TWI555188B - 有機發光顯示裝置及其之製造方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及其之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI555188B
TWI555188B TW100124754A TW100124754A TWI555188B TW I555188 B TWI555188 B TW I555188B TW 100124754 A TW100124754 A TW 100124754A TW 100124754 A TW100124754 A TW 100124754A TW I555188 B TWI555188 B TW I555188B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
display device
organic light
emitting display
insulating layer
Prior art date
Application number
TW100124754A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201227949A (en
Inventor
李律圭
柳春其
朴鮮
朴鍾賢
金大宇
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201227949A publication Critical patent/TW201227949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI555188B publication Critical patent/TWI555188B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

有機發光顯示裝置及其之製造方法
本發明係有關於有機發光顯示裝置及其之製造方法。
有機發光顯示裝置通常是輕量且薄的，並且具有寬的可視角度、短的響應時間以及降低的功率消耗，因此其係受到相當大的關注以作為下一代顯示裝置。
本發明的一或多個實施例係提供具有極佳的信號傳送特徵以及一極佳的孔徑比之有機發光顯示裝置、以及其之簡化的製造方法。
根據本發明之一特點，其係提供有一種有機發光顯示裝置，其係包括：形成在一基板之上的一薄膜電晶體的一主動層以及一底部電容器電極，其中該底部電容器電極係包含一種形成在和該主動層相同的層上並且摻雜有離子雜質的半導體材料；一形成在該基板之上以覆蓋該主動層以及該底部電容器電極的第一絕緣層；一形成在該第一絕緣層之上的閘極電極，其中該閘極電極係包括依序地堆疊在該第一絕緣層上的一第一閘極電極以及一第二閘極電極， 其中該第一閘極電極係包括一種透明的導電材料，並且該第二閘極電極係包括一種金屬；一形成在該第一絕緣層上的像素電極，其中該像素電極係包括一種透明的導電材料，以及一形成在和該像素電極相同的層上的頂端電容器電極，其中該頂端電容器電極係包括一種透明的導電材料；該薄膜電晶體之電連接至該主動層的源極與汲極電極；一第二絕緣層，其係形成在該第一絕緣層以及該源極與汲極電極之間並且包含一露出該整個頂端電容器電極的第一接觸孔洞；一第三絕緣層，其係形成在該第二絕緣層之上並且露出該像素電極；一形成在該像素電極之上的發射層；以及一被設置以面對該像素電極的對面電極，其中該發射層係被設置在該像素電極以及該對面電極之間。
該第一閘極電極、該像素電極以及該頂端電容器電極可包括相同的透明的導電材料。
一間隙可形成在該頂端電容器電極的一外側以及該接觸孔洞的一內側壁之間。
一第三絕緣層可被設置在該間隙中。
一連接至該底部電容器電極的電容器佈線(wiring)可形成在和該底部電容器電極相同的層上，其中該電容器佈線係包括一種摻雜有離子雜質的半導體材料。
一在該底部電極以及該電容器佈線之間的連接部分可摻雜有離子雜質。
該連接部分可對應於形成在該頂端電容器電極的該外側以及該接觸孔洞之間的該間隙的位置。
該第二絕緣層可包括一露出該整個像素電極的第二接觸孔洞。
一間隙可形成在該像素電極的一外側以及該第二接觸孔洞的一內側壁之間。
該第三絕緣層可包括一種有機絕緣材料。
該主動層可包括一種摻雜有離子雜質的半導體材料。
該半導體材料可包含非晶矽或結晶矽。
該對面電極可以是一反射從該發射層發出的光之反射的電極。
至少一具有一和該第一絕緣層不同的折射率的絕緣層可設置在該基板以及該第一絕緣層之間。
根據本發明的另一特點，其係提供有一種有機發光顯示裝置之製造方法，該方法係包括：一第一光罩動作，其係包括在一基板之上形成一半導體層以及圖案化該半導體層以形成一薄膜電晶體的一主動層以及一底部電容器電極；一第二光罩動作，其係包括在該基板之上形成一第一絕緣層以覆蓋該主動層以及該底部電容器電極，在該第一絕緣層上依序地堆疊一種透明的導電材料以及一第一金屬，以及圖案化該透明的導電材料以及該第一金屬以依序地形成一其中該透明的導電材料以及該第一金屬依序地堆疊的像素電極、該薄膜電晶體的一閘極電極、以及一頂端電容器電極；一第三光罩動作，其係包括在該第二光罩動作的一所產生的產物上形成一第二絕緣層以及圖案化該第二絕緣層以形成一完全地露出該像素電極、該主動層的源極與汲極區域以及該頂端電容器電極的接觸孔洞；一第四光罩動作，其係包括在該第三光罩動作的一所產生的產物上形成一第二金屬，圖案化該第二金屬以形成分別接觸該露出的源極與汲極區域的源極與汲極電極，以及移除形成在該像素電極以及該頂端電容器電極上的第一金屬；以及一第五光罩動作，其係包括在該第四光罩動作的一所產 生的產物上形成一第三絕緣層，其中該第三絕緣層係露出該像素電極的透明的導電材料。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
2‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
13‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
17‧‧‧第三絕緣層
114‧‧‧第一像素電極
115‧‧‧第二像素電極
118‧‧‧發射層
119‧‧‧對面電極
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區域
212b‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
214‧‧‧第一閘極電極
215‧‧‧第二閘極電極
216a‧‧‧源極電極
216b‧‧‧汲極電極
312a‧‧‧底部電容器電極
312c‧‧‧底部電容器電極312a的部分
314‧‧‧第一頂端電容器電極
315‧‧‧第二頂端電容器電極
A1、A1’‧‧‧區域
A2、A2’‧‧‧區域
