CN102163613A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基板；电路部，被配置为形成于基板上并包括驱动元件；平坦化绝缘层，被配置为形成于电路部上；导电层，被配置为形成于平坦化绝缘层上且包括多个第一电极和辅助配线；开口限定绝缘层，被配置为使多个第一电极相互绝缘且具有使第一电极的一部分暴露的开口；多个发光元件，被配置为通过依次堆叠第一电极、包括发光层的有机层、以及第二电极而形成；以及分离部，被配置为通过在设置了连接至驱动元件的多个发光元件的显示区域周围的位置处移除平坦化绝缘层而形成。

Description

显示装置和显示装置的制造方法
相关申请的参考
本申请包含于2009年10月22日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-243589所披露的主题，将其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法。更具体地，本发明涉及使用有机电致发光(EL)元件的自发光型显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，作为替代液晶显示器的显示装置，使用有机EL元件的有机EL显示器正为人所关注。有机EL显示器是这样的自发光型显示器，其中，响应于对有机材料的电流施加，该有机材料自身发光。有机EL显示器具有如下的优良特性：无需背光、优良的颜色再现性、高对比度、适应动画的响应性、广视角等。
同时，有机EL显示器会由于吸湿而使有机EL元件的有机层劣化，从而存在例如有机EL元件的发光亮度下降、发光变得不稳定等问题。
对于有机EL显示器，提出了一种有源矩阵系统，其中为每个像素设置作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)，且控制包括在像素中的有机EL元件。
在此有源矩阵系统的有机EL显示器中，具有平坦面的有机绝缘膜形成为位于TFT上方的层，且在有机绝缘膜的平坦面上，多个有机EL元件形成为矩阵。该有机绝缘膜具有透水性。如果水由于该有机绝缘膜而扩散至设置了有机EL元件的显示区域P，则有机EL元件会劣化并发生显示失败等问题。
已提出了各种防止水扩散至显示区域P的技术。例如，日本专利公开第2006-054111号(后称专利文献1)提出了一种提供围绕显示区域的分离部的技术。在该技术中，通过分离部可防止残留在外围区域的水进入显示区域。例如，日本专利公开第2005-266667号(后称专利文献2)提出了一种在设置于外围区域的下部电极上设置达到第一绝缘膜的孔来排出包含在绝缘膜中的水等的技术。
在从密封板侧提取光、具有顶部发光结构的有机EL显示器中，光提取侧的电极(上部电极)是各有机EL元件共用的电极，且是用诸如铟锡氧化物(ITO)的透光性导电材料来形成的。
然而，这样的透光性导电材料的电阻率比普通金属材料的电阻率高出二或三个数量级。因此，施加在上部电极上的电压在面内不均匀，导致在各有机EL元件之间产生了不同位置上的发光亮度差异以及显示质量降低的问题。
为了解决该问题，例如，日本专利公开第2004-207217号(后称为专利文献3)提出了在与阳极相同的层上形成与阴极相连接的电源辅助配线的技术。在此技术中，与第一电极在同一层的电源辅助配线连接至显示区域外，且阴极和电源辅助配线也在显示区域内相连接。因此，稳定了阴极电压。
在专利文献3的技术中，使用AlNd合金作为阳极材料以确保阳极的高反射率，而使用透光性的MgAg合金用于阴极。然而，在AlNd合金的表面很容易生成自然氧化膜。这增加了阴极和由与阳极相同的材料构成的电源辅助配线之间的接触电阻，从而出现了阴极与电源辅助配线之间的电连接变得不稳定的问题。
为解决这一问题，PCT专利公开第WO2007/148540号说明书中(后称专利文献4)提出了将阴极与作为第二金属层(其形成用TFT构成的电路的信号线和电源线)的Ti/Al/Ti多层膜接触，且阴极通过Ti与作为辅助配线的AlNd合金连接的技术。
具体地，在该技术中，如图28所示，由Ti/Al/Ti多层膜形成的接触垫225电连接至由AlNd合金组成的辅助配线214。此外，由MgAg合金组成的阴极218电连接至接触垫225。从而，辅助配线214与阴极218通过接触垫225彼此电连接。
为了形成该连接结构，在平坦化绝缘膜213上形成了用于将辅助配线214引导至下层的开口。在开口限定绝缘膜216上形成用于将阴极218引导至下层的开口。此外，为了防止沿该开口的内壁面形成的阴极218因梯级而破裂，开口限定绝缘膜216的开口尺寸设为比平坦化绝缘膜213的开口尺寸大。因此，平坦化绝缘膜213的平坦面局部具有未被开口限定绝缘膜216覆盖的暴露面。阴极218沿着此暴露面以及平坦化绝缘膜213的开口的内壁面形成。
例如，如日本专利公开第2002-116715号(后称为专利文献5)和日本专利公开第2001-160486号(后称为专利文献6)中所述，诸如聚苯并唑或聚酰亚胺的光敏树脂被用作开口限定绝缘膜216和平坦化绝缘膜213的材料。在涂覆光敏树脂后，开口形成部被暴露出来，且暴露部分被去除液去除。从而，形成了开口限定绝缘膜216的开口和平坦化绝缘膜213的开口。
发明内容
然而，在专利文献1所述的技术中，水不仅残留在外围区域的有机绝缘膜中，还残留在显示区域的有机绝缘膜中。因此，仅仅防止残留在外围区域的有机绝缘膜中的水进入显示区域还不够。因此，专利文献1中所述的技术存在因残留在显示区域的有机绝缘膜中的水而引发暗点、阴极的变质等问题，并且无法获得长期可靠性。
如果进行烧成处理，则专利文献2所述的技术是有效的。然而，在该技术中，外围区域的水无法充分地去除，并且无法获得长期可靠性。
专利文献4所述的技术具有平坦化绝缘膜213的开口的内壁面和平坦化绝缘膜213的平坦面的暴露面直接与阴极218接触的结构。因此，由于残留在平坦化绝缘膜213中的水渗透至阴极218以及从平坦化绝缘膜213的排气，阴极218发生劣化，结果造成显示特性下降。
此外，在专利文献4所述的技术中，当在形成开口限定绝缘膜216的开口时光敏树脂的暴露部分被移除时，与移除部分相对应的位置处的平坦化绝缘膜213的开口的内壁面受损，从而平坦化绝缘膜213的开口的内壁面产生了凹凸。
在专利文献4所述的技术中，阴极218沿着产生凹凸的内壁面形成。因此，阴极218有可能因凹凸的影响而断路。如果阴极218断路，则该断路部分周围的一些像素会发生电压降，电压降在视觉上识别为阴影。
本发明需要提供一种可抑制由于残留在有机绝缘膜中的水的扩散以及从平坦化绝缘膜的排气而引起的显示特性的劣化的显示装置和该显示装置的制造方法。
本发明还需要提供可通过抑制电极的断路来抑制显示特性的劣化的显示装置和该显示装置的制造方法。
根据本发明的第一实施方式，提供了一种显示装置，包括：基板；电路部，被配置为形成于基板上并包括驱动元件；平坦化绝缘层，被配置为形成于该电路部上。显示装置还包括导电层，被配置为形成于平坦化绝缘层上且包括多个第一电极和辅助配线；以及开口限定绝缘层，被配置为使多个第一电极相互绝缘且具有使第一电极的一部分暴露的开口。显示装置还包括多个发光元件，被配置为在多个第一电极的每一个的暴露部分由第一电极、包括发光层的有机层、以及对于多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成，以及分离部，被配置为通过在设置了连接至驱动元件的多个发光元件的显示区域周围的位置处移除平坦化绝缘层而形成。在该显示装置中，在分离部内的整个区域中，导电层和开口限定绝缘层中的至少一个介于平坦化绝缘层和第二电极之间、以及平坦化绝缘层和有机层之间。
一般地，优选第一实施方式的显示装置具备如下构造。具体地，显示装置还包括接触部，被配置为由与包括在驱动元件中的金属层相同的层形成且将辅助配线与第二电极电连接。在平坦化绝缘层中，在接触部上形成了用于将在平坦化绝缘层上形成的辅助配线引导至下层的开口。平坦化绝缘层的开口的内壁面被辅助配线和开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
