CN102983281B - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了有机发光装置及其制造方法。在通过光刻法构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间的区域中并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部形成为与位于发光元件之间的端部相比具有更小的倾角。

Description

有机发光装置及其制造方法

技术领域

实施例的一个公开的方面涉及能够显示至少两种不同的颜色的发光装置，特别是涉及至少包括分别发射不同的颜色的光的第一电致发光（EL）元件和第二有机EL元件的有机电致发光（EL）装置。

背景技术

在能够显示多种颜色的有机EL装置的制造方法中，广泛使用阴影掩模（shadowmask）以选择性地在特定的区域中形成发射特定的颜色的发光层。此时，最近需要超过每英寸300像素（ppi）的高清晰度发光装置，并且，变得越来越难以通过使用常规的阴影掩模制造这种发光装置。作为能够小型化的技术，日本专利No.4578026讨论了通过使用光刻法进行构图而选择性地形成发光层的方法。

日本专利No.4578026讨论了如下的方法，其中通过光刻法在发光层上形成希望的抗蚀剂图案，并且通过湿蚀刻或干蚀刻去除没有形成抗蚀剂的区域中的发光层。以这种方式，可以选择性地形成发光层。与通过使用阴影掩模选择性地形成的发光层的端部相比，在这种方法中构图的发光层的端部可形成为具有较小的倾斜区域。倾斜区域是膜厚向着膜的端部减小的区域。换句话说，倾斜区域是相对于基板倾斜的区域。

如果通过使用阴影掩模形成膜，那么，依赖于阴影掩模与成膜表面之间的距离以及入射到成膜表面上的沉积粒子的入射角，在阴影掩模的开口处形成的膜端部处形成倾斜区域，该倾斜区域的宽度为形成的膜的厚度的数倍到数十倍。相反，如果通过使用光刻法和蚀刻将膜构图，那么倾斜区域可形成为具有小于等于形成的膜的厚度的宽度。

特别地，如果使用干蚀刻，那么，由于可沿相对于基板大致垂直的方向执行蚀刻，因此，膜端部可相对于基板具有60～90度的大的倾角，并且，倾斜区域可形成为具有比膜厚窄的宽度。如果通过光刻法对在发光装置的元件区域中布置的发光层构图，那么彼此相邻的发光层之间的距离会减小。因此，可以密集地布置有机EL元件。这有利于减小发光装置的尺寸并提高发光元件的孔径比。在一个实施例中，元件区域意味着形成多个显示相关的有机EL元件的区域。另外，形成的膜的厚度意味着在除倾斜区域以外的多个位置测量的膜厚的平均值。

通过事先设置在元件区域外的外部连接端子从外部电源供给用于驱动发光装置的电力。通过布线电连接用于外部连接端子和有机EL元件的两个电极。可在布线中设置诸如晶体管的开关元件，只要用于外部连接端子和有机EL元件的两个电极可在必要时被电连接即可。一般地，布线和在发光层被构图之后形成的第二电极通过接触部分电连接。通过去除高电阻材料（诸如在布线层上形成的发光层的高电阻材料），在元件区域之外形成接触部分。另外，从外部连接端子的表面去除诸如发光层的有机材料的有机材料，使得外部连接端子与外部电源电连接。有机材料也被去除为使得经去除的区域包围发光区域，从而从外部向有机EL元件的水分侵入路径被切断。

如果在对元件区域内的发光层构图的同时去除元件区域外（诸如接触部分）的发光层，那么可有利地简化制造过程。但是，元件区域外侧和内侧的发光层的端部在相同的条件下被蚀刻，端部与元件区域内侧类似地形成为相对于基板具有大的倾角。如果在上面要形成第二电极的表面上存在相对于基板具有大的倾角的区域，那么第二电极可能是断开的，或者第二电极的膜厚可被减薄，从而电阻会增加。特别地，当第二电极通过高方向性沉积方法被形成或者形成为具有薄的膜厚时，如果在上面形成第二电极的表面上存在具有大至90度的倾角的区域，那么第二电极很可能具有高的电阻。如果第二电极断开或者膜厚被减薄，那么从第二电极通过发光元件流向布线层的电流经受高的布线电阻。因此，导致各种问题。在一些情况下，发光装置不接通。在其它的情况下，发光装置表现诸如阴影的发光不良或者经受电压升高。

发明内容

实施例的公开的一个方面针对在利用诸如像素尺寸减小和孔径比提高的光刻法的优点的同时，使得包含通过光刻法构图的发光层的发光装置可避免表现出发光不良或经受电压升高，该发光不良或电压升高可归因于例如第二电极的断开或电阻增加。

根据本发明的一个方面，提供一种发光装置，该发光装置包括基板，在该基板上形成外部连接端子和与外部连接端子电连接的布线层，以及其中形成多个发光元件的元件区域。发光元件中的每一个依次包含第一电极、通过光刻法构图的有机化合物层和第二电极。第二电极在多个发光元件中连续形成，并且通过在元件区域外形成的接触部分与布线层电连接。在被构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部具有比位于发光元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。

根据一个实施例的发光装置包括通过光刻法构图的发光层，并且，有机化合物层的不位于有机EL元件之间的端部形成为相对于基板在倾斜区域中具有较小的倾角（以下，称为倾角）。因此，在利用诸如尺寸减小和孔径比提高的光刻法的优点的同时，一个实施例可防止可归因于在元件区域外侧的倾斜区域中造成的第二电极的断开或电阻增加的发光不良或电压升高。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征和方面将变得清晰。

附图说明

包含于说明书中并构成其一部分的附图示出示例性实施例、实施例的特征和方面，并与描述一起用于解释本公开。

图1A和图1B是示出发光装置的示意图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H、图2I、图2J、图2K、图2L、图2M、图2N、图2O和图2P是简单示出制造方法的示意性截面图。

