CN109599429B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板，包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，所述像素区包括发光元件，所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极，且多个第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层，所述导电层与所述辅助电极线电连接；所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。本发明还提供一种显示面板的制造方法。所述显示面板在显示时电压降较小，且亮度均匀。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示设备领域，具体地，涉及一种显示面板和该显示面板的制造方法。
背景技术
有机发光二极管显示面板包括像素界定层和多个有机发光二极管，每个有机发光二极管都包括第一电极(阴极和阳极中的一者)和第二电极(阴极和阳极中的另一者)。所述像素界定层包括多个像素开口，每个像素开口内都设置有机发光二极管，其中，有机发光二极管的第二电极位于相应的像素开口内，有机发光二极管的第一极形成为整面电极，一部分落入像素开口中，其余部分覆盖在像素界定层上。
为了保证第一电极具有较好的光透过率，通常将第一电极设置的非常薄。但是，第一电极越薄、则该第一电极的横向电阻越大，从而导致了在显示时第一电极带来的电压降(IR Drop)也相对较大，进而导致了显示时，显示面边缘和显示面中部的亮度不一致(通常为中间亮、边缘暗)。
因此，如何降低有机发光二极管显示面板显示时的电压降成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板和该显示面板的制造方法，所述显示面板在显示时电阻压降较低，且亮度均匀。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种显示面板，其中，所述显示面板包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，
所述像素区包括发光元件，所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极，且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；
所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层，所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上，所述导电层与所述辅助电极线电连接；
所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽；
所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
优选地，所述显示面板还包括电连接层，所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区，所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接，使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
优选地，对于同一个绝缘块而言，距离设置该绝缘块的辅助电极线越远，该绝缘块的横截面积逐渐增大。
优选地，所述发光元件还包括第二电极和有机发光功能层，所述有机发光功能层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，不同的发光元件的第二电极绝缘间隔；
所述第二结构区将该第二结构区周围的发光元件的有机发光功能层隔开，所述第二电极与所述导电层材料相同且同步形成。
优选地，所述像素区还包括像素界定层，所述像素界定层包括像素开口，所述发光元件的有机发光功能层的一部分设置在所述像素开口中。
优选地，所述像素区还包括驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光，且所述驱动电路位于所述第二电极背离所述像素界定层的一侧，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括间隔设置的多个驱动电极层，所述辅助电极线与多个所述驱动电极层中的一者同层设置且材料相同。
优选地，所述薄膜晶体管的多个驱动电极层包括源漏电极层和栅极层，所述辅助电极线与所述栅极层同层设置。