C1、C1’‧‧‧第一接觸孔洞
C2、C2’‧‧‧第二接觸孔洞
C3‧‧‧第三接觸孔洞
C4、C4’‧‧‧開口
G1‧‧‧第一間隙
G2‧‧‧第二間隙
W1‧‧‧佈線單元
PXL 1‧‧‧像素區域
PXL 2‧‧‧像素區域
TFT1‧‧‧電晶體區域
TFT2‧‧‧電晶體區域
CAP1‧‧‧電容器區域
CAP2‧‧‧電容器區域
本發明的上述及其它的特點與優點藉由參考所附的圖式詳細地描述本發明的某些實施例將會變得更明顯，其中：圖1是描繪根據本發明的一實施例的一種有機發光顯示裝置之橫截面圖；圖2是描繪根據本發明的一對照例的一種有機發光顯示裝置之橫截面圖；圖3A是描繪根據本發明的一實施例的該有機發光顯示裝置的一像素區域之平面圖；圖3B是描繪根據本發明的一對照例的該有機發光顯示裝置的一像素區域之平面圖；圖4A是描繪根據本發明的一實施例的該有機發光顯示裝置的一像素區域之橫截面圖；圖4B是描繪根據本發明的一對照例的該有機發光顯示裝置的一像素區域之橫截面圖；圖5A是描繪根據本發明的一實施例的該有機發光顯示裝置的一電容器區域之平面圖；圖5B是描繪根據本發明的一對照例的該有機發光顯示裝置的一電容器區域之平面圖；圖6A是描繪根據本發明的一實施例的該有機發光顯示裝置的一電容器區域之橫截面圖； 圖6B是描繪根據本發明的一對照例的該有機發光顯示裝置的一電容器區域之橫截面圖；圖7至13是描繪根據本發明的一實施例的一種製造該有機發光顯示裝置之方法的橫截面圖；以及圖14及15是描繪根據本發明的一對照例的一種製造該有機發光顯示裝置之方法的橫截面圖。
相關專利申請案之交互參照
此申請案係主張2010年10月5日於韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案號10-2010-0096913的益處，該韓國專利申請案的揭露內容係以其整體納入在此作為參考。
本發明現在將會參考所附的圖式更完整地加以描述，其中本發明的某些實施例係被展示。
圖1是描繪根據本發明的一實施例的一種有機發光顯示裝置1之橫截面圖。圖2是描繪根據本發明的一對照例的一種有機發光顯示裝置2之橫截面圖。
參照圖1，一包含一發射層118的像素區域PXL1、一包含一薄膜電晶體的電晶體區域TFT1以及一包含一電容器的電容器區域CAP1係形成在該有機發光顯示裝置1的一基板10上。
參照圖2，一包含一發射層118的像素區域PXL2、一包含一薄膜電晶體的電晶體區域TFT2以及一包含一電容器的電容器區域CAP2係形成在該有機發光顯示裝置2的一基板10上。
參照圖1，一主動層212係形成在該電晶體區域TFT1的基板10及一緩衝層11上。該主動層212可以是由一種例如是非晶矽或結晶矽的半導體所形成的，並且可包含一通道區域212c以及分別形成在該通道區域212c的外側且摻雜有離子雜質的源極與汲極區域212a與212b。
一第一閘極電極214及一第二閘極電極215可以依序地形成在該主動層212上，其中一第一絕緣層13(其係為一閘極絕緣層)插設於其間。該第一閘極電極214及第二閘極電極215分別可包含一種設置在一對應於該主動層212的通道區域212c的位置處之透明的導電材料。
分別接觸該主動層212的源極與汲極區域212a及212b的源極與汲極電極216a及216b可以分別形成在該第一及第二閘極電極214及215上，其中一第二絕緣層15(其係為一層間絕緣層)插設於其間。
一第三絕緣層17可形成在該第二絕緣層15上以便覆蓋該源極與汲極電極216a及216b。該第三絕緣層17可以是由一有機絕緣層所形成的。
參照圖2，根據該對照例的電晶體區域TFT2係具有和該電晶體區域TFT1的結構相同之結構。
再次參照圖1，根據本發明目前的實施例，一由和該第一閘極電極214相同的透明的導電材料所形成的第一像素電極114可形成在該像素區域PXL1中的第一絕緣層13上。該透明的導電材料可以是至少一從由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)及鋁鋅氧化物(AZO)所構成的群組中選出的材料。
該發射層118可形成在該第一像素電極114上，並且從該發射層118發出的光可發射穿過該可由該透明的導電材料所形成的第一像素電極114，而朝向該基板10。
設置在該第一像素電極114之下的緩衝層11及第一絕緣層13可以是由具有不同折射率的材料所形成，因此可作用為一分散式布拉格反射器(DBR)，藉此增加從該發射層118發出的光的光效率。該緩衝層11及第一絕緣層13可以例如是由SiO2或SiNx所形成的。圖1中所繪的緩衝層11及第一絕緣層13分別可以是形成為單一層，但並不限於此；換言之，該緩衝層11及第一絕緣層13分別可以是由複數個層所形成的。
該第二絕緣層15可形成在該第一絕緣層13上而且在該第一像素電極114的外側端，並且一露出整個第一像素電極114的第一接觸孔洞C1可形成在該第二絕緣層15中。一預設的第一間隙G1可形成在該第一像素電極114的一外側以及該第一接觸孔洞C1的一內側壁之間。該第三絕緣層17可形成在該第一間隙G1中。當該第三絕緣層17是由一有機絕緣層所形成時，該第一間隙G1可被填入該有機絕緣層，藉此防止可能發生在一對面電極119以及該第一像素電極114之間的短路。
在圖1中，形成在該第一間隙G1中的第三絕緣層17可直接接觸該緩衝層11之平坦的上表面。然而，本發明的此實施例並不限於此。換言之，當蝕刻該第二絕緣層15以便形成該第一間隙G1時，設置在該第二絕緣層15之下的第一絕緣層13可能受到該第二絕緣層15的一蝕刻劑或一蝕刻方法的影響。例如，當該第一絕緣層13被過度蝕刻時，一底切(undercut)可能發生。再者，在該 第一絕緣層13之下的緩衝層11亦可能被過度蝕刻。同樣在此例中，該第三絕緣層17可填入該些被過度蝕刻的部分以最小化由於過度蝕刻所造成的影響。
該第三絕緣層17可形成在該第一絕緣層13及第一像素電極114上，並且一露出該第一像素電極114的一上方部分的開口C4可形成在該第三絕緣層17中。該發射層118可形成在該開口C4中的第一像素電極114之露出的上方部分上。
該發射層118可以是一種低分子量有機材料或是一種聚合物有機材料。當該發射層118是一種低分子量有機材料時，一電洞傳輸層(HTL)、一電洞注入層(HIL)、一電子傳輸層(ETL)以及一電子注入層(EIL)可以相對於該發射層118來加以堆疊。低分子量有機材料的例子係包含銅酞花菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,NPB)、以及三(8-羥基喹啉)化鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)。
