CN102420207B - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光显示设备及其制造方法。所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、具有栅底电极和栅顶电极的栅电极、源电极和漏电极；有机电致发光(EL)器件，电连接至所述TFT，并且包括位于与所述栅底电极相同的层处且具有与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠；第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料；以及第二焊盘电极，包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的第二焊盘底电极，和位于与所述栅顶电极相同的层处且具有与所述栅顶电极相同的材料的第二焊盘顶电极。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年9月24日递交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2010-0092853的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
例如有机发光显示设备或液晶显示设备的平板显示设备制造在包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及用于连接TFT和电容器的布线的基板上。
一般来说，为了在制造平板显示设备的基板上形成包括TFT的精细图案，通过利用其上形成有精细图案的掩膜将这种精细图案传递到阵列基板上。
一般来说，在光刻操作中通过利用掩膜传递图案。在光刻操作中，将光刻胶均匀涂覆在待形成图案的基板上，通过利用诸如步进机之类的曝光设备对光刻胶进行曝光，并且在利用正性光刻胶时，对曝光的光刻胶进行显影。此外，在对光刻胶进行显影之后，通过利用光刻胶的剩余部分作为掩膜刻蚀图案，然后去除光刻胶的剩余部分。
在如上所述的通过利用掩膜传递图案的操作中，预先制备包括必要图案的掩膜。因此，制备掩膜的成本随着利用掩膜的操作数目的增加而增加。此外，这种操作包括如上所述的复杂步骤。因此，总的制造时间和制造成本增加。
发明内容
根据本发明的示例性实施例提供一种有机发光显示设备及其制造方法，该有机发光显示设备可以通过简化的制造工艺来制造，并且由于提高了焊盘单元上的电阻均匀性而展示出提高的亮度。
根据本发明实施例的方面，提供了一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、包括栅底电极和栅顶电极的栅电极、源电极和漏电极；有机电致发光(EL)器件，电连接至所述TFT，并且包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠；第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料；以及第二焊盘电极，包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的第二焊盘底电极，和位于与所述栅顶电极相同的层处且包括与所述栅顶电极相同的材料的第二焊盘顶电极。
所述第二焊盘电极的两个相对端可以电连接至所述第一焊盘电极，并且所述第二焊盘电极可以在与所述第一焊盘电极平行的方向上延伸。
所述有机发光显示设备可以进一步包括用于覆盖所述第二焊盘电极的一个或多个绝缘层。
所述有机发光显示设备可以进一步包括用于覆盖所述TFT、所述有机EL器件、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极的至少部分的一个或多个绝缘层，其中所述一个或多个绝缘层中的至少一个绝缘层具有一个或多个开口，并且所述一个或多个开口和所述第二焊盘电极彼此不重叠。
所述第一焊盘电极的末端可以被暴露，并且可以电连接至用于供应用以驱动所述有机发光显示设备的电流的驱动器IC。
经由所述第一焊盘电极输入的电流的至少一部分可以经由所述第二焊盘电极被传输至所述TFT和所述有机EL器件。
所述栅底电极、所述像素电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘底电极可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以具有Mo-Al-Mo的三层结构。
根据按照本发明的实施例的另一方面，提供了一种有机发光显示设备，包括：位于基板上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的TFT的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的像素电极；栅底电极，位于所述有源层上且位于与所述像素电极相同的层处，并且包括与所述像素电极相同的材料；第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料，并且与所述栅底电极隔开；第二焊盘底电极，位于与所述第一焊盘电极相同的层处且包括与所述第一焊盘电极相同的材料，并且电连接至所述第一焊盘电极；位于所述栅底电极上的栅顶电极；第二焊盘顶电极，位于与所述栅顶电极相同的层上且包括与所述栅顶电极相同的材料，并且位于所述第二焊盘底电极上；第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅顶电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘顶电极的至少部分；以及位于所述第三绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极中之一接触所述像素电极。