优选地，所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层、钝化层和平坦化层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层上，以利用所述层间绝缘层将所述栅极层与所述源漏电极层绝缘间隔，所述钝化层覆盖所述源漏电极层以及所述层间绝缘层上未设置所述源漏电极层的部分，所述平坦化层覆盖所述钝化层，所述第二电极设置在所述平坦化层上，所述绝缘块还包括与所述层间绝缘层同层设置且材料相同的层间绝缘部、与所述钝化层同层设置且材料相同的钝化部以及与所述平坦化层同层设置且材料相同的平坦化部。
优选地，所述层间绝缘层包括在远离所述栅极层的方向上依次层叠设置的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，所述第一层间绝缘层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘层的材料为硅的氮化物，所述层间绝缘部包括与所述第一层间绝缘层同层设置且材料相同的第一层间绝缘部、与所述第二层间绝缘层同层设置且材料相同的第二层间绝缘部以及与所述第三层间绝缘层同层设置且材料相同的第三层间绝缘部。
优选地，所述平坦化层由负性光刻胶制成。
优选地，多个所述像素区排列为多行多列，所述辅助电极线沿所述像素区的列方向延伸。
作为本发明的第二个方面，提供一种显示面板的制造方法，其中，所述制造方法包括：
提供衬底基板；
形成多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，其中，所述像素区包括覆盖该像素区的第一电极，且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层，所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上，所述导电层与所述辅助电极线电连接；所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽；
将所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
优选地，形成多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区的步骤包括：
形成包括栅极层的图形；
形成层间绝缘材料层；
对所述层间绝缘材料层进行构图工艺，刻蚀所述层间绝缘材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得层间绝缘层以及层间绝缘部；
形成包括源漏层的图形，其中，在栅极层的图形的步骤中或者形成包括源漏层的图形的步骤中形成所述辅助电极线；
形成钝化材料层；
对所述钝化材料层进行构图工艺，刻蚀所述钝化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得钝化层以及钝化部；
形成平坦化材料层；
对所述平坦化材料层进行构图工艺，去除所述平坦化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得平坦化层和平坦化部，以使得所述层间绝缘部、所述钝化部、所述平坦化部共同构成绝缘块；
形成包括导电层的图形，所述导电层包覆所述绝缘块，以获得所述支撑块；
形成包括多个绝缘间隔的第二电极的图形；
形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，多个所述像素开口与多个所述第二电极一一对应；
形成有机发光功能层；
形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，对于同一个像素开口，相应的所述第一电极、第二电极和有机发光功能层形成为发光元件，其中，
所述栅极层、所述源漏层位于所述像素区，并形成为驱动所述发光元件的驱动电路的薄膜晶体管的一部分。
优选地，形成第二电极层的步骤与形成包括导电层的步骤同步进行。
优选地，通过原子层沉积工艺执行所述形成包括第二电极的图形的步骤。
优选地，所述平坦化材料层的材料为负性感光材料。
优选地，形成层间绝缘材料层的步骤包括：
向设置有衬底基板的工艺腔内通入硅烷和一氧化二氮；
第一预定时间段后，向所述工艺腔内通入硅烷、一氧化二氮和氨气，并且随着工艺的进行逐渐增加向所述工艺腔内通入的氨气的含量，并逐渐减少向所述工艺腔内通入的一氧化二氮的含量，直至一氧化二氮通入量减少至零；
维持一氧化二氮通入量为零时的氨气通入量，并持续通入硅烷，第二预定时间段后获得包括第一层间绝缘材料层、第二层间绝缘材料层和第三层间绝缘材料层的层间绝缘材料层，所述第一层间绝缘材料层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘材料层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘材料层的材料为硅的氮化物。