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G和图3H是简单示出另一制造方法的示意性截面图。

图4A、图4B、图4C和图4D是示出根据本发明的布局的示意性平面图。

图5示出有机化合物层的端部的倾角。

具体实施方式

以下将参照附图详细描述实施例的各种示例性实施例、特征和方面。

相关技术领域中的常规技术可被应用于没有在本说明书中特别示出或描述的方面。另外，虽然以下将基于以下的示例性实施例描述本公开，但是，本公开不限于此。在实施例的技术范围内，可以适当地进行各种修改。

图1A是示出发光装置的示意性平面图，图1B是示出沿图1A中的线XI-XII切取的发光装置的示意性截面图。在基板10的元件区域12的外侧形成外部连接端子15和与外部连接端子15电连接的布线14。在元件区域12中形成有机EL元件。基板10包含支撑部件、控制有机EL元件的晶体管、包含向晶体管供给信号的控制线和信号线以及连接外部连接端子15与第一电极的布线的电路层、和覆盖电路层的绝缘层（基板10的这些构成要素没有被示出）。与外部布线电连接的外部连接端子15以及布线14的与第二电极电连接的部分（接触部分11）具有其绝缘层被去除的各表面。

对于各有机EL元件在基板10上沿行方向和列方向形成多个第一电极（下电极）21至23。第一电极21至23中的每一个通过在覆盖电路层的绝缘层中形成的接触孔（未示出）与电路层电连接。分别在第一电极21至23上形成至少包含第一到第三发光层的第一到第三有机化合物层31至33。第一到第三发光层中的每一个发射不同颜色的光。因此，通过使用发射红色（R）、绿色（G）和蓝色（B）的光的层，发光装置可显示全色图像。

跨着多个有机EL元件在第一到第三发光层上连续地形成第二电极（上电极）70。因此，完成有机EL元件。这里描述的有机EL元件被配置为包含第一电极、第二电极和夹在第一电极与第二电极之间的有机化合物层。另外，各有机EL元件响应从外部输入到电路层的信号发光。另外，第二电极70从元件区域12到布线14的接触部分11连续形成，并且在接触部分11处与布线14电连接。上述的配置使得用于导致有机EL元件发光的电流能够流经外部连接端子15。

由于包含有机化合物层的有机EL元件由于水分而显著劣化，因此，用于防止水分从外部侵入元件区域12中的密封层90形成为覆盖有机EL元件。另外，由于水分可容易地渗透诸如有机化合物层的有机材料的有机材料，因此，为了防止水分通过有机化合物层从外部渗透元件区域12，有机化合物层需要被去除为使得经去除的区域包围元件区域12。即，需要消除水分渗透路径。

因此，如果从元件区域12到接触部分11连续形成第二电极70，那么第二电极70一定跨着有机化合物层的不位于有机EL元件之间的端部形成。即，不位于有机EL元件之间的有机化合物层端部的倾角影响电流通过有机EL元件从第二电极70流向布线层的电流路径的电阻（有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻）。

在实施例中，通过光刻法将各有机化合物层构图。一般地，当通过光刻法将膜构图时，各膜在单次光刻过程中被构图成希望的图案。因此，由于在相同的条件下蚀刻这种膜的所有端部，因此，端部具有大致相同的倾角。在实施例中，如果各有机化合物层在单次光刻过程中形成为希望的图案，那么，由于在相同的条件下蚀刻在元件区域12内侧和外侧形成的有机化合物层的端部，因此，两个端部均具有大致相同的倾角。即，不管是在元件区域12内侧还是外侧形成端部，两个有机化合物层都具有带有大的倾角的端部。因此，由于在具有大的倾角的这种端部处跨着有机化合物层的端部形成的第二电极70容易断开或者膜厚减薄，因此，有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻可增加。

虽然以下将详细描述使用光刻的有机化合物层构图方法，但是，如图1B所示，有机化合物层的位于有机EL元件之间的倾斜的端部形成为与相邻的有机EL元件的有机化合物层接触。因此，由于具有作为第二电极70的断开或减薄的原因的大的倾角的这种端部不被露出，因此，有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻在元件区域12内不明显增加。相反，由于没有有机化合物层与有机化合物层的不位于有机EL元件之间的端部相邻，因此，该端部在被构图之后被原样露出。如上所述，跨着处于元件区域12外侧并且不位于有机EL元件之间的有机化合物端部形成第二电极70。即，由于第二电极70容易在不位于有机EL元件之间并具有大的倾角的这种端部处断开或者减薄，因此，可明显增加有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻。

基于根据实施例的发光装置，如图1B所示，与位于有机EL元件之间的倾角相比，不位于有机EL元件之间的有机化合物层端部相对于基板10具有更小的倾角。即使从元件区域12到接触部分11连续形成第二电极70，以上的配置也防止第二电极70在不位于有机EL元件之间的有机化合物层端部处断开或减薄。作为结果，能够防止有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻的明显增加，使得防止发光不良或电压增加。即，实施例可提供能够以低功率发射均匀的光的发光装置。

虽然图1A和图1B中的发光装置包括分别包含不同的发光层的三种类型的有机EL元件，但是，发光装置可包括两种类型的有机EL元件或四种或更多种类型的有机EL元件。这里，“不同的发光层”意味着构成发光层的材料或膜厚中的至少任一种不同。

下面，将描述发光装置制造方法。图2A至2P是示出发光装置制造方法的示意性截面图。为了简化，图2A至2P仅示出发光装置的一部分，即，包含接触部分11和三个有机EL元件（分别来自三种类型中的每一种）的区域。

以下，将描述用于制造第一电极21、22和23的处理。首先，如图2A所示，在基板10上形成第一电极21至23和接触部分11，该接触部分11连接与外部连接端子15电连接的布线14（未示出）和随后形成的第二电极70。然后，在基板10上形成至少包含第一发光层的第一有机化合物层31。基板10包含支撑部件、在支撑部件上形成的电路层、在电路层上形成的绝缘层以及电连接电路层和有机EL元件的接触孔。可适当地使用诸如玻璃基板的绝缘基板、诸如硅基板的半导体基板或在其表面上具有绝缘层的金属基板作为支撑部件。