所述第二焊盘电极可以具有U形，并且U形的第二焊盘电极的末端可以连接至所述第一焊盘电极。
经由所述第一焊盘电极输入的电流的至少一部分可以经由所述第二焊盘电极被传输至所述TFT和有机EL器件。
所述栅底电极、所述像素电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘底电极可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以具有Mo-Al-Mo的三层结构。
根据本发明实施例的再一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：执行第一掩蔽操作，用于在基板上形成TFT的有源层；执行第二掩蔽操作，用于在所述有源层上形成栅电极、第二焊盘电极以及用于形成像素电极和第一焊盘电极的电极图案；执行第三掩蔽操作，用于形成具有暴露所述有源层的两个相对端和所述电极图案的一部分的开口的层间绝缘层；执行第四掩蔽操作，用于形成分别接触所述有源层的被暴露的两个相对端的源电极和漏电极，并形成所述像素电极和所述第一焊盘电极；并且执行第五掩蔽操作，用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
所述执行第二掩蔽操作可以包括：在所述有源层上顺序沉积第二绝缘层、第一导电层和第二导电层；通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层，利用所述第一导电层作为栅底电极并利用所述第二导电层作为栅顶电极形成所述栅电极，并且利用所述第一导电层作为第二焊盘底电极并利用所述第二导电层作为第二焊盘顶电极形成所述第二焊盘电极。
所述执行第三掩蔽操作可以包括：在所述栅电极和所述电极图案上沉积第三绝缘层；并且通过图案化所述第三绝缘层形成用于暴露所述有源层的源区和漏区的部分以及所述电极图案的部分的开口。
所述执行第四掩蔽操作可以包括：在所述层间绝缘层上沉积第三导电层；并且通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和漏电极。
所述执行第四掩蔽操作可以包括：形成所述源电极和漏电极；并且通过去除第二导电层的构成所述电极图案的部分，利用第一导电层作为电极形成所述像素电极和所述第一焊盘电极。
所述执行第五掩蔽操作可以包括：在所述基板的顶面上堆叠第四绝缘层；并且通过图案化所述第四绝缘层形成所述像素限定层。
所述第一导电层可以包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
所述第二导电层可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
所述第二导电层可以具有Mo-Al-Mo的三层结构。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上及其它特征和方面将变得更加明显，附图中：
图1为示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的结构的平面图；
图2为沿图1的线II-II截取的截面图；
图3为沿图1的线III-III截取的示意性截面图；以及
图4至图12为用于简要描绘制造如图2所示底部发射型有机发光显示设备的工艺步骤的截面图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式具体体现，并且不应当被解释为限于这里所记载的实施例；更确切地说，提供这些实施例的目的在于使本公开内容全面完整，并且向本领域技术人员充分传达本发明的构思。
图1为示出根据本发明实施例的有机发光显示设备1的结构的平面图。
有机发光显示设备1包括具有薄膜晶体管(TFT)和发光像素的第一基板10以及经由封条/密封剂粘合到第一基板10的第二基板20。
多个TFT、多个有机电致发光(EL)器件和多个存储电容器Cst可以形成在第一基板10上。此外，第一基板10可以是结晶硅(例如，低温多晶硅(LTPS))基板、玻璃基板、塑料基板或不锈钢(SUS)基板等。
第二基板20可以是布置在第一基板10上以防止外部湿气和空气渗透到形成在第一基板10上的TFT和发光像素的封装基板。第二基板20被放置为面对第一基板10，并且第一基板10和第二基板20经由沿第一基板10和第二基板20的边缘布置的密封件90彼此粘合。第二基板20例如可以是透明玻璃基板或透明塑料基板。
第一基板10包括光从其发射的发光区DA以及环绕发光区DA的非发光区NDA。根据本发明的实施例，密封件90布置在非发光区NDA中以将第一基板10和第二基板20彼此粘合。
