FR3025943A1 - Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant et sa fabrication. - Google Patents

Abstract

La présente invention a pour objet un support électroconducteur (100) pour OLED comportant dans cet ordre: - un substrat plastique - une sous-couche barrière à l'humidité (4) - une première couche (3), d'indice de réfraction n3 de 1,7 à 2,3, sur la sous-couche, - une électrode, en grille (2) métallique avec des brins (20), avec des brins (2) présentent suivant leur longueur une zone centrale (21) entre des zones latérales (22, 22') qui affleurent la surface haute (31').

Description

- 1 - SUPPORT ELECTROCONDUCTEUR POUR OLED, OLED L'INCORPORANT, ET SA FABRICATION La présente invention a pour objet un support électroconducteur réalisé sur un substrat plastique, le dispositif électroluminescent organique l'incorporant et sa fabrication. Les diodes électroluminescents organiques dites OLED (pour « Organic Light Emitting Diodes » en anglais) comportent classiquement un matériau ou un empilement de matériaux électroluminescents organiques alimenté en électricité par deux électrodes l'encadrant généralement sous forme de couches électroconductrices.

De manière classique, l'électrode supérieure est une couche métallique réfléchissante par exemple en aluminium, et l'électrode inférieure est une couche transparente à base d'oxyde d'indium, généralement d'oxyde d'indium dopé à l'étain plus connu sous l'abréviation ITO et d'épaisseur de l'ordre de 100 à 150nm, et dont la résistance carrée est supérieure à 10- 150hm/sq. Cependant, pour un éclairage uniforme sur de grandes surfaces (typiquement supérieures à 5x5cm2), ces valeurs de résistance carré demeurent élevées et il est alors nécessaire d'associer à la couche transparente (par exemple, ITO) une grille soit en multicouche métallique de type MAM (Métal/Al/Métal) soit en monocouche, comme une grille d'argent réalisée par des techniques d'impression d'une pâte d'argent, afin de diminuer la résistance carrée à des valeurs inférieures à 5Ohm/sq, voire même 10hm/sq. Ces grilles sont microniques en épaisseur et de largeur de l'ordre de 100pm. La grille est ensuite passivée afin de supprimer les court-circuits (réduction des courants de fuite) entre des défauts de la grille et l'électrode supérieure (cathode). Cette électrode avec une grille passivée est onéreuse et complexe à fabriquer. La demande de brevet W02009071822 propose une électrode inférieure alternative.

Plus précisément, l'électrode inférieure comporte d'abord un conducteur en grille apériodique, épais de 1pm, formé de brins irréguliers à base d'argent, de largeur moyenne A de l'ordre de 3pm, et espacées entre eux d'une distance moyenne B de l'ordre de 30pm, avec un rapport B/A de 10. Cette grille électroconductrice est fabriquée par évaporation d'argent sur un masque doté d'un réseau d'ouvertures autoorganisées. Le masque est retiré ensuite. De cette façon, par un choix judicieux de B/A et de l'épaisseur, la résistance carré de cette grille, particulièrement basse, est de 0,6Ohm/carré environ. La transmission lumineuse TL de cette grille est de 70% environ et les brins sont invisibles à l'oeil nu. Entre les brins de grille, une couche de remplissage est ajoutée, dans le mode de réalisation en relation avec la figure 3. On dépose la formulation en surcouche, et après séchage éventuel et recuit, polit la couche sol gel, en arasant la surface jusqu'au niveau des brins. Un revêtement électroconducteur couvrant la grille et la couche de remplissage préserve le lissage et permet de répartir le courant. Le revêtement électroconducteur est de l'ITO déposé par pulvérisation pour obtenir une résistivité pl de l'ordre de 10-4 Ohm.cm, avec une 3025943 - 2 - épaisseur à partir de 40nm ou est du PEDOT :PSS déposé par voie liquide. Le procédé de fabrication reste à simplifier et à fiabiliser à l'échelle industrielle sans pénaliser les performances optiques du dispositif OLED. A cet effet, la présente invention propose un support électroconducteur pour OLED 5 comportant: un substrat plastique (transparent), de préférence lisse, d'indice de réfraction n1 dans une gamme allant de 1,45 à 1,8, avec une première face principale, dite première surface, une électrode, laquelle comporte un couche arrangée en grille, dite grille métallique, en matériau(x) métallique(s) (pur ou alliage, de préférence monocouche voire multicouche) 10 présentant une résistance par carré inférieure à 204/^, mieux à 104/^, la grille métallique présentant une épaisseur e2 d'au moins 100nm et de préférence d'au plus 1500nm, la grille métallique étant formée de brins (autrement dit pistes) ayant une largeur A inférieure ou égale à 50pm, et étant séparés par une distance entre brins B inférieure ou égale 5000pm et d'au moins 50pm, ces brins étant séparés par une pluralité de domaines non 15 électroconducteurs électriquement isolant ayant une surface dite haute la plus éloignée du substrat, domaines de préférence d'indice de réfraction supérieur à 1,65. Le support électroconducteur comporte du côté de la première surface une première couche, de préférence électriquement isolante, de composition donnée, d'indice de réfraction n3 de 1,70 à 2,3, de préférence de 1,80 à 2,10 et en particulier de 1,85 à 2,00, la première couche étant 20 directement sur la première surface ou sur une sous couche barrière à l'humidité, mono ou multicouche, minérale et (qui n'est pas un émail), la première couche étant partiellement ou entièrement structurée en épaisseur avec des trous traversants ou cavités, de largeur Wc pour ancrer au moins partiellement la grille métallique, la surface haute étant la surface de la première couche ou la surface d'une surcouche, minérale, de préférence électriquement isolante, (qui n'est 25 pas un émail), sur la première couche, et d'épaisseur de préférence d'au plus 200nm. Les brins présentent suivant leur longueur une zone centrale entre des zones latérales (planes) qui affleurent la surface haute et la rugosité de surface de la zone centrale est supérieure à la rugosité de surface des zones latérales (lisses), de préférence le paramètre de rugosité Rq des zones latérales étant d'au plus 5nm.

30 Le support électroconducteur comprend en outre: un revêtement électroconducteur en matière organique ou de préférence minérale (mono ou multimatériaux) qui couvre, de préférence directement, la surface haute et est au-dessus des zones latérales et en liaison électrique avec les zones latérales, éventuellement est présent au-dessus des zones centrales et en liaison électrique avec les 35 zones centrales, d'épaisseur e5 inférieure ou égale à 800nm, de résistivité p5 inférieure à 200.cm et supérieure à la résistivité de la grille métallique, et qui est d'indice de réfraction n5 d'au moins 1,5 mieux d'au moins 1,55 et même d'au moins 1,7. Et dans la zone centrale, le milieu de la surface de brin et la surface haute sont distants d'une distance verticale H prise à la normale à la première surface et qui est inférieure ou 40 égale à 500nm, mieux inférieure ou égale à 300nm et même inférieure ou égale à 100nm 3025943 - 3 - lorsque la zone centrale suraffleure la surface haute. La grille métallique (sa zone centrale) est de préférence au moins partiellement ancrée dans la première couche et éventuellement entièrement ancrée dans une éventuelle surcouche électriquement isolante (monocouche ou multicouche) sur la première couche. On choisit une 5 surface haute - surface de la première couche ou de la surcouche éventuelle-.la plus lisse possible afin de réduire les courants de fuite. Avantageusement, la première couche dont la surface forme éventuellement la surface haute est partiellement structurée en épaisseur et est dénuée de particules diffusantes et/ou la surcouche qui entièrement structurée en épaisseur, et dont la surface forme la surface haute, est dénuée de particules diffusantes et même la 10 première couche est dénuée de particules diffusantes. La surface haute (de la première couche ou de la surcouche) peut présenter de préférence une rugosité Rq inférieure à 10nm, mieux 5nm et même à 2nm. Rq peut être définie selon la norme IS04287 et mesurée par microscopie à force atomique. On limite H à 500nm en sous affleurance pour rendre le profil le moins abrupt possible. On 15 réduit le plus possible la suraffleurance pour ancrer la couche et permettre une passivation des flancs de grille par les domaines non électroconducteurs. La première couche peut être polymérique. Il s'agit d'un dépôt ou d'un film transparent (haut indice), notamment thermoplastique comme le PEN (poly(naphtalate d'éthylène). Son indice de réfraction est de 1,75 environ.

20 Comme barrière à l'humidité on peut citer les empilements décrits dans W02011029786 et W02011029787. De préférence, le paramètre de rugosité Rq (de la surface) des zones latérales (planes) est d'au plus 5nm et même d'au plus 3nm et même d'au plus 2nm ou encore 1 nm. Et de préférence le Rmax (hauteur maximale) dans chaque zone latérale (plane) est d'au plus 20nm et même d'au plus 25 10nm. La rugosité de la zone centrale supérieure à la rugosité de surface des zones latérales est obtenue en particulier pour un dépôt du matériau de grille par voie liquide comme le dépôt autocatalytique (par argenture etc).) La rugosité de la zone centrale augmente avec l'épaisseur de la grille métallique (le caractère lisse des zones latérales est indépendant de l'épaisseur).

30 Le paramètre de rugosité Rq (ou rms) dans la zone centrale peut être d'au moins 10nm et même d'au moins 20nm et de préférence d'au plus 60nm. Et même le paramètre de rugosité Rmax (hauteur maximale) dans la zone centrale peut être d'au moins 100nm et même d'au moins 150nm et de préférence d'au plus 500nm. Rmax et Rq de la grille métallique peuvent être définis selon la norme IS04287 et mesurés 35 par microscopie à force atomique. Selon l'invention une zone latérale affleurant la surface haute peut être rigoureusement sur le même plan que la surface haute ou s'en écarter d'au plus 1 Onm et mieux d'au plus 5nm. Le fait que chaque zone latérale (plane) soit affleurante à la surface haute vient aussi du dépôt par voie liquide du métal, comme le dépôt autocatalytique (« electroless » en anglais) 40 reposant sur la réduction d'un sel métallique en solution, dépôt réalisé au travers des ouvertures 3025943 - 4 - d'une couche de masquage sur une couche (partiellement ou entièrement) structurée par gravure humide. Ce phénomène d'affleurement est indépendant de l'épaisseur de métal. En particulier, dans l'exemple d'un dépôt autocatalytique comme l'argenture (« silvering » en anglais), le métal tel que l'argent est déposé dans les trous d'une couche 5 (partiellement ou entièrement) structurée (surcouche seule, ou surcouche et première couche). Les trous sont plus larges que les ouvertures de la couche de masquage du fait de la gravure latérale qui intervient lors de la formation de la couche structurée par gravure humide. L'argent se dépose sur les flancs et sur la surface dite interne de la couche de masquage qui est située au-dessus de chaque trou, surface interne dans le plan de la surface haute et donc dépassant 10 des flancs de chaque trou. Les zones latérales affleurant la surface haute sont planes, lisses du fait de leur contact avec la couche de masquage elle-même de surface interne lisse. La surface interne reproduit quant à elle le caractère lisse, plan de la surface haute. La gravure humide ne génère pas de rugosités significatives sur la surface interne et les flancs et fonds de cavité lisses (ces rugosités 15 potentiellement générées n'augmentant pas la rugosité de la surface de grille par rapport à un dépôt sur surface lisse). Lors d'un dépôt physique en phase vapeur (« PVD ») comme une pulvérisation cathodique magnétron, par effet d'ombrage au travers des ouvertures d'une couche de masquage tel qu'une (photo)résine, les zones latérales des brins sont en cuvette, formant une 20 rupture de morphologie de profondeur équivalente à la hauteur de cavités de la couche (partiellement ou entièrement) structurée susceptible de générer des courts circuits lorsque l'OLED est fabriquée par la suite. Dans ce type de dépôt, le brin n'a pas de zone latérale lisse et affleurant la surface haute pour une grille sous affleurante ou sur affleurante. En outre, l'argenture est simple, moins complexe (pas d'installations sous vide etc) que le 25 dépôt physique en phase vapeur « PVD », et convient pour toute taille de grille métallique. Par ailleurs, la conductivité électrique de l'argent déposé par argenture est suffisante (typiquement 30% à 40% inférieure à celle d'une grille d'argent faite par PVD). Influence H Dans un mode de réalisation préféré car fiable et le plus simple à fabriquer, la zone 30 centrale sous affleure la surface haute et H est supérieure à 100nm, même supérieure à 150nm. Lors d'essais, la Demanderesse a constaté l'intérêt d'un écart suffisant entre la surface de la grille métallique en zone centrale et la surface haute. En effet, dans le cas de grilles métalliques suraffleurantes, ou sous affleurantes avec des plus faibles valeurs de H, la 35 Demanderesse a observé l'apparition de protubérances métalliques de hauteur H1 de l'ordre de 20nm à 200nm et de largeur \N1 à mi-hauteur de l'ordre de 20 à 500nm longeant les bords intérieurs des zones latérales. Ces protubérances sont continues ou discontinues. Ces protubérances sont nuisibles car susceptibles d'augmenter les courants de fuite. L'écart H supérieur à 100nm, même supérieure à 150nm selon l'invention permet de réduire 40 significativement ces protubérances et leur hauteur voire même de les supprimer. 3025943 - 5 - Selon l'invention, lorsque la grille métallique sous affleure la surface haute, avec H supérieur à 100nm, mieux supérieur à 150nm, la majorité des brins métalliques et même chaque brin métallique selon l'invention est dénué de ces protubérances. Selon l'invention, la surface de brin métallique, de préférence argent, est considérée comme étant dénuée de 5 protubérances lorsque ces protubérances longeant les bords intérieurs des zones latérales ont une hauteur inférieure à 10nm. Dans un autre mode de réalisation, H est inférieure ou égale à 100nm et -même de préférence la zone centrale sous affleure la surface haute-, de préférence la surface de brin métallique est dénuée de protubérances (métalliques) de hauteur supérieure à 10nm longeant 10 les bords intérieurs (côté zone centrale) des zones latérales. Avec un écart H faible, les protubérances sont générées lors du retrait de la couche de masquage. On suppose que lorsque l'écart H est faible (brins quasi affleurants) la rupture entre le métal de grille (l'argent) déposé dans le trou de la couche (partiellement ou entièrement) structurée et celui sur les flancs de la couche de masquage est plus délicate à réaliser en 15 raison d'une zone de contact entre le métal de grille et celui sur couche de masquage plus grande. Toutefois ces protubérances peuvent être supprimées par attaque chimique. De manière avantageuse, le support électroconducteur peut comporter une couche dite de passivation discontinue en matériau électriquement, formant une grille de pistes isolantes localisées au-dessus des zones centrales et éventuellement au-dessus des zones latérales des brins, couvrant 20 entièrement les zones centrales et éventuellement couvrant partiellement ou entièrement les zones latérales et ne dépassant pas latéralement des bords extérieurs des brins (au-dessus de la surface haute) ou dépassant latéralement des bords extérieurs des brins d'au plus 1pm même d'au plus 500nm ou encore d'au plus 200nm (au-dessus de la surface haute), voire même ne dépassant pas des zones centrales.