如果发光装置为顶发射型，那么，作为第一电极21至23中的每一个，可以适当地使用诸如铝（Al）、银（Ag）或这些元素的合金的反射光的金属材料。作为替代方案，可适当地使用金属层和诸如铟氧化物的导电氧化物层的多层电极。如果发光装置为底发射型，那么需要使用透光的材料作为第一电极。例如，可以适当地使用铟氧化物或铟锌氧化物。如果发光装置为底发射型，那么使用诸如玻璃的透明基材作为支撑基板。

下面，将描述用于制造第一有机化合物层31的处理。在基板10的形成第一电极21至23的元件区域12中形成第一有机化合物层31。可以使用诸如真空沉积方法或旋转涂敷方法的常规方法以形成有机化合物层31。如果使用真空沉积方法，那么可以使用具有与其中形成第一电极21至23的元件区域12对应的开口的区域掩模，以选择性地形成有机化合物层31。作为替代方案，可以在不使用掩模的情况下在整个基板10上形成有机化合物层31。

包含于各有机EL元件中的有机化合物层至少包含发射预定颜色的光的发光层。具体地，有机化合物层包含一个或多个发光层，或者，除了这些发光层以外，有机化合物层可具有包括另外的层中的至少一个层的多层结构，该另外的层包含电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。为了导致第一到第三有机EL元件31至33显示相互不同的颜色，需要在第一到第三有机EL元件31至33中包含相互不同的有机化合物层。在实施例中，“相互不同的有机化合物层”意味着在发光层的材料、组成和厚度、用于形成发光层的方法和条件、发光层以外的层的材料、组成和厚度以及用于形成其它层的方法和条件中的至少一个上相互不同的有机化合物层。例如，如果第一到第三有机化合物层31至33中的每一个形成为具有发光层和功能层的多层结构，那么在第一到第三有机EL元件之中，可以只有发光层是不同的。在这种情况下，在重复光刻处理以将其中层叠各发光层的第一到第三有机化合物层31至33构图之后，可以在第一到第三有机EL元件上连续形成第一到第三有机EL元件公共的功能层。

虽然不特别限制由包含于有机化合物层31至33中的每一个中的发光层发射的光的颜色的组合，但是，三种颜色R、G和B的组合是最常见的。

下面，将描述用于将第一有机化合物层31构图的处理。如图2B和图2C所示，在第一有机化合物层31上依次形成第一中间层41和第一抗蚀剂层51。第一中间层41用作保护层，该保护层用于防止第一抗蚀剂层51的抗蚀剂材料中包含的溶剂其及抗蚀剂显影剂影响第一有机化合物层31。另外，在随后的处理中，第一中间层41还用作用于通过溶解第一中间层41去除在第一中间层41上形成的层的层。因此，需要选择适当的材料作为第一中间层41，使得第一中间层41防止第一抗蚀剂层51的抗蚀剂材料中包含的溶剂其及抗蚀剂显影剂侵入第一有机化合物层31中，并使得用于去除第一中间层41的溶液不影响第一有机化合物层31。

例如，水溶性聚合物或水溶性无机盐可被用作第一中间层41，以用作用于去除在第一中间层41上形成的层的层。但是，如果例如第一中间层41由水溶性材料制成，那么存在如下担心，即第一中间层41可能在形成第一抗蚀剂层51的处理中或在显影处理中溶解或膨胀。因此，第一中间层41可被制成为具有水溶性材料的层和保护水溶性材料的层免受处理的层的多层结构。在接近第一有机化合物层31的一侧形成水溶性材料的层。可以使用水溶性材料作为水溶性材料层的保护层。具体而言，可适当地使用硅氧化物或硅氮化物。

例如，可通过诸如旋转涂敷方法或浸渍涂敷方法的涂敷方法形成第一中间层41的水溶性聚合物的层。例如，可通过涂敷方法或真空沉积方法形成第一中间层41的水溶性无机盐的层。依赖于用于形成层的材料，可从常规的方法中选择适当的方法。如果形成不溶于水的材料的层，那么除涂敷方法以外，可从诸如真空沉积方法、溅射方法和化学气相沉积（CVD）方法的各种常规的方法中选择适当的真空成膜方法。

如果第一有机化合物层31不可溶于第一抗蚀剂层51的抗蚀剂材料中包含的溶剂及其抗蚀剂显影剂，那么可以省略第一中间层41的形成。这同样适于其它有机化合物层的光刻处理。

可对于第一抗蚀剂层51使用常规的感光材料。虽然在图2A至2P所示的制造方法中使用正性抗蚀剂，但是，作为替代，可以使用负性抗蚀剂。可通过诸如旋转涂敷方法、浸渍涂敷方法或喷墨方法的常规的方法形成第一抗蚀剂层51。

然后，如图2D所示，通过用于遮蔽形成第一电极21的区域的第一光掩模61用紫外线60照射基板10。作为结果，与不形成第一电极21的残留区域对应的第一抗蚀剂层51被曝光。如果第一抗蚀剂层51是负性抗蚀剂，那么使用具有与形成第一电极21的区域对应的开口的光掩模。

然后，在曝光之后，如图2E所示，基板10被浸泡于显影剂中以去除与曝光区域对应的第一抗蚀剂层51。然后，通过使用残留的第一抗蚀剂层51作为掩模，如图2F所示，与去除了第一抗蚀剂层51的区域对应的第一中间层41和第一有机化合物层31被蚀刻和去除。只要不影响在第一电极21上形成的第一有机化合物层31，就可同时去除用作掩模的残留的第一抗蚀剂层51及位于其下面的第一中间层41的部分。

