CN102856295A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、包括栅极底部电极和栅极顶部电极的栅电极、覆盖栅电极的绝缘层、位于绝缘层上的接触有源层的源电极和漏电极；有机发光器件，其被电连接到薄膜晶体管，且包括依次层叠的与栅极底部电极在相同层上的像素电极、发射层以及对立电极；与所述栅极底部电极在相同层上的焊盘底部电极和与栅极顶部电极在相同层上的焊盘顶部电极，焊盘顶部电极包括使焊盘底部电极暴露的开口，和位于焊盘底部电极的上表面上与绝缘层在相同层上的、覆盖焊盘顶部电极的上表面的绝缘图案。

Description

有机发光显示装置及其制造方法

相关专利申请的交叉引用

本申请要求已于2011年6月28日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2011-0063049的权益，其公开内容通过引用而整体合并于此。

技术领域

实施例涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

诸如有机发光显示装置或液晶显示装置的平板显示装置被制造在其上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及用于连接这些元件的布线的图案的基板上。

发明内容

根据实施例，提供了一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管，包括有源层、包括栅极底部电极和栅极顶部电极的栅电极、绝缘层、位于所述绝缘层上以接触所述有源层的源电极和漏电极；有机发光器件，被电连接到所述薄膜晶体管，且包括由与所述栅极底部电极相同的层组成的像素电极、包括发射层的中间层以及对立电极，所述像素电极、所述中间层和所述对立电极依次层叠；和焊盘电极，包括由与所述栅极底部电极相同的层组成的焊盘底部电极和由与所述栅极顶部电极相同的层组成的焊盘顶部电极，其中所述焊盘顶部电极包括使所述焊盘底部电极暴露的开口，和由与所述焊盘顶部电极相同的层组成的电极图案和覆盖所述电极图案的上表面且由与所述绝缘层相同的层组成的绝缘图案，其中所述电极图案和所述绝缘图案被形成在所述焊盘底部电极的通过所述开口被暴露到外部的上表面上。

所述焊盘底部电极和所述电极图案的通过所述开口被暴露到外部的侧部可以被配置为被电连接到提供电流以驱动所述有机发光显示装置的驱动器IC。

所述焊盘底部电极和所述电极图案的通过所述开口被暴露到外部的所述侧部可以被配置为通过导电球被电连接到所述驱动器IC。

所述电极图案可以被连接到所述焊盘顶部电极。

所述电极图案可以从所述焊盘顶部电极伸出到所述焊盘底部电极的通过所述开口被暴露到外部的至少中央部位。

所述电极图案可以包括使所述焊盘底部电极下方暴露的通孔。

所述焊盘底部电极和所述电极图案的所述侧部可以被配置为通过布置在所述通孔中的导电球被电连接到所述驱动器IC，且所述通孔的最大宽度大于所述导电球的最大宽度。

所述电极图案可以包括被连接到所述焊盘顶部电极的至少一个杆。

所述电极图案和所述绝缘图案可以具有相同的图案。

所述焊盘电极可以通过布线被电连接到所述薄膜晶体管或所述有机发光显示装置。

所述焊盘底部电极可以包括比所述焊盘顶部电极和所述电极图案具有更好耐腐蚀性的材料。

所述栅极底部电极、所述像素电极以及所述焊盘底部电极可以包括透明导电金属氧化物。所述栅极顶部电极、所述焊盘顶部电极以及所述电极图案可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu中的至少一种。

该有机发光显示装置可以进一步包括电容器，所述电容器包括由与所述有源层相同的层组成的电容器底部电极和由与所述栅极底部电极相同的层组成的电容器顶部电极，且所述电容器被电连接到所述薄膜晶体管。

根据实施例，提供一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：第一掩模操作，在该第一掩模操作中在基板上形成薄膜晶体管的有源层；第二掩模操作，在该第二掩模操作中在基板上形成用于形成像素电极的第一电极单元、栅电极和用于形成焊盘电极的第二电极单元；第三掩模操作，在该第三掩模操作中形成层间绝缘层，所述层间绝缘层具有使所述有源层的两侧上部暴露的接触孔、使所述第一电极单元的部分暴露的开口以及在所述第二电极单元的上表面上的具有预定形状的绝缘图案；第四掩模操作，在该第四掩模操作中形成通过所述接触孔接触所述有源层的源电极和漏电极，所述像素电极由所述第一电极单元形成，包括在所述绝缘图案下面形成的电极图案的所述焊盘电极由所述第二电极单元形成；和第五掩模操作，在该第五掩模操作中暴露使所述像素电极的至少一部分暴露的像素限定层。

