークスポットの発生を低減するうえで試料Ｂ及びＣに比べて顕著な改善効果がみられることが確認された。

このように、本願発明者によって実施された試験によれば、本実施形態に係る有機ＥＬ装置が、画素シュリンク及びダークスポットの発生が抑制された高品位の画像表示及び高い信頼性を実現できることが確認された。

（第２実施形態）
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置の他の形態を説明する。図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す図であり、図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図に対応する断面図である。図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置の比較例である有機ＥＬ装置の構成を示す図であり、図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図に対応する断面図である。

図６において、本実施形態に係る有機ＥＬ装置４１０は、基板１の下側に赤色光Ｒ、緑色光Ｇ及び青色光Ｂの夫々を出射する、所謂ボトムエミッション型の表示装置である点で第１実施形態の有機ＥＬ装置１０と異なる。

有機ＥＬ装置４１０は、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に形成されたカラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂを備えている。

カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂの夫々は、基板１の表面に形成されており、平坦化層４１に埋め込まれている。

陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂの夫々は、平坦化層４１の表面に形成されている。陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂは、ＩＴＯ等の透明導電材料で形成されている。

有機ＥＬ層５０は、平面的にみてサブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂの夫々に島状に形成された陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂと、サブ画素部７０Ｒ、７０Ｇ及び７０Ｂに共通に形成された陰極４９との間に形成されている。したがって、有機ＥＬ装置４１０は、凹部６２毎、即ち有機ＥＬ素子７２毎に有機ＥＬ層５０を発光させることができる。

カラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂの夫々は、平坦化層４１のうち平面的にみて陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂの夫々に重なる部分に埋め込まれている。

有機ＥＬ素子７２Ｒ、７２Ｇ及び７２Ｂの夫々から出射された白色光Ｗは、陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂの夫々を介してカラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ及び２２Ｂの夫々に到達する。これにより、各カラーフィルタ２２を透過した赤色光Ｒ、緑色光Ｇ及び青色光Ｂが基板１の下側に出射される。したがって、有機ＥＬ装置４１０は、白色光源とされる有機ＥＬ層５０を用いてフルカラーで画像を表示できる。

有機ＥＬ装置４１０は、陽極３４Ｒ、３４Ｇ及び３４Ｂの下側を避けるように形成された、不図示の駆動素子を備えている。このような駆動素子は、例えば図１に示した駆動用トランジスタ７４及びスイッチング用トランジスタ７６であり、有機ＥＬ装置４１０における図６と異なる断面に露出するように陽極３４の下側を避けるように形成されている。したがって、各有機ＥＬ素子７２から基板１側に向かって出射された白色光が、光透過性を有しない駆動素子によって遮られることがない。このような駆動素子は、凹部６２を規定するエッジカバー４７の下側に形成されている。

有機ＥＬ装置４１０によれば、第１実施形態の有機ＥＬ装置１０と同様に、画素シュリンク及びダークスポットの発生が抑制された、高品位の画像表示及び高い信頼性を実現できる。

図７において、有機ＥＬ装置５１０は、平坦化層４１及び陽極３４間にパッシベーション膜４５が形成されている点で有機ＥＬ装置４１０と異なる。

有機ＥＬ装置５１は、パッシベーション膜４５を備えている分、平坦化層４１内に形成された駆動用トランジスタ及び陽極３４の電気的な接続が困難となる。

したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置４１０のように、パッシベーション膜４５を設けることなく、ベーク処理の際に同種のガスを発生するエッジカバー４７及び平坦化層４１を互いに接するように形成しておくことによって、ベーク処理の際に発生したガスを逃がすことができ、画素シュリンク及びダークスポットの発生が低減される。

（電子機器）
次に、上述した有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器について説明する。

＜Ａ：モバイル型コンピュータ＞
図８を参照しながらモバイル型のコンピュータに上述した有機ＥＬ装置を適用した例について説明する。図８は、コンピュータ１２００の構成を示す斜視図である。

図８において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、図示しない有機ＥＬ装置を用いて構成された表示部１００５を有する表示ユニット１２０６とを備えている。表示部１００５は、画素シュリンク及びダークスポットが低減されており、高品位で画像を表示できる。また、上述した有機ＥＬ素子を含んだ表示部１００５は、蒸着法を用いて形成された有機ＥＬ装置を備えるため、画質を低下させることなく表示ユニット１２０６を大型化できる。表示部１００５は、赤、緑、青の光の三原色の光を出射できる。したがって、表示部１００５はフルカラー表示で画像を表示できる。

＜Ｂ：携帯型電話機＞
更に、上述した有機ＥＬ装置を携帯型電話機に適用した例について、図９を参照して説明する。図９は、携帯型電話機１３００の構成を示す斜視図である。

図９において、携帯型電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２と共に、本発明の一実施形態である有機ＥＬ装置を有する表示部１３０５を備える。

表示部１３０５は、上述の表示部１００５と同様に高品質の画像を表示することができる。また、表示部１３０５はフルカラー表示で画像を表示できる。

尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。また、本発明に係る有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器によれば、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器、及び電子ペーパなどの電気泳動装置を実現できる。

第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ´線断面図である。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の比較例１を示す断面図である。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の比較例２を示す断面図である。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の比較例を示す断面図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器の一例を示す斜視図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を具備してなる電子機器の他の例を示す斜視図である。

符号の説明

１０、２１０、３１０、４１０、５１０・・・有機ＥＬ装置、２０・・・封止板、２２・・・カラーフィルタ、３４・・・陽極、４１・・・平坦化層、４７・・・エッジカバー４９・・・陰極、５０・・・有機ＥＬ層、７２・・・有機ＥＬ素子

Claims (6)

1. 基板と、
   該基板上に形成された平坦化層と、
   前記平坦化層の表面に接し、前記基板上の画素領域を構成する複数の画素部の各々内に設けられた凹部を規定しており、前記平坦化層と共に熱処理された際に前記平坦化層から発生するガスと同種のガスを発生する隔壁部と、
   前記凹部に形成された有機ＥＬ層とを備えたこと
   を特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記画素領域において平面的にみて前記凹部毎に島状に形成された電極を備え、前記電極の縁は、前記隔壁部によって覆われており、前記有機ＥＬ層は、前記電極上に形成されていること
   を特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記平坦化層内に形成された導電部を介して前記電極に電気的に接続された駆動素子を備えたこと
   を特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記駆動素子は、前記電極の下側を避けるように形成されていること
   を特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
5. 前記平坦化層のうち平面的にみて前記電極に重なる部分に埋め込まれたカラーフィルタを備えたこと
   を特徴とする請求項２から４の何れか一項に記載の有機ＥＬ装置。
6. 前記平坦化層及び前記電極間に介在するように島状に形成された光反射膜を備え、
   該光反射膜は、前記有機ＥＬ層から出射された光を前記有機ＥＬ層の上側に反射すること
   を特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。

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