可通过使用用于溶解第一有机化合物层31的溶剂的湿蚀刻或通过使用与第一有机化合物层31的材料起反应的气体的干蚀刻来蚀刻第一有机化合物层31。但是，如果通过使用溶剂的湿蚀刻来蚀刻第一有机化合物层31，那么第一抗蚀剂层51下面的第一有机化合物层31的侧面也在一定程度上被蚀刻。因此，非常少地蚀刻第一有机化合物层31的侧面的干蚀刻是更合适的。由于干蚀刻允许第一有机化合物层31的端部具有更大的倾角，因此，干蚀刻是更合适的。

下面，将描述用于形成第二有机化合物层32的处理。如图2G所示，至少在第一电极22上形成包含第二发光层的第二有机化合物层32，而在构图的第一有机化合物层31上留下第一中间层41。可以如第一有机化合物层31的情况那样形成第二有机化合物层32。由于第二有机化合物层32形成为覆盖第一有机化合物层31的端部，因此，第一有机化合物层31和第二有机化合物层32的位于第一和第二有机EL元件之间的端部相互接触。作为结果，不直接露出第一有机化合物层31的倾角大的端部。

下面，描述用于将第二有机化合物层32构图的处理。如图2H所示，上面形成了第二有机化合物层32的基板10被浸泡于第一中间层41的溶剂中，以将第一中间层41与在其上形成的第二有机化合物层32一起去除。作为结果，在第一电极21上形成第一有机化合物层31，并且，在其它的第一电极22和23上形成第二有机化合物层32。

然后，如图2I所示，在第一有机化合物层31和第二有机化合物层32上形成第二中间层42。然后，如图2J所示，在第二中间层42上形成正型第二抗蚀剂层52。第二中间层42的材料和用于形成第二中间层42的方法与第一中间层41的那些类似。如果第一有机化合物层31和第二有机化合物层32不可溶于第二抗蚀剂层52的溶剂及其显影剂中，那么可以省略第二中间层42的形成。

然后，如图2K所示，通过遮蔽形成第一电极21和第一电极22的区域的第二光掩模62用紫外线60照射基板10。作为结果，在除形成第一电极21和第一电极22的区域以外的区域中形成的第二抗蚀剂层52被曝光。然后，如图2L所示，基板10被浸泡于显影剂中，以去除在曝光的区域残留的第二抗蚀剂层52。然后，如图2M所示，使用残留的第二抗蚀剂层52作为掩模，以在已去除了第二抗蚀剂层52的区域中去除第二中间层42和第二有机化合物层32。可以如第一有机化合物层31的情况那样去除第二有机化合物层32。只要第一电极21和22上的第一有机化合物层31和第二有机化合物层32不受影响，就可同时去除用作掩模的残留的第二抗蚀剂层52及在其下面的第二中间层42的部分。

以下，将描述用于制造第三有机化合物层33的处理。然后，如图2N所示，在第一电极23上形成包含第三发光层的第三有机化合物层33。在本示例性实施例中，如图2A至2P所示，由于最后形成的第三有机化合物层33不位于有机EL元件之间，因此，第三有机化合物层33具有不与其它有机化合物层接触的端部。因此，通过使用掩模65的真空沉积方法形成第三有机化合物层33，使得，第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间的端部与通过光刻法构图的端部相比具有更小的倾角。具体而言，制备具有与元件区域12对应的开口的掩模65，对准掩模65和基板10，使得掩模65的开口的端部位于接触部分11与元件区域12之间，并且，执行真空沉积方法以形成第三有机化合物层33。

一般地，在使用掩模的真空成膜方法中，成膜粒子进入在掩模与成膜表面之间形成的间隙，并且，依赖于掩模与成膜表面之间的距离以及附着于成膜表面的成膜粒子的入射角，形成倾斜区域，该倾斜区域具有在掩模65的开口的端部附近逐渐减小的膜厚。因此，通过调整掩模与成膜表面之间的距离和附着于成膜表面的成膜粒子的入射角，可以控制有机化合物层的端部的倾角。另外，如果使用掩模，那么不在不必要的区域中形成第三有机化合物层33。因此，由于元件免受通过任何有机化合物层从外侧到元件区域12中的水分侵入的影响，因此，可以省略去除有机化合物层以使得经去除的区域包围元件区域12的处理。

由于第三有机化合物层33形成为覆盖第一有机化合物层31和第二有机化合物层32的端部，因此，位于第一/第二和第三有机EL元件之间的各发光层的端部相互接触。即，没有具有大的倾角的端部被露出。

将描述用于将第三有机化合物层33构图的处理。如图2O所示，上面已形成了第三有机化合物层33的基板10被浸入第二中间层42的溶剂中，以溶解在第一电极21和22上形成的第二中间层42并去除在其上面形成的第三有机化合物层33。

将描述用于制造第二电极70的处理。最后，如图2P所示，在第一到第三有机化合物层31至33上形成延伸到多个有机EL元件和接触部分11的第二电极70。以这种方式，完成有机EL元件。

由于第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间并且上面形成第二电极70的端部的倾角保持与通过使用掩模形成的端部类似，因此，如图2P所示，端部具有比位于有机EL元件之间的端部小的倾角。即，在被构图的有机化合物层31至33的端部之中，第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间并且在上面形成第二电极70的端部被形成为具有比位于有机EL元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。图2P所示的区域以外的区域包含不位于有机EL元件之间并且上面形成第二电极70的这种端部。但是，不是这些区域中的所有的端部都需要具有比位于有机EL元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。只需要端部的一部分具有较小的倾角。另外，如图2P所示，如果沿上面形成接触部分11的侧面定位的有机化合物层33的端部具有较小的倾角，那么可有利地减小布线电阻。但是，这不是必要条件。只需要元件区域12和接触部分11至少在一个部分被电连接以及有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻足够小。

因此，可通过使用掩模的真空沉积方法形成第一有机化合物层31或第二有机化合物层32并通过蚀刻将其构图，使得通过真空成膜形成的有机化合物层的端部的至少一部分在不处于有机EL元件之间的区域中原样保留。