如上所述，有机EL器件、用于驱动有机EL器件的TFT以及电连接至有机EL器件和TFT的布线，形成在第一基板10的发光区DA中。此外，非发光区NDA可以包括焊盘区5，在该焊盘区5上，焊盘电极连接到发光区DA的布线。
这里，在根据本发明实施例的有机发光显示设备1中，焊盘区5包括第一焊盘电极514和第二焊盘电极52，其详细描述将参照图2在下面给出。
图2为沿图1的线II-II截取的截面图。
参见图2，根据本发明示例性实施例的有机发光显示设备1包括沟道区2、存储区3、发光区4和焊盘区5。
在沟道区2中，TFT被布置作为驱动器件。TFT包括有源层212、栅电极21以及源/漏电极217a和217b。栅电极21包括栅底电极214和栅顶电极215，其中栅底电极214可以由透明导电材料形成。第二绝缘层13插入栅电极21与有源层212之间用于在栅电极21与有源层212之间进行绝缘。此外，被密集掺杂且分别连接到源/漏电极217a和217b的源/漏区212a和212b形成在有源层212的两个相对侧上。
存储电容器Cst布置在存储区3中。存储电容器Cst包括电容器底电极312和电容器顶电极314，其中第二绝缘层13插入电容器底电极312与电容器顶电极314之间。这里，电容器底电极312可以通过利用与TFT的有源层212相同的材料形成在相同的层上。同时，电容器顶电极314可以通过利用与TFT的栅底电极214、有机EL器件的像素电极414、第一焊盘电极514和第二焊盘电极52的第二焊盘底电极(图3的524)相同的材料形成在相同的层上。
发光区4包括有机EL器件。有机EL器件包括连接到TFT的源电极217a或漏电极217b的像素电极414、形成为面对(或相对)像素电极414的对电极420以及插入像素电极414与对电极420之间的中间层419。像素电极414由透明导电材料形成，并且可以通过利用与TFT的栅底电极214相同的材料形成在相同的层上。
焊盘区5包括第一焊盘电极514和第二焊盘电极52(图1所示)，其中第二焊盘电极52包括第二焊盘底电极(图3的524)和第二焊盘顶电极(图3的525)。
这里，第一焊盘电极514和第二焊盘底电极(图3的524)可以通过利用与TFT的栅底电极214、电容器顶电极314和有机EL器件的像素电极414相同的材料形成在相同的层上。此外，第二焊盘顶电极(图3的525)可以通过利用与栅顶电极215相同的材料形成在相同的层上。焊盘区5的详细描述将在下面给出。
图3为沿图1的线III-III截取的示意性截面图。
参见图1、2和3，根据本发明实施例的有机发光显示设备1被形成为具有包括第一焊盘电极514和第二焊盘电极52的焊盘区5。
详细地说，相对于传统的有机发光显示设备，焊盘电极一般通过图案化用于形成源/漏电极217a和217b的第三导电层(图10的17)来形成，并且第三导电层(图10的17)一般由Mo-Al-Mo形成。然而，这种由Mo-Al-Mo形成的焊盘电极通常容易腐蚀。因此，已引入通过利用透明电极(例如由ITO形成的透明电极)形成焊盘电极的方法。详细地说，根据一个实施例，栅电极可以具有双层结构，例如包括栅底电极214和栅顶电极215的栅电极21。这里，栅底电极214可以包括从诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的透明材料中选择的一种或多种材料，而栅顶电极215可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu或其组合物中选择的一种或多种材料。此外，已引入通过利用用于形成栅底电极214的第一导电层(图6的14)形成焊盘电极的方法。然而，如果焊盘电极通过利用如上所述的ITO形成，则由于ITO具有相对高的电阻，因而进入发光区DA的电流中的大部分仅在ITO焊盘电极的接近发光区DA的部分中流动，并且从ITO焊盘电极下面进入的电流沿相对高电阻的路径行进，直到电流最终输入发光区DA。因此，焊盘电极中接触电阻的均匀性相对较低，因而发光区DA的亮度相对较低。
因此，在根据本发明实施例的有机发光显示设备1中，焊盘区5被形成为包括第一焊盘电极514和第二焊盘电极52。
这里，第二焊盘电极52也可以具有U形，并且U形的第二焊盘电极的末端连接至第一焊盘电极514。例如，根据一个实施例的第二焊盘电极52被形成为从第一焊盘电极514的末端分叉、在与第一焊盘电极514平行的方向上延伸并且与第一焊盘电极514再接合的旁路电极。这里，第一焊盘电极514可以被形成为包括从诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3之类的透明材料中选择的一种或多种材料的单层，经由开口H6被暴露，并且与用于供应用以驱动有机发光显示设备的电流的驱动器IC相接触。第二焊盘电极52可以被形成为包括第二焊盘顶电极525和第二焊盘底电极524的双层。这里，第二焊盘底电极524可以通过利用与第一焊盘电极514相同的材料形成在相同的层上。第二焊盘顶电极525可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW或Al/Cu中选择的一种或多种材料，并且可以形成为具有Mo-Al-Mo的三层结构。此外，第二焊盘电极52被形成为由第三绝缘层16覆盖，使得第二焊盘电极52不被暴露。