优选地，将所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接的步骤包括：
形成电连接层，所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区，所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接，使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
优选地，采用原子层沉积工艺形成所述电连接层。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所提供的有机发光二极管显示面板的一部分的剖视图；
图2是本发明所提供的有机发光二极管显示面板的俯视图示意图；
图3是本发明所提供的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程图。
附图标记说明
100：像素区 110：发光元件
111：第一电极 112：第二电极
113：有机发光功能层 120：像素界定层
130：薄膜晶体管 131：层间绝缘层
132：钝化层 133：平坦化层
200：第一结构区 300：第二结构区
310：辅助电极线 320：导电支撑块
321：绝缘块 321a：层间绝缘部
321b：钝化部 321c：平坦化部
400：电连接层 500：衬底基板
322：导电层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的一个方面，提供一种显示面板，其中，如图1所示，所述显示面板包括多个像素区100、多个第一结构区200和多个第二结构区300，该第二结构区300设置在相邻像素区100之间的间隔处，第一结构区200环绕第二结构区300设置，以将像素区100与第二结构区300间隔。需要指出的是，既可以在任意相邻两个像素区100之间都设置第二结构区300，也可以选择性地在某些像素区100之间设置第二结构区300。
像素区100包括发光元件110，该发光元件110包括覆盖该像素区100的第一电极111，且多个像素区100的第一电极111电连接并形成为具有一体结构的第一电极层。
第二结构区300包括辅助电极线310和导电支撑块320，该导电支撑块320包括绝缘块321和包覆该绝缘块321的导电层322，绝缘块321形成在辅助电极线310的表面上，导电层322与辅助电极线310电连接。
如图1所示，第一结构区200形成为像素区100与第二结构区300之间的沟槽，并且，所述第一电极层通过导电层322与辅助电极线310电连接。
对于显示面板而言，第一电极层通常由透明电极材料(例如，ITO材料)制成，而辅助电极线310通常由金属材料制成，金属材料的电阻率低于透明电极材料的电阻率。所述第一电极层通过导电层322与辅助电极线310电连接后形成并联结构，该并联结构的电阻小于所述第一电极层的电阻。因此，当向所述显示面板加电驱动发光元件发光时，第一电极层与辅助电极线310形成的并联结构传递电信号，与只通过第一电极层传递电信号的现有技术相比，很明显，本发明所提供的显示面板在进行显示时的电压将(IR Drop)更小，从而可以提高显示面板在进行显示时的均匀性。
在本发明中，对发光元件的具体结构不做特殊的限定。例如，发光元件可以是有机发光二极管(OLED)，也可以是量子点发光二极管(QLED)。
在所述发光元件发光时，辅助电极线310位于所述发光元件的背光侧，因此，辅助电极线310不会影响所述发光元件的正常发光。由于辅助电极线310与所述第一电极层之间存在一段距离，通过导电层322将辅助电极线310与所第一电极层电连接，可以确保二者之间形成稳定的电连接。
并且，导电层322包覆在绝缘块321内部，可以降低形成导电支撑块320的难度。在本发明中，通过形成为沟槽的第一结构区200将第二结构区300和像素区100隔开，可以避免第二结构区300对像素区100内的结构造成影响。
在本发明中，对如何将所述第一电极层与辅助电极线310电连接不做特殊的限定，例如，可以通过在第一结构区100内设置电连接件的方式将所述第一电极层与辅助电极线310电连接。作为一种优选实施方式，如图1所示，所述显示面板还包括电连接层400，该电连接层400延伸经过像素区100、第一结构区200和第二结构区300。电连接层400将所述第一电极层与导电层322电连接，使所述第一电极层与辅助电极线310电连接。
电连接层400覆盖所述第一电极层，并且贴附在导电层322的侧面、以及辅助电极线310的侧面，形成多处电连接，从而可以确保第一电极层与辅助电极线310形成并联结构。
为了降低并联结构的电阻，优选地，可以利用金属材料(例如，金属铜)形成电连接层400。为了确保发光元件的出光率，优选地，电连接层400的厚度不超过10nm。为了确保电连接层400与导电层322相贴附，优选地，可以利用原子层沉积工艺形成电连接层400。
