JP4789341B2 - 半導体装置及び半導体装置製造用マスク - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及び半導体装置製造法マスクに関し、特に有効発光面積の増大に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、フラットディスプレイパネルとして有機エレクトロルミネセンス(有機EL)素子を用いた表示パネルが知られている。有機EL素子は陽極と陰極との間に設けられた有機EL層に電流を供給することで有機EL層を発光させる自然光ディスプレイであり、LCDのようにバックライトが不要であることから、次のフラットディスプレイパネルの主流として期待されている。特に、各画素にスイッチング素子を形成したアクティブマトリクス型の有機ELディスプレイでは、各画素毎に表示データを保持できるため大画面化、高精細化が可能であり有望視されている。
【0003】
このような有機ELディスプレイにおいて、発光層である有機EL層は一般に回路基板上にシャドウマスクを用いて蒸着法により形成されている。
【0004】
図6には、従来のカラー有機ELディスプレイ1の画素配列が模式的に示されている。有機ELディスプレイ1は、複数の画素1aがマトリクス状に配置されて構成される。各画素1aは薄膜トランジスタなどのスイッチング素子を有し、各画素のスイッチング素子を行に相当するゲートライン及び列に相当するデータラインで駆動し有機EL素子を発光させる。R画素、G画素及びB画素の配列は任意であるが、例えば図に示されるようにR画素、G画素、B画素を直線上(列上)に配置(ストライプ配列)することができる。
【0005】
図7には、図6における画素1aの詳細な平面図が示されており、図8(a)、(b)には、それぞれ図7におけるA−A断面及びB−B断面が示されている。両図において、行方向に延びるゲートライン51と列方向に延びるデータライン52に囲まれた領域が1つの画素領域1aであり、この領域内にnチャネル薄膜トランジスタ13、補助容量70、pチャネル薄膜トランジスタ42が形成され、さらに薄膜トランジスタ42のドレインとドレイン電極43dを介し接続された有機EL素子65が設けられている。また、薄膜トランジスタ42のソースはソ−ス電極43sを介して電源ライン53に接続されている。
【0006】
薄膜トランジスタ13の能動層9は、ゲートライン51から突出したゲート電極11を2回くぐるパターンとなっており、ダブルゲート構造となっている。薄膜トランジスタ13のドレインはドレイン電極16を介してデータライン52に接続され、ソースは補助容量70及びブリッジ構造を介して薄膜トランジスタ42のゲート41に接続される。補助容量70は、電源Vscに接続されたSCライン54と能動層9と一体の電極55から構成される。
【0007】
上述したように、薄膜トランジスタ42のドレインは有機EL素子60に接続される。有機EL素子60は、薄膜トランジスタ13、42上の平坦化絶縁膜17に画素毎に形成された陽極(透明電極)61と、最上層に各画素共通に形成された陰極(金属電極)66と、陽極61及び陰極66との間に積層された有機層65から構成される。陽極61は、ITOなどから構成され、薄膜トランジスタ42のドレインとドレイン電極43dを介して接続される。また、有機層65は、陽極61側からホール輸送層62、有機発光層63、電子輸送層64を順次積層して構成される。有機発光層63は、R画素、G画素、B画素毎にその材料が異なるが、例えばキナクリドン誘導体を含むBeBq2を含んで構成される。
【0008】
なお、上述した各画素の構成要素は、全て基板3上に積層形成される。すなわち、基板3上に絶縁層4が形成され、その上に半導体層9がパターン形成される。そして、半導体層9上にゲート酸化膜12を介してゲート11、41が形成される。ゲート11、41上には層間絶縁膜15が形成され、この層間絶縁膜15に形成されたコンタクトホールを介して陽極61と多結晶シリコンなどからなる能動層9が接続される。
【0009】
また、画素毎に形成された透明陽極61の上に有機EL素子60を形成するためには、図9に示されるように各画素に対応した開口部2aを有するシャドウマスク2をR画素、G画素、B画素毎に用いて有機発光層63を蒸着すればよい。そして、陽極61と陰極66で挟まれた領域に電流が主として供給されるため、有機発光層63は陽極61に位置決めされて形成される。
【0010】
このような構成において、ゲートライン51に選択信号が出力されると薄膜トランジスタ13がオンし、そのときにデータライン52に印加されているデータ信号の電圧値に応じて補助容量70が充電される。薄膜トランジスタ42のゲートはこの補助容量70に充電された電荷に応じた電圧を受け、電源ライン53から有機EL素子に供給される電流が制御され、有機EL素子は供給された電流に応じた輝度で発光する。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図9に示されるように各画素に対応した開口部2aを備えるマスク2で有機発光層63を蒸着形成すると、開口部2aの端部におけるシャドウイングにより有機発光層63の厚さにむらができ、均一な発光特性が得られない問題があった。
【0012】
図10には、マスク2の一部拡大図が示されている。マスク2の開口部2aは、上述したように各画素の陽極61上に位置決めするために陽極61の形状に合わせて形成されており、所定位置に固定した蒸着源から蒸発した有機発光材を通過させる。ところが、図中z方向における有機発光層63の膜厚は、図11に示されるように中央100ではほぼ均一であるものの、開口部2aの端部102ではシャドウイングのため膜厚が中央より小さくなる。このような膜厚の不均一化は、発光むら、あるいは有効発光面積の減少を招く問題がある。
