CN102856506B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102856506B
CN102856506B CN201210051720.1A CN201210051720A CN102856506B CN 102856506 B CN102856506 B CN 102856506B CN 201210051720 A CN201210051720 A CN 201210051720A CN 102856506 B CN102856506 B CN 102856506B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
layer
pad electrode
conductive layer
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210051720.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102856506A (zh
Inventor
崔钟炫
吴在焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN102856506A publication Critical patent/CN102856506A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102856506B publication Critical patent/CN102856506B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/1307—Organic Field-Effect Transistor [OFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置包括：TFT，包括有源层、包括下栅极和上栅极的栅极以及与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；有机发光器件，电连接到TFT并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极；焊盘电极，电结合到TFT或有机发光器件，并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
本申请要求于2011年6月28日提交到韩国知识产权局的第10-2011-0063035号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法，更具体地说，涉及一种制造简单并且包括耐腐蚀性提高且电阻降低的焊盘部分的有机发光显示装置以及一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
在基底上制造诸如有机发光显示装置和液晶显示器(LCD)的平板显示器，所述基底上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及将TFT连接到电容器的布线的图案。通常，为了形成包括TFT等的精细图案，通过使用绘制有精细图案的掩模来将精细图案转印到用于制造平板显示器的基底上。
然而，在使用掩模来转印图案的过程中，首先制备绘制有所需图案的掩模。因此，随着使用掩模的工艺的数量增加，制备所用掩模的制造成本增加。此外，由于上述复杂的工艺而使制造工艺复杂，并且增加了制造时间，导致制造成本增加。
发明内容
本发明实施例的一方面提出了一种制造简单并包括提高了耐腐蚀性并降低了电阻的焊盘部分的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
根据本发明的实施例，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层和与有源层绝缘的栅极，所述栅极包括下栅极和上栅极，TFT还包括均与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；有机发光器件，电连接到TFT并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极、包括发射层的中间层和对向电极，其中，像素电极、中间层和对向电极顺序地堆叠；焊盘电极，电结合到TFT或有机发光器件，并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，其中，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。
有机发光显示装置还可包括覆盖栅极和焊盘电极的至少一个绝缘层，其中，绝缘层具有不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分的孔。
焊盘电极的经所述孔暴露的部分可电连接到供应电流的驱动器集成电路(IC)，以驱动有机发光显示装置。
源极和漏极可布置在所述至少一个绝缘层的上表面上。
第三焊盘电极可包括多晶氧化铟锡(p-ITO)。
下栅极、像素电极和第一焊盘电极可包括透明导电氧化物。
上栅极和第二焊盘电极可包括从银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、MoW和铜(Cu)中选择的至少一种。
有机发光显示装置还可包括电容器，所述电容器包括形成在与形成有有源层的层相同的层中的下电容器电极和形成在与形成有栅极的层相同的层中的上电容器电极，电容器电结合到TFT。
根据本发明的另一实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：第一掩模工艺，在基底上形成薄膜晶体管(TFT)的有源层；第二掩模工艺，在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层，然后将第一导电层、第二导电层和第三导电层图案化以形成栅极(包括用作下栅极的第一导电层和用作上栅极的第二导电层)、第一电极图案(包括第一导电层和第二导电层)和焊盘电极(包括用作第一焊盘电极的第一导电层、用作第二焊盘电极的第二导电层和用作第三焊盘电极的第三导电层)；第三掩模工艺，在栅极、第一电极图案和焊盘电极的上表面上形成第二绝缘层，然后通过将第一绝缘层和第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的第一孔，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露第一电极图案和焊盘电极的至少一部分的第二孔；第四掩模工艺，形成经所述第一孔接触有源层的源极和漏极，并由第一电极图案形成像素电极；第五掩模工艺，形成暴露像素电极的至少一部分的像素限定层。