當該發射層118是由一種聚合物有機材料所形成時，除了該發射層118以外，一HTL可進一步加以形成。該HTL可以是由聚(2,4)-乙烯-二羥基噻吩(poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene,PEDOT)或聚苯胺(polyaniline,PANI)所形成的。在此，聚合物有機材料(例如，聚對苯乙烯(poly-phenylene vinylene,PPV)基底或聚芴(polyfluorene)基底的聚合物有機材料)可被利用。
該對面電極119可沉積在該發射層118上作為一共同電極。在該有機發光顯示裝置1的情形中，該第一像素電極114可被利用作為一陽極，並且該對面電極119可被利用作為一陰極。然而，該些電極的極性明顯是可顛倒的。
該對面電極119可以是由一包含一種反射的材料之反射的電極所形成的。該對面電極119可包含至少一種從由Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca以及LiF/Al所構成的群組中選出的材料。
由於該對面電極119是由一反射的電極所形成的，所以從該發射層118發出的光可藉由該對面電極119來加以反射，發射穿過由一透明的導電材料所形成的第一像素電極114，並且朝向該基板10發射。
參照圖2，在根據該對照例的像素區域PXL2中，一由和一第一閘極電極214相同的透明的導電材料所形成的第一像素電極114可形成在一第一絕緣層13上，並且一由和一第二閘極電極215相同的金屬所形成的第二像素電極115可形成在該第一像素電極114的外側部分上。
換言之，不同於本發明的本實施例的像素區域PXL1，在該對照例的像素區域PXL2中，該第二像素電極115的一部分可能保留在該第一像素電極114的外側部分上，因此像素區域PXL1及PXL2的孔徑比可能是不同的。此將會參考圖3A、3B、4A及4B來加以描述。
圖3A及圖4A分別是描繪該有機發光顯示裝置1的像素區域PXL1之平面圖及橫截面圖。圖3B及圖4B分別是描繪根據該對照例的該有機發光顯示裝置2的像素區域PXL2之平面圖及橫截面圖。
參照圖3A及4A，露出整個第一像素電極114的第一接觸孔洞C1可形成在該第二絕緣層15中，並且該第一間隙G1可形成在該第一像素電極114的外側以及該第一接觸孔洞C1的內側壁之間。如上所述，該發射層118可形成在該第三絕緣層17的開口C4中的第一像素電極114之露出的上方部分上，並且該第三絕緣層17的開口C4可形成在一藉由形成在該第二絕緣層15中的第一接觸孔洞 C1所形成的區域A1中，因此當藉由該第一接觸孔洞C1形成的區域A1增大時，發光的區域可增大。換言之，孔徑比係被增大。
然而，參照圖3B及4B，在該對照例中，該第二像素電極115可能保留在該第一像素電極114的外側部分上，因此一個並非露出整個第一像素電極114而是露出該第一像素電極114的一部分之第一接觸孔洞C1’可形成在該第二絕緣層15中。一第三絕緣層17可形成在該第二絕緣層15及第一像素電極114上，並且一露出該第一像素電極114的一上方部分之開口C4’可形成在該第三絕緣層17中，並且該發射層118可形成在該開口C4’中的第一像素電極114之露出的上方部分上。根據該對照例的第三絕緣層17的開口C4’可形成在一藉由形成在該第二絕緣層15中的第一接觸孔洞C1’所形成的區域A1’之內。於是，當第一像素電極114的表面積維持相同時，藉由該有機發光顯示裝置2的第一接觸孔洞C1’所形成的區域A1’可能小於藉由該有機發光顯示裝置1的第一接觸孔洞C1所形成的區域A1。因此，根據該對照例的像素區域PXL2之發光的區域係被縮小。換言之，孔徑比係被降低。
再次參照圖1，在根據本發明的一實施例的電容器區域CAP1中，一底部電容器電極312a、覆蓋該底部電容器電極312a的第一絕緣層13、以及一包含和該第一像素電極114相同的透明的導電材料之頂端電容器電極314係依序形成在該緩衝層11上。
該底部電容器電極312a可以是由和該薄膜電晶體的主動層212的源極與汲極區域212a及212b相同的材料所形成的，並且可包含一種摻雜有離子雜質的半導體。當該底部電容器電極312a是由一種未摻雜離子雜質的本質半導體所形成時，該電容器和該頂端電容器電極314可具有一種金屬氧化物半導體 (MOS)的電容器結構。然而，當該底部電容器電極312a是由一種摻雜有離子雜質的半導體所形成時，該電容器可具有一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)的電容器結構，其係具有比該MOS電容器結構高的靜電容量，因此靜電容量可被最大化。於是，相同量的靜電容量可以利用具有比該MOS電容器結構小的面積的MIM電容器結構來獲得，因此一用於縮小電容器的表面積之裕度(margin)可以增大。因此，孔徑比可藉由形成具有大表面的第一像素電極114來增大。
該第二絕緣層15可形成在該第一絕緣層13上並且在該頂端電容器電極314的外側端，並且一露出整個頂端電容器電極314的第二接觸孔洞C2可形成在該第二絕緣層15中。在此，一預設的間隙G2可形成在該頂端電容器電極314的一外側以及該第二接觸孔洞C2的一內側壁之間。該第三絕緣層17可形成在一個其中形成該第二間隙G2的區域中。當該第三絕緣層17是由一有機絕緣材料所形成時，該第二間隙G2可被填入該有機絕緣材料，藉此防止可能發生在該底部電容器電極312a及頂端電容器電極314之間的短路。再者，由於一具有小的介電係數之有機絕緣材料可以插設在該對面電極119及頂端電容器電極314之間，因此可能發生在該對面電極119及頂端電容器電極314之間的寄生電容可被減小，藉此防止由於該寄生電容所造成的信號干擾。
儘管未顯示在圖1中，一連接至該底部電容器電極312a的佈線單元W1(參見圖5A)可設置在和該底部電容器電極312相同的層上。如同該底部電容器電極312a，該佈線單元W1亦可包含一種摻雜有離子雜質的半導體。
再次參照圖2，在根據該對照例的電容器區域CAP2中，一由和該薄膜電晶體的主動層212相同的材料所形成的底部電容器電極312a、覆蓋該底部電容器電極312a的第一絕緣層13、一包含一種如同該第一閘極電極214之透明的 導電材料的第一頂端電容器電極314、以及一由和該第二閘極電極215相同的材料所形成的第二頂端電容器電極315可形成在該第一頂端電容器電極314的外側部分上。
換言之，不同於本發明的本實施例的電容器區域CAP1，在該對照例的電容器區域CAP2中，該第二頂端電容器電極315的一部分可能保留在該第一頂端電容器電極314的外側部分上，因此電容器區域CAP1及CAP2的靜電容量可能是不同的。此外，連接至該電容器的佈線之信號傳送品質可能會變化。此將會參考圖5A、5B、6A及6B加以描述。
圖5A及圖6A是分別描繪根據本發明的本實施例的有機發光顯示裝置1的電容器區域CAP1之平面圖及橫截面圖。圖5B及圖6B是分別描繪根據本發明的對照例的有機發光顯示裝置2的電容器區域CAP2之平面圖及橫截面圖。
參照圖5A及6A，根據目前的實施例，露出整個頂端電容器電極314的第二接觸孔洞C2可形成在該第二絕緣層15中，並且該第二間隙G2可形成在該頂端電容器電極314的外側以及該第二接觸孔洞C2的內側壁之間。
