TWI549282B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
此申請向韓國智慧財產局主張於2010年7月7日所提交之韓國專利申請號第10-2010-0065459號之優先權，其揭露納入於此處參考。
本實施例係相關於有機發光顯示裝置及其製造方法，更特別地，係關於有機發光顯示裝置及其製造方法，其中該製造方法係簡單化的。
一平板顯示裝置，例如有機發光顯示裝置、液晶顯示裝置等，係製造在一基材上，其上形成有含薄膜電晶體(TFT)、電容器及連接這些的線路之圖樣。
大體上，具有包含薄膜電晶體之微結構的圖樣係形成在一基材上，其上將製造有一平板顯示裝置，且該精細圖樣藉由利用具有這些圖樣之遮罩轉移至基材，例如一陣列基材。
使用遮罩之圖樣轉移通常係藉由利用一微影蝕刻製程所完成。在微影蝕刻製程中，一基材，其上將形成有一圖樣，被均勻地塗佈有一光阻劑，且該光阻劑利用例如步進式曝光機之一曝光設備曝光。若該光阻劑係一正光阻 劑，該感光光阻劑曝光。並且，在光阻劑曝光後，該圖樣係藉由利用一殘餘光阻劑作為一遮罩所蝕刻，且多餘的光阻劑被移除。
在上述藉由利用一遮罩轉移一圖樣之轉移製程中，首先，須要先準備具有必要圖樣之遮罩，因此用以預備一遮罩之製程成本因為製程使用之遮罩數目增加而隨之增加。並且，因為上述複雜製程須被實施，所以該製造方法變得複雜。此外，製造時間增加，且製造成本亦增加。
一或多個實施例提出有機發光顯示裝置以及其製造方法，其中可減少利用一遮罩之圖樣化操作之數目且可製造出具有良好的顯示品質之有機發光顯示裝置。
根據本發明實施例之態樣，提供一種有機發光顯示裝置包含：一薄膜電晶體(TFT)，其包含一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極；一有機發光裝置，其係電性連接至薄膜電晶體，其中形成在與閘極電極相同層之像素電極、含有一發射層之一中介層、及一相反電極依指定順序相繼地堆疊；一儲存電容，其包含一底部電極以及形成在與閘極電極相同層之一頂部電極；以及一金屬層，其係藉由形成於像素電極之下之一絕緣層與像素電極分離，且其形成在一基材之整個表面。
閘極電極可包含含有與該像素電極相同材料之一第一電極以及形成於該第一電極上之一第二電極。
頂部電極可包含與該像素電極相同材料。
像素電極係可電性連接至源極電極與閘極電極之其中之一。
金屬層可包含單一層或複數層，且可包含至少一選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣、 氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/釹、鋁鋰鈉(AlLiNa)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、ATD及氧化銦錫/APC/氧化銦錫所組成之群組。
底部電極係可形成於該相同層上且包含與該薄膜電晶體之一主動層相同材料。
根據本實施例之另一態樣，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包含：依指定順序相繼地沉積一金屬層及一第一絕緣層在一基材上；形成一薄膜電晶體之一主動層及一電容底部電極在第一絕緣層之第一遮罩操作；形成多個電極圖樣，用以形成一電容閘極電極、一像素電極、以及電容頂部電極在主動層與電容底部電極上之第二遮罩操作；形成具有一開口之層間絕緣層，其開口曝露主動層之兩邊以及每一電極圖樣之一部分之第三遮罩操作；形成源極與汲極電極，其接觸主動層之已曝露之兩邊、像素電極、以及電容頂部電極之第四遮罩操作；以及形成曝露像素電極之像素定義層之第五遮罩操作。
第二遮罩操作可包含：依指定順序相繼地沉積第二絕緣層、第一導體層、以及第二導體層在主動層與電容底部電極上；以及圖樣化第一導體層與第二導體層以形成閘極電極，其包含如第一電極之第一導體層以及如第二電極之第二導體電極。
第三遮罩操作可包含：沉積第三絕緣層在閘極電極與電極圖樣上；以及圖樣化第三絕緣層以形成開口，其曝露主動層之源極區與汲極區之部分以及每一電極圖樣之部分。
第四遮罩操作可包含：沉積第三導體層在層間絕緣層上；圖樣化第三絕緣層以形成源極與汲極電極；以及移除由電極圖樣構成之第二導體層以形成像素電極以及電容底部電極，其依序地使用第一導體層作為一電極。
第五遮罩操作可包含：沉積第四絕緣層在一基材之整個表面上；以及圖樣化第四絕緣層以形成像素定義層。