25 Dans le support selon l'invention, si l'isolation électrique des zones centrales des brins située au-dessus du revêtement électroconducteur permet d'augmenter le rendement quantique externe mesuré nommé EQE par rapport à une grille métallique non passivée comme celle de l'art antérieur précité. Dans le cas d'une grille métallique non passivée les porteurs injectés au-dessus de la grille métallique génèrent des photons qui sont par la suite absorbés par la grille métallique. Dans le cas 30 de la grille passivée (sans le revêtement électroconducteur au-dessus de la couche de passivation) il n'y a pas de porteurs de charge injectés au-dessus de la grille métallique donc de photons perdus. Par ailleurs, la grille isolante selon l'invention peut permettre potentiellement de limiter les courants de fuite et donc la dégradation de la durée de vie de l'OLED du fait d'absence de lignes de courant au-dessus des zones centrales rugueuses (zones centrales devenant inactives 35 électriquement en supposant des lignes de courant perpendiculaires au plan du substrat). Si de surcroît la surface de la grille isolante est lisse (par exemple une couche obtenue par sol-gel ou autre méthode en voie liquide), elle peut planariser de gros défauts source de courants de fuite. La grille métallique présente des brins de largeur A faible pouvant même être invisible contrairement aux grilles MAM. Et la passivation est localisée au-dessus des brins contrairement à la 40 passivation des grilles MAM générant un dépassant latéral sur les côtés de la grille de l'ordre de 3025943 - 6 - 50pm ou même supérieur à 50pm. Etant donné que les pistes isolantes ne s'étendent pas latéralement au-delà des brins métalliques (ou peu, dépassement inférieur à 1um), les pistes isolantes n'induisent pas de perte de surface illuminante (ou peu, au regard du rapport entre les largeurs de brins et du dépassement latéral possible selon l'invention).

5 La présence des zones latérales plus lisses que la zone centrale procure en outre un avantage majeur du support selon l'invention. Les zones latérales n'ont pas besoin d'être passivées en soi (puisque lisses). Le procédé de fabrication selon l'invention permet de localiser les pistes isolantes partiellement ou entièrement sur les zones latérales, et ainsi de recouvrir entièrement les zones centrales rugueuses. Etant donné que les zones latérales sont 10 lisses et ne génèrent pas de courants de fuite, leur recouvrement qui n'est éventuellement que partiel n'est pas gênant. La possibilité d'un recouvrement que partiel permet également d'offrir un avantage en terme de procédé de fabrication, en conférant une tolérance dans le choix des paramètres de procédé. Plus elles sont grandes plus la tolérance est grande. Les pistes isolantes peuvent donc 15 couvrir indifféremment entièrement ou partiellement les zones latérales tant que les zones centrales sont entièrement couvertes. La largeur de la zone centrale peut être supérieure, égale ou inférieure à celle de chaque zone latérale (définie au niveau de la surface haute). Cela dépend de e2, de H et de la largeur des trous accueillant la grille métallique.

20 De préférence, la couche de passivation a au-dessus de la zone centrale une surface dite supérieure qui présente un paramètre de rugosité Rq inférieur à 10nm, mieux à 5nm et même à 2nm et même un paramètre de rugosité Rmax inférieur à 100nm, mieux à 50nm et même à 20nm. Et la couche de passivation a de préférence des flancs qui présentent un paramètre de rugosité Rq inférieur à 10nm même à 5nm et mieux à 2nm et même un 25 paramètre de rugosité Rmax inférieur à 100nm mieux à 50nm et même à 20nm. La couche de passivation peut être monocouche voire multicouche, transparente ou opaque (plus ou moins absorbante) et d'indice de réfraction quelconque. La couche de passivation peut être organique, en particulier polymérique. Dans un premier mode de réalisation de la passivation, le matériau électriquement 30 isolant est un matériau photosensible positif (recuit), d'épaisseur e6 inférieure à 1000nm, même d'au plus 600nm et même d'au plus 300nm sur le revêtement électroconducteur Le matériau photo sensible est classiquement utilisé en photolithographie pour les couches de masquage et dénommé photoresist en anglais. Il s'agit généralement d'une photorésine.

35 Un matériau photosensible « positif » est classiquement un type de matériau photosensible pour lequel la partie exposée à la lumière UV devient soluble au révélateur (solution de développement) et où la partie de matériau photosensible non exposé reste insoluble. 3025943 - 7 - Un matériau photosensible « négatif » est classiquement un type de matériau photosensible pour lequel la partie exposée à la lumière devient insoluble au révélateur et où la partie de matériau photosensible non exposé reste soluble La couche de passivation peut être monocouche voire multicouche, transparente ou opaque 5 (plus ou moins absorbante) et d'indice de réfraction quelconque. Les pistes isolantes présentent des flancs obliques induits par le développement du matériau photosensible positif. Notamment la base des pistes isolantes peut être d'angle OC d'au plus 60°, même entre 40 et 50°, avec la surface haute tels que les pistes isolantes sont de largeur décroissante en s'éloignant de la première surface. La section de la couche de 10 passivation est typiquement en forme de dôme, sans angle vifs. L'épaisseur de matériau de planarisation est de préférence de l'ordre de grandeur de la valeur de Rmax de la grille métallique. Dans une réalisation préférée de ce premier mode, la couche de passivation est une couche à base de l'une au moins des matières suivantes : polyimide, polysiloxane, phénolformaldéhyde 15 (connu sous le nom de résine novolaque ou novolac en anglais), polyméthylméthacrylate (PMMA). Dans un deuxième mode de réalisation, la couche de passivation est minérale, et plus particulièrement une couche d'oxyde de préférence par voie sol-gel et/ou de nitrure d'un matériau qui est un métal et/ou du silicium et de préférence une couche de nitrure de silicium, ou de titane, ou d'oxyde de titane, de zirconium, de silicium, de niobium et leurs mélanges.

20 Le matériau des pistes isolantes peut être déposé par différentes méthodes (par exemple pulvérisation cathodique, sol-gel). Trois configurations sont possibles pour la couche de passivation Dans une première configuration, la couche de passivation est sur le revêtement électroconducteur, de préférence minéral.

25 Dans une deuxième configuration, la couche de passivation est entre le revêtement électroconducteur, de préférence minéral, et la zone centrale (et même les zones latérales). Dans une troisième configuration, le revêtement électroconducteur de préférence couche à base d'indium, est discontinu, absent des zones centrales et la couche de passivation est par exemple recouverte d'une couche polymérique HIL ou HTL comme le PEDOT 30 Le revêtement électroconducteur peut être discontinu, absent des zones centrales et H est défini alors entre le milieu de la surface de brin et la surface du revêtement électroconducteur. La première couche peut être polymérique (haut indice). Pour avoir une surface la plus lisse possible, il est préférable que la première couche 35 éventuellement partiellement structurée ait peu ou pas de particules diffusantes, et même n'ait pas une fonction diffusante (significative). La première couche peut être une couche d'oxyde de préférence par voie sol-gel et/ou de nitrure d'un matériau qui est un métal et/ou du silicium et de préférence une couche de nitrure de silicium, de titane, ou d'oxyde de titane, de zirconium, de silicium, et leurs mélanges 40 ou encore d'oxyde transparent conducteur notamment à base de zinc. 3025943 - 8 - La première couche éventuellement partiellement structurée selon l'invention peut être sur une grande surface par exemple une surface supérieure ou égale à 0,005 m2 voire même supérieure ou égale à 0,5 m2 ou à 1 m2. La grille selon l'invention peut être sur une grande surface par exemple une surface supérieure ou égale à 0,02 m2 voire même supérieure ou 5 égale à 0,5 m2 ou à 1 m2. On peut rajouter une couche barrière à l'humidité sur le substrat choisi plastique. La couche barrière peut être à base de nitrure de silicium, d'oxycarbure de silicium, d'oxynitrure de silicium, d'oxycarbonitrure de silicium, ou de silice, alumine, d'oxyde de titane, d'oxyde d'étain, de nitrure d'aluminium, de nitrure de titane, par exemple d'épaisseur inférieure ou 10 égale à 10nm et de préférence supérieure ou égale à 3nm même à 5nm. Il peut s'agir d'une multicouche. Dans la présente invention, tous les indices de réfraction sont définis à 550nm. Concernant la grille métallique, les brins sont allongés - disjoints ou de préférence interconnectés (au moins dans la région émettrice de lumière) notamment en maille-. Les 15 pistes isolantes ont la même architecture. De manière préférée, la grille métallique est obtenue par dépôt autocatalytique et de préférence par argenture. Avantageusement, la grille métallique selon l'invention peut présenter une résistance carré inférieure ou égale à 100hm/carré, de préférence inférieure ou égale à SOhm/carré, et 20 même lOhm/carré. Le ou les matériaux de la grille métallique sont choisis dans le groupe formé par l'argent, le cuivre, le nickel, notamment matériau pur ou peut être un alliage à base de ces métaux. La grille est de préférence à base d'argent. La grille métallique peut être de préférence monocouche (argent) voire multicouche (de 25 préférence avec au moins 80% même 90% en argent). La grille métallique peut être multicouche, notamment multicouche argent, et comprendre (voire être constituée) -dans cet ordre-: une première couche métallique (directement sur le fond des cavités ou couche métallique la plus proche du fond des cavités), de préférence en un premier matériau 30 métallique, qui est de préférence à base d'argent voire constitué d'argent, formant moins de 15% et même 10% de l'épaisseur totale e2 de la grille et/ou d'au moins 3nm, 5nm voire d'au moins 1 Onm, et de préférence de moins de 100nm voire de 50nm, une deuxième couche métallique (sur la première couche, en s'éloignant du substrat), notamment avec une interface discernable avec la première couche, à base d'un 35 deuxième matériau métallique qui est de préférence choisi parmi l'argent, aluminium ou cuivre, formant au moins 70%, 80% et même 90% de l'épaisseur totale e2 de la grille deuxième couche qui est de préférence à base d'argent voire constitué d'argent notamment comme la première couche. On peut notamment former une première couche métallique à base d'argent selon une 40 première méthode de dépôt par exemple déposé par argenture de préférence d'épaisseur d'au 3025943 - 9 - moins 20nm et même d'au moins 30nm, ou par dépôt sous vide (pulvérisation) et une deuxième couche métallique à base d'argent d'épaisseur d'au moins 3nm voire 5nm, selon une deuxième méthode de dépôt de préférence qui est l'électrodéposition. L'avantage de l'électrodéposition est un taux d'utilisation d'argent plus grand que l'argenture et un procédé moins couteux de la pulvérisation.

5 La grille métallique peut être multicouche avec des couches en matériaux distincts, par exemple avec une dernière couche de protection contre la corrosion (eau et/ou air), par exemple métallique, en un matériau distinct de la couche métallique sous-jacente, notamment distinct de l'argent, d'épaisseur inférieure à 1 Onm mieux inférieure à 5nm ou même 3nm. Cette couche est utile en particulier pour une grille à base d'argent.

10 La grille métallique peut être en outre multicouche avec deux couches en matériaux distincts, être par exemple bicouche, et composée : d'une (seule) couche métallique en les matériaux précités, de préférence à base voire en argent, d'épaisseur d'au moins 100nm de préférence, par exemple déposé par argenture ou dépôt sous vide (pulvérisation), 15 et d'une surcouche de protection contre la corrosion (eau et/ou air), par exemple métallique, en un matériau distinct de la couche métallique, notamment distinct de l'argent, d'épaisseur inférieure à 1 Onm, mieux inférieure à 5nm ou même 3nm La grille métallique peut être une couche métallique comme l'argent et être revêtue d'une surcouche de protection, notamment temporaire, notamment polymérique.