如同稍後將會加以描述的，該底部電容器電極312a以及連接至該底部電容器電極312a的佈線單元W1之待摻雜離子雜質的區域可以根據一藉由在該第二絕緣層15中形成的第二接觸孔洞C2所形成的區域A2之尺寸來變化。當該頂端電容器電極314中由該第二接觸孔洞C2所露出的尺寸小於該底部電容器電極312a的尺寸時，該底部電容器電極312a的一外側部分以及在該底部電容器電極312a與佈線單元W1之間的一連接部分的一半導體層可能有一些區域是未摻雜有離子的。在此例中，該電容器的容量可能被減少、或者信號傳送品質可能被降低。
然而，根據目前的實施例，整個頂端電容器電極314可以透過該第二接觸孔洞C2來露出，因此該底部電容器電極312a及佈線單元W1都能夠摻雜有離子雜質。於是，在該底部電容器電極312a及佈線單元W1中沒有區域是未摻雜有離子的，因此該靜電容量可被增大，並且信號傳送品質可加以改善。
然而，參照圖5B及6B，在根據該對照例的電容器區域CAP2中，該第二頂端電容器電極315可能保留在該第一頂端電容器電極314的外側部分上，因此一個並非露出該整個頂端電容器電極314而只露出該第一頂端電容器電極314的一部分的第二接觸孔洞C2’可形成在該第二絕緣層15中。因此，該第二接觸孔洞C2’所形成的區域A2’可能小於上述的有機發光顯示裝置1的第二接觸孔洞C2所形成的區域A2，因此在該對照例中的底部電容器電極312a的摻雜有離子雜質的區域可能小於本實施例。於是，靜電容量可能被減少。尤其，該底部電容器電極312a之未摻雜有離子的一部分312c可能是該佈線單元W1與底部電容器電極312a之間的連接部分之部分，此可能降低該電容器的佈線單元W1的信號傳送品質。
在以下，一種製造該有機發光顯示裝置1之方法將會參考圖7至13加以描述。
圖7是描繪根據本發明的一實施例的製造該有機發光顯示裝置1之方法的一第一光罩動作的橫截面圖。
參照圖7，一薄膜電晶體的一主動層212以及一底部電容器電極312係形成在一其上堆疊一緩衝層11的基板10上。儘管未在圖7中顯示，一電容器的連接至該底部電容器電極312c的一佈線單元可以在該第一光罩動作中和該底部電容器電極312c同時形成。
該基板10可以是由一種具有SiO2為一主要成分之透明的玻璃材料所形成的，並且包含SiO2及/或SiNx的緩衝層11可進一步形成在該基板10上，使得該基板10是平坦的並且以便防止雜質元素穿透到該基板10中。
儘管未在圖7中顯示，一半導體層(未顯示)可沉積在該緩衝層11上，接著一光阻(未顯示)可塗覆在該半導體層(未顯示)上，接著該半導體層(未顯示)可利用一使用一第一光罩(未顯示)的微影製程來圖案化，因此該薄膜電晶體的主動層212、底部電容器電極312c以及該電容器的佈線單元(未顯示)可同時形成。
該利用微影的第一光罩動作可能牽涉到利用一曝光設備(未顯示)以曝光該第一光罩(未顯示)、以及顯影、蝕刻、剝除、或灰化動作。
該半導體層(未顯示)可以是由非晶矽或結晶矽(多晶矽)所形成的。該結晶矽可藉由使非晶矽結晶來加以形成。該非晶矽可利用例如是：一快速熱退火(RTA)方法、一固相結晶(SPC)方法、一準分子雷射退火(ELA)方法、一金屬誘發結晶(MIC)方法、一金屬誘發側向結晶(MILC)方法、或是一依序橫向固化(SLS)方法來加以結晶。
圖8是描繪根據本發明的一實施例的製造該有機發光顯示裝置1之方法的一第二光罩動作的結果之橫截面圖。
參照圖8，一第一絕緣層13可堆疊在圖1的第一光罩動作之一所產生的產物上，並且包含透明的導電材料及金屬的層(未顯示)可依序地形成在該第一絕緣層13上，接著該些包含透明的導電材料及金屬的層可同時加以圖案化。
由於該圖案化，一包含一透明的導電材料的第一像素電極114以及一包含一金屬的第二像素電極115可以依序地形成在該像素區域PXL1中的第 一絕緣層13上，並且一包含一透明的導電材料的第一閘極電極214以及一包含一金屬的第二閘極電極215可以依序地形成在該電晶體區域TFT1中，並且一包含一透明的導電材料的第一頂端電容器電極314以及一包含一金屬的第二頂端電容器電極315可同時形成在該電容器區域CAP1中。
如上所述，該第一絕緣層13可包含SiO2及/或SiNx而為單一層或複數個層，並且該第一絕緣層13可以作用為該薄膜電晶體的一閘極絕緣層以及該電容器的一介電層。
該第一像素電極114、第一閘極電極214以及第一頂端電容器電極314可以是由相同的透明的導電材料所形成的。
該第二像素電極115、第二閘極電極215以及第二頂端電容器電極315可以是由相同的金屬所形成的，並且可以是由至少一從鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)所構成的群組中選出的金屬並且是以單一層或複數個層所形成的。
以上的堆疊結構可摻雜有離子雜質。例如，B或P離子可被利用作為該離子雜質。摻雜D1可利用1×1015原子/cm2或更高的濃度來在作為一目標的薄膜電晶體的主動層212上加以執行。
該第一及第二閘極電極214及215可被利用作為一自對準光罩以將離子雜質摻雜到該主動層212。因此，該主動層212可包含摻雜有離子雜質的源極與汲極區域212a及212b以及一設置在該兩個區域之間的通道區域212c。換言之，藉由利用該第一及第二閘極電極214及215作為一自對準光罩，該源極與汲極區域212a及212b可在沒有利用額外的光罩下加以形成。
根據一實施例，由和該主動層212相同的材料所形成的底部電容器電極312c並未如同該通道區域212c加以摻雜，因為該第一及第二頂端電容器電極314及315係作用為一阻擋光罩。然而，該電容器中並未形成該第一及第二頂端電容器電極314及315的佈線單元可摻雜有離子雜質。
圖9係描繪在該第二光罩動作之後的連接至該底部電容器電極312c且在該第一摻雜動作中摻雜有離子雜質的佈線單元W1。
參照圖9，該底部電容器電極312c係因為受到該第一及第二頂端電容器電極314及315的阻擋而未被摻雜，但是該佈線單元W1係摻雜有離子雜質(部分312a)。
圖10是描繪根據本發明的一實施例的製造該有機發光顯示裝置1之方法的一第三光罩動作的一所產生的產物之橫截面圖。
參照圖10，一第二絕緣層15可形成在圖8的第二光罩動作的一所產生的產物上，並且該第二絕緣層15可加以圖案化以形成一露出該整個第一像素電極114的第一接觸孔洞C1、一完全地露出該第一及第二頂端電容器電極314及315的第二接觸孔洞C2、以及一露出該主動層212的源極區域212a與汲極區域212b的部分的第三接觸孔洞C3。
該第一接觸孔洞C1可加以形成以便露出該整個第一像素電極114，並且一第一間隙G1可形成在該第一像素電極114的一外側以及該第一接觸孔洞C1的內側壁之間。再者，該第二接觸孔洞C2可加以形成以便完全地露出該電容器的第一及第二頂端電容器電極314及315，並且一第二間隙G2可形成在該第一及第二頂端電容器電極314及315的外側以及該第二接觸孔洞C2的內側壁之間。
