WO2004049286A1 - 有機el表示パネル - Google Patents

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WO2004049286A1
WO2004049286A1 PCT/JP2003/014959 JP0314959W WO2004049286A1 WO 2004049286 A1 WO2004049286 A1 WO 2004049286A1 JP 0314959 W JP0314959 W JP 0314959W WO 2004049286 A1 WO2004049286 A1 WO 2004049286A1
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WO
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organic
light
electrode
pixel electrode
display panel
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/014959
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English (en)
French (fr)
Inventor
Yutaka Nanno
Hiroshi Tsutsu
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. filed Critical Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd.
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Priority to JP2004555019A priority patent/JPWO2004049286A1/ja
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Priority to US11/136,491 priority patent/US7256757B2/en

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
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    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL display panel. Background art
  • An organic EL display panel using an organic EL (electroluminescence) element has attracted attention as a display panel capable of high-quality display instead of a liquid crystal display panel.
  • the organic EL display panel has a simple matrix configuration of an anode and a cathode, and uses a passive method in which the organic EL element emits light at the intersection of the anode and the cathode, and a thin film transistor (TFT). There is an active method that controls a direct current supplied to the organic EL element.
  • TFT thin film transistor
  • FIG. 10 (a) shows a plan view of a unit pixel 200 in this organic EL display panel.
  • FIG. 10B shows an equivalent circuit diagram of the unit pixel 200.
  • the unit pixel 200 includes an organic EL element 1, a storage capacitor 2, an EL driving TFT 3, and a switching TFT 4.
  • the power supply line 5 and the signal line 7 are arranged along the vertical direction in the display unit, and the scanning line 6 is arranged along the horizontal direction.
  • Power line 5, signal line 7, and scanning line 6 The display units are arranged at predetermined intervals.
  • the organic EL element 1 is connected to the power supply line 5 via the EL drive TFT 3, and is connected to the power supply line 5 from the EL drive TFT 3.
  • the power supply voltage is supplied via the power supply.
  • the gate of the EL driving TFT 3 is supplied with a signal voltage from the signal line 7 via the switching TFT 4.
  • the gate of the switching TFT 4 is supplied with a control voltage from the scanning line 6.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the organic EL element 1 shown in FIG. 10A along the line AA ′.
  • the organic EL device 1 includes a hole transport layer 13, a light emitting layer 14, and an electron transport layer 15.
  • the organic EL element 1 is arranged between the pixel electrode 12 and the common electrode 16.
  • a pixel electrode 12 composed of a thin film of IT (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) is formed.
  • IT Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide
  • storage capacitor 2 includes electrode 2a and electrode 2b arranged opposite to electrode 2a.
  • the electrode 2a is connected to the power supply line 5, and the electrode 2b is connected to the drain of the switching TFT 4.
  • the accumulation of electric charge between the electrode 2a and the electrode 2b sets the amount of current required to emit light from the organic EL element 1.
  • the ratio is large, the ratio of the area occupied by the organic EL element 1 from which light is emitted decreases, and the aperture ratio (the ratio of the area of the organic EL element 1 to the area of the display unit) decreases. .
  • the aperture ratio decreases, it is necessary to increase the luminance per unit pixel 200 in order to maintain the same luminance, which is one of the factors that shorten the life of the organic EL element 1 and thus the life of the organic EL display panel. Had become.
  • Patent Document 1 discloses that a thin film transistor and a storage capacitor are overlapped on the light emitting surface side of a display unit. There is disclosed an organic EL display panel in which the aperture ratio is improved by disposing the organic EL display panel, and the life is extended.
  • Patent Document 1 Although the area occupied by the thin film transistor does not cause a decrease in the aperture ratio, the aperture ratio is still kept low due to the larger storage capacitance. The effect of improving the life of the display panel was insufficient.
  • the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide an organic EL display panel having a further improved life.
  • An organic EL display panel includes a substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the substrate, and a common electrode arranged to face each of the pixel electrodes and to cover the entire surface of the substrate. And apply signal voltage to each pixel electrode A plurality of signal lines, each of which is arranged along the vertical direction at a predetermined interval, and a plurality of lines are arranged at a predetermined interval along the vertical direction to supply a power supply voltage to each pixel electrode. A plurality of arranged power lines, a plurality of thin film transistors for turning on / off the application of the power supply voltage to each pixel electrode, and a plurality of thin film transistors for applying the on / off control voltage to each thin film transistor, respectively.
  • the organic EL device includes a plurality of organic EL elements that emit light when the signal voltage is applied thereto, and a storage capacitor that sets a current amount required for each organic EL element to emit the light.
  • a red (R) luminous body, a green (G) luminous body, and a blue (B) luminous body are connected to the gate in order to make an image obtained by emitting light from each organic EL element full color.
  • each pixel electrode along the line direction, and at the time of the passing, the red (R) light emitter, the green (G) light emitter, and the blue ( In the light-emitting body B), two light-emitting bodies adjacent to each other in the gate line direction overlap each other, so that light emitted from the organic EL element through each light-emitting body is superimposed.
  • a layer overlap region is arranged between the organic EL elements adjacent in the gate line direction, and at least one of the thin film transistor and the storage capacitor is arranged in the light emitting layer overlap region. It is characterized by having.
  • Another organic EL display panel includes a substrate, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the substrate, and is arranged to face each pixel electrode and to cover the entire surface of the substrate.
  • a common electrode a plurality of signal lines, each of which is arranged along a vertical direction at a predetermined interval to apply a signal voltage to each pixel electrode, and a power supply voltage to each pixel electrode.
  • Respectively A plurality of power supply lines arranged in a vertical direction at predetermined intervals, a plurality of thin film transistors for turning on and off the application of the power supply voltage to each pixel electrode, and the on / off control for each thin film transistor
  • a plurality of scanning lines each of which is arranged along the gate line direction at a predetermined interval to apply a voltage, and each of the plurality of scanning lines is arranged between each pixel electrode and the common electrode;
  • a plurality of organic EL elements that emit light when the signal voltage is applied to the common electrode, and storage capacitors that respectively set the amount of current required for each organic EL element to emit the light.
  • each of the organic EL elements is arranged so as to overlap with at least one of the signal line, the power supply line, and the scanning line, and the thin film transistor is provided. At least one of the transistor and the storage capacitor is arranged along the long side direction of the non-opening region between adjacent pixel electrodes.
  • Still another organic EL display panel includes: a substrate; a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the substrate; and a plurality of pixel electrodes opposed to the pixel electrodes and arranged to cover the entire surface of the substrate.
  • a plurality of power lines each of which is arranged along a vertical direction at a predetermined interval; a plurality of thin film transistors for turning on and off the application of the power voltage to each pixel electrode;
  • a plurality of scanning lines each of which is arranged along the gate line direction at a predetermined interval to apply a respective control voltage, and each of the scanning lines is arranged between each pixel electrode and the common electrode.
  • the plurality of organic EL elements that emit light by applying the signal voltage between each pixel electrode and the common electrode, and the amount of current required for each organic EL element to emit the light are: Set each And a red (R) illuminant, a green (G) illuminant, and the like, in order to fully integrate an image obtained by emitting light from each organic EL element.
  • the blue (B) light emitter is patterned in this order for each pixel electrode along the gate line direction. In the patterning, the red (R) light emitter and the green (G) light are emitted.
  • the light emitted from the organic EL element through each light emitter due to the overlap of the two light emitters adjacent to each other in the gate line direction among the light emitters of the blue and blue (B).
  • each of the organic EL device is characterized by being arranged such that at least one over one lap of the scanning lines and the power supply line and the signal line.
  • FIG. 1A is a plan view showing a configuration of a unit pixel of the organic EL display panel in the present embodiment
  • FIG. 1B is an equivalent circuit diagram of the unit pixel
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an organic EL element formed in a unit pixel according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a storage capacitor section formed in a unit pixel in FIG.
  • FIG. 4 (a) to 4 (f) are cross-sectional views showing a manufacturing process of the organic EL display panel in the present embodiment
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional view showing a process of forming a pixel electrode on a glass substrate
  • Fig. 4 (b) is a cross-sectional view showing a step of forming a hole transport layer over a glass substrate over a pixel electrode
  • Fig. 4 (c) is a cross-sectional view of the R luminescent material on the hole transport layer. (Light emitting layer and electron transport layer)
  • FIG. 4 (d) is a cross-sectional view showing a step of forming a G light emitting body on the hole transport layer
  • FIG. 4 (e) is a cross sectional view showing a B light emitting body on the hole transport layer.