在本发明中，对绝缘块321的具体形状以及具体结构不做特殊的限定，如图1中所示，对于同一个绝缘块321而言，距离设置该绝缘块321的辅助电极线310越远，该绝缘块321的横截面积逐渐增大。
金属材料的延展性能优于绝缘材料(包括无机材料、有机材料)，在形成了导电层322后，不可避免地会形成显示面板的绝缘结构(例如，发光材料层等)，绝缘块321具有“距离设置该绝缘块321的辅助电极线310越远，该绝缘块321的横截面积逐渐增大”的结构，可以避免在形成了导电层322后、形成电连接层400之间形成的绝缘材料贴附在导电层322的侧表面上，从而可以确保电连接层400与导电层322之间能够形成稳定的电连接。
如上文中所述，在本发明中对发光元件的具体结构不做特殊的的限定，既可以是有机发光二极管，也可以是量子点发光二极管，还可以是其他的发光元件。作为一种优选实施方式，所述发光元件为有机发光二极管。相应地，所述发光元件还包括第二电极112和有机发光功能层113，该有机发光功能层113设置在第一电极111与第二电极112之间，不同的发光元件的第二电极112绝缘间隔。
相应地，第二结构区300将该第二结构区300周围的发光元件的有机发光功能层113隔开，从而可以避免第二结构区300周围的发光元件在发光时发生串扰、偷亮灯现象。
为了简化制造工艺，优选地，第二电极112与导电层322材料相同且同步形成。
通常，第二电极112由一种或多种金属材料制成，具有较低的电阻率。相应地，导电层322也具有较低的电阻率，从而可以降低包括第一电极层的并联结构的电阻。
为了使得导电层322贴附在绝缘块321的表面，优选地，可以采用原子层沉积工艺形成导电层322和第二电极112。
为了便于设置发光元件，优选地，像素区100还可以包括像素界定层120，该像素界定层120包括像素开口，所述发光元件的有机发光共能层的一部分设置在所述像素开口内。在形成所述显示面板时，先形成第二电极112，再形成像素界定层120，最后形成所述第一电极层。第一电极层的一部分落入所述像素开口内。
第二电极112的一部分暴露在相应的像素开口内，使得有机发光功能层113上落入所述像素开口内的部分与第二电极112相贴合，第一电极层与有机发光功能层113相贴合。
为了驱动发光元件发光，像素区100还包括驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光。在本发明所公开的实施方式中，先形成驱动电路、后形成发光元件的第二电极112。相应地，所述驱动电路位于第二电极112背离所述像素界定层的一侧，且驱动电路包括多个薄膜晶体管130，该薄膜晶体管130包括间隔设置的多个驱动电极层，辅助电极线310与多个所述驱动电极层中的一者同层设置且材料相同。
由于辅助电极线310与驱动电路中的一个驱动电极层同层设置，从而可以简化制造显示面板的制造工艺，降低成本。
如图1中所示，薄膜晶体管130的多个驱动电极层包括源漏电极层和栅极层，作为一种优选实施方式，辅助电极线310与所述栅极层同层设置。需要指出的是，栅极层包括栅极，源漏电极层包括源极和漏极。
在图1中所示的实施方式中，薄膜晶体管130为顶栅型薄膜晶体管，相应地，薄膜晶体管130还包括层间绝缘层131、钝化层132和平坦化层133。相应地，层间绝缘层131覆盖所述栅极层，所述源漏电极层设置在层间绝缘层131上，以利用层间绝缘层131将所述栅极层与所述源漏电极层绝缘间隔，钝化层132覆盖所述源漏电极层以及层间绝缘层131上未设置所述源漏电极层的部分，平坦化层133覆盖钝化层132。如图1中所示，第二电极112设置在平坦化层133上，并且，第二电极112通过个贯穿平坦化层133和层间绝缘层131的过孔与所述漏极电连接。
为了简化制造工艺，优选地，绝缘块321还包括与层间绝缘层131同层设置且材料相同的层间绝缘部321a、与钝化层132同层设置且材料相同的钝化部321b以及与平坦化层133同层设置且材料相同的平坦化部321c。
下文中将详细介绍如何具体形成绝缘块，这里先不赘述。
如上文中所述，越远离辅助电极线，绝缘块321的横截面积越大，可以通过控制刻蚀工艺的方式形成具有该结构的绝缘块321。为了便于成型，优选地，层间绝缘层131的密度从底至顶组件增加。这样，可以不改变刻蚀工艺，即可获得底面积小、顶面积大的绝缘块321。
具体地，层间绝缘层131包括在远离所述栅极层的方向上依次层叠设置的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，所述第一层间绝缘层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘层的材料为硅的氮化物。相应地，层间绝缘部321a包括与所述第一层间绝缘层同层设置且材料相同的第一层间绝缘部、与所述第二层间绝缘层同层设置且材料相同的第二层间绝缘部以及与所述第三层间绝缘层同层设置且材料相同的第三层间绝缘部。