使用掩模的真空沉积方法是合适的，原因是可在不增加处理的数量的情况下使得有机化合物层的不位于有机EL元件之间的端部的倾角更小。

基于发光装置，由于有机化合物层的位于有机EL元件之间的端部与相邻的端部接触，因此，不形成具有大的倾角的区域。另外，由于第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间的端部具有较小的倾角，因此，不存在第二电极70断开或减薄的问题。作为结果，防止第二电极70与接触部分11之间的第二电极70的片电阻增加，并且，发光装置不表现出发光不良或经受电压增加。

当制造包括四种类型的有机化合物层的发光装置即包括具有第四有机化合物层的有机EL元件的有机EL装置时，可以增加与图2G至2M所示的处理类似的处理。因此，可以制造该发光装置。当制造包括两种类型的有机化合物层的有机EL装置时，可以省略图2G至2M所示的处理。

因此描述了发光装置制造方法。但是，作为替代方案，可通过调整干蚀刻处理条件形成不位于有机EL元件之间的有机化合物层端部的倾角。下面，将参照图3A至3H描述另一制造方法。不重复描述与图2A至2P所示的制造方法的那些方面相同的方面。以下的描述将集中于与以上的制造方法不同的方面。另外，图3A至3H中的与图2A至2P中的部件相同的部件由相同的附图标记表示，并且，将避免其重复的描述。

使用图2A至2M中的制造方法，直到形成第二有机化合物层32。在曝光第一电极23之后，与图2M至2P中的制造方法不同，不使用沉积掩模。作为替代，如图3A所示，在整个基板10上形成第三有机化合物层33。然后，如图3B所示，与第二中间层42一起去除在第一电极21和22上形成的第三有机化合物层33。

然后，如图3C所示，形成第三中间层43和第三抗蚀剂层53，并且，如图3D所示，通过遮蔽元件区域12的遮蔽区域63（第三光掩模）用紫外线60照射基板10。然后，如图3E所示，在显影剂中浸泡基板10，以显影曝光区域中的第三抗蚀剂层53并去除包围元件区域12的区域处的以及在接触部分11上的第三抗蚀剂层53。

然后，如图3F所示，通过使用残留的第三抗蚀剂层53作为掩模，通过干蚀刻去除第三中间层43和第三有机化合物层33。例如，通过调整干蚀刻处理中的压力，要构图的有机化合物层的端部可形成为具有小的倾角。

在第三有机化合物层33被构图之后，如图3G所示，第三中间层43被溶解和去除。最后，如图2A至2P中那样，如图3H所示，形成第二电极70。以这种方式，完成发光装置。在图3G中，已通过先前的干蚀刻处理蚀刻和去除了第三抗蚀剂层53。但是，即使在干蚀刻处理之后仍残留第三抗蚀剂层53，也可在溶解和去除第三中间层43的同时去除第三抗蚀剂层53。

图3A至3H中的制造方法的处理的数量比图2A至2P中的制造方法中的多。但是，与图2A至2P中的制造方法相比，可更精确地控制有机化合物层的端部的位置和角度。因此，可使倾斜的端部的宽度变窄，使得可以减小周边区域或框架。

在单次构图处理中形成的有机化合物层的端部形成为在平面的任何位置具有大致相同的倾角。因此，可使用各位置中的代表性的一个位置的倾角作为倾角。如果倾角依赖于构图条件改变，那么可以使用多个位置处的倾角的平均值。如图5所示，如果有机化合物层24的端部处的倾角不是恒定的，那么，在倾斜部分上的各点处的相对于基板10的切线的角度之中，最大的倾角被用作倾角。在图5中，使用倾角θ1作为有机化合物层24的倾角。

在第一到第三有机化合物层31至33被构图之后并且在形成第二电极70之前，可另外在元件区域12上层叠连续的公共的有机化合物层。在这种情况下，有机化合物层端部表示包含原来的有机化合物层和层叠于其上面的最顶部的有机化合物层的端部的端部，并且，使用最大的倾角作为端部的倾角。可通过诸如聚焦离子束（FIB）处理的常规的方法露出这种有机化合物层端部的截面，并且，可通过诸如扫描电子显微术（SEM）的常规的方法观察和检查倾角。

下面，将描述发光装置中的有机化合物层的构图布局。图4A至4D是示出有机化合物层的布局的示意性平面图。在图4A至4D中，虚线81代表有机化合物层的不位于有机EL元件之间并且具有比位于有机EL元件之间的任何其它端面的最大倾角小的最大倾角的端面。

在图4A中，分别被第一和第二构图的第一有机化合物层31和第二有机化合物层32被条带状构图，它们中的每一个连接沿某方向布置的多个第一电极（未示出）。由于通过使用光刻法的干蚀刻将第一有机化合物层31和第二有机化合物层32的所有端部构图，因此，端部具有大的倾角。最后构图的第三有机化合物层33形成为比元件区域12大，并且，第三有机化合物层33的最外面的整个周界处的端部具有比位于有机EL元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。因此，允许电流沿所有方向通过第二电极70流向接触部分11。可通过使用具有比元件区域12大的开口的沉积掩模的真空沉积方法形成第三有机化合物层33并且执行构图以使得膜的最外周边处的端部保留，实现以上的平面布局。以这种方式，可以在不增加处理的数量的情况下制造发光装置。