根据本发明的第二实施方式，提供了一种显示装置的制造方法。该方法包括以下步骤：在基板上形成包括驱动元件的电路部，在电路部上形成平坦化绝缘层，以及在形成了连接至驱动元件的多个发光元件的显示区域外的区域中、通过在显示区域周围的位置处移除平坦化绝缘层而形成分离部。此方法还包括以下步骤：在平坦化绝缘层上形成包括多个第一电极和辅助配线的导电层，形成使各第一电极相互绝缘且具有使第一电极的一部分暴露的开口的开口限定绝缘层，并且通过在多个第一电极的每一个的暴露部分由第一电极、包括发光层的有机层、以及对于多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成多个发光元件。在该方法中，在形成导电层、形成开口限定绝缘层、形成发光元件的过程中，导电层、开口限定绝缘层及多个发光元件形成为使得在分离部内的整个区域中，导电层和开口限定绝缘层中的至少一个介于平坦化绝缘层和第二电极、以及平坦化绝缘层和有机层之间。
一般地，优选第二实施方式的方法具有如下构造。具体地说，在形成电路部的过程中，通过使用与包括在驱动元件中的金属层相同的层来形成将辅助配线和第二电极电连接的接触部。在形成平坦化绝缘层的过程中，在接触部上形成用于将形成于平坦化绝缘层之上的辅助配线引导至下层的开口。在形成导电层和形成开口限定绝缘层的过程中，辅助配线和开口限定绝缘层形成为使得平坦化绝缘层的开口的内壁面被辅助配线和开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
本发明的第一和第二实施方式具有这样的构造，其中，在分离部内的整个区域中，导电层和开口限定绝缘层中的至少一个介于平坦化绝缘层和第二电极之间、以及平坦化绝缘层和有机层之间。此构造能抑制因残留在平坦化绝缘层的水的扩散以及从平坦化绝缘层的排气而导致的显示特性的劣化。
一般地，在本发明的第一和第二实施方式中，采用以下构造。具体地说，提供由与包括在驱动元件中的金属层相同的层形成并且将辅助配线与第二电极电连接的接触部。在平坦化绝缘层中，在接触部上，形成了用于将形成在平坦化绝缘层之上的辅助配线引导至下层的开口。此外，平坦化绝缘层的开口的内壁面被辅助配线和开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。该构造能抑制电极的断路以及显示特性的劣化。
本发明的实施方式能抑制因残留在平坦化绝缘层的水的扩散以及从平坦化绝缘层的排气而导致的显示特性的劣化。此外，本发明的实施方式能抑制电极的断路以及显示特性的劣化。
附图说明
图1是示出了根据本发明的第一实施方式的显示装置的构造实例的平面图。
图2是示出了显示区域的构造实例的平面图。
图3A与图3B是示出了第一电极、辅助配线等的构造的平面图。
图4是示出了连接接触状态的构造实例的截面图。
图5是示出了显示区域的构造实例的截面图。
图6是示出了显示区域的构造实例的放大截面图。
图7是示出了接触设置部的构造实例的平面图。
图8是示出了接触设置部的构造实例的截面图。
图9是示出了现有技术的接触设置部的构造实例的平面图。
图10是示出了现有技术的接触设置部的构造实例的截面图。
图11是示出了现有技术的接触设置部的第二电极的断路状态的截面图。
图12是示出了显示区域及外围区域的构造实例的截面图。
图13是示出了分离部的构造实例的截面图。
图14A至图14C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图15A至图15C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图16A至图16C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图17A至图17C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图18是示出了接触设置部的构造实例的平面图。
图19是示出了接触设置部的构造实例的截面图。
图20A至图20C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图21A至图21C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图22是示出了接触设置部的构造实例的平面图。
图23是示出了接触设置部的构造实例的截面图。
图24A至图24C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图25A至图25C是说明显示装置的制造方法的截面图。
图26是说明分离部的构造实例的截面图。
图27是通过总结试验例的结果而得到的图。
图28是示出了现有的接触设置部的构造实例的截面图。
具体实施方式
以下将参照附图来说明本发明的实施方式。下述的实施方式是本发明的具体实例，并都被给予各种技术上优选的限制。然而，只要在下文中没有特殊说明来限制本发明，本发明的范围不限于这些实施方式。说明的顺序如下。在实施方式的所有图中，相同或相应的部分都以相同的符号或数字标记。
1.第一实施方式(显示装置的第一例)
2.第二实施方式(显示装置的第二例)
3.第三实施方式(显示装置的第三例)
4.第四实施方式(显示装置的第四例)
5.其他实施方式(修改例)
1.第一实施方式
<显示装置的构造>
以下说明根据本发明的第一实施方式的显示装置的构造。图1是示出了根据本发明的第一实施方式的显示装置的构造的平面图。此显示装置是有源矩阵显示装置，其中作为开关元件的TFT与配置为矩阵的有机EL元件的每一个相连接，且每个有机EL元件的发光由TFT来控制。
图1中，被双点划线围绕的显示区域P是将发出红(R)、绿(G)和蓝(B)光的有机EL元件配置成矩阵的区域。一个有机EL元件形成一个子像素。发出R光的有机EL元件形成R子像素。发出G光的有机EL元件形成G子像素。发出B光的有机EL元件形成B子像素。R子像素、G子像素和B子像素形成一个像素。
围绕显示区域P的外围区域Q是设置例如发送扫描信号和数据信号至有机EL元件的驱动电路的区域。
在外围区域Q的内部或端部以围绕显示区域P的方式设置用来分隔设置在TFT上的平坦化绝缘膜的分离部91。通过此分离部91，平坦化绝缘膜被分隔成在分离部91内部的区域中的平坦化绝缘膜13与在分离部91外部的区域的平坦化绝缘膜。此分离部91能抑制分离部91外部的区域中的平坦化绝缘膜上的水通过平坦化绝缘膜进入显示区域P。
<显示区域>
下面说明显示区域P的详细结构。图2是在图1中被虚线围绕的作为显示区域P的一部分的区域90的放大平面图。图3A是示出了第一电极14a与辅助配线14b的构造的平面图。图3B是示出了包括TFT的电路构造的平面图。
图2中所示的开口31是形成于平坦化绝缘膜上的开口限定绝缘膜中的开口。通过在由该开口31暴露的第一电极14a上堆叠有机层17与第二电极18来形成有机EL元件21。在显示区域P内，发出R光的有机EL元件21R、发出G光的有机EL元件21G和发出B光的有机EL元件21B被并置在一起。
如图3A所示，辅助配线14b形成于与第一电极14a相同的金属层中，且以围绕包括在有机EL元件21中的第一电极14a的点阵形式进行设置。以点阵形式设置的辅助配线14b在显示区域P中相互连接且在整个显示区域中均匀地形成。第一电极14a与辅助配线14b被开口限定绝缘膜分隔从而彼此电绝缘。
辅助配线14b与设置在图2所示的接触设置部50中的接触垫相连接，且辅助配线14b与第二电极通过接触垫彼此电连接。辅助配线14b在整个显示区域中均匀地形成，且辅助配线14b与第二电极18间的电连接使其可以抑制第二电极18的平面内的电位变化。接触设置部50的详细结构将在后面介绍。
如图3B所示，构成了包括TFT的电路。该电路通过由TFT形成的驱动晶体管41a与写晶体管41b、积蓄电容29、扫描线25a、信号线25b、电源控制线25c等构成。通过连接触点48a至48f，形成驱动晶体管41a与写晶体管41b等的栅电极的第一金属层23′电连接至形成扫描线25a、信号线25b、电源控制线25c等的第二金属层25。