为了便于形成底面积小、顶面积大的平坦化部321c，优选地，平坦化层133由负性光刻胶制成，平坦化部321c也有负性光刻胶制成。在涂敷形成了一整层由负性光刻胶制成的平坦化材料层后，对平坦化材料层进行曝光工艺。平坦化材料层上越深的部分感光度越低，因此，利用普通掩膜板对平坦化材料层进行曝光，显影后即可获得底面积小、顶面积大的平坦化部321c。
容易理解的是，如图2所示，多个像素区100排列为多行多列。为了便于设置辅助电极线，优选地，辅助电极线310沿所述像素区的列方向延伸。在图2中所示的实施方式中，辅助电极线310位于相邻两列像素区之间。
需要指出的是，像素区100、第一结构区200和第二结构区300均位于衬底基板500上。第一结构区200的底部可能形成有形成诸如第一电极层、第二电极、有机发光功能层等各层时的残余材料。
在所述发光元件为有机发光二极管的实施方式中，第一电极可以为阴极，第二电极可以为阳极。
作为本发明的第二个方面，提供上述显示面板的制造方法，其中，如图3所示，所述制造方法包括：
在步骤S310中，提供衬底基板；
在步骤S320中，形成多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，其中，所述像素区包括覆盖该像素区的第一电极，且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和包覆所述绝缘块的导电层，所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上，所述导电层与所述辅助电极线电连接；所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽；
在步骤S330中，将所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
利用本发明所提供的制造方法可以中的本发明所提供的上述显示面板，上文中已经对所述显示面板的制造方法进行了详细的描述，这里先不赘述。
作为本发明的一种优选和实施方式，步骤S320可以包括：
形成包括栅极层的图形；
形成层间绝缘材料层；
对所述层间绝缘材料层进行构图工艺，刻蚀所述层间绝缘材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得层间绝缘层以及层间绝缘部；
形成包括源漏层的图形，其中，在栅极层的图形的步骤中或者形成包括源漏层的图形的步骤中形成所述辅助电极线；
形成钝化材料层；
对所述钝化材料层进行构图工艺，刻蚀所述钝化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得钝化层以及钝化部；
形成平坦化材料层；
对所述平坦化材料层进行构图工艺，去除所述平坦化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得平坦化层和平坦化部，以使得所述层间绝缘部、所述钝化部、所述平坦化部共同构成绝缘块；
形成包括导电层的图形，所述导电层包覆所述绝缘块，以获得所述支撑块；
形成包括多个绝缘间隔的第二电极的图形；
形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，多个所述像素开口与多个所述第二电极一一对应，并且，所述第二电极的一部分暴露在相应的像素开口中；
形成有机发光功能层，所述有机发光功能层的一部分落入所述像素开口中；
形成第一电极层，所述第一电极层的一部分落入所述像素开口内，所述第一电极层位于所述像素开口内的部分形成为所述第一电极，对于同一个像素开口，相应的第一电极的一部分、第二电极和有机发光功能层的一部分形成为发光元件。
其中，所述栅极层、所述源漏层位于所述像素区，并形成为驱动所述发光元件的驱动电路的薄膜晶体管的一部分。
按照上述方法可以获得图1中所示的显示面板。并且，可以在同一步构图工艺中形成钝化层和钝化部、在同一步构图工艺中形成层间绝缘层和层间绝缘部、并且在同一步构图工艺中形成平坦化层和平坦化部，使得所述制造方法更加简单，降低了制造所述显示面板的成本。
为了进一步简化所述制造方法，优选地，形成第二电极层的步骤与形成包括导电层的步骤同步进行。
作为一种优选实施方式，可以通过原子层沉积工艺执行所述形成包括第二电极的图形的步骤，从而确保导电层可以布满绝缘块的外表面并与辅助电极线电连接。
在本发明中，对执行原子层沉积工艺的原料不做特殊的限定，例如，所述第二电极可以由金属铜制成，相应地，通过原子层沉积工艺执行所述形成包括第二电极的图形的步骤包括交替进行的以下步骤：
向工艺腔内通入铜的有机络合物气体，并沉积在基板的表面；
向工艺腔内通入还原性气体，以使得还原性气体与基板的表面的铜的有机络合物反应，生成气体以及铜原子层。