如上所述，由於該第一接觸孔洞C1可形成在該第二絕緣層15中以露出該整個第一像素電極114，因此發光的區域可以增大，藉此增大孔徑比。
圖11是描繪根據本發明的一實施例的製造該有機發光顯示裝置1之方法的一第四光罩動作的一所產生的產物之橫截面圖。
參照圖11，源極與汲極電極216a及216b可形成在該第二絕緣層15上。該源極與汲極電極216a及216b分別可以由至少一從由鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)所構成的群組中選出的金屬並且以單一層或複數個層所形成的。
儘管未明確地顯示在圖11中，但該源極與汲極電極216a及216b係如同以下所述地形成。首先，一用以形成該源極與汲極電極216a及216b的金屬可形成在圖10的第三光罩動作之所產生的產物上，接著該金屬可藉由利用一第四光罩(未顯示)來加以圖案化以使得該源極與汲極電極216a及216b保留下。
當用於形成該源極與汲極電極216a及216b的金屬以及一用於形成該第二像素電極115及第二頂端電容器電極315的金屬是相同時，該源極與汲極電極216a及216b可在一蝕刻動作中利用單一蝕刻劑來加以圖案化。若用於形成該源極與汲極電極216a及216b的金屬以及用於形成該第二像素電極115及第二頂端電容器電極315的金屬是不同的，則用於形成該源極與汲極電極216a及216b的金屬可利用一第一蝕刻溶液來加以蝕刻以形成該源極與汲極電極216a及216b的圖案，並且該第二像素電極115及第二頂端電容器電極315可利用一第二蝕刻溶液來加以移除。
接著，藉由上述的第四光罩動作及蝕刻動作所形成的結構可摻雜有離子雜質。可利用B或P離子作為離子雜質且以一適當的濃度在該底部電容器電極312a上執行摻雜D2。
圖12係描繪在該第四光罩動作之後的一第二摻雜動作期間摻雜有離子雜質的底部電容器電極312a。
參照圖12，在該第一摻雜動作中並未摻雜的底部電容器電極312c(參見圖9)可以在該第二摻雜動作之後變成一摻雜有離子雜質的底部電容器電極312a。因此，該底部電容器電極312a的導電度可以增高。於是，該底部電容器電極312a、第一絕緣層13以及第一頂端電容器電極314可形成一MIM電容器結構，藉此增大該電容器的靜電容量。
此外，由於形成在該第二絕緣層15中的第二接觸孔洞C2可以露出該整個頂端電容器電極314，因此該底部電容器電極312a及佈線單元W1都可以摻雜有離子雜質。於是，在靜電容量或信號傳送品質上的降低可加以防止。
圖14是描繪根據本發明的一對照例的製造該有機發光顯示裝置2之方法的一第四光罩動作之橫截面圖。
參照圖14，一第一接觸孔洞C1’及一第二接觸孔洞C2’可部分地露出該第一像素電極114及第一頂端電容器電極314。因此，該第二像素電極115及第二頂端電容器電極315的部分可能分別保留在該第一像素電極114及第一頂端電容器電極314的外側部分上。此結構未被描繪在圖14中，但可能在該第三光罩動作中形成。
如在圖15中所繪，當以上的結構摻雜有離子雜質時，未被該第二頂端電容器電極315阻擋的底部電容器電極312a係被摻雜，但是被該第二頂端電 容器電極315阻擋的一部分312c係未被摻雜。該未被摻雜的部分312c可能是該底部電容器電極312a的部分，因此可能減少該電容器的總靜電容量、或者可能降低佈線單元W1’的信號傳送品質。
圖13是描繪根據本發明的一實施例的製造該有機發光顯示裝置1之方法的一第五光罩動作的一所產生的產物之橫截面圖。
參照圖13，一第三絕緣層17可形成在圖11的第四光罩動作的所產生的產物上，並且該第三絕緣層17可加以圖案化以形成一露出該第一像素電極114的一上方部分的開口C4。
除了界定一發光的區域之外，該開口C4亦可增加在該第一及第二像素電極114及115以及該對面電極119(參見圖1)的邊界之間的距離，以避免電場集中在該第一像素電極114的邊界上，藉此防止在該第一像素電極114及對面電極119之間的短路。
如上所述，該開口C4的尺寸可以隨著形成在該第二絕緣層15中的第一接觸孔洞C1的尺寸增大而增大。因此，該發射層118(參見圖1)的長度在該較大的開口C4中可進一步增長，藉此放大發光的區域並且增大孔徑比。
根據該有機發光顯示裝置1及其之製造方法的一實施例，當在該第三光罩動作中於該第二絕緣層15中形成接觸孔洞時，該第一及第二接觸孔洞C1及C2可被形成以便分別完全地露出該第一像素電極114以及第一頂端電容器電極314，藉此增大孔徑比、靜電容量以及電容器佈線的信號傳送品質。
儘管根據目前的實施例，該第一接觸孔洞C1以及第二接觸孔洞C2可分別形成以便完全地露出該第一像素電極114以及第一頂端電容器電極 314，但本發明並不限於此。替代的是，必要時只有該第一接觸孔洞C1或是該第二接觸孔洞C2可加以形成來具有上述的結構。
根據本發明的有機發光顯示裝置及其之製造方法，可提供以下的效果。
第一，發光的區域的表面積可加以增大，藉此增大孔徑比。
第二，底部電容器電極以及佈線單元可防止未被摻雜離子雜質，因此靜電容量可加以增大並且電容器佈線的信號傳送品質可加以改善。
第三，可提供一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)的電容器結構。
第四，該有機發光顯示裝置可透過五個光罩動作來加以製造。
儘管本發明已經特別參考其範例的實施例來展示及敘述，但該項技術中具有通常技能者將會理解到可在本發明中做成各種在型式及細節上的改變，而不脫離藉由以下的申請專利範圍所界定之本發明的精神與範疇。
1‧‧‧有機發光顯示裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
13‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧第二絕緣層
17‧‧‧第三絕緣層
114‧‧‧第一像素電極
118‧‧‧發射層
119‧‧‧對面電極
212‧‧‧主動層
212a‧‧‧源極區域
212b‧‧‧汲極區域
212c‧‧‧通道區域
214‧‧‧第一閘極電極
215‧‧‧第二閘極電極
216a‧‧‧源極電極
216b‧‧‧汲極電極
312a‧‧‧底部電容器電極
314‧‧‧第一頂端電容器電極
A1‧‧‧區域
A2‧‧‧區域
C1‧‧‧第一接觸孔洞
C2‧‧‧第二接觸孔洞
C4‧‧‧開口
G1‧‧‧第一間隙
G2‧‧‧第二間隙
PXL 1‧‧‧像素區域
TFT1‧‧‧電晶體區域
CAP1‧‧‧電容器區域