通过连接触点28，第二金属层25电连接至形成第一电极14a和辅助配线14b的第三金属层。具体地说，如图4所示(沿图2中b-b′线的截面图)，形成于栅绝缘膜22上的第二金属层25局部具有未被钝化膜26和平坦化绝缘膜13覆盖的暴露面。此暴露面通过形成在平坦化绝缘膜13上的开口连接至形成于平坦化绝缘膜13上的第一电极14a(第三金属层)。
图5示出了沿图2(平面图)中a-a′线的截面图。如图5所示，基板11上存在形成有包括TFT的电路的电路形成层12，且平坦化绝缘膜13形成于该电路形成层12上。在平坦化绝缘膜13上形成了配置成矩阵的第一电极14a以及设置在第一电极14a周围的辅助配线14b。第一电极14a上的开口限定绝缘膜16具有与配置成矩阵的第一电极14a相匹配的开口31。通过在由开口31暴露的第一电极14a上堆叠有机层17和第二电极18来形成有机EL元件21。
在显示区域P中，除了保护层19与密封基板20，平坦化绝缘膜13上的层具有第一电极14a/有机层17/第二电极18的堆叠结构。此外，这些层还具有辅助配线14b/开口限定绝缘膜16/第二电极18的堆叠结构，以及辅助配线14b/开口限定绝缘膜16/有机层17/第二电极18(未示出)的堆叠结构。另外，这些层还具有开口限定绝缘膜16/第二电极18(未示出)的堆叠结构以及开口限定绝缘膜16/有机层17/第二电极18的堆叠结构。
也就是说，显示区域P包括第一电极14a或开口限定绝缘膜16介于有机层17与平坦化绝缘膜13之间的结构。此外，显示区域P包括第一电极14a与堆叠在第一电极14a上的有机层17介于第二电极18与平坦化绝缘膜13之间的结构。另外，显示区域P包括辅助配线14b与堆叠在辅助配线14b上的开口限定绝缘膜16介于第二电极18与平坦化绝缘膜13之间的结构。而且，显示区域P包括辅助配线14b和堆叠在辅助配线14b上的开口限定绝缘膜16以及堆叠在开口限定绝缘膜16上的有机层17介于第二电极18与平坦化绝缘膜13之间的结构。此外，显示区域P具有开口限定绝缘膜16介于第二电极18与平坦化绝缘膜13之间的结构。另外，显示区域P具有开口限定绝缘膜16与堆叠在开口限定绝缘膜16上的有机层17介于第二电极18与平坦化绝缘膜13之间的结构。通过这些结构，可抑制包含在平坦化绝缘膜13中的水扩散至有机层17与第二电极18，且可抑制有机层17和第二电极18的劣化。此外，还可抑制有机层17与第二电极18因从平坦化绝缘膜13的排气而劣化。
图6是图5中区域S的放大截面图。如图6所示，第一电极14a形成于平坦化绝缘膜13上。如上所述，第一电极14a形成为矩阵。以具有与第一电极14a的位置相匹配的开口31的方式形成开口限定绝缘膜16。在开口31中，在由开口限定绝缘膜16暴露的第一电极14a上依次堆叠有机层17和第二电极18，从而形成有机EL元件21。
[第一电极]
第一电极14a是向包括在有机层17中的发光层(未示出)注入空穴的电极(阳极)，且被图样化为平坦化绝缘膜13上的矩阵。第一电极14a用作反射来自发光层的光并将其引到上侧的反射电极。作为第一电极14a的材料，可使用具有高反射率的材料，具体地说，例如Al或主要由Al组成的合金，诸如AlNd合金或AlCe。这样的第一电极的材料具有表面易被氧化的特性(表面氧化特性)。
[有机层]
尽管未在图中示出，有机层17具有例如通过从第一电极14a侧起依次堆叠空穴注入层、空穴传输层、发光层与电子传输层所获得的结构。空穴注入层是被设置为顺利地从第一电极14a接收空穴的层。空穴传输层是被设置为将空穴顺利地转移至发光层的层。电子传输层是从第二电极18接收电子并将电子传输至发光层的层。作为有机层17各层的材料，可随意使用适合各层功能的有机材料。
在有机EL元件21中，响应于在第一电极14a与第二电极18间必要的电压-电流的施加，来自第一电极14a的空穴与来自第二电极18的电子被注入发光层，空穴与电子在发光层中再结合，从而发出光。在有机EL元件21的发光过程中，发出与有机层17的材料相对应的颜色的光。
[第二电极]
第二电极18是向发光层注入电子的电极(阴极)。多个有机EL元件21的第二电极18彼此连接并作为各有机EL元件21的共有电极。第二电极18允许来自发光层的光从其通过并将光输出至上侧。因此，它是透明或半透明的电极。作为第二电极18的材料，使用透明或半透明的材料。这种材料的实例包括诸如ITO和IZO的透明材料以及诸如MgAg合金、Cu、Ag、Mg和Al的半透明材料。
[平坦化绝缘膜]
平坦化绝缘膜13是用于将层结构平坦化并在其上形成有机EL元件21的薄膜。平坦化绝缘膜13例如由诸如聚酰亚胺树脂、聚苯并唑树脂、酚醛树脂、聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂的光敏性绝缘材料组成。
[开口限定绝缘膜]
与平坦化绝缘膜13相同，开口限定绝缘膜16例如由诸如聚酰亚胺树脂、聚苯并唑树脂、酚醛树脂、聚羟基苯乙烯或丙烯酸树脂的光敏性绝缘材料组成。设置该开口限定绝缘膜16来确保第一电极和第二电极间的绝缘并限定形成有机EL元件的区域。
开口限定绝缘膜16和平坦化绝缘膜13可用相同或不同的材料组成。在制造步骤等方面，将水、气体等从开口限定绝缘膜16充分地去除，而不从平坦化绝缘膜13上充分去除水、气体等。因此，即使开口限定绝缘膜16同因水、气体等而劣化的第二电极18和有机层17接触也不会出问题。然而，应该避免平坦化绝缘膜13同第二电极和有机层的接触。
[辅助配线]
如上所述，辅助配线14b形成于第一电极14a周围并用于抑制有高电阻、透射性的第二电极18的电极电压的面内不均匀性。形成辅助配线14b使其电阻低于第二电极18(例如通过使用低电阻率的材料)。通过使用与第一电极14a相同的金属层形成辅助配线14b。
[电路形成层]
在电路形成层12中，形成了作为驱动有机EL元件21发光的驱动元件的TFT。例如，TFT 41可通过重复采用CVD与溅射法的膜沉积与采用光刻法的图样形成来形成。
TFT 41形成驱动晶体管41a与写晶体管41b。TFT 41通过由钼等构成的栅电极23、栅绝缘膜22、由μc-Si膜36与n+-Si膜37等构成的半导体层38、蚀刻塞24、第二金属层25以及钝化膜26构成。
(第二金属层)
第二金属层25形成TFT 41的源极和漏极并还用作诸如信号线25b的配线。该第二金属层25由与设置在接触设置部50的接触垫相同的材料组成。具体地说，第二金属层25例如由具有的表面难以氧化且与第二电极18有良好连接(优选欧姆连接)的导电材料构成。此外，优选第二金属层25由相对于第一电极14a和辅助配线14b的材料具有高蚀刻选择率的材料组成。这是为了防止在蚀刻第一电极14a和辅助配线14b的过程中接触垫也一起被蚀刻。
这些材料的更具体的实例包括Ti、氮化钛、钨、铬、金、铂、铜、ITO、IZO、银以及主要由任意的这些材料组成的合金。可选地，第二金属层25可由包括Ti层作为最上层的多层膜形成，诸如Ti/Al(铝)、Ti/Al/Ti、Ti/(AlSi合金)、Ti/(AlSiCu合金)或Ti/(AlCe(铈)合金)。第二金属层25的材料根据第一电极14a和辅助配线14b的材料、蚀刻方法等来合理地选择。
(钝化膜)
钝化膜26用于保护TFT 41，并通过使用例如由SiO2、SiN及SiON中的至少一种构成的绝缘材料来形成。
[保护层]
保护层19通过使用由透明电介质构成的钝化膜来形成。SiO2、SiN等可用作保护层19的材料。
[密封基板]
密封基板20结合至形成在保护层19上的粘合层(未示出)上并密封有机EL元件21。密封基板20由诸如玻璃的透明材料组成。
<接触设置部>
以下说明接触设置部50。图7是从上表面侧观察接触设置部50所获得的平面图。
图7中，被虚线61围绕的区域(介于内虚线与外虚线之间的区域)表示形成辅助配线14b的区域。被线62围绕的区域表示钝化膜26的去除部分。被线63围绕的区域表示平坦化绝缘膜13的去除部分。被线64围绕的区域表示开口限定绝缘膜16的去除部分。被粗线65围绕的区域表示形成接触垫51的区域。