为了便于形成底部面积小、顶部面积大的平坦化部，优选地，所述平坦化材料层的材料为负性感光材料。
为了在不改变刻蚀工艺的情况下获得底面积小、顶面积大的绝缘块，优选地，层间材料层底部的密度小于该层间绝缘层顶部的密度。相应地，形成层间绝缘材料层的步骤包括：
向设置有衬底基板的工艺腔内通入硅烷和一氧化二氮；
第一预定时间段后，向所述工艺腔内通入硅烷、一氧化二氮和氨气，并且随着工艺的进行逐渐增加向所述工艺腔内通入的氨气的含量，并逐渐减少向所述工艺腔内通入的一氧化二氮的含量，直至一氧化二氮通入量减少至零；
维持一氧化二氮通入量为零时的氨气通入量，并持续通入硅烷，第二预定时间段后获得包括第一层间绝缘材料层、第二层间绝缘材料层和第三层间绝缘材料层的层间绝缘材料层，所述第一层间绝缘材料层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘材料层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘材料层的材料为硅的氮化物。
在本发明所提供的显示面板的一种实施方式中，通过电连接层将所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。相应地，步骤S330可以包括：
形成电连接层，所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区，所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接，使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
为了便于电连接层贴附在导电层的表面，优选地，采用原子层沉积工艺形成所述电连接层。
在本发明中，可以利用铜制成厚度不超过10nm的电连接层。具体地，通过原子层沉积工艺执行所述形成电连接层的步骤包括交替进行的以下步骤：
向工艺腔内通入铜的有机络合物气体，并沉积在基板的表面；
向工艺腔内通入还原性气体，以使得还原性气体与基板的表面的铜的有机络合物反应，生成气体以及铜原子层。
下面简要介绍制成图1中所示的显示面板的制造方法：
提供衬底基板；
在衬底基板上形成包括有源层的图形，具体地，可以利用物理气相沉积工艺在衬底基板上沉积一层IGZO膜层，通过光刻和刻蚀形成包括有源层的图形；
形成栅绝缘层，具体地，可以在形成有包括有源层的图形的衬底基板上利用化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积工艺沉积栅绝缘层，栅绝缘层的材料为SiNx、SiO2或这两种材料的叠层；
通过光刻及刻蚀工艺形成栅极接触孔；
形成包括栅极的图形，在栅绝缘层层之上通过物理气相沉积成膜技术及光罩刻蚀工艺形成包括栅极的图形以及辅助电极层，其中，栅极材料可以是Al、Mo、Cu、Ti中的一种或几种；
形成层间绝缘层，具体地，采用化学气相沉积工艺在形成有栅极的衬底基板上沉积层间绝缘层。通过控制沉积过程气流比例、反应气压等工艺条件，让薄膜成分梯度变化。最底层成分为SiO2，随着膜厚的增加，N含量逐渐增加，O含量逐渐降低，最顶层成分为SiNx，中间层为SiON。从而形成从下往上，膜层致密性逐渐增加，刻蚀速率逐渐降低的膜层结构；
通过光刻及刻蚀工艺，形成源极过孔和漏极过孔接触孔，以及绝缘块的钝化部；
形成包括源漏电极的图形，具体地，通过物理气相沉积工艺制作源漏金属膜层，并经过光刻及刻蚀工艺进行图案化，形成包括源漏电极的图形。源漏金属层材料可以是Al、Mo、Cu、Ti中的一种或几种；
在形成有包括源漏极的图形的衬底基板上形成钝化层，具体地，采用化学气相沉积工艺制作钝化层，所用材质为氮化硅；通过控制薄膜沉积过程中的气体流量比，调控薄膜组成，即随着膜厚的增加，Si含量逐渐增加，薄膜致密性逐渐增加；
通过光刻及刻蚀工艺，形成像素电极接触孔，同步形成绝缘块的钝化部；
形成平坦化层，具体地，在钝化层上，采用旋涂、转印或喷墨打印工艺中的一种，制作一层平坦化层，为像素电极的沉积提供平坦表面，采用负性光致抗蚀聚合物(负性光刻胶)制作平坦化层，利用负性光刻胶随着膜厚增加，吸收光照的量逐渐减少的特点，通过光刻及显影工艺，制作出绝缘块的平坦化部；
形成包括第二电极的图形，具体地，采用原子层沉积工艺在平坦化层表面沉积像素电极层，可以选用Ag、Al、ITO中的一种或几种作为像素电极材料，膜层结构可以是单层或叠层结构。通过光刻和刻蚀，制作出图案化的像素电极，同步制作出包覆绝缘块的导电层，且导电层与辅助电极线电性接触；
形成像素界定层，具体地，在形成有第二电极的衬底基板上，采用旋涂、转印或喷墨打印工艺中的一种，制作像素界定材料层，通过光刻及刻蚀工艺，对像素定义层进行图案化，形成多个像素开口以及所述辅助凹槽中贯穿所述像素界定层的部分；