【0013】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みなされたものであり、その目的は、画素毎に発光させつつ有効発光面積を増大させることができる半導体装置及び半導体装置製造用のマスクを提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、第1電極及び第2電極との間に発光層を有する画素を複数個マトリクス状に配置して構成される半導体装置であって、前記第1電極あるいは第2電極の少なくともいずれかは前記画素毎に設けられ、前記発光層は複数の前記画素のうち隣接する画素間で共通化されることを特徴とする。
【0015】
ここで、前記隣接する画素は同色とすることができ、同色とした場合、前記同色の画素は直線状に隣接配置され、前記発光層は、前記直線状に隣接配置された画素間で共通化されることが好適である。また、同色とした場合、前記同色の画素はジグザグ状に隣接配置され、前記発光層は、前記ジグザグ状に隣接配置された画素間で共通化されることも好適である。
【0016】
前記同色の画素はR画素、G画素、B画素の少なくともいずれかとすることができる。
【0017】
本装置において、前記発光層は、有機エレクトロルミネセンス(有機EL)材を含むことができ、これにより有機ELディスプレイを構成することができる。
【0018】
このように、本発明の半導体装置では、発光層を画素毎に有するのではなく、隣接する画素間で共通化あるいは一体化する。発光層を共通化することで、画素毎に形成する必要がなくなり、したがって各画素に対応したシャドウマスクを用いる必要もなく、マスク開口部の端部で生じるシャドウイングを除去して発光層の膜厚を均一化できる。発光層の膜厚を均一化することで、発光層に流れる電流強度を均一化して実効発光面積を増大させることができる。この際、第1電極あるいは第2電極のいずれかは画素毎に形成されているので、発光層を隣接画素間で共通化しても実際に電流が流れるのは第1電極と第2電極で挟まれた部分のみであり、画素毎に発光を制御できる。第1電極と第2電極の一つの態様は陽極と陰極であり、例えば陽極を画素毎に形成し、陰極を画素間で共通に形成することができる。
【0019】
また、本発明は、上記の半導体装置を製造するための前記発光層形成用マスクを提供する。このマスクは、前記複数の画素のうち隣接する画素間で共通する開口部を有し、前記開口部により前記発光層の材料を通過させて前記発光層を形成することを特徴とする。
【0020】
本発明のマスクによれば、各画素に対応した開口部を有する場合に比べ、隣接画素間の開口部端部が除去され、これにより発光層材料が通過する際のシャドウイングを除去することができ、発光層の膜厚を均一化できる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について、有機ELディスプレイを例にとり説明する。
【0022】
図1には、本実施形態に係る有機発光層63形成用のシャドウマスク2の構成が示されている。従来においては、各画素に対応した離散的な開口部2aを有しているが、本実施形態では隣接する画素間で共通する開口部2aを有している。具体的には、ある色、例えばR画素に着目すると、R画素群は列方向に直線上に配置されており、R画素を形成するための開口部2aも列方向に直線上に配置されているから、隣接する画素間で開口部2aを共通化させることで、結局図示のようにストライプ状の開口部2aが得られる。開口部2aの幅は一つの画素幅に対応し、長さは共通化する画素数に応じて決定される。すなわち、隣接する2つの画素の有機発光層63を共通化する場合には長さを画素長×2、隣接するn個(n=2、3、・・・)の画素の有機発光層63を共通化する場合には長さを画素長×nとする。図では、列方向の全画素数をkとして、列方向に配置した全ての画素の有機発光層63を共通化すべく長さを画素長×kとしている。ストライプ状の開口部2aのピッチは、行方向の同色画素ピッチに等しい。マスク2の厚さは、従来と同様に50μmである。G画素用のマスクあるいはB画素用のマスクについても同様であり、開口部2aをストライプ状に形成することができる。
【0023】
このようなマスク2を用いて有機EL材を蒸着することで、R画素用の有機発光層63、G画素用の有機発光層63、B画素用の有機発光層63をそれぞれ形成する。
【0024】
図2には、図1に示されたマスク2を用いて有機発光層63を形成した場合の有機ELディスプレイの平面図が示されており、図3(a)、(b)にはそれぞれ図2におけるA−A断面及びB−B断面が示されている。なお、図においては説明の都合上、列方向に隣接する2つの同色画素が示されている。
【0025】
各画素の構成は図7とほぼ同様であり、一つの画素には薄膜トランジスタ13、42及び補助容量70が形成される。薄膜トランジスタ13のドレインはデータライン52に接続され、薄膜トランジスタ13のソースは補助容量70の一方の電極に接続されるとともに薄膜トランジスタ42のゲートに接続され、薄膜トランジスタ13のゲートはゲートライン51に接続される。また、薄膜トランジスタ42のソースは電源ライン53に接続され、ドレインは透明な陽極61に接続される。
【0026】
ここで、本実施形態では陽極61上に有機EL素子65を形成する際、図1に示されるようなストライプ状の開口部2aを有するマスク2を用いるため、有機発光層63は一つの画素の陽極61上のみならず、列方向に隣接する画素の全域、より詳しくはデータライン52と電源ライン53で挟まれた列領域に一体的に形成される。図2において、有機発光層63の形成領域が便宜的に斜線で示されている。1つの画素の陽極61上のみならず、薄膜トランジスタ13、42や補助容量70、ゲートライン51上にも形成される。したがって、図3(a)ではホール輸送層62や電子輸送層64、陰極66と同様に有機発光層63が形成され、図3(b)では有機発光層63が薄膜トランジスタ42のソース電極43s近傍まで延在している。