所述电极图案和所述绝缘图案可以被形成为具有相同的图案。

所述第二掩模操作可以包括在所述基板上依次形成第一绝缘层、第一导电层以及第二导电层以覆盖所述有源层；和同时将所述第一导电层和所述第二导电层图案化到栅极底部电极和栅极顶部电极内以形成所述栅电极，并图案化到焊盘底部电极和焊盘顶部电极内以形成所述第二电极单元。

所述第四掩模操作可以包括：在所述层间绝缘层上形成第三导电层；通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和所述漏电极；和除去所述第二导电层的构成所述第一电极单元的部分以形成由所述第一导电层形成的所述像素电极，并且除去所述焊盘顶部电极的构成所述第二电极单元的部分以形成包括使所述焊盘底部电极暴露的开口和由所述第二导电层形成的所述电极图案的所述焊盘电极。

所述第三掩模操作可以包括在所述第一电极单元和所述第二电极单元、所述栅电极以及所述焊盘电极上形成所述第二绝缘层；和图案化所述第二绝缘层以形成所述接触孔、使所述第一电极单元的部分暴露的所述开口、使具有预定形状的所述绝缘图案和所述第二电极单元的部分暴露的开口。

所述第五掩模操作可以包括在所述基板的整个表面上形成第三绝缘层以覆盖所述源电极和所述漏电极；和通过图案化所述第三绝缘层形成所述像素限定层。

所述第一掩模操作可以进一步包括在所述基板上形成由与所述有源层相同的层组成的电容器底部电极。所述第二掩模操作可以进一步包括在所述电容器底部电极上形成电容器顶部电极。

在所述第五掩模操作之后，该方法可以进一步包括在所述像素电极上形成中间层和对立电极，所述中间层包括发射层。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例性实施例，上面和其它特征以及优点将变得更加明显，在附图中：

图1为图示根据实施例的有机发光显示装置的示意平面图；

图2为图示根据实施例的沿图1的线II-II’截取的有机发光显示装置的一部分的截面图；

图3至图11为图示根据实施例的制造图2的有机发光显示装置的方法的截面图；

图12A、图12B和图12C为图示根据实施例的包含于图2的有机发光显示装置中的焊盘电极的详细视图；以及

图13、图14A、图14B、图14C、图15和图16为图示根据其它实施例的包含于图2的有机发光显示装置中的焊盘电极的详细视图。

具体实施方式

在附图中将图示实施例并且在书面说明中将详细描述实施例。不过，实施例的说明并不旨在限制于实际的具体模式。应该理解，所有未脱离其精神和技术范围的变化、等同和替代都被包含于此。在说明中，当认为相关技术的某些具体解释可不必要混淆其本质时，则省略它们。

虽然例如“第一”、“第二”等之类的术语可用于描述多种组成元件，但组成元件不受这些术语限制。使用这些术语的目的仅在于将一个组成元件与另一个组成元件区分开来。

在本申请文件中使用的术语仅仅用于描述实施例，并不旨在限制本发明。单数中使用的表达包含复数的表达，除非在上下文中它具有明显不同的含义。在本申请文件中，应该理解，例如“包括”或者“具有”等的术语旨在指示申请文件所公开的特征、数目、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在，并不旨在排除一个以上其它特征、数目、步骤、动作、组件、部件或其组合可能存在或可能被增加的可能性。

将参照其中示出了示例性实施例的附图更加全面地描述实施例。

图1为图示根据实施例的有机发光显示(OLED)装置1的示意平面图。

参照图1，有机发光显示装置1可包括包含多个发光像素的第一基板10和通过密封可粘附到第一基板10的第二基板70。

薄膜晶体管(TFT)、有机发光器件EL以及电容器Cst可被形成在第一基板10上。同样，第一基板10可以为低温多晶硅(LTPS)基板、玻璃基板或塑料基板。

第二基板70可为布置于第一基板10上的封装基板以保护在第一基板10上形成的TFT、发光像素等不受外部的湿气或空气的影响。第二基板70可被布置为正对第一基板10，第一基板10和第二基板70可利用沿第一基板10和第二基板70的边缘设置的密封件90而互相结合。第二基板70可为玻璃基板、塑料基板或不锈钢(SUS)基板。