  • FIG. 4 (f) is a cross-sectional view illustrating a step of forming a pattern of a common electrode on each light-emitting body.
  • FIG. 5 (a) to 5 (g) are cross-sectional views showing a process of forming a storage capacitor portion provided in a unit pixel of the organic EL display panel according to the present embodiment
  • FIG. FIG. 5 (b) is a cross-sectional view showing a step of doping an electrode to form a p-type electrode
  • FIG. 5 (c) is a cross-sectional view showing a step of forming an electrode on a glass substrate.
  • FIG. 5D is a cross-sectional view illustrating a step of forming a gate insulating layer
  • FIG. 5D is a cross-sectional view illustrating a step of forming an electrode on the gate insulating layer
  • FIG. 5 (f) is a cross-sectional view showing a step of forming an inter-layer insulating layer over the semiconductor device, and FIG. 5 (f) shows a contact portion which penetrates a part of the inter-layer insulating layer and reaches a source portion of the TFT for EL driving.
  • FIG. 5 (g) is a cross-sectional view showing a step of forming an electrode and a power supply line covering the interlayer insulating layer and the contact portion. It is.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing a region where R, G, and B light emitters (light emitting layer and electron transport layer) are deposited on the display section of the organic EL display panel according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view showing another configuration of the unit pixel of the organic EL display panel in the present embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the storage capacitor provided in the unit pixel in FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing still another configuration of the unit pixel of the organic EL display panel in the present embodiment.
  • FIG. 10 (a) is a plan view showing a configuration of a unit pixel of a conventional organic EL display panel
  • FIG. 10 (b) is an equivalent circuit diagram of the unit pixel
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration of a conventional organic EL device.
  • At least one of the thin film transistor and the storage capacitor is composed of a red (R) light emitter, a green (G) light emitter, and a blue (B) light emitter.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • two light emitters adjacent to each other in the gate line direction are overlapped with each other, so that the light emitted from the organic EL element through each light emitter is placed in the light emitting layer overlapping area where the colors are superimposed. . Therefore, the light emitting area is not reduced by at least one of the thin film transistor and the storage capacitor. Therefore, since the light emission area can be increased as compared with the related art, the same luminance can be obtained even if the light emission amount per unit area is reduced. Therefore, the amount of power supplied to each pixel can be suppressed, and an organic EL display panel having a further improved lifetime of the organic EL element can be provided.
  • each of the red (R) light emitter, the green (G) light emitter, and the blue (B) light emitter has a stripe shape along the vertical direction.
  • the organic EL element has a rectangular shape extending in the vertical direction, and the light-emitting layer overlap region has a long side of each organic EL element centered on a substantially center between the adjacent organic EL elements. Preferably, they are arranged along a direction.
  • the distance between adjacent light-emitting members is P
  • the length of the light-emitting members along the vertical direction is L
  • the area occupied by at least one of the thin film transistor and the storage capacitor is S, Sku PXL, satisfying the relationship Is preferred.
  • the distance P between the adjacent light emitters corresponds to the width of a rib formed between the adjacent light emitters.
  • each of the red (R) light emitter, the green (G) light emitter, and the blue (B) light emitter is formed by mask evaporation.
  • the organic EL display panel according to the present embodiment will be described.
  • a plurality of unit pixels 100 each including an organic EL element 1 are arranged in a matrix in a display section for displaying an image.
  • FIG. 1A shows a plan view of the unit pixel 100.
  • FIG. 1B shows an equivalent circuit diagram of the unit pixel 100.
  • the unit pixel 100 includes an organic EL element 1, a storage capacitor 2, an EL driving TFT 3, a rib 31, and a switching TFT 4.
  • the power supply line 5 and the signal line 7 are arranged along the vertical direction in the display section of the organic EL display panel, and the scanning line 6 is arranged along the horizontal direction.
  • the power supply line 5, the signal line 7, and the scanning line 6 are arranged at predetermined intervals in the display unit.
  • the ribs 31 are formed along the long side of each organic EL element 1 at predetermined intervals. Have been.
  • the organic EL display panel according to the present embodiment is driven by an active method in which a thin film transistor is used to control a direct current supplied to the organic EL element.
  • the storage capacitor 2, the EL driving TFT 3, and the switching TFT 4 are arranged in the light emitting layer overlapping area (non-opening area) 9.
  • the R, G, and B light emitters overlap each other, so that color mixing occurs when light is emitted from the organic EL element 1. This is an area where an image cannot be displayed on the display section of the organic EL display panel.
  • a plurality of unit pixels 100 having the above-described configuration are arranged in a matrix in a display unit that displays an image.
  • the organic EL element 1 is connected to a power supply line 5 via a p-channel type EL driving TFT 3.
  • the gate of the EL driving TFT 3 is connected to the signal line 7 via the switching TFT 4.
  • the gate of the switching TFT 4 is connected to the scanning line 6.
  • the signal voltage supplied from the signal line 7 is turned on / off by the switching TFT 4 in accordance with the control voltage supplied from the scanning line 6.
  • the switching TFT 4 When the switching TFT 4 is on, a signal voltage is supplied to the gate of the EL driving TFT 3, and when the signal voltage exceeds a threshold, the EL driving TFT 3 is turned on and the EL driving is performed from the power supply line 5. DC current is supplied to the organic EL element 1 via the TFT 3 for use, and light is emitted.
  • the switching TFT 4 When the switching TFT 4 is off, no signal voltage is supplied to the gate of the EL driving TFT 3, the EL driving TFT 3 is turned off, and the power supply line 5 passes through the EL driving TFT 3 via the EL driving TFT 3. No DC current is supplied to the organic EL element 1, and no light is emitted.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic EL element 1 shown in FIG. 1A along the line AA ′.
  • the organic EL device 1 includes a hole transport layer 13, a light emitting layer 14, and an electron transport layer 15.
  • the organic EL element 1 is arranged between the pixel electrode 12 and the common electrode 16.
  • a pixel electrode 12 made of an ITO thin film is formed on a glass substrate 11 provided over the entire display section.
  • a hole transport layer 13, a light emitting layer 14, an electron transport layer 15, and a common electrode 16 made of metal are formed in this order.
  • holes are emitted from the pixel electrode 12
  • electrons are emitted from the common electrode 16, and holes and electrons are recombined in the light emitting layer 14, and organic molecules in the light emitting layer 14 are By exciting the light, light is emitted in the direction of the arrow shown in FIG.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view along the line BB ′ in FIG.
  • the storage capacitor 2 includes an electrode 2a, an electrode 2b, and an electrode 2c.
  • the electrode 2a is formed on a glass substrate 11, and the source 3a of the EL driving TFT 3 is formed following the electrode 2a.
  • the electrode 2a is made of polysilicon, and is made n-type by doping P (lin) ions.
  • the electrode 2a and the source portion 3a are formed integrally.
  • the gate insulating layer 34 constituted by S I_ ⁇ 2 overlying the electrode 2 a and the source portion 3 a is formed.
  • the electrode 2b is formed on the gate insulating layer 34 so as to face the electrode 2a.
  • the interlayer insulating layer 35 consisting of S I_ ⁇ 2 covering the electrodes 2 b are formed.
  • the electrode 2c is formed on the interlayer insulating layer 35 so as to face the electrode 2b.
  • the power supply line 5 is formed following the electrode 2c.
  • the electrode 2 c and the power supply line 5 are electrically connected to the source portion 3 a of the EL driving TFT 3 at the contact portion 8.
  • the electrode 2 b connects the source and drain of the switching TFT 4 from the signal line 7. Also serves as the gate wiring to the gate part of TFT 3 for EL drive.
  • the EL driving TFT 3 has a multi-gate structure. The amount of current required to emit light from the organic EL element 1 is set by accumulating charges between the electrode 2a and the electrode 2b and between the electrode 2b and the electrode 2c.
  • the unit pixels are arranged so as to emit three primary colors of red (R), green (G), and blue (B) in the display section in order to provide a full color display.
  • R red
  • G green
  • B blue
  • a colorization method a three-color independent pixel method is used, in which R, G, and B organic EL elements are independently formed in each unit pixel.