在这种情况下，从第一焊盘电极514上面进入的电流经由第一焊盘电极514直接进入发光区DA，而从第一焊盘电极514下面进入的电流大部分被传输到具有相对较低电阻的第二焊盘底电极524，并且经由第二焊盘底电极524而不是经由具有相对较高电阻的第一焊盘电极514输入发光区DA。
因此，传统ITO单焊盘电极的问题得以解决。换言之，在相关技术中，仅由ITO形成的第一焊盘电极514可能展示出过高的电阻。然而，电流为到达发光区DA而行进的路径的电阻可以通过增加包括Mo-Al-Mo且具有相对较低电阻的第二焊盘电极52而减小。因此，第一焊盘电极514和第二焊盘电极52中的接触电阻的均匀性得以提高，因而亮度均匀性得以提高。此外，由于第三绝缘层16防止由容易腐蚀的Mo-Al-Mo所形成的第二焊盘电极52暴露于外部元素，因此有机发光显示设备1的可靠性也得以提高。
下文中，将简要描述制造如图2所示的底部发射型有机发光显示设备的工艺。图4至图12为用于简要描绘制造如图2所示的底部发射型有机发光显示设备的工艺步骤的截面图。
首先，如图4所示，第一绝缘层11形成在基板(例如，第一基板)10上。例如，基板10可以由基于SiO2的透明玻璃材料形成。然而，本发明不限于此，并且基板10可以由诸如透明塑料材料或金属之类的各种合适材料中任意材料形成。
第一绝缘层11可以形成在基板10的顶面上作为障壁层和/或缓冲层，用于防止或减少杂质离子的扩散、用于防止或减少湿气和外部空气的渗透、并且用于对基板10的顶面进行平坦化。第一绝缘层11可以通过利用诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、常压CVD(APCVD)或低压CVD(LPCVD)之类的各种沉积方法中的任意方法沉积SiO2和/或SiNx而形成。
接下来，如图5所示，TFT的有源层212和存储电容器Cst的电容器底电极312形成在第一绝缘层11的顶面上。例如，首先在第一绝缘层11的顶面上沉积非晶硅，并且通过对沉积的非晶硅进行结晶而形成多晶硅层(未示出)。非晶硅可以利用例如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)或连续横向固化(SLS)的各种合适方法中的任意方法来结晶。此外，这种多晶硅层在利用第一掩膜(未示出)的掩蔽操作中被图案化成TFT的有源层212和电容器Cst的电容器底电极312。
尽管在本实施例中，有源层212和电容器底电极312分开形成，但有源层212和电容器底电极312也可以形成为单体。
接下来，如图6所示，第二绝缘层13、第一导电层14和第二导电层15以所述顺序沉积在形成有源层212和电容器底电极312的基板10的顶面上(例如，上方或上面)。
第二绝缘层13可以通过利用诸如PECVD、APCVD或LPCVD之类的方法沉积由SiNx或SiOx形成的无机绝缘膜而形成。第二绝缘层13插入TFT的有源层212与栅电极21(图7所示)之间，且用作TFT的栅绝缘层，并且插入电容器顶电极314(图7所示)与电容器底电极312之间，且用作电容器Cst的介电层。
第一导电层14可以包括从包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明材料中选择的一种或多种材料。第一导电层14可以随后被图案化成像素电极414(图7所示)、栅底电极214(图7所示)、电容器顶电极314(图7所示)、第一焊盘电极514(图7所示)以及第二焊盘底电极524(图3所示)。
第二导电层15可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W或MoW中选择的一种或多种材料。在一个实施例中，第二导电层15可以形成为具有Mo-Al-Mo的三层结构。第二导电层15可以随后被图案化成栅顶电极215(图7所示)和第二焊盘顶电极525(图3所示)。
接下来，如图7所示，栅电极21、电极图案30、40和50以及第二焊盘电极52(图3所示)被形成在基板10上。
详细地说，顺序堆叠在基板10顶面上的第一导电层14和第二导电层15在利用第二掩膜(未示出)的掩蔽操作中被图案化。
这里，栅电极21形成在沟道区2中的有源层212的顶部，并且栅电极21包括由第一导电层14的一部分形成的栅底电极214和由第二导电层15的一部分形成的栅顶电极215。
这里，栅电极21形成为与有源层212的中心(例如，沟道区)相对应，并且源/漏区212a和212b被形成在有源层212的与栅电极21的两个相对端相对应的两个相对端处，其中沟道区插入源/漏区212a和212b之间。源/漏区212a和212b通过利用栅电极21作为掩膜将n型或p型杂质注入有源层212中而形成。
在存储区3中，用于随后形成电容器顶电极314的电极图案30形成在电容器底电极312的顶部上。在发光区4中，用于随后形成像素电极414的电极图案40被形成。
此外，用于随后形成焊盘电极的电极图案50被形成在焊盘区5中。此外，第二焊盘电极52形成在焊盘区5中，其中第二焊盘电极52包括由第一导电层14的一部分形成的第二焊盘底电极524(图3所示)以及由第二导电层15的一部分形成的第二焊盘顶电极525(图3所示)。
