CN102487071B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在有机发光显示装置及其制造方法中，有机发光显示装置的焊盘区包括突起层、焊盘下电极和焊盘上电极，所述突起层包括形成在基板上以突起的多个突起部分，所述焊盘下电极包括沿突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。源/漏电极层形成在焊盘上电极上，有机层形成在所述源/漏电极层上，并且对电极层形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上。所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。根据这种结构，成本由于掩膜数目的减少而降低，制造工艺得以简化，并且所述焊盘区中的有机层的剥离现象得以解决。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
优先权要求
本申请引用早先于2010年12月2日递交韩国知识产权局并因而被适时分配序列号No.10-2010-0122091的申请，将其合并于此，并要求其优先权和所有权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，更具体地涉及一种能够在有机发光显示装置的制造期间减少掩膜使用的数目并且能够纠正在焊盘区中涂覆有机层过程中的缺陷的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置被制造在基板上，基板上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的布线的图案。
一般而言，包括TFT等的精细结构图案通过使用印刷有精细结构图案的掩膜转移到阵列基板，从而能够图案化在其上制造有机发光显示装置的基板。
使用掩膜的图案转移一般利用光刻方法而执行。根据光刻方法，光刻胶均匀地施加于待形成图案的基板上。光刻胶通过使用诸如步进机之类的光刻设备而曝光，并且感光光刻胶被显影(在正性光刻胶的情况下)。此外，在光刻胶显影之后，剩余的光刻胶用作刻蚀图案的掩膜，然后去除剩余的光刻胶。
如上所述，在通过使用掩膜转移图案的过程中，必须制备具有所需图案的掩膜，因此随着更多的操作利用掩膜来执行，制造掩膜的成本会增加。因此，为了解决这个问题，需要能够减少掩膜使用的数目的结构。
作为减少掩膜使用的数目的方法，已经考虑了用于形成充当像素限定层的、具有3μm或更大的大厚度的有机层的方案，以避免对形成独立的间隔层(spacer)的需要。然而，在这个方案中，厚的有机层上的应力增加，使得特别是在作为有机层的端部的焊盘区中，不能准确地执行涂覆，结果导致了剥离现象(liftingphenomenon)。因此，需要能够减少掩膜使用的数目并避免由于有机层涂覆缺陷而导致的问题的方案。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法，从而可以减少使用掩膜进行图案化的工艺数目，并且可以解决焊盘区中的有机层涂覆缺陷问题。
根据本发明的一个方面，一种有机发光显示装置包括：包括有机发光元件、薄膜晶体管(TFT)和电容器的发光区；和包括与所述发光区的布线连接的焊盘区的非发光区。所述焊盘区包括：包括形成在基板上以突起的多个突起部分的突起层；包括焊盘下电极和焊盘上电极的焊盘电极，所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上；形成在所述焊盘上电极上的源/漏电极层；形成在所述源/漏电极层上的有机层；和形成在所述焊盘下电极的突起部分和所述有机层上的对电极层，所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。
缓冲层可以形成在所述基板和所述突起层之间。
栅绝缘层可以形成在所述突起层和所述焊盘下电极之间，并且层间绝缘层可以形成在所述焊盘上电极和所述源/漏电极层之间。
所述有机层可以形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
所述有机层可以形成以暴露所述源/漏电极层和焊盘上电极的部分，并且所述对电极层可以形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露的部分。
所述TFT可以包括：形成在与所述突起层相同的层上的有源层、形成在与所述焊盘电极相同的层上的栅电极，和由与所述源/漏电极层相同的层形成的源/漏电极。
所述有机发光元件可以包括：形成在与所述焊盘电极相同的层上的像素电极、由与所述对电极层相同的层形成的对电极，和介于所述像素电极和所述对电极之间的发光层。
所述电容器可以包括：形成在与所述突起层相同的层上的电容器下电极、形成在与所述焊盘电极相同的层上的电容器上电极，和介于所述电容器下电极和所述电容器上电极之间的栅绝缘层。