在图4B中，与图4A同样，第一有机化合物层31和第二有机化合物层32被条带状构图，并且，其所有的端部具有大的倾角。但是，与图4A中的布局不同，在第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间的四个端部之中，沿一个边的端部具有比位于有机EL元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。即，沿一个方向确保流过第二电极70的电流的路径。通过该平面布局，在第三有机化合物层33的不位于有机EL元件之间的端部之中，除被用作电流路径的端部以外的端部可形成为具有大的倾角。因此，可以减小占据周边的第三有机化合物层33的倾斜区域，并且，可减小元件区域12与接触部分11之间的距离。因此，可以减小不布置有机EL元件的区域、即被称为框架区域的有机EL元件周围的区域。可选择任意的边作为具有小的倾角的边。在图4B中，只有一个边具有小的倾角。但是，由于至少一个边需要具有小的倾角，因此，多个边可具有小的倾角。如图4B所示，如果至少接触部分11附近的端部的边具有小的倾角，那么可特别减小有机EL元件与接触部分11之间的布线电阻。因此，图4B中的布局是特别合适的。也可通过使用具有比元件区域12大的开口的沉积掩模的真空沉积方法形成第三有机化合物层33并通过执行构图使得当构图元件时用作电流路径的边上的端部原样保留，实现以上的平面布局。

在图4C中，连接沿行布置的多个第一电极21至23的条带状构图的有机化合物层31至33中的每一个的端部具有比位于有机EL元件之间的任何其它端部的倾角小的倾角。与以上的布局不同，通过光刻处理构图的条带状有机化合物层之间的端部中的每一个不被相邻的有机化合物层覆盖。事实上，端部被露出。

可通过设定元件区域12与接触部分11之间的沉积掩模的开口的端部、通过真空沉积方法在整个元件区域12中形成各有机化合物层并且执行构图使得通过沉积方法形成的膜的端部原样保留作为不位于有机EL元件之间的端部，实现该平面布局。例如，在第二有机化合物层32的情况下，在图2H的处理中不通过使用第一中间层41去除第二有机化合物层32。事实上，可以如第一有机化合物层那样通过使用光刻法去除第一电极22上的第二有机化合物层32，同时留下第一中间层41。但是，需要在保护通过沉积方法形成的膜端部的预定位置不被蚀刻的同时将有机化合物层构图。另外，需要确保用于电流通过第二电极70流向接触部分11的路径。

如果在被构图的第一到第三有机化合物层上形成第二电极70，那么由于位于其它的有机化合物层之间的有机化合物层的端部具有大的倾角，因此，第二电极70可能断开或者第二电极70的电阻可能增加。但是，通过图4C中的该布局，由于在沿一个方向布置的多个第一电极上连续形成各有机化合物层，因此，第二电极70不具有诸如沿一个方向的断开的问题。因此，可以确保向接触部分11的电流路径。

在图4D中，对于各有机EL元件根据第一电极将有机化合物层中的每一个构图。各有机化合物层被形成为使得通过图2A至2P所示的制造方法构图并且位于有机EL元件之间的有机化合物层端部至少沿一个方向与相邻的有机EL元件的有机化合物层接触。与图4A同样，通过设定元件区域12与接触部分11之间的沉积掩模的开口的端部并执行真空沉积方法，在整个元件区域12上形成第三有机化合物层。然后，通过执行构图使得通过沉积掩模形成的膜的最外周边处的端部原样保留，可以确保用于电流通过第二电极12流向接触部分11的路径。如上所述，实施例可被修改以被应用于各种布局的有机EL装置。

下面，将详细描述制造有机发光装置的例子。

首先，将描述第一示例性实施例。在本示例性实施例中，与图2A至2P所示的制造方法同样，通过使用沉积掩模的真空沉积方法形成有机化合物层的不位于有机EL元件之间并且位于形成第二电极70的区域中的端部的倾角。在本示例性实施例中，制造的有机EL装置具有与图1A和图1B中的配置类似的配置，并且可显示R、G和B多种颜色。

使用玻璃板作为基板10，并且，事先在玻璃板上形成电路层，该电路层包含使用晶体管（Tr）的电路、在电路上形成的层间绝缘层以及电连接电路层和布线层的接触孔。在基板10的上面形成电路层的整个表面上，形成作为布线层的Al，并且通过光刻处理将其构图成预定的形状。在布线层的顶部上，通过使用旋转涂敷器形成用作绝缘层（平坦化膜）的聚酰亚胺树脂并且通过光刻处理将其构图。随后，在绝缘层中形成接触孔。同时，接触部分11和外部连接端子15的表面被露出。

然后，作为第一电极层，通过使用溅射方法形成Al和铟锡氧化物（ITO）的膜，并且，通过光刻处理形成对于各有机EL元件分割的多个第一电极21至23。Al和ITO分别形成为具有100nm和30nm的膜厚。

通过使用不可溶于水中的已知材料，在上面形成第一电极21至23的基板10的整个表面上，通过真空沉积方法，依次层叠第一空穴传输层、发射蓝光的第一发光层和第一电子传输层。以这种方式，形成第一有机化合物层31。

然后，形成用于保护第一有机化合物层31的第一中间层41。第一中间层41形成为水溶性聚合物膜和硅氮化物膜的多层结构。首先，通过旋转涂敷方法施加聚乙烯吡咯烷酮溶液。然后，在退火之后，形成1μm的水溶性聚合物膜，并且，通过CVD方法在其上面形成1μm的硅氮化物膜。

然后，在通过旋转涂敷方法将由AZElectronicMaterialsplc.制造的正性光致抗蚀剂材料“AZ150”施加到整个第一中间层41上之后，执行退火。作为结果，如图2C所示，形成具有1000nm的膜厚的第一光致抗蚀剂层51。

然后，为了将第一抗蚀剂层51构图，使用由CanonInc.制造的曝光装置“MPA600”。另外，使用第一光掩模61以遮蔽第一电极21之上的区域。以这种方式，用紫外线60照射基板10以将其曝光。曝光时间为40秒。

在曝光之后，在显影剂（由AZElectronicMaterialsplc.制造的“312MIF”的50%溶液）中将基板10浸泡和显影1分钟。即，用紫外线60照射的区域中的第一抗蚀剂层51被浸泡在显影剂中并溶解，以将第一抗蚀剂层51构图。作为结果，如图2E所示，仅在与第一光掩模61的遮蔽区域对应的第一电极21之上的区域中残留第一抗蚀剂层51。