图8是沿图7中II-II′线的截面图。如图8所示，栅绝缘膜22堆叠在基板11上，并且与第二金属层25在同一层的接触垫51形成在栅绝缘膜22的部分区域上。接触垫51例如用与第二金属层25相同的材料、以与第二金属层25同样的厚度形成。接触垫51的形成区域对应于图7中所示的被粗线65围绕的区域。
在钝化膜26中，形成使接触垫51的一部分暴露的开口。此开口的形成区域对应于图7中被线62围绕的区域。平坦化绝缘膜13中，形成用于将形成于平坦化绝缘膜13上的辅助配线14b连接至接触垫51的开口。此开口对应于图7中被线63围绕的区域。辅助配线14b沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的一部分形成至接触垫51的上表面上。
开口限定绝缘膜16沿着辅助配线14b或沿着没有形成辅助配线14b的平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成至接触垫51的上表面上。于是，开口限定绝缘膜16形成用于将形成在开口限定绝缘膜16上的第二电极18连接至接触垫51的开口。第二电极18均匀地形成在形成此开口的表面以及接触垫51的上表面上。
在接触设置部50中，辅助配线14b电连接至接触垫51。此外，第二电极18电连接至接触垫51。此外，此辅助配线14b通过接触垫51电连接至第二电极18。因而，辅助配线14b通过接触垫51电连接至第二电极18，这实现了与第二电极18的良好连接(优选欧姆连接)。因此，即使由易氧化的材料构成的辅助配线14b的表面被氧化，也可避免第二电极18与辅助配线14b之间的接触电阻增加。
在接触设置部50中，沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成了依次堆叠辅助配线14b和开口限定绝缘膜16所获得的结构，或沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成了开口限定绝缘膜16。也就是说，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层或开口限定绝缘膜16这一层覆盖。这可以避免平坦化绝缘膜13和第二电极的直接接触，且能抑制第二电极18和有机层17因包含在平坦化绝缘膜13内的水以及从平坦化绝缘膜13的排气而产生的劣化。
此外，在该接触设置部50的结构中，即使在平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成凹凸，辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层或开口限定绝缘膜16这一层也介于此内壁面与第二电极18之间。
这能减小平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的凹凸的影响，因而可以抑制第二电极18的断路。也就是说，如下所述的现有的接触设置部50的结构存在的问题可得以解决。为了使本发明更容易理解，接下来，将说明接触设置部50的现有技术的结构及问题。
[接触设置部的现有技术的结构及问题]
以下说明接触设置部50的现有技术的结构。图9是从上表面侧观察接触设置部50所获得的平面图。
图9中，被虚线71围绕的区域(介于内虚线与外虚线之间的区域)表示辅助配线14b形成的区域。被线72围绕的区域表示钝化膜26的去除部分。被线73围绕的区域表示平坦化绝缘膜13的去除部分。被线74围绕的区域表示开口限定绝缘膜16的去除部分。被粗线75围绕的区域表示形成接触垫51的区域。
如图10所示，在开口限定绝缘膜16中，形成了用于将设置在开口限定绝缘膜16的上层上的第二电极18连接至设置为下层的接触垫51的开口。开口限定绝缘膜16的开口的尺寸(与图9中被线74围绕的区域相等)设置为比平坦化绝缘膜13的开口的尺寸(与图9中被线73围绕的区域相等)大。因而，平坦化绝缘膜13的平坦面部分地具有未被开口限定绝缘膜16覆盖的暴露面。辅助配线14b沿着暴露面的一部分与平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的一部分形成至接触垫51的上表面的一部分上。
通过开口限定绝缘膜16的开口的内壁面、辅助配线14b、平坦化绝缘膜13的开口的内壁面、平坦化绝缘膜13的平坦面的暴露面，形成用于将设置在平坦化绝缘膜13上的第二电极18连接至接触垫51的开口。第二电极18均匀地形成在形成该开口的表面与接触垫51的上表面上。
由于这种结构，在接触设置部50中，辅助配线14b电连接至接触垫51。第二电极18电连接至接触垫51。此外，辅助配线14b通过接触垫51电连接至第二电极18。
在现有技术的结构中，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被损坏且在形成开口限定绝缘膜16的开口的步骤中产生了凹凸。具体地说，在用作开口限定绝缘膜16的光敏树脂被涂覆在平坦化绝缘膜13上后，当与开口相对应的暴露部分被去除时，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面中在与去除部分相对应的位置处因去除液的影响而产生凹凸。如果平坦化绝缘膜13的开口的内壁面上产生凹凸，则由于凹凸的影响，如图11的箭头所示的部分那样，在产生了凹凸的开口的内壁面上形成的第二电极被断路。
相反，在上述的本发明的实施方式的接触设置部50的结构中，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b和开口限定绝缘膜16覆盖或被开口限定绝缘膜16覆盖。因而，辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层或开口限定绝缘膜这一层介于平坦化绝缘膜13的开口的内壁面与第二电极18之间。因而可抑制因平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的凹凸的影响而造成的第二电极的断路。
<外围区域>
以下说明外围区域Q的构造。图12是沿图1中III-III′线的截面图。设置在显示区域P与外围区域Q之间的分离部91将平坦化绝缘膜13分隔成显示区域P侧的平坦化绝缘膜13与外围区域Q侧的平坦化绝缘膜13。因而，外围区域Q的平坦化绝缘膜13与在显示区域P侧的平坦化绝缘膜13隔离开。这能阻止外围区域Q中的水通过平坦化绝缘膜13进入显示区域P。
在外围区域Q中，在电路形成层12中形成了用于向有机EL元件21发送扫描信号与数据信号的驱动电路。此外，形成了外围像素区域b等。外围像素区域b具有与有机EL元件21相同的结构，即通过依次堆叠第一电极14a、有机层17与第二电极18获得的结构。尽管外围像素区域b具有与有机EL元件21相同的结构，实际上它并不发光。该外围像素区域b可形成于分离部91内的外围区域Q中。
在显示区域P外且分离部91内、被双点划线围绕的区域T(该区域将被适当地称作分离部91内的外围区域T)中，在电路形成层12上形成平坦化绝缘膜13。此外，在平坦化绝缘膜13上形成辅助配线14b。此外，在辅助配线14b上形成第二电极18。而且，在平坦化绝缘膜13未形成辅助配线14b的表面上形成开口限定绝缘膜16。第二电极18形成在开口限定绝缘膜16上。
也就是说，区域T包括辅助配线14b这一层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构，以及开口限定绝缘膜16这一层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构。此外，区域T包括辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构。因而，第二电极18并不与平坦化绝缘膜13直接接触。这能抑制第二电极因包含在平坦化绝缘膜13中的水以及从平坦化绝缘膜13的排气而产生的劣化。
在分离部91内的外围区域T中，如下地设置开口限定绝缘膜16的面积。具体地说，由以下的表达式1定义的开口限定绝缘膜16的覆盖率设置成在30％至100％的范围中的值。
(表达式1)
开口限定绝缘膜的覆盖率＝(分离部内的外围区域T中开口限定绝缘膜的面积/分离部内的外围区域T的面积)×100％