Claims (25)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其係包括：一薄膜電晶體之一主動層以及一底部電容器電極，形成在一基板之上，其中該底部電容器電極係包含形成在和該主動層相同的層上並且摻雜有離子雜質的一半導體材料；一第一絕緣層，形成在該基板之上以覆蓋該主動層以及該底部電容器電極；一閘極電極，形成在該第一絕緣層之上，其中該閘極電極係包括依序地堆疊在該第一絕緣層上的一第一閘極電極以及一第二閘極電極，其中該第一閘極電極係包括一第一透明的導電材料，並且該第二閘極電極係包括一金屬；一像素電極，形成在該第一絕緣層上，其中該像素電極係包括一第二透明的導電材料，以及一頂端電容器電極，形成在和該像素電極相同的層上，其中該頂端電容器電極係包括一第三透明的導電材料；該薄膜電晶體之源極與汲極電極係電性連接至該主動層；一第二絕緣層，其係形成在該第一絕緣層以及該源極與汲極電極之間，並且包含露出該整個頂端電容器電極的一第一接觸孔洞； 一第三絕緣層，其係形成在該第二絕緣層上並且露出該像素電極；一發射層，形成在該像素電極之上；以及一對面電極，設置在該像素電極之上且面對該像素電極，其中該發射層係被設置在該像素電極以及該對面電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該第一閘極電極、該像素電極以及該頂端電容器電極係包括相同的透明的導電材料。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該透明的導電材料係包含至少一從由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、銦鎵氧化物(IGO)、以及鋁鋅氧化物(AZO)所構成的群組中選出的材料。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中一間隙係形成在該頂端電容器電極的一外側以及該接觸孔洞的一內側壁之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之有機發光顯示裝置，其中一第三絕緣層係被設置在該間隙中。
  6. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中一連接至該底部電容器電極的電容器佈線係形成在和該底部電容器電極相同的層上，其中該電容器佈線係包括一種摻雜有離子雜質的半導體材料。
  7. 如申請專利範圍第6項之有機發光顯示裝置，其中一在該底部電極以及該電容器佈線之間的連接部分係摻雜有離子雜質。
  8. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該第二絕緣層係包括一露出該整個像素電極的第二接觸孔洞。
  9. 如申請專利範圍第8項之有機發光顯示裝置，其中一間隙係形成在該像素電極的一外側以及該第二接觸孔洞的一內側壁之間。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機發光顯示裝置，其中一第三絕緣層係被設置在該間隙中。
  11. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該第三絕緣層係包括一種有機絕緣材料。
  12. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該主動層係包括一種摻雜有離子雜質的半導體材料。
  13. 如申請專利範圍第12項之有機發光顯示裝置，其中該半導體材料係包含非晶矽或結晶矽。
  14. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中該對面電極是一反射從該發射層發出的光之反射電極。
  15. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中至少一具有和該第一絕緣層不同的折射率的絕緣層係被設置在該基板以及該第一絕緣層之間。
  16. 一種有機發光顯示裝置之製造方法，該方法係包括：一第一光罩動作，其係包括在一基板之上形成一半導體層以及圖案化該半導體層以形成一薄膜電晶體的一主動層以及一底部電容器電極；一第二光罩動作，其係包括在該基板之上形成一第一絕緣層以覆蓋該主動層以及該底部電容器電極，在該第一絕緣層上依序地堆疊一種透明的導電材料以及一第一金屬，以及圖案化該透明的導電材料以及該第一金屬以同時形成一其中該透明的導電材料以及該第一金屬依序地堆疊的像素電極、該薄膜電晶體的一閘極電極、以及一頂端電容器電極；一第三光罩動作，其係包括在該第二光罩動作的一所產生的產物上形成一第二絕緣層以及圖案化該第二絕緣層以形成一完全地露出該像素電極、該主動層的源極與汲極區域、以及該頂端電容器電極的接觸孔洞；一第四光罩動作，其係包括在該第三光罩動作的一所產生的產物上形成一第二金屬，圖案化該第二金屬以形成分別接觸該露出的源極與汲極區域的源極與汲極電極，以及移除形成在該像素電極以及該頂端電容器電極上的第一金屬；以及 一第五光罩動作，其係包括在該第四光罩動作的一所產生的產物上形成一第三絕緣層，其中該第三絕緣層係露出該像素電極的透明的導電材料。
  17. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中在該第一光罩動作中，該半導體層係被圖案化以在和該底部電容器電極相同的層上同時形成一連接至該底部電容器電極的電容器佈線。
  18. 如申請專利範圍第17項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中在該第二光罩動作之後，該源極與汲極區域以及該電容器佈線係摻雜有離子雜質。
  19. 如申請專利範圍第17項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中在該第三光罩動作中，一間隙係形成在該頂端電容器電極的一外側以及該接觸孔洞的一內側壁之間以露出該整個頂端電容器電極。
  20. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中該第三光罩動作係包括在該第二絕緣層中形成該接觸孔洞以露出該整個像素電極。
  21. 如申請專利範圍第20項之有機發光顯示裝置之製造方法，其進一步包括在該像素電極的一外側部分以及該接觸孔洞的一內側壁之間形成一間隙以露出該整個像素電極。
  22. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中該第四光罩動作係包括一蝕刻該第二金 屬的第一蝕刻動作以及一移除形成在該像素電極以及該頂端電容器電極上的第一金屬之第二蝕刻動作。
  23. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其中在該第四光罩動作中，該第二金屬係由和該第一金屬相同的材料所形成的，並且該第一金屬以及該第二金屬係同時被蝕刻。
  24. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其進一步包括，在該第四光罩動作之後，以離子雜質摻雜該底部電容器電極。