上面残留第一抗蚀剂层51的基板10被加载在干蚀刻装置中，以去除从中已去除第一抗蚀剂层51的区域中的第一中间层41和第一有机化合物层31。在干蚀刻处理中，对于第一中间层41的硅氮化物层，使用四氟化碳（CF₄）作为反应气体。对于第一中间层41和第一有机化合物层31的水溶性聚合物层，使用氧气作为反应气体。另外，在以下的条件下实施干蚀刻处理：流率为20标准立方厘米每分钟（sccm）；压力为8帕（Pa）；输出为150瓦（W）；和时间为5分钟。在以上的干蚀刻处理中，蚀刻也在残留第一抗蚀剂层51的区域中进行，并且，作为结果，第一抗蚀剂层51和第一中间层41的一部分被去除。因此，如图2F所示，第一电极22和23的表面被露出。

与第一有机化合物层31的情况同样，在上面形成第一电极21至23的基板10的整个表面上通过真空沉积方法形成第二有机化合物层32。第二有机化合物层32形成为由与第一空穴传输层的材料相同的材料形成的第二空穴传输层（膜厚：150nm）和由不可溶于水中的常规的绿色发光材料形成的第二发光层（膜厚：20nm）的多层结构。

将上面形成第二有机化合物层32的基板10浸泡于水中10分钟以溶解水溶性聚合物层，并且，与第一电极21之上的第一中间层41一起去除第二有机化合物层32。作为结果，如图2H所示，在第一电极21上形成第一有机化合物层31，并且，在第一电极22和23上形成第二有机化合物层32。

然后，与第一中间层41的情况同样地，如图2I所示，在整个基板10上形成作为水溶性聚合物层和硅氮化物层的多层结构的第二中间层42。然后，与第一抗蚀剂层51的情况同样，如图2J所示，在整个基板10上的第二中间层42上形成第二抗蚀剂层52。然后，与第一抗蚀剂层51的情况同样，如图2K所示，使用第二光掩模62以遮蔽第一电极21和22之上的区域并将基板10曝光。然后，基板10在显影剂中被浸泡和显影1分钟。被紫外线60照射的区域中的第二抗蚀剂层52在显影剂中被浸泡和显影。作为结果，如图2L所示，仅在与第二光掩模62的遮蔽区域对应的第一电极21和22之上的区域中残留第二抗蚀剂层52。

通过使用残留的第二抗蚀剂层52作为掩模，实施干蚀刻以去除其中第二抗蚀剂层52被去除的区域中的第二中间层42和第二有机化合物层32。使用与用于去除第一有机化合物层31的蚀刻条件相同的蚀刻条件。因此，如图2M所示，露出第一电极23。

然后，与第一有机化合物层31和第二有机化合物层32的情况同样，通过真空沉积方法在包含元件区域12的区域中形成第三有机化合物层33。在通过具有比元件区域12大的开口的沉积掩模遮蔽接触部分11的同时形成第三有机化合物层33。第三有机化合物层33被形成作为由与第一空穴传输层相同的材料形成的第三空穴传输层（膜厚：20nm）和由常规的红色发光材料形成的第三发光层（膜厚：30nm）的多层结构。

然后，将上面形成第三有机化合物层33的基板10浸泡于水中10分钟以溶解水溶性聚合物。以这种方式，去除第一电极21和22上的第二中间层42和第三有机化合物层33。因此，如图2O所示，分别在第一电极21至23上形成第一到第三有机化合物层31至33。

然后，如图2P所示，在被构图的第一到第三有机化合物层31至33上形成从元件区域12到接触部分11连续的第二电极70。通过溅射方法由具有20nm的厚度的银-镁（Ag-Mg）合金膜形成第二电极70。最后，在用于遮蔽的外部连接端子15以外的区域上，通过CVD方法形成硅氮化物膜。因此，完成根据第一示例性实施例的有机EL装置。

当驱动形成的有机EL装置时，既没有出现第二电极70的断开也没有出现第二电极70的电压升高。获取适当的多颜色发光。另外，通过电子显影镜观察这些有机EL元件的截面，以在多个位置评价有机化合物层的端部的倾角。第一到第三有机化合物层的分别位于有机EL元件之间的端部具有平均约85度的倾角。第三有机化合物层的不位于有机EL元件之间的端部具有平均约30度的倾角。第二电极70不具有明显减薄或断开的部分。

下面，将描述第二示例性实施例。在本示例性实施例中，通过干蚀刻控制有机化合物层的不位于有机EL元件之间并且位于形成第二电极70的区域中的端部的倾角。

首先，与第一示例性实施例同样，执行图2中的制造方法，直到如图2M所示的那样形成露出的第一电极23。

然后，如图3A所示，通过不使用沉积掩模的真空沉积方法在其上露出第一电极23的整个基板10上形成第三有机化合物层33。然后，与第一示例性实施例同样地，将上面形成第三有机化合物层33的基板10浸泡于水中以溶解水溶性聚合物层。如图3B所示，与第一电极21和22上的第二中间层42一起去除第三有机化合物层33。

然后，如图3C所示，在第一到第三有机化合物层31至33上形成由水溶性聚合物层和硅氮化物层的两个层形成的第三中间层43，并且，在其上面形成第三抗蚀剂层53。然后，如图3D所示，通过使用遮蔽元件区域12并在包含接触部分11的区域13中具有开口的第三光掩模63曝光第三抗蚀剂层53，并且，如图3E所示，通过显影处理去除不被第三光掩模63遮蔽的周边区域中的第三抗蚀剂层52。

然后，如图3F所示，通过干蚀刻去除已去除第三抗蚀剂层53的区域中的第三中间层43和第三有机化合物层33。调整干蚀刻处理的条件，使得第三抗蚀剂层53具有平缓（gradual）倾角。具体而言，除了在使用氧气作为反应气体的干蚀刻处理中压力为30Pa以外，使用与第一示例性实施例相同的条件。

