CN102468324B - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。有机发光显示设备包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、栅电极和源/漏电极；电连接至TFT的有机电致发光器件，有机电致发光器件包括：以所描述的顺序堆叠的形成在与栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极；和电容器，包括：底电极，形成在与有源层相同的层上并由与有源层相同的材料形成，并且利用杂质进行掺杂；顶电极，形成在与栅电极相同的层上；和金属扩散介质层，形成在与源/漏电极相同的层上并连接至底电极。根据有机发光显示设备及其制造方法，由于掩膜数目减小，因此可以实现成本降低和制造工艺简化。此外，可以降低由粗糙掺杂的电容器所导致的电阻增大的可能性。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
优先权要求
本申请引用早先于2010年10月28日递交韩国知识产权局因而被正式分配序列号10-2010-0106021的申请，将其合并于此，并要求其优先权和所有权益。
技术领域
本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地说，涉及可以利用相对小数目的掩蔽操作制造并可以解决电容器中的粗糙掺杂的有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术
有机发光显示设备在制造在形成有薄膜晶体管(TFT)、电容器和将薄膜晶体管和电容器彼此连接的布线的基板上。
一般来说，为了形成具有TFT的精细结构图案，这种精细图案通过利用包括精细图案的掩膜被传递到用于制造有机发光显示设备的基板。
一般来说，光刻操作被执行以通过利用掩膜来传递图案。在光刻操作中，光刻胶被均匀施加到基板上，光刻胶通过利用曝光器(例如，步进器)而曝光，并且在正性光刻胶的情况下，曝光的光刻胶被显影。此外，在光刻胶被显影之后，图案通过利用残留的光刻胶作为掩膜被刻蚀，并且不需要的光刻胶被去除。
在通过利用掩膜传递图案的这种操作中，应当制备具有必需图案的掩膜。因此，随着利用掩膜的操作数目增加，总制造成本由于制备掩膜的成本而增加。因此，需要尽可能地减少利用掩膜的次数。
同时，为了减少利用掩膜的次数，可以考虑利用多晶硅并随后向其中掺入杂质而与有源层一起形成电容器的电极之一。在这种情况下，如果多个区域作为单层一次形成以减少利用掩膜的次数，则电容器电极会被在掺入杂质之前形成的薄膜层覆盖，因此电容器电极无法进行均匀掺杂。如果电容器电极不均匀掺杂，则电阻增大，因而不能保证期望的电容。因此，需要减少利用掩膜的次数，并避免由于粗糙的杂质注入而导致的电阻增大。
发明内容
本发明提供一种改进的有机发光显示设备及其制造方法，其可以利用相对小数目的掩蔽操作来制造，并且可以解决电容器中的粗糙掺杂。
根据本发明的方面，提供一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；电连接至所述TFT的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：以所描述的顺序堆叠的形成在与所述栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极；以及电容器，包括：底电极，形成在与所述有源层相同的层上并由与所述有源层相同的材料形成，并且利用杂质进行掺杂；顶电极，形成在与所述栅电极相同的层上；和金属扩散介质层，形成在与所述源/漏电极相同的层上并连接至所述底电极。
所述栅电极可以包括：第一电极，形成在与所述像素电极相同的层上并由与所述像素电极相同的材料形成；和第二电极，形成在所述第一电极上。
所述顶电极可以包括：第一顶电极，形成在与所述第一电极相同的层上并由与所述第一电极相同的材料形成；和第二顶电极，在所述第一顶电极上形成在与所述第二电极相同的层上并由与所述第二电极相同的材料形成，并且被部分去除以暴露所述第一顶电极。
所述像素电极可以电连接至所述源电极和所述漏电极中之一。
多个狭缝可以形成在所述底电极中，并且所述金属扩散介质层可以在所述多个狭缝之间连接至所述底电极。
槽可以形成在所述底电极中，所述金属扩散介质层可以经由所述槽连接至所述底电极，并且所述槽可以被形成至缓冲层。