接下来，如图8所示，第三绝缘层16被沉积在形成栅电极21的基板10的顶面上。
第三绝缘层16通过利用诸如旋涂之类的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料形成。第三绝缘层16被形成为具有例如大于第二绝缘层13的厚度，并且用作TFT的栅电极21与源/漏电极217a和217b(图11所示)之间的层间绝缘层。此外，第三绝缘层16不仅可以由如上所述的有机绝缘材料形成，而且可以与第二绝缘层13一样由无机材料形成。可替代地，第三绝缘层16可以通过交替堆叠有机绝缘材料层和无机绝缘材料层而形成。
接下来，如图9所示，第三绝缘层16被图案化为具有用于暴露电极图案30、40和50以及源/漏区212a和212b的开口H1至H6。
例如，开口H1至H6通过在利用第三掩膜(未示出)的掩蔽操作中对第三绝缘层16进行图案化而形成。这里，开口H1和H2分别暴露源/漏区212a和212b的部分，开口H3和H4暴露第二导电层15的构成电极图案40的上部分的部分，开口H5暴露第二导电层15的构成电极图案30的上部分的部分，并且开口H6暴露第二导电层15的构成电极图案50的上部分的部分。
接下来，如图10所示，第三导电层17被沉积在基板10的顶面上以覆盖层间绝缘层16。
第三导电层17可以由从如上所述的用于形成第一导电层14或第二导电层15的材料中选择的导电材料形成。然而，本发明不限于此，并且第三导电层17可以由各种合适导电材料中的任意材料形成。此外，导电材料被沉积至足以填充开口H1至H6的厚度。
接下来，如图11所示，源/漏电极217a和217b、像素电极414、电容器顶电极314和第一焊盘电极514通过对第三导电层17进行图案化而形成。
例如，源/漏电极217a和217b可以通过在利用第四掩膜(未示出)的掩蔽操作中对第三导电层17进行图案化而形成。
这里，源/漏电极217a和217b之一(在本实施例中为217a)被形成为经由位于第二导电层15的在用于形成像素电极414的电极图案40上的一部分处的开口H3连接至像素电极414。
在形成源/漏电极217a和217b之后，像素电极414和电容器顶电极314可以通过进一步刻蚀第二导电层15而形成。例如，像素电极414可以通过去除第二导电层15的与开口H4所暴露的电极图案40相对应的部分而形成。此外，电容器顶电极314可以通过去除第二导电层15的与开口H5所暴露的电极图案30相对应的部分而形成。此外，第一焊盘电极514可以通过去除第二导电层15的与开口H6所暴露的电极图案50相对应的部分而形成。
因此，在一个实施例中，栅底电极214、电容器顶电极314、像素电极414、第一焊盘电极514和第二焊盘底电极524通过利用相同的材料形成在相同的层上。
这里，电容器底电极312可以通过经由开口H5注入n型或p型杂质而被掺杂。该杂质可以与注入有源层212的杂质相同或不同。
接下来，如图12所示，像素限定层(PDL)形成在基板10上。
例如，第四绝缘层18可以沉积在其上形成有像素电极414、源/漏电极217a和217b、电容器顶电极314和第一焊盘电极514的基板10的顶面上。这里，第四绝缘层18可以通过诸如旋涂之类的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料形成。此外，第四绝缘层18还可以由从SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3或其组合物中选择的有机绝缘材料形成。此外，第四绝缘层18可以通过交替堆叠有机绝缘材料层和无机绝缘材料层而形成。
PDL18可以通过在利用第五掩膜(未示出)的掩蔽操作中对第四绝缘层18进行图案化而形成用于暴露像素电极414的中心的开口H7被形成。
接下来，如图2所示，包括发射层的中间层419以及对电极420形成在暴露像素电极414的开口H7中。
中间层419可以通过以单结构或复合结构堆叠发射层(EML)和诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)之类的一个或多个功能层而形成。
中间层419可以由有机单体材料或有机聚合物材料形成。
在通过利用有机单体材料形成中间层419时，HTL和HIL被堆叠在EML与像素电极414之间，而ETL和EIL被堆叠在EML与对电极420之间。此外，如果需要可以堆叠各种层中的任意层。此外，可以向其施加诸如铜钛菁(CuPc)、N，N′-二萘-1-基-N，N′-联苯-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)之类的各种合适有机材料中的任意材料。
在通过利用有机聚合物材料形成中间层419时，可以在EML与像素电极414之间仅堆叠HTL。HTL可以通过利用诸如喷墨印刷或旋涂之类的方法利用聚-(2，4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)而形成在像素电极414上。这里，可以使用基于聚苯乙炔(PPV)或聚芴之类的合适有机聚合物材料中的任意材料，并且彩色图案可以通过利用诸如喷墨印刷、旋涂或利用激光的热传递之类的一般方法形成。
对电极420可以沉积在基板10的顶面上作为公共电极。在根据本实施例的有机发光显示设备的情况下，像素电极414用作阳极，而对电极420用作阴极。在其它实施例中，电极的极性可以相反。