第一基板10可包括光从其发出的显示区域DA和显示区域DA之外的非显示区域NDA。根据实施例，密封件90可被布置在位于显示区域DA之外的非显示区域NDA上以由此将第一基板10和第二基板70结合。

如上所述，有机发光器件EL、用于驱动有机发光器件EL的TFT以及被电连接到这些元件的布线可被形成在第一基板10的显示区域DA中。非显示区域NDA可包括焊盘区域5，自显示区域DA的布线延伸的焊盘电极PAD位于焊盘区域5中。

图2为图示根据实施例的沿图1的线II-II’截取的有机发光显示装置1的一部分的截面图。

参照图2，有机发光显示装置1可包括晶体管区域2、存储区域3、光发射区域4以及焊盘区域5。

晶体管区域2可包括作为驱动元件的TFT。TFT可包括有源层21、栅电极20、源电极29以及漏电极27。栅电极20可由栅极底部电极23和被布置于栅极底部电极23上的栅极顶部电极25组成；栅极底部电极23可由透明导电材料形成。第一绝缘层12可被形成在栅电极20和有源层21之间以作为使栅电极20和有源层21绝缘的栅绝缘层。同样，掺杂有高浓度杂质的源极区域21s和漏极区域21d可被形成在有源层21的侧端，且源极区域21s和漏极区域21d可分别被连接到源电极29和漏电极27。

电容器Cst可被形成在存储区域3中。电容器Cst可包括第一绝缘层12介于其间的电容器底部电极31和电容器顶部电极33。电容器Cst的电容器底部电极31可以被形成在和TFT的有源层21相同的层上。电容器底部电极31可由半导体材料形成；电容器底部电极31可被掺入杂质，由此可具有增强的导电性。电容器Cst的电容器顶部电极33可以被形成在和TFT的栅极底部电极23以及有机发光器件EL的像素电极43相同的层上。

光发射区域4可包括有机发光器件OLED。有机发光器件OLED可包括被连接到TFT的源电极29和漏电极27其中之一的像素电极43、被布置为正对像素电极43的对立电极45、以及介于像素电极43和对立电极45之间的中间层44。有机发光器件OLED的像素电极43可由透明导电材料形成，并且可以与TFT的栅极底部电极23被形成在相同的层上且由相同的材料形成。

焊盘区域5可包括焊盘电极PAD。虽然在图2中未示出，但焊盘电极PAD可经布线(未示出)被电连接到TFT或有机发光器件OLED。同样，焊盘电极PAD可被电连接到提供电流以驱动有机发光显示装置1的驱动器IC(未示出)。因此，焊盘电极PAD可从驱动器IC接收电流并通过布线(未示出)将电流传输到显示区域DA(见图1)中的TFT或有机发光器件OLED。焊盘电极PAD可包括焊盘底部电极53和焊盘顶部电极55，焊盘底部电极53与栅电极20的栅极底部电极23形成在相同的层上且由相同的材料形成，而焊盘顶部电极55与栅电极20的栅极顶部电极25形成在相同的层上且由相同的材料形成。焊盘电极PAD可包括通过布线(未示出)被连接到显示区域DA(见图1)的第一连接部分50a和被连接到驱动器IC(未示出)的第二连接部分50b。第二连接部分50b可通过开口OP被暴露到外部，从而被电连接到外部的驱动器IC。第一连接部分50a可通过布线(未示出)被电连接到TFT或有机发光器件OLED，且可以被第二绝缘层14覆盖，从而与其它结构绝缘。

与焊盘电极PAD的第二连接部分50b对应的焊盘顶部电极55可包括使位于焊盘顶部电极55下面的焊盘底部电极53暴露的开口OP。由此，电极图案57和绝缘图案54可被布置在通过开口OP被暴露到外部的焊盘底部电极53的上表面。电极图案57可被连接到焊盘顶部电极55，并且可以与焊盘顶部电极55形成在相同的层上且由相同的材料形成。绝缘图案54可被形成在与作为层间绝缘层的第二绝缘层14相同的层上，且由和第二绝缘层14相同的材料形成。电极图案57和绝缘图案54可具有相同的图案。换言之，电极图案57的上表面可完全被绝缘图案54覆盖以至于电极图案57的上表面不被暴露到外部。焊盘底部电极53和电极图案57的通过开口OP被暴露到外部的侧部位通过导电球80(见图12)可被电连接到外部的驱动器IC(未示出)，正如下面参照图12C所详细描述的。应当理解的是，这里使用的术语“暴露到外部”可涉及在第二连接部分50b，包括例如焊盘底部电极53、电极图案57以及绝缘图案54被连接到外部的驱动器IC之前的条件。