根据本发明的另一方面，一种制造有机发光显示装置的方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的有源层、电容器的电容器下电极和焊盘区的突起层；在所述有源层上形成所述TFT的栅电极，在所述基板上形成有机发光元件的像素电极，在所述电容器下电极上形成所述电容器的电容器上电极，并且在所述突起层上形成所述焊盘区的焊盘电极；形成包括用于分别暴露所述有源层、所述像素电极和所述电容器上电极的部分的开口的层间绝缘层，所述层间绝缘层也形成在所述焊盘区的所述焊盘电极上；形成接触所述有源层和所述像素电极的被暴露部分的源/漏电极，并且在所述焊盘电极和所述层间绝缘层上布置源/漏电极层；形成暴露部分所述像素电极的部分并覆盖所述TFT的源/漏电极、所述电容器的电容器上电极和所述焊盘区的源/漏电极层的有机层；形成接触所述像素电极的被暴露部分的发光层；并且在所述有机层上形成对电极以面对所述像素电极，其中所述发光层介于所述对电极和所述像素电极之间，并且沿所述焊盘区中的所述突起层的突起轮廓形成对电极层。
所述方法可以进一步包括在所述基板上形成缓冲层。
所述方法可以进一步包括在所述有源层、所述电容器下电极和所述突起层上形成栅绝缘层。
所述焊盘电极可以包括焊盘下电极和焊盘上电极，所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。
所述有机层可以形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
所述有机层可以形成以暴露所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的部分，并且所述对电极层可以形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露部分。
附图说明
由于通过参考以下结合附图考虑时的详细描述，本发明变得更好理解，因此本发明的更完整理解以及伴随本发明的诸多优点会变得更容易明显，在附图中相同的附图标记指代相同或相似的部件，附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
图2是示意性示出图1所示的有机发光器件的一部分的截面图；
图3A至图3J是示意性示出根据本发明示例性实施例的制造图2所示的有机发光显示装置的方法的截面图；以及
图4是示出图2所示的有机发光显示装置的改进的平面图。
具体实施方式
下文中将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。当对已知的功能和结构的详细描述会不必要地使本发明的主题模糊时，其将会被省略。
为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”，或者也可以存在中间元件。
图1是示意性示出根据本发明示例性实施例的有机发光显示装置的结构的平面图；并且
图2是示意性示出图1所示的有机发光器件的一部分的截面图。
有机发光显示装置1包括：包括薄膜晶体管(TFT)和有机发光元件EL的第一基板10和通过密封被粘结至第一基板10的第二基板12。
TFT、有机发光元件EL和电容器Cst等可以形成在第一基板10上。第一基板10可以是低温多晶硅(LTPS)基板、玻璃基板、塑料基板或不锈钢(SUS)基板等。
第二基板12可以是布置于第一基板10上以保护被提供在第一基板10上的TFT和发光像素免受外部湿气或空气的封装基板。第二基板12被设置为面对第一基板10，并且第一基板10和第二基板12通过以离第一基板10的边缘一段距离布置的密封件14相互粘结。
第一基板10包括发射光的发光区DA和环绕发光区DA的非发光区NDA。根据本发明的实施例，密封件14布置在位于发光区DA外部的非发光区DNA中，从而将第一基板10和第二基板12相互粘结。
如上所述，在第一基板10的发光区DA中，形成有机发光元件EL、被配置为驱动有机发光元件EL的TFT，和电连接至有机发光元件EL和TFT的布线。非发光区NDA可以包括焊盘区PA，从发光区DA的布线延伸的焊盘电极60位于焊盘区PA中。
图2示意性示出发光区DA和如图1所示包括在非发光区NDA中的焊盘区PA。
进一步参见图2，根据本发明实施例的有机发光显示装置1的第一基板10包括像素区101、沟道区102、存储区103和焊盘区PA以及形成在这些区域上的缓冲层13。
沟道区102包括作为驱动元件的TFT。TFT包括有源层21、栅电极20、源电极27和漏电极29。栅电极20包括栅下电极23和栅上电极25。栅下电极23由透明导电材料形成。在栅电极20和有源层21之间，形成用于提供栅电极20和有源层21之间的绝缘的栅绝缘层15。在有源层21两侧的端部，形成掺杂有高密度杂质并且分别连接至源电极27和漏电极29的源区21a和漏区21b。
像素区101包括有机发光元件EL。有机发光元件EL包括像素电极31、对电极35以及介于像素电极31和对电极35之间的发光层33。像素电极31由透明导电材料形成，并且与TFT的栅电极20同时形成。