根据本发明的另一方面，提供一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：在第一掩蔽操作中，在基板上形成薄膜晶体管(TFT)的有源层和电容器的底电极；在第二掩蔽操作中，形成用于在所述有源层上形成栅电极、形成像素电极以及在所述底电极上形成所述电容器的顶电极的电极图案；在第三掩蔽操作中，形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口；在第四掩蔽操作中，形成源电极和漏电极以及金属扩散介质层，并且形成所述像素电极和所述顶电极，所述源电极和漏电极接触所述有源层的两个相对端和所述像素电极的被所述开口所暴露的部分，所述金属扩散介质层接触所述底电极的被所述开口所暴露的部分；并且在第五掩蔽操作中，形成用于暴露所述像素电极的像素限定层。
所述第二掩蔽操作可以包括：以所描述的顺序在所述有源层和所述底电极上沉积第一绝缘层、第一导电层和第二导电层；并且通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层形成所述栅电极，所述栅电极利用所述第一导电层作为第一电极并利用所述第二导电层作为第二电极。所述方法可以进一步包括通过对所述有源层进行掺杂而形成源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区。
所述第三掩蔽操作可以包括：在所述栅电极和所述电极图案上沉积第二绝缘层；并且通过图案化所述第二绝缘层形成用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口。
所述第四掩蔽操作可以包括：在所述层间绝缘层上沉积第三导电层；并且通过图案化所述第三导电层形成所述源/漏电极和所述金属扩散介质层。
所述第四掩蔽操作可以进一步包括：通过将构成所述电极图案的第二导电层去除，形成利用所述第一导电层作为电极的所述像素电极和所述顶电极。
电容器顶电极可以包括：第一顶电极，由所述第一导电层形成；和第二顶电极，是所述第二导电层的剩余物。所述第四掩蔽操作可以进一步包括：经由所述顶电极利用杂质对所述底电极进行掺杂，并且将所述金属扩散介质层中的金属原子扩散到所述底电极中。
所述第五掩蔽操作可以包括：在所述基板上堆叠第三绝缘层；并且通过图案化所述第三绝缘层形成所述像素限定层。
在所述第一掩蔽操作期间，可以在所述底电极中形成多个狭缝；并且在所述第三掩蔽操作期间，可以在所述多个狭缝之间形成用于部分暴露所述底电极的开口。
所述第一掩蔽操作可以进一步包括形成槽，其中所述金属扩散介质层经由所述槽连接至所述底电极。
附图说明
由于本发明通过引用以下结合附图考虑时的详细描述而变得更好理解，本发明的更完整的认识及其许多附加优点将容易显而易见，附图中相同的附图标记指示相同或相似的部件，其中：
图1为概略示出根据本发明实施例的底发射型有机发光显示设备的截面图；
图2至图11为概略示出制造图1所示有机发光显示设备的工艺的截面图；
图12A和图12B为示出根据从图1所示实施例修改得到的实施例的有机发光显示设备的电容器底电极的图；以及
图13和图14为示出根据从图1所示实施例修改得到的实施例的有机发光显示设备的电容器的图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。
附图中相同的附图标记指代相同的元件。在本发明的描述中，如果确定对普遍使用的涉及本发明的技术或结构的详细描述会非必要地使本发明的主题模糊，则会省略这种详细描述。附图中，为了清楚起见，层和区域的厚度被放大。还应当理解，当层被提到在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者还可以存在中间层。
图1为概略示出根据本发明实施例的底发射型有机发光显示设备的截面图。
参见图1，根据本发明的有机发光显示设备限定发光区域101、开关区域102和存储区域103。
在开关区域102中，布置薄膜晶体管(TFT)作为驱动器件。TFT包括有源层21、栅电极20以及源/漏电极27和29。栅电极20包括栅底电极23(下文称之为第一电极)和栅顶电极25(下文称之为第二电极)，其中第一电极23由透明导电材料形成。栅绝缘层15(下文称之为第一绝缘层)介于栅电极20与有源层21之间，用于在栅电极20与有源层21之间绝缘。此外，重掺杂的源/漏区21a和21b形成在有源层21的两个相对端上，并且分别连接至源/漏电极27和29。
有机电致发光器件EL布置在发光区域101中。有机电致发光器件EL包括对电极35、连接至TFT的源/漏电极27和29中任一个的像素电极31以及介于像素电极31与对电极35之间的中间层33。像素电极31由透明导电材料形成，并且与TFT的栅电极20同时形成。
存储区域103包括电容器Cst。电容器Cst包括底电极41以及顶电极42和43，其中第一绝缘层15介于底电极41与顶电极42和43之间。电容器Cst的顶电极42和43与TFT的栅电极20和有机电致发光器件EL的像素电极31同时形成。