形成发光功能层，具体地，通过蒸镀工艺在制作完成的阵列基板上依次蒸镀有机电致发光层，有机材料的台阶覆盖性很差，在倒梯形隔离墙的拐角和侧壁会断开，从而能暴露出辅助电极的侧壁；
形成第一电极层，具体地，通过蒸镀工艺形成由ITO材料制成的第一电极层；
通过原子层沉积工艺形成电连接层；
封装，具体地，采用彩膜玻璃或聚合物阻隔膜，对制作完成的OLED显示显示面板进行封装。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (19)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，
所述像素区包括发光元件，所述发光元件包括覆盖该像素区的第一电极和第二电极，且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；
所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和直接包覆所述绝缘块的导电层，所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上，所述导电层与所述辅助电极线直接接触形成电连接，所述导电层与所述第二电极材料相同且同步形成，在所述导电层远离衬底基板的一侧设置有机发光功能层，且在所述有机发光功能层远离所述衬底基板的一侧设置导电结构；
所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽；
所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括电连接层，所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区，所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接，使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，对于同一个绝缘块而言，距离设置该绝缘块的辅助电极线越远，该绝缘块的横截面积逐渐增大。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件还包括有机发光功能层，所述有机发光功能层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，不同的发光元件的第二电极绝缘间隔；
所述第二结构区将该第二结构区周围的发光元件的有机发光功能层隔开。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素区还包括像素界定层，所述像素界定层包括像素开口，所述发光元件的有机发光功能层的一部分设置在所述像素开口中。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述像素区还包括驱动电路，所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光，且所述驱动电路位于所述第二电极背离所述像素界定层的一侧，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括间隔设置的多个驱动电极层，所述辅助电极线与多个所述驱动电极层中的一者同层设置且材料相同。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的多个驱动电极层包括源漏电极层和栅极层，所述辅助电极线与所述栅极层同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括层间绝缘层、钝化层和平坦化层，所述层间绝缘层覆盖所述栅极层，所述源漏电极层设置在所述层间绝缘层上，以利用所述层间绝缘层将所述栅极层与所述源漏电极层绝缘间隔，所述钝化层覆盖所述源漏电极层以及所述层间绝缘层上未设置所述源漏电极层的部分，所述平坦化层覆盖所述钝化层，所述第二电极设置在所述平坦化层上，所述绝缘块还包括与所述层间绝缘层同层设置且材料相同的层间绝缘部、与所述钝化层同层设置且材料相同的钝化部以及与所述平坦化层同层设置且材料相同的平坦化部。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层包括在远离所述栅极层的方向上依次层叠设置的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，所述第一层间绝缘层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘层的材料为硅的氮化物，所述层间绝缘部包括与所述第一层间绝缘层同层设置且材料相同的第一层间绝缘部、与所述第二层间绝缘层同层设置且材料相同的第二层间绝缘部以及与所述第三层间绝缘层同层设置且材料相同的第三层间绝缘部。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层由负性光刻胶制成。