这是因为，若不将开口限定绝缘膜16设计成满足上述的条件，就不可能充分抑制因残留在平坦化绝缘膜13的水的进入和从平坦化绝缘膜13的排气而导致的显示区域P中的有机层17的有机材料的劣化与第二电极18的材料的变质。
<分离部>
下面详细说明分离部的构造。图13是图12所示的区域p的放大截面图。如图13所示，在分离部91中，与第二金属层25在同一层的接触垫52部分地具有未被平坦化绝缘膜13与钝化膜26覆盖的暴露面。辅助配线14b形成于整个暴露面上以及形成了分离部91的平坦化绝缘膜13的表面上。此外，在此辅助配线14b上形成了第二电极18。
通过该分离部91，显示区域P中的平坦化绝缘膜13与分离部91外的平坦化绝缘膜13相隔离。这能抑制残留在分离部91外的外围区域Q的平坦化绝缘膜13中的水进入显示区域P。
<显示装置的制造方法>
以下说明根据本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法。参考示出形成有机EL元件21的区域的形成过程的图14和图16，以及示出接触设置部50的形成过程的图15和图17来说明显示装置的制造方法。
首先，如图14A所示，通过重复采用CVD法与溅射法的膜沉积以及采用光刻法的图样形成在基板11上形成栅电极23、蚀刻塞24、半导体层38及第二金属层25。在接触设置部50中，如图15A所示，在栅绝缘膜22上形成与第二金属层25在同一层的接触垫51。
接下来，如图14B所示，通过CVD法形成覆盖TFT的钝化膜26。在接触设置部50中，如图15B所示，通过采用光刻法去除钝化膜26的一部分来形成使接触垫51的上表面的一部分暴露的开口。
然后，如图14C所示，通过旋涂法将用作平坦化绝缘膜13的光敏树脂涂覆在钝化膜26上。在接触设置部50中，如图15C所示，通过光刻法在平坦化绝缘膜13中形成开口以暴露接触垫51，之后进行烧成。同时，通过光刻法去除平坦化绝缘膜13的与分离部91相对应的部分，从而形成将平坦化绝缘膜13分隔成显示区域P侧的平坦化绝缘膜13与外围区域Q侧的平坦化绝缘膜13的分离部91(省略图示)。
然后，如图16A所示，通过溅射及通过光刻法与蚀刻法图样化为预定的形状而形成第一电极14a与辅助配线14b。在接触设置部50中，如图17A所示，图样化辅助配线14b以使其沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的一部分形成至接触垫51的上表面的一部分上。
接下来，如图16B所示，通过旋涂法将作为开口限定绝缘膜16的光敏树脂涂在第一电极14a和辅助配线14b上。之后，通过光刻法在与第一电极14a相匹配的位置处形成开口并进行烧成。在接触设置部50中，如图17B所示，通过光刻法，开口限定绝缘膜16沿着辅助配线14b而形成至接触垫51的上表面的一部分上。此外，开口限定绝缘膜16沿着平坦化绝缘膜13而形成至接触垫51的一部分上。
然后，如图16C所示，通过真空蒸发在通过开口限定绝缘膜16暴露的第一电极14a上形成有机层17。例如，通过依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层与电子传输层来形成有机层17(省略图示)。在此步骤中，对于发光层沉积与各发光颜色相对应的材料。此外，如图16C所示，通过真空蒸发在有机层17和开口限定绝缘膜16上均匀地形成第二电极18。在接触设置部50中，如图17C所示，第二电极18均匀地形成在开口限定绝缘膜16和接触垫51的上表面上。
尽管未在图中示出，随后通过真空蒸发在第二电极18上形成了保护层19。此外，通过在保护层19上旋涂紫外线固化树脂形成粘合层，且密封基板20通过中间介有粘合层而结合至保护层19。通过上述步骤，可获得显示装置。
<有益效果>
在根据本发明的第一实施方式的显示装置中，分离部91内的区域具有如下的结构。具体地说，该区域包括辅助配线14b这一层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构。此外，该区域包括第一电极14a和有机层17这两层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构。此外，该区域包括开口限定绝缘膜16这一层或第一电极14a(或辅助配线14b)和开口限定绝缘膜16这两层介于平坦化绝缘膜13和第二电极18之间的结构。由于这些结构，第二电极18不与平坦化绝缘膜13直接接触。这可以抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的第二电极的劣化。
在根据本发明的第一实施方式的显示装置中，分离部91内的区域具有如下的结构。具体地说，该区域包括第一电极14a这一层介于平坦化绝缘膜13和有机层17之间的结构。由于此结构，有机层17不与平坦化绝缘膜13直接接触。这可以抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水与从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17的劣化。此外，在显示区域P中，如果不考虑保护层19与密封基板20，平坦化绝缘膜13之上的层具有第一电极14a/有机层17/第二电极18的堆叠结构以及辅助配线14b/开口限定绝缘膜16/有机层17/第二电极18的堆叠结构。此外，平坦化绝缘膜13之上的层具有开口限定绝缘膜16/第二电极18的堆叠结构和开口限定绝缘膜16/有机层17/第二电极18的堆叠结构。
在根据本发明的第一实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层或开口限定绝缘膜16这一层覆盖。这可以抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17与第二电极18的劣化。
在根据本发明的第一实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层或开口限定绝缘膜16这一层介于平坦化绝缘膜13的开口的内壁面和第二电极18之间。因此，可抑制因平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的凹凸的影响而导致的第二电极18的断路。
2.第二实施方式
<显示装置>
以下说明根据本发明的第二实施方式的显示装置。除了接触设置部50的构造不同外，根据本发明的第二实施方式的显示装置与根据第一实施方式的显示装置相同。因此，在下文中，详细地说明接触设置部50的结构，而省略对其他构造的说明。
<接触设置部>
以下说明接触设置部50。图18是从上表面侧观察接触设置部50所获得的平面图。在图18中，被虚线围绕的区域81(内虚线与外虚线之间的区域)表示形成辅助配线14b的区域。被线82围绕的区域表示钝化膜26的去除部分。被线83围绕的区域表示平坦化绝缘膜13的去除部分。被线84围绕的区域表示开口限定绝缘膜16的去除部分。被粗线85围绕的区域表示接触垫51形成的区域。
图19是沿图18中V-V′线的截面图。如图19所示，栅绝缘膜22堆叠在基板11上，与第二金属层25在同一层的接触垫51形成在栅绝缘膜22的部分区域上。接触垫51例如用与第二金属层25相同的材料、以与第二金属层25相同的厚度来形成。接触垫51的形成区域与粗线85围绕的区域相对应。
在钝化膜26中，形成了使接触垫51的一部分暴露的开口。该开口的形成区域与图18中被线82围绕的区域相对应。
在平坦化绝缘膜13中，形成用于将形成在平坦化绝缘膜13上的辅助配线14b连接至接触垫51的开口。该开口的形成区域与图18中被线83围绕的区域相对应。辅助配线14b沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成至接触垫51的上表面上。
开口限定绝缘膜16沿着辅助配线14b形成至接触垫51的上表面上。因而，开口限定绝缘膜16形成用于将形成于开口限定绝缘膜16上的第二电极18连接至接触垫51的开口。该开口的形成区域与图18中被线84围绕的区域相对应。第二电极18均匀地形成在形成该开口的表面与接触垫51的上表面上。