101‧‧‧發光區
102‧‧‧通道區
103‧‧‧儲存區
10‧‧‧基材
11‧‧‧金屬層
13‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
17‧‧‧第一導體層
19‧‧‧第二導體層
20‧‧‧閘極電極
21‧‧‧主動層
21a‧‧‧源極區
21b‧‧‧汲極區
23‧‧‧閘極底部電極
25‧‧‧閘極頂部電極
27‧‧‧源極電極
29‧‧‧汲極電極
30、40‧‧‧電極圖樣
31‧‧‧像素電極
33‧‧‧中介層
35‧‧‧相反電極
41‧‧‧電容底部電極
43‧‧‧電容頂部電極
50‧‧‧第三絕緣層
51‧‧‧中介絕緣層
53‧‧‧第三導體層
55‧‧‧像素定義層
Cst‧‧‧儲存電容
EL‧‧‧有機發光裝置
TFT‧‧‧薄膜電晶體
H1、H2、H3、H4、H5、H6‧‧‧開口
上述以及本實施例之其他特徵及優點將藉由詳細描述其實施例並參照下列附圖而更加明瞭，其中：第1圖 係根據一實施例之有機發光顯示裝置之一部份之一橫截面視圖；以及第2至11圖 係為橫截面視圖，其係說明根據一實施例之一底部發射型之有機發光顯示裝置之製造方法。
本實施例現將參考附圖更加完整地描述，範例實施例被顯示於其中。圖式中相似的參考數字表示相似的元件。在本實施例之描述中，當某些部分被視作非必要的模糊了本實施例之本質時，將省略其相關技藝之詳細解釋。
在圖中，層及區域之厚度係被誇大的以清楚表示。
全文中，當例如一層、一區域、或一基材之組件被視作在另一個組件上，其可直接地表示形成在另一組件上，或是介於數層之間。
第1圖係根據一實施例之一有機發光顯示裝置之一部分之橫截面視圖。
參閱第1圖，有機發光顯示裝置包含一發光區101、一通道區102、以及一儲存區103。
在通道區102中，一薄膜電晶體TFT被形成作為一驅動裝置。該薄膜電晶體包含一主動層21、一閘極電極20、以及一源極電極27與汲極電極29。該閘極電極20包含一閘極底部電極23以及一閘極頂部電 極25，且閘極底部電極23包含一透明導電材料。一第二絕緣層15係插設於閘極電極20及主動層21之間，使閘極電極20及主動層21絕緣。同樣的，高度摻雜雜質的源極區21a及汲極區21b，係形成於主動層21之兩邊界區域，且係分別地連接至源極電極27及汲極電極29。
一有機發光裝置EL係形成於發光區101內。該有機發光裝置EL包含連接至薄膜電晶體之源極電極27及汲極電極29之一的一像素電極31、一相反電極35、以及一插設於像素電極31與相反電極35之間之中介層33。像素電極31包含一透明導電材料，且與薄膜電晶體中之閘極電極20同時形成。
一儲存電容Cst形成在儲存區103內。該儲存電容Cst包含一底部電極以及一頂部電極。在此實施例中，頂部電極係為一電容底部電極41而頂部電極係為一電容頂部電極43。該第二絕緣層15係插設於電容底部電極41及電容頂部電極43之間。電容底部電極41與薄膜電晶體之閘極電極20與有機發光裝置EL之像素電極31同時形成。
一金屬層11係形成於含有發光區101、通道區102、以及儲存區103之整個基材10之上。金屬層11係如同一反射層般以造成有機發光裝置EL之共振，且可具有單一層結構或多層結構。絕緣層，即第一絕緣層13及第二絕緣層15，係形成於金屬層11及像素電極31之間，因此金屬層11自像素電極31隔開，且無圖樣化下形成於基材10之整個表面之上。
當金屬層11無多餘的圖樣化製程下形成在基材10之整個表面之上，此實施例之底部發射型之發光顯示裝置可藉由執行約五次的遮罩製程而製造。同樣的，金屬層11係自像素電極31隔開。因此，當反射 層形成在像素電極31之下時，光提取效率會被提升。同樣的，當閘極電極20與像素電極31同時形成時，將不須為了耦接像素電極31及反射層形成具有至少三層之多層結構的閘極電極20，因此獲得閘極電極20之蝕刻特性。
第2至11圖係為橫截面視圖，其說明根據一實施例之一底部發射型之有機發光顯示裝置之製造方法。
參閱第2圖，一金屬層11係形成在一基材10之上。
基材10可包含含有二氧化矽作為一主要成分之透明玻璃材料。無論如何，基材10不因此而受限，且可包含各種不同形式之基材，例如一透明塑膠材料或一金屬。雖然不在第2圖中表示，一緩衝層可附加地形成於基材10與金屬層11之間，以平坦化基材10且可避免雜質元素穿透進入基材10。