根据实施例，具有预定形状的电极图案57可被布置于在焊盘电极PAD的第二连接部分50b中被暴露到外部的焊盘底部电极53上。电极图案57的上表面可被绝缘图案54覆盖从而未直接暴露到外部。焊盘底部电极53可包括比电极图案57具有更好的耐腐蚀性的材料。另外，电极图案57可包括相比焊盘底部电极53的材料具有较小电阻、电流容易流过的材料。例如，焊盘底部电极53可由诸如ITO、IZO、ZnO、或In₂O₃等的透明导电金属氧化物形成，电极图案57可由选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu构成的组中的至少一种材料形成。

下文中，将描述实施例的效果。例如，当第二连接部分50b仅由焊盘底部电极53构成以使得仅驱动器IC(未示出)与焊盘底部电极53电连接时，则可在大约40英寸以上的大型面板中产生电阻频散(resistance dispersion)，这样就降低了显示质量。在实验上，仅由焊盘底部电极53构成的焊盘的平均电阻为大约621Ω(欧姆)，其标准偏差为大约599Ω。当第二连接部分50b被形成为使得仅焊盘顶部电极55被暴露且由此仅驱动器IC(未示出)与焊盘顶部电极55互相电连接时，在这种情况下焊盘具有大约144Ω的平均电阻，其标准偏差为大约2Ω。也就是说，当第二连接部分50b被形成为使得仅焊盘顶部电极55被暴露时，虽然改善了电阻频散，但金属的焊盘顶部电极55可被直接暴露并由此容易腐蚀，并且在耐腐蚀性方面的这种减弱可降低有机发光显示装置1的可靠性。

然而，根据图2中所示的有机发光显示装置1的结构，电极图案57可被布置在焊盘底部电极53上，从而改善了电阻频散且减小了焊盘电极PAD的接触电阻。而且，因为绝缘图案54可被形成在电极图案57的上表面上，因此电极图案57的上表面可不被直接暴露到外部，从而提高了焊盘电极PAD的耐腐蚀性。

图3至图11为图示根据实施例的制造图2的有机发光显示装置1的方法的截面图。

首先，如图3中所示，在第一基板10上形成辅助层11。第一基板10可由包含作为主要成分的SiO₂的透明玻璃材料形成。第一基板10也可由透明塑料材料、金属或其它基板材料形成。

诸如障壁层、阻挡层和/或缓冲层的辅助层11防止在第一基板10的上表面上的杂质离子扩散到以及湿气或空气渗入第一基板10中，且可使第一基板10的表面平面化。辅助层11可被形成在第一基板10的上表面上。辅助层11可由SiO₂和/或SiN_x并利用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、常压CVD(APCVD)方法、低压CVD方法的各种沉积方法形成。

之后，如图4中所示，可在辅助层11上形成TFT的有源层21和电容器Cst的电容器底部电极31。详细地，首先，在辅助层11上沉积非晶硅层(未示出)，然后，使非晶硅层结晶化以形成多晶硅层(未示出)。可利用各种方法使非晶硅层结晶化，所述各种方法比如为快速热退火(RTA)方法、固相结晶化(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导结晶化(MIC)方法、金属诱导横向结晶化(MILC)方法以及连续横向固化(SLS)方法。而且，使用第一掩模(未示出)通过利用掩模操作可将多晶硅层图案化到TFT的有源层21和电容器Cst的电容器底部电极31中。

根据该当前实施例，有源层21和电容器底部电极31可以被分开，但它们也可以被形成为单个单元。

之后，如图5中所示，在其上形成有有源层21和电容器底部电极31的第一基板10上依次形成第一绝缘层12、第一导电层13以及第二导电层15。

通过利用PECVD方法、APCVD方法或LPCVD方法可沉积作为比如SiN_x或SiO_x的无机绝缘层的第一绝缘层12。第一绝缘层12可介于TFT的有源层21和栅电极20之间以起到栅绝缘层的作用，也可介于电容器顶部电极33和电容器底部电极31之间以起到电容器Cst的介质层的作用。

第一导电层13可包括选自诸如ITO、IZO、ZnO和In₂O₃的透明材料构成的组中的至少一种材料。随后，可将第一导电层13图案化到像素电极43、栅极底部电极23、电容器顶部电极33和焊盘底部电极53中。