第二掩模工艺可包括：在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层；通过使用半色调掩模形成第一感光层图案，第一感光层图案在对应于栅极和第一电极图案的第一区域中具有第一厚度，并且在对应于焊盘电极的第二区域中具有大于第一厚度的第二厚度；通过使用第一感光层图案作为掩模来形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，在栅极、第一电极图案和焊盘电极中顺序地堆叠第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个；通过将第一感光层图案去除第一厚度那么多来形成在第二区域中具有第三厚度的第二感光层图案；通过使用第二感光层图案作为掩模去除位于第一区域的上部中的第三导电层，以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，所述栅极包括用作下栅极的第一导电层和用作上栅极的第二导电层，第一电极图案包括第一导电层和第二导电层，焊盘电极包括用作第一焊盘电极的第一导电层、用作第二焊盘电极的第二导电层和用作第三焊盘电极的第三导电层。
所述方法还可包括在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前，通过使第三焊盘电极退火来产生多晶氧化铟锡(p-ITO)。
所述方法还可包括在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前，通过对有源层掺杂杂质来形成源区和漏区。
在第三掩模工艺中，第二孔可形成在第二绝缘层中，从而不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分。
焊盘电极的经第二孔暴露的部分可电连接到供应电流的驱动器IC，以驱动有机发光显示装置。
第四掩模工艺可包括：在第二绝缘层上形成第四导电层；通过将第四导电层图案化来形成源极和漏极；通过去除构成第一电极图案的第二导电层来形成包括第一导电层的像素电极。
第一掩模工艺还可包括在与形成有有源层的层相同的层中形成下电容器电极。第二掩模工艺还可包括在下电容器电极的上表面上形成上电容器电极。
所述方法还可包括在第五掩模工艺之后，在像素电极的上表面上形成包括发射层的中间层和对向电极。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的平面图；
图2是沿图1中的线II-II’截取的剖视图；
图3至图14是描述制造图2中的有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
由于本发明允许各种变化和大量的实施例，所以将在附图中示出具体的实施例并在说明书中对这些具体的实施例进行详细描述。然而，这并不意图将本发明限制为实践的具体形式，而应当理解的是，未脱离本发明的精神和技术范围的全部改变、等同物和替代物均包括在本发明中。在以下对本发明的描述中，对于那些被认为会使本发明的特征不清楚的公开的技术，将不会提供详细的描述。
虽然可使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不是必须受到上述术语的限制。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开来。
在本说明书中使用的术语仅用于描述特定的实施例，而不意图限制本发明。除非在上下文中具有清楚的区别，否则以单数使用的表述包括了复数的表述。在本说明书中，应当理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合，并且不意图排除可以存在或可以添加一个或多个其它特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合的可能性。
现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。
图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置1的平面图。
参照图1，有机发光显示装置1包括具有多个发光像素的第一基底10和通过密封附着到第一基底10的第二基底20。
薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)和电容器Cst等可形成在第一基底10上。第一基底10可以是低温多晶硅(LTPS)基底、玻璃基底或塑料基底等。
第二基底20可以是设置在第一基底10上以保护形成在第一基底10上的TFT、发光像素等免受外部湿气、空气等的影响的包封基底。第二基底20被设置为面向第一基底10，第一基底10和第二基底20通过沿第二基底20的边缘设置的密封构件90结合在一起。第二基底20可以是玻璃基底、塑料基底或不锈钢(SUS)基底。
第一基底10包括其中发射光的显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA。根据本发明的实施例，密封构件90布置在围绕显示区DA的非显示区NDA中并使第一基底10与第二基底20结合。
如上所述，OLED、驱动OLED的TFT以及电连接到OLED和TFT的布线形成在第一基底10的显示区DA中。非显示区NDA可包括焊盘区400，从显示区DA的布线延伸的焊盘电极410位于焊盘区400中。
图2是沿图1中的线II-II’截取的剖视图。
参照图2，有机发光显示装置1包括发光区100、晶体管区200、存储区300和焊盘区400。
晶体管区200包括用作驱动装置的TFT。TFT包括有源层212、栅极210、源极218s和漏极218d。栅极210包括下栅极214和形成在下栅极214的上表面上的上栅极215。下栅极214可由透明导电材料形成。上栅极215可由低电阻金属形成。作为栅绝缘层的第一绝缘层13设置在栅极210和有源层212之间，以使栅极210与有源层212绝缘。掺杂有高浓度杂质的源区212s和漏区212d分别形成在有源层212的两个边缘上，并分别连接到源极218s和漏极218d。
存储区300包括电容器Cst。电容器Cst电连接到TFT并存储施加到TFT的信号。电容器Cst包括下电容器电极312和上电容器电极310，并且作为介电层的第一绝缘层13设置在下电容器电极312和上电容器电极310之间。下电容器电极312可形成在与其上形成有TFT的有源层212的层相同的层上。下电容器电极312由半导体材料形成，并掺杂有杂质以增大导电率。另一方面，上电容器电极310包括：第一上电容器电极314，由与用于形成TFT的下栅极214的材料相同的材料形成在与其上形成有下栅极214的层相同的层上；第二上电容器电极315，由与用于形成TFT的上栅极215的材料相同的材料形成在与其上形成有上栅极215的层相同的层上。
发光区100包括OLED。OLED通过供应到OLED的两个电极的电流而发射光。OLED包括连接到TFT的源极218s或漏极218d的像素电极114、形成为面向像素电极114的对向电极119以及设置在像素电极114和对向电极119之间的中间层118。像素电极114可由透明导电材料形成，或者可由与用于形成下栅极214等的材料相同的材料形成，并且像素电极114可形成在与其上形成有下栅极214等的层相同的层上。