图2至图11为概略示出制造图1所示有机发光显示设备的工艺的截面图。
参见图2，缓冲层11形成在基板10上以确保基板10的平坦性并阻挡杂质渗透到基板10。
基板10可以由基于SiO2的透明玻璃材料形成。然而，基板10不限于此。基板10可以由诸如透明塑性材料或金属之类的多种材料中的任一种形成。
参见图3，TFT的有源层21和电容器Cst的底电极41形成在缓冲层11上。换句话说，TFT的有源层21和电容器Cst的底电极41在利用第一掩膜(未示出)的掩蔽操作中被图案化。有源层21和底电极41可以由多晶硅材料形成。
参见图4，第一绝缘层15、第一导电层17和第二导电层19以所描述的顺序形成在其上形成有有源层21和电容器底电极41的基板10的整个表面上。
第一有源层15可以通过利用PECVD方法、APCVD方法或LPCVD方法沉积诸如SiNx层或SiOx层之类的无机绝缘层而形成。第一绝缘层15介入TFT的有源层21与栅电极20之间，并且用作TFT的栅绝缘层。此外，第一绝缘层15介入电容器顶电极42和43与电容器底电极41之间，并且用作电容器Cst的介电层。
第一导电层17可以包含从包括ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明材料中选择的一种或多种材料。随后在工艺中，第一导电层17被图案化成像素电极31、第一栅电极23和电容器第一顶电极42。
第二导电层19可以包含从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu中选择的一种或多种材料。随后在工艺中，第二导电层19被图案化成第二栅电极25和电容器第二顶电极43。
参见图5，栅电极20以及电极图案30和40形成在基板10上。
顺序堆叠在基板10的整个表面上的第一导电层17和第二导电层19在利用第二掩膜(未示出)的掩蔽操作中被图案化。
栅电极20形成在开关区域102中的有源层21上，其中栅电极20包括由第一导电层17的一部分形成的第一电极23以及由第二导电层19的一部分形成的第二电极25。
随后用于形成像素电极31的电极图案30形成在发光区域101中，而用于形成电容器第一顶电极42和电容器第二顶电极43的电极图案40形成在存储区域103中的电容器底电极41上。
栅电极20与有源层21的中心相对应，并且源/漏区21a和21b形成在有源层21的与栅电极20的两个相对端相对应的两个相对端，并且沟道区通过利用栅电极20作为掩膜将n型或p型杂质注入有源层21中而形成在源/漏区21a和21b之间。
参见图6，第二绝缘层50形成在其上形成有栅电极20的基板10的整个表面上。
第二绝缘层50通过利用诸如旋涂之类的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料形成。第二绝缘层50被形成为具有足够的厚度，例如大于第一绝缘层15的厚度，以用作栅电极20与源/漏电极27和29之间的层间绝缘层。同时，第二绝缘层50不仅可以由如上所述的绝缘有机材料形成，而且可以由像第一绝缘层15那样的无机绝缘材料形成。此外，第二绝缘层50还可以通过交替堆叠有机绝缘材料和无机绝缘材料而形成。
参见图7，形成具有暴露电极图案30和40以及源/漏区21a和21b的开口H1至H7的层间绝缘层51。
开口H1至H7通过在利用第三掩膜(未示出)的掩蔽操作中图案化第二绝缘层50而形成。
开口H1和H2暴露源/漏区21a和21b的部分，开口H3和H4暴露第二导电层19的构成发光区域101中电极图案30的上部分的部分，而开口H5暴露第二导电层19的构成存储区域103中电极图案40的上部分的部分。此外，开口H6和H7暴露电容器底电极41的部分。
参见图8，覆盖层间绝缘层51的第三导电层53形成在基板10的整个表面上。
第三导电层53可以由与第一导电层17或第二导电层19相同的材料形成。然而，第三导电层53不限于此，并且第三导电层53可以由各种导电材料中的任意材料形成。此外，导电材料被沉积至足以填充开口H1至H7的厚度。
参见图9，源/漏电极27和29以及金属扩散介质层44通过图案化第三导电层53而形成。此外，像素电极31以及电容器顶电极42和43通过刻蚀工艺形成。换句话说，源/漏电极27和29以及金属扩散介质层44通过在利用第四掩膜(未示出)的掩蔽操作中图案化第三导电层53而形成。
源/漏电极27和29之一(在本实施例的情况下，为源电极27)被形成为在第二导电层19的位于待形成像素电极31的电极图案30上的边缘区域中经由开口H3连接至像素电极31。