20 La grille métallique peut être déposée de préférence directement sur la première couche choisie partiellement structurée voire sur une sous-couche diélectrique, notamment d'accroche (à fonction d'accroche pour faciliter le dépôt de matériau de grille). La sous-couche est directement sur les cavités (le fond et de préférence tout ou partie des flancs des cavités) de la couche partiellement structurée et de préférence est absente de la surface de la couche 25 partiellement structurée, couche d'accroche de préférence minérale, notamment d'oxyde(s), par exemple un oxyde transparent conducteur. La sous-couche diélectrique est d'épaisseur eA inférieure à 30nm même à 10nm. Cette couche d'accroche se dépose facilement par pulvérisation cathodique magnétron. On préfère par simplicité que la grille métallique soit directement en contact avec une 30 couche structurée (pas de couche entre la grille et le fond de cavités). On choisit A inférieure ou égale à 50pm pour limiter la visibilité à l'oeil nu des brins et e2 d'au moins 100nm pour atteindre l'objectif de Rcarré basse plus aisément. Les brins métalliques sont interconnectés dans la zone active de l'OLED ou connectés (seulement) via leurs extrémités à des contacts électriques.

35 La grille métallique peut être sous forme de brins linéaires parallèles entre eux et raccordés (entre eux) à des contacts électriques à leurs extrémités et/ou encore sous forme de motifs fermés ou mailles (brins interconnectés entre eux définissant des motifs fermés), par exemple géométriques (rectangle, carré, polygone, nid d'abeille...) et de forme irrégulière et/ou de taille irrégulière. La grille métallique peut avoir une zone à lignes (brins ou pistes en 40 bandes) et une zone à motifs fermés (brins ou pistes en maille). 3025943 - 10 - L'épaisseur e2 n'est pas forcément constante dans une cavité le long de la largeur d'un brin. De préférence elle est définie au centre de la surface du brin. La largeur A n'est pas forcément constante dans une cavité donnée. On peut définir B comme la distance maximale entre les brins notamment correspondant à une distance maximale entre deux points d'une 5 maille ou la distance moyenne entre deux brins disjoints voisins type sillons (droits ou non). A et B peuvent varier d'un brin à l'autre. La grille métallique pouvant être irrégulière, la dimension A est donc de préférence la dimension moyenne sur les brins tout comme e2 est une moyenne. L'épaisseur e2 (définie au centre de la surface du brin) peut être inférieure à 1500nm, mieux 10 à 1000nm, notamment dans une gamme allant de 100nm à 1000nm, ou inférieure à 800nm et en particulier dans une gamme allant de 200nm à 800nm, notamment de 100 à 500nm ou même 100 à 300nm si la couche structurée est sol-gel (surcouche seule structurée par exemple ou première couche partiellement structurée). La largeur A est de préférence inférieure à 30pm pour limiter encore la visibilité à l'oeil nu des 15 brins. A est de préférence dans une gamme allant de 1 à 20pm, encore plus préférentiellement de 1,5pm à 20pm ou même de 3pm à 15pm. B est d'au moins 50pm et même d'au moins 200pm et B est inférieur à 5000pm, mieux inférieur à 2000pm même à 1000pm. Une autre caractéristique de la grille métallique selon l'invention est un taux de couverture T qui est de préférence inférieur à 25% et encore mieux à 10%, et même à 6% ou à 2%. Et de 20 préférence la grille isolante présente un taux de couverture T' inférieur ou égal à T, inférieur à 25% ou inférieur à 10%, et même à 6%. En particulier on peut souhaiter un B entre 2000 et 5000pm lorsque e2 est entre 800 et 1500nm et A est compris entre 10 et 50pm. Cela correspond à un taux de couverture compris entre 0,4 et 6,0%.

25 En particulier, on peut souhaiter un B entre 200 et 1000pm lorsque e2 est inférieure à 500nm et A compris entre 3 et 20pm ou 3 à lOpm. Cela correspond à un taux de couverture compris entre 0,5 et 22`)/0 ou 0,5 à 11%. Pour une Rcarré donnée on privilégie une grande épaisseur e2 de grille métallique à une largeur A élevée de brins pour gagner en transparence.

30 En particulier, plusieurs modes de réalisation sont possibles concernant l'ancrage de la grille métallique dans les domaines non électroconducteurs. Dans un premier mode de réalisation, la première couche, de préférence électriquement isolante, et même de préférence un sol gel, est entièrement structurée en épaisseur avec des trous traversants de largeur Wc et de préférence la sous couche barrière éventuelle n'est pas structurée.

35 Dans un deuxième mode de réalisation, la première couche de préférence électriquement isolante, et même de préférence un sol gel, est partiellement structurée en épaisseur, électriquement isolante, en étant formée : - d'une région, dite région basse, sous la grille métallique, - d'une région structurée, région formant les domaines non électroconducteurs et avec des 40 cavités -donc trous borgnes- de largeur Wc, de préférence les zones latérales sont 3025943 contiguës à la première couche et sont de largeur L1, L1 étant supérieure à la hauteur e, des cavités et L12e, et même L11,4e,. Dans un troisième mode de réalisation, la surcouche (mono ou multicouche), en matériau électriquement isolant de préférence 5 minéral, discontinue définissant des trous traversants, surcouche faisant partie des domaines non électroconducteurs, la surface haute étant la surface de la surcouche, d'épaisseur ez d'au plus 500nm et même de 300nm ou d'au plus 100nm et de préférence d'au moins 20nm la première couche, électriquement isolante, de préférence minérale, qui est: 10 entièrement structurée (3) en épaisseur, avec des trous traversants de largeur Wc au niveau de l'interface entre la surcouche et la première couche -cavités accueillant au moins la partie inférieure (de la zone centrale) de la grille métallique, la partie supérieure de la zone centrale de la grille métallique s'étendant éventuellement dans les ouvertures traversantes de la surcouche voire au-delà de la surface haute)- 15 ou partiellement structurée en épaisseur étant formée - d'une région, dite région basse, sous la grille métallique, - d'une région structurée, sous la surcouche (et sur la région basse), région avec des cavités (donc ouvertures borgnes) de largeur Wc en regard des trous traversants, notamment cavités accueillant au moins la partie inférieure (de la 20 zone centrale) de la grille métallique, (la partie supérieure de la zone centrale de la grille métallique s'étendant éventuellement dans les ouvertures traversantes de la surcouche voire au-delà de la surface haute) Au niveau de l'interface entre la surcouche et la première couche (interface surcouche région structurée), les trous traversants étant de largeur VV1, les cavités étant de largeur Wc 25 avec de préférence \Na W1 même Wc>VV1 . Lorsque Wc>VV1 des zones de brins dites zones de bord sont contiguës aux zones latérales, sont plus périphériques que les zones latérales et sont dans les cavités sous la surcouche - affleurant ainsi la surface de la première couche (les zones latérales formant un décrochement des zones de bords de l'épaisseur ez).

30 Lorsque Wc>VV1 les zones latérales sont de largeur L1 définie comme la distance entre des points X" et Y', les zones de bords de largeur L2 définie comme la distance entre des points X' et Y, Y" est la projection orthogonale de Y dans le plan de la surface des zones latérales, L3 est la distance entre X" et Y", L3 étant supérieure à la hauteur totale ec-Fe', et L3<_2(e,-Fe',) et même L3<_1,4(e,-Fe',) où e, est la hauteur des cavités (prise au milieu) et e', est la hauteur des trous.

35 De préférence A est définie au niveau de la surface haute si \A/1>M et au niveau de la surface de la première couche si \N1\Nc. De préférence B est définie au niveau de la surface haute si \N1>\A/c et au niveau de la surface de la première couche si \N1\Nc Lorsque la première couche est partiellement structurée en épaisseur et les cavités, de hauteur e, de préférence supérieure à 200nm, sont de préférence délimitées par des flancs évasés, 40 les cavités s'élargissant en s'éloignant du substrat plastique. On peut définir une distance horizontale 3025943 - 12 - L supérieure à e, et avec 2e, L est entre des points X et Y telle que X étant le point le plus haut du flanc et Y étant le point à l'extrémité du fond de la cavité. Les trous de la surcouche, de hauteur e', peuvent être délimités par des flancs évasés, s'élargissant en s'éloignant du substrat plastique, avec une distance horizontale L' supérieure à e', et 5 avec 2e', Lorsque la première couche est une couche partiellement structurée en épaisseur dont la surface supérieure forme éventuellement la surface haute, plus les cavités sont profondes plus les zones latérales sont grandes. La surcouche est transparente avec une absorption la plus faible possible.

10 De préférence, la surcouche est minérale,notamment comprend une couche d'un oxyde métallique et/ou de silicium, un nitrure métallique et/ou de silicium, un oxynitrure métallique et/ou de silicium (SiON). Son épaisseur ez peut être inférieure à 200nm, à 150nm, à 100nm et même de 5 ou 20nm à 80nm. Elle peut être une monocouche ou une multicouche notamment d'oxydes métalliques ou d'oxydes métalliques et de nitrures métalliques (comme Si02/Si3N4).

15 La surcouche est par exemple une couche barrière (de protection) ou d'arrêt de gravure acide, par exemple de l'aqua regia qui est la solution usuelle de gravure de l'ITO servant pour le revêtement électroconducteur. De préférence la surcouche comprend au moins une couche d'un oxyde de Ti, Zr, Al et leurs mélanges, ou encore Sn, et éventuellement contenant du silicium. Ces oxydes peuvent être déposés par dépôt en phase vapeur, notamment pulvérisation 20 magnétron, ou encore par voie sol gel. De préférence la surcouche est d'indice de réfraction supérieur à 1,7. En cas de multicouche on définit un indice de réfraction moyen de préférence supérieur à 1,7. Dans le cas d'une multicouche, on préfère que toute couche d'indice de réfraction infériure à 1,7 soit d'épaisseur inférieure à 50nm La surcouche a des trous borgnes ou de préférence traversants.

25 Les trous peuvent être de hauteur e', supérieure à 20nm, et même d'au moins 50nm ou 100nm et de préférence inférieure 300nm et de largeur A', inférieure ou égale à 30pm. e', est pris au centre du trou. Les trous peuvent former des sillons (unidimensionnels), régulièrement espacés ou non notamment disjoints (au moins dans la zone émettrice de lumière) de toute forme par exemple droits 30 ou sinueux. Les trous peuvent former un maillage c'est-à-dire un réseau d'ouvertures interconnectés (bidimensionnel), périodique ou apériodique, de maille régulière ou irrégulière, de toute forme : géométrique notamment (carré, rectangle, nid d'abeille). La maille peut être définie par une largeur maximale entre deux points d'une maille.

35 Les cavités ou trous traversants de la première couche (formées en grille, définissant l'arrangement de la grille métallique), sont de préférence partiellement remplies par la grille métallique. Les cavités sont délimitées par un fond et des flancs le plus souvent formant une cuvette. Les cavités ou trous traversants de la première couche séparant les domaines non 40 électroconducteurs peuvent être de hauteur ec supérieure à 200nm, et même d'au moins 3025943 - 13 - 250nm ou 500nm et de préférence inférieure 1500nm ou 1200nm et de largeur A, inférieure ou égale à 30pm. e, est pris au centre de la cavité. A, est pris de préférence au fond de la cavité. Les cavités ou trous traversants de la première couche peuvent former des sillons (unidimensionnels), régulièrement espacés ou non notamment disjoints (au moins dans la zone 5 émettrice de lumière) de toute forme par exemple droits ou sinueux. Les cavités ou trous traversants de la première couche peuvent former un maillage c'est-à-dire un réseau d'ouvertures interconnectés (bidimensionnel), périodique ou apériodique, de maille régulière ou irrégulière, de toute forme : géométrique notamment (carré, rectangle, nid d'abeille). La maille peut être définie par une largeur maximale entre deux points d'une maille 10 De préférence e, est supérieure à 200nm, même supérieure à 250nm ou à 500nm. e, est de préférence submicronique. De préférence e', est supérieure à 100nm, même supérieure à 250nm et inférieure ou égal à 500nm. e', est de préférence submicronique Le support électroconducteur selon l'invention peut être utilisé pour un dispositif électroluminescent organique à émission par l'arrière (« bottom emission » en anglais) ou pour 15 un dispositif électroluminescent organique à émission par l'arrière et l'avant. Au sens de la présente invention lorsqu'il est précisé qu'un dépôt de couche ou de revêtement (comportant une ou plusieurs couches) est effectué directement sous ou directement sur un autre dépôt, c'est qu'il ne peut y avoir interposition d'aucune couche entre ces deux dépôts.

20 Le revêtement électroconducteur a une résistivité p5 inférieure à 200.cm, même à 100.cm ou à 10.cm et même à 10-10.cm et supérieure à la résistivité de la grille métallique, et est d'indice de réfraction n5 donné d'au moins 1,55 mieux 1,6 et encore mieux 1,7. On préfère ajuster la résistivité en fonction de la distance entre les brins. Elle est d'autant plus faible que B est grand.