焊盘区400包括焊盘电极410。虽然未示出，但是焊盘电极410可通过布线电连接到TFT或OLED。焊盘电极410电连接到供应电流的驱动器集成电路(IC)，以驱动有机发光显示装置1。因此，焊盘电极410接收来自驱动器IC的电流并通过布线将电流传输至均位于显示区DA(见图1)中的TFT或OLED。焊盘电极410包括第一焊盘电极414、形成在第一焊盘电极414的上表面上的第二焊盘电极415和形成在第二焊盘电极415的上表面上的第三焊盘电极416。第一焊盘电极414由与用于形成下栅极214的材料相同的材料形成在与形成有下栅极214的层相同的层中。第二焊盘电极415由与用于形成上栅极215的材料相同的材料形成在与形成有上栅极215的层相同的层中。第三焊盘电极416包括透明导电氧化物(TCO)。第三焊盘电极416可由多晶氧化铟锡(p-ITO)形成。这是由于第三焊盘电极416可在制造有机发光显示装置1的过程中用作蚀刻停止件，并且提高了最终产品的焊盘区的耐腐蚀性。
根据本发明的实施例，焊盘电极410包括顺序地堆叠在彼此的顶部上的第一焊盘电极414、第二焊盘电极415和第三焊盘电极416，其中，第一焊盘电极414包括透明导电氧化物，第二焊盘电极415包括低电阻金属，第三焊盘电极416包括p-ITO。根据这种结构，电压通过具有低电阻的第二焊盘电极415施加到图1中的显示区DA，从而改善了电阻分散电阻并降低了施加电压过程中的整体电阻。另外，由于耐腐蚀并且难以蚀刻的第三焊盘电极416存在于第二焊盘电极415的上表面上，所以第三焊盘电极416保护比第三焊盘电极416容易被腐蚀的第二焊盘电极415，从而提高焊盘区400的耐腐蚀性。
图3至图14是描述图2中的有机发光显示装置1的制造方法的剖视图。现在将示意性地描述图2中的有机发光显示装置1的制造方法。
首先，如图3所示，在第一基底10上形成辅助层11。第一基底10可由包含SiO2作为主要组分的透明玻璃材料形成。然而，第一基底10不限于此。第一基底10可以是由各种材料(例如，透明塑料、金属等)形成的任何基底。
辅助层11(例如，障碍层、阻挡层和/或缓冲层)可形成在第一基底10的上表面上，以减少或防止杂质离子的扩散以及湿气或外部空气的渗入，并使第一基底10的上表面平坦化。可根据各种合适的沉积方法(例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、大气压CVD(APCVD)和/或低压CVD(LPCVD))中的任意方法利用例如SiO2和/或SiNx来形成辅助层11。
然后，如图4所示，在辅助层11的上表面上形成TFT的有源层212和下电容器电极312。具体地说，首先在辅助层11的上表面上形成非晶硅层，然后使非晶硅层晶化以产生多晶硅层。可以使用诸如快速热退火(RTA)、固相晶化(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导晶化(MIC)、金属诱导横向晶化(MILC)和顺序横向固化(SLS)的各种方法中的任意方法来使非晶硅晶化。通过利用使用第一掩模的掩模工艺来将多晶硅层图案化以形成TFT的有源层212和下电容器电极312。
虽然在本实施例中有源层212和下电容器电极312彼此分开，但是有源层212和下电容器电极312可以一体地形成。
然后，如图5所示，在其上已形成有有源层212和下电容器电极312的第一基底10的整个表面上顺序地形成第一绝缘层13、第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16。
可通过根据合适的方法(例如PECVD、APCVD和/或LPCVD)沉积诸如SiNx或SiOx的无机绝缘材料来获得第一绝缘层13。第一绝缘层13设置在TFT的有源层212和栅极210之间以用作TFT的栅绝缘层，并且设置在上电容器电极310和下电容器电极312之间以用作电容器Cst的介电层。
第一导电层14可包括从诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明材料中选择的至少一种材料。然后，可将第一导电层14图案化以形成像素电极114、下栅极214、第一上电容器电极314和第一焊盘电极414。由于根据本发明实施例的有机发光显示装置1是朝向基底发光的底部发射型，所以像素电极114需要被形成为透明电极。因此，用于形成像素电极114的第一导电层14可由TCO形成。
第二导电层15可包括从银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、MoW和铜(Cu)中选择的至少一种。第二导电层15可具有三层结构，即，Mo-Al-Mo结构。然后，第二导电层15可被图案化以形成上栅极215、第二上电容器电极315和第二焊盘电极415。根据本发明的实施例，由于栅极210和焊盘电极410需要平稳地传输电流，所以仅由具有相对高的电阻的第一导电层14形成栅极210和焊盘电极410会带来问题。因此，应当形成由具有比用于形成第一导电层14的低电阻金属的电阻低的电阻的低电阻金属形成的第二导电层15，以允许TFT和焊盘电极410执行它们各自的功能。
第三导电层16可包括从诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明材料中选择的至少一种。然后，可仅在焊盘电极410中保留第三导电层16并因此可将第三导电层16图案化以形成第三焊盘电极416。第三导电层16可由非晶ITO(a-ITO)形成，然后可通过退火将其转变为p-ITO。在本发明的一个实施例中，可以在形成第一绝缘层13、第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16之后，并且在形成第二绝缘层17之前，可以使第三焊盘电极416退火来产生多晶氧化铟锡。可利用热、紫外线(UV)和/或激光来执行退火。即使未执行退火，也可以在制造有机发光显示装置1的过程中通过热处理和UV处理来使a-ITO晶化。由于第三导电层16转变为p-ITO，与比电阻值大于大约1000Ωcm的a-ITO相比，第三导电层16的比电阻值降低至大约250Ωcm和大约300Ωcm之间。p-ITO的蚀刻速度降低至a-ITO的蚀刻速度的大约1/10或更低。p-ITO的蚀刻速度不仅相对于作为用于湿蚀刻ITO的蚀刻剂的HCl和HNO3的水溶液降低，也相对于氢氟酸(HF)溶液、硝酸(HNO3)溶液和乙酸(CHCHOOH)溶液降低。换言之，包括p-ITO的第三焊盘电极可在制造有机发光显示装置1的过程中用作蚀刻停止件，并且即使在该工艺之后被曝光也不容易被侵蚀。
参照图5至图9，在第一基底10上形成用于形成像素电极114的第一电极图案110、上电容器电极310、栅极210和焊盘电极410。
具体地说，可根据利用半色调掩模M的掩模工艺将顺序地堆叠在第一基底10的整个表面上的第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16图案化。
首先，参照图5，利用半色调掩模M将第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16图案化。
半色调掩模M也被称作衍射掩模，并且包括用于阻挡光的阻挡区Mb、用于仅透射一部分光的半透射区Ma和用于透射全部光的透射区Mc。将感光层30涂覆在第三导电层16的上表面上并且感光层30具有第二厚度t2，将半色调掩模M的阻挡区Mb布置在将要形成焊盘电极410的焊盘区400中，将半色调掩模M的半透射区Ma布置在将要形成栅极210的晶体管区200、已经形成有上电容器电极310的存储区300以及将要形成像素电极114的发光区100中。接下来，使获得的结构经受诸如UV的光并使其显影。