【0027】
参考のため、図4に従来の有機発光層63の形成領域が斜線で示されている。従来においては、1つの画素の陽極61上にのみ形成されており、本実施形態との相違は明らかであろう。
【0028】
このように、本実施形態では、マスク2の開口部2aをストライプ状とし、同色の隣接画素において有機発光層63を共通化しているため、開口部2aの端部が隣接画素の境界、あるいは陽極61の境界において存在しなくなり、したがって有機発光層63を蒸着形成した場合においても端部におけるシャドウイングがなくなり、列方向に対して有機発光層63の膜厚を均一化することができる。
【0029】
なお、本実施形態では、図2に示されるように薄膜トランジスタ13、42や補助容量70上にも有機発光層63が形成されるが、有機発光層63は抵抗率が高いため、陽極61と陰極66で挟まれた部分のみに電流が流れるため、従来と同様に陽極61上のみで発光し、すなわち各画素毎に発光することになる。
【0030】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく種々の変更が可能である。
【0031】
例えば、本実施形態では同色画素が列方向に直線的に配置されている場合について説明したが、デルタ配列の場合など同色画素が列方向にジグザグ状に配置されている場合についても同様に適用できる。図5には、この場合のマスク2が示されている。同色画素の配置に対応して、開口部2aも列方向にジグザグ状に形成されている。このマスク2を用いることで、ジグザグ状に隣接する同色画素間において有機発光層63を共通化し、有機発光層63の陽極61上における膜厚を均一化することができる。
【0032】
また、本実施形態では蒸着により有機発光層63を形成する場合について説明したが、インクジェット法により形成する場合でも同様に図1に示されたマスク2(この場合にはインクを限定領域に滴下するための枠として機能する)を用いて有機発光層63を共通化することができる。
【0033】
また、一枚の大型基板に同時に複数のパネルを形成する多面取りの場合、各パネル毎に図1に示すマスク2を用いることができる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば発光層を共通化することで発光層の膜厚を均一化することができる。これにより、発光むらを抑え、有効発光面積を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態のマスク平面図である。
【図2】 実施形態の半導体装置の平面図である。
【図3】 図2のA−A断面図(a)及びB−B断面図(b)である。
【図4】 従来の半導体装置の平面図である。
【図5】 他の実施形態のマスク平面図である。
【図6】 画素配列説明図である。
【図7】 従来の半導体装置の平面図である。
【図8】 図7のA−A断面図(a)及びB−B断面図(b)である。
【図9】 従来のマスク説明図である。
【図10】 従来のマスクの一部拡大図である。
【図11】 従来の有機発光層の膜厚分布説明図である。
【符号の説明】
2 マスク、2a 開口部、61 陽極、63 有機発光層、66 陰極。
Claims (7)
- 画素を複数個マトリクス状に配置して構成される半導体装置であって、
前記画素は、第1電極及び第2電極に挟まれた発光層を有し、
列方向に隣接配置される前記画素は、同じ色を示す前記発光層を有し、
行方向に隣接配置される前記画素は、互いに異なる色を示す前記発光層を有し、
前記第1電極は前記画素毎に設けられ、
前記発光層は複数の前記画素のうち列方向に隣接する画素間で共通化され、行方向に隣接する画素間で離間され、前記第1電極の全ての端部を超えて延在していることを特徴とする半導体装置。 - 画素を複数個マトリクス状に配置して構成される半導体装置であって、
前記画素は、第1電極及び第2電極に挟まれた発光層と、補助容量と、を有し、
列方向に隣接配置される前記画素は、同じ色を示す前記発光層を有し、
行方向に隣接配置される前記画素は、互いに異なる色を示す前記発光層を有し、
前記第1電極は前記画素毎に設けられるとともに、行方向において対面する複数の第1の端部を有し、
前記発光層は複数の前記画素のうち列方向に隣接する画素間で共通化され、行方向に隣接する画素間で離間され、前記複数の第1の端部及び前記補助容量の端部を超えて延在していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の装置において、
前記発光層は、前記第1電極の全ての端部を超えて延在していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の装置において、
前記同じ色を示す発光層を有する前記画素は、直線状に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の装置において、
前記同じ色を示す発光層を有する前記画素は、ジグザグ状に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の装置において、
前記装置は、行方向に延びるゲートライン、列方向に延びるデータライン及び電源ラインを有し
前記画素は、第1電極、第2電極及び有機エレクトロルミネセンス材を含む発光層を有する有機エレクトロルミネセンス素子と、前記ゲートライン及び前記データラインに接続される第1の薄膜トランジスタと、前記電源ライン及び前記有機エレクトロルミネセンス素子に接続される第2の薄膜トランジスタと、を有し、