金属扩散介质层44连接至电容器Cst的电容器底电极41。在这种情况下，金属扩散介质层44的金属原子经由简单的热处理扩散到电容器底电极41中，从而降低电容器底电极41中的电阻。例如，如果金属扩散介质层44由钛和铝形成，则铝原子扩散到电容器底电极41中。该结构对于降低由于粗糙掺杂所导致的电阻增大是有效的，这在下面进行描述。
接下来，在形成源/漏电极27和29之后，像素电极31以及电容器顶电极42和43通过又一刻蚀工艺形成。
像素电极31通过将第二导电层19的被发光区域101的电极图案30中的开口H4所暴露的一部分去除而形成。
电容器顶电极42和43通过将第二导电层19的被存储区域103的电极图案40中的开口H5所暴露的一部分去除而形成。在这点上，由第一导电层17形成的电容器第一顶电极42保留，而由第二导电层19形成的电容器第二顶电极43被部分去除，使得电容器第一顶电极42被暴露。事实上，尽管优选将电容器第二顶电极43完全去除，但电容器第二顶电极43的在层间绝缘层51中的一部分不被去除而被保留。换句话说，电容器第二顶电极43的一部分有意不被保留。然而，在电容器底电极41被掺杂的同时，电容器第二顶电极43的剩余部分可以覆盖电容器底电极41的一部分，因而电容器底电极41可能被粗糙掺杂。金属扩散介质层44如上所述形成以解决该问题。
参见图10，电容器底电极41通过经由开口H5注入n型或p型杂质而被掺杂。被注入的杂质可以与注入到有源层21中的杂质相同或不同。这里，电容器底电极41的被电容器第二顶电极43所覆盖的一部分可能无法合适地掺杂。换句话说，电容器底电极41可能被粗糙掺杂。然而，如果执行用于将金属扩散介质层44加热至从大约300℃到大约350℃的温度的简单热处理，则金属扩散介质层44中的金属原子会扩散到电容器底电极41中，因而金属原子进入电容器底电极41的几乎未掺杂区域。结果，几乎未掺杂区域的由于该区域几乎不被掺杂而增大的电阻，随着金属原子扩散到其中而再次减小，因而可以减小由于粗糙掺杂所导致的电阻增大。
此外，有效的是，为了平滑地扩散杂质，在形成如图3所示电容器底电极41期间，在电容器底电极41中形成狭缝41a和41b，如图12A或图12B所示，并且形成开口H6和H7，使得金属扩散介质层44在狭缝41a和41b之间连接至电容器底电极41。在这种情况下，金属原子主要在电容器底电极41a和41b的长度方向上扩散，因此金属原子可以快速地扩散。
接下来，参见图11，像素限定层(PDL)55形成在基板10上。
第三绝缘层55a形成在形成有像素电极31、源/漏电极27和29以及电容器顶电极42和43的基板10的整个表面上。第三绝缘层55a可以利用诸如旋涂之类的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料形成。此外，第三绝缘层55a不仅可以由如上所述的有机绝缘材料形成，而且可以由从SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5和Pr2O3等中选择的无机材料形成。此外，第三绝缘层55a可以具有有机绝缘材料和无机绝缘材料交替堆叠的多层结构。
用于限定像素的PDL55通过在利用第五掩膜(未示出)的掩蔽操作中图案化第三绝缘层55a形成暴露像素电极31的中心部分的开口H8而形成。
接下来，如图1所示，对电极35和包括有机发光层的中间层33形成在暴露像素电极31的开口H8中。
中间层33可以通过堆叠来自发射层(EML)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一层或多层而形成。
中间层33可以由有机单体材料或有机聚合物材料形成。在中间层33的有机发光层由有机单体材料形成的情况下，HTL和HIL朝向像素电极31被堆叠在有机发光层上，并且ETL和EIL朝向对电极35被堆叠在有机发光层上。此外，如果需要可以堆叠各种其它层。这里，中间层33可以由包括铜酞菁(CuPc)、N，N′-二萘-1-基-N，N′-联苯-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种材料中的任意材料形成。
同时，在中间层33的有机发光层由有机聚合物材料形成的情况下，仅仅HTL可以朝向像素电极31堆叠在有机发光层上。聚合物空穴传输层可以由聚-(2，4)-乙撑-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成，并且可以通过利用诸如喷墨印刷或旋涂之类的方法形成在像素电极31的顶表面上。聚合物有机发光层可以由PPV、可溶性PPV、氰基-PPV或聚芴形成，并且其颜色图案可以通过利用诸如喷墨印刷、旋涂或利用激光的热传递之类的一般方法而形成。