  25. 如申請專利範圍第16項之有機發光顯示裝置之製造方法，其進一步包括，在該第五光罩動作之後，在該像素電極上形成一發射層並且在該發射層上形成一對面電極。
TW100124754A 2010-10-05 2011-07-13 有機發光顯示裝置及其之製造方法 TWI555188B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100096913A KR101372852B1 (ko) 2010-10-05 2010-10-05 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201227949A TW201227949A (en) 2012-07-01
TWI555188B true TWI555188B (zh) 2016-10-21

Family

ID=45889029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100124754A TWI555188B (zh) 2010-10-05 2011-07-13 有機發光顯示裝置及其之製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8378352B2 (zh)
KR (1) KR101372852B1 (zh)
CN (1) CN102447074B (zh)
TW (1) TWI555188B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101056250B1 (ko) 2009-10-21 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101049003B1 (ko) * 2009-12-01 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101101087B1 (ko) * 2009-12-09 2011-12-30 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101924231B1 (ko) 2010-10-29 2018-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기억 장치
KR20130024029A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101945237B1 (ko) * 2012-06-01 2019-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140029992A (ko) * 2012-08-31 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치
JP6005755B2 (ja) * 2012-10-31 2016-10-12 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス基板およびその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示パネル、エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102036326B1 (ko) * 2012-11-21 2019-10-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102010789B1 (ko) * 2012-12-27 2019-10-21 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20140137948A (ko) * 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR102077143B1 (ko) * 2013-05-30 2020-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6400961B2 (ja) 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN103489894B (zh) * 2013-10-09 2016-08-17 合肥京东方光电科技有限公司 有源矩阵有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法
KR102161600B1 (ko) * 2013-12-17 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102227476B1 (ko) * 2014-06-23 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102285384B1 (ko) 2014-09-15 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치
CN104393017B (zh) 2014-10-31 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN104934441B (zh) * 2015-04-29 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种goa单元及其制作方法、栅极驱动电路及显示器件
KR102471111B1 (ko) 2015-11-23 2022-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102640164B1 (ko) 2016-05-09 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR102660292B1 (ko) 2016-06-23 2024-04-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 패널 및 그 제조 방법
KR102586938B1 (ko) 2016-09-05 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20220136473A (ko) 2016-09-07 2022-10-07 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 표시 장치 및 전자 기기