25 Par exemple, pour B=1000pm, et e5 =100nm, on préfère une résistivité de moins de 0,1 0.cm. Pour B de 200um et e5 =100nm, on préfère une résistivité de moins de 10.cm. Le revêtement électroconducteur selon l'invention contribue à une meilleure répartition du courant. La surface du revêtement électroconducteur peut être destinée de préférence à être en 30 contact avec les couches organiques de l'OLED : notamment la couche d'injection de trous (« HIL » en anglais) ou la couche de transport de trous (« HTL » en anglais) ou faire partie de l'HIL ou de l'HTL ou jouer le rôle d'HTL ou HIL. La surface (externe) du revêtement électroconducteur peut en outre présenter des ondulations à très grande échelle, typiquement supérieur à 0,1mm. Par ailleurs, le substrat peut être 35 courbe. Le revêtement électroconducteur est de préférence monocouche plutôt que multicouche. La surface du revêtement peut reproduire la rugosité de surface de la grille, notamment obtenu par dépôt en phase vapeur. Le revêtement au-dessus de la zone centrale peut être sous-affleurant à la surface haute. 3025943 - 14 - Le revêtement peut présenter une couche d'adaptation du travail de sortie qui peut avoir par exemple un travail de sortie Ws à partir de 4,5eV et de préférence supérieur ou égal à 5eV. Le revêtement électroconducteur peut ainsi comprendre (ou de préférence est 5 constitué de) une couche minérale d'indice de réfraction na compris entre 1,7 et 2,3, de préférence qui est la dernière couche du revêtement (la plus éloignée du substrat) et même la seule, notamment d'adaptation du travail de sortie, de préférence d'épaisseur inférieure à 150nm, à base d'oxyde transparent électroconducteur, oxyde simple ou mixte : notamment à base de l'un au moins des oxydes métalliques suivants, éventuellement 10 dopé : oxyde d'étain, oxyde d'indium, oxyde de zinc, oxyde de molybdène Mo03, oxyde de de tungstène W03, oxyde de vanadium V205, d'ITO (de préférence), une couche (notamment amorphe), par exemple à base d'oxyde de zinc et d'étain SnZnO, ou à base d'oxyde d'indium et de zinc (dénommée IZO), ou à base d'oxyde d'indium, de zinc et d'étain (dénommée ITZO).

15 De préférence, une couche à base d'oxyde de zinc est dopée par aluminium et /ou gallium (AZO ou GZO). Une couche en un oxyde de ZnO est dopée de préférence Al (AZO) et/ou Ga (GZO) avec la somme des pourcentages en poids de Zn+Al ou Zn+Ga ou Zn+Ga+Al ou de Zn+autre dopant de préférence choisi parmi B, Sc, ou Sb ou encore parmi Y, F, V, Si, Ge, Ti, Zr, Hf et même par In qui 20 est d'au moins 90% en poids total de métal mieux d'au moins 95% et même d'au moins 97. On peut préférer pour une couche d'AZO selon l'invention que le pourcentage en poids d'aluminium sur la somme des pourcentages en poids d'aluminium et de zinc, autrement dit Al/(Al+Zn), soit inférieur à 10%, de préférence inférieur ou égal à 5%. Pour ce faire on peut utiliser de préférence une cible céramique d'oxyde d'aluminium et 25 d'oxyde de zinc telle que le pourcentage en poids d'oxyde d'aluminium sur la somme des pourcentages en poids d'oxyde de zinc et d'oxyde d'aluminium, typiquement A1203/(A1203+Zn0), soit inférieur à 14% de préférence inférieur ou égal à 7%. On peut préférer pour une couche de GZO selon l'invention que le pourcentage en poids de gallium sur la somme des pourcentages en poids de zinc et de gallium, autrement dit 30 Ga/(Ga+Zn) est inférieur à 10% et de préférence inférieur ou égal à 5%. Pour ce faire on peut utiliser de préférence une cible céramique d'oxyde de zinc et de gallium telle que le pourcentage en poids d'oxyde de gallium sur la somme des pourcentages en poids d'oxyde de zinc et d'oxyde de gallium, typiquement Ga203/(Ga203+Zn0), est inférieur à 11%, de préférence inférieur ou égal à 5%.

35 Dans une couche choisie à base d'oxyde d'étain et de zinc (SnZnO), le pourcentage en poids total de métal de Sn va de préférence de 20 à 90% (et de préférence de 80 à 10% pour Zn) et en particulier de 30 à 80% (et de préférence de 70 à 20 pour Zn), notamment le rapport en poids Sn/(Sn+Zn) va de préférence de 20 à 90% et en particulier de 30 à 80%. La couche minérale, de préférence ITO ou à base d'oxyde de zinc, présente de 40 préférence une épaisseur inférieure ou égale à 60nm, 50nm voire 40nm ou même 3Onm et 3025943 - 15 - même à 10nm et est de résistivité inférieure à 10-10.cm. De préférence on choisit une couche déposée par dépôt physique en phase vapeur en particulier par pulvérisation magnétron, choisi parmi ITO et ZnO (AZO, GZO, AGZO), voire Mo03, W03, V205. On entend de préférence par oxyde d'indium-étain (ou encore oxyde d'indium dopé à 5 l'étain ou ITO pour l'appellation anglaise : Indium tin oxide) un oxyde mixte ou un mélange obtenu à partir des oxydes d'indium (III) (In203) et d'étain (IV) (Sn02), de préférence dans les proportions massiques comprises entre 70 et 95% pour le premier oxyde et 5 à 20% pour le second oxyde. Une proportion massique typique est d'environ 90% massique d'In203 pour environ 10% massique de Sn02.

10 Le revêtement électroconducteur peut être constitué de la couche minérale d'indice de réfraction na compris entre 1,7 et 2,3, alors égal à n5. Le revêtement électroconducteur peut comprendre ou être constitué, au moins en dernière couche (du revêtement) la plus éloignée du substrat, d'une couche organique en polymère(s) (électro)conducteur(s), d'épaisseur e'S submicronique, d'indice de réfraction nb d'au moins 1,55, 15 mieux 1,6 cette couche polymérique pouvant jouer le rôle de couche de transport de trous dite HTL (Hole Transport Layer) ou d'injection de trou dite HIL (Hole Injection Layer) d'un système organique électroluminescent. Le revêtement électroconducteur peut être constitué de la couche organique d'indice de réfraction nb compris entre 1,7 et 2,3, alors égal à n5.

20 Par exemple, il s'agit d'une couche d'un ou des polymères (électro)conducteurs de la famille des polythiophènes, comme le PEDOT, c'est-à-dire le 3,4-polyéthylènedioxythiopène ou PEDOT :PSS, c'est-à-dire le 3,4-polyéthylènedioxythiopène mélangé avec polystyrènesulfonate. Comme PEDOT ou PEDOT:PSS commerciaux on peut citer de la société Heraeus : - le CleviosTM F ET de p de moins de 10-2 Ohm.cm, 25 - ou le CleviosTM HIL 1.1. de p de l'ordre de 10 Ohm.cm. Le revêtement électroconducteur peut être multicouche et comprend, (de préférence directement) sous la couche minérale précitée (notamment dernière couche), une première couche directement sur la grille métallique (grille monocouche ou multicouche), en oxyde transparent électroconducteur, d'épaisseur e'S inférieure à 200nm, d'indice n'S compris entre 1,7 et 2,3, l'écart 30 en valeur absolue n'S- n3 étant de préférence inférieur à 0,1 notamment choisie parmi : de préférence une couche à base d'oxyde de zinc dopé notamment aluminium et /ou gallium (AZO ou GZO), ou éventuellement ou ITZO et/ou une couche (notamment amorphe), par exemple à base d'oxyde de zinc et d'étain SnZnO de préférence d'épaisseur inférieure à 100nm, ou à base d'oxyde d'indium et de 35 zinc (dénommé IZO), ou à base d'oxyde d'indium, de zinc et d'étain (dénommé ITZO) . La couche d'AZO ou de GZO peut par exemple permettre de réduire l'épaisseur de la couche minérale notamment de la couche d'ITO à moins de 50 nm. En particulier on peut avoir la bicouche ITO/A(G)Z0 ou GZO ou encore la bicouche (A)GZO ou AZO/ITO. 3025943 - 16 - Le revêtement électroconducteur est de préférence une couche (de préférence monocouche) comme celles déjà évoquées ou encore est une couche composite comportant dans une matrice polymérique (faiblement) électroconductrice des nanofils métalliques, en particulier d'argent. Le support électroconducteur peut aussi comporter une couche de protection temporaire 5 (amovible) par exemple minérale, d'oxyde ou de nitrure par exemple, ou polymérique, ceci pour son transport dans le lieu de dépôt du revêtement électroconducteur, distinct du lieu de dépôt de la grille, Le substrat peut être plan ou courbe, et en outre rigide, flexible ou semi-flexible. Ses faces principales peuvent être rectangulaires, carrées ou même de toute autre 10 forme (ronde, ovale, polygonale...). Ce substrat peut être de grande taille par exemple de surface supérieure à 0,02m2 voire même 0,5m2 ou 1m2 et avec une électrode inférieure occupant sensiblement la surface (aux zones de structuration près). Le substrat en matière plastique peut être substantiellement transparent, du polycarbonate PC ou du polymétacrylate de méthyle PMMA ou encore le PET, du polyvinyle 15 butyral PVB, polyuréthane PU, le polytétrafluoréthylène PTFE etc ... Avantageusement, on choisit un polymère thermoplastique haut indice de réfraction comme le PEN. L'épaisseur du substrat peut être d'au moins 0,1mm, de préférence dans un domaine allant de 0,1 à 6mm, notamment de 0,3 à 3mm.

20 Le support tel que défini précédemment peut en outre comporter un système électroluminescent organique déposé (de préférence directement) sur le revêtement électroconducteur et la couche de passivation incluant éventuellement couche de transport de trous HTL ou d'injection de trou HIL. OLED-DISPOSITIF_GENERALITES 25 L'invention a trait également à un dispositif électroluminescent organique incorporant le support tel que défini précédemment, l'électrode avec la grille métallique formant l'électrode dite inférieure, la plus proche de la première surface, généralement l'anode, notamment couverte par une couche électroluminescente en matériau(x) électroluminescent(s) organique(s), couche électroluminescente couverte par l'électrode supérieure, généralement la cathode.

30 Pour l'électrode supérieure, on peut utiliser une couche métallique (réfléchissante, voire semi réfléchissante ..) par exemple en Ag, Al, Pd, Cu, Pd, Pt, In, Mo, Au. Le dispositif OLED peut produire de la lumière monochromatique, notamment bleu et/ou verte et/ou rouge, ou être adaptée pour produire une lumière blanche. Pour produire de la lumière blanche plusieurs méthodes sont possibles : mélange de 35 composés (émission rouge vert, bleu) dans une seule couche, empilement sur la face des électrodes de trois structures organiques (émission rouge vert, bleu) ou de deux structures organiques (jaune et bleu), série de trois structures organiques adjacentes organiques (émission rouge vert, bleu), sur la face des électrodes une structure organique dans une couleur et sur l'autre face des couches luminophores adaptés.

40 Le dispositif OLED peut comprendre une pluralité de systèmes électroluminescents 3025943 - 17 - organiques adjacents, chacun émetteur de lumière blanche ou, par série de trois, de lumière rouge, verte et bleu, les systèmes étant par exemple connectés en série. Chaque rangée peut par exemple émettre suivant une couleur donnée. Les OLED sont généralement dissociés en deux grandes familles suivant le matériau 5 organique utilisé.Si les couches électroluminescentes sont des petites molécules on parle de SM-OLED (« Small Mollecule Organic Light Emitting Diodes » en anglais). Le matériau électroluminescent organique de la couche mince est constitué à partir de molécules évaporées comme par exemple le complexe d'AIQ3 (tris(8-hydroxyquinoline) aluminium), le DPVBi (4,4'-(diphényl vinylène biphényl)), le DMQA (diméthyl quinacridone) ou le DCM (4- 10 (dicyanométhylène)-2-méthy1-6-(4-diméthylaminostyry1)-4H-pyran).La couche émissive peut être aussi par exemple par une couche de 4,4e,4"-tri(N-carbazoly1) triphenylamine (TCTA) dopé au fac tris(2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)3]. D'une manière générale la structure d'une SM-OLED consiste en un empilement de couche d'injection de trous ou « HIL » pour « Hole Injection Layer » en anglais, couche de 15 transport de trous ou « HTL " pour « Hole Transporting Layer » en anglais, couche émissive, couche de transport d'électron ou « ETL » pour « Electron Transporting Layer » en anglais. Des exemples d'empilements électroluminescents organiques sont par exemple décrits dans le document US 6 645 645. Si les couches électroluminescentes organiques sont des polymères on parle de PLED 20 (Polymer Light Emitting Diodes en anglais). De préférence le revêtement électroconducteur est résistant aux étapes de fabrication de l'OLED suivantes : tenue à 150°C pendant 1 h, tenue à un pH de 13 (solution de nettoyage), 25 tenue à un pH compris entre 1,5 et 2 (en particulier si dépôt pour le revêtement électroconducteur de polymère, avant dépôt du système OLED), résistance à l'arrachement (test au scotch). En particulier lorsque le plastique est haut indice, de plus de 1,65 et même d'au moins 1,7 il n'est pas nécessaire de rajouter une couche d'extraction de lumière entre la couche 30 barrière à l'humidité (ou que la barrière à l'humidité soit diffusante) et la première couche sous forme de couche diffusante ou encore de rendre diffusante la première face. Un moyen d'extraction de la lumière peut être situé sur la face extérieure du substrat, c'est-à-dire la face qui sera opposée à la première face principale porteuse de l'électrode en grille. Il peut s'agir d'un réseau de microlentilles ou de micropyramides notamment tel que 35 décrit dans l'article dans Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 46, n° 7A, pages 4125- 4137 (2007). L'invention concerne enfin un procédé de fabrication d'un support électroconducteur tel que défini précédemment qui comporte les étapes suivantes dans cet ordre: - la fourniture du substrat comportant : 40 - une éventuelle sous couche barrière à l'humidité sur la première surface 3025943 - 18 - - une couche continue dite haut indice, en la composition d'indice de réfraction n3 de la première couche, la formation de cavités ou des trous traversants dans la couche haut indice, formant ainsi une première couche structurée en épaisseur dont la surface est la surface haute, 5 formation comportant : la réalisation sur la couche haut indice d'une couche de masquage discontinue en matériau photosensible (négatif ou positif) avec un arrangement d'ouvertures traversantes donné, avec des flancs, notamment par : - dépôt en pleine couche du matériau photosensible 10 - exposition aux ultraviolets à l'aide d'une source d'ultraviolets côté première surface la gravure humide de la couche haut indice au travers des ouvertures traversantes de la couche de masquage, créant des zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des cavités ou des trous traversants et définissant ainsi des portions de 15 surfaces dites surfaces internes de la couche de masquage en regard des cavités ou des trous traversants, - la largeur des ouvertures WO étant inférieure à la largeur Wc des cavités ou des trous traversants au niveau de la surface haute -, la formation de la grille métallique comprenant un dépôt par voie liquide, de préférence autocatalytique, d'un premier matériau métallique de la grille dans les cavités ou les trous 20 traversants, le premier matériau se déposant sur les flancs (de la première couche délimitant) des cavités et entièrement sur les surfaces internes de la couche de masquage, formant ainsi les zones latérales de brin affleurant la surface haute et moins rugueuses que les zones centrales de brin le retrait de la couche de masquage notamment par voie liquide, 25 de préférence le dépôt du revêtement électroconducteur de préférence minéral, par exemple par dépôt physique en phase vapeur éventuellement la formation de la couche de passivation en grille isolante formée de pistes isolantes au-dessus des zones centrales des brins, couche de passivation de préférence sur le revêtement électroconducteur présent sur les zones centrales.