对电极35可以沉积在基板10的整个表面上，并且形成为公共电极。在根据本实施例的有机发光显示设备的情况下，像素电极31用作阳极，而对电极35用作阳极。然而，电极的极性可以反向。
在图像朝向基板10发射的底发射型有机发光显示设备的情况下，像素电极31为透明电极，而对电极35为反射电极。这里，反射电极可以通过将具有小功函数的金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或其组合沉积为薄膜而形成。
此外，尽管未示出，但密封件(未示出)和吸湿剂(未示出)可以进一步布置在对电极35上以保护有机发光层免受外部湿气或氧影响。
在如上所述用于形成有机发光显示设备的每个掩蔽操作中，堆叠层可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀被去除。
根据依照本发明实施例的有机发光显示设备及其制造方法，从基板制备到PDL形成的操作，仅仅需要五个掩膜，由于掩膜数目减少，因此可以实现成本降低和制造工艺简化。此外，可以降低由于粗糙掺杂电容器所导致的电阻增大的可能性。
图13和图14为示出根据从图1所示实施例修改得到的实施例的有机发光显示设备的电容器的结构的图。相同的附图标记指代相同的元件。
首先，如图13所示，槽41c形成在电容器底电极41中，使得金属扩散介质层44进入槽41c并且接触电容器底电极41。槽41c可以在形成如图3所示的电容器底电极41期间形成。在形成槽41c且金属扩散介质层44经由槽41c接触电容器底电极41时，金属扩散介质层44和电容器底电极41以较大的面积彼此接触。换句话说，在图1中，金属扩散介质层44仅仅接触电容器底电极41的顶表面，而在本实施例中，金属扩散介质层44不仅接触电容器底电极41的顶表面，而且经由槽41c接触电容器底电极41的侧表面。因此，金属扩散介质层44和电容器底电极41以较大的面积彼此接触，因此金属原子可以更高效地扩散。
此外，如图14所示，槽41d可以形成至位于电容器底电极41下方的缓冲层11。槽41d也可以在如图3所示电容器底电极41被图案化的同时形成，结果，金属扩散介质层44和电容器底电极41可以以较大的面积彼此接触。此外，由于槽41d形成至缓冲层11，因此金属扩散介质层44可以以较大的面积接触电容器底电极41的侧表面。
因此，根据所修改的实施例，金属原子的扩散被加速。
尽管为了说明的方便起见，本发明实施例的上述描述所引用的附图仅示出一个TFT和一个电容器，但本发明不限于此，而是可以布置多个TFT和多个电容器。
根据有机发光显示设备及其制造方法，由于掩膜数目减小，可以实现成本的降低和制造工艺的简化。此外，可以降低由于粗糙掺杂的电容器所导致的电阻增大的可能性。
尽管已参照本发明的示例性实施例示出并描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，在不背离如所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此处对形式和细节做出各种改变。

Claims (19)

1.一种有机发光显示设备，包括：
薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；
电连接至所述薄膜晶体管的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括：以所描述的顺序堆叠的形成在与所述栅电极相同层上的像素电极、包括有机发光层的中间层以及对电极；以及
电容器，包括：底电极，形成在与所述有源层相同的层上并由与所述有源层相同的材料形成，并且利用杂质进行掺杂；顶电极，形成在与所述栅电极相同的层上；和金属扩散介质层，形成在与所述源电极和漏电极相同的层上并连接至所述底电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅电极包括：
第一电极，形成在与所述像素电极相同的层上并由与所述像素电极相同的材料形成；和
第二电极，形成在所述第一电极上。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述顶电极包括：
第一顶电极，形成在与所述第一电极相同的层上并由与所述第一电极相同的材料形成；和
位于所述第一顶电极上的第二顶电极，形成在与所述第二电极相同的层上并由与所述第二电极相同的材料形成，并且被部分去除以暴露所述第一顶电极。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述像素电极电连接至所述源电极和所述漏电极中之一。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中多个狭缝形成在所述底电极中，并且