  • each unit pixel 100 having the configuration shown in FIG. 1 is adjacent in the display section of the organic EL display panel along the horizontal direction.
  • 4 schematically shows a process of forming the state.
  • the organic EL elements 1 shown in FIG. 2 each having R, G, and B colors are formed, respectively.
  • an ITO thin film is formed on a glass substrate 11 by vapor deposition or sputtering, and the formed ITO thin film is etched and separated for each unit pixel to form a pixel electrode 1 Form 2.
  • a hole transport layer 13 is deposited on the entire surface of the glass substrate 11 so as to cover the pixel electrodes 12.
  • the light emitting layer overlapping region 9 shown in FIG. 1 is formed by a process described later with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (g).
  • the storage capacitor 2 shown in FIG. 3 is formed.
  • the metal mask 17 is formed so that the stripe-shaped openings formed in the metal mask 17 are along the pixel electrodes 12 arranged on the left side shown in FIG. 4 (c). 1 Adjust the position of 7. Then, the luminous bodies (the luminescent layer 14 and the electron transport layer 15) colored R are placed on the hole transport layer 13 so as to face the pixel electrode 12 arranged on the left side with a metal mask. It is formed along the stripe-shaped opening formed in step 17.
  • the stripe-shaped opening formed in the metal mask 17 has a pixel disposed at the center of the three pixel electrodes 12 shown in FIG. 4 (d).
  • the metal mask 17 is slid along the electrode 12 at a constant pitch P along the horizontal direction.
  • the luminescent material (light-emitting layer 14 and electron transport layer 15) colored G is placed on the hole transport layer 13 so that the metal mask 1 faces the pixel electrode 12 disposed at the center. It is formed along the stripe-shaped opening formed in FIG.
  • the strip-shaped opening formed in the metal mask 17 is aligned with the pixel electrode 12 arranged on the right side of the three pixel electrodes 12.
  • the mask 17 is further slid along the horizontal direction at a constant pitch P.
  • the luminescent material (the luminescent layer 14 and the electron transport layer 15) colored B is placed on the hole transport layer 13 with a metal mask so as to face the pixel electrode 12 disposed on the right side. It is formed along the strip-shaped opening formed in 17.
  • evaporation was performed using an evaporation mask 18.
  • a pattern of the common electrode 16 is formed on each electron transport layer 15 so as to face each pixel electrode 12.
  • a sealing plate (not shown) is adhered from above these structures formed on the glass substrate 11, and a drive circuit (not shown) is mounted to complete the organic EL display panel.
  • FIGS. 5 (a) to 5 (g) the formation process of the storage capacitor 2 will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (g).
  • the storage capacitor 2 shown in FIG. 3 is formed in parallel with the steps shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). The process is shown.
  • an electrode 2a is formed by patterning using polysilicon in a light emitting layer overlapping region 9 on a glass substrate 11.
  • the electrode 2a is made n-type by doping with P (phosphorus) ions (it may be made into p-type by doping with B (boron) ions).
  • the electrode 2 Te Kutsugaetsu forming a gate insulating layer 34, as shown in FIG. 5 (d), Mo (molybdenum) /
  • the electrode 2b is formed on the gate insulating layer 34 by using K 1 (aluminum) / Mo (molybdenum) so as to face the electrode 2a.
  • the contact portion 8 is formed so as to penetrate through the gate insulating layer 34 and the interlayer insulating layer 35 to reach the source portion 3a of the TFT 3 for EL driving.
  • source portion 3a is formed integrally with electrode 2a, and electrode 2a and electrode 2b form a part of storage capacitor 2.
  • an electrode 2c and a power supply line 5 of the storage capacitor 2 are formed on the interlayer insulating layer 35 using Mow (molybdenum tungsten), and the electrode 2c and the power supply line are formed.
  • the contact section 8 is electrically connected to the source section 3 a of the EL driving TFT 3.
  • Fig. 6 shows the light-emitting elements colored R, G, and B on the display section of the organic EL display panel (the light-emitting layers 14 and 14 shown in Figs. 2 and 4 (c) to 4 (f)).
  • the area where the electron transport layer 15) is deposited is shown as a plane viewed from the light emission side.
  • the metal mask 17 is sequentially slid in the horizontal direction at the pitch P, so that the light emitter of the R region 21 (indicated by a two-dot chain line).
  • the G illuminant is deposited in the area 22 (the area enclosed by the solid line), and the B illuminant is deposited in the area 23 (the area enclosed by the broken line).
  • the metal mask 17 is sequentially slid along the horizontal direction, if the metal mask 17 is misaligned, the R, G, and B of the light-emitting layer overlapping area 9 (the area indicated by the dots)
  • the luminous bodies overlap each other. Specifically, in the left light emitting layer overlapping region 9 of the two light emitting layer overlapping regions 9 in FIG. 6, the R light emitter and the G light emitter overlap each other. In the light emitting layer overlapping region 9 on the right side, the light emitter of G and the light emitter of B overlap each other.
  • each unit pixel on which the R, G, and B light emitters are deposited is Rx, Gx, and Bx, respectively, and the vertical length of each unit pixel is
  • the width of the light emitting layer overlap region 9 along the horizontal direction is L, and the maximum length of the displacement of the metal mask 17 is A.
  • a storage capacitor 2 In each unit pixel 100 in the display section, a storage capacitor 2, an EL driving TFT 3, and a switching TFT4 is located.
  • the EL driving TFT 3 and the switching TFT 4 are arranged along the long side direction of the light emitting layer overlapping region 9.
  • the area occupied by the storage capacitor 2, the EL driving TFT 3, and the switching TFT 4 is S
  • the area of the light emitting layer overlapping region 9 is represented by L XP X. 2.
  • the switching TFT 4 is placed.
  • the light emitting area of each pixel can be made larger than the light emitting area in the configuration of the related art. Therefore, even if the amount of light emission per unit area is reduced, the same brightness as that of the configuration of the related art can be obtained, and the amount of power supply to each pixel can be suppressed. As a result, the life of the organic EL device can be extended as compared with the configuration of the related art.
  • the current density flowing through each organic EL element is the same as that of the conventional technology, but the light emitting area is larger than that of the conventional technology.
  • the luminance can be higher than the luminance in the configuration of (1).
  • non-opening elements such as the storage capacitor 2, the EL driving TFT 3, and the switching TFT 4 are arranged in the light emitting layer overlapping region where light cannot be emitted.
  • the aperture ratio can be improved.
  • R, G, and B luminous bodies are formed by evaporation
  • present invention is not limited to this.
  • the R, G and B phosphors may be formed by inkjet printing or offset printing.
  • the unit pixel 100a of the organic EL display panel in the present embodiment may have the configuration shown in FIG.
  • the same components as those shown in FIG. 1 (a) described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the equivalent circuit diagram of the unit pixel 100a is the same as that shown in FIG. 1 (b).
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view along the line C-C ′ in FIG.
  • electric charges are stored between the electrodes 2a and 2b and between the electrodes 2b and 2c, respectively.
  • the charge is stored only between the electrode 2b and the electrode 2c, so the storage capacitor 2A is more storage than the storage capacitor 2 according to the configuration shown in FIG.
  • the amount of charge that is applied is reduced.
  • Figure 7 and Figure The storage capacitor 2A according to the configuration shown in FIG. 8 is formed by patterning only the portion to be the source portion 3a of the EL driving TFT 3 using polysilicon in the process shown in FIG. Other than the above, it can be formed by the same method.
  • FIG. 9 is a plan view showing a configuration of still another unit pixel 100b of the organic EL display panel in the present embodiment.
  • the same components as those of the unit pixel 100 described above with reference to FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Therefore, a detailed description of these components will be omitted.
  • an organic EL element 1b is provided instead of the organic EL element 1.
  • the organic EL element lb is provided so that a part thereof overlaps with the signal line 7 as shown in FIG.
  • the organic EL element lb may be arranged so as to overlap with at least one of the signal line 7, the power supply line 5, and the scanning line 6.
  • the power supply line 5 is disposed along the vertical direction in the display unit. They may be arranged along the direction.