参照图6，感光层30的对应于透射区Mc的部分被完全去除，对应于半透射区Ma的感光层31a保留并具有第一厚度t1，对应于阻挡区Mb的感光层31b保留得像原来一样，即，保留并具有第二厚度t2。由于一定量的光投射至半透射区Ma，所以第一厚度t1小于第二厚度t2。例如，第二厚度t2可以是大于第一厚度t1的第三导电层16的厚度。为了便于解释，将图6中示出的感光层图案称作第一感光层图案31。
然后，参照图7，通过使用第一感光层图案31作为掩模经蚀刻来将第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16图案化，从而形成均具有三个导电层的第一电极图案110a、栅极210a、上电容器电极310a和焊盘电极410a。
然后，参照图8，通过灰化将第一感光层图案31去除第一厚度t1那么多。因此，在用于形成第一电极图案110、栅极210和上电容器电极310的区域中的感光层图案31a被完全去除，并且在焊盘电极410的上表面上仅保留具有第三厚度t3的感光层图案32。作为从第二厚度t2去掉第一厚度t1的结果获得第三厚度t3，为了便于解释，将图8中的感光层图案32称作第二感光层图案32。
然后，参照图9，通过使用第二感光层图案32作为掩模经蚀刻来去除第三导电层16的分别对应于均具有三个导电层的电极图案110a、栅极210a和上电容器电极310a的上部的部分。因此，产生了具有用作下栅极214的第一导电层14和用作上栅极215的第二导电层15的栅极210以及具有作为下层以成为像素电极114的第一导电层14和作为上层115的第二导电层15的第一电极图案110。在焊盘区中，保留了具有用作第一焊盘电极414的第一导电层14、用作第二焊盘电极415的第二导电层15和用作第三焊盘电极416的第三导电层16的焊盘电极410。
栅极210被形成为与有源层212的中心对准，通过使用栅极210作为自对准掩模用n型或p型杂质对有源层212进行掺杂，以在有源层212的对应于栅极210的两侧的边缘上形成源区212s和漏区212d，并在源区212s和漏区212d之间形成沟道区212c。杂质可以是硼(B)离子或磷(P)离子。
然后，如图10所示，在已经形成有栅极210的第一基底10的整个表面上形成第二绝缘层17。
第二绝缘层17通过使用诸如旋涂的方法由从由聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、亚克力树脂、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种有机绝缘材料形成。第二绝缘层17被形成为具有足够的厚度，例如，比第一绝缘层13厚，并且第二绝缘层17被用作TFT的栅极210与源极218s和漏极218d之间的层间绝缘层。第二绝缘层17可不仅由上述有机绝缘材料形成，也可由诸如上面描述的用于形成第一绝缘层13的无机材料的无机绝缘材料形成。可选地，可通过交替地形成有机绝缘材料和无机绝缘材料来形成第二绝缘层17。
然后，如图11所示，第二绝缘层17被图案化以形成层间绝缘层17，层间绝缘层17包括暴露第一电极图案110的孔(第三孔H3和第四孔H4)H3和H4、暴露有源层212的源区212s和漏区212d的部分的接触孔(第一孔H1和第二孔H2)以及暴露焊盘电极410的孔(第五孔H5)。
具体地说，根据使用第三掩模的掩模工艺来将第二绝缘层17图案化，从而形成孔H1、H2、H3、H4和H5。第一孔H1和第二孔H2分别暴露源区212s和漏区212d的部分，第三孔H3和第四孔H4暴露构成第一电极图案110的上部(例如，上层115)的第二导电层15的至少部分。第五孔H5暴露构成焊盘电极410的上部(例如，第三焊盘电极416)的第三导电层16的至少部分。
如图11所示，第五孔H5被形成为不暴露焊盘电极410的侧表面，从而保护侧表面免受外部冲击的影响，从而保护焊盘电极不被腐蚀或者防止焊盘电极被腐蚀。
接下来，如图12所示，在第一基底10的整个表面上形成第四导电层18，以覆盖层间绝缘层17。
第四导电层18可由用于形成第一导电层14、第二导电层15和第三导电层16的导电材料中选择的材料形成，然而第四导电层18不限于此，并且可由任何各种其它合适的导电材料形成。将选择的导电材料沉积成足以填充孔H1、H2、H3、H4和H5的充足厚度。
然后，如图13所示，将图12中的第四导电层18图案化，以形成源极218s和漏极218d，暴露并形成像素电极114。
具体地说，根据使用第四掩模的掩模工艺将图12中的第四导电层18图案化，从而形成源极218s和漏极218d。
从源极218s和漏极218d中选择的一个电极(本实施例为漏极218d)被形成为通过第三孔H3接触像素电极114，其中，第三孔H3位于作为与图12中的将形成像素电极114的第一电极图案110的上部对应的上层115的第二导电层15(在图6中)的边缘区域中。
在形成源极218s和漏极218d的同时暴露并形成像素电极114。然后，本发明不限于此，可在形成源极218s和漏极218d之后经另外的蚀刻暴露并形成像素电极114。具体地说，图12中的第一电极图案110通过去除经第四孔H4暴露的第二导电层15来暴露像素电极114。因此，下栅极214和像素电极114由相同的层形成，因此，下栅极214和像素电极114由相同的材料形成。
由于上电容器电极310被第二绝缘层17覆盖，所以上电容器电极310没有被暴露，然而本发明不限于此。例如，可在图11中的第二绝缘层17中形成暴露上电容器电极310的一部分或全部的孔，并且可在图13中将通过该孔暴露的上电容器电极310的第二导电层15去除。在构成上电容器电极310的第二导电层15被去除之后，可额外执行对下电容器电极312掺杂杂质的工艺，以改善下电容器电极312的导电性。
然后，如图14所示，在第一基底10上形成像素限定层(PDL)19。
更具体地说，在其上已经形成有像素电极114以及源极218s和漏极218d的第一基底10的整个表面上形成第三绝缘层19。第三绝缘层19可通过使用诸如旋涂的方法由从由聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、亚克力树脂、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂组成的组中选择的至少一种有机绝缘材料形成。第三绝缘层19可由从SiO2、SiNx、A12O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5和Pr2O3组成的组中选择的无机绝缘材料形成，而不是由上述的有机绝缘材料形成。第三绝缘层19可通过将有机绝缘材料与无机绝缘材料交替而具有多层结构。
第三绝缘层19可根据情况而形成在焊盘区400中或不形成在焊盘区400中。即使第三绝缘层19形成在焊盘区400中，也可根据使用第五掩模的掩模工艺进一步形成暴露焊盘电极410的孔。
根据使用第五掩模的掩模工艺使第三绝缘层19图案化，从而形成暴露像素电极114的中心部分的第六孔H6。按这种方式限定像素。
然后，如图2所示，在暴露像素电极114的第六孔H6中形成包括发射层的中间层118和对向电极119。
可通过堆叠有机发射层(EML)和从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一个功能层来形成中间层118。
有机发射层可由低分子量有机材料或高分子量有机聚合物形成。