通过此结构，在接触设置部50中，辅助配线14b电连接至接触垫51。第二电极18电连接至接触垫51。此外，辅助配线14b通过接触垫51电连接至第二电极18。
在此接触设置部50的结构中，沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成了通过依次堆叠辅助配线14b与开口限定绝缘膜16而获得的结构。也就是说，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b和开口限定绝缘膜这两层覆盖。这能抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的第二电极18与有机层17的劣化。
此外，在该接触设置部50的结构的情况下，即使平坦化绝缘膜13的开口的内壁面产生凹凸时，凹凸也不会产生影响且第二电极18的断路能得到抑制，这是因为辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层介于该内壁面和第二电极18之间。
<显示装置的制造方法>
以下说明上述显示装置的制造方法。除了接触设置部50的构造不同之外，第二实施方式的显示装置与第一实施方式的显示装置相同。因此，在下文中，主要说明形成接触设置部50的步骤，而省略其他步骤的说明。
首先，通过重复采用CVD法和溅射法的膜沉积以及采用光刻法的图样形成在基板11上形成栅电极23、蚀刻塞24、半导体层38和第二金属层25。在接触设置部50中，如图20A所示，在栅绝缘膜22上形成与第二金属层25在同一层的接触垫51。
然后，通过CVD法形成覆盖TFT 41的钝化膜26。在接触设置部50中，如图20B所示，通过采用光刻法去除钝化膜26的一部分来形成使接触垫51的上表面的一部分暴露的开口。
接下来，通过旋涂法将用作平坦化绝缘膜13的光敏树脂涂覆在钝化膜26上。在接触设置部50中，如图20C所示，通过光刻法在平坦化绝缘膜13中形成开口，使得接触垫51可被暴露，然后进行烧成。同时，通过光刻法去除平坦化绝缘膜13的与分离部91相对应的部分，以形成将平坦化绝缘膜13分隔成显示区域P侧的平坦化绝缘膜13和外围区域Q侧的平坦化绝缘膜13的分离部91(省略图示)。
然后，通过溅射以及采用光刻法和蚀刻法图样化为预定的形状形成第一电极14a与辅助配线14b。在接触设置部50中，如图21A所示，图样化辅助配线14b使其沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成至接触垫51的上表面的一部分上。
接下来，通过旋涂法将用作开口限定绝缘膜16的光敏树脂涂覆在第一电极14a与辅助配线14b上。随后，通过光刻法在与第一电极14a对应的位置形成开口，然后进行烧成。在接触设置部50中，如图21B所示，通过光刻法，开口限定绝缘膜16沿着辅助配线14b形成至接触垫51的上表面的一部分上。
然后，通过真空蒸发在通过开口限定绝缘膜16的开口暴露的第一电极14a上形成有机层17。例如，通过依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层与电子传输层来形成有机层17(省略图示)。在此步骤中，对发光层沉积与各发光颜色相对应的材料。此外，通过真空蒸发在有机层17和开口限定绝缘膜16上均匀地形成第二电极18。在接触设置部50中，如图21C所示，第二电极18均匀地形成在开口限定绝缘膜16和接触垫51的上表面上。
随后，通过真空蒸发在第二电极18上形成保护层19。此外，通过在保护层19上旋涂紫外线固化树脂来形成粘合层，且密封基板20通过介于其间的粘合层而结合至保护层19。通过上述步骤，可获得显示装置。
<有益效果>
在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层覆盖。这可以抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17与第二电极18的劣化。
在根据本发明的第二实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，辅助配线14b和开口限定绝缘膜16这两层介于平坦化绝缘膜13的开口的内壁面和第二电极18之间。因此，可抑制因平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的凹凸的影响而导致的第二电极18的断路。
另外一个有益效果是，与第一实施方式相同，根据本发明的第二实施方式的显示装置可抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17的有机材料的劣化与第二电极18的材料的变质。
3.第三实施方式
<显示装置的构造>
以下说明根据本发明的第三实施方式的显示装置。除了接触设置部50的构造不同外，根据本发明的第三实施方式的显示装置与第一实施方式的显示装置相同。因此，在下文中，详细地说明接触设置部50的构造，而省略对其他构造的说明。
<接触设置部>
以下说明接触设置部50。图22是从上表面侧观察接触设置部50所获得的平面图。在图22中，被虚线101围绕的区域(内虚线与外虚线之间的区域)表示形成辅助配线14b的区域。被线102围绕的区域表示钝化膜的去除部分。被线103围绕的区域表示平坦化绝缘膜13的去除部分。被线104围绕的区域表示开口限定绝缘膜16的去除部分。被粗线105围绕的区域表示接触垫51形成的区域。
图23是沿图22中IV-IV′线的截面图。如图23所示，栅绝缘膜22堆叠在基板11上，在栅绝缘膜22的部分区域上形成与第二金属层25在同一层的接触垫51。接触垫51用与第二金属层25相同的材料、以与第二金属层25相同的厚度来形成。接触垫51的形成区域与图22中被粗线105围绕的区域相对应。在钝化膜26中，形成了使接触垫51的一部分暴露的开口。该开口的形成区域与图22中被线102围绕的区域相对应。
在平坦化绝缘膜13中，形成用于将形成在平坦化绝缘膜13上的辅助配线14b连接至设置为下层的接触垫51的开口。在开口限定绝缘膜16中，形成了用于将设置在开口限定绝缘膜16上的第二电极18与设置为下层的接触垫51的开口。开口限定绝缘膜16的开口的尺寸(与图22中被线104围绕的区域相等)设置为比平坦化绝缘膜13的开口的尺寸(与图22中被线103围绕的区域相等)大。因而，平坦化绝缘膜13的平坦面局部具有未被开口限定绝缘膜16覆盖的暴露面。辅助配线14b沿着该暴露面的一部分和平坦化绝缘膜13的开口的内壁面而形成至接触垫51的上表面的一部分上。
通过开口限定绝缘膜16的开口的内壁面和辅助配线14b，形成了用于将设置在平坦化绝缘膜13上的第二电极18连接至接触垫51的开口。第二电极18均匀地形成在形成该开口的表面和接触垫51的上表面上。
由于该结构，在接触设置部50中，辅助配线14b电连接至接触垫51。辅助配线14b电连接至第二电极18。第二电极18电连接至接触垫51。此外，辅助配线14b通过接触垫51电连接至第二电极18。
在该接触设置部50的结构中，辅助配线14b形成于平坦化绝缘膜13的开口的内壁面和平坦化绝缘膜13的平坦面的暴露面上。也就是说，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面和平坦化绝缘膜13的平坦面的暴露面被辅助配线14b覆盖。这可以抑制因包含在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的第二电极18与有机层17的劣化。
此外，在该接触设置部50的情况下，即使平坦化绝缘膜13的开口的内壁面上产生凹凸时，凹凸也不会产生影响且第二电极18的断路能得到抑制，因为辅助配线14b介于内壁面与第二电极18之间。
<显示装置的制造方法>
以下说明上述显示装置的制造方法。除了接触设置部50的构造不同之外，第三实施方式的显示装置与第一实施方式的显示装置相同。因此，在下文中，主要说明形成接触设置部50的步骤，而省略其他步骤的说明。