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Abstract

有機EL表示パネルは、基板と複数の画素電極と共通電極と複数の信号線と複数の電源線と複数の薄膜トランジスタと複数の走査線と複数の有機EL素子と蓄積容量とを具備しており、各有機EL素子からそれぞれ光が出射されることによって得られる画像をフルカラー化するために、赤(R)の発光体、緑(G)の発光体および青(B)の発光体が、前記ゲート線方向に沿って各画素電極ごとにこの順番にパターニングされており、前記パターニングの際に、前記赤(R)の発光体、前記緑(G)の発光体および前記青(B)の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する2つの発光体が互いにオーバーラップしたことによって、前記有機EL素子から各発光体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領域が、前記ゲート線方向に隣り合う有機EL素子の間に配置されており、前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、前記発光層重ね領域の中に配置されている。

Description

明 細 書 有機 EL表示パネル 技術分野
本発明は、 有機 EL表示パネルに関する。 背景技術
液晶表示パネルに代わり、 高品質な表示が可能な表示パネルとして、 有機 EL (エレクトロルミネッセンス) 素子を用いた有機 E L表示パネ ルが注目されている。
有機 EL表示パネルには、陽極と陰極との単純マトリクス構成となり、 陽極と陰極との交点における有機 E L素子が発光するパッシブ方式と、 薄膜トランジスタ(TFT ; T i n— F i l m— T r a n s i s t o r) を用いて有機 EL素子に供給する直流電流を制御するァクティブ方式と がある。
以下、 従来のアクティブ方式による有機 EL表示パネルについて説明 する。 この有機 EL表示パネルでは、 有機 EL素子を含む単位画素が、 画像を表示する表示部においてマトリクス状に複数個配設されている。 図 1 0 (a) に、 この有機 E L表示パネルにおける単位画素 2 0 0の平 面図を示す。 また、 図 1 0 (b) に、 単位画素 2 0 0の等価回路図を示 す。
単位画素 2 0 0は、 有機 EL素子 1、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT 4を備えている。 電源線 5と信号線 7と は、 表示部において垂直方向に沿って配設されており、 走査線 6は水平 方向に沿って配設されている。 電源線 5、 信号線 7、 及び走査線 6は、 表示部においてそれぞれ所定の間隔を空けて配設されている。
有機 EL素子 1は、 図 1 0 (a) 及び図 1 0 (b) を参照して、 EL 駆動用 TFT 3を介して電源線 5と接続されており、 電源線 5から EL 駆動用 TFT 3を介して電源電圧が供給されるようになっている。 EL 駆動用 T FT 3のゲート部には、 スイッチング用 TFT 4を介して信号 線 7から信号電圧が供給されるようになつている。 スイッチング用 T F T 4のゲート部には、 走査線 6から制御電圧が供給されるようになつて いる。
図 1 0 (a) に示した有機 EL素子 1における線 A— A 'に沿った断 面図を図 1 1に示す。有機 EL素子 1は、正孔輸送層 1 3、発光層 14、 及び電子輸送層 1 5を備えている。 有機 EL素子 1は、 画素電極 1 2と 共通電極 1 6との間に配置されている。 表示部の全体に渡って設けられ たガラス基板 1 1上に I T〇 ( I n d i um T i n Ox i d e :ィ ンジゥム ·錫酸化物) 薄膜によって構成された画素電極 1 2が形成され ている。 画素電極 1 2上に正孔輸送層 1 3、 発光層 14、 電子輸送層 1 5、 及び金属からなる共通電極 1 6がこの順で形成されている。 この構 造に直流電流を供給すると画素電極 1 2から正孔が放出され、 共通電極 1 6から電子が放出され、 発光層 1 4において正孔と電子とが再結合し て発光層 14における有機分子を励起することによって光が図 1 1に示 す矢印の方向に向かって出射される。
蓄積容量 2は、 図 1 0 (a) を参照して、 電極 2 aと、 電極 2 aに対 向して配置された電極 2 bとを備えている。 電極 2 aは、 電源線 5と接 続されており、 電極 2 bはスイッチング用 TFT 4のドレイン部と接続 されている。 電極 2 aと電極 2 bの間に電荷が蓄積されることで、 有機 EL素子 1から光を出射するために要する電流量が設定される。
有機 EL表示パネルにおいて、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及 びスィツチング用 TFT 4が占める領域からは光が出射されないため、 図 1 0 (a) に示すように単位画素 2 0 0中で蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT4の占める面積が大きいと、 光が 出射される有機 EL素子 1の占める面積の割合が下がって開口率 (表示 部の面積に対して、有機 EL素子 1の面積が占める割合をいう。)が低下 していた。 開口率が低下すると、 同一輝度を維持するために単位画素 2 0 0あたりの輝度を高くすることが必要となり、 これが有機 EL素子 1 の寿命、 ひいては有機 E L表示パネルの寿命を低下させる一因となって いた。
これに対して、 特開 2 0 0 0— 3 9 747 5号公報 (第 6頁、 第 2図) (特許文献 1) に、 薄膜トランジスタと蓄積容量とを表示部の光出射面 側で重ねて配置することで開口率を向上させ、 寿命が延長した有機 EL 表示パネルが開示されている。
しかし、 特許文献 1に記載の技術によれば、 薄膜トランジスタの占め る面積は、 開口率を下げる要因とはならないが、 より面積の大きな蓄積 容量によって、 依然として開口率は低く抑えられており、 有機 EL表示 パネルの寿命の改善効果は不十分であった。
本発明は、 係る問題を解決するためになされたものであり、 その目的 は、 寿命がさらに向上した有機 EL表示パネルを提供することにある。
【特許文献 1】
特開 2 0 0 0— 3 9 747 5号公報 (第 6頁、 第 2図) 発明の開示
本発明に係る有機 EL表示パネルは、 基板と、 前記基板上にマトリク ス状に配置された複数の画素電極と、 各画素電極と対向し、 前記基板の 全面を覆うように配置された共通電極と、 各画素電極へ信号電圧を印加 するためにそれぞれが所定の間隔を空けて垂直方向に沿って配置された 複数の信号線と、 各画素電極へ電源電圧を供給するためにそれぞれが所 定の間隔を空けて垂直方向に沿って配置された複数の電源線と、 各画素 電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための複数の薄膜 トランジスタと、 各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制御電圧をそ れぞれ印加するためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲート線方向に沿 つて配置された複数の走査線と、 各画素電極と前記共通電極との間にそ れぞれ配置され、 各画素電極と前記共通電極との間に前記信号電圧が印 加されることによって光を出射する複数の有機 E L素子と、 各有機 E L 素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設定する蓄積容 量とを具備しており、 各有機 E L素子からそれぞれ光が出射されること によって得られる画像をフルカラー化するために、 赤 (R ) の発光体、 緑 (G) の発光体および青 (B ) の発光体が、 前記ゲート線方向に沿つ て各画素電極ごとにこの順番にパターニングされており、 前記パ夕一二 ングの際に、 前記赤 (R ) の発光体、 前記緑 (G ) の発光体および前記 青 (B ) の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する 2つの発光体が互 いにォ一バーラップしたことによって、 前記有機 E L素子から各発光体 を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領域が、 前記ゲ一 ト線方向に隣り合う有機 E L素子の間に配置されており、 前記薄膜トラ ンジス夕と前記蓄積容量との少なくとも一方は、 前記発光層重ね領域の 中に配置されていることを特徴とする。