当有机发射层由低分子量有机材料形成时，通过在有机发射层的面向像素电极114的表面上堆叠空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)等，并在有机发射层的面向对向电极119的表面上堆叠电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等来获得中间层118。如果需要，可堆叠各种其它合适的层。可用于形成有机发射层的有机材料的示例包括任意各种合适的材料，例如铜酞菁(CuPc)、N，N-一(萘-1-基)-N、N′-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。
另一方面，当有机发射层由高分子量有机材料形成时，可通过在有机发射层的面向像素电极114的表面上仅堆叠空穴传输层(HTL)来形成中间层118。可通过喷墨印刷或旋涂在像素电极114的上表面上由聚-(2，4)-乙烯-二氧基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)等形成空穴传输层(HTL)。诸如聚苯撑乙烯(PPV)和聚芴的高分子量有机材料可被用作可用于形成有机发射层的有机材料。可通过诸如喷墨印刷、旋涂或使用激光的热转印法的传统方法来形成颜色图案。
对向电极119可形成在第一基底10的整个表面上，以作为共电极。在根据本实施例的有机发光显示装置1中，像素电极114用作阳极，对向电极119用作阴极。可选地，像素电极114可用作阴极，对向电极119可用作阳极。
当有机发光显示装置1是朝向第一基底10显示图像的底部发射型时，像素电极114是透明电极，对向电极119是反射电极。反射电极可通过薄地沉积诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或它们的组合的具有低逸出功的金属来形成。
可通过干蚀刻和/或湿蚀刻来实现形成有机发光显示装置所执行的每个掩模工艺过程中对堆叠的层的去除。
根据根据本发明实施例的底部发射型显示装置，在基底的最底部部分中形成与像素电极分开的金属层，而不改变使用的掩模的数量。因此，提高了像素电极的发光效率，并且确保了栅极的蚀刻特性，从而在显示装置的显示质量、工艺简化和失误减少方面得以改善。
虽然在上述实施例中示出了有机发光显示装置，但是本发明不限于此，可使用包括液晶显示器(LCD)的各种合适的显示装置。
虽然在上述实施例中示出了单个TFT和单个电容器，但是这种示出仅仅是为了便于解释，本发明不限于此。只要不增加使用的掩模工艺的数量，就可包括多个TFT和多个电容器。
根据本发明的实施例，简单地制造了有机发光显示装置，并且该有机发光显示装置包括提高了耐腐蚀性且降低了电阻的焊盘部分，从而改善了有机发光显示装置的可靠性。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此进行各种形式和细节上的改变。

Claims (17)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
薄膜晶体管，包括有源层和与有源层绝缘的栅极，所述栅极包括下栅极和上栅极，薄膜晶体管还包括均与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；
有机发光器件，电连接到薄膜晶体管并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的上层、包括发射层的中间层和对向电极，其中，像素电极、中间层和对向电极顺序地堆叠；
焊盘电极，电结合到薄膜晶体管或有机发光器件，并且包括形成在与形成有像素电极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上层的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，其中，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括覆盖栅极和焊盘电极的至少一个绝缘层，其中，绝缘层具有不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分的孔。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，焊盘电极的经所述孔暴露的部分电连接到用于供应电流的驱动器集成电路，以驱动有机发光显示装置。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，源极和漏极布置在所述至少一个绝缘层的上表面上。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，第三焊盘电极包括多晶氧化铟锡。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，下栅极、像素电极和第一焊盘电极包括透明导电氧化物。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，上栅极和第二焊盘电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu中选择的至少一种。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括电容器，所述电容器包括形成在与形成有有源层的层相同的层中的下电容器电极和形成在与形成有栅极的层相同的层中的上电容器电极，电容器电结合到薄膜晶体管。
9.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
第一掩模工艺，在基底上形成薄膜晶体管的有源层；
第二掩模工艺，在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层，然后将第一导电层、第二导电层和第三导电层图案化以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，所述栅极包括用作下栅极的第一导电层的一部分和用作上栅极的第二导电层的一部分，第一电极图案包括第一导电层的一部分和第二导电层的一部分，焊盘电极包括用作第一焊盘电极的第一导电层的一部分、用作第二焊盘电极的第二导电层的一部分和用作第三焊盘电极的第三导电层的一部分；
第三掩模工艺，在栅极、第一电极图案和焊盘电极的上表面上形成第二绝缘层，然后通过将第一绝缘层和第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的第一孔，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露第一电极图案的一部分和焊盘电极的一部分的第二孔；
第四掩模工艺，形成经所述第一孔接触有源层的源极和漏极，并由第一电极图案形成像素电极；
第五掩模工艺，形成暴露像素电极的至少一部分的像素限定层。
10.如权利要求9所述的方法，其中，第二掩模工艺包括：
在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层；
通过使用半色调掩模形成第一感光层图案，第一感光层图案在对应于栅极和第一电极图案的第一区域中具有第一厚度并且在对应于焊盘电极的第二区域中具有大于第一厚度的第二厚度；