所述金属扩散介质层在所述多个狭缝之间连接至所述底电极。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中槽形成在所述底电极中，并且
所述金属扩散介质层经由所述槽连接至所述底电极。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中缓冲层形成在所述底电极下方，并且
所述槽被形成至所述缓冲层。
8.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
在第一掩蔽操作中，在基板上形成薄膜晶体管的有源层和电容器的底电极；
在第二掩蔽操作中，形成用于在所述有源层上形成栅电极、在所述基板上形成像素电极以及在所述底电极上形成所述电容器的顶电极的电极图案；
在第三掩蔽操作中，形成层间绝缘层，所述层间绝缘层包括用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口；
在第四掩蔽操作中，形成源电极和漏电极以及金属扩散介质层，并且形成所述像素电极和所述顶电极，所述源电极和漏电极接触所述有源层的两个相对端和所述像素电极的被所述开口所暴露的部分，所述金属扩散介质层接触所述底电极的被所述开口所暴露的部分；并且
在第五掩蔽操作中，形成用于暴露所述像素电极的像素限定层。
9.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二掩蔽操作包括：
以所描述的顺序在所述有源层和所述底电极上沉积第一绝缘层、第一导电层和第二导电层；并且
通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层形成所述栅电极，所述栅电极利用所述第一导电层作为第一电极并利用所述第二导电层作为第二电极。
10.根据权利要求9所述的制造有机发光显示设备的方法，进一步包括通过对所述有源层进行掺杂而形成源区、漏区以及位于所述源区和漏区之间的沟道区。
11.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第三掩蔽操作包括：
在所述栅电极和所述电极图案上沉积第二绝缘层；并且
通过图案化所述第二绝缘层，形成用于暴露所述有源层的两个相对端、所述像素电极的一部分、所述顶电极的一部分以及所述底电极的一部分的开口。
12.根据权利要求9所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四掩蔽操作包括：
在所述层间绝缘层上沉积第三导电层；并且
通过图案化所述第三导电层形成所述源电极、所述漏电极和所述金属扩散介质层。
13.根据权利要求9所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四掩蔽操作进一步包括：通过将构成所述电极图案的第二导电层去除，形成利用所述第一导电层作为电极的所述像素电极和所述顶电极。
14.根据权利要求12所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述顶电极包括：
第一顶电极，由所述第一导电层形成；和
第二顶电极，是所述第二导电层的剩余物。
15.根据权利要求12所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四掩蔽操作进一步包括：经由所述顶电极利用杂质对所述底电极进行掺杂，并且将所述金属扩散介质层中的金属原子扩散到所述底电极中。
16.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第五掩蔽操作包括：
在所述基板上堆叠第三绝缘层；并且
通过图案化所述第三绝缘层形成所述像素限定层。
17.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中在所述第一掩蔽操作期间，在所述底电极中形成多个狭缝；并且
在所述第三掩蔽操作期间，在所述多个狭缝之间形成用于部分暴露所述底电极的开口。
18.根据权利要求8所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第一掩蔽操作进一步包括形成槽，其中所述金属扩散介质层经由所述槽连接至所述底电极。
19.根据权利要求18所述的制造有机发光显示设备的方法，其中缓冲层形成在所述基板与所述底电极之间，并且
所述第一掩蔽操作进一步包括形成至所述缓冲层的槽。
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