本発明に係る他の有機 E L表示パネルは、 基板と、 前記基板上にマト リクス状に配置された複数の画素電極と、 各画素電極と対向し、 前記基 板の全面を覆うように配置された共通電極と、 各画素電極へ信号電圧を 印加するためにそれぞれが所定の間隔を空けて垂直方向に沿って配置さ れた複数の信号線と、 各画素電極へ電源電圧を供給するためにそれぞれ が所定の間隔を空けて垂直方向に沿って配置された複数の電源線と、 各 画素電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための複数の 薄膜トランジスタと、 各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制御電圧 をそれぞれ印加するためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲート線方向 に沿って配置された複数の走査線と、 各画素電極と前記共通電極との間 にそれぞれ配置され、 各画素電極と前記共通電極との間に前記信号電圧 が印加されることによって光を出射する複数の有機 E L素子と、 各有機 E L素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設定する蓄 積容量とを具備しており、 前記各有機 E L素子は、 前記信号線と前記電 源線と前記走査線との少なくとも 1つとオーバーラップするように配置 されており、 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方 は、 隣接する画素電極間における非開口領域の長辺方向に沿って配置さ れていることを特徴とする。
本発明に係るさらに他の有機 E L表示パネルは、 基板と、 前記基板上 にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、 各画素電極と対向し、 前記基板の全面を覆うように配置された共通電極と、 各画素電極へ信号 電圧を印加するためにそれぞれが所定の間隔を空けて垂直方向に沿って 配置された複数の信号線と、 各画素電極へ電源電圧を供給するためにそ れぞれが所定の間隔を空けて垂直方向に沿って配置された複数の電源線 と、 各画素電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための 複数の薄膜トランジスタと、 各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制 御電圧をそれぞれ印加するためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲ一ト 線方向に沿って配置された複数の走査線と、 各画素電極と前記共通電極 との間にそれぞれ配置され、 各画素電極と前記共通電極との間に前記信 号電圧が印加されることによって光を出射する複数の有機 E L素子と、 各有機 E L素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設定 する蓄積容量とを具備しており、 各有機 EL素子からそれぞれ光が出射 されることによって得られる画像をフルカラ一化するために、 赤 (R) の発光体、 緑 (G) の発光体および青 (B) の発光体が、 前記ゲート線 方向に沿って各画素電極ごとにこの順番にパターニングされており、 前 記パターニングの際に、 前記赤 (R) の発光体、 前記緑 (G) の発光体 および前記青 (B) の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する 2つの 発光体が互いにオーバーラップしたことによって、 前記有機 EL素子か ら各発光体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領域が、 前記ゲート線方向に隣り合う有機 EL素子の間に前記垂直方向に延びる 長方形状で配置されており、 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との 少なくとも一方は、 前記発光層重ね領域の中に配置されており、 前記各 有機 EL素子は、 前記信号線と前記電源線と前記走査線との少なくとも 1つとオーバ一ラップするように配置されていることを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1 (a) は本実施の形態における有機 EL表示パネルの単位画素の 構成を示す平面図であり、 図 1 (b) は単位画素の等価回路図である。 図 2は、 本実施の形態における単位画素に形成された有機 EL素子の 構成を示す断面図である。
図 3は、 図 1 (a) における単位画素に形成された蓄積容量部の構成 を示す断面図である。
図 4 (a) 〜図 4 ( f ) は本実施の形態における有機 EL表示パネル の製造工程を示す断面図であり、 図 4 (a) はガラス基板上に画素電極 を形成する工程を示す断面図であり、 図 4 (b) はガラス基板上に画素 電極を覆って正孔輸送層を形成する工程を示す断面図であり、 図 4 (c) は正孔輸送層上に Rの発光体 (発光層と電子輸送層) を形成する工程を 示す断面図であり、 図 4 (d) は正孔輸送層上に Gの発光体を形成する 工程を示す断面図であり、 図 4 (e) は正孔輸送層上に Bの発光体を形 成する工程を示す断面図であり、 図 4 ( f ) は各発光体上に共通電極の パターンを形成する工程を示す断面図である。
図 5 (a) 〜図 5 (g) は本実施の形態における有機 EL表示パネル の単位画素に設けられた蓄積容量部の形成プロセスを示す断面図であり、 図 5 (a) はガラス基板上に電極を形成する工程を示す断面図であり、 図 5 (b)は電極をドーピングして p型化する工程を示す断面図であり、 図 5 (c) はガラス基板上に電極を覆ってゲート絶縁層を形成する工程 を示す断面図であり、 図 5 (d) はゲート絶縁層上に電極を形成するェ 程を示す断面図であり、 図 5 (e) はゲート絶縁層上に電極を覆って層 間絶縁層を形成する工程を示す断面図であり、 図 5 ( f ) は層間絶縁層 の一部を貫通して EL駆動用 T FTのソース部に到達するコンタクト部 を形成する工程を示す断面図であり、 図 5 (g) は層間絶縁層とコン夕 クト部を覆って電極と電源線を形成する工程を示す断面図である。
図 6は、 本実施の形態における有機 E L表示パネルの表示部において R、 G、 Bそれぞれの発光体 (発光層と電子輸送層) が蒸着される領域 を示した模式図である。
図 7は、 本実施の形態における有機 EL表示パネルの単位画素の別の 構成を示す平面図である。
図 8は、 図 7における単位画素に設けられた蓄積容量の構成を示す断 面図である。
図 9は、 本実施の形態における有機 EL表示パネルの単位画素のさら に別の構成を示す平面図である。
図 1 0 (a) は、 従来例の有機 E L表示パネルの単位画素の構成を示 す平面図であり、 図 1 0 (b) は単位画素の等価回路図である。 図 1 1は、 従来の有機 E L素子の構成を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
本実施の形態に係る有機 E L表示パネルにおいては、 薄膜トランジス 夕と蓄積容量との少なくとも一方が、 赤 (R ) の発光体、 緑 (G ) の発 光体および青 (B ) の発光体のうちゲート線方向に隣接する 2つの発光 体が互いにオーバ一ラップしたことによって、 有機 E L素子から各発光 体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領域の中に配置 されている。 このため、 薄膜トランジスタと蓄積容量との少なくとも一 方によって発光面積が減少することがない。 従って、 従来技術よりも発 光面積を増やすことができるので、 単位面積当たりの発光量を落として も同一の輝度を得ることができる。 よって、 各画素への給電量を抑制す ることができるので、 有機 E L素子の寿命がさらに向上した有機 E L表 示パネルを提供することができる。
この実施の形態では、 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少な くとも一方は、 前記垂直方向に沿って配置されていることが好ましい。 前記赤 (R ) の発光体、 前記緑 (G ) の発光体および前記青 (B ) の 発光体のそれぞれは、 前記垂直方向に沿ったストライプ形状をしている ことが好ましい。
前記有機 E L素子は、 前記垂直方向に延びる長方形状をしており、 前 記発光層重ね領域は、 互いに隣接する各有機 E L素子の間の略中央を中 心として、 各有機 E L素子の長辺方向に沿って配置されることが好まし い。
隣り合う発光体の間の距離を Pとし、 前記発光体の前記垂直方向に沿 つた長さを Lとし、 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくと も一方が占める面積を Sとしたときに、 Sく P X L、 なる関係を満足す ることが好ましい。
前記隣り合う発光体の間の距離 Pは、 前記隣り合う発光体の間に形成 されたリブの幅に相当することが好ましい。
前記蓄積容量が、 前記薄膜トランジスタのソース部と一体的に形成さ れたポリシリコンからなる第 1の電極と、 前記信号線から前記薄膜トラ ンジス夕のゲート部に至るゲート配線と、 前記電源線と前記薄膜トラン ジス夕のソース部において電気的に接続された第 2の電極とを含んでお り、 前記第 1の電極が前記ゲート配線と対向し、 前記ゲート配線が前記 第 2の電極と対向しており、 前記第 1の電極と前記ゲ一卜配線との間、 及び前記ゲート配線と前記第 2の電極との間に電荷が蓄積されるように 構成されていることが好ましい。
前記赤 (R) の発光体、 前記緑 (G) の発光体および前記青 (B) の 発光体のそれぞれは、 マスク蒸着によって形成されていることが好まし い。
以下、 図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
本実施の形態における有機 EL表示パネルについて説明する。 この有 機 EL表示パネルでは、 有機 EL素子 1を含む単位画素 1 0 0が、 画像 を表示する表示部においてマトリクス状に複数個配設されている。