首先，通过重复采用CVD法和溅射法的膜形成以及采用光刻法的图样形成在基板11上形成栅电极23、蚀刻塞24、半导体层38和第二金属层25。在接触设置部50中，如图24A所示，在栅绝缘膜22上形成与第二金属层25在同一层的接触垫51。
然后，通过CVD法形成覆盖TFT 41的钝化膜26。在接触设置部50中，如图24B所示，通过采用光刻法去除钝化膜26的一部分来形成使接触垫51的上表面的一部分暴露的开口。
接下来，通过旋涂法将用作平坦化绝缘膜13的光敏树脂涂覆在钝化膜26上。在接触设置部50中，如图24C所示，通过光刻法在平坦化绝缘膜13中形成开口，使得接触垫51可被暴露，然后进行烧成。同时，通过光刻法去除平坦化绝缘膜13的与分离部91对应的部分，以形成将平坦化绝缘膜13分隔成显示区域P侧的平坦化绝缘膜13和外围区域Q侧的平坦化绝缘膜13的分离部91(省略图示)。
然后，通过溅射以及采用光刻和蚀刻图样化为预定的形状来形成第一电极14a和辅助配线14b。在接触设置部50中，如图25A所示，图样化辅助配线14b使其沿着平坦化绝缘膜13的开口的内壁面形成至接触垫51的上表面的一部分上。
接下来，通过旋涂法将用作开口限定绝缘膜16的光敏树脂涂覆在第一电极14a与辅助配线14b上。随后，通过光刻法在与第一电极14a对应的位置形成开口，然后进行烧成。在接触设置部50中，如图25B所示，涂覆用作开口限定绝缘膜16的光敏树脂，随后通过光刻法形成开口尺寸比平坦化绝缘膜13的开口尺寸大的开口限定绝缘膜16。
然后，通过真空蒸发在通过开口限定绝缘膜16的开口暴露的第一电极14a上形成有机层17。例如，通过依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层与电子传输层来形成有机层17(省略图示)。在此步骤中，对发光层沉积与各发光颜色相对应的材料。此外，通过真空蒸发在有机层17和开口限定绝缘膜16上均匀地形成第二电极18。在接触设置部50中，如图25C所示，第二电极18均匀地形成在开口限定绝缘膜16、辅助配线14b与接触垫51的上表面上。
随后，通过真空蒸发在第二电极18上形成保护层19。此外，通过在保护层19上旋涂紫外线固化树脂来形成粘合层，且密封基板20通过介于其间的粘合层而结合至保护层19。通过上述步骤，可获得显示装置。
<有益效果>
在根据本发明的第三实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，平坦化绝缘膜13的开口的内壁面被辅助配线14b覆盖。这能抑制因残留在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17与第二电极18的劣化。
在根据本发明的第三实施方式的显示装置中，在接触设置部50中，辅助配线14b介于平坦化绝缘膜13的开口的内壁面和第二电极18之间。因此，可抑制因平坦化绝缘膜13的开口的内壁面的凹凸的影响而导致的第二电极18的断路。
另外一个有益效果是，与第一实施方式相同，根据本发明的第三实施方式的显示装置可抑制因残留在平坦化绝缘膜13中的水和从平坦化绝缘膜13的排气引起的有机层17的有机材料的劣化与第二电极18的材料的变质。
4.第四实施方式
以下说明根据本发明的第四实施方式的显示装置。除了分离部91的构造不同外，根据本发明的第四实施方式的显示装置与根据第一实施方式的显示装置相同。因此，在下文中，详细地说明分离部91的构造，而省略对其他构造的说明。
<分离部的构造>
以下说明分离部的构造91。图26是示出了分离部91的构造的放大截面图。在分离部91中，与第二金属层25在同一层的接触部52具有暴露面即未被平坦化绝缘膜13和钝化膜26覆盖的面。辅助配线14b形成于该接触部的暴露面的一部分以及形成了分离部91的平坦化绝缘膜的表面上。此外，在未形成辅助配线14b的接触部52的暴露面以及辅助配线14b上形成第二电极18。从而，第二电极18经由接触部52电连接至辅助配线14b，使得与第二电极18有良好的连接(优选为欧姆连接)。
<有益效果>
根据本发明的第四实施方式的显示装置具有与第一实施方式相同的有益效果。
[实施例]
通过下述的试验，对在分离部91内的外围区域T中的开口限定绝缘膜16的覆盖率进行研究。本发明的实施方式并不限于以下的试验例中制造的有机EL面板。
<试验例1>
最初，制造具有图1所示的结构的有机EL面板。首先，通过重复采用CVD法和溅射法的膜沉积以及采用光刻法的图样形成在玻璃基板上形成TFT 41。随后形成钝化膜26以覆盖TFT 41。
接下来，在钝化膜26上，通过旋涂法涂覆作为光敏树脂的聚酰亚胺来形成平坦化绝缘膜13。此外，通过光刻法去除平坦化绝缘膜13的与分离部91对应的一部分，并形成将平坦化绝缘膜13分隔成显示区域P侧的平坦化绝缘膜13和外围区域Q侧的平坦化绝缘膜13的分离部91。接下来通过溅射法在平坦化绝缘膜13上形成作为第一电极14a(阳极)和辅助配线14b的材料的AlNd膜，之后采用光刻法和蚀刻法将第一电极14a和辅助配线14b图样化为预定的形状。
然后，通过旋涂法将用作开口限定绝缘膜16的光敏树脂(聚酰亚胺)涂覆在第一电极14a和平坦化绝缘膜13上。之后，通过光刻法形成与第一电极14a的位置相对应的开口。此时，在位于分离部91内并且显示区域P外的外围区域T中，设置开口限定绝缘膜16使得开口限定绝缘膜16的覆盖面积与该外围区域T的面积之比(开口限定绝缘膜的覆盖率，由上述表达式1定义)为60％。
接下来，通过真空蒸发将由以下与各发光颜色R、G和B相对应的材料构成的有机层17依次地图样化形成在被该开口暴露的第一电极14a上。
[有机层17(R发光)]
空穴注入层4，4，4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，膜厚150nm空穴传输层双[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]联苯胺(α-NPD)，膜厚150nm
发光层8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)[掺杂40％体积的2，6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二腈(BSN-BCN)]，膜厚55nm
电子传输层8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)，膜厚150nm
[有机层17(G发光)]
空穴注入层4，4，4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，膜厚150nm
空穴传输层双[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]联苯胺(α-NPD)，膜厚150nm
发光层8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)[掺杂40％体积的香豆素6]，膜厚55nm
电子传输层8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)，膜厚150nm
[有机层17(B发光)]
空穴注入层4，4，4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，膜厚150nm
空穴传输层双[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]联苯胺(α-NPD)，膜厚150nm
发光层spiro 6Φ，膜厚150nm
电子传输层8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)，膜厚150nm
接下来，通过真空蒸发将由Mg和Ag构成的第二电极18(阴极)均匀地形成在有机层17和开口限定绝缘膜16上。之后，通过真空蒸发形成作为保护层19的SiO2膜来覆盖整个有机层17和第二电极。通过上述步骤，制造了有机EL面板。
<高温保存测试>