在图像朝向基板10发射的底部发射型有机发光显示设备的情况下，像素电极414变成透明电极，而对电极420变成反射电极。这里，反射电极可以通过将具有小功函数的金属沉积为薄膜而形成，例如通过沉积Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或其化合物而形成。
在如上所述用于形成有机发光显示设备的每个掩蔽操作中，堆叠层可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀来去除。
在根据本发明实施例的底部发射型有机发光显示设备中，在不增加用于掩蔽操作的掩膜数目的情况下，以与像素电极隔离的形式在基板的最底部形成金属层，以提高像素电极的发光效率并且保证栅电极的刻蚀特性。因此，有机发光显示设备的显示质量得以提高，用于制造有机发光显示设备的工艺得以简化，并且制造出的有机发光显示设备的缺陷都得以减少。
尽管以上参考某些示例性实施例描述了本发明的有机发光显示设备，但本发明不限于此，并且可以应用于诸如液晶显示设备之类的各种显示设备中的任意一种。
此外，尽管用于描述本发明实施例的附图示出了仅仅一个TFT和一个电容器，但这只是为了说明的方便，并且本发明不限于此。只要不增加根据本发明的掩蔽操作的数目，就可以采用多个TFT和多个电容器。
尽管已参考本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，在不背离如所附权利要求书及其等同物所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对其进行各种改变。

Claims (23)

1.一种有机发光显示设备，包括：
薄膜晶体管，包括：有源层；包括栅底电极和栅顶电极的栅电极；源电极；和漏电极；
有机电致发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，并且包括：位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠；
第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料；以及
第二焊盘电极，包括：第二焊盘底电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料；和第二焊盘顶电极，位于与所述栅顶电极相同的层处且包括与所述栅顶电极相同的材料，
其中所述第二焊盘电极的两个相对端电连接至所述第一焊盘电极，并且所述第二焊盘电极从所述第一焊盘电极的一个末端分叉，在与所述第一焊盘电极平行的方向上延伸并且与所述第一焊盘电极再接合。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括用于覆盖所述第二焊盘电极的一个或多个绝缘层。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括用于覆盖所述薄膜晶体管、所述有机电致发光器件、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极的至少部分的一个或多个绝缘层，
其中所述一个或多个绝缘层中的至少一个绝缘层具有一个或多个开口，并且
所述一个或多个开口和所述第二焊盘电极彼此不重叠。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一焊盘电极的末端被暴露，并且电连接至用于供应用以驱动所述有机发光显示设备的电流的驱动器IC。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中经由所述第一焊盘电极输入的电流的至少一部分经由所述第二焊盘电极被传输至所述薄膜晶体管和所述有机电致发光器件。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅底电极、所述像素电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘底电极包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极具有Mo-Al-Mo的三层结构。
9.一种有机发光显示设备，包括：
位于基板上的第一绝缘层；
位于所述第一绝缘层上的薄膜晶体管的有源层；
覆盖所述有源层的第二绝缘层；
位于所述第二绝缘层上的像素电极；
栅底电极，位于所述有源层上且位于与所述像素电极相同的层处，并且包括与所述像素电极相同的材料；
第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料，并且与所述栅底电极隔开；
第二焊盘底电极，位于与所述第一焊盘电极相同的层处且包括与所述第一焊盘电极相同的材料，并且电连接至所述第一焊盘电极；
位于所述栅底电极上的栅顶电极；
第二焊盘顶电极，位于与所述栅顶电极相同的层上且包括与所述栅顶电极相同的材料，并且位于所述第二焊盘底电极上；
第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅顶电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘顶电极的至少部分；以及