具有單一層結構或多層結構之金屬層11可形成於基材10上。金屬層11可包含銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/釹、鋁鋰鈉(AlLiNa)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/銀合金/氧化銦錫(ATD)及氧化銦錫/銀-鈀-銅合金(APC)/氧化銦錫之至少一種。金屬層11可利用各種不同之沉積方法而沉積，例如電漿化學氣相沈積(PECVD)、大氣壓力化學氣相沉積(APCVD)法、以及低壓化學氣相沉積(LPCVD)法。
參閱第3圖，薄膜電晶體之主動層21及儲存電容Cst之電容底部電極41可形成於金屬層11上。
第一絕緣層13，例如一屏障層且/或緩衝層，可形成在金屬層11上以避免不純物離子之擴散及水或是外部空氣的穿透且以平坦化金屬層11之表面。第一絕緣層13可藉由使用二氧化矽且/或氮化矽(SiNx)以及各種不同的方法，例如電漿化學氣相沈積法、化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法，或其他類似方法使之沉積。
非晶質矽首先沉積在第一絕緣層13上接著結晶以形成一多結晶矽層(圖未示)。非晶質矽可使用各種不同的方法，例如快速熱退火法(RTA)、固相結晶法(SPC)、準分子雷射退火法(ELA)、金屬誘發結晶法(MIC)、金屬誘發側向結晶法(MILC)、連續側向凝固法(SLS)或其他類似方法使之結晶。
如上所述，多結晶矽層藉由用第一遮罩(圖未示)之遮罩製程圖樣化在薄膜電晶體之主動層21以及電容Cst之電容底部電極41上，以下簡稱作電容底部電極41。
根據本實施例，主動層21及電容底部電極41係分開的，但是它們也可被形成作為單一單元。
參閱第4圖，第二絕緣層15、第一導體層17、以及第二導體層19係以指定順序依序地沉積在基材10的整個表面上，主動層21及電容底部電極41形成於此表面上。
第二絕緣層15可沉積為一有機絕緣層，例如氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)，且可使用一方法例如電漿化學氣相沈積法、化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法，或其他類似方法使之沉積。第二絕緣層15插設於主動層21及薄膜電晶體中之閘極電極20之間以作為如薄膜電晶 體之閘極絕緣層，且也插設於電容頂部電極43以及電容底部電極41之間以作為如電容Cst之介電層。
第一導體層17可包含選自由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、以及三氧化二銦所組成之群組中之至少一種透明材料。隨後，第一導體層17圖樣化於像素電極31、閘極底部電極23、以及電容頂部電極43中。
第二導體層19可包含選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬及鋁/銅所組成之群組中之至少一種。隨後，第二導體層19圖樣化於閘極頂部電極25中。
參閱第5圖，一閘極電極20以及電極圖樣30、40係形成於基材10上。
第一導體層17及第二導體層19依序地堆疊在基材10之整個表面上，且藉由利用使用一第二遮罩(圖未示)之遮罩製程圖樣化。
在通道區102中，閘極電極20形成於主動層21上，且閘極電極20包含由第一導體層17之一部分所形成之閘極底部電極23與由第二導體層19之一部分所形成之閘極頂部電極25。
在發光區101中，電極圖樣30被形成，其為了稍後用來形成像素電極，且在儲存區103中，電極圖樣40形成在電容底部電極41上，其為了稍後用來形成電容頂部電極43。
閘極電極20係對應至主動層21之中心部份，且主動層21藉由利用閘極電極20作為一遮罩摻雜n型或p型雜質，以便在對應於閘極電極20兩邊之主動層21的邊界形成源極區21a及汲極區21b以及在源極區21a與汲極區21b之間形成通道區。
參閱第6圖，第三絕緣層50沉積在閘極電極20上之基材10的整個表面上。
第三絕緣層50藉由利用選自由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯環丁烯、以及酚醛樹脂所組成之群組中之至少一有機絕緣材料，並藉由利用例如旋轉塗佈法形成。第三絕緣層50係形成以具有一足夠厚度，舉例來說，較上述第二絕緣層15更厚，且作為在薄膜電晶體之源極、汲極電極27、29與閘極電極20之間的中介絕緣層。此外，第三絕緣層50可包含有機絕緣材料或是無機絕緣材料，如同第二絕緣層15，或是也可藉由交替地堆疊有機絕緣材料與無機絕緣材料而形成。