第二导电层15可包括选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu构成的组中的至少一种材料。优选地，可以以Mo-Al-Mo的三层结构形式形成第二导电层15。随后，可将第二导电层15图案化到栅极顶部电极25、焊盘顶部电极55和电极图案57中。

第一导电层13可包括比第二导电层15具有更好耐腐蚀性的材料，第二导电层15可包括电阻小于第一导电层13、电流容易流过的材料。

之后，如图6中所示，在第一基板10上可形成栅电极20、第一电极单元40、第三电极单元30以及第二电极单元50。

详细地，使用第二掩模(未示出)在掩模操作中图案化在第一基板10的整个表面上依次层叠的第一导电层13和第二导电层15。

可在晶体管区域2中有源层21的上方形成栅电极20，栅电极20可包括由第一导电层13的一部分构成的栅极底部电极23和由第二导电层15的一部分构成的栅极顶部电极25。

这里，栅电极20可被形成为对应有源层21的中央部位；通过利用栅电极20作为自对准掩模，给有源层21掺入n型或p型杂质以在有源层21的侧端形成源极区域21s和漏极区域21d，且沟道区域21c介于其间。杂质可以为硼(B)离子或磷(P)离子。

在存储区域3中，可形成第三电极单元30，随后其将被形成在位于电容器底部电极31上的电容器顶部电极33内，在光发射区域4中，形成第一电极单元40，随后其将形成在像素电极43中。在焊盘区域5中，形成第二电极单元50，随后其将形成在焊盘电极PAD中。

之后，如图7中所示，在其上形成有栅电极20的第一基板10的整个表面上沉积第二绝缘层14。

使用选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂构成的组中的至少一种有机绝缘材料并通过利用比如旋涂方法的方法而形成第二绝缘层14。第二绝缘层14可被形成为具有足够的厚度，例如，具有大于第一绝缘层12的厚度的厚度，从而第二绝缘层14充当栅电极20与TFT的源电极和漏电极(图2的29和27)之间的层间绝缘层。第二绝缘层14不仅可由上述有机绝缘材料形成，而且类似于第一绝缘层12，其也可由无机绝缘材料形成，或通过交替地包括有机绝缘材料和无机绝缘材料而形成。

之后，如图8中所示，在第一基板10上形成层间绝缘层。也就是说，通过图案化第二绝缘层14而形成使第一电极单元40和第三电极单元30暴露的第三开口H3、第四开口H4和第五开口H5、使有源层21的源极区域21s和漏极区域21d的部分暴露的接触孔H1和H2以及绝缘图案54。

详细地，可使用第三掩模(未示出)利用掩模操作图案化作为层间绝缘层的第二绝缘层14以形成接触孔H1和H2、第三开口H3、第四开口H4和第五开口H5以及绝缘图案54。接触孔H1和H2分别使源极区域21s和漏极区域21d的部分暴露，第三开口H3和第四开口H4使第二导电层15的对应于第一电极单元40的上部的至少一部分暴露。第五开口H5使第二导电层15的对应于第三电极单元30的上部的至少一部分暴露。同样，可在第二电极单元50的第二连接部分50b中形成具有预定形状的绝缘图案54；绝缘图案54使第二导电层15的对应于第二电极单元50的上部的至少一部分暴露。绝缘图案54具有与接触孔H1和H2或第三开口H3至第五开口H5不同的预定的形状。

如图8中所示，可形成第三开口H3和第五开口H5以使第三电极单元30和第一电极单元40的整体暴露。可能为其它的构造。

之后，如图9中所示，可在第一基板10的整个表面上沉积第三导电层17以覆盖第二绝缘层14。

第三导电层17可由与上述第一导电层13或第二导电层15相同的材料形成。第三导电层17也可由其它导电材料形成。同样，第三导电层17的导电材料可被沉积为具有足够的厚度使得可填满接触孔H1和H2、第三开口H3、第四开口H4和第五开口H5、以及绝缘图案54之间的空间。