通过使用第一感光层图案作为掩模来形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，在栅极、第一电极图案和焊盘电极中顺序地堆叠第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个；
通过将第一感光层图案去除第一厚度那么多来形成在第二区域中具有第三厚度的第二感光层图案；
通过使用第二感光层图案作为掩模去除位于第一区域的上部中的第三导电层，以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极。
11.如权利要求9所述的方法，在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前，还包括通过使第三焊盘电极退火来产生多晶氧化铟锡的步骤。
12.如权利要求9所述的方法，在第二掩模工艺之后且在第三掩模工艺之前，还包括通过对有源层掺杂杂质来形成源区和漏区的步骤。
13.如权利要求9所述的方法，其中，在第三掩模工艺中，第二孔形成在第二绝缘层中，从而不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分。
14.如权利要求13所述的方法，其中，焊盘电极的经第二孔暴露的部分电连接到供应电流的驱动器集成电路，以驱动有机发光显示装置。
15.如权利要求9所述的方法，其中，第四掩模工艺包括：
在第二绝缘层上形成第四导电层；
通过将第四导电层图案化来形成源极和漏极；
通过去除构成第一电极图案的第二导电层来形成包括第一导电层的像素电极。
16.如权利要求9所述的方法，其中，
第一掩模工艺还包括在与形成有有源层的层相同的层中形成下电容器电极，
第二掩模工艺还包括在下电容器电极的上表面上形成上电容器电极。
17.如权利要求9所述的方法，在第五掩模工艺之后，还包括在像素电极的上表面上形成包括发射层的中间层和对向电极。
CN201210051720.1A 2011-06-28 2012-03-01 有机发光显示装置及其制造方法 Active CN102856506B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110063035A KR101815256B1 (ko) 2011-06-28 2011-06-28 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR10-2011-0063035 2011-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102856506A CN102856506A (zh) 2013-01-02
CN102856506B true CN102856506B (zh) 2016-06-15

Family

ID=47389657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210051720.1A Active CN102856506B (zh) 2011-06-28 2012-03-01 有机发光显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9000523B2 (zh)
KR (1) KR101815256B1 (zh)
CN (1) CN102856506B (zh)
TW (1) TWI540619B (zh)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101881895B1 (ko) * 2011-11-30 2018-07-26 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
TWI495110B (zh) * 2013-03-22 2015-08-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
TWI495111B (zh) * 2013-03-22 2015-08-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製作方法
CN104124133B (zh) * 2013-04-24 2017-10-10 上海和辉光电有限公司 一种ltps产品中制造缓冲层的方法
KR20140128080A (ko) 2013-04-26 2014-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102077723B1 (ko) * 2013-05-23 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102116493B1 (ko) * 2013-05-23 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR20140137948A (ko) * 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
CN109994518B (zh) * 2013-05-30 2023-08-01 三星显示有限公司 有机发光显示设备
US20140353622A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9412799B2 (en) 2013-08-26 2016-08-09 Apple Inc. Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR102100372B1 (ko) 2013-08-28 2020-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2015047054A1 (ko) * 2013-09-30 2015-04-02 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자의 제조방법
KR102137474B1 (ko) 2013-10-18 2020-07-27 삼성디스플레이 주식회사 패드 전극 구조물 및 상기 패드 전극 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102096800B1 (ko) * 2013-11-26 2020-04-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
KR102205402B1 (ko) * 2014-02-05 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102322700B1 (ko) * 2014-05-23 2021-11-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
EP2966705B1 (en) 2014-07-11 2018-09-19 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