參閱第7圖，具有有開口H1、H2、H3、H4、及H5以可露出部分電極圖樣30、40及源極區21a與汲極區21b之中介絕緣層51被形成。
第三絕緣層50利用使用第三遮罩(圖未示)之一遮罩製程圖樣化以形成開口H1、H2、H3、H4及H5。
開口H1與H2露出部分源極區21a與汲極區21b，開口H3與H4露出部分之由電極圖樣30之上部分所構成之第二導體層19，而開口H5露出部分之由電極圖樣40之上部分所構成之第二導體層19。
參閱第8圖，覆蓋中介絕緣層51之第三導體層53形成於基材10之整個表面上。
第三導體層53可包含如同上述第一導體層17或第二導體層19相同之導體材料，且不因此而受限且可包含各種導體材料。此外，導體材料沉積使之有足夠厚度以可填補開口H1、H2、H3、H4、及H5。
參閱第9圖，源極與汲極電極27、29、像素電極31、以及電容頂部電極43被形成。
第三導體層53利用使用第四遮罩(圖未示)之遮罩製程圖樣化以形成源極與汲極電極27、29。
源極與汲極電極27、29之一係被形成以便經由其上形成有像素電極31的電極圖樣30上之第二導體層19之邊界區域的開口H3連結至像素電極31。
形成源極與汲極電極27、29後，像素電極31及電容頂部電極43係藉由進一步蝕刻第二導體層19而形成。
經由開口H4露出之電極圖樣30之第二導體層19之一部分係被移除以形成像素電極31。
經由開口H5露出之電極圖樣40之第二導體層19之一部分係被移除以形成像素電極31。
因此，像素電極31、閘極底部電極23、電容頂部電極43係形成於同一層及相同的材料上。
參閱第10圖，電容底部電極41係藉由經開口H5注入n型或p型雜質於電容頂部電極43而摻雜。
參閱第11圖，像素定義層(PDL)55係形成於基材10上。
一第四絕緣層(圖未示)係沉積在其上形成有像素電極31、源極與汲極電極27、29之基材10的整個表面上。
第四絕緣層可包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯環丁烯、以及酚醛樹脂所組成之群組之至少一有機絕緣材料且藉由利 用例如旋轉塗膜法的方法。第四絕緣層不因此受限，而可包含選自由二氧化矽、氮化矽、三氧化二鋁、氧化銅(CuOx)、七氧化四鋱(Tb4O7)、三氧化二釔(Y2O3)、五氧化二鈮(Nb2O5)及三氧化二鐠(Pr2O3)所組成之群組之無機絕緣材料。同時，第四絕緣層可被形成以具有多層結構其交替地堆疊有機絕緣層與無機絕緣層。
第四絕緣層藉由利用使用第五遮罩(圖未示)之遮罩製程圖樣化以便露出像素電極31之中心部分，因此，像素定義層55被形成。
接著，如第1圖所示，包含一有機發射層以及相反電極35之一中介層33係形成於開口H6並露出像素電極31。
中介層33可在單層或多層結構中包含選自由有機發射層(EML)、電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)所組成之群組中之至少一功能層。
中介層33可包含低分子量或高分子有機材料。
當中介層33包含低分子量有機材料時，中介層33可包含朝向像素電極31所堆疊之電洞傳輸層與電洞注入層、以及朝向相反電極35所堆疊之電子傳輸層與電子注入層。中介層33視需求亦可包含其他各種不同層。低分子量有機材料之例子包含銅酞菁(CuPc)、N,N'-雙(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)、以及三-8羥基奎林鋁(Alq3)。
當以高分子有機材料形成時，中介層33可僅包含相對於有機發射層且朝向像素電極31之電洞傳輸層。電動傳輸層可藉由使用利用聚-(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等之噴墨印刷法或旋轉塗佈法形成在像素電極31上。高分子有機材料之例子包含以聚苯基 乙烯(PPV)為基礎或以聚茀為基礎的高分子有機材料，且一著色圖樣可藉由利用例如噴墨印刷法、旋轉塗佈法、或使用雷射之熱轉印法而形成。
相反電極35可形成在基材10之整個表面上以作為一共用電極。根據本實施例之有機發光顯示裝置中，像素電極31用作為一正極，且相反電極35用作為一陰極。然而，電極之極性亦可交換。