之后，如图10中所示，可图案化第三导电层17(见图9)以形成源电极29和漏电极27、像素电极43、电容器顶部电极33以及包括电极图案57的焊盘电极PAD。

详细地，可在掩模操作中使用第四掩模(未示出)图案化第三导电层17以形成源电极29和漏电极27。

源电极29和漏电极27其中之一，这里是漏电极27可被形成在第三开口H3中以通过作为第一电极单元40(见图8)的上部的第二导电层15的边缘部位接触像素电极43。

在形成源电极29和漏电极27的同时，也形成了像素电极43和电容器顶部电极33。在形成源电极29和漏电极27之后可通过蚀刻形成像素电极43和电容器顶部电极33。详细地，可从第一电极单元40(见图8)除去通过第四开口H4被暴露的第二导电层15的一部分以形成像素电极43。同样，可从第三电极单元30(见图8)除去通过第五开口H5被暴露的第二导电层15的一部分以形成电容器顶部电极33。通过除去第二电极单元50中(见图8)焊盘顶部电极55的除了对应于绝缘图案54的部分之外的部分而形成开口OP，从而形成电极图案57。因此，电极图案57和绝缘图案54具有相同的图案。电极图案57可被形成在如上所述的被电连接到驱动器IC(未示出)的第二连接部分50b内。

由此，栅极底部电极23、电容器顶部电极33以及像素电极43可被形成在相同的层上，并由相同的材料形成。

这里，通过经由第五开口H5注入n型或p型杂质而对电容器底部电极31掺杂。当对电容器底部电极31掺杂时待注入的杂质可与在对有源层21掺杂中使用的杂质相同或不同。

之后，如图11中所示，在第一基板10上可形成像素限定层(PDL)。

详细地，可在其上形成有像素电极43、源电极29和漏电极27、电容器顶部电极33和焊盘电极PAD的第一基板10的整个表面上沉积第三绝缘层16。使用选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂构成的组中的至少一种有机绝缘材料并通过利用比如旋涂方法的方法来形成第三绝缘层16。第三绝缘层16不仅可由上述有机绝缘材料形成，而且可由选自SiO₂、SiN_x、Al₂O₃、CuO_x、Tb₄O₇、Y₂O₃、Nb₂O₅和Pr₂O₃构成的组中的无机绝缘材料形成。同样，可以以其中有机绝缘材料和无机绝缘材料交替形成的多层结构的形式形成第三绝缘层16。

可选择地，可在焊盘区域5上沉积第三绝缘层16，或不必沉积第三绝缘层16。

通过利用其中使用第五掩模(未示出)的掩模操作来图案化作为PDL的第三绝缘层16，以形成使像素电极43的中央部位暴露的第七开口H7，并由此限定像素。

然后，如图2中所示，可在使像素电极43暴露的第七开口H7中形成包含有机发射层的中间层44和对立电极45。

可以按照层叠式结构形成中间层44，在该结构中，比如有机发射层(EML)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)的多种功能层的至少一种以单层结构或多层结构被层叠。

有机EML可包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。

当有机EML由低分子量有机材料形成时，中间层44可包括沿朝着像素电极43的方向环绕有机发射层的HTL和HIL、以及沿朝着对立电极45的方向的ETL和EIL。同样，根据需要可层叠其它层。有机材料的示例包括铜钛菁(CuPc)、N，N′-二萘-1-基-N，N′-联苯-联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。

当有机EML由聚合物有机材料形成时，中间层44可仅包括沿朝着像素电极43的方向的远离有机发射层的HTL。可通过利用喷墨印刷方法或旋涂方法使用聚-(2，4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)在像素电极43上形成HTL。这里使用的有机材料的示例包括比如聚苯乙炔(PPV)和聚芴的聚合物有机材料；可通过利用比如喷墨印刷方法、旋涂方法或激光诱导热成像(LITI)方法的方法形成有机EML。

在第一基板10的整个表面上可沉积作为公用电极的对立电极45。在根据该当前实施例的有机发光显示装置1中，像素电极43可被用作阳极，对立电极45可被用作阴极。不过也可以切换电极的极性。

当有机发光显示装置1为底部发射型显示装置，其中沿朝着第一基板10的方向形成图像时，像素电极43可为透明电极，对立电极45可为反射电极。通过使用比如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或这些的组合的具有低功函数的金属来沉积薄层而形成反射电极。

图12A、图12B和图12C为图示根据实施例的包含于图2的有机发光显示装置1中的焊盘电极PAD的详细视图。图13、图14A、图14B和图14C、图15以及图16为根据实施例的包含于图2的有机发光显示装置1中的焊盘电极PAD的详细视图。