30 La gravure est réalisée par un procédé de gravure humide. La profondeur des cavités est réglée par la concentration de la solution, le type de solution, la durée de gravure, et/ou la température de la solution. La couche de masquage, (photo)sensible, est alors résistante à la solution de gravure. La gravure avec une solution humide est verticale et latérale au sens où la solution de 35 gravure attaque (creuse) dans toutes les directions. Le profil de gravure peut être en cuvette, de type semi sphérique. Les cavités sont à flancs évasés en direction opposée du substrat (s'élargissant en s'éloignant du substrat). La section peut être en cuvette, même (de type) semi sphérique. Le procédé de fabrication similaire mettant en jeu une surcouche structurée sur la première 40 couche, surcouche déjà décrite dont la surface formant la surface haute, est décrit ci-après. 3025943 - 19 - L'invention concerne donc aussi un procédé de fabrication d'un support électroconducteur tel que défini précédemment (avec une surcouche sur la première couche) qui comporte les étapes suivantes dans cet ordre: la fourniture du substrat comportant : 5 - une éventuelle sous couche barrière à l'humidité sur la première surface - une couche continue dite haut indice, en la composition d'indice de réfraction n3 de la première couche, (directement) sur la couche haut indice, une couche continue électriquement isolante dite couche supplémentaire, en matériau de la surcouche, 10 la formation des ouvertures borgnes ou traversantes dans la couche supplémentaire, formant ainsi la surcouche entièrement ou partiellement structurée en épaisseur, formation comportant : - la réalisation sur la couche supplémentaire d'une couche de masquage en matériau photosensible (négatif ou positif) discontinue avec un arrangement d'ouvertures 15 traversantes donné, et avec des flancs, notamment par - dépôt en pleine couche du matériau photosensible - exposition aux ultraviolets à l'aide d'une source d'ultraviolets du côté de la première surface, - la gravure humide de la couche supplémentaire, avec une première solution de 20 gravure, au travers des ouvertures traversantes de la couche de masquage, créant des zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des trous borgnes ou traversants et définissant ainsi des portions de surfaces dites surfaces internes de la couche de masquage en regard des trous borgnes ou traversants, la formation des cavités ou des trous traversants dans la couche haut indice, formant ainsi 25 la première couche partiellement structurée avec Wc>W1, formation comportant : la gravure humide de la couche haut indice, avec une deuxième solution de gravure, de préférence distincte de la première solution et de préférence ne gravant pas la surcouche, au travers des ouvertures traversantes de la couche de masquage, des trous traversants de la surcouche, créant des zones de la couche de masquage et de la 30 surcouche en suspension au-dessus des cavités ou des trous traversants de la première couche et définissant ainsi des portions de surfaces dites autres surfaces internes de la surcouche en regard des cavités ou des trous traversants de la première couche, la formation de la grille métallique comprenant un dépôt par voie liquide, de préférence 35 autocatalytique, d'un premier matériau métallique de la grille dans les cavités ou trous traversants de la première couche et dans les trous traversants de la surcouche, formant ainsi les zones latérales de brin affleurant la surface haute sous les surfaces internes en étant moins rugueuses que les zones centrales de brin, le premier matériau se déposant sur les flancs des trous traversants de la surcouche, entièrement sur les autres surfaces 3025943 -20- internes de la surcouche, sur les surfaces internes de la couche de masquage, formant ainsi les zones de bord et les zones latérales de brin le retrait de la couche de masquage (60) notamment par voie liquide. de préférence le dépôt du revêtement électroconducteur de préférence minéral, par 5 exemple par dépôt physique en phase vapeur de préférence la formation de la couche de passivation en grille isolante formée de pistes isolantes au-dessus des zones centrales des brins de préférence sur le revêtement électroconducteur présent sur les zones centrales. La profondeur des cavités (et/ou des trous de la surcouche) est réglée par la concentration de 10 la solution, le type de solution, la durée de gravure, et/ou la température de la solution. La couche de masquage, (photo)sensible, est résistante à la solution de gravure (aux première et deuxième solutions de gravure). Les cavités (et/ou les trous de la surcouche) sont évasées en direction opposée du substrat (s'élargissant en s'éloignant du substrat). La gravure avec une solution humide est verticale et latérale au sens où la solution de 15 gravure attaque (creuse) dans toutes les directions. Le profil de gravure peut être en cuvette, de type semi sphérique. Cette attaque dans toutes les directions est l'origine des zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des cavités ou des trous borgnes ou traversants. On préfère \A/c> \A/1 car il est plus facile ainsi de créer des zones latérales périphériques 20 affleurantes à la surface haute qui soient lisses. On préfère que le revêtement électroconducteur soit minéral car ce dernier résiste mieux aux solutions chimiques aqueuses utilisées lors des étapes de développement chimique de la couche en matériau photosensible et/ou d'élimination d'une partie de la couche en matériau photosensible. De manière avantageuse, le procédé comprend la formation de la couche de passivation en 25 grille isolante formée de pistes isolantes sur les zones centrales des brins et comporte : - le dépôt en pleine couche du matériau photosensible positif de la couche de passivation couvrant le revêtement électroconducteur - l'exposition aux ultraviolets à l'aide une source d'ultraviolets du côté de la deuxième face principale 30 - le développement en solution jusqu'à rendre discontinue la couche du matériau photosensible positif, le matériau photosensible positif restant localisé au-dessus de la grille métallique pour former la couche de passivation. Le procédé de passivation inclut une étape de photolithographie mais sans recours à un masque de photolithographie ni à une étape d'alignement ce qui engendrerait un surcout et de la 35 complexité. Lors de l'exposition UV du côté de la deuxième face, chaque brin métallique (opaque) forme un écran aux UV si bien que le matériau photosensible positif au-dessus du brin n'est pas exposé et est insoluble dans la solution de développement. La grille isolante est donc autoalignée sur la grille métallique. En fonction du développement les flancs seront plus ou moins obliques généralement tels que la largeur des brins isolants diminue avec l'épaisseur.

40 La largeur des pistes isolantes peut être contrôlée, via les conditions d'illumination UV et 3025943 - 2 1 - de développement de la couche du matériau photosensible positif, de façon à être plus grande que celle des zones centrales de brins, afin de rendre la suppression des courants de fuite plus efficace, en s'affranchissant des effets de bord. La hauteur des pistes isolantes peut être contrôlée via la concentration de la solution en 5 matériau photosensible de passivation, ainsi également que les conditions d'illumination UV et ou les conditions de développement (temps et concentration) La formation de la couche de passivation est particulièrement simple et rapide car il n'y a pas besoin d'étape de dépôt d'un autre matériau sacrifice' devant être éliminé par la suite entièrement.Notamment lorsque H est d'au plus 100nm, le retrait de la couche de masquage (avant 10 le dépôt du revêtement électroconducteur) crée des protubérances métalliques de hauteur d'au moins 10nm longeant les bords internes des zones latérales de la grille métallique, et le procédé comprend après le retrait de la couche de masquage et avant le dépôt du revêtement électroconducteur une étape de gravure humide pour supprimer les protubérances. Le dépôt par voie liquide du premier matériau métallique est de préférence une argenture et 15 de préférence la grille est une monocouche. De manière avantageuse, le dépôt par voie liquide (de préférence l'unique dépôt pour la grille métallique) peut être une argenture et de préférence la grille est une monocouche et même le premier matériau (qui est à base d'argent) est déposé directement dans le fond des cavités ou des trous borgnes.

20 La solution pour l'étape d'argenture peut contenir un sel d'argent, un réducteur des ions d'argent et même un agent chélatant. L'étape d'argenture peut être mise en oeuvre selon des modes opératoires classiques utilisés couramment dans le domaine de la fabrication des miroirs et décrits par exemple au chapitre 17 de l'ouvrage « Electroless Plating - Fundamentals and Applications », édité par Mallory, Glenn O.; Hajdu, Juan B. (1990) William Andrew 25 Publishing/Noyes. Dans un mode de réalisation préféré, l'étape d'argenture comprend (par plongeon dans un bain ou par pulvérisation d'une solution) la mise en contact du substrat ayant la sous couche évenutelle, la première couche, la surcouche éventuelle et la couche de masquage à ouvertures traversantes avec un mélange de deux solutions aqueuses, l'une contenant le sel 30 métallique, par exemple du nitrate d'argent, et l'autre contenant l'agent réducteur des ions métalliques (ions Ag+), par exemple du sodium, du potassium, des aldéhydes, des alcools, des sucres. Les réducteurs les plus communément utilisés sont le sel de Rochelle (tartrate double de sodium et de potassium KNaC4H4O6, 4H20), le glucose, le gluconate de sodium et le 35 formaldéhyde. De préférence avant cette mise en contact, l'étape d'argenture comprend une étape de sensibilisation (de la surface des cavités et/ou des trous de la surcouche) comprenant de préférence un traitement par du sel d'étain et/ou une étape d'activation (de la surface des cavités et/ou des trous de la surcouche) comprenant de préférence un traitement par un sel de 40 palladium. Ces traitements ont essentiellement pour fonction de favoriser la métallisation (par 3025943 -22- l'argent) ultérieure et d'augmenter l'adhérence de la couche métallique d'argent formée (dans les cavités et/ou les trous de la surcouche). Pour une description détaillée de ces étapes de sensibilisation et d'activation, on pourra se référer par exemple à la demande US 2001/033935. Plus précisément, on peut procéder à l'argenture en plongeant le substrat ayant la sous- 5 couche éventuelle, la première couche, la surcouche éventuelle et la couche de masquage à ouvertures traversantes, en (photo)résine, dans des bacs, chacun avec une des trois solutions suivantes dans cet ordre: une première solution aqueuse de SnCl2 (sensibilisation), de préférence avec agitation (pendant de préférence moins de 5minutes, par exemple 0,5 à 3min), puis 10 rinçage à l'eau (distillée), une deuxième solution aqueuse de PdC12 (activation), de préférence avec agitation (pendant de préférence moins de 5min, par exemple 0,5 à 3min), puis rinçage à l'eau (distillée), une troisième qui est un mélange de la solution de sel d'argent de préférence de 15 nitrate d'argent et de la solution du réducteur de l'argent, de préférence de gluconate de sodium, de préférence avec agitation (pendant de préférence moins de 15min et même de 5min, par exemple 0,5 à 3min), puis rinçage à l'eau (distillée). Le substrat revêtu et ainsi argenté est ensuite retiré du dernier bain et rincé à l'eau (distillée).