存储区103包括电容器Cst。电容器Cst包括电容器下电极41和电容器上电极43，栅绝缘层15介于电容器下电极41和电容器上电极43之间。电容器上电极43与TFT的栅电极20和有机发光元件EL的像素电极31同时形成。
焊盘区PA包括焊盘电极60，焊盘电极60包括焊盘下电极62和焊盘上电极63。焊盘下电极62可以由与像素电极31、栅下电极23和电容器上电极43相同的材料形成并形成在同一层上。焊盘上电极63可以由与栅上电极25相同的材料形成并形成在同一层上。附图标记65指代由与TFT的源电极27和漏电极29相同的层形成的源/漏电极层。在第一基板10上的缓冲层13和栅绝缘层15之间，形成突起层61，其中多个突起部分61a、61b和61c突起。因此，焊盘区PA包括存在突起层61的突起部分和存在焊盘上电极63的平坦部分。因为突起部分以这样的方式形成，所以在形成对电极层64时提供了大的接触面积，从而允许很好地执行涂覆并且防止对电极层64下的有机层55被剥离。
附图标记51指代层间绝缘层，并且附图标记55指代充当像素限定层(PDL)的有机层。按照惯例，有机层55首先形成，然后以同样的方式在有机层55上进一步形成由与有机层55相同材料形成的间隔层。然而，独立的间隔层的形成意味着需要两个光刻工艺来形成有机层，由此增加了制造成本和制造时间。为了解决这个问题，有机层55被形成为具有3μm或更大的大厚度。
然而，如果有机层55形成以具有大的厚度，则涂覆可能被不正确地执行，并且有机层55上可能会发生剥离现象，特别是在有机层55端部处的焊盘电极60上可能会发生剥离现象。
为了解决上述问题，对电极层64通过利用如上所述的突起层61形成突起部分而坚固地涂覆在焊盘区PA中，使得对电极层64下的有机层55被保持而不会剥离。
以这种方法，简化了制造有机发光显示装置1的工艺，并且同时提高了焊盘电极60和有机层55之间的粘合力，从而防止了缺陷。
图3A至图3J示意性示出根据本发明示例性实施例的制造图2所示的有机发光显示装置的方法的截面图。
如图3A所示，缓冲层13形成在第一基板10上。更具体地，第一基板10可以由具有SiO2作为其主要成分的透明玻璃材料形成。然而，第一基板10也可以由诸如透明塑料材料或金属材料之类的各种材料形成，而并不限于透明玻璃材料。
缓冲层13可以选择性地形成在第一基板10上，以便防止杂质离子和湿气或者外部空气渗入第一基板10，并且平坦化第一基板10的表面。缓冲层13可以通过各种沉积方法被沉积，例如通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、常压CVD(APCVD)方法和使用SiO2和/或SiNx的低压CVD(LPCVD)方法被沉积。
如图3B所示，TFT的有源层21、电容器Cst的电容器下电极41和焊盘区PA的突起层61形成在缓冲层13上。更具体地，非晶硅沉积在缓冲层13上并且随后结晶，从而形成多晶硅层(未示出)。非晶硅可以通过利用诸如快速热退火(RTA)方法、固相结晶(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导结晶(MIC)方法、金属诱导横向结晶(MILC)方法和连续横向固化(SLS)方法之类的各种方法来结晶。这样，通过利用第一掩膜(未示出)的掩膜工艺，多晶硅层被图案化成TFT的有源层21、电容器Cst的电容器下电极41和焊盘区PA的突起层61。
如图3C所示，在形成有源层21、电容器下电极41和突起层61的第一基板10的整个表面上，顺序沉积栅绝缘层15、第一导电层17和第二导电层19。
栅绝缘层15可以通过利用PECVD方法、APCVD方法或LPCVD方法被沉积为无机绝缘层，例如SiNx或SiOx。栅绝缘层15介于TFT的有源层21和栅电极20(参见图3D)之间以充当绝缘层，并且介于电容器上电极43和电容器下电极41之间以充当电容器Cst的介电层。在焊盘区PA中，突起层61沿突起轮廓被覆盖。
第一导电层17可以包括从诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3之类的透明材料中选择的一种或多种材料。第一导电层17随后充当像素电极31、栅下电极23、电容器上电极43和焊盘下电极62。
第二导电层19可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu中选择的一种或多种材料。第二导电层19随后被图案化成栅上电极25和焊盘上电极63。
进一步如3D所示，用于像素电极31的电极图案30、栅电极20、用于电容器上电极43的电极图案40和焊盘电极60形成在第一基板10上。为了更具体些，第一导电层17和第二导电层19通过利用第二掩膜(未示出)的掩膜工艺被图案化。在这种状态下，在沟道区102中，栅电极20形成在有源层21上，栅电极20包括由第一导电层17的一部分形成的栅下电极23和由第二导电层19的一部分形成的栅上电极25。
栅电极20对应于有源层21的中央，并且通过利用栅电极20作为掩膜，将n型或p型杂质注入有源层21中，由此在有源层21的对应于栅电极20两侧的两侧端部形成源区21a和漏区21b，并且在源区21a和漏区21b之间形成沟道区。