参照图12A、图12B和图12C、图13、图14A、图14B和图14C、图15以及图16，可在由开口OP限定的第二连接部分50b中形成电极图案57，并且为了实现到驱动器IC(未示出)的稳定连接，可将电极图案57连接到焊盘顶部电极55以从焊盘顶部电极55伸出到对应于第二连接部分50b的焊盘底部电极53的至少中央部位。在所有实施例中，可形成绝缘图案54以覆盖电极图案57的上表面，因此，电极图案57的上表面没有被直接暴露到外部，从而提高了焊盘电极PAD的耐腐蚀性。

图12A为图示根据实施例的图2的焊盘电极PAD的示意平面图，图12B为图示沿图12A的线I-I’截取的焊盘电极PAD的截面图，而图12C为图示与驱动器IC 85连接的图12B的焊盘电极PAD的截面图。

参照图12A、图12B和图12C，电极图案57可包括使焊盘底部电极53暴露的通孔57a。为了能够将导电球80插入通孔57a中并由此易于通过导电球80将焊盘电极PAD电连接到驱动器IC 85，通孔57a的最大宽度Wa可大于可将焊盘电极PAD电连接到驱动IC 85的导电球80的最大宽度Wb。

图13为图示根据另一个实施例的焊盘电极PAD的示意平面图。可以改变通孔57a的数量以及其排列和形状。另外，电极图案57可包括各种突起57b。同样，可以改变其形状、位置和大小。

图14A为图示根据另一个实施例的焊盘电极PAD的示意平面图。图14B为沿图14A的线I-I’截取的焊盘电极PAD的截面图，而图14C为图示沿图14A的线III-III’截取的焊盘电极PAD的截面图。

参照图14A、图14B和图14C，电极图案57可包括被连接到焊盘顶部电极55的至少一个杆形(bar shape)。以杆形形成的电极图案57比其中形成有通孔57a(见图12)的电极图案57更加耐剧烈腐蚀。

图15和图16为图示根据其它实施例的焊盘电极PAD的示意平面图。不过，电极图案57的形状可具有其它形状。

如这里所述，为了在其上将形成平板显示装置的基板上形成包括TFT的微型图案，通过利用在其中形成有微型图案的掩模而将图案转印(transfer)到阵列基板。在制造上述有机发光显示装置1的方法的每个掩模操作中，利用干法刻蚀方法或湿法刻蚀方法除去层叠的层。

在利用掩模转印图案的操作中，首先，必须制备包括所需的图案的掩模，由此用于制备掩模的制造成本随着使用掩模的工艺的数量增加而增加。同样，因为需要处理上述复杂的操作，因此也使得制造工艺复杂化，且延长了制造时间，从而增加了制造成本。

根据实施例的底部发射型显示装置，无需增加掩模的数量，可在基板的最低部位中形成与像素电极分离的金属层。因此，提高了像素电极的发光效率且提供了栅电极的蚀刻特征，从而提高了显示装置的显示质量，简化了制造工艺且减少了显示装置的不足。

虽然作为示例描述了有机发光显示装置，但实施例也可应用于例如液晶显示装置的其它显示装置。

另外，虽然为便于描述，附图中仅图示了一个TFT和一个电容器，但无需增加掩模操作的数量而可包括多个TFT和多个电容器。

根据实施例，简化了有机发光显示装置的制造工艺，提高了焊盘部位的耐腐蚀性，降低了焊盘部位的接触电阻，从而增强了有机发光显示装置的可靠性。

虽然已具体示出本发明的实施例并参照示例性实施例对其进行了描述，但是本领域普通技术人员将会理解，可以在此对形式和细节方面进行各种改变，而不偏离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围。

Claims (21)

1.一种有机发光显示装置，包括：

薄膜晶体管，包括有源层、包括栅极底部电极和栅极顶部电极的栅电极、绝缘层、位于所述绝缘层上以接触所述有源层的源电极和漏电极；

有机发光器件，被电连接到所述薄膜晶体管，且包括由与所述栅极底部电极相同的层组成的像素电极、包括发射层的中间层以及对立电极，所述像素电极、所述中间层和所述对立电极依次层叠；和

焊盘电极，包括由与所述栅极底部电极相同的层组成的焊盘底部电极和由与所述栅极顶部电极相同的层组成的焊盘顶部电极，其中所述焊盘顶部电极包括使所述焊盘底部电极暴露的开口，以及