當有機發光顯示裝置係為其中影像朝向基材10所形成之一底部發射型時，像素電極31係用作為一透明電極，且相反電極35係用作為一反射電極。反射電極可藉由沉積具有低功函數的金屬，例如，銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁或其組合所形成以具有一薄厚度。
雖未表示，一封裝構件(圖未示)或一吸收體(圖未示)可進一步形成於相反電極35上以保護有機發射層接觸自外部水或氧氣。
在上述有機發光顯示裝置之製造方法的每一遮罩製程中，堆疊層可藉由利用乾蝕刻法或濕蝕刻法移除。
根據本實施例之在底部發射型有機發光顯示裝置中，一金屬層形成在基材最下面部份以隔開像素電極以便增加像素電極之發光效率並且得到閘極電極之蝕刻特性。因此，顯示裝置之顯示品質增加，且可簡化製造方法以及可減少缺陷。
在上述之實施例中，一有機發光顯示裝置被描述為一顯示裝置之範例，但本實施例不因此受限，且例如液晶顯示器之各種顯示裝置可用作為顯示裝置。
同時，在圖中，僅說明有薄膜電晶體及一個電容器，然而本發明不受限於此，且在無增加上述之實施例遮罩製程之數目下，可包含複數個薄膜電晶體及複數個電容器。
根據本實施例，一金屬層係設置在像素電極下使之在不需增加遮罩之數目下與像素電極分離，且係用作為像素電極之反射層。因此，可簡化像素電極且可得到閘極電極之蝕刻特色。
因此，藉由減少遮罩數目，可減少製造成本以及可簡化製造程序，且當像素電極與反射層耦接時所造成之產量下降可被避免。
儘管本實施例已被特別地表示及描述並參照其範例實施例，但本技術領域具有通常知識者可了解在不偏離自下述申請專利範圍中所定義之本實施例之精神以及範疇下各種形式及細節皆可實現。
101‧‧‧發光區
102‧‧‧通道區
103‧‧‧儲存區
10‧‧‧基材
11‧‧‧金屬層
13‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
20‧‧‧閘極電極
21‧‧‧主動層
21a‧‧‧源極區
21b‧‧‧汲極區
23‧‧‧閘極底部電極
25‧‧‧閘極頂部電極
27‧‧‧源極電極
29‧‧‧汲極電極
31‧‧‧像素電極
33‧‧‧中介層
35‧‧‧相反電極
41‧‧‧電容底部電極
43‧‧‧電容頂部電極
51‧‧‧中介絕緣層
55‧‧‧像素定義層
Cst‧‧‧儲存電容
EL‧‧‧有機發光裝置
TFT‧‧‧薄膜電晶體

Claims (18)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體(TFT)，其包含一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極；一有機發光裝置，係電性連接至該薄膜電晶體，其中形成在與該閘極電極相同層之一像素電極、含有一發射層之一中介層、及一相反電極依指定順序相繼地堆疊；一儲存電容，係包含一底部電極以及形成在與該閘極電極相同層之一頂部電極；一導體層，係形成於該頂部電極上且藉由一開口曝露該頂部電極的至少一部分；以及一金屬層，係藉由形成於該像素電極之下之一絕緣層與該像素電極分離，且形成在一基材之一整個表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該閘極電極包含含有與該像素電極相同材料之一第一電極以及形成於該第一電極上之一第二電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該頂部電極包含與該像素電極相同之材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該像素電極係電性連接至該源極電極與該汲極電極之其中之一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層包含單一層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬 層包含複數層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該金屬層包含至少一選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/釹、鋁鋰鈉(AlLiNa)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/銀合金/氧化銦錫(ATD)及氧化銦錫/銀-鈀-銅合金(APC)/氧化銦錫所組成之群組。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該底部電極係形成於該相同層上且包含與該薄膜電晶體之一主動層相同材料。