在干蚀刻之后，通过将基板10浸泡于水中并溶解第三中间层43的水溶性聚合物层，去除第三中间层43。然后，形成具有20nm的膜厚并从元件区域12到接触部分11连续的Ag-Mg合金作为第二电极70。最后，使用玻璃帽（未示出）用于密封，并且，完成能够发射全色光的有机EL装置。

通过经由外部连接端子15供给电压和信号，驱动完成的有机EL装置。作为结果，既没有出现第二电极70的断开，也没有出现第二电极70的电压升高，并且，获取适当的三种颜色的发光。

另外，当观察有机EL装置的截面时，第一到第三有机化合物层31至33的分别位于有机EL元件之间的端部具有约85度的最大倾角。另外，在第三有机化合物层的均不位于有机EL元件之间的端部之中，通过干蚀刻处理被构图的端部具有约60度的最大倾角。

接下来，将描述第三示例性实施例。除了在Ag-Mg合金被形成为第二电极70之前，在第一到第三有机化合物层31至33的整个表面上形成具有20nm的膜厚的常规电子注入层作为公共有机化合物层之外，如第一示例性实施例中那样制造有机EL装置。当完成的有机EL装置被驱动时，既没有出现第二电极70的断开，也没有出现第二电极70的电压升高，并且，获取适当的三种颜色的发光。

另外，当观察此有机EL装置在多个位置处的截面时，第一到第三有机化合物层31到33的均位于有机EL元件之间的端部具有约85度的最大倾角，并且被相邻的有机化合物层覆盖。另外，电子注入层被堆叠在第三有机化合物层的均没有位于有机EL元件之间的端部中的每一个上。该表面层具有与第三有机化合物层33的端部的倾角类似的倾角，并且具有约30度的最大倾角。

虽然已参照示例性实施例说明了本公开，但应理解，本公开不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽泛的解释以包含所有的变更方式、等同的结构和功能。

Claims (13)

1.一种有机电致发光装置，包括：

多个有机电致发光元件，每个有机电致发光元件包含在基板上的预定区域中依次层叠的第一电极、至少包含发光层的有机化合物层和第二电极；和

布线，包含布置于基板上的所述预定区域外侧的外部连接端子和接触部分，

其中，第一电极对于每个有机电致发光元件被分割，

有机化合物层对于每个有机电致发光元件或每多个有机电致发光元件被分割，并且，

第二电极是对于多个有机电致发光元件公共设置的，并且通过所述接触部分与所述布线电连接，并且，

在有机化合物层的端部之中，与有机化合物层的位于有机电致发光元件之间的端部相比，有机化合物层的不位于有机电致发光元件之间并且位于设置第二电极的区域中的端部相对于基板具有更小的倾角。

2.根据权利要求1的有机电致发光装置，其中，

与有机化合物层的位于有机电致发光元件之间的端部相比相对于基板具有更小的倾角的有机化合物层的端部被布置于所述预定区域与接触部分之间。

3.根据权利要求1的有机电致发光装置，还包括包含相互不同的发光层的多种类型的有机电致发光元件，其中，

有机电致发光元件沿行方向和列方向被布置，并且，

沿行方向或列方向彼此相邻的被分割的有机化合物层包含相互不同的发光层。

4.根据权利要求1的有机电致发光装置，其中，在其中有机化合物层的位于有机电致发光元件之间的端部相对于基板倾斜的区域具有比有机化合物层的膜厚小的宽度。

5.根据权利要求1的有机电致发光装置，其中，

有机化合物层的位于有机电致发光元件之间的端部被相邻的有机化合物层覆盖。

6.根据权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机化合物层的位于有机电致发光元件之间的端部由光刻法形成。

7.根据权利要求1的有机电致发光装置，其中，有机化合物层的不位于有机电致发光元件之间的端部通过使用掩模的真空沉积方法形成。

8.一种根据权利要求1的有机电致发光装置的制造方法，该方法包括：

执行用于制备上面形成接触部分和多个第一电极的基板的第一操作；

执行用于选择性地在多个第一电极中的一部分上形成第一有机化合物层的第二操作；

执行用于在多个第一电极之中的上面不形成第一有机化合物层的第一电极上形成包含与第一有机化合物层的发光层不同的发光层的第二有机化合物层的第三操作；和

执行用于在包含第一有机化合物层和第二有机化合物层以及接触部分的区域中形成第二电极的第四操作，

其中，第二操作包含通过光刻法将第一有机化合物层构图，

第三操作包含通过使用具有与布置多个第一电极的区域对应的开口的掩模形成第二有机化合物层。

9.根据权利要求8的有机电致发光装置制造方法，其中，

第二操作包含在上面形成多个第一电极的基板上依次形成第一有机化合物层和中间层，通过光刻法在多个第一电极中的一部分上形成抗蚀剂层，以及通过干蚀刻去除其上不形成抗蚀剂层的第一电极之上的第一有机化合物层和中间层，并且，

第三操作包含通过使用具有与布置多个第一电极的区域对应的开口的掩模在已被去除第一有机化合物层和中间层的第一电极上形成第二有机化合物层，以及溶解中间层以去除在中间层上形成的第二有机化合物层。

10.根据权利要求9的有机电致发光装置制造方法，其中，中间层由水溶性聚合物或水溶性无机盐形成。

11.根据权利要求10的有机电致发光装置制造方法，其中，第二操作还包含在中间层与抗蚀剂层之间形成包含水溶性聚合物或水溶性无机盐的层。

12.根据权利要求8的有机电致发光装置制造方法，还在第二操作和第三操作之间包含第五操作，该第五操作用于在其上未在第二操作中选择性地形成第一有机化合物层的多个第一电极中的一部分上选择性地形成包含与第一和第二有机化合物层的发光层不同的发光层的第三有机化合物层。

13.根据权利要求12的有机电致发光装置制造方法，其中，第五操作包含通过光刻法将第三有机化合物层构图。