11.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素区排列为多行多列，所述辅助电极线沿所述像素区的列方向延伸。
12.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供衬底基板；
形成多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区，所述第二结构区设置在相邻像素区之间的间隔处，所述第一结构区环绕所述第二结构区设置，以将所述像素区与所述第二结构区间隔，其中，所述像素区包括覆盖该像素区的第一电极和第二电极，且多个所述像素区的第一电极电连接并形成为具有一体结构的第一电极层；所述第二结构区包括辅助电极线和导电支撑块，所述导电支撑块包括绝缘块和直接包覆所述绝缘块的导电层，所述绝缘块形成在所述辅助电极线的表面上，所述导电层与所述辅助电极线直接接触形成电连接，所述导电层与所述第二电极材料相同且同步形成，在所述导电层远离衬底基板的一侧设置有机发光功能层，且在所述有机发光功能层远离所述衬底基板的一侧设置导电结构；所述第一结构区形成为所述像素区与所述第二结构区之间的沟槽；
将所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成多个像素区、多个第一结构区和多个第二结构区的步骤包括：
形成包括栅极层的图形；
形成层间绝缘材料层；
对所述层间绝缘材料层进行构图工艺，刻蚀所述层间绝缘材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得层间绝缘层以及层间绝缘部；
形成包括源漏层的图形，其中，在栅极层的图形的步骤中或者形成包括源漏层的图形的步骤中形成所述辅助电极线；
形成钝化材料层；
对所述钝化材料层进行构图工艺，刻蚀所述钝化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得钝化层以及钝化部；
形成平坦化材料层；
对所述平坦化材料层进行构图工艺，去除所述平坦化材料层上与所述第一结构区对应的部分的材料，以获得平坦化层和平坦化部，以使得所述层间绝缘部、所述钝化部、所述平坦化部共同构成绝缘块；
形成包括导电层的图形，所述导电层包覆所述绝缘块，以获得所述支撑块；
形成包括多个绝缘间隔的第二电极的图形；
形成像素界定层，所述像素界定层包括多个像素开口，多个所述像素开口与多个所述第二电极一一对应；
形成有机发光功能层；
形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，对于同一个像素开口，相应的所述第一电极、第二电极和有机发光功能层形成为发光元件，其中，
所述栅极层、所述源漏层位于所述像素区，并形成为驱动所述发光元件的驱动电路的薄膜晶体管的一部分。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，形成第二电极层的步骤与形成包括导电层的步骤同步进行。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺执行所述形成包括第二电极的图形的步骤。
16.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述平坦化材料层的材料为负性感光材料。
17.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，形成层间绝缘材料层的步骤包括：
向设置有衬底基板的工艺腔内通入硅烷和一氧化二氮；
第一预定时间段后，向所述工艺腔内通入硅烷、一氧化二氮和氨气，并且随着工艺的进行逐渐增加向所述工艺腔内通入的氨气的含量，并逐渐减少向所述工艺腔内通入的一氧化二氮的含量，直至一氧化二氮通入量减少至零；
维持一氧化二氮通入量为零时的氨气通入量，并持续通入硅烷，第二预定时间段后获得包括第一层间绝缘材料层、第二层间绝缘材料层和第三层间绝缘材料层的层间绝缘材料层，所述第一层间绝缘材料层的材料为硅的氧化物，所述第二层间绝缘材料层的材料为硅的氮氧化物，所述第三层间绝缘材料层的材料为硅的氮化物。
18.根据权利要求12至17中任意一项所述的制造方法，其特征在于，将所述第一电极层通过所述导电层与所述辅助电极线电连接的步骤包括：
形成电连接层，所述电连接层延伸经过所述像素区、所述第一结构区和所述第二结构区，所述电连接层将所述第一电极层与所述导电层电连接，使所述第一电极层与所述辅助电极线电连接。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述电连接层。
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