図 1 (a) に、 単位画素 1 0 0の平面図を示す。 また、 図 1 (b) に、 単位画素 1 00の等価回路図を示す。 単位画素 1 0 0は、 有機 EL素子 1、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 リブ 3 1及びスイッチング用 T FT 4を備えている。 電源線 5と信号線 7とは、 有機 EL表示パネルの 表示部において垂直方向に沿って配設されており、 走査線 6は、 水平方 向に沿って配設されている。 電源線 5、 信号線 7、 及び走査線 6は、 表 示部においてそれぞれ所定の間隔を空けて配設されている。リブ 3 1は、 それぞれが所定の間隔を空けて各有機 EL素子 1の長辺に沿って形成さ れている。 本実施の形態における有機 EL表示パネルは、 薄膜トランジ スタを用いて有機 EL素子に供給する直流電流を制御するアクティブ方 式により駆動される。 本実施の形態における有機 EL表示パネルでは、 発光層重ね領域(非開口領域) 9に、蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT4が配置されている。 ここで、 発光層重ね領 域 9は、 後述するように、 R、 G、 Bそれぞれの発光体が互いに重なる ことが想定されるために、 有機 EL素子 1から光を出射する際に混色を 生じる領域であって、 有機 EL表示パネルの表示部において、 画像を表 示できない領域である。 上述したような構成の単位画素 1 0 0が、 画像 を表示する表示部においてマトリクス状に複数個配設されている。 有機 EL素子 1は、 図 1 (a) 及び図 1 (b) を参照して、 pチャン ネル型の EL駆動用 T FT 3を介して電源線 5と接続されている。 EL 駆動用 T F T 3のゲート部は、 スイッチング用 T F T 4を介して信号線 7と接続されている。 スイッチング用 TFT 4のゲート部は、 走査線 6 と接続されている。 スイッチング用 TFT4によって、 信号線 7から供 給された信号電圧は走査線 6から供給される制御電圧に応じてオン ·ォ フ操作される。 スィツチング用 T FT 4がオンの場合は EL駆動用 TF T 3のゲート部に信号電圧が供給され、 その信号電圧が閾値を超えると EL駆動用TFT 3がオンとなって電源線 5から EL駆動用 TFT 3を 介して有機 EL素子 1に直流電流が供給され、 光が出射する。 スィッチ ング用 T F T 4がォフの場合は E L駆動用 T F T 3のゲート部に信号電 圧が供給されず、 E L駆動用 T F T 3がオフとなつて電源線 5から E L 駆動用 TFT 3を介して有機 EL素子 1に直流電流が供給されず、 光が 出射しない。 信号線 7からの信号電圧は、 画像情報の変化に伴って変化 するため、 画像情報に応じて有機 EL素子 1から出射される光の状態が 変化し、 表示部において画像情報に応じた画像が表示される。 図 1 (a) に示した有機 EL素子 1における線 A— A 'に沿った断面 図を図 2に示す。 有機 EL素子 1は、 正孔輸送層 1 3、 発光層 1 4、 及 び電子輸送層 1 5を備えている。 有機 EL素子 1は、 画素電極 1 2と共 通電極 1 6との間に配置されている。 表示部の全体に渡って設けられた ガラス基板 1 1上に I TO薄膜からなる画素電極 1 2が形成されている。 画素電極 1 2上に正孔輸送層 1 3、 発光層 1 4、 電子輸送層 1 5、 及び 金属からなる共通電極 1 6がこの順で形成されている。 この構造に直流 電流を供給すると画素電極 1 2から正孔が放出され、 共通電極 1 6から 電子が放出され、 発光層 14において正孔と電子とが再結合して発光層 1 4における有機分子を励起することによって光が図 2に示す矢印の方 向に向かって出射される。
図 1 (a)における線 B— B'に沿った断面図を図 3に示す。図 1 (a)、 図 1 (b)、 及び図 3を参照して、 蓄積容量 2は、 電極 2 a、 電極 2 b、 及び電極 2 cを備えている。 電極 2 aは、 ガラス基板 1 1上に形成され ており、 電極 2 aに続いて EL駆動用 T FT 3のソース部 3 aが形成さ れている。 電極 2 aは、 ポリシリコンによって構成されており、 P (リ ン) イオンをドーピングして n型化されている。 電極 2 aとソース部 3 aとは一体的に形成されている。 電極 2 aとソース部 3 aとを覆って S i〇2によって構成されたゲート絶縁層 34が形成されている。 ゲ一ト 絶縁層 34上に電極 2 bが電極 2 aと対向して形成されている。 ゲ一ト 絶縁層 34上に、 電極 2 bを覆って S i〇2からなる層間絶縁層 3 5が 形成されている。 層間絶縁層 3 5上に電極 2 cが、 電極 2 bと対向して 形成されている。 電極 2 cに続いて電源線 5が形成されている。 電極 2 cと電源線 5とは、 コンタクト部 8において EL駆動用 TFT 3のソー ス部 3 aと電気的に接続されている。 図 1 (a) を参照して、 電極 2 b は、 信号線 7からスイッチング用 T F T 4のソース部及びドレイン部を 経て E L駆動用 T F T 3のゲート部に至るゲート配線を兼ねる。 E L駆 動用 TFT 3はマルチゲート構造を有する。 電極 2 aと電極 2 b、 電極 2 bと電極 2 cのそれぞれの間に電荷が蓄積されることで、 有機 EL素 子 1から光を出射するために要する電流量が設定される。
本実施の形態における有機 EL表示パネルは、 フルカラ一表示とする ため、 表示部において、 赤 (R)、 緑 (G)、 青 (B) の 3原色発光をす るように各単位画素が配置されている。 カラー化方式としては、 各単位 画素において R、 G、 Bにそれぞれ色付けされた有機 EL素子を独立に 形成する 3色独立画素方式を採用している。
以下、 本実施の形態における有機 EL表示パネルの製造プロセスにつ いて、 図 4 (a) 〜図 4 ( f ) を参照しながら説明する。 図 4 (a) 〜 図 4 ( f ) に示した製造プロセスでは、 図 1に示した構成を有する各単 位画素 1 00が、 有機 EL表示パネルの表示部において水平方向に沿つ て隣接した状態で形成される過程を模式的に示している。 図 4 (a) 〜 図 4 ( f ) に示す互いに隣接した 3つの単位画素 1 00上には、 それぞ れ R、 G、 Bに色付けされた図 2に示した有機 EL素子 1が形成される。 まず、 図 4 (a) に示すように、 ガラス基板 1 1上に蒸着又はスパッ 夕リングにより I TO薄膜を形成し、 形成した I TO薄膜をエッチング して単位画素毎に分離して画素電極 1 2を形成する。 次に、 図 4 (b) に示すように、 正孔輸送層 1 3をガラス基板 1 1の全面に各画素電極 1 2を覆うように蒸着する。 図 4 (a) と図 4 (b) とに示す工程と並行 して、 図 5 (a) 〜図 5 (g) を参照して後述するプロセスにより、 図 1に示した発光層重ね領域 9に、 図 3に示した蓄積容量 2を形成する。 次いで、 図 4 (c) 〜図 4 (e) (ここで、 右側に示した正方形形状の 図形はメタルマスク 1 7を平面状態で見た図である。) に示すように、 ス トライプ状に開口した開口部を備えたメタルマスク 1 7をガラス基板 1 1の正孔輸送層 1 3側に設置し、 メタルマスク 1 7を水平方向に沿って 一定のピッチ Pで順次スライドさせて真空蒸着することで、 正孔輸送層 1 3を間に挟んで各画素電極 1 2とそれぞれ対向するように R、 G、 B にそれぞれ色付けされた発光体 (図 2に示した発光層 1 4と電子輸送層 1 5 ) のパターンをそれぞれ形成する。
具体的には、 図 4 ( c ) に示すように、 メタルマスク 1 7に形成され たストライプ状の開口が図 4 ( c ) に示す左側に配置された画素電極 1 2に沿うようにメタルマスク 1 7の位置を合わせる。 そして、 Rに色付 けされた発光体 (発光層 1 4および電子輸送層 1 5 ) を正孔輸送層 1 3 の上に、 左側に配置された画素電極 1 2と対向するように、 メタルマス ク 1 7に形成されたストライプ状の開口に沿って形成する。
次に図 4 ( d ) に示すように、 メタルマスク 1 7に形成されたストラ イブ状の開口が図 4 ( d ) に示す 3個の画素電極 1 2のうちの中央に配 置された画素電極 1 2に沿うようにメタルマスク 1 7を水平方向に沿つ て一定のピッチ Pでスライドさせる。 その後、 Gに色付けされた発光体 (発光層 1 4および電子輸送層 1 5 ) を正孔輸送層 1 3の上に、 中央に 配置された画素電極 1 2と対向するように、 メタルマスク 1 7に形成さ れたストライプ状の開口に沿つて形成する。
そして図 4 ( e ) に示すように、 メタルマスク 1 7に形成されたスト ライプ状の開口が 3個の画素電極 1 2のうちの右側に配置された画素電 極 1 2に沿うようにメタルマスク 1 7を水平方向に沿って一定のピッチ Pでさらにスライドさせる。 次に、 Bに色付けされた発光体 (発光層 1 4および電子輸送層 1 5 ) を正孔輸送層 1 3の上に、 右側に配置された 画素電極 1 2と対向するように、 メタルマスク 1 7に形成されたストラ ィプ状の開口に沿つて形成する。
続いて、 図 4 ( f ) に示すように、 蒸着マスク 1 8を用いて蒸着して 各画素電極 1 2とそれぞれ対向するように共通電極 1 6のパターンを各 電子輸送層 1 5の上に形成する。
その後、 ガラス基板 1 1上に形成されたこれら構造の上から図示しな い封止板を接着し、 さらに図示しない駆動回路を実装することにより有 機 EL表示パネルが完成する。
以下、 蓄積容量 2の形成プロセスについて図 5 (a) 〜図 5 (g) を 参照しながら説明する。 図 5 (a) 〜図 5 (g) に示した形成プロセス では、 図 4 (a) と図 4 (b) に示した工程と並行して、 図 3に示した 蓄積容量 2が形成される過程を示している。
まず、 図 5 (a) に示すように、 ガラス基板 1 1上の発光層重ね領域 9において、 ポリシリコンを用いて電極 2 aをパターニングして形成す る。
次に、 図 5 (b) に示すように、 P (リン) イオンをドーピングして 電極 2 aを n型化する (なお、 B (ボロン) イオンをドーピングして p 型化してもよい)。
次いで、 図 5 ( c ) に示すように、 S i 02を用い、 電極 2 aを覆つ てゲート絶縁層 34を形成し、 図 5 (d) に示すように、 Mo (モリブ デン) / K 1 (アルミニウム) /Mo (モリブデン) を用いてゲート絶 縁層 34上に電極 2 bを、 電極 2 aと対向するようにパ夕一ニングして 形成する。
続いて、 図 5 (e) に示すように、 S i〇2を用い、 電極 2 bを覆つ て層間絶縁層 3 5をゲート絶縁層 34の上に形成し、 図 5 ( f ) に示す ように、 ゲート絶縁層 34と層間絶縁層 3 5とを貫通して EL駆動用 T FT 3のソース部 3 aに到達するようにコンタクト部 8を形成する。 図 3を参照して、 ソース部 3 aは、 電極 2 aと一体的に形成されており、 電極 2 aと電極 2 bとは蓄積容量 2の一部を構成している。 その後、 図 5 ( g ) に示すように、 M o W (モリブタングステン) を 用いて層間絶縁層 3 5上に蓄積容量 2における電極 2 c及び電源線 5を 形成し、 電極 2 c及び電源線 5と、 E L駆動用 T F T 3のソース部 3 a とをコンタク卜部 8において電気的に接続する。
図 6に、 有機 E L表示パネルの表示部において、 R、 G、 Bにそれぞ れ色付けされた発光体 (図 2及び図 4 ( c ) 〜図 4 ( f ) に示した発光 層 1 4と電子輸送層 1 5 ) が蒸着される領域を光の出射側からみた平面 の状態で示す。 図 4 ( c ) 〜図 4 ( e ) に示したように、 メタルマスク 1 7を水平方向に沿ってピッチ Pで順次スライドさせることで、 Rの発 光体が領域 2 1 ( 2点鎖線で囲った領域) に、 Gの発光体が領域 2 2 (実 線で囲った領域) に蒸着され、 Bの発光体が領域 2 3 (破線で囲った領 域) に蒸着される。 メタルマスク 1 7を水平方向に沿って順次スライド させる際、 メタルマスク 1 7に位置ずれを生じた場合は、 発光層重ね領 域 9 (ドットで示した領域) において、 R、 G、 Bそれぞれの発光体が 互いにオーバーラップした状態となる。 具体的には、 図 6における 2個 の発光層重ね領域 9のうち左側の発光層重ね領域 9においては Rの発光 体と Gの発光体とが互いにオーバーラップしている。 右側の発光層重ね 領域 9においては Gの発光体と Bの発光体とが互いにオーバーラップし ている。
Rの発光体、 Gの発光体、 及び Bの発光体が蒸着される各単位画素の 水平方向の幅はそれぞれ R x、 G x、 及び B xであり、 各単位画素の垂 直方向の長さは P Xであり、 発光層重ね領域 9の水平方向に沿った幅は L、 メタルマスク 1 7の位置ずれの最大長さは Aである。 発光層重ね領 域 9において、 各発光体がオーバーラップしている場合、 発光層重ね領 域 9を通って出射される光は、 いわゆる混色を生じる。 この混色を避け るため、 発光層重ね領域 9は、 表示部において、 画像を表示できない領 域である。
本実施の形態における有機 EL表示パネルにおいては、 図 1に示した ように、 表示部における各単位画素 1 00において、 発光層重ね領域 9 に、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT4が 配置されている。 そして、 EL駆動用 TFT 3及びスイッチング用 TF T4は、 発光層重ね領域 9の長辺方向に沿って配置されている。
蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT4が占 める面積を Sとしたとき、 図 6を参照して、 発光層重ね領域 9の面積は L XP Xで表わされるから、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びス イッチング用 T FT 4が発光層重ね領域 9内に配置されている場合、 S <LXP xとなる。 この状態で、 各単位画素に直流電流を供給すると、 発光層重ね領域 9からは光が出射されず、 有機 E L素子 1から光が出射 される。
本実施の形態によれば、 有機 E L表示パネルの各単位画素において、 有機 EL素子 1から光を出射する際に混色を生じる発光層重ね領域 9に、 蓄積容量 2、 EL駆動用 TFT 3、 及びスイッチング用 TFT 4を配置 する。 このため、 各画素における発光面積を従来技術の構成における発 光面積よりも増やすことができる。 従って、 単位面積当たりの発光量を 落としても従来技術の構成と同等の輝度を得ることができるので、 各画 素へ給電する給電量を抑制することができる。 その結果、 従来技術の構 成よりも有機 EL素子の寿命を伸ばすことができる。
また本実施の形態では、 各有機 EL素子に流れる電流密度は、 従来技 術の構成と同程度でありながら、 発光面積が従来技術の構成よりも増え るので、 表示する画像の輝度を従来技術の構成における輝度よりも高く することができる。
有機 E L表示パネルにおいてはフルカラー化のために、 所定のマスク をゲート線方向に沿って一定量移動させながら、 Rの発光体、 Gの発光 体および Bの発光体をゲート線方向に沿って蒸着する必要があるので、 ゲート線方向に沿って互いに隣接する Rの発光体と Gの発光体、 Gの発 光体と Bの発光体および Bの発光体と Rの発光体が互いにオーバーラッ プする発光層重ね領域をマスクの合せマ一ジンとして設計時に設定する ことが必須である。 このように設定される発光層重ね領域においては混 色が発生するために光を発光させることができないので、 開口率を向上 させるための阻害要因になっていた。
本実施の形態では、 蓄積容量 2、 E L駆動用 T F T 3、 及びスィッチ ング用 T F T 4等の非開口要素を光を発光させることができない発光層 重ね領域に配置するので、 有機 E L表示パネル全体として開口率を向上 させることができる。
なお本実施の形態では、 R、 Gおよび Bの発光体を蒸着によって形成 する例を示したが、 本発明はこれに限定されない。 インクジェット印刷 またはオフセット印刷によって R、 Gおよび Bの発光体を形成してもよ い。
本実施の形態における有機 E L表示パネルの単位画素 1 0 0 aは、 図 7に示す構成でも良い。 ここで、 前述した図 1 ( a ) に示した構成要素 と共通する構成要素については、 同じ参照符号を付してその説明を省略 する。 また、 単位画素 1 0 0 aの等価回路図は、 図 1 ( b ) に示したも のと同様である。図 7における線 C一 C 'に沿った断面図を図 8に示す。 前述した図 3に示した構成に係る蓄積容量 2では、電極 2 aと電極 2 b、 電極 2 bと電極 2 cのそれぞれの間に電荷が蓄積されるのに対し、 図 7 及び図 8に示した構成に係る蓄積容量 2 Aでは、 電極 2 bと電極 2 cと の間にのみ電荷が蓄積されるため、 蓄積容量 2 Aは、 図 3に示した構成 に係る蓄積容量 2よりも蓄積される電荷の量が小さくなる。 図 7及び図 8に示した構成に係る蓄積容量 2 Aは、 前述した図 5 (a) に示す工程 において、 ポリシリコンを用いて EL駆動用 TFT 3のソース部 3 aと なる部分のみをパターニングして形成する以外は、 同様な方法により形 成することができる。
図 9は、 本実施の形態における有機 EL表示パネルのさらに他の単位 画素 1 0 0 bの構成を示す平面図である。 図 1を参照して前述した単位 画素 1 0 0の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付してい る。 従って、 これらの構成要素の詳細な説明は省略する。
前述した単位画素 1 0 0と異なる点は、 有機 EL素子 1の替わりに有 機 EL素子 1 bを備えている点である。 有機 EL素子 l bは、 図 9に示 すように、 その一部が信号線 7とオーバ一ラップするように設けられて いる。 このように有機 EL素子 1 bを信号線 7とオーバーラップするよ うに配置すると、 有機 EL素子の面積を広げることができるので、 発光 面積をさらに増やすことができる。
有機 EL素子 1 bが信号線 7とォ一バーラップする例を示したが、 本 発明はこれに限定されない。 有機 EL素子 l bは、 信号線 7と電源線 5 と走査線 6との少なくとも 1つとオーバーラップするように配置されて いればよい。
また、 本実施の形態における有機 EL表示パネルでは、 電源線 5は、 表示部において垂直方向に沿って配設されているが、 電源線 5を走査線 6と兼用することで、 表示部において水平方向に沿って配設されていて も良い。
本実施の形態における有機 EL表示パネルは、 携帯電話の画像表示部 に搭載することにより、 有機 EL素子を用いて高精細な画像表示を実現 しながら、 寿命がさらに向上した携帯電話が得られる。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 寿命がさらに向上した有機 E L表示パネルを提供す ることができる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板と、
前記基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、 各画素電極と対向し、 前記基板の全面を覆うように配置された共通電 極と、
各画素電極へ信号電圧を印加するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿って配置された複数の信号線と、
各画素電極へ電源電圧を供給するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿つて配置された複数の電源線と、
各画素電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための複 数の薄膜トランジスタと、
各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制御電圧をそれぞれ印加する ためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲート線方向に沿って配置された 複数の走査線と、
各画素電極と前記共通電極との間にそれぞれ配置され、 各画素電極と 前記共通電極との間に前記信号電圧が印加されることによって光を出射 する複数の有機 E L素子と、
各有機 E L素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設 定する蓄積容量とを具備しており、
各有機 E L素子からそれぞれ光が出射されることによって得られる画 像をフルカラー化するために、 赤 (R ) の発光体、 緑 (G ) の発光体お よび青 (B ) の発光体が、 前記ゲート線方向に沿って各画素電極ごとに この順番にパ夕一ニングされており、
前記パターニングの際に、 前記赤 (R ) の発光体、 前記緑 (G ) の発 光体および前記青 (B ) の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する 2 つの発光体が互いにオーバーラップしたことによって、 前記有機 E L素 子から各発光体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領 域が、前記ゲ一ト線方向に隣り合う有機 E L素子の間に配置されており、 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、 前記発 光層重ね領域の中に配置されていることを特徴とする有機 E L表示パネ ル。
2 . 基板と、
前記基板上にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、
各画素電極と対向し、 前記基板の全面を覆うように配置された共通電 極と、
各画素電極へ信号電圧を印加するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿って配置された複数の信号線と、
各画素電極へ電源電圧を供給するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿って配置された複数の電源線と、
各画素電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための複 数の薄膜トランジスタと、
各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制御電圧をそれぞれ印加する ためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲート線方向に沿って配置された 複数の走査線と、
各画素電極と前記共通電極との間にそれぞれ配置され、 各画素電極と 前記共通電極との間に前記信号電圧が印加されることによって光を出射 する複数の有機 E L素子と、
各有機 E L素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設 定する蓄積容量とを具備しており、
前記各有機 E L素子は、 前記信号線と前記電源線と前記走査線との少 なくとも 1つとオーバーラップするように配置されており、
前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、 隣接す る画素電極間における非開口領域の長辺方向に沿つて配置されているこ とを特徴とする有機 E L表示パネル。
3 . 基板と、
前記基板上にマ卜リクス状に配置された複数の画素電極と、 各画素電極と対向し、 前記基板の全面を覆うように配置された共通電 極と、
各画素電極へ信号電圧を印加するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿つて配置された複数の信号線と、
各画素電極へ電源電圧を供給するためにそれぞれが所定の間隔を空け て垂直方向に沿つて配置された複数の電源線と、
各画素電極への前記電源電圧の印加をそれぞれオンオフするための複 数の薄膜トランジスタと、
各薄膜トランジスタに前記オンオフ用の制御電圧をそれぞれ印加する ためにそれぞれが所定の間隔を空けてゲート線方向に沿って配置された 複数の走査線と、
各画素電極と前記共通電極との間にそれぞれ配置され、 各画素電極と 前記共通電極との間に前記信号電圧が印加されることによって光を出射 する複数の有機 E L素子と、
各有機 E L素子が前記光を出射するために要する電流量をそれぞれ設 定する蓄積容量とを具備しており、
各有機 E L素子からそれぞれ光が出射されることによって得られる画 像をフルカラー化するために、 赤 (R ) の発光体、 緑 (G ) の発光体お よび青 (B ) の発光体が、 前記ゲート線方向に沿って各画素電極ごとに この順番にパターエングされており、
前記パ夕一ニングの際に、 前記赤 (R) の発光体、 前記緑 (G) の発 光体および前記青 (B) の発光体のうち前記ゲート線方向に隣接する 2 つの発光体が互いにオーバーラップしたことによって、 前記有機 E L素 子から各発光体を通って出射した光の色が重ね合わされる発光層重ね領 域が、 前記ゲート線方向に隣り合う有機 EL素子の間に前記垂直方向に 延びる長方形状で配置されており、
前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、 前記発 光層重ね領域の中に配置されており、
前記各有機 EL素子は、 前記信号線と前記電源線と前記走査線との少 なくとも 1つとオーバーラップするように配置されていることを特徴と する有機 EL表示パネル。
4. 前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方は、 前記 垂直方向に沿って配置されている、 請求の範囲 1乃至 3のいずれかに記 載の有機 E L表示パネル。
5. 前記赤 (R) の発光体、 前記緑 (G) の発光体および前記青 (B) の発光体のそれぞれは、 前記垂直方向に沿ったストライプ形状をしてい る、 請求の範囲 1および 3のいずれかに記載の有機 EL表示パネル。
6. 前記有機 EL素子は、 前記垂直方向に延びる長方形状をしており、 前記発光層重ね領域は、 互いに隣接する各有機 EL素子の間の略中央 を中心として、 各有機 EL素子の長辺方向に沿って配置される、 請求の 範囲 1および 3のいずれかに記載の有機 EL表示パネル。
7 . 隣り合う発光体の間の距離を Pとし、
前記発光体の前記垂直方向に沿った長さを Lとし、
前記薄膜トランジスタと前記蓄積容量との少なくとも一方が占める面 積を Sとしたときに、
S < P X L、
なる関係を満足する、 請求の範囲 1および 3のいずれかに記載の有機 E L表示パネル。
8 . 前記隣り合う発光体の間の距離 Pは、 前記隣り合う発光体の間に形 成されたリブの幅に相当する、請求の範囲 7記載の有機 E L表示パネル。
9 . 前記蓄積容量が、 前記薄膜トランジスタのソース部と一体的に形成 されたポリシリコンからなる第 1の電極と、 前記信号線から前記薄膜ト ランジス夕のゲート部に至るゲ一ト配線と、 前記電源線と前記薄膜トラ ンジスタのソース部において電気的に接続された第 2の電極とを含んで おり、 前記第 1の電極が前記ゲート配線と対向し、 前記ゲート配線が前 記第 2の電極と対向しており、前記第 1の電極と前記ゲート配線との間、 及び前記ゲート配線と前記第 2の電極との間に電荷が蓄積されるように 構成されている、 請求の範囲 1乃至 3のいずれかに記載の有機 E L表示 パネル。
1 0 . 前記赤 (R ) の発光体、 前記緑 (G) の発光体および前記青 (B ) の発光体のそれぞれは、 マスク蒸着によって形成されている、 請求の範 囲 1および 3のいずれかに記載の有機 E L表示パネル。
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