KR102230575B1 (ko) * 2014-08-05 2021-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102230692B1 (ko) * 2014-07-29 2021-03-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102238994B1 (ko) * 2014-07-17 2021-04-12 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102320186B1 (ko) * 2014-07-18 2021-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US9543370B2 (en) 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
KR102295537B1 (ko) * 2014-09-30 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102327087B1 (ko) * 2014-10-14 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102346675B1 (ko) * 2014-10-31 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102273876B1 (ko) * 2014-12-04 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
CN104538357B (zh) * 2015-01-13 2018-05-01 合肥京东方光电科技有限公司 制作阵列基板的方法和阵列基板
KR102452198B1 (ko) * 2015-05-28 2022-10-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102545253B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102561113B1 (ko) * 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
CN105679769A (zh) * 2016-01-27 2016-06-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft基板、显示装置以及制造方法
KR102505879B1 (ko) * 2016-03-24 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN105655359A (zh) * 2016-03-31 2016-06-08 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法
CN107527934B (zh) * 2016-06-17 2023-06-02 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
KR20180070774A (ko) * 2016-12-16 2018-06-27 삼성디스플레이 주식회사 기판, 전자 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
CN107093610B (zh) * 2017-05-24 2020-09-25 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN107134474B (zh) * 2017-06-12 2020-07-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器
KR102374754B1 (ko) * 2017-09-27 2022-03-15 엘지디스플레이 주식회사 터치 구조물을 포함하는 디스플레이 장치
CN107768412B (zh) * 2017-10-26 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法和显示面板
US10916617B2 (en) * 2018-05-04 2021-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device
TWI691104B (zh) * 2018-07-18 2020-04-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
US10850462B2 (en) * 2018-10-03 2020-12-01 Visera Technologies Company Limited Optical elements and method for fabricating the same
CN109659445A (zh) * 2018-12-19 2019-04-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其显示屏
KR20200143563A (ko) * 2019-06-13 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210012087A (ko) * 2019-07-23 2021-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210014233A (ko) 2019-07-29 2021-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN111146264B (zh) * 2020-02-06 2023-08-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
KR20210101363A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2021208449A1 (zh) * 2020-04-16 2021-10-21 神盾股份有限公司 光电传感器
US11374036B2 (en) * 2020-05-14 2022-06-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
US20220130930A1 (en) * 2020-10-23 2022-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20220060019A (ko) 2020-11-02 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN115605039A (zh) * 2021-06-21 2023-01-13 群创光电股份有限公司（Tw） 显示面板及电子装置
