KR100943187B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터의 활성층, 및 상기 활성층과 동일층에 동일물질로 이격되어 형성된 커패시터의 제1하부전극;상기 활성층 상의 가장자리에 분리형성된 제1도전층, 및 상기 제1도전층과 동일층에 동일물질로 상기 제1하부전극 상에 형성된 커패시터의 제1상부전극;상기 기판, 제1도전층, 및 제1상부전극 상에 형성된 제1절연층;상기 제1절연층을 사이에 두고 상기 활성층 중앙 영역에 대응하는 제2도전층, 상기 제2도전층과 동일층에 동일물질로 상기 커패시터의 제1전극 상에 형성된 제2하부전극, 및 상기 제2도전층과 동일층에 동일 물질로 이격되어 형성된 화소 전극;상기 제2도전층 상에 형성된 제3도전층, 및 상기 제3도전층과 동일층에 동일물질로 제2하부전극 상에 형성된 제2상부전극;상기 제3도전층, 제2상부 전극, 및 화소 전극 상에 형성된 제2절연층; 및상기 화소 전극과 접촉하며 상기 제2절연층 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극, 소스 및 드레인 전극과 동일층에 동일 물질로 상기 제2상부전극 상에 형성된 커패시터의 제3전극;을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 화소 전극이 노출되도록 상기 화소 전극 가장자리에 형성된 화소 정의 막을 더 포함하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 활성층 및 상기 커패시터의 제1하부전극은 비정질 실리콘이 결정화된 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제1도전층 및 상기 커패시터의 제1상부전극은 불순물이 도핑된 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 활성층과 제1도전층이 만드는 단부, 및 상기 커패시터의 제1하부전극 및 제1상부전극이 만드는 각 단부의 형상이 일치하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 활성층 상의 제2도전층 및 제3도전층이 만드는 단부, 및 상기 커패시터의 제2하부전극 및 제2상부전극이 만드는 각 단부의 형상이 일치하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 화소 전극 상에 유기 발광층을 포함하는 중간층; 및 상기 중간층 상에 형성된 대향 전극을 포함하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 기판 상에 버퍼층을 더 포함하는 평판 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제2절연층의 두께는 상기 제1절연층의 두께보다 두꺼운 평판 표시 장치.
- 기판 상에 반도체층 및 제1도전층을 순차로 형성하여, 이를 박막 트랜지스터의 활성층 및 소스/드레인 영역과, 커패시터의 제1하부전극 및 제1상부전극으로 동시에 패터닝하는 제1마스크 공정;상기 제1마스크 공정의 구조물 상에 제1절연층을 형성하고, 상기 제1절연층 상에 제2도전층 및 제3도전층을 순차로 형성하여, 이를 박막 트랜지스터의 게이트하부전극 및 상부전극과, 커패시터의 제2하부전극 및 제2상부전극과, 화소 전극으로 동시에 패터닝하는 제2마스크 공정;상기 제2마스크 공정의 구조물 상에 제2절연층을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역의 일부 및 상기 화소 전극의 일부가 노출되록 상기 제2절연층을 제거하는 제3마스크 공정;상기 제3마스크 공정의 구조물 상에 제4도전층을 형성하여, 이를 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극과, 커패시터의 제3전극으로 동시에 패터닝하는 제4마스크 공정; 및상기 제4마스크 공정의 구조물 상에 제3절연층을 형성하여, 상기 화소 전극이 노출되도록 상기 제2절연층 및 제3절연층을 제거하는 제5마스크 공정;을 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1마스크 공정은, 상기 활성층의 중앙 부분에 대응하는 위치에 반투과부를 포함하는 제1 하프톤 마스크(half-tone mask)를 이용하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 제2마스크 공정은, 상기 화소 전극에 대응하는 위치에 반투과부를 포함하는 제2 하프톤 마스크(half-tone mask)를 이용하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 제5마스크 공정의 구조물 상에 유기 발광층을 포함하는 중간층 및 대향 전극을 순차로 형성하는 단계를 더 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 평판 표시 장치의 제조 방법.
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20120007083A1 (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
CN102447074A (zh) * | 2010-10-05 | 2012-05-09 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
KR101234230B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2013-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US8525174B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR101323555B1 (ko) | 2010-09-20 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US8698145B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
US9070650B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-06-30 | Samsung Display Co. Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of inspecting patterns of the organic light emitting display apparatus |
US9153793B2 (en) | 2011-04-19 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
US9236423B2 (en) | 2010-09-24 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
US9276232B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
US9634073B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101056429B1 (ko) | 2010-03-16 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101210146B1 (ko) | 2010-04-05 | 2012-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101692954B1 (ko) | 2010-05-17 | 2017-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101710179B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2017-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101716471B1 (ko) * | 2010-06-07 | 2017-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101108175B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 디스플레이 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR101174881B1 (ko) | 2010-06-11 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101714026B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2017-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101695739B1 (ko) * | 2010-09-14 | 2017-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101797095B1 (ko) | 2010-09-29 | 2017-12-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20120032904A (ko) | 2010-09-29 | 2012-04-06 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101782557B1 (ko) | 2010-10-25 | 2017-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101705822B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101711191B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR20120063746A (ko) | 2010-12-08 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101807849B1 (ko) | 2010-12-08 | 2017-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101813492B1 (ko) * | 2011-01-05 | 2018-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20120126950A (ko) | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
KR101893355B1 (ko) | 2011-06-30 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR101944916B1 (ko) | 2011-08-01 | 2019-02-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101884737B1 (ko) | 2011-08-09 | 2018-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101829312B1 (ko) | 2011-08-26 | 2018-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101880723B1 (ko) | 2011-12-09 | 2018-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101890799B1 (ko) | 2012-02-07 | 2018-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101888445B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
KR101899878B1 (ko) * | 2012-03-30 | 2018-09-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102014169B1 (ko) | 2012-07-30 | 2019-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101954978B1 (ko) | 2012-09-06 | 2019-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102028025B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US20140353622A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
CN109994518B (zh) * | 2013-05-30 | 2023-08-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备 |
KR102098742B1 (ko) * | 2013-09-09 | 2020-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102327087B1 (ko) | 2014-10-14 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102373434B1 (ko) | 2014-11-07 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105932067A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶栅型薄膜晶体管、制备方法、阵列基板及显示面板 |
CN108231824B (zh) * | 2016-12-16 | 2024-04-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
KR102500799B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2023-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 표시 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060108790A (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR20070071490A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-05-20 KR KR1020080046635A patent/KR100943187B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060108790A (ko) * | 2005-04-14 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR20070071490A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101234230B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2013-02-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
US8586984B2 (en) | 2010-06-17 | 2013-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
US20120007083A1 (en) * | 2010-07-07 | 2012-01-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
KR101193197B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US9012890B2 (en) * | 2010-07-07 | 2015-04-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
US8525174B2 (en) | 2010-08-30 | 2013-09-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR101323555B1 (ko) | 2010-09-20 | 2013-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US9236423B2 (en) | 2010-09-24 | 2016-01-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
US8698145B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
KR101372852B1 (ko) * | 2010-10-05 | 2014-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102447074B (zh) * | 2010-10-05 | 2015-12-16 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
CN102447074A (zh) * | 2010-10-05 | 2012-05-09 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
TWI555188B (zh) * | 2010-10-05 | 2016-10-21 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光顯示裝置及其之製造方法 |
US9153793B2 (en) | 2011-04-19 | 2015-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
US9070650B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-06-30 | Samsung Display Co. Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of inspecting patterns of the organic light emitting display apparatus |
US9276232B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
US9634073B2 (en) | 2013-05-16 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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