将制造的有机EL面板置于70℃的干燥气氛的恒温室1000小时。此后，驱动有机EL面板并测量亮度。此外，基于以下的标准判定失效的发生。
判定失效发生的标准：效率等于或低于初始效率的80％视为失效。
对有机EL面板的多个样本进行判定，计算{(发生失效的样本数)/(样本总数)}×100％作为失效发生率。
<试验例2>
除了开口限定绝缘膜的覆盖率设为40％外，以与试验例1相同的方式制造有机EL面板，且对三个样本进行同样的高温保存试验。
<试验例3>
除了开口限定绝缘膜的覆盖率设为30％外，以与试验例1相同的方式制造有机EL面板，且对三个样本进行同样的高温保存试验。
<试验例4>
除了开口限定绝缘膜的覆盖率设为25％外，以与试验例1相同的方式制造有机EL面板，且对4个样本进行同样的高温保存试验。
<试验例5>
除了开口限定绝缘膜的覆盖率设为20％外，以与试验例1相同的方式制造有机EL面板，且对三个样本进行同样的高温保存试验。
<试验例6>
除了开口限定绝缘膜的覆盖率设为10％外，以与试验例1相同的方式制造有机EL面板，且对两个样本进行同样的高温保存试验。
图27示出了通过总结试验例1到6的试验结果而得到的图。如图27所示，30％以上的开口限定绝缘膜的覆盖率产生0％的失效发生率。相反，开口限定绝缘膜的覆盖率低于30％导致失效的发生。随着覆盖率从30％减小，失效发生率迅速增加。
5.其他实施方式(修改例)
尽管以上具体地说明了本发明的实施方式，本发明并不限于以上的实施方式，可基于本发明的技术思想而进行各种修改。
例如，上述的实施方式中所用的数值、结构、形状、材料等仅仅是示例，根据需要可使用与它们不同的数值、结构、形状、材料等。
还可以根据需要通过将第一至第四实施方式组合来形成显示装置。例如，可形成包括具有第一实施方式的构造和第二实施方式的构造的接触设置部50的显示装置。
例如，在第一至第四实施方式中，有机层17通过空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层的堆叠结构来形成。然而，有机层17的构造不限于此。例如，可根据需要任意增加或减少形成有机层的层的种类数以及层数。
此外，例如，在第一至第四实施方式中，通过使用μc-Si膜36和n+-Si膜37来形成TFT 41。然而，TFT 41可以通过使用Poly-Si(多晶硅)膜来形成。
此外，例如，在第一至第四实施方式中，通过诸如真空蒸发等膜沉积方法来形成构成有机层17的各层。然而，形成这些层的方法不限于此。例如，构成有机层的各层也可通过印刷法和转印法等形成。
例如，在第一至第四实施方式中，为了抑制有机EL元件的劣化，通过在形成第二电极后形成保护膜并将诸如玻璃的密封基板结合至保护膜来密封有机EL元件。然而，密封有机EL元件的方法不限于此。例如，在结合密封基板的过程中，通过采用真空蒸发形成保护膜，并用氮气填充保护膜和玻璃等之间的空间来密封有机EL元件。
在第一至第四实施方式中，辅助配线14b和第二电极18设置在分离部91中。然而，分离部91的构造不限于此。具体地说，例如，第一电极14a和开口限定绝缘膜16可设置在分离部91中。此外，可基于另一构造将第二电极18设置在分离部91中，只要形成分离部91的平坦化绝缘膜13的表面不与第二电极18直接接触即可。也可将有机层17设置在分离部91中，只要形成分离部91的平坦化绝缘膜13的表面不与有机层17直接接触即可。然而，最好不要将有机层17设置在分离部91中。
例如，也可以采用其中有机EL元件21形成为发白光的有机EL元件、并在光提取侧形成滤色镜来从白光中提取R、G和B光的系统。

Claims (8)

1.一种显示装置，包括：
基板；
电路部，被配置为形成于所述基板上，并包括驱动元件；
平坦化绝缘层，被配置为形成于所述电路部上；
导电层，被配置为形成于所述平坦化绝缘层上，并且包括多个第一电极和辅助配线；
开口限定绝缘层，被配置为使所述多个第一电极相互绝缘且具有使所述第一电极的一部分暴露的开口；
多个发光元件，被配置为在所述多个第一电极的每一个的暴露部分由所述第一电极、包括发光层的有机层、以及对于所述多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成；以及
分离部，被配置为通过在设置了连接至所述驱动元件的所述多个发光元件的显示区域周围的位置处移除所述平坦化绝缘层而形成，其中，
在所述分离部内的整个区域中，所述导电层和所述开口限定绝缘层中的至少一个介于所述平坦化绝缘层和所述第二电极之间、以及所述平坦化绝缘层和所述有机层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
接触部，被配置为由与包括在所述驱动元件中的金属层相同的层形成且将所述辅助配线与所述第二电极电连接，其中，
在所述平坦化绝缘层中，在所述接触部上形成用于将在所述平坦化绝缘层上形成的所述辅助配线引导至下层的开口，以及
所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述辅助配线和所述开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述开口限定绝缘层覆盖。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述分离部内且在所述显示区域外的区域中，所述开口限定绝缘层形成为使得由以下表达式所定义的所述开口限定绝缘层的覆盖率是在30％至100％的范围中的值，
表达式：
开口限定绝缘层的覆盖率＝(开口限定绝缘层的覆盖面积/在分离部内且在显示区域外的区域的面积)×100％。
5.一种显示装置的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成包括驱动元件的电路部，
在所述电路部上形成平坦化绝缘层，
在形成了连接至所述驱动元件的多个发光元件的显示区域外的区域中，通过在所述显示区域周围的位置处移除所述平坦化绝缘层而形成分离部，
在所述平坦化绝缘层上形成包括多个第一电极和辅助配线的导电层，
形成使各所述第一电极相互绝缘且具有使所述第一电极的一部分暴露的开口的开口限定绝缘层，以及
通过在所述多个第一电极的每一个的暴露部分由所述第一电极、包括发光层的有机层、以及对于所述多个发光元件共有的第二电极依次堆叠而形成所述多个发光元件，其中，
在形成所述导电层、形成所述开口限定绝缘层、形成所述发光元件的过程中，所述导电层、所述开口限定绝缘层及所述多个发光元件形成为使得在所述分离部内的整个区域中，所述导电层和所述开口限定绝缘层中的至少一个介于所述平坦化绝缘层和所述第二电极之间、以及所述平坦化绝缘层和所述有机层之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
在形成所述电路部的过程中，通过使用与包括在所述驱动元件中的金属层相同的层来形成将所述辅助配线和所述第二电极电连接的接触部，
在形成所述平坦化绝缘层的过程中，在所述接触部上形成用于将形成于所述平坦化绝缘层之上的所述辅助配线引导至下层的开口，
在形成所述导电层和形成所述开口限定绝缘层的过程中，所述辅助配线和所述开口限定绝缘层形成为使得所述平坦化绝缘层的开口的内壁面被所述辅助配线和所述开口限定绝缘层中的至少一个覆盖。
7.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
在形成所述开口限定绝缘层的过程中，所述开口限定绝缘层形成为覆盖所述平坦化绝缘层的开口的内壁面。
8.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，
在形成所述开口限定绝缘层的过程中，在所述分离部内且在所述显示区域外的区域中，所述开口限定绝缘层形成为使得由以下表达式所定义的所述开口限定绝缘层的覆盖率是在30％至100％的范围中的值，
表达式：
开口限定绝缘层的覆盖率＝(开口限定绝缘层的覆盖面积/在分离部内且在显示区域外的区域的面积)×100％。
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