用于形成像素电极31的电极图案30形成在像素区101中，并且用于形成电容器上电极43的电极图案40形成在存储区103中的电容器下电极41上。
在焊盘区PA中，焊盘电极60形成在栅绝缘层15上。焊盘电极60包括由第一导电层17的一部分形成的焊盘下电极62和由第二导电层19的一部分形成的焊盘上电极63。焊盘下电极62沿突起层61的突起轮廓形成突起部分。
接下来，如图3E所示，层间绝缘层51被沉积在第一基板10的整个表面上。
层间绝缘层51通过利用旋涂等方法，由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘层而形成。除了有机绝缘材料，层间绝缘层51也可以由无机绝缘材料形成，并且还可以通过交替有机绝缘材料和无机绝缘材料而形成。
接下来，如图3F所示，在层间绝缘层51中，形成暴露电极图案30和40的部分以及源区21a和漏区21b的部分的开口H1、H2、H3、H4和H5。开口H1、H2、H3、H4和H5通过利用第三掩膜(未示出)的掩膜工艺进行图案化而形成。在这种状态下，焊盘区PA的层间绝缘层51也被图案化，如图3F所示。
这里，开口H1和H2暴露源区21a和漏区21b的部分，开口H3和H4暴露第二导电层19的形成电极图案30上部的部分，并且开口H5暴露第二导电层19的形成电极图案40上部的部分。
接下来，如图3G所示，第三导电层53沉积在第一基板10的整个表面上以覆盖层间绝缘层51。
第三导电层53可以由但不限于形成第一导电层17或第二导电层19的导电材料形成，或者由其它各种导电材料形成。导电材料沉积足够大的厚度以填充开口H1、H2、H3、H4和H5。
如图3H所示，形成源电极27、漏电极29、像素电极31、电容器上电极43和焊盘区PA中的源/漏电极层65。更具体地，第三导电层53通过利用第四掩膜(未示出)的掩膜工艺被图案化，从而形成源电极27和漏电极29以及源/漏电极层65。
在这种状态下，源电极27或漏电极29(在当前实施例中为源电极27)被形成为在待形成像素电极31的电极图案30的第二导电层19上部的边缘处通过开口H3连接至像素电极31。
在源电极27和漏电极29形成之后，像素电极31和电容器上电极43通过额外的刻蚀而形成。换句话说，通过从电极图案30中去除由开口H4暴露的第二导电层19上部，形成像素电极31。然后，从电极图案40中去除由开口H5暴露的第二导电层19上部，从而形成电容器上电极43。
因此，像素电极31、栅下电极23、电容器上电极43和焊盘下电极62形成在同一层上，并且栅上电极25和焊盘上电极63形成在同一层上。
接下来，如图3I所示，通过开口H5注入n型或p型杂质以掺杂电容器下电极41。
如图3J所示，有机层55形成在第一基板10上以充当PDL。更具体地，有机层55沉积在其上形成有像素电极31、源电极27、漏电极29、电容器上电极43和源/漏电极层65的第一基板10的整个表面上。
有机层55可以通过旋涂等方法，由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料而形成。
有机层55通过利用第五掩膜(未示出)的掩膜工艺被图案化，以便形成用于暴露像素电极31的中央部分的开口H6，从而限定像素。
此后，如图2所示，在图3J的暴露像素电极31的开口H6中形成发光层33，并且对电极35形成在第一基板10的整个表面上。
发光层33包括有机发射层(EML)，并且可以进一步包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一个或多个。
对电极35沉积在第一基板10的整个表面上以形成为公共电极。在根据本发明当前实施例的有机发光显示装置1中，像素电极31用作阳极，并且对电极35用作阴极。然而，不必说，像素电极31和对电极35的极性可互换。如之前所述，在焊盘区PA中，对电极层64沿突起层61的突起轮廓由与对电极35相同的层形成。在这种情况下，对电极层64可以以大的接触面积粘结到突起层61上的焊盘下电极62，从而坚固地支撑形成在对电极层64下的有机层55。
图4是示出图2所示的有机发光显示装置的改进的平面图。
在当前的实施例中，有机层55被形成以覆盖焊盘区PA中的源/漏电极层65和焊盘上电极63两者。然而可以改进该结构，使得如图4所示，有机层55被形成以暴露源/漏电极层65和焊盘上电极63的部分，并且使得对电极层64接触被暴露的部分。在这种情况下，对电极层64的接触面积增加，从而更有力地抑制有机层55的剥离。
从前面的描述中可以理解，利用根据本发明实施例的有机发光显示装置及其制造方法，仅仅使用五个掩膜就能完成制造，从而在掩膜使用的数目减少的情况下降低成本并简化制造工艺。另外，由焊盘区中的有机层涂覆缺陷所导致的问题也能得以解决。
尽管参考本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但提供这些的目的在于图示，并且本领域普通技术人员会理解，各种改变和其它等同实施例能够从本发明中得出。因此，本发明的真正的技术范围应当由所附权利要求的技术精神来限定。