CN116613136A (zh) * 2022-02-09 2023-08-18 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101964330A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 乐金显示有限公司 阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100767357B1 (ko) 2000-09-22 2007-10-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20040084488A (ko) 2003-03-28 2004-10-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100579184B1 (ko) * 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR100692859B1 (ko) 2004-10-14 2007-03-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
EP1648033A3 (en) 2004-10-14 2008-04-23 LG Electronics Inc. Organic Electro-Luminescence display device and method of fabricating the same
KR100683737B1 (ko) * 2004-12-13 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 전계발광 디스플레이 장치
KR101152127B1 (ko) * 2005-05-27 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
KR101201310B1 (ko) * 2005-06-30 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 액정표시소자의 제조방법
KR100964227B1 (ko) * 2008-05-06 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이들의 제조 방법
KR101287968B1 (ko) * 2008-11-25 2013-07-19 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
KR101074788B1 (ko) 2009-01-30 2011-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101319096B1 (ko) * 2009-02-24 2013-10-17 엘지디스플레이 주식회사 탑 에미션 인버티드형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의제조방법
KR101065317B1 (ko) 2009-11-13 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101764272B1 (ko) * 2010-12-02 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20120126950A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR101873448B1 (ko) * 2011-07-15 2018-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101964330A (zh) * 2009-07-24 2011-02-02 乐金显示有限公司 阵列基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102856506A (zh) 2013-01-02
KR20130007050A (ko) 2013-01-18
TW201301364A (zh) 2013-01-01
US9000523B2 (en) 2015-04-07
US20150171152A1 (en) 2015-06-18
US20130001564A1 (en) 2013-01-03
KR101815256B1 (ko) 2018-01-08
US9184222B2 (en) 2015-11-10
TWI540619B (zh) 2016-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102856506B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US9219244B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
TWI559522B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US8659021B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN102468324B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
TWI545745B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US9012890B2 (en) Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
US8624249B2 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method for the same
JP5859802B2 (ja) 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
CN102856295A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20120104395A1 (en) Organinc light emitting display device and method of manufacturing the same
CN102420207B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
KR102116493B1 (ko) 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
TW201320328A (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
CN103178080A (zh) 有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法
KR101860861B1 (ko) 배선의 제조방법, 박막트랜지스터의 제조방법 및 평판표시장치의 제조방법
US8890148B2 (en) Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant