TW201611370A - 導電支撐件、併有其的有機發光二極體以及其製造 - Google Patents

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丹尼斯 吉馬德
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Abstract

一種導電支撐件可包含界定一空穴的一層，以及在所述層的所述空穴內的一傳導性股線。所述傳導性股線可具有在一中央地帶以及一側面地帶內的一上表面，其中所述上表面具有比在所述側面地帶內的一表面粗糙度粗糙的在所述中央地帶內的一表面粗糙度。所述導電可更包含上覆於所述傳導性股線的一導電層以及一鈍化層。在所述側面地帶內的所述相對較平滑上表面可允許所述鈍化層的所述寬度相對窄且仍達成可接受的洩漏電流。一種形成所述導電支撐件的方法可使用一濕式化學技術執行，以形成所述傳導性股線，同時抑制沿著所述傳導性股線的所述上表面的一側面地帶的粗糙度。

Description

導電支撐件、併有其的有機發光二極體以及其製造
本揭露內容是關於一種導電支撐件、併有其的有機發光裝置以及其製造。
有機發光二極體(organic light-emitting diode；OLED)傳統地包含由對其成框的兩個電極通常按導電層的形式用電供應的一個或一堆疊有機發光材料。
傳統地，上部電極為(例如)自鋁製造的反射性金屬層，且下部電極為具有氧化銦(通常，摻雜有錫的氧化銦，較佳地在縮寫ITO下已知)且具有100nm至150nm的厚度的基底的透明層，且其薄層電阻大於10Ohm/sq至15Ohm/sq。然而，對於在大表面(通常，大於5×5cm2)上的均勻照明，此等薄層電阻值保持高且接著有必要使透明層(例如，ITO)與自MAM(金屬/Al/金屬)類型的多層金屬製造的柵格或自單層製造的柵格(諸如，使用藉由銀漿料的列印技術製造的銀柵格)相關聯，以便將薄層電阻減小至低於5 Ohm/sq或甚至1Ohm/sq的值。此等柵格具有細微厚度且具有大致100μm的寬度。
柵格接下來經鈍化以便消除柵格的故障與上部電極(陰極)之間的短路(洩漏電流的減少)。
具有經鈍化柵格的此電極製造起來代價大且複雜。
製造方法保持著待被簡化且使之在工業規模上可靠，而不會對OLED裝置的光學效能帶來不利。
1‧‧‧塑膠/PEN基板
2‧‧‧柵格/柵格材料
3‧‧‧第一層/第一部分結構化層
3'‧‧‧經結構化的上覆層
3a‧‧‧高指數層/高指數連續層
4‧‧‧防濕層
5‧‧‧導電塗層
6‧‧‧聚醯亞胺層
6f‧‧‧側腹
6s‧‧‧上表面
11‧‧‧第一主面
12‧‧‧第二主面
20‧‧‧股線
21‧‧‧中央地帶
22‧‧‧側面地帶
22'‧‧‧側面地帶
22a‧‧‧邊緣地帶
22'a‧‧‧邊緣地帶
30‧‧‧下部區域
31‧‧‧結構化區域
32‧‧‧側腹
33‧‧‧底部
34‧‧‧頂部地帶
34'‧‧‧上覆層
36‧‧‧主要表面
41‧‧‧氮化矽
60‧‧‧光阻/抗蝕劑/遮蔽表面
61‧‧‧側腹
62‧‧‧內表面
62'‧‧‧內表面
63‧‧‧外或上表面
70‧‧‧光微影罩幕
71‧‧‧不連續部
A‧‧‧寬度
Ac‧‧‧寬度
Am‧‧‧中央地帶
B‧‧‧距離
e2‧‧‧厚度
e3‧‧‧厚度
e5‧‧‧厚度
e6‧‧‧厚度
ec‧‧‧空穴的高度
e'c‧‧‧孔洞的高度
ez‧‧‧厚度
H‧‧‧垂直距離
L‧‧‧水平距離
L'‧‧‧水平距離
L0‧‧‧寬度
L1‧‧‧寬度
L2‧‧‧寬度
L3‧‧‧距離
W1‧‧‧寬度
Wc‧‧‧寬度
X‧‧‧側腹的最高點
X'‧‧‧點
X"‧‧‧點
Y‧‧‧在空穴的底部的端部處的點
Y'‧‧‧點
Y"‧‧‧Y在側面地帶的表面的平面中的正交投影
α‧‧‧角度
實施例藉由實例來說明，且不限於附圖中。
圖1為根據本發明的第一實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中中央股線地帶與頂表面欠齊平。
圖1a為無鈍化層的圖1的詳圖。
圖1b為可在圖1的支撐件中使用的金屬柵格的圖解俯視圖，且圖1c繪示可在圖1的支撐件中使用的金屬柵格的頂部圖解視圖。
圖1d繪示第一部分結構化層的空穴的區段的圖解詳圖，其中在由本申請人進行的比較實例中，柵格的股線藉由PVD沈積。
圖2為根據本發明的第二實施例的用於OLED的導電支撐 件的圖解剖視圖，其中第一層完全結構化。
圖3為根據本發明的第三實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中鈍化在中央地帶與導電塗層之間。
圖4為根據本發明的第四實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中柵格與上表面過齊平。
圖5為根據本發明的第五實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中柵格與自中央地帶失去的導電塗層的表面齊平。
圖6為根據第六實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中柵格經錨定於第一層以及結構化子層中。
圖6為圖6'的詳圖。
圖7a至圖7i為關於第一實施例的用於製造導電支撐件的方法的步驟的圖解視圖。
指出，出於關注，為了清晰起見，描繪的物件的各種元件並未按比例繪示。
熟習此項技術者瞭解，圖中的元件僅為了簡單且清晰起見而說明且未必按比例繪製。舉例而言，相對於其他元件，圖中的一些元件的尺寸可經誇示，以幫助改良對本發明實施例的理解。
提供結合諸圖的以下描述以輔助理解本文中揭露的教示。以下論述將聚焦於教示的特定實施以及實施例。提供此聚焦以輔助描述教示，且不應解釋為關於教示的範疇 或適用性的限制。然而，可基於本申請案中所揭露的教示使用其他實施例。
如本說明書中所使用，當將層或塗層(包含一或多個層)的沈積指定為直接在另一沈積下方或直接在另一沈積上進行時，此意謂無其他層可插入於彼兩個沈積之間。
如本說明書中所使用，在550nm下量測折射率。
如本文中所使用，正型光阻為暴露於輻射(諸如，UV或可見光)的部分變得關於顯影劑(顯影溶液)可溶且其中光阻的未暴露部分保持關於顯影劑不可溶的類型的光阻。負型光阻為暴露於輻射(諸如，UV或可見光)的部分變得關於顯影劑不可溶且其中光阻的未暴露部分保持關於顯影劑可溶的類型的光阻。
術語「包括(comprises、comprising)」、「包含(includes、including)」、「具有(has、having)」或其任何其他變化形式意欲涵蓋非排他性包含物。舉例而言，包括一列特徵的方法、物品或設備未必僅限於彼等特徵，而可包含未明確列出或此方法、物品或設備所固有的其他特徵。另外，除非明確相反地陳述，否則「或」指包含性的或，且並非指排他性的或。舉例而言，條件A或條件B藉由以下中的任一者得以滿足：A為真(或存在)且B為假(或不存在)、A為假(或不存在)且B為真(或存在)以及A與B皆為真(或存在)。
又，「一(個)(a或an)」的使用用以描述本文中所描述的元件以及組件。如此進行僅為方便起見且給出本 發明的範疇的大體意義。除非明顯意謂其他情況，否則此描述應解讀為包含一個、至少一個或單數個亦包含多個，或反之亦然。舉例而言，當本文中描述單一項目時，可使用一個以上項目替代單一項目。類似地，當本文描述一個以上項目時，可用單一項目取代一個以上項目。
群組編號對應於基於IUPAC元素週期表(日期為2011年1月21日的版本)的元素週期表內的行。
除非另外定義，否則本文中所用的所有技術以及科學術語具有與一般熟習本發明所屬領域的此項技術者通常所理解相同的意義。材料、方法以及實例僅為說明性的，且並不意欲為限制性的。在本文中未描述的程度上，關於特定材料以及處理動作的許多細節是習知的，並且可在電子支撐件以及微電子技術內的教科書以及其他來源中找到。
諸如無電極電鍍的濕式化學製程可經執行以沈積用於傳導性股線的傳導性材料。傳導性股線可為用於電鉻裝置(諸如，有機發光裝置)的柵格的部分。然而，濕式化學製程可形式傳導性股線的可相對粗糙且可使洩漏電流不可接受地高的暴露表面。因此，已開發新方法來形成允許在傳導性股線上的相對較低洩漏電流且較窄鈍化層的新結構。
新方法可包括在第一層上形成經圖案化遮蔽層，其中經圖案化遮蔽層包含開口。第一層可為上覆於基板的層或可為基板自身。方法亦可包含蝕刻在開口下方的第一層中的空穴，使得經圖案化遮蔽層的地帶懸掛於空穴上。懸掛的地帶可幫助控制沿著隨後形成的傳導性股線的上表面的 一部分的粗糙度。方法可更包含使用濕式化學法沈積在空穴內沈積傳導性材料，以及移除經圖案化遮蔽以在空穴內形成傳導性股線。傳導性股線可具有側面地帶以及中央地帶，側面地帶由傳導性股線的由經圖案化遮蔽層的地帶覆蓋的一部分界定，且當沈積傳導性材料時，中央地帶在經圖案化遮蔽層中的開口之下。在實施例中，傳導性股線的上表面的部分在中央地帶內具有表面粗糙度，其比在側面地帶內的表面粗糙度粗糙。電極可形成於傳導性股線上，其中第一電極沿著至少在側面地帶內(且在一特定實施例中，亦在中央地帶內)的傳導性股線的上表面接觸傳導性股線。鈍化層可形成於傳導性股線上。
在另一實施例中，一種導電支撐件可包含一傳導性股線，其具有一中央地帶以及一側面地帶，其中傳導性股線的上表面具有比側面地帶內的表面粗糙度粗糙的在中央區域內的表面粗糙度。電極可上覆於傳導性股線，其中電極沿著在側面地帶(且在一特定實施例中，中央地帶)內的傳導性股線的上表面接觸傳導性股線。鈍化層上覆於傳導性股線。相對較平滑側面地帶允許鈍化層具有比在傳導性股線將已具有將與中央地帶相同的跨所有傳導性股線的表面粗糙度的情況下窄的寬度。因此，鈍化層的寬度不需要為傳導性股線的寬度的2倍或2倍以上寬。
傳導性股線可包含金屬。在實施例中，傳導性股線可為柵格的部分。在另一實施例中，導電支撐件可包含間隔開的多個傳導性股線，且在成品電子裝置中，傳導性股線 可耦接至電路。
導電支撐件可用於製造諸如OLED、液晶或類似者的電鉻裝置中。在一特定實施例中，電鉻裝置可呈顯示器的形式，且可為主動型矩陣顯示器或被動型矩陣顯示器。
在本發明的實施例中，一種用於OLED的導電支撐件包含：一(透明)塑膠基板，較佳地平滑，具有在自1.45至1.8的範圍中的折射率n1，具有叫作第一表面的第一主面，一電極，其包含配置於諸如金屬柵格的柵格中的一或多個傳導性股線，其自具有每平方低於20Ω/□、較好地10Ω/□的電阻的金屬材料(純或合金，較佳地，單層或多層)製造，傳導性股線具有至少100nm且較佳地至多1500nm的厚度e2，傳導性股線(亦叫作軌道)具有小於或等於50μm的寬度A，且由股線間距離B分隔小於或等於5000μm且至少50μm，股線由具有頂表面的多個非電絕緣非導電域與基板分隔，所述域較佳地具有大於1.65的折射率。
導電支撐件在第一表面的側上包含具有給定組成的第一層，較佳地電絕緣，具有1.70至2.3、較佳地自1.80至2.10且特別地自1.85至2.00的折射率n3，第一層直接在第一表面上或防濕層上，在一個或多個層中，礦物以及(其並非搪瓷)，就厚度而言，第一層經部分或完全結構化，具有通孔或空穴，通孔或空穴具有至少部分錨定傳導性股線的寬度Wc，上表面為第一層的表面或第一層上的較佳地電絕緣的上覆層礦物(其並非搪瓷)的表面，且具有較佳地不大於200 nm的厚度。
沿著其長度，股線具有在與上表面齊平的(平坦)側面地帶之間的中央地帶，且中央地帶的表面粗糙度大於(平滑)側面地帶的表面粗糙度，側面地帶的粗糙度參數Rq較佳地不超過5nm。
導電支撐件更包括：自有機或較佳地礦物材料(單一材料或多種材料)製造的導電塗層，其較佳地直接覆蓋頂表面且在側面地帶上方且與側面地帶電連接，視情況，存在於中央地帶上方且與中央地帶電連接，具有小於或等於800nm的厚度e5，具有小於20Ω.cm且大於傳導性股線的電阻率的電阻率ρ5，且其具有至少1.5、較好地仍至少1.55且甚至至少1.7的折射率n5。
另外，在中央地帶中，當中央地帶與頂表面過齊平時，股線表面的中間與頂表面分隔在與第一表面正交處取得且小於或等於500nm、較好地仍小於或等於300nm且甚至小於或等於100nm的垂直距離H。
傳導性股線(其中央地帶)較佳地至少部分錨定於第一層中，且視情況完全錨定於第一層上的潛在電絕緣上部層(單層或多層)中。上表面(第一層或可選上覆層的表面)選擇為儘可能地平滑以便減少洩漏電流。有利地，其表面視情況形成頂表面的第一層就厚度而言經部分結構化且經剝去擴散粒子及/或上覆層(其就厚度而言經完全結構化且其表面形成頂層，經剝去擴散粒子)，且甚至第一層經剝去擴散 粒子。
(第一層或上覆層的)頂表面可較佳地具有小於10nm、較好地小於5nm且甚至小於2nm的粗糙度Rq。Rq可根據標準ISO4287來定義且藉由原子力顯微法來量測。
在欠齊平性下，H的值限於500nm，以便使陡峭性儘可能地最小化。儘可能地減小過齊平性以錨定層，且允許柵格側腹受到導電域的鈍化。
第一層可為聚合的。其為沈積物或透明薄膜(高指數)，詳言之，熱塑性，諸如，PEN(聚萘二甲酸伸乙酯)。其折射率為大致1.75。
防濕層的實例包含在被以引用的方式全部併入本文中的WO2011029786以及WO2011029787中描述的步驟。
較佳地，(平坦)側面地帶的(表面的)粗糙度參數Rq為至多5nm，且甚至至多3nm，且甚至至多2nm或甚至1nm。較佳地，每一(平坦)側面地帶中的Rmax(最大高度)為至多20nm，且甚至至多10nm。
詳言之，經由諸如無電極沈積(藉由鍍銀等)的濕式化學方法，針對柵格材料的沈積物，獲得在側面地帶的表面粗糙度處的上部中央地帶的粗糙度。中央地帶的粗糙度隨著傳導性股線的厚度而增大(側面地帶的平滑本質獨立於厚度)。
中央地帶中的粗糙度參數Rq(或rms)可為至少10nm且甚至至少20nm，且較佳地至多60nm。另外，中央地帶中的粗糙度參數Rmax(最大高度)甚至可為至少100nm 且甚至至少150nm，且較佳地至多500nm。
Rmax以及Rq可根據標準ISO4287來定義且藉由原子力顯微法來量測。
根據本發明的實施例，與上表面齊平的側面地帶可嚴格地處於與上部層相同的平面上，或與其分隔至多10nm，且較好地至多5nm。
每一(平坦)側面地帶與上表面齊平的事實亦歸因於金屬的濕式化學沈積(諸如，無電極沈積、基於金屬鹽溶液的生產、藉由濕式蝕刻經由(部分或完全)結構化層上的遮蔽層的開口進行的沈積)而發生。此齊平性現象獨立於金屬的厚度。
詳言之，在諸如鍍銀的無電極沈積的實例中，將金屬(諸如，銀、銅、鎳或類似者)沈積於經(部分或完全)結構化的層(單獨上覆層，或上覆層與第一層)的孔洞中。歸因於在藉由濕式蝕刻形成結構化層期間發生的側向蝕刻，孔洞比遮蔽層的開口寬。將金屬沈積於坐落於每一電洞上方的遮蔽層的側腹以及內表面、在頂表面的平面中且因此超出每一孔洞的側腹的內表面上。
與頂表面齊平的側面地帶歸因於其與遮蔽層接觸而平坦、平滑，遮蔽層又具有平滑內表面。內表面再現上表面的平滑、平坦本質。濕式蝕刻不在內表面以及平滑側腹以及空穴底部上產生顯著粗糙度(可產生的此粗糙度不增大柵格表面相對於在平滑表面上的沈積的粗糙度)。
在諸如磁控管陰極濺鍍的物理氣相沈積 (physical vapor deposition；PVD)期間，藉由經由諸如光阻的遮蔽層的開口的陰影效應，股線的側面地帶在盆地中，形成具有等效於當隨後製造OLED時可產生短路的(部分或完全)結構化的層的空穴的高度的深度的形態破裂。在此類型的沈積中，股線不具有與欠齊平或過齊平傳導性股線的頂表面齊平的平滑側面地帶。欠齊平股線具有中心地帶中在位於在其駐留的層的主要表面下方的高程處的上表面，且過齊平股線具有中心地帶中在位於在其駐留的層的主要表面上方的高程處的上表面。
此外，無電極沈積簡單，比不上物理氣相沈積(PVD)複雜(無真空設施等)，且適合於任何基板大小。此外，藉由無電極沈積而沈積的金屬的導電率足夠低(通常比藉由PVD沈積的相同金屬的導電率小30%至40%)。
H影響
H為在中心地帶內的傳導性股線的上表面與形成傳導性股線的層的主要表面之間的高程差。欲參考，請見圖4以及圖7e。在較佳的一個實施例中，因為其製造起來可靠且最容易，所以中央地帶與上表面欠齊平，且H大於100nm，甚至大於150nm。
在測試期間，本申請人已觀測到在中央地帶中的傳導性股線的表面與頂表面之間的足夠間隙的關注。事實上，在過齊平傳導性股線或具有較低H值的欠齊平傳導性股線的情況下，本申請人已觀測到沿著側面地帶的內邊緣伸展 的具有大致20nm至200nm的高度H1以及在20nm至500nm的半高度處的寬度W1的金屬隆凸的外觀。此等隆凸連續或不連續。此等隆凸不利，因為其可增大洩漏電流。根據本發明的實施例的大於100nm、甚至大於150nm的間隙H使顯著減小此等隆凸以及其高度或甚至消除其有可能。
根據本發明的實施例，當傳導性股線與上表面欠齊平時，其中H大於100nm，較好地仍大於150nm，根據本發明的實施例的金屬股線中的大多數且甚至每一金屬股線被剝去此等隆凸。根據本發明的實施例，當沿著側面地帶的內邊緣伸展的隆凸具有小於10nm的高度時，將金屬股線表面(較佳地，銀)考慮為剝去了彼等隆凸。
在另一實施例中，H小於或等於100nm，且甚至較佳地，中央地帶與上表面欠齊平，較佳地，傳導性股線表面經剝去在側面地帶的內邊緣(中央地帶側)上伸展的具有大於10nm的高度的(金屬)隆凸。
藉由低間隙H，在遮蔽層的移除期間產生隆凸。假定當間隙H小(準齊平股線)時，歸因於傳導性股線與遮蔽層上的傳導性股線之間的較大接觸地帶，沈積於(部分或完全)結構化的層的孔洞中的傳導性股線的金屬(例如，銀)與在遮蔽層的側腹上的傳導性股線的金屬之間的破裂更微妙地執行。然而，此等隆凸可藉由化學蝕刻消除。
有利地，導電支撐件可包含自電材料製造的不連續鈍化層，從而形成位於中央地帶上方且視情況在股線的側面地帶上方的隔離軌道的柵格，完全覆蓋中央地帶且視情況 部分或完全覆蓋側面地帶且不自股線的外邊緣(在頂表面上方)側向地凸起或自股線的外邊緣側向地凸起不超過1μm、或不超過500nm、或不超過200nm(在頂表面上方)，或甚至不自中央地帶凸起。
在根據本發明的實施例的支撐件中，坐落於導電塗層上方的股線的中央地帶的電絕緣使相對於非鈍化傳導性股線(如前述先前技術的非鈍化傳導性股線)增大量測的外部量子效率(external quantum efficiency；EQE)有可能。在非鈍化傳導性股線的情況