Claims (14)

1.一种有机发光显示装置，包括：
发光区，包括有机发光元件、薄膜晶体管和电容器；和
非发光区，包括连接至所述发光区的布线的焊盘区；
其中所述焊盘区包括：
包括形成在基板上以突起的多个突起部分的突起层；
包括焊盘下电极和焊盘上电极的焊盘电极，所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上；
形成在所述焊盘上电极上的源/漏电极层；
形成在所述源/漏电极层上的有机层；和
连续地形成在所述焊盘下电极的突起部分上和所述有机层上的对电极层，所述对电极层在所述突起部分上跟随所述突起层的突起轮廓。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括形成在所述基板和所述突起层之间的缓冲层。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：形成在所述突起层和所述焊盘下电极之间的栅绝缘层，和形成在所述焊盘上电极和所述源/漏电极层之间的层间绝缘层。
4.如权利要求1至3中任一项所述的有机发光显示装置，其中所述有机层被形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
5.如权利要求1至3中任一项所述的有机发光显示装置，其中所述有机层被形成以暴露所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的部分，并且所述对电极层被形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露的部分。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：形成在与所述突起层相同的层上的有源层、形成在与所述焊盘电极相同的层上的栅电极，和由与所述源/漏电极层相同的层形成的源/漏电极。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光元件包括：形成在与所述焊盘电极相同的层上的像素电极、由与所述对电极层相同的层形成的对电极，和介于所述像素电极和所述对电极之间的发光层。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电容器包括：形成在与所述突起层相同的层上的电容器下电极、形成在与所述焊盘电极相同的层上的电容器上电极，和介于所述电容器下电极和所述电容器上电极之间的栅绝缘层。
9.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成薄膜晶体管的有源层、电容器的电容器下电极和焊盘区的突起层；
在所述有源层上形成所述薄膜晶体管的栅电极，在所述基板上形成有机发光元件的像素电极，在所述电容器下电极上形成所述电容器的电容器上电极，并且在所述突起层上形成所述焊盘区的焊盘电极；
形成包括用于分别暴露所述有源层、所述像素电极和所述电容器上电极的部分的开口的层间绝缘层，所述层间绝缘层形成在所述焊盘区的焊盘电极上；并且
形成所述薄膜晶体管的接触所述有源层和所述像素电极的被暴露部分的源/漏电极，并且在所述焊盘电极和所述层间绝缘层上形成所述焊盘区的源/漏电极层；
形成暴露所述像素电极的部分并覆盖所述薄膜晶体管的源/漏电极、所述电容器的电容器上电极和所述焊盘区的源/漏电极层的有机层；
形成接触所述像素电极的被暴露部分的发光层；并且
在所述有机层上形成对电极以面对所述像素电极，其中所述发光层介于所述对电极和所述像素电极之间，并且沿所述焊盘区中的所述突起层的突起轮廓和所述有机层连续地形成对电极层。
10.如权利要求9所述的制造有机发光显示装置的方法，进一步包括在所述基板上形成缓冲层的步骤。
11.如权利要求9所述的制造有机发光显示装置的方法，进一步包括在所述有源层、所述电容器下电极和所述突起层上形成栅绝缘层的步骤。
12.如权利要求9至11中任一项所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述焊盘电极包括焊盘下电极和焊盘上电极，所述焊盘下电极包括沿所述突起层的突起轮廓形成的突起部分和沿所述基板形成的平坦部分，并且所述焊盘上电极形成在所述焊盘下电极的平坦部分上。
13.如权利要求12所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述有机层被形成以覆盖所述源/漏电极层和所述焊盘上电极两者。
14.如权利要求12所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述有机层被形成以暴露所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的部分，并且所述对电极层被形成以接触所述源/漏电极层和所述焊盘上电极的被暴露部分。
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