  9. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：依指定順序相繼地沉積一金屬層及一第一絕緣層在一基材上；利用一第一遮罩形成一薄膜電晶體之一主動層及一電容底部電極在該第一絕緣層上；利用一第二遮罩形成多個電極圖樣，用以形成一閘極電極、一像素電極、以及一電容頂部電極在該主動層與該電容底部電極上；利用一第三遮罩形成具有一開口之一層間絕緣層，該開口曝露該主動層之兩邊以及每一該電極圖樣之一部分；利用一第四遮罩形成一源極電極以及一汲極電極，其接觸該主動層之已曝露之兩邊、該像素電極、以及該電容頂部電極；以及 利用一第五遮罩形成曝露該像素電極之一像素定義層；其中，利用第二遮罩之步驟包含：依指定順序相繼地沉積一第二絕緣層、一第一導體層、以及一第二導體層在該主動層與該電容底部電極上；以及圖樣化該第一導體層與該第二導體層以形成包含作為一第一電極之該第一導體層、作為一第二電極之該第二導體電極之該閘極電極、作為該像素電極之該電極圖樣以及作為該電容頂部電極之該電極圖樣；其中，利用該第四遮罩之步驟包含：移除沉積於作為該電容頂部電極之該電極圖樣的第一導體層上之該第二導體層的部份，以使該第一導體層之部分曝露，以形成該電容頂部電極。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其更包含藉由摻雜於該主動層形成一源極區、一汲極區、以及在該源極區與該汲極區之一通道區之步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中利用該第三遮罩之步驟包含：沉積一第三絕緣層在該閘極電極與該電極圖樣上；以及圖樣化該第三絕緣層以形成具有該開口的該層間絕緣層，其曝露該主動層之該源極區與該汲極區之部分以及每一該電極圖樣之部分。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中利用該第四遮罩之步驟包含： 沉積一第三導體層在該層間絕緣層上；以及圖樣化該第三導體層以形成該源極電極以及該汲極電極。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中利用該第四遮罩之步驟包含：形成該源極電極以及該汲極電極；以及其中移除該第二導體層的部分之步驟係進一步包含：移除沉積在作為該像素電極之該電極圖樣的該第一導體層上的該第二導體層的部分，以形成該像素電極。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中利用該第五遮罩之步驟包含：沉積一第四絕緣層在該基材之整個表面上；以及圖樣化第四絕緣層以形成該像素定義層。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含單一層。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含複數層。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該金屬層包含至少一選自由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、鎢、鎢化鉬、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁/銅、鋁/釹、鋁鋰鈉(AlLiNa)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫、氧化銦錫/銀/氧化銦鋅、氧化銦錫/銀合金/氧化銦錫(ATD)及氧化銦錫/銀-鈀-銅合金(APC)/氧化銦錫所組成之群組。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一絕緣層包含選 自由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯環丁烯、以及酚醛樹脂所組成之群組中的至少一有機絕緣材料。
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