KR20210086359A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN111679525B (zh) * 2020-06-22 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR20220062212A (ko) 2020-11-06 2022-05-16 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030054795A (ko) * 2001-12-26 2003-07-02 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
TW200834988A (en) * 2006-10-27 2008-08-16 Canon Kk Semiconductor member, semiconductor article manufacturing method, and LED array using the manufacturing method
CN101271919A (zh) * 2007-03-22 2008-09-24 Lg.菲力浦Lcd株式会社 显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法
KR100943187B1 (ko) * 2008-05-20 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623720B1 (ko) 2004-11-24 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
JP2008147608A (ja) * 2006-10-27 2008-06-26 Canon Inc Ｌｅｄアレイの製造方法とｌｅｄアレイ、及びｌｅｄプリンタ
KR20100028952A (ko) 2008-09-05 2010-03-15 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조방법
KR101074788B1 (ko) 2009-01-30 2011-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101714026B1 (ko) * 2010-07-02 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030054795A (ko) * 2001-12-26 2003-07-02 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그 제조방법
TW200834988A (en) * 2006-10-27 2008-08-16 Canon Kk Semiconductor member, semiconductor article manufacturing method, and LED array using the manufacturing method
CN101271919A (zh) * 2007-03-22 2008-09-24 Lg.菲力浦Lcd株式会社 显示基板、有机发光二极管显示器件及其制造方法
KR100943187B1 (ko) * 2008-05-20 2010-02-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120080663A1 (en) 2012-04-05
KR20120035419A (ko) 2012-04-16
CN102447074A (zh) 2012-05-09
TW201227949A (en) 2012-07-01
CN102447074B (zh) 2015-12-16
KR101372852B1 (ko) 2014-03-10
US8378352B2 (en) 2013-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555188B (zh) 有機發光顯示裝置及其之製造方法
US9184219B2 (en) Method of manufacturing an organic light-emitting display device
TWI540716B (zh) 薄膜電晶體陣列基板、其有機發光顯示器及製造該有機發光顯示器之方法
US8866145B2 (en) Organic light-emitting display device including an insulating layer having different thicknesses
TWI584456B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US8525181B2 (en) Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display device comprising the thin-film transistor array substrate, and method of manufacturing the thin-film transistor array substrate
KR102369300B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101797095B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101802860B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8901550B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102078356B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20120001182A1 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
TWI540735B (zh) 薄膜電晶體陣列基板、包含該薄膜電晶體陣列基板的有機發光顯示器及其製造方法
TW201320430A (zh) 薄膜電晶體陣列基板、包含其之有機發光顯示器以及其製造方法
KR101944916B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200019163A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees