JPH10172767A - エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置Info
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- JPH10172767A JPH10172767A JP8331188A JP33118896A JPH10172767A JP H10172767 A JPH10172767 A JP H10172767A JP 8331188 A JP8331188 A JP 8331188A JP 33118896 A JP33118896 A JP 33118896A JP H10172767 A JPH10172767 A JP H10172767A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】発光領域の付加容量を増加させて表示を行うこ
とができるＥＬ素子を提供する。 【解決手段】透明絶縁基板１２上には陽極１３が電子ビ
ーム蒸着法などを用いて作製されている。陽極１３はそ
の表面に凹凸状部１３ａを備える。透明絶縁基板１２上
には陽極１３を覆うように発光素子層１４が電子ビーム
蒸着法などによって均一かつ一様な厚さに積層され、発
光素子層１４の表面は凹凸状部１３ａに対応した凹凸形
状をなす。発光素子層１４上には陰極１５が、陽極１３
と交差するように電子ビーム蒸着法などによって均一か
つ一様な厚さに形成されて、陰極１５の陽極１３と対向
する面は凹凸状部１３ａに対応した凹凸状部１５ａを備
える。
とができるＥＬ素子を提供する。 【解決手段】透明絶縁基板１２上には陽極１３が電子ビ
ーム蒸着法などを用いて作製されている。陽極１３はそ
の表面に凹凸状部１３ａを備える。透明絶縁基板１２上
には陽極１３を覆うように発光素子層１４が電子ビーム
蒸着法などによって均一かつ一様な厚さに積層され、発
光素子層１４の表面は凹凸状部１３ａに対応した凹凸形
状をなす。発光素子層１４上には陰極１５が、陽極１３
と交差するように電子ビーム蒸着法などによって均一か
つ一様な厚さに形成されて、陰極１５の陽極１３と対向
する面は凹凸状部１３ａに対応した凹凸状部１５ａを備
える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエレクトロルミネッ
センス素子及び表示装置に関するものである。
センス素子及び表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（EL;Electro
Luminescene）素子には、セレンや亜鉛などの無機化合
物薄膜を発光材料として用いる無機ＥＬ素子と、有機化
合物を発光材料として用いる有機ＥＬ素子とがある。有
機ＥＬ素子には、（１）発光効率が高い、（２）駆動電
圧が低い、（３）発光材料を選択することによって様々
な色（緑、赤、青、黄など）を表示可能、（４）自発光
型であるため表示が鮮明でバックライトが不要、（５）
面発光であり、視野角依存性が無い、（６）薄型で軽
量、（７）製造プロセスの最高温度が低いため、基板材
料にプラスチックフィルムなどのような柔らかい材質を
用いることが可能、などの優れた特徴がある。そこで、
近年、ＣＲＴや液晶表示装置に代わる表示装置として、
有機ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されている。
Luminescene）素子には、セレンや亜鉛などの無機化合
物薄膜を発光材料として用いる無機ＥＬ素子と、有機化
合物を発光材料として用いる有機ＥＬ素子とがある。有
機ＥＬ素子には、（１）発光効率が高い、（２）駆動電
圧が低い、（３）発光材料を選択することによって様々
な色（緑、赤、青、黄など）を表示可能、（４）自発光
型であるため表示が鮮明でバックライトが不要、（５）
面発光であり、視野角依存性が無い、（６）薄型で軽
量、（７）製造プロセスの最高温度が低いため、基板材
料にプラスチックフィルムなどのような柔らかい材質を
用いることが可能、などの優れた特徴がある。そこで、
近年、ＣＲＴや液晶表示装置に代わる表示装置として、
有機ＥＬ素子を用いた表示装置が注目されている。
【０００３】マトリックス状に配置された点（ドット）
で表示を行うドットマトリックスの有機ＥＬ表示装置に
は、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方
式とがある。
で表示を行うドットマトリックスの有機ＥＬ表示装置に
は、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方
式とがある。
【０００４】単純マトリックス方式は、表示パネル上に
マトリックス状に配置された各画素の有機ＥＬ素子を走
査信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、有
機ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されてい
る。そのため、走査線数が増大すると１つの画素に割り
当てられる駆動時間（デューティ）が少なくなり、コン
トラストが低下するという問題がある。
マトリックス状に配置された各画素の有機ＥＬ素子を走
査信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、有
機ＥＬ素子だけで表示装置の表示パネルが構成されてい
る。そのため、走査線数が増大すると１つの画素に割り
当てられる駆動時間（デューティ）が少なくなり、コン
トラストが低下するという問題がある。
【０００５】一方、アクティブマトリックス方式は、マ
トリックス状に配置された各画素に画素駆動素子（アク
ティブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信
号によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして
機能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介
してデータ信号（表示信号、ビデオ信号）を有機ＥＬ素
子の陽極に伝達し、そのデータ信号を有機ＥＬ素子に書
き込むことで、有機ＥＬ素子の駆動が行われる。その
後、画素駆動素子がオフ状態になると、有機ＥＬ素子の
陽極に印加されたデータ信号は電荷の状態で有機ＥＬ素
子に保持され、次に画素駆動素子がオン状態になるまで
引き続き有機ＥＬ素子の駆動が行われる。そのため、走
査線数が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間
が少なくなっても、有機ＥＬ素子の駆動が影響を受ける
ことはなく、表示パネルに表示される画像のコントラス
トが低下することもない。従って、アクティブマトリッ
クス方式によれば、単純マトリックス方式に比べてより
高画質な表示が可能になる。
トリックス状に配置された各画素に画素駆動素子（アク
ティブエレメント）を設け、その画素駆動素子を走査信
号によってオン・オフ状態が切り替わるスイッチとして
機能させる。そして、オン状態にある画素駆動素子を介
してデータ信号（表示信号、ビデオ信号）を有機ＥＬ素
子の陽極に伝達し、そのデータ信号を有機ＥＬ素子に書
き込むことで、有機ＥＬ素子の駆動が行われる。その
後、画素駆動素子がオフ状態になると、有機ＥＬ素子の
陽極に印加されたデータ信号は電荷の状態で有機ＥＬ素
子に保持され、次に画素駆動素子がオン状態になるまで
引き続き有機ＥＬ素子の駆動が行われる。そのため、走
査線数が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間
が少なくなっても、有機ＥＬ素子の駆動が影響を受ける
ことはなく、表示パネルに表示される画像のコントラス
トが低下することもない。従って、アクティブマトリッ
クス方式によれば、単純マトリックス方式に比べてより
高画質な表示が可能になる。
【０００６】アクティブマトリックス方式は画素駆動素
子の違いにより、トランジスタ型（３端子型）とダイオ
ード型（２端子型）とに大別される。トランジスタ型
は、ダイオード型に比べて製造が困難である反面、コン
トラストや解像度を高くするのが容易でＣＲＴに匹敵す
る高品質な有機ＥＬ表示装置を実現することができると
いう特徴がある。前記したアクティブマトリックス方式
の動作原理の説明は、主にトランジスタ型に対応したも
のである。
子の違いにより、トランジスタ型（３端子型）とダイオ
ード型（２端子型）とに大別される。トランジスタ型
は、ダイオード型に比べて製造が困難である反面、コン
トラストや解像度を高くするのが容易でＣＲＴに匹敵す
る高品質な有機ＥＬ表示装置を実現することができると
いう特徴がある。前記したアクティブマトリックス方式
の動作原理の説明は、主にトランジスタ型に対応したも
のである。
【０００７】図６〜図８に、従来の単純マトリックス方
式の有機ＥＬ表示装置を示す。図６は、単純マトリック
ス方式の有機ＥＬ表示装置１０１の一部破断斜視図であ
る。図７は、図６のＡ−Ａ線断面図である。
式の有機ＥＬ表示装置を示す。図６は、単純マトリック
ス方式の有機ＥＬ表示装置１０１の一部破断斜視図であ
る。図７は、図６のＡ−Ａ線断面図である。
【０００８】ガラスや合成樹脂などから成る透明絶縁基
板１０２上に、ＩＴＯ（Indium TinOxide）などの透明
電極からなる帯状の複数の陽極１０３、有機化合物から
なる発光素子層１０４、マグネシウム・インジウム合金
からなる帯状をなす複数の陰極１０５がこの順で形成さ
れている。発光素子層１０４と陽極１０３および陰極１
０５とによって有機ＥＬ素子１０６が構成されている。
板１０２上に、ＩＴＯ（Indium TinOxide）などの透明
電極からなる帯状の複数の陽極１０３、有機化合物から
なる発光素子層１０４、マグネシウム・インジウム合金
からなる帯状をなす複数の陰極１０５がこの順で形成さ
れている。発光素子層１０４と陽極１０３および陰極１
０５とによって有機ＥＬ素子１０６が構成されている。
【０００９】各陽極１０３はそれぞれ互いに平行に配置
され、各陰極１０５もそれぞれ互いに平行に配置されて
いる。各陽極１０３と各陰極１０５とはそれぞれ直交す
るように配置されている。
され、各陰極１０５もそれぞれ互いに平行に配置されて
いる。各陽極１０３と各陰極１０５とはそれぞれ直交す
るように配置されている。
【００１０】有機ＥＬ素子１０６においては、陽極１０
３から注入されたホールと、陰極１０５から注入された
電子とが発光素子層１０４の内部で再結合し、有機分子
を励起する。励起された有機分子が放射失活する過程で
光が放たれ、矢印γで示すように、この光が透明な陽極
１０３および透明絶縁基板１０２を介して外部へ放出さ
れる。
３から注入されたホールと、陰極１０５から注入された
電子とが発光素子層１０４の内部で再結合し、有機分子
を励起する。励起された有機分子が放射失活する過程で
光が放たれ、矢印γで示すように、この光が透明な陽極
１０３および透明絶縁基板１０２を介して外部へ放出さ
れる。
【００１１】図８に有機ＥＬ表示装置１０１を陽極１０
３側から見た平面図を示す。尚、図８において、陽極１
０３および陰極１０５の他の部材については省略してあ
る。有機ＥＬ素子１０６において、交差した各陽極１０
３（１０３ａ〜１０３ｃ）と各陰極１０５（１０５ａ〜
１０５ｃ）との間に挟まれた領域に発光領域Ｂが形成さ
れ、その発光領域Ｂが前記作用によって発光する。つま
り、マトリックス状に配置された各発光領域Ｂが有機Ｅ
Ｌ表示装置１０１の各画素となる。
３側から見た平面図を示す。尚、図８において、陽極１
０３および陰極１０５の他の部材については省略してあ
る。有機ＥＬ素子１０６において、交差した各陽極１０
３（１０３ａ〜１０３ｃ）と各陰極１０５（１０５ａ〜
１０５ｃ）との間に挟まれた領域に発光領域Ｂが形成さ
れ、その発光領域Ｂが前記作用によって発光する。つま
り、マトリックス状に配置された各発光領域Ｂが有機Ｅ
Ｌ表示装置１０１の各画素となる。
【００１２】単純マトリックス方式では、発光させたい
発光領域Ｂに対応する陽極１０３に駆動電源のプラス側
を接続し、その発光領域Ｂに対応する陰極１０５に駆動
電源のマイナス側を接続して、その陽極１０３および陰
極１０５に通電する。
発光領域Ｂに対応する陽極１０３に駆動電源のプラス側
を接続し、その発光領域Ｂに対応する陰極１０５に駆動
電源のマイナス側を接続して、その陽極１０３および陰
極１０５に通電する。
【００１３】例えば、陽極１０３ｂと陰極１０５ａとの
交差点Ｃに位置する発光領域Ｂを発光させたい場合に
は、陽極１０３ｂをプラス側、陰極１０５ａをマイナス
側として通電する。すると、矢印αに示すように順方向
電流が流れる。
交差点Ｃに位置する発光領域Ｂを発光させたい場合に
は、陽極１０３ｂをプラス側、陰極１０５ａをマイナス
側として通電する。すると、矢印αに示すように順方向
電流が流れる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このように構成した有
機ＥＬ表示装置１０１の有機ＥＬ素子１０６において
は、陽極１０３及び陰極１０５の表面が平面状であり、
各発光領域Ｂにおける静電容量は小さいものとなる。そ
のため、走査線数が増大して１つの画素に割り当てられ
る駆動時間が少なくなると、有機ＥＬ素子１０６の駆動
が影響を受け、有機ＥＬ表示装置１０１のコントラスト
が悪化して解像度が低下し、精細な画像が得られなくな
る。
機ＥＬ表示装置１０１の有機ＥＬ素子１０６において
は、陽極１０３及び陰極１０５の表面が平面状であり、
各発光領域Ｂにおける静電容量は小さいものとなる。そ
のため、走査線数が増大して１つの画素に割り当てられ
る駆動時間が少なくなると、有機ＥＬ素子１０６の駆動
が影響を受け、有機ＥＬ表示装置１０１のコントラスト
が悪化して解像度が低下し、精細な画像が得られなくな
る。
【００１５】尚、この問題点は、単純マトリックス方式
の有機ＥＬ表示装置だけでなく、アクティブマトリック
ス方式の有機ＥＬ表示装置についても同様にいえる。ま
た、有機ＥＬ表示装置だけでなく、無機ＥＬ素子を用い
た表示装置についても同様にいえる。
の有機ＥＬ表示装置だけでなく、アクティブマトリック
ス方式の有機ＥＬ表示装置についても同様にいえる。ま
た、有機ＥＬ表示装置だけでなく、無機ＥＬ素子を用い
た表示装置についても同様にいえる。
【００１６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、発光領域の静電容量を
増加させて表示を行うことができるエレクトロルミネッ
センス素子を提供することにある。
れたものであって、その目的は、発光領域の静電容量を
増加させて表示を行うことができるエレクトロルミネッ
センス素子を提供することにある。
【００１７】また、本発明の別の目的は、コントラスト
が良好であり解像度が高く、精細な画像を得ることがで
きる表示装置を提供することにある。
が良好であり解像度が高く、精細な画像を得ることがで
きる表示装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、いずれか一方の電極の面
に凹凸状部を設けた。
め、請求項１に記載の発明は、いずれか一方の電極の面
に凹凸状部を設けた。
【００１９】請求項２に記載の発明は、対向配置された
第１及び第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間
に挟まれた発光素子層とを備えるエレクトロルミネッセ
ンス素子において、第１の電極または第２の電極におけ
る少なくとも１つの面に凹凸状部を設けた。
第１及び第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間
に挟まれた発光素子層とを備えるエレクトロルミネッセ
ンス素子において、第１の電極または第２の電極におけ
る少なくとも１つの面に凹凸状部を設けた。
【００２０】請求項３に記載の発明は、請求項２のエレ
クトロルミネッセンス素子において、第１の電極と第２
の電極との互いに対向する面にそれぞれ凹凸状部を形成
した。
クトロルミネッセンス素子において、第１の電極と第２
の電極との互いに対向する面にそれぞれ凹凸状部を形成
した。
【００２１】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３に記載のエレクトロルミネッセンス素子において、発
光素子層が有機化合物からなる。請求項５に記載の発明
は、請求項４に記載のエレクトロルミネッセンス素子に
おいて、発光素子層は発光層と、少なくともホール輸送
層または電子輸送層とを備える。
３に記載のエレクトロルミネッセンス素子において、発
光素子層が有機化合物からなる。請求項５に記載の発明
は、請求項４に記載のエレクトロルミネッセンス素子に
おいて、発光素子層は発光層と、少なくともホール輸送
層または電子輸送層とを備える。
【００２２】請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の
いずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子か
らなる画素がマトリックス状に配置されている。請求項
７に記載の発明は、平行に配置された複数の第１の電極
と、第１の電極と対向するように配置された第２の電極
と、複数の第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発
光素子層とにより複数のエレクトロルミネッセンス素子
が構成され、第１の電極または第２の電極における少な
くとも１つの面に凹凸状部を設けた。
いずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス素子か
らなる画素がマトリックス状に配置されている。請求項
７に記載の発明は、平行に配置された複数の第１の電極
と、第１の電極と対向するように配置された第２の電極
と、複数の第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発
光素子層とにより複数のエレクトロルミネッセンス素子
が構成され、第１の電極または第２の電極における少な
くとも１つの面に凹凸状部を設けた。
【００２３】請求項８に記載の発明は、平行に配置され
た複数の第１の電極と、第１の電極と対向するように配
置された複数の第２の電極と、複数の第１の電極と複数
の第２の電極との間に挟まれた発光素子層とにより複数
のエレクトロルミネッセンス素子が構成され、第１の電
極または第２の電極における少なくとも１つの面に凹凸
状部を設けた。
た複数の第１の電極と、第１の電極と対向するように配
置された複数の第２の電極と、複数の第１の電極と複数
の第２の電極との間に挟まれた発光素子層とにより複数
のエレクトロルミネッセンス素子が構成され、第１の電
極または第２の電極における少なくとも１つの面に凹凸
状部を設けた。
【００２４】請求項９に記載の発明は、請求項７または
８に記載の表示装置において、発光素子層が有機化合物
からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の表示装置
において、発光素子層は発光層と、少なくともホール輸
送層または電子輸送層とを備える有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を用いた。
８に記載の表示装置において、発光素子層が有機化合物
からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の表示装置
において、発光素子層は発光層と、少なくともホール輸
送層または電子輸送層とを備える有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を用いた。
【００２５】請求項１１に記載の発明は、請求項６，
７，１０のいずれか一項に記載の表示装置において、エ
レクトロルミネッセンス素子を駆動するための画素駆動
素子を備え、エレクトロルミネッセンス素子と画素駆動
素子とからなる画素がマトリックス状に配置した。
７，１０のいずれか一項に記載の表示装置において、エ
レクトロルミネッセンス素子を駆動するための画素駆動
素子を備え、エレクトロルミネッセンス素子と画素駆動
素子とからなる画素がマトリックス状に配置した。
【００２６】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載の表示装置において、画素駆動素子を薄膜トランジ
スタとした。
記載の表示装置において、画素駆動素子を薄膜トランジ
スタとした。
【００２７】
（第１実施形態）図１は、第１実施形態の単純マトリッ
クス方式の有機ＥＬ表示装置１１の一部破断斜視図であ
る。図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図である。
クス方式の有機ＥＬ表示装置１１の一部破断斜視図であ
る。図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２８】ガラスや合成樹脂などから成る透明絶縁基
板１２上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電
極からなる第１の電極としての複数の帯状の陽極１３、
有機化合物からなる発光素子層１４、マグネシウム・イ
ンジウム合金からなる第２の電極としての複数の帯状の
陰極１５がこの順で形成されている。発光素子層１４と
陽極１３および陰極１５とによって有機ＥＬ素子１６が
構成されている。
板１２上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電
極からなる第１の電極としての複数の帯状の陽極１３、
有機化合物からなる発光素子層１４、マグネシウム・イ
ンジウム合金からなる第２の電極としての複数の帯状の
陰極１５がこの順で形成されている。発光素子層１４と
陽極１３および陰極１５とによって有機ＥＬ素子１６が
構成されている。
【００２９】各陽極１３はそれぞれ互いに平行に配置さ
れ、各陰極１５もそれぞれ互いに平行に配置されてい
る。各陽極１３と各陰極１５とはそれぞれ直交するよう
に対向配置されている。各陽極１３の各陰極１５と対向
する面（図２において上面）は微細な凹凸状部１３ａを
備えたテクスチャー構造となっている。
れ、各陰極１５もそれぞれ互いに平行に配置されてい
る。各陽極１３と各陰極１５とはそれぞれ直交するよう
に対向配置されている。各陽極１３の各陰極１５と対向
する面（図２において上面）は微細な凹凸状部１３ａを
備えたテクスチャー構造となっている。
【００３０】各陽極１３はスパッタリング法、電子ビー
ム蒸着法、常圧熱ＣＶＤ法、スプレー法、ディッピング
法、プラズマＣＶＤ法などを用いて作製することができ
る。本形態において、各陽極１３を形成するために、ま
ず、 InCl2・4H2O と SnCl4・4H2Oをインジウムに対す
る錫の重量が２重量％となるように秤量し、１％の塩酸
水溶液に溶解して濃度１０重量％の原料液が用意され
る。そして、この原料液を４５０°Ｃの透明絶縁基板１
２上にスプレーして透明絶縁基板１２上にIn2O3とSnO2
を析出させてパターニングすることにより各陽極１３が
作製され、図２において、各陽極１３の上面に凹凸状部
１３ａを備えたテクスチャー構造が形成される。
ム蒸着法、常圧熱ＣＶＤ法、スプレー法、ディッピング
法、プラズマＣＶＤ法などを用いて作製することができ
る。本形態において、各陽極１３を形成するために、ま
ず、 InCl2・4H2O と SnCl4・4H2Oをインジウムに対す
る錫の重量が２重量％となるように秤量し、１％の塩酸
水溶液に溶解して濃度１０重量％の原料液が用意され
る。そして、この原料液を４５０°Ｃの透明絶縁基板１
２上にスプレーして透明絶縁基板１２上にIn2O3とSnO2
を析出させてパターニングすることにより各陽極１３が
作製され、図２において、各陽極１３の上面に凹凸状部
１３ａを備えたテクスチャー構造が形成される。
【００３１】尚、陽極１３の別の形成方法としては、イ
ンジウムに対する錫の重量の割合を０〜１０％となるよ
うにペレットに電子ビームを照射して加熱、蒸発させ、
同時に酸素を１０-4〜１０-5Torr導入することによって
２００°Ｃ〜５００°Ｃに加熱させた透明絶縁基板上に
In2O3 とSnO2を析出させてパターニングするようにして
もよい。
ンジウムに対する錫の重量の割合を０〜１０％となるよ
うにペレットに電子ビームを照射して加熱、蒸発させ、
同時に酸素を１０-4〜１０-5Torr導入することによって
２００°Ｃ〜５００°Ｃに加熱させた透明絶縁基板上に
In2O3 とSnO2を析出させてパターニングするようにして
もよい。
【００３２】透明絶縁基板１２上には陽極１３を覆うよ
うに有機化合物からなる発光素子層１４が電子ビーム蒸
着法などによって均一かつ一様な厚さに積層されてい
る。そのため、発光素子層１４の下面は前記凹凸状部１
３ａに対応した凹凸形状をなす。
うに有機化合物からなる発光素子層１４が電子ビーム蒸
着法などによって均一かつ一様な厚さに積層されてい
る。そのため、発光素子層１４の下面は前記凹凸状部１
３ａに対応した凹凸形状をなす。
【００３３】発光素子層１４上には複数の陰極１５が、
複数の陽極１３と交差するように電子ビーム蒸着法など
によって均一かつ一様な厚さに形成されている。従っ
て、陰極１５の陽極１３と対向する面は前記凹凸状部１
３ａに対応した凹凸状部１５ａを備えたものとなる。陽
極１３の凹凸状部１３ａと陰極１５の凹凸状部１５ａに
挟まれた部分が発光領域となる。
複数の陽極１３と交差するように電子ビーム蒸着法など
によって均一かつ一様な厚さに形成されている。従っ
て、陰極１５の陽極１３と対向する面は前記凹凸状部１
３ａに対応した凹凸状部１５ａを備えたものとなる。陽
極１３の凹凸状部１３ａと陰極１５の凹凸状部１５ａに
挟まれた部分が発光領域となる。
【００３４】そして、発光素子層１４においては、各陽
極１３から注入されたホールと、各陰極１５から注入さ
れた電子とが発光素子層１４の内部で再結合し、有機分
子を励起する。励起された有機分子が放射失活する過程
で光が放たれ、矢印βで示すように、この光が透明な陽
極１３および透明絶縁基板１２を介して外部へ放出され
る。
極１３から注入されたホールと、各陰極１５から注入さ
れた電子とが発光素子層１４の内部で再結合し、有機分
子を励起する。励起された有機分子が放射失活する過程
で光が放たれ、矢印βで示すように、この光が透明な陽
極１３および透明絶縁基板１２を介して外部へ放出され
る。
【００３５】このように構成された本実施形態によれ
ば、以下の効果を得ることができる。 （１）陽極１３の上面（陰極１５との対向面）に凹凸状
部１３ａを形成し、陽極１３を覆うように発光素子層１
４を均一かつ一様な厚さに積層し、発光素子層１４上に
陰極１５を形成した。そのため、発光領域を構成する陽
極１３と陰極１５との対向面の面積を増加させることが
でき、有機ＥＬ素子１６の静電容量を増加させることが
できる。よって、有機ＥＬ素子１６は陽極１３及び陰極
１５間に蓄えられる電荷にて表示を行うことができる。
ば、以下の効果を得ることができる。 （１）陽極１３の上面（陰極１５との対向面）に凹凸状
部１３ａを形成し、陽極１３を覆うように発光素子層１
４を均一かつ一様な厚さに積層し、発光素子層１４上に
陰極１５を形成した。そのため、発光領域を構成する陽
極１３と陰極１５との対向面の面積を増加させることが
でき、有機ＥＬ素子１６の静電容量を増加させることが
できる。よって、有機ＥＬ素子１６は陽極１３及び陰極
１５間に蓄えられる電荷にて表示を行うことができる。
【００３６】（２）陰極１５の下面（陽極１３との対向
面）に、凹凸状部１３ａと対応する凹凸状部１５ａを形
成した。そのため、発光領域を構成する陽極１３と陰極
１５との対向面の面積をより増加させることができ、有
機ＥＬ素子１６の静電容量をより増加させることができ
る。よって、有機ＥＬ素子１６は凹凸状部１３ａ，１５
ａ間に蓄えられる充分な電荷にて表示を行うことができ
る。
面）に、凹凸状部１３ａと対応する凹凸状部１５ａを形
成した。そのため、発光領域を構成する陽極１３と陰極
１５との対向面の面積をより増加させることができ、有
機ＥＬ素子１６の静電容量をより増加させることができ
る。よって、有機ＥＬ素子１６は凹凸状部１３ａ，１５
ａ間に蓄えられる充分な電荷にて表示を行うことができ
る。
【００３７】（３）有機ＥＬ表示装置１１は有機ＥＬ素
子１６をマトリックス状に配置したものであるため、走
査線数が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間
が少なくなっても、有機ＥＬ素子１６の駆動が、陽極１
３及び陰極１５間に蓄えられる電荷にて発光が途切れる
などの影響を受けることはなく、有機ＥＬ表示装置１１
はコントラストが良好であり解像度が高く、精細な画像
を得ることができる。
子１６をマトリックス状に配置したものであるため、走
査線数が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間
が少なくなっても、有機ＥＬ素子１６の駆動が、陽極１
３及び陰極１５間に蓄えられる電荷にて発光が途切れる
などの影響を受けることはなく、有機ＥＬ表示装置１１
はコントラストが良好であり解像度が高く、精細な画像
を得ることができる。
【００３８】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態を図３〜５に従って説明する。本実施形態におい
て、第１実施形態と同じ構成部材については符号を等し
くしてその詳細な説明を一部省略する。
形態を図３〜５に従って説明する。本実施形態におい
て、第１実施形態と同じ構成部材については符号を等し
くしてその詳細な説明を一部省略する。
【００３９】図３は、本実施形態のアクティブマトリッ
クス方式の有機ＥＬ表示装置３１の表示パネル４１を示
す概略断面図である。図３に示すように、各画素３２に
は、画素駆動素子としての薄膜トランジスタ（TFT;Thin
Film Transistor) ３３が設けられている。プレーナ型
のＴＦＴ３３は、能動層として多結晶シリコン膜３４を
用い、ＬＤＤ (Lightly Doped Drain)構造をとる。多結
晶シリコン膜３４は透明絶縁基板１２上に形成されてい
る。多結晶シリコン膜３４上には、ゲート絶縁膜３５を
介してゲート電極３６が形成されている。多結晶シリコ
ン膜３４には、高濃度のドレイン領域３７ａ、低濃度の
ドレイン領域３７ｂ、高濃度のソース領域３８ａ、低濃
度のソース領域３８ｂがそれぞれ形成されている。
クス方式の有機ＥＬ表示装置３１の表示パネル４１を示
す概略断面図である。図３に示すように、各画素３２に
は、画素駆動素子としての薄膜トランジスタ（TFT;Thin
Film Transistor) ３３が設けられている。プレーナ型
のＴＦＴ３３は、能動層として多結晶シリコン膜３４を
用い、ＬＤＤ (Lightly Doped Drain)構造をとる。多結
晶シリコン膜３４は透明絶縁基板１２上に形成されてい
る。多結晶シリコン膜３４上には、ゲート絶縁膜３５を
介してゲート電極３６が形成されている。多結晶シリコ
ン膜３４には、高濃度のドレイン領域３７ａ、低濃度の
ドレイン領域３７ｂ、高濃度のソース領域３８ａ、低濃
度のソース領域３８ｂがそれぞれ形成されている。
【００４０】ＴＦＴ３３上には層間絶縁膜３９が形成さ
れている。高濃度のドレイン領域３７ａは、層間絶縁膜
３９に形成されたコンタクトホール４０を介して、ドレ
イン電極４１と接続されている。高濃度のソース領域３
８ａは、層間絶縁膜３９に形成されたコンタクトホール
４２を介して、ソース電極４３と接続されている。
れている。高濃度のドレイン領域３７ａは、層間絶縁膜
３９に形成されたコンタクトホール４０を介して、ドレ
イン電極４１と接続されている。高濃度のソース領域３
８ａは、層間絶縁膜３９に形成されたコンタクトホール
４２を介して、ソース電極４３と接続されている。
【００４１】各電極４１，４３および層間絶縁膜３９の
上には、平坦化絶縁膜４４が形成されている。ソース電
極４３は、平坦化絶縁膜４４に形成されたコンタクトホ
ール４５を介して、陽極１３と接続されている。
上には、平坦化絶縁膜４４が形成されている。ソース電
極４３は、平坦化絶縁膜４４に形成されたコンタクトホ
ール４５を介して、陽極１３と接続されている。
【００４２】尚、各絶縁膜３５，３９はシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜などから形成さ
れている。平坦化絶縁膜４４はシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリケートガラス膜、Ｓ
ＯＧ (Spin On Glass)膜、合成樹脂膜（ポリイミド系樹
脂膜、有機シリカ膜、アクリル系樹脂膜など）などから
形成されている。各電極４１，４３はアルミニウム合金
膜から形成されている。
膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜などから形成さ
れている。平坦化絶縁膜４４はシリコン酸化膜、シリコ
ン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリケートガラス膜、Ｓ
ＯＧ (Spin On Glass)膜、合成樹脂膜（ポリイミド系樹
脂膜、有機シリカ膜、アクリル系樹脂膜など）などから
形成されている。各電極４１，４３はアルミニウム合金
膜から形成されている。
【００４３】平坦化絶縁膜４４上には発光素子層１４が
形成されている。発光素子層１４は、ＭＴＤＡＴＡ（4,
4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanin
e);4,4',4"- トリス(3- メチルフェニルフェニルアミ
ノ) トリフェニルアミン）からなる第１ホール輸送層５
０、ＴＰＤ（4,4'-bis(3-methylphenylphenylamino)bip
henyl);4,4'-ビス(3- メチルフェニルフェニルアミノ)
ビフェニル）からなる第２ホール輸送層５１、キナクリ
ドン(Quinacridone)誘導体を含むＢｅＢｑ２（１０−ベ
ンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）からなる発
光層５２、ＢｅＢｑ２からなる電子輸送層５３をこの順
で積層形成している。このように、各層５０〜５３と陽
極１３および陰極１５とにより、有機ＥＬ素子１６が構
成されている。
形成されている。発光素子層１４は、ＭＴＤＡＴＡ（4,
4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanin
e);4,4',4"- トリス(3- メチルフェニルフェニルアミ
ノ) トリフェニルアミン）からなる第１ホール輸送層５
０、ＴＰＤ（4,4'-bis(3-methylphenylphenylamino)bip
henyl);4,4'-ビス(3- メチルフェニルフェニルアミノ)
ビフェニル）からなる第２ホール輸送層５１、キナクリ
ドン(Quinacridone)誘導体を含むＢｅＢｑ２（１０−ベ
ンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）からなる発
光層５２、ＢｅＢｑ２からなる電子輸送層５３をこの順
で積層形成している。このように、各層５０〜５３と陽
極１３および陰極１５とにより、有機ＥＬ素子１６が構
成されている。
【００４４】陽極１３が形成された平坦化絶縁膜４４の
表面には凹凸状部４４ａが形成されている。陽極１３は
均一かつ一様な厚さに形成されているため、陽極１３の
上面には前記凸状部４４ａに対応した凹凸状部１３ａが
形成されており、陽極１３は両表面に凹凸状部を備えた
ものとなる。また、陽極１３の直上の発光素子層１４の
各層５０〜５３の上面には前記凹凸状部１３ａに対応し
た凹凸状部５０ａ，５１ａ，５２ａ，５３ａが形成され
ている。電子輸送層５３上には複数の陰極１５が、均一
かつ一様な厚さに形成されているため、陰極１５の下面
（陽極１３との対向面）は前記凹凸状部５３ａに対応し
た凹凸状部１５ａを備えたものとなる。
表面には凹凸状部４４ａが形成されている。陽極１３は
均一かつ一様な厚さに形成されているため、陽極１３の
上面には前記凸状部４４ａに対応した凹凸状部１３ａが
形成されており、陽極１３は両表面に凹凸状部を備えた
ものとなる。また、陽極１３の直上の発光素子層１４の
各層５０〜５３の上面には前記凹凸状部１３ａに対応し
た凹凸状部５０ａ，５１ａ，５２ａ，５３ａが形成され
ている。電子輸送層５３上には複数の陰極１５が、均一
かつ一様な厚さに形成されているため、陰極１５の下面
（陽極１３との対向面）は前記凹凸状部５３ａに対応し
た凹凸状部１５ａを備えたものとなる。
【００４５】本形態の有機ＥＬ素子１６においては、陽
極１３から注入されたホールと、陰極１５から注入され
た電子とが発光層５２の内部で再結合し、発光層５２を
形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起
子が放射失活する過程で発光層５２から光が放たれ、こ
の光が透明な陽極１３および透明絶縁基板１２を介して
外部へ放出される。
極１３から注入されたホールと、陰極１５から注入され
た電子とが発光層５２の内部で再結合し、発光層５２を
形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起
子が放射失活する過程で発光層５２から光が放たれ、こ
の光が透明な陽極１３および透明絶縁基板１２を介して
外部へ放出される。
【００４６】ここで、各ホール輸送層５０，５１は、陽
極１３からホールを注入させ易くする機能と、陰極１５
から電子を注入された電子をブロックする機能とを有す
る。また、電子輸送層５３は、陰極１５から電子を注入
させ易くする機能を有する。
極１３からホールを注入させ易くする機能と、陰極１５
から電子を注入された電子をブロックする機能とを有す
る。また、電子輸送層５３は、陰極１５から電子を注入
させ易くする機能を有する。
【００４７】このように本形態では、発光効率が高く視
感度の高い緑色発光の有機ＥＬ素子１６を得ることが可
能になり、この有機ＥＬ素子１６によって構成された表
示パネル４１の輝度を向上させることができる。
感度の高い緑色発光の有機ＥＬ素子１６を得ることが可
能になり、この有機ＥＬ素子１６によって構成された表
示パネル４１の輝度を向上させることができる。
【００４８】尚、有機ＥＬ素子１６の発光色を変えるに
は、発光層５２を形成する有機化合物の材質を変えれば
よく、青色発光の場合はＯＸＤ（オキサジアゾール）ま
たはＡＺＭ（アゾメチン−亜鉛錯体）、青緑色発光の場
合はＰＹＲ（ピラゾリン）、黄色発光の場合はＺｎｑ2
（８−キノリノール−亜鉛錯体）、赤色発光の場合はＺ
ｎＰｒ（ポリフィリン−亜鉛錯体）を用いればよい。
は、発光層５２を形成する有機化合物の材質を変えれば
よく、青色発光の場合はＯＸＤ（オキサジアゾール）ま
たはＡＺＭ（アゾメチン−亜鉛錯体）、青緑色発光の場
合はＰＹＲ（ピラゾリン）、黄色発光の場合はＺｎｑ2
（８−キノリノール−亜鉛錯体）、赤色発光の場合はＺ
ｎＰｒ（ポリフィリン−亜鉛錯体）を用いればよい。
【００４９】図４に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３
１のブロック構成を示す。有機ＥＬ表示装置３１は、表
示パネル４１、ゲートドライバ５５、ドレインドライバ
（データドライバ）５６から形成されている。
１のブロック構成を示す。有機ＥＬ表示装置３１は、表
示パネル４１、ゲートドライバ５５、ドレインドライバ
（データドライバ）５６から形成されている。
【００５０】表示パネル４１には各ゲート配線（走査
線）Ｇ1 …Ｇn,Ｇn+1 …Ｇm と各ドレイン配線（データ
線）Ｄ1 …Ｄn,Ｄn+1 …Ｄm とが配置されている。各ゲ
ート配線Ｇ1 〜Ｇm と各ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm とはそ
れぞれ直交し、その直交部分にそれぞれ画素３２が設け
られている。つまり、マトリックス状に配置された各画
素３２によって表示パネル４１が形成されている。
線）Ｇ1 …Ｇn,Ｇn+1 …Ｇm と各ドレイン配線（データ
線）Ｄ1 …Ｄn,Ｄn+1 …Ｄm とが配置されている。各ゲ
ート配線Ｇ1 〜Ｇm と各ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm とはそ
れぞれ直交し、その直交部分にそれぞれ画素３２が設け
られている。つまり、マトリックス状に配置された各画
素３２によって表示パネル４１が形成されている。
【００５１】そして、各ゲート配線Ｇ1 〜Ｇm はゲート
ドライバ５５に接続され、ゲート信号（走査信号）が印
加されるようになっている。また、各ドレイン配線Ｄ1
〜Ｄm はドレインドライバ５６に接続され、データ信号
が印加されるようになっている。これらのドライバ５
５，５６によって周辺駆動回路５７が構成されている。
ドライバ５５に接続され、ゲート信号（走査信号）が印
加されるようになっている。また、各ドレイン配線Ｄ1
〜Ｄm はドレインドライバ５６に接続され、データ信号
が印加されるようになっている。これらのドライバ５
５，５６によって周辺駆動回路５７が構成されている。
【００５２】ここで、各ゲート配線Ｇ1 〜Ｇm は、ＴＦ
Ｔ３３のゲート電極３６によって形成されている。ま
た、各ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm は、ＴＦＴ３３のドレイ
ン電極４１によって形成されている。
Ｔ３３のゲート電極３６によって形成されている。ま
た、各ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm は、ＴＦＴ３３のドレイ
ン電極４１によって形成されている。
【００５３】図５に、ゲート配線Ｇn とドレイン配線Ｄ
n との直交部分に設けられている画素３２の等価回路を
示す。有機ＥＬ素子１６の陰極１５には定電圧Ｖcom が
印加されている。
n との直交部分に設けられている画素３２の等価回路を
示す。有機ＥＬ素子１６の陰極１５には定電圧Ｖcom が
印加されている。
【００５４】さて、本実施形態の有機ＥＬ素子１６にお
いては、陽極１３は両表面に凹凸状部を備え、陰極１５
は陽極１３側の面に凹凸状部を備えるため、有機ＥＬ素
子１６の静電容量をより増加させることができる。よっ
て、有機ＥＬ素子１６は凹凸状部１３ａ，１５ａ間に蓄
えられる充分な電荷にて表示を行うことができる。
いては、陽極１３は両表面に凹凸状部を備え、陰極１５
は陽極１３側の面に凹凸状部を備えるため、有機ＥＬ素
子１６の静電容量をより増加させることができる。よっ
て、有機ＥＬ素子１６は凹凸状部１３ａ，１５ａ間に蓄
えられる充分な電荷にて表示を行うことができる。
【００５５】また、本実施形態においては、第１実施形
態の作用および効果に加えて、以下の作用および効果を
得ることができる。 〔１〕画素３２において、ゲート配線Ｇn を正電圧にし
てＴＦＴ３３のゲート電極３６に正電圧を印加すると、
ＴＦＴ３３がオン状態になる。すると、ドレイン配線Ｄ
n に印加されたデータ信号で、有機ＥＬ素子１６の静電
容量が充電され、画素３２にデータ信号が書き込まれ
る。そのデータ信号によって有機ＥＬ素子１６の駆動が
行われる。
態の作用および効果に加えて、以下の作用および効果を
得ることができる。 〔１〕画素３２において、ゲート配線Ｇn を正電圧にし
てＴＦＴ３３のゲート電極３６に正電圧を印加すると、
ＴＦＴ３３がオン状態になる。すると、ドレイン配線Ｄ
n に印加されたデータ信号で、有機ＥＬ素子１６の静電
容量が充電され、画素３２にデータ信号が書き込まれ
る。そのデータ信号によって有機ＥＬ素子１６の駆動が
行われる。
【００５６】反対に、ゲート配線Ｇn を負電圧にしてＴ
ＦＴ３３のゲート電極３６に負電圧を印加すると、ＴＦ
Ｔ３３がオフ状態になり、その時点でドレイン配線Ｄn
に印加されていたデータ信号は、電荷の状態で有機ＥＬ
素子１６の静電容量によって保持される。このように、
画素３２へ書き込みたいデータ信号を各ドレイン配線Ｄ
1 〜Ｄm に与えて、各ゲート配線Ｇ1 〜Ｇm の電圧を制
御することにより、各画素３２に任意のデータ信号を保
持させておくことができる。そして、次に、ＴＦＴ３３
がオン状態になるまで、引き続き有機ＥＬ素子１６の駆
動が行われる。
ＦＴ３３のゲート電極３６に負電圧を印加すると、ＴＦ
Ｔ３３がオフ状態になり、その時点でドレイン配線Ｄn
に印加されていたデータ信号は、電荷の状態で有機ＥＬ
素子１６の静電容量によって保持される。このように、
画素３２へ書き込みたいデータ信号を各ドレイン配線Ｄ
1 〜Ｄm に与えて、各ゲート配線Ｇ1 〜Ｇm の電圧を制
御することにより、各画素３２に任意のデータ信号を保
持させておくことができる。そして、次に、ＴＦＴ３３
がオン状態になるまで、引き続き有機ＥＬ素子１６の駆
動が行われる。
【００５７】〔２〕上記〔１〕より、ゲート配線数（走
査線数）が増大して１つの画素３２に割り当てられる駆
動時間が少なくなっても、有機ＥＬ素子１６の駆動が、
陽極１３及び陰極１５間に蓄えられる電荷にて発光が途
切れるなどの影響を受けることはなく、表示パネル４１
に表示される画像のコントラストが低下することもな
い。従って、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表
示装置３１によれば、第１実施形態の単純マトリックス
方式の有機ＥＬ表示装置１１に比べてより高画質の表示
が可能になる。
査線数）が増大して１つの画素３２に割り当てられる駆
動時間が少なくなっても、有機ＥＬ素子１６の駆動が、
陽極１３及び陰極１５間に蓄えられる電荷にて発光が途
切れるなどの影響を受けることはなく、表示パネル４１
に表示される画像のコントラストが低下することもな
い。従って、アクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表
示装置３１によれば、第１実施形態の単純マトリックス
方式の有機ＥＬ表示装置１１に比べてより高画質の表示
が可能になる。
【００５８】〔３〕ＴＦＴ３３は、能動層として多結晶
シリコン膜３４を用い、ＬＤＤ構造をとる。そのため、
ＴＦＴ３３のオン・オフ比を大きくすると共に、オフ状
態におけるリーク電流を小さくすることができる。従っ
て、上記〔２〕の作用および効果をより確実に得ること
ができる。
シリコン膜３４を用い、ＬＤＤ構造をとる。そのため、
ＴＦＴ３３のオン・オフ比を大きくすると共に、オフ状
態におけるリーク電流を小さくすることができる。従っ
て、上記〔２〕の作用および効果をより確実に得ること
ができる。
【００５９】〔４〕高濃度のソース領域３８ａと陽極１
３とがソース電極４３を介して接続されているのは、高
濃度のソース領域３８ａと陽極１３との良好なオーミッ
クコンタクトをとるためである。すなわち、ソース電極
４３を省くと、多結晶シリコン膜３４からなる高濃度の
ソース領域３８ａと、ＩＴＯからなる陽極１３とが直接
接続される。その結果、高濃度のソース領域３８ａと陽
極１３とのヘテロ接合によってバンドギャップ差による
エネルギーギャップが生じ、良好なオーミックコンタク
トを得られなくなる。高濃度のソース領域３８ａと陽極
１３とのオーミックコンタクトがとれていないと、ドレ
イン配線Ｄ1 〜Ｄm に印加されたデータ信号が画素３２
へ正確に書き込まれなくなり、有機ＥＬ表示装置３１の
画質が低下することになる。そこで、アルミニウム合金
膜からなるソース電極４３を設けることで、高濃度のソ
ース領域３８ａと陽極１３とを直接接続した場合に比べ
て、良好なオーミックコンタクトを得られるようにする
わけである。
３とがソース電極４３を介して接続されているのは、高
濃度のソース領域３８ａと陽極１３との良好なオーミッ
クコンタクトをとるためである。すなわち、ソース電極
４３を省くと、多結晶シリコン膜３４からなる高濃度の
ソース領域３８ａと、ＩＴＯからなる陽極１３とが直接
接続される。その結果、高濃度のソース領域３８ａと陽
極１３とのヘテロ接合によってバンドギャップ差による
エネルギーギャップが生じ、良好なオーミックコンタク
トを得られなくなる。高濃度のソース領域３８ａと陽極
１３とのオーミックコンタクトがとれていないと、ドレ
イン配線Ｄ1 〜Ｄm に印加されたデータ信号が画素３２
へ正確に書き込まれなくなり、有機ＥＬ表示装置３１の
画質が低下することになる。そこで、アルミニウム合金
膜からなるソース電極４３を設けることで、高濃度のソ
ース領域３８ａと陽極１３とを直接接続した場合に比べ
て、良好なオーミックコンタクトを得られるようにする
わけである。
【００６０】ところで、ＴＦＴ３３において、各ドレイ
ン領域３７ａ，３７ｂがソース領域と呼ばれ、ドレイン
電極４１がドレイン電極と呼ばれることがある。この場
合、ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm はソース配線と呼ばれ、ド
レインドライバ５６はソースドライバと呼ばれる。
ン領域３７ａ，３７ｂがソース領域と呼ばれ、ドレイン
電極４１がドレイン電極と呼ばれることがある。この場
合、ドレイン配線Ｄ1 〜Ｄm はソース配線と呼ばれ、ド
レインドライバ５６はソースドライバと呼ばれる。
【００６１】尚、上記各実施形態は以下のように変更し
てもよく、その場合でも同様の作用および効果を得るこ
とができる。 （１）上記各形態では、複数の陽極１３と複数の陰極１
５を備えた有機ＥＬ表示装置に具体化したが、複数の陽
極と１つの陰極を備えた有機ＥＬ表示装置または１つの
陽極と複数の陰極を備えた有機ＥＬ表示装置に具体化し
てもよい。この場合、１つの陰極は、帯状であってもよ
いし、すべての陽極に対応する面積を持つ平面形状とし
てもよい。同様に、１つの陽極は、帯状であってもよい
し、すべての陰極に対応する面積を持つ平面形状として
もよい。また、複数の陽極と１つの陰極を設ける場合に
は、陽極が第１の電極となり、陰極が第２の電極とな
る。逆に、１つの陽極と複数の陰極を設ける場合には、
陽極が第２の電極となり、陰極が第１の電極となる。ま
た、複数の陽極と複数の陰極とを備えた有機ＥＬ表示装
置では、陽極及び陰極のいずれを第１または第２の電極
としてもよい。
てもよく、その場合でも同様の作用および効果を得るこ
とができる。 （１）上記各形態では、複数の陽極１３と複数の陰極１
５を備えた有機ＥＬ表示装置に具体化したが、複数の陽
極と１つの陰極を備えた有機ＥＬ表示装置または１つの
陽極と複数の陰極を備えた有機ＥＬ表示装置に具体化し
てもよい。この場合、１つの陰極は、帯状であってもよ
いし、すべての陽極に対応する面積を持つ平面形状とし
てもよい。同様に、１つの陽極は、帯状であってもよい
し、すべての陰極に対応する面積を持つ平面形状として
もよい。また、複数の陽極と１つの陰極を設ける場合に
は、陽極が第１の電極となり、陰極が第２の電極とな
る。逆に、１つの陽極と複数の陰極を設ける場合には、
陽極が第２の電極となり、陰極が第１の電極となる。ま
た、複数の陽極と複数の陰極とを備えた有機ＥＬ表示装
置では、陽極及び陰極のいずれを第１または第２の電極
としてもよい。
【００６２】（２）有機ＥＬ素子１６におけるテクスチ
ャー構造の形成される箇所は上記両実施形態に限定され
るものではなく、陽極１３または陰極１５の少なくとも
１つの面に形成すればよい。例えば、テクスチャー構造
を陽極１３または陰極１５の１つの面のみに設ける場合
には、陽極１３の上面のみまたは下面のみに設けたり、
陰極１５の上面のみまたは下面のみに設けたりしてもよ
い。テクスチャー構造を陽極１３または陰極１５の２つ
の面に設ける場合には、陽極１３の上下両面に設けた
り、陽極１３の下面及び陰極１５の下面に設けたり、陽
極１３の下面及び陰極１５の上面に設けたり、陽極１３
の上面及び陰極１５の上面に設けたり、陰極１５の上下
両面に設けたりしてもよい。テクスチャー構造を陽極１
３または陰極１５の３つの面に設ける場合には、陽極１
３の上下両面及び陰極１５の上面に設けたり、陽極１３
の上面及び陰極１５の上下両面に設けたり、陽極１３の
下面及び陰極１５の上下両面に設けたりしてもよい。さ
らに、テクスチャー構造を陽極１３の上下両面及び陰極
１５の上下両面に設けてもよい。
ャー構造の形成される箇所は上記両実施形態に限定され
るものではなく、陽極１３または陰極１５の少なくとも
１つの面に形成すればよい。例えば、テクスチャー構造
を陽極１３または陰極１５の１つの面のみに設ける場合
には、陽極１３の上面のみまたは下面のみに設けたり、
陰極１５の上面のみまたは下面のみに設けたりしてもよ
い。テクスチャー構造を陽極１３または陰極１５の２つ
の面に設ける場合には、陽極１３の上下両面に設けた
り、陽極１３の下面及び陰極１５の下面に設けたり、陽
極１３の下面及び陰極１５の上面に設けたり、陽極１３
の上面及び陰極１５の上面に設けたり、陰極１５の上下
両面に設けたりしてもよい。テクスチャー構造を陽極１
３または陰極１５の３つの面に設ける場合には、陽極１
３の上下両面及び陰極１５の上面に設けたり、陽極１３
の上面及び陰極１５の上下両面に設けたり、陽極１３の
下面及び陰極１５の上下両面に設けたりしてもよい。さ
らに、テクスチャー構造を陽極１３の上下両面及び陰極
１５の上下両面に設けてもよい。
【００６３】（３）有機ＥＬ素子１６の各部材（各層５
０〜５３、陽極１３、陰極１５）の材質には、上記した
もの以外に種々のものが提案されている。しかし、本発
明は有機ＥＬ素子の各部材の材質に関係なく適用するこ
とができる。
０〜５３、陽極１３、陰極１５）の材質には、上記した
もの以外に種々のものが提案されている。しかし、本発
明は有機ＥＬ素子の各部材の材質に関係なく適用するこ
とができる。
【００６４】（４）有機ＥＬ素子１６の構造には、図３
に示したもの以外に、第１ホール輸送層５０または第２
ホール輸送層５１のいずれか一方または両方を省いた構
造、電子輸送層５３を省いた構造などがある。しかし、
本発明はどのような素子構造の有機ＥＬ素子に対しても
適用することができる。
に示したもの以外に、第１ホール輸送層５０または第２
ホール輸送層５１のいずれか一方または両方を省いた構
造、電子輸送層５３を省いた構造などがある。しかし、
本発明はどのような素子構造の有機ＥＬ素子に対しても
適用することができる。
【００６５】（５）ＬＤＤ構造のＴＦＴ３３を、ＳＤ
(Single Drain) 構造またはダブルゲート構造のＴＦＴ
に置き換える。 （６）プレーナ型のＴＦＴ３３を、逆プレーナ型、スタ
ガ型、逆スタガ型などの他の構造のＴＦＴに置き換え
る。
(Single Drain) 構造またはダブルゲート構造のＴＦＴ
に置き換える。 （６）プレーナ型のＴＦＴ３３を、逆プレーナ型、スタ
ガ型、逆スタガ型などの他の構造のＴＦＴに置き換え
る。
【００６６】（７）能動層として多結晶シリコン膜を用
いるＴＦＴ３３を、能動層して非晶質シリコン膜を用い
るＴＦＴに置き換える。 （８）ＴＦＴを画素駆動素子として用いたトランジスタ
型のアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置だ
けでなく、バルクトランジスタを画素駆動素子として用
いたトランジスタ型や、ダイオード型のアクティブマト
リックス方式の有機ＥＬ表示装置に適用する。ダイオー
ド型の画素駆動素子には、ＭＩＭ (Metal Insulator Me
tal)、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バリスタ、ＭＳＩ (Metal Se
mi Insulator) 、ＢＴＢ (Back To Back diode) 、ＲＤ
(Ring Diode) などがある。
いるＴＦＴ３３を、能動層して非晶質シリコン膜を用い
るＴＦＴに置き換える。 （８）ＴＦＴを画素駆動素子として用いたトランジスタ
型のアクティブマトリックス方式の有機ＥＬ表示装置だ
けでなく、バルクトランジスタを画素駆動素子として用
いたトランジスタ型や、ダイオード型のアクティブマト
リックス方式の有機ＥＬ表示装置に適用する。ダイオー
ド型の画素駆動素子には、ＭＩＭ (Metal Insulator Me
tal)、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バリスタ、ＭＳＩ (Metal Se
mi Insulator) 、ＢＴＢ (Back To Back diode) 、ＲＤ
(Ring Diode) などがある。
【００６７】（９）有機ＥＬ素子を用いた表示装置だけ
でなく、無機ＥＬ素子を用いた表示装置に適用する。 以上、各実施形態について説明したが、各実施形態から
把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそ
れらの効果と共に記載する。
でなく、無機ＥＬ素子を用いた表示装置に適用する。 以上、各実施形態について説明したが、各実施形態から
把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそ
れらの効果と共に記載する。
【００６８】（イ）請求項９において、前記発光素子層
はＭＴＤＡＴＡからなる第１ホール輸送層と、ＴＰＤか
らなる第２ホール輸送層と、キナクリドン誘導体を含む
Ｂｅｂｑ２からなる発光層と、Ｂｅｂｑ２からなる電子
輸送層とを備え、第２の電極はマグネシウム・インジウ
ム合金からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置。
はＭＴＤＡＴＡからなる第１ホール輸送層と、ＴＰＤか
らなる第２ホール輸送層と、キナクリドン誘導体を含む
Ｂｅｂｑ２からなる発光層と、Ｂｅｂｑ２からなる電子
輸送層とを備え、第２の電極はマグネシウム・インジウ
ム合金からなる有機エレクトロルミネッセンス素子を用
いた表示装置。
【００６９】このようにすれば、発光効率が高く視感度
の高い緑色発光の有機ＥＬ素子を得ることが可能にな
り、表示装置の輝度をさらに向上させることができる。 （ロ）請求項１０において、前記ホール輸送層は第１ホ
ール輸送層と第２ホール輸送層との２層構造からなる有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置。
の高い緑色発光の有機ＥＬ素子を得ることが可能にな
り、表示装置の輝度をさらに向上させることができる。 （ロ）請求項１０において、前記ホール輸送層は第１ホ
ール輸送層と第２ホール輸送層との２層構造からなる有
機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置。
【００７０】このようにすれば、発光効率の極めて高い
有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能に
なり、表示装置の輝度をさらに向上させることができ
る。
有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能に
なり、表示装置の輝度をさらに向上させることができ
る。
【００７１】
【発明の効果】以上詳述したように請求項１〜５のいず
れか一項に記載の発明によれば、発光領域の静電容量を
増加させて表示を行うことができるエレクトロルミネッ
センス素子を提供することができる。
れか一項に記載の発明によれば、発光領域の静電容量を
増加させて表示を行うことができるエレクトロルミネッ
センス素子を提供することができる。
【００７２】請求項４に記載の発明によれば、優れた特
徴を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を得るこ
とができる。請求項５に記載の発明によれば、発光効率
の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが
可能になる。
徴を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を得るこ
とができる。請求項５に記載の発明によれば、発光効率
の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが
可能になる。
【００７３】請求項６〜１２のいずれか一項に記載の発
明によれば、コントラストが良好であり解像度が高く、
精細な画像を得ることができる表示装置を提供すること
ができる。
明によれば、コントラストが良好であり解像度が高く、
精細な画像を得ることができる表示装置を提供すること
ができる。
【００７４】請求項６または７に記載の発明によれば、
単純マトリックス方式の表示装置を得ることができる。
請求項８に記載の発明によれば、アクティブマトリック
ス方式の表示装置を得ることができる。
単純マトリックス方式の表示装置を得ることができる。
請求項８に記載の発明によれば、アクティブマトリック
ス方式の表示装置を得ることができる。
【００７５】請求項９に記載の発明によれば、有機エレ
クトロルミネッセンス素子の優れた特徴を備えた表示装
置を得ることができる。請求項１０に記載の発明によれ
ば、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子
を得ることが可能になり、表示装置の輝度を向上させる
ことができる。
クトロルミネッセンス素子の優れた特徴を備えた表示装
置を得ることができる。請求項１０に記載の発明によれ
ば、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子
を得ることが可能になり、表示装置の輝度を向上させる
ことができる。
【００７６】請求項１１に記載の発明によれば、トラン
ジスタ型の優れた特徴を備えたアクティブマトリックス
方式の表示装置を得ることができる。
ジスタ型の優れた特徴を備えたアクティブマトリックス
方式の表示装置を得ることができる。
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す一部破
断斜視図
断斜視図
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置のＸ−Ｘ線断面図
【図３】第３実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す一部断
面図
面図
【図４】第３実施形態の有機ＥＬ表示装置を示すブロッ
ク図
ク図
【図５】第３実施形態の画素の等価回路図
【図６】従来の有機ＥＬ表示装置を示す一部破断斜視図
【図７】図６の有機ＥＬ表示装置のＡ−Ａ線断面図
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の電極のみを示す平面
図
図
１２…透明絶縁基板 １３…第１の電極としての陽極 １３ａ，１５ａ…凹凸状部 １４…発光素子層 １５…第２の電極としての陰極
Claims (12)
- 【請求項１】 いずれか一方の電極の面に凹凸状部を設
けたエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 対向配置された第１及び第２の電極と、
第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発光素子層と
を備えるエレクトロルミネッセンス素子において、 前記第１の電極または第２の電極における少なくとも１
つの面に凹凸状部を設けたエレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項３】 請求項２に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子において、前記第１の電極と第２の電極との互
いに対向する面にそれぞれ凹凸状部を形成したエレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 請求項２または３に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子において、前記発光素子層が有機化合
物からなるエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項５】 請求項４に記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子において、前記発光素子層は発光層と、少なく
ともホール輸送層または電子輸送層とを備えるエレクト
ロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか一項に記載のエ
レクトロルミネッセンス素子からなる画素がマトリック
ス状に配置された表示装置。 - 【請求項７】 平行に配置された複数の第１の電極と、 第１の電極と対向するように配置された第２の電極と、 前記複数の第１の電極と第２の電極との間に挟まれた発
光素子層とにより複数のエレクトロルミネッセンス素子
が構成され、 前記第１の電極または第２の電極における少なくとも１
つの面に凹凸状部を設けた表示装置。 - 【請求項８】 平行に配置された複数の第１の電極と、 第１の電極と対向するように配置された複数の第２の電
極と、 前記複数の第１の電極と複数の第２の電極との間に挟ま
れた発光素子層とにより複数のエレクトロルミネッセン
ス素子が構成され、 前記第１の電極または第２の電極における少なくとも１
つの面に凹凸状部を設けた表示装置。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の表示装置にお
いて、前記発光素子層が有機化合物からなる有機エレク
トロルミネッセンス素子を用いた表示装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の表示装置において、
前記発光素子層は発光層と、少なくともホール輸送層ま
たは電子輸送層とを備える有機エレクトロルミネッセン
ス素子を用いた表示装置。 - 【請求項１１】 請求項６，７，１０のいずれか一項に
記載の表示装置において、前記エレクトロルミネッセン
ス素子を駆動するための画素駆動素子を備え、エレクト
ロルミネッセンス素子と画素駆動素子とからなる画素が
マトリックス状に配置されたアクティブマトリックス方
式の表示装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の表示装置におい
て、前記画素駆動素子は薄膜トランジスタである表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331188A JPH10172767A (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8331188A JPH10172767A (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172767A true JPH10172767A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18240875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8331188A Pending JPH10172767A (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172767A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1475849A2 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-10 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| WO2005013645A1 (ja) * | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 有機発光素子とその製造方法、表示装置および照明装置 |
| EP1701396A2 (en) * | 1999-09-03 | 2006-09-13 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Simple matrix type electroluminescent display device |
| JP2006286227A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント用基板および有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| KR100847924B1 (ko) | 2006-02-03 | 2008-07-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유기 발광소자와 그 제조방법, 표시장치 및 조명장치 |
| US7474045B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having TFT with radiation-absorbing film |
| KR100907132B1 (ko) * | 2002-06-19 | 2009-07-09 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 전기 발광 소자의 제조방법 |
| US7851797B2 (en) | 1999-12-14 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including a color filter or color filters over a pixel portion and a driving circuit for driving the pixel portion |
| JP2011170358A (ja) * | 1999-12-15 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| US8586974B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
| FR3025943A1 (fr) * | 2014-09-11 | 2016-03-18 | Saint Gobain Performance Plast | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant et sa fabrication. |
| CN111670607A (zh) * | 2017-12-05 | 2020-09-15 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| WO2021095194A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | シャープ株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053079A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Pioneer Electron Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH0854836A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
| JPH08129359A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPH08185983A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH09115667A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 光学的素子 |
-
1996
- 1996-12-11 JP JP8331188A patent/JPH10172767A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053079A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Pioneer Electron Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JPH0854836A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-27 | Nec Corp | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
| JPH08129359A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
| JPH08185983A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH09115667A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 光学的素子 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8198806B2 (en) | 1999-09-03 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and manufacturing method thereof |
| US8358063B2 (en) | 1999-09-03 | 2013-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and manufacturing method thereof |
| US7710028B2 (en) | 1999-09-03 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device having pixel electrode with projecting portions and manufacturing method thereof |
| EP1701396A3 (en) * | 1999-09-03 | 2011-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Simple matrix type electroluminescent display device |
| EP1701396A2 (en) * | 1999-09-03 | 2006-09-13 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Simple matrix type electroluminescent display device |
| US7427834B2 (en) | 1999-09-03 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with anode contacting input-output wiring through opening in insulating film |
| US7851797B2 (en) | 1999-12-14 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including a color filter or color filters over a pixel portion and a driving circuit for driving the pixel portion |
| US8754577B2 (en) | 1999-12-15 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device |
| JP2011170358A (ja) * | 1999-12-15 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気器具 |
| US7474045B2 (en) | 2002-05-17 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having TFT with radiation-absorbing film |
| KR100907132B1 (ko) * | 2002-06-19 | 2009-07-09 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 전기 발광 소자의 제조방법 |
| EP1475849A2 (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-10 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| EP1475849A3 (en) * | 2003-05-07 | 2008-03-26 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| US7977871B2 (en) | 2003-05-07 | 2011-07-12 | Lg Electronics Inc. | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same |
| JP4702516B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2011-06-15 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2004335470A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Lg Electron Inc | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| US7633221B2 (en) | 2003-08-05 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Organic light-emitting device with meandering electrode surface, and method for manufacturing same |
| WO2005013645A1 (ja) * | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 有機発光素子とその製造方法、表示装置および照明装置 |
| JP4594234B2 (ja) * | 2003-08-05 | 2010-12-08 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、表示装置および照明装置 |
| EP1657966A4 (en) * | 2003-08-05 | 2009-06-03 | Panasonic Corp | ORGANIC LIGHT-EMITTING COMPONENT, METHOD FOR ITS MANUFACTURE, DISPLAY DEVICE AND ILLUMINATOR |
| EP1657966A1 (en) * | 2003-08-05 | 2006-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic light-emitting device, method for manufacturing same, display device and illuminator |
| JPWO2005013645A1 (ja) * | 2003-08-05 | 2006-09-28 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、表示装置および照明装置 |
| JP2006286227A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント用基板および有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| KR100847924B1 (ko) | 2006-02-03 | 2008-07-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유기 발광소자와 그 제조방법, 표시장치 및 조명장치 |
| US8586974B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
| FR3025943A1 (fr) * | 2014-09-11 | 2016-03-18 | Saint Gobain Performance Plast | Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant et sa fabrication. |
| CN111670607A (zh) * | 2017-12-05 | 2020-09-15 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| CN111670607B (zh) * | 2017-12-05 | 2023-11-10 | 佳能株式会社 | 顶发射有机el元件及用于制造顶发射有机el元件的方法 |
| WO2021095194A1 (ja) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | シャープ株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
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