由与所述焊盘顶部电极相同的层组成的电极图案和覆盖所述电极图案的上表面且由与所述绝缘层相同的层组成的绝缘图案，其中所述电极图案和所述绝缘图案被形成在所述焊盘底部电极的通过所述开口被暴露到外部的上表面上。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘底部电极和所述电极图案的通过所述开口被暴露到外部的侧部被配置为被电连接到提供电流以驱动所述有机发光显示装置的驱动器IC。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘底部电极和所述电极图案的通过所述开口被暴露到外部的所述侧部被配置为通过导电球被电连接到所述驱动器IC。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电极图案被连接到所述焊盘顶部电极。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电极图案从所述焊盘顶部电极伸出到所述焊盘底部电极的通过所述开口被暴露到外部的至少中央部位。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电极图案包括使所述焊盘底部电极下方暴露的通孔。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘底部电极和所述电极图案的所述侧部被配置为通过布置在所述通孔中的导电球被电连接到驱动器IC，且所述通孔的最大宽度大于所述导电球的最大宽度。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电极图案包括被连接到所述焊盘顶部电极的至少一个杆。

9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述电极图案和所述绝缘图案具有相同的图案。

10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘电极通过布线被电连接到所述薄膜晶体管或所述有机发光显示装置。

11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘底部电极包括比所述焊盘顶部电极和所述电极图案具有更好耐腐蚀性的材料。

12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，

所述栅极底部电极、所述像素电极以及所述焊盘底部电极包括透明导电金属氧化物，并且

所述栅极顶部电极、所述焊盘顶部电极以及所述电极图案包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括电容器，所述电容器包括由与所述有源层相同的层组成的电容器底部电极和由与所述栅极底部电极相同的层组成的电容器顶部电极，且所述电容器被电连接到所述薄膜晶体管。

14.一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：

第一掩模操作，在该第一掩模操作中在基板上形成薄膜晶体管的有源层；

第二掩模操作，在该第二掩模操作中在基板上形成用于形成像素电极的第一电极单元、栅电极和用于形成焊盘电极的第二电极单元；

第三掩模操作，在该第三掩模操作中形成层间绝缘层，所述层间绝缘层具有使所述有源层的两侧上部暴露的接触孔、使所述第一电极单元的部分暴露的开口以及在所述第二电极单元的上表面上的具有预定形状的绝缘图案；

第四掩模操作，在该第四掩模操作中形成通过所述接触孔接触所述有源层的源电极和漏电极，所述像素电极由所述第一电极单元形成，包括在所述绝缘图案下面形成的电极图案的所述焊盘电极由所述第二电极单元形成；和

第五掩模操作，在该第五掩模操作中暴露使所述像素电极的至少一部分暴露的像素限定层。

15.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述电极图案和所述绝缘图案被形成为具有相同的图案。

16.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第二掩模操作包括：

在所述基板上依次形成第一绝缘层、第一导电层以及第二导电层以覆盖所述有源层；和

同时将所述第一导电层和所述第二导电层图案化到栅极底部电极和栅极顶部电极内以形成所述栅电极，并图案化到焊盘底部电极和焊盘顶部电极内以形成所述第二电极单元。

17.根据权利要求16所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第四掩模操作包括：

在所述层间绝缘层上形成第三导电层；

通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和所述漏电极；和

除去所述第二导电层的构成所述第一电极单元的部分以形成由所述第一导电层形成的所述像素电极，并且除去所述焊盘顶部电极的构成所述第二电极单元的部分以形成包括使所述焊盘底部电极暴露的开口和由所述第二导电层形成的所述电极图案的所述焊盘电极。

18.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第三掩模操作包括：

在所述第一电极单元和所述第二电极单元、所述栅电极以及所述焊盘电极上形成所述第二绝缘层；和

图案化所述第二绝缘层以形成所述接触孔、使所述第一电极单元的部分暴露的所述开口、使具有预定形状的所述绝缘图案和所述第二电极单元的部分暴露的开口。

19.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第五掩模操作包括：

在所述基板的整个表面上形成第三绝缘层以覆盖所述源电极和所述漏电极；知

通过图案化所述第三绝缘层形成所述像素限定层。

20.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中，

所述第一掩模操作进一步包括在所述基板上形成由与所述有源层相同的层组成的电容器底部电极，和

所述第二掩模操作进一步包括在所述电容器底部电极上形成电容器顶部电极。

21.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，在所述第五掩模操作之后，进一步包括在所述像素电极上形成中间层和对立电极，所述中间层包括发射层。

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