20 Un autre mode de réalisation consiste à pulvériser les trois solutions précédentes dans le même ordre que précédemment plutôt qu'à plonger le substrat ayant la sous-couche éventuelle, la première couche, la surcouche éventuelle et la couche de masquage à ouvertures traversantes en (photo)résine. Le retrait de la couche de masquage (avant le dépôt du revêtement électroconducteur), est 25 de préférence effectué par voie liquide, en particulier par ultrasons dans un solvant (acétone etc). La couche haut indice peut être polymérique. Le dépôt du revêtement électroconducteur, directement sur la grille et (directement) sur la première couche ou la surcouche éventuelle, revêtement monocouche ou multicouche et/ou mono ou multimatériaux, peut être par dépôt physique en phase vapeur, notamment par 30 pulvérisation cathodique, avec un éventuel premier dépôt de SnZnO ou AZO et un deuxième ou dernier ou de préférence unique dépôt d'ITO ou à base de ZnO (dopé), voire de Mo03, W03, ou V205. Le procédé peut comprendre avant le dépôt du revêtement électroconducteur une étape de chauffage, à une température inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 150°C et 180°C, 35 pendant une durée comprise de préférence entre 5 minutes et 120 minutes, en particulier entre 15 et 90 minutes et/ou une étape de chauffage après le dépôt du revêtement électroconducteur de préférence minéral, avant ou après le dépôt de la couche de passivation, à une température inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 150°C et 180°C, pendant une durée comprise de préférence entre 5 minutes et 120 minutes, en particulier entre 15 et 90 minutes. 3025943 - 23 Ce recuit peut servir pour améliorer la qualité de l'argent, d'abaisser l'absorption du revêtement électroconducteur comme l'ITO (s'il s'agit du premier recuit) et la durabilité de la couche de passivation. L'invention sera maintenant décrite plus en détails à l'aide d'exemples non limitatifs et de 5 figures. - la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un premier mode de réalisation de l'invention dans lequel la zone centrale de brin sous affleure la surface haute, - la figure la illustre une vue de détail de la figure 1 sans la couche de passivation, 10 - la figure 1 b est une vue schématique de dessus d'une grille métallique utilisable dans le support de la figure 1 et la figure 1c illustre une vue schématique de dessus d'une grille métallique utilisable dans le support de la figure 1, - la figure 1d illustre une vue schématique de détail d'une section d'une cavité de la première couche partiellement structurée avec le brin d'une grille déposée par PVD 15 dans un exemple comparatif réalisé par la Demanderesse, - la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un deuxième mode de réalisation de l'invention dans lequel la première couche est entièrement structurée, - la figure 3 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour 20 OLED suivant un troisième mode de réalisation de l'invention dans lequel la passivation est entre la zone centrale et le revêtement électroconducteur - la figure 4 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un quatrième mode de réalisation de l'invention dans lequel la grille sur affleure la surface haute 25 - la figure 5 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un cinquième mode de réalisation de l'invention dans lequel la grille affleure la surface du revêtement électroconducteur absent de la zone centrale - la figure 6 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un sixième mode de réalisation dans lequel la grille est ancrée dans une 30 première couche et une surcouche structurées, - la figure 6 est une vue de détail de la figure 6', - les figures 7a à 7i sont des vues schématiques des étapes du procédé de fabrication du support électroconducteur en relation avec le premier mode de réalisation . On précise que par souci de clarté les différents éléments des objets représentés ne 35 sont pas reproduits à l'échelle. La figure 1, schématique, représente en coupe latérale un support électroconducteur 100 pour dispositif électroluminescent organique OLED à émission à travers le substrat (ou « bottom emission » en anglais). Ce support 100 comporte un substrat plastique d'indice de réfraction ris de 1,45 à 1,8 - 40 lisse avec une première face principale 11, dite première surface, portant dans cet ordre en 3025943 -24- s'éloignant du substrat: une couche barrière à l'humidité 4 comme du nitrure de silicium 41 ou un empilement de couches minces une première couche partiellement structurée en épaisseur 3, polymérique ou de 5 préférence minérale, haut indice, d'indice de réfraction n3 de 1,7 à 2,3 de préférence de 1,80 à 2,10 et en particulier de 1,85 à 2,00, de préférence un matériau électriquement isolant, d'épaisseur e3 de préférence micronique ou submicronique, comportant : une région (continue) dite région basse 30, qui est ici directement sur la sous 10 couche, d'épaisseur e'3 donnée (de préférence micronique), couvrant la surface de la sous couche, une région structurée 31, en relief et en creux, les reliefs définissant une surface haute 34 plane, les cavités ou creux étant délimitées par un fond 33 (définissant une surface basse) et des flancs 32, cavité de largeur Wc au niveau de la surface 15 haute 34 et de hauteur ec prise au milieu, de préférence d'au plus 1500nm et de préférence supérieure à 100nm les cavités s'étendant selon un arrangement donné (des bandes disjointes, un maillage etc) régulier ou irrégulier, la surface haute étant localement plane, une électrode 2, comportant une couche arrangée en grille 2, dite grille métallique, en 20 matériau(x) métallique(s) obtenue par dépôt autocatalytique, de préférence monocouche d'argent (obtenue par argenture), la grille étant ici une monocouche formée de brins autrement dit pistes - 20 ancrés dans les cavités, les brins ayant une largeur A inférieure à 50pm au niveau de la surface haute 34, mieux inférieure ou égale à 30pm (et d'au moins 1pm) et étant espacés au niveau de la surface haute 34 d'une distance B inférieure ou 25 égale 5000pm et d'au moins 50pm, grille d'épaisseur e2 définie au milieu du brin d'au moins 100nm et de préférence inférieure à 1500nm, la grille métallique présentant une résistance par carré inférieure à 204/^, et même inférieure à 10 4/^, ou à 54/^, un revêtement électroconducteur 5, de préférence monocouche et même minéral, d'épaisseur e5 inférieure ou égale à 500nm ou à 100nm et mieux inférieure ou égale à 30 60nm, de résistivité p5 inférieure à 200.cm et supérieure à la résistivité de la grille métallique, et est d'indice de réfraction n5 donné d'au moins 1,5 et mieux 1, 7, ici constitué d'une couche minérale qui est de préférence en ITO (ou en AZO ou GZO, AGZO) sur la grille 2 et la surface haute 34 ou en variante qui est une couche polymérique conductrice haut indice comme le PEDOT :PSS déposé par voie liquide, de 35 résistivité pl par exemple de l'ordre de 10-1 Ohm.cm, d'épaisseur de l'ordre de 100nm ou plus, une couche de passivation 6 directement sur le revêtement électroconducteur 5, discontinue en photorésine, d'épaisseur e6 (prise au milieu de la cavité) inférieure à 1000nm.

40 Les cavités ont des flancs évasés du fait du procédé de gravure humide d'une couche 3025943 -25- continue lors de la formation de la première couche partiellement structurée détaillé plus tard. Les brins 20 présentent suivant leur longueur une zone centrale 21 entre des zones latérales 22, 22' qui affleurent la surface haute 34 et la rugosité de surface de la zone centrale 21 est supérieure à la rugosité de surface des zones latérales 22, 22'.

5 Pour caractériser la grille métallique 2, comme montré en figure 1 a (vue de détail de la figure 1 sans la couche de passivation), on représente A, B, e2, ainsi que la largeur de la zone centrale A, et pour les cavités la largeur A, au fond de la cavité et e, est la hauteur partant du centre du fond de la cavité. Les flancs sont évasés (s'élargissant en s'éloignant du substrat 1), on définit une 10 distance horizontale L entre X et Y telle que X étant le point le plus haut du flanc et Y étant le point à l'extrémité du fond de la cavité. L est supérieure à ec, 2e, et même 1,4e,. Dans la zone centrale 21, le milieu de la surface de brin et la surface haute sont distants d'une distance verticale H prise à la normale à la première surface et qui est inférieure ou égale à 500nm. Ici la zone centrale 21 sous affleure la surface haute 34.

15 Les brins présentent une zone centrale 21 plus rugueuse que les zones latérales du fait du dépôt autocatalytique comme l'argenture et des zones latérales lisses 22, 22' de largeur L1. La largeur de la zone centrale A, n'est pas nécessairement supérieure à L1 cela dépend des valeurs de A, H et de e,. Des exemples de paramètres de rugosité des zones centrales et des zones latérales planes 20 sont consignés dans le tableau suivant en fonction de l'épaisseur e2. Surface du brin e2 (nm) Rq (nm) Rmax (nm) Zones latérales 300 2 10 Zone centrale 300 30 300 Zones latérales 200 1,5 8 Zone centrale 200 20 200 Zone latérales 450 2 10 Zone centrale 450 35 450 Le revêtement 5 d'ITO est déposé de préférence par pulvérisation cathodique magnétron, sa surface est alors conforme à la surface sous-jacente : surface de la première 25 couche partiellement structurée 3, des zones latérales planes et lisses 22, 22', des zones centrales 21 plus rugueuses que les zones latérales. La couche de passivation 6 forme une grille de pistes isolantes localisées au-dessus des zones centrales 21 et au-dessus des zones latérales 22, 22' des brins, couvrant les zones centrales et couvrant partiellement ou entièrement les zones latérales et ne dépassant pas 30 latéralement des bords extérieurs des brins ou dépassant latéralement des bords extérieurs des brins d'au plus lpm. Ici les flancs 6f de chaque piste isolante sont obliques avec un angle OC avec la surface haute 34 de l'ordre de 45°. La section de chaque piste isolante est en forme de dôme, sans angle vif. La surface supérieure 6s de chaque piste isolante et les flancs 6f de 3025943 -26- chaque piste isolante étant lisses la couche de passivation 6 planarise la zone centrale 21 et conserve le caractère lisse des zones latérales 22, 22'. Pour fabriquer ensuite un dispositif OLED on rajoute un système électroluminescent organique, simple ou multiple jonction (tandem etc), une électrode supérieure réfléchissante 5 (ou semi réfléchissante), notamment métallique par exemple à base d'argent ou d'aluminium. La figure 1 b illustre une vue schématique de dessus de la grille métallique par exemple utilisée dans le support 100 de la figure 1. C'est une grille métallique avec des brins 20 linéaires, disjoints (donc dans des cavités formant des sillons linéaires, disjoints) de largeur A au niveau de la surface haute et de distance B au niveau de la surface haute par exemple 10 utilisée dans le support 100 de la figure 1. La distance entre motifs B correspond à la distance moyenne entre des brins voisins. La figure lc illustre une vue schématique de dessus de la grille métallique par exemple utilisée dans le support 100 de la figure 1. La grille métallique 2 est formée de brins 20 interconnectés formant des mailles ou motifs fermés par exemple en nid d'abeille ou de toute 15 autre forme géométrique (carré etc) ou non. La distance entre motifs B correspond à la distance maximale entre deux points d'une maille. Dans un exemple n°1 en relation avec le premier mode de réalisation (de la figure 1) on choisit les caractéristiques ci-après.

20 Le plastique 1 est plan, lisse, en PEN, d'indice 1,75 environ, par exemple de 150pm d'épaisseur et de TL d'au moins 90%. La couche barrière est un empilement de couches minces d'oxydes ou de nitrures métalliues ou de silicium. La première couche est une couche de solgel TiOX d'épaisseur 400nm. Cette couche 25 peut être alternativement déposée par pulvérisation cathodique. L'épaisseur ec est de 350nm. Les cavités de la première couche 3 sont obtenues par gravure comme détaillé ultérieurement. La première couche partiellement structurée 3 est localement plane. La rugosité de la surface haute 34 est définie par un Rq inférieur à 4nm.

30 La grille 2 est une monocouche d'argent déposée directement dans les cavités par argenture comme détaillé ultérieurement. L'argent remplit ici partiellement les cavités, avec e2 égale à 300nm environ. H est donc égal à 50nm. Le motif de la grille, qui est un maillage, est hexagonal. La largeur A égale à 12pm et la distance maximale B de 560pm. Le taux de couverture T est de 4,5%. Le revêtement électroconducteur 5 est constitué d'une couche d'oxyde d'indium et 35 d'étain ITO de 50nm d'indice de réfraction de 2 environ, de résistivité ps inférieure à 10-10.cm. La Rcarré de l'ensemble (après recuit à 150°C pendant 30min), mesurée par la méthode classique des 4 pointes est de 3,0ohm/carré environ. La couche de passivation formant la grille isolante localisée quant à elle est une couche de polyimide photosensible positive avec e6 de l'ordre de l'ordre de 300nm.

40 Ensuite, on rajoute un système électroluminescent qui peut comporter : 3025943 -27- - une couche HTL d'épaisseur variable (entre 200 et 600 nm environ) - une couche EBL (electron blocking layer) de 10 nm - une couche émettant dans l'orange de 10 nm - une couche émettant dans le bleu de 25 nm 5 - une couche HBL (hole blocking layer) de10 nm - une couche ETL (electron transport layer) de 40 nm. La cathode est une couche d'aluminium de 100 nm. Les figures 7a à 7i sont des vues schématiques (non à l'échelle) de la fabrication du 10 support électroconducteur selon le premier mode de réalisation en particulier en relation avec l'exemple n°1, avec fabrication de la première couche partiellement structurée par gravure chimique, et de fabrication de la grille en argent par argenture. La première étape illustrée en figure 7a consiste, à partir du substratede PEN 1 revêtu de la souscouche: 15 à former sur la sous couche, une couche 3a haut indice, qui comporte le matériau de la première couche avec ledit indice de réfraction n3, à appliquer par spincoating une couche 60 d'un matériau de masquage à l'état liquide, un matériau photosensible positif, résine AZ01505, sur la couche 3a. Le matériau photosensible déposé est ensuite cuit à 100°C pendant 20min dans un four 20 convectif. L'épaisseur du matériau photosensible est de 800nm. La deuxième étape illustrée en figure 7b consiste en la génération du motif de photorésine. On applique pour ce faire sur la résine 60 un masque de photolithographie 70 avec des discontinuités 71 et on irradie la résine 60 aux UV du côté de la première face 25 principale 11 avec une lampe Hg, à 20m\N/cm2 (à 365nm), pendant lOsecondes au travers des discontinuités 71, selon un arrangement irrégulier ou régulier, en bandes disjointes (parallèles) ou interconnectées pour un maillage. La troisième étape illustrée en figure 7c consiste en la création des ouvertures traversantes 30 dans le matériau photosensible 60. Les zones irradiées sont supprimées par dissolution dans une solution spécifique de développement à base d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH en anglais) et rincées à l'eau déionisée, formant ainsi des ouvertures traversantes à travers la photorésine. Les flancs 61 du matériau photosensible délimitant les ouvertures traversantes sont évasés en s'éloignant du substrate de PEN. Ainsi, au niveau de la surface externe ou supérieure 63 35 du matériau photosensible 60, la largeur de chaque ouverture traversante est supérieure à la largeur WO au niveau de la surface haute 34. Alternativement, on peut utiliser un matériau photosensible négatif et un masque de photogravure inverse (retrait des zones non irradiées pour former les ouvertures). 3025943 -28- La quatrième étape illustrée en figure 7d consiste en la création des cavités dans la couche continue diélectrique et haut indice 3a telle que la couche de TiOx. On préfère former la première couche partiellement structurée par une gravure humide plutôt que sèche,à température ambiante. La résine 60 choisie est donc résistante à la solution de gravure qui est ici une solution à base de 5 NH3 et H202. La gravure forme des cavités de profondeur ec, des flancs 32, et les cavités sont évasées en s'éloignant du plastique 1. Pour l'exemple n°1, e, est égal à 350nm, La solution de gravure attaque (creuse) dans toutes les directions : verticalement et latéralement. Le profil de gravure est en cuvette. La gravure humide de la couche haut indice 3a crée des 10 zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des cavités et définissant ainsi des portions de surfaces dites surfaces internes 62, 62' de la couche de masquage 60 en regard des cavités 32. Chaque cavité est de largeur Wc (au niveau de la surface haute) plus grande que la largeur WO. Les surfaces internes 62,62' sont de largeur LO sensiblement égale à L. Le fond 33 des cavités est plat.

15 La cinquième étape illustrée en figure 7e consiste en le dépôt du matériau de grille 2, par voie liquide et plus précisément autocatalytique, ainsi de préférence par argenture. Le dépôt est réalisé au travers des ouvertures du matériau photosensible 60 (résistant à la gravure), dans les cavités pour les remplir de préférence partiellement comme illustré ici.

20 L'argent se dépose, dans le fond des cavités, sur les flancs des cavités, sur les surfaces internes 62, 62' du matériau photosensible, sur les flancs du matériau photosensible (et est absent de la surface haute de la couche 3) et sur la surface supérieure discontinue 63. Plus précisément, l'argenture remplit partiellement chaque cavité et se dépose dans le fond, sur les flancs et entièrement sur les surfaces internes 62,62' de la couche de masquage, formant 25 ainsi les zones latérales de brin 22, 22' affleurant la surface haute et moins rugueuses que la zone centrale de brin 21 en regard de l'ouverture traversante. La largeur L1 de chaque zone latérale 22,22' est à peu près égale à L0+e2. Pour l'exemple n°1, la couche d'argent est déposée dans la première couche partiellement structurée 3 selon le mode opératoire suivant pour une épaisseur e2 d'environ 30 300nm (avec H égal à 50nm et la zone centrale sous affleurante): dilution des solutions d'argenture (solutions à diluer fournie par la société DR.-ING. SCHMITT, GMBH Dieselstr. 16, 64807 Dieburg / GERMANY) selon : o 100p1 de Mirafiex®1200 (solution de SnCl2) dans une fiole de 250cm3 (sol n°1) o 200p1 de Miraflex® PD (solution de PdC12) dans une fiole de 250cm3 (sol n°2) 35 o 15 ml de Miraflex®RV (solution de réducteur, gluconate de sodium) dans une fiole de 250cm3 (sol n°3) o 15 ml de MiraflexeS (solution de nitrate d'argent) dans une fiole de 250cm3 (sol n°4) les solutions précitées sont utilisées à température ambiante ; 3025943 -29- placement du substrat (avec couches 4, 3) dans un bac dans lequel on verse le contenu de la solution n°1, agitation pendant lmin puis rinçage à l'eau distillée ; placement du substrat (avec couches 4,3) dans un deuxième bac dans lequel on verse le contenu de la solution n°2, agitation pendant 1min puis rinçage à l'eau 5 distillée ; placement du substrat (avec couches 4,3) dans un dernier bac dans lequel on verse le contenu des solutions n°3 et 4, agitation pendant 2 minutes puis rinçage à l'eau distillée.

10 La sixième étape illustrée en figure 7f consiste en le retrait du matériau photosensible par voie liquide avec un solvant acétone et utilisation d'ultrasons. Le support électroconducteur est ensuite de préférence immergé dans une solution de H20:H202: NH3 (500:20:1) pendant 3 à 5min à température ambiante afin de supprimer des 15 protubérances d'argent. Ce traitement chimique est particulièrement préconisé dans le cas d'une grille sous affleurante avec H inférieur à 100nm, ou lorsque la grille est suraffleurante. La septième étape illustrée en figure 7g consiste en le dépôt par pulvérisation cathodique du revêtement électroconducteur 5. Pour l'exemple n°1 il s'agit d'une couche d'oxyde d'indium et 20 d'étain ITO. L'ITO est déposé par pulvérisation cathodique magnétron sous mélange d'argon et d'oxygène 02 /(Ar + 02) à 1% à une pression de 2 10-3 mbar avec une cible céramique en en oxyde d'indium (90% en poids) et d'oxyde d'étain (10% en poids). En variante on choisit AZO, GZO ou AGZO. Alternativement il s'agit d'un dépôt par voie liquide de ces matériaux ou même d'un polymère conducteur avec ou sans nanofils métalliques.

25 On procède ensuite à un premier recuit à 150°C pendant 30min. La huitième étape consiste en : le dépôt d'une couche 6a en matériau photosensible positif qui est pour l'exemple n°1 un polyimide photosensible (Toray, polyimide série-DL 1600), par spincoating, couvrant le 30 revêtement électroconducteur 5, suivi d'une étape de recuit dans un four convectif (100°C, 20min) l'exposition aux ultraviolets illustrée en figure 7h à l'aide une source d'ultraviolets qui est pour l'exemple n°1 une lampe Hg, à 20m\A//cm2 (à 365nm) du côté de la deuxième face principale 12.

35 La neuvième étape illustrée en figure 7i consiste en le résultat du développement du matériau photosensible positif dans une solution à base d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH en anglais) et une étape de rincage à l'eau déionisée jusqu'à rendre discontinue la couche de polyimide 6, laissant le polyimide non exposé (du fait de l'écrantage par le brin 40 d'argent) dans les zones du revêtement électroconducteur 5 localisées au-dessus des brins 3025943 -30- d'argent 20. La couche de passivation en polyimide formant la grille isolante 6 localisée a une épaisseur de l'ordre de 300nm. On réalise ensuite un deuxième recuit à 170°C pendant 60min, en supprimant ou non le 5 premier recuit. Après ce deuxième recuit, l'épaisseur de la couche de passivation en polyimide décroit de 380 à 300nm. Le support électroconducteur selon l'invention permet ainsi la fabrication d'OLEDs de grande taille (via l'obtention d'une faible résistance carré) avec une meilleure efficacité 10 lumineuse (via la présence de la couche d'extraction et d'une diminution de la perte ohmique induite par la faible résistance carré), et ceci sans dégradation des courants de fuite (et donc de la durée de vie de l'OLED), en raison de la passivation de la grille métallique. La figure 1d illustre une vue schématique de détail d'une section d'une cavité de la 15 première couche partiellement structurée avec le brin d'une grille déposée par PVD dans un exemple comparatif réalisé par la Demanderesse, montrant la surface haute 34 et le brin ancré dans une première couche haut indice structurée (comme dans l'exemple 1) L'argent est déposé par pulvérisation cathodique magnétron sous argon à une pression de 8 10-3 mbar avec une cible en argent.

20 Par effet d'ombrage due à la couche de masquage, les zones latérales 22"a et 22"b du brin sont en cuvette. Ces cuvettes génèrent des courants de fuite. Les zones latérales 22"a et 22"b créent des ruptures de morphologie génèrant des courants de fuite.

25 La figure 2 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un deuxième mode de réalisation de l'invention dans lequel la première couche 3 est entièrement structurée et la sous couche supprimée. On modifie les conditions de fabrication de l'exemple 1 par la durée de gravure de la première couche haut indice pour que ec diminue de 350nm à 400nm.

30 La figure 3 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un troisième mode de réalisation de l'invention dans lequel la passivation 6 est entre la zone centrale 21 et le revêtement électroconducteur 5.

35 La figure 4 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un quatrième mode de réalisation de l'invention qui diffère du premier mode en ce que la zone centrale de brin suraffleure la surface haute 34. On modifie les conditions de fabrication de l'exemple 1 par la durée de gravure de la première couche haut indice pour que ec diminue de 350nm à 250nm. 40 3025943 - 3 1 - La figure 5 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un cinquième mode de réalisation de l'invention dans lequel la grille affleure la surface du revêtement électroconducteur discontinu en étant absent de la zone centrale 21. Le revêtement a été déposé avant la formation de la grille métallique et de la couche de 5 passivation, la discontinuité pouvant être réalisée par gravure humide. La figure 6 est une vue schématique en coupe d'un support électroconducteur pour OLED suivant un sixième mode de réalisation de l'invention qui diffère du premier mode de réalisation en ce que la grille 2, toujours déposée par dépôt autocatalytique tel que l'argenture, 10 est ancrée dans la première couche partiellement structurée et aussi dans une surcouche structurée 3' sur la première couche 3. La surface haute des domaines non électroconducteurs entre les brins d'argent étant la surface de la surcouche 34', H est alors défini entre la surface de la zone centrale du brin 21 et la surface de la surcouche 34'.

15 La surcouche 3', en matériau électriquement isolant de préférence minéral, est discontinue structurée définissant des trous traversants. d'épaisseur ez de 20 à 100nm. Au niveau de l'interface 34 (interface entre la surcouche 3' et la première couche 3), les trous traversants sont de largeur \N1 avec Wc>W1. Des zones de brins dites zones de bord 22a, 22'a, sont contiguës aux zones latérales 22,22' 20 sont plus périphériques que les zones latérales et sont dans les cavités sous la surcouche affleurant ainsi la surface 34 de la première couche 3. Comme montré sur la vue de détail en figure 6': - les zones latérales 22, 22' sont de largeur L1 définie comme la distance entre des points X" et Y', 25 - les zones de bords 22a, 22'a sont de largeur L2 définie comme la distance entre des points X' et Y, L3 est la distance entre X" et Y", Y" étant la projection orthogonale de Y dans le plan de la surface des zones latérales 22, 22' L3 est supérieure à la hauteur totale ec-Fe', et L3<_2(e,-Fe',) où e, est la hauteur des cavités et 30 est la hauteur des trous de la surcouche 3. Dans un exemple, la première couche est une couche d'oxyde de titane de 400nm et la surcouche est une couche d'oxyde de silice d'épaisseur ez égale à 30nm par exemple déposée par PVD ou sol gel ou alternativement une couche de silice la plus fine possible. Cela peut être une multicouche . Généralement e, est supérieure à (ex).

35 La surcouche de préférence résiste à la solution de gravure du revêtement électronducteur tel que l'ITO (lors du « patterning ») comme par exemple l'aqua regina. Elle forme une couche de protection de la première couche,.

Claims (7)

1. REVENDICATIONS1. Support électroconducteur (100) pour OLED comportant: - un substrat plastique, (1) d'indice de réfraction n1 de 1,45 à 1,8, avec une première face principale (11), dite première surface, - une électrode, portée par le substrat plastique et du côté de la première surface (11), électrode qui comporte un couche arrangée en grille (2), dite grille métallique, en matériau(x) métallique(s) présentant une résistance par carré inférieure à 2001o, d'épaisseur e2 d'au moins 100nm, la grille étant formée de brins (20), les brins ayant une largeur A inférieure ou égale à 50pm et étant séparés par une distance entre brins B inférieure ou égale 5000pm et d'au moins 50pm, ces brins étant séparés par une pluralité de domaines non électroconducteurs (31, 3') électriquement isolant ayant une surface dite haute (34,34') la plus éloignée du substrat, caractérisé en ce que du côté de la première surface (11), le support électroconducteur comporte une première couche de préférence électriquement isolante de composition donnée, organique ou minérale, d'indice de réfraction n3 de 1,7 à 2,3, la première couche étant directement sur la première surface ou sur une sous couche barrière à l'humidité (4), minérale, la première couche étant partiellement ou entièrement structurée en épaisseur avec des trous traversants ou des cavités, de largeur Wc pour ancrer au moins partiellement la grille métallique, la surface haute étant la surface de la première couche ou la surface d'une surcouche, minérale, sur la première couche, en ce que les brins (20) présentent suivant leur longueur une zone centrale (21) entre des zones latérales (22, 22') qui affleurent la surface haute (34, 34') et la rugosité de surface de la zone centrale (21) est supérieure à la rugosité de surface des zones latérales (22, 22'), en ce que le support comprend en outre: - un revêtement électroconducteur (5) en matière organique ou minérale qui couvre la surface haute (34, 34'), est au-dessus des zones latérales et en liaison électrique avec les zones latérales, éventuellement est présent au-dessus des zones centrales et en liaison électrique avec les zones centrales (2), d'épaisseur e5 inférieure ou égale à 800nm, de résistivité p5 inférieure à 200.cm et supérieure à la résistivité de la grille métallique, et qui est d'indice de réfraction n5 d'au moins 1,5 et en ce que dans la zone centrale (21), le milieu de la surface de brin (20) et la surface haute sont distants d'une distance verticale H prise à la normale à la première surface (11) et qui est inférieure ou égale à 500nm.
2. 2. Support électroconducteur (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce que le paramètre de rugosité Rq des zones latérales (22, 22') est d'au plus 5nm.
3. 3. Support électroconducteur (100) selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comprend une couche dite de passivation (6) discontinue, en matériau électriquement isolant, formant une grille de pistes isolantes localisées au-dessus des zones centrales (21) 3025943 -33-
4. 4. 5
5. 5. 10
6. 6. 15
7. 7. 20 9 25 10. 11. 30 12. 35 13. 14. 40 et éventuellement au-dessus des zones latérales (22, 22') des brins, ne dépassant pas latéralement bords extérieurs des brins ou dépassant latéralement des bords extérieurs des brins d'au plus 1 pm. Support électroconducteur (100) selon la revendication 3 caractérisé en ce que la couche de passivation (6) a au-dessus de la zone centrale (21) une surface dite supérieure (6s) qui présente un paramètre de rugosité Rq inférieur à 10nm. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 3 ou 4 caractérisé en ce que la couche de passivation (6) est une couche d'oxyde de préférence par voie sol-gel et/ou de nitrure d'un matériau qui est un métal et/ou du silicium et de préférence une couche de nitrure de silicium, de titane, ou d'oxyde de titane, de zirconium, de silicium, de niobium et leurs mélanges. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que le revêtement électroconducteur est discontinu, absent des zones centrales et H est défini alors entre le milieu de la surface de brin (20) et la surface du revêtement électroconducteur. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 3 ou 4 caractérisé en ce que le matériau électriquement isolant est un matériau photosensible positif, d'épaisseur e6 inférieure à 1000nm, sur le revêtement électroconducteur à base de l'une au moins des matières suivantes: polyimide, polysiloxane, phénolformaldéhyde, polyméthylméthacrylate Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 3 ou 4 caractérisé en ce que la couche de passivation est entre la zone centrale et le revêtement électroconducteur. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la première couche isolant électrique est une couche d'oxyde de préférence par voie sol-gel et/ou de nitrure d'un matériau qui est un métal et/ou du silicium et de préférence une couche de nitrure de silicium, de titane, ou d'oxyde de titane, de zirconium, de silicium, de niobium et leurs mélanges ou encore est une couche d'oxyde transparent conducteur. Support électroconducteur (100 à 200) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le plastique est un film thermoplastique de préférence un PEN. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la zone centrale (21) sous affleure la surface haute (34, 34') et H est supérieure à 100nm, même supérieure à 150nm. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 10 caractérisé en ce que H est inférieure ou égale à 100nm et -même de préférence la zone centrale sous affleure la surface haute, de préférence la surface de brin (20) est dénuée de protubérances de hauteur supérieure à lOnm longeant les bords intérieurs des zones latérales (22, 22). Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la grille métallique (2, 20) est obtenue par dépôt autocatalytique et de préférence par argenture. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que la grille métallique (2, 20), de préférence en argent, présente un taux de couverture T inférieur à 25% ou inférieur à 10%, et même à 6%. 3025943 - 34 - 15. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que l'épaisseur e2 de la _grille métallique (2, 20) est inférieure à 1500nm, de préférence dans une gamme allant de 100nm à 1000nm et en particulier dans une gamme allant de 200nm à 800nm, la largeur A est inférieure à 30pm, de préférence dans une gamme allant 5 de 1,5pm à 20pm. 16. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que le revêtement électroconducteur (5) comprend une couche minérale d'indice de réfraction na compris entre 1,7 et 2,3, d'épaisseur inférieure à 150nm, en oxyde transparent électroconducteur, de préférence à base d'oxyde d'indium et d'étain ou à base d'oxyde de 10 zinc. 17. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que la première couche est entièrement structurée (3) en épaisseur avec des trous traversants de largeur Wc de préférence la sous couche barrière éventuelle n'est pas structurée. 18. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que 15 la première couche est partiellement structurée (3) en épaisseur, en étant formée : - d'une région (30), dite région basse, sous la grille métallique, - d'une région structurée (31), région formant les domaines non électroconducteurs et avec les cavités de largeur Wc, de préférence les zones latérales sont contiguës à la première couche et sont de largeur Li, L1 étant supérieure à la hauteur ee des cavités 20 et L152e,. 19. Support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que les domaines non électroconducteurs comportent : la surcouche (3'), en matériau électriquement isolant de préférence minéral, discontinue définie des trous traversants, surcouche faisant partie des domaines non 25 électroconducteurs la surface haute étant la surface de la surcouche, et de préférence d'au moins 20nm - la première couche qui est de préférence électriquement isolante, de préférence minérale - entièrement structurée (3) en épaisseur, avec des trous traversants de largeur Wc au 30 niveau de l'interface entre la surcouche et la première couche ou partiellement structurée (3) en épaisseur, étant formée : - d'une région (30), dite région basse, sous la grille métallique, - d'une région structurée (31), sous la surcouche, région avec des cavités en regard des trous traversants, de largeur Wc au niveau de l'interface entre la 35 surcouche et la première couche au niveau de l'interface entre la surcouche et la première couche, les trous traversants de la surcouche étant de largeur W1, avec de préférence Wck.VV1 lorsque VVc>W1 des zones de brins dites zones de bord (22a, 22'a), sont contiguës aux zones latérales, sont plus périphériques que les zones latérales et sont dans les cavités 40 sous la surcouche, 3025943 - 35 - lorsque Wc>W1 les zones latérales sont de largeur L1 définie comme la distance entre des points X" et Y', les zones de bords de largeur L2 définie comme la distance entre des points X' et Y, Y" est la projection orthogonale de Y dans le plan de la surface des zones latérales (22, 22'), L3 est la distance entre X" et Y", L3 étant supérieure à la hauteur totale ec-Fe', et 5 L3s2(ec+e'c) où ec est la hauteur des trous traversants ou cavités de la première couche et e', est la hauteur des trous. 20. Dispositif électroluminescent organique incorporant un support électroconducteur (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes, l'électrode avec la grille métallique (2) formant l'électrode dite inférieure, la plus proche de la première surface (11) du substrat. 10 21. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100) selon l'une des revendications 1 à 19 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes dans cet ordre: la fourniture du substrat (1) comportant dans cet ordre: une éventuelle sous couche barrière à l'humidité sur la première surface (11), une couche continue dite haut indice (3a), en la composition d'indice de réfraction n3 15 de la première couche, la formation des cavités ou des trous traversants dans la couche haut indice (3a), formant ainsi la première couche structurée (3) en épaisseur dont la surface est la surface haute (34), formation comportant : - la réalisation sur la couche haut indice (3a) d'une couche de masquage discontinue 20 (60) en matériau photosensible avec un arrangement d'ouvertures traversantes donné, avec des flancs (61), notamment par : - dépôt en pleine couche du matériau photosensible - exposition aux ultraviolets à l'aide d'une source d'ultraviolets côté première surface (11) 25 la gravure humide de la couche haut indice (3a), au travers des ouvertures traversantes de la couche de masquage, créant des zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des cavités ou des trous traversants et définissant ainsi des portions de surfaces dites surfaces internes (62, 62') de la couche de masquage (60) en regard des cavités (32, 33) ou des trous traversants, 30 la formation de la grille métallique (2) comprenant un dépôt par voie liquide, de préférence autocatalytique, d'un premier matériau métallique de la grille dans les cavités ou les trous traversants, le premier matériau se déposant sur les flancs (32) des cavités ou les trous traversants et entièrement sur les surfaces internes (62, 62') de la couche de masquage (60), formant ainsi les zones latérales de brin (22, 22') affleurant la surface 35 haute (34) et moins rugueuses que les zones centrales de brin (21) le retrait de la couche de masquage (60) notamment par voie liquide. - de préférence la formation de la couche de passivation en grille isolante formée de pistes isolantes au-dessus des zones centrales des brins de_préférence sur le revêtement électroconducteur présent sur les zones centrales. 3025943 - 36 - 22. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes de support électroconducteur caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes dans cet ordre: la-fourniture du substrat (1) comportant : 5 une éventuelle sous couche barrière à l'humidité sur la première surface (11), une couche continue dite haut indice (3a), en la composition d'indice de réfraction n3 de la première couche, sur la couche haut indice (3a), une couche continue électriquement isolante dite couche supplémentaire (3'a), en matériau de la surcouche (3'), 10 la formation des trous traversants dans la couche supplémentaire (3'a), formant ainsi la surcouche (3') entièrement ou partiellement structurée en épaisseur, formation comportant - la réalisation sur la couche supplémentaire (3'a) d'une couche de masquage en matériau photosensible (60) discontinue avec un arrangement d'ouvertures 15 traversantes donné, et avec des flancs, notamment par - dépôt en pleine couche du matériau photosensible - exposition aux ultraviolets à l'aide d'une source d'ultraviolets du côté de la première surface (11), - la gravure humide de la couche supplémentaire (3'a), avec une première solution de 20 gravure, au travers des ouvertures traversantes (61) de la couche de masquage, créant des zones de la couche de masquage en suspension au-dessus des trous traversants et définissant ainsi des portions de surfaces dites surfaces internes (62, 62') de la couche de masquage en regard des trous traversants, - la formation des cavités ou des trous traversants dans la couche haut indice (3a), 25 formant ainsi la première couche partiellement structurée (3) avec Wc>W1, formation comportant : - la gravure humide de la couche haut indice (3a), avec une deuxième solution de gravure, de préférence distincte de la première solution et de préférence ne gravant pas la surcouche, au travers des ouvertures traversantes de la couche de masquage 30 (60), des trous traversants de la surcouche, créant des zones de la couche de masquage et de la surcouche en suspension au-dessus des cavités ou des trous traversants de la première couche et définissant ainsi des portions de surfaces dites autres surfaces internes (22a, 22'a) de la surcouche en regard des cavités ou des trous traversants de la première couche, 35 la formation de la grille métallique (2) comprenant un dépôt par voie liquide, de préférence autocatalytique, d'un premier matériau métallique de la grille dans les cavités ou trous traversants de la première couche et dans les trous traversants de la surcouche, formant ainsi les zones latérales de brin affleurant la surface haute (34') sous les surfaces internes (62, 62') en étant moins rugueuses que les zones centrales de brin 40 (21), le premier matériau se déposant sur les flancs des trous traversants de la 3025943 - 37 - surcouche, entièrement sur les autres surfaces internes (22a, 22a) de la surcouche (3), sur les surfaces internes (62, 62') de la couche de masquage (60), formant ainsi les zones de bord (22a, 22'a) et les zones latérales de brin (22, 22'), le retrait de la couche de masquage (60) notamment par voie liquide. 5 - de préférence la formation de la couche de passivation en grille isolante formée de pistes isolantes au-dessus des zones centrales des brins de préférence sur le revêtement électroconducteur présent sur les zones centrales.. 23. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes de procédé caractérisé en ce que le dépôt par voie liquide du premier matériau 10 métallique est une argenture et de préférence la grille (2) est une monocouche 24. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes de procédé caractérisé en ce que la formation de la couche de passivation en grille isolante formée de pistes isolantes sur les zones centrales des brins comporte - le dépôt en pleine couche du matériau photosensible positif de la couche de passivation 15 (6) couvrant le revêtement électroconducteur - l'exposition aux ultraviolets à l'aide une source d'ultraviolets du côté de la deuxième face principale (12) - le développement en solution jusqu'à rendre discontinue la couche du matériau photosensible positif, le matériau photosensible positif restant localisé au-dessus de la 20 grille métallique (2) pour former la couche de passivation (6). 25. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100) selon l'une des revendications précédentes de procédé caractérisé en ce que notamment lorsque H est d'au plus 100nm, le retrait de la couche de masquage (60) suivant la, formation de la grille métallique, crée des protubérances de hauteur d'au moins 10nm longeant les bords internes des zones 25 latérales (22, 22') de la grille métallique, et le procédé comprend après le retrait de la couche de masquage (60) et avant le dépôt du revêtement électroconducteur une étape de gravure humide pour supprimer les protubérances. 26. Procédé de fabrication du support électroconducteur (100 à 200) selon l'une des revendications précédentes de procédé, caractérisé par le fait qu'il comprend une étape de 30 chauffage avant le dépôt du revêtement électroconducteur (5) à une température inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 150°C et 180°C pendant une durée comprise de préférence entre 5 minutes et 120 minutes, en particulier entre 15 et 90 minutes et/ou en ce qu'il comprend une étape de chauffage après le dépôt du revêtement électroconducteur de préférence minéral avant ou après le dépôt de la couche de passivation, à une température 35 inférieure à 200°C, de préférence comprise entre 150°C et 180°C, pendant une durée comprise de préférence entre 5 minutes et 120 minutes, en particulier entre 15 et 90 minutes.