前記有機エレクトロルミネセンス素子は、前記第1の薄膜トランジスタ及び前記第2の薄膜トランジスタを覆う絶縁層の上に形成され、
前記発光層は、前記電源ラインの一部を覆っていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置を製造するための前記発光層形成用マスクであって、
前記複数の画素のうち隣接する画素間で共通する開口部を有し、
前記開口部により前記発光層の材料を通過させて前記発光層を形成することを特徴とするマスク。
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KR100993426B1 (ko) | 2008-11-10 | 2010-11-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101711191B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2017-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN102497690B (zh) * | 2011-12-16 | 2016-03-16 | 信利半导体有限公司 | 一种oled照明器件 |
CN103205687B (zh) * | 2012-01-16 | 2016-03-02 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 蒸镀掩模板及其制作方法 |
US9190456B2 (en) * | 2012-04-25 | 2015-11-17 | Ignis Innovation Inc. | High resolution display panel with emissive organic layers emitting light of different colors |
KR200492239Y1 (ko) | 2015-04-27 | 2020-09-03 | 코웨이 주식회사 | 휴대용 살균수 분사기 |
KR102062587B1 (ko) * | 2017-02-08 | 2020-01-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111384086B (zh) * | 2018-12-28 | 2023-04-18 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及显示屏 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
US5952037A (en) * | 1995-03-13 | 1999-09-14 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JP3719743B2 (ja) * | 1995-08-09 | 2005-11-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
JP3539597B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2004-07-07 | ソニー株式会社 | 有機光学的素子及びその製造方法 |
US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
JPH10289784A (ja) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
TW420965B (en) * | 1998-07-14 | 2001-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dispersion-type electroluminescence element |
DE19916745A1 (de) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
JP4780826B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
TW480722B (en) | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
JP2001313172A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法 |
JP4601842B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
TW495809B (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device |
JP2001296819A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nec Corp | 有機薄膜elデバイス及びその製造方法 |
JP4053209B2 (ja) * | 2000-05-01 | 2008-02-27 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
ATE415802T1 (de) * | 2000-12-20 | 2008-12-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Elektrolumineszenz-farbanzeige-panel |
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