位于所述第三绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极中之一接触所述像素电极，
其中所述第二焊盘电极的两个相对端电连接至所述第一焊盘电极，并且所述第二焊盘电极从所述第一焊盘电极的一个末端分叉，在与所述第一焊盘电极平行的方向上延伸并且与所述第一焊盘电极再接合。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二焊盘电极具有U形，并且
U形的第二焊盘电极的末端连接至所述第一焊盘电极。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中经由所述第一焊盘电极输入的电流的至少一部分经由所述第二焊盘电极被传输至所述薄膜晶体管和有机电致发光器件。
12.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述栅底电极、所述像素电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘底电极包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
13.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示设备，其中所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极具有Mo-Al-Mo的三层结构。
15.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
执行第一掩蔽操作，用于在基板上形成薄膜晶体管的有源层；
执行第二掩蔽操作，用于在所述有源层上形成栅电极、第二焊盘电极以及用于形成像素电极和第一焊盘电极的电极图案；
执行第三掩蔽操作，用于形成具有暴露所述有源层的两个相对端和所述电极图案的一部分的开口的第三绝缘层；
执行第四掩蔽操作，用于形成分别接触所述有源层的被暴露的两个相对端的源电极和漏电极，并形成所述像素电极和所述第一焊盘电极；并且
执行第五掩蔽操作,用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层，
其中所述第二焊盘电极的两个相对端电连接至所述第一焊盘电极，并且所述第二焊盘电极从所述第一焊盘电极的一个末端分叉，在与所述第一焊盘电极平行的方向上延伸并且与所述第一焊盘电极再接合。
16.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述执行第二掩蔽操作包括：
在所述有源层上顺序沉积第二绝缘层、第一导电层和第二导电层；
通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层，利用所述第一导电层作为栅底电极并利用所述第二导电层作为栅顶电极形成所述栅电极，并且利用所述第一导电层作为第二焊盘底电极并利用所述第二导电层作为第二焊盘顶电极形成所述第二焊盘电极。
17.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述执行第三掩蔽操作包括：
在所述栅电极和所述电极图案上沉积所述第三绝缘层；并且
通过图案化所述第三绝缘层形成用于暴露所述有源层的源区和漏区的部分以及所述电极图案的部分的开口。
18.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述执行第四掩蔽操作包括：
在所述第三绝缘层上沉积第三导电层；并且
通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和漏电极。
19.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述执行第四掩蔽操作包括：
形成所述源电极和漏电极；并且
通过去除第二导电层的构成所述电极图案的部分，利用第一导电层作为电极形成所述像素电极和所述第一焊盘电极。
20.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述执行第五掩蔽操作包括：
在所述基板的顶面上堆叠第四绝缘层；并且
通过图案化所述第四绝缘层形成所述像素限定层。
21.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第一导电层包括ITO、IZO、ZnO和In2O3中的一种或多种。
22.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二导电层包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。
23.根据权利要求16所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二导电层具有Mo-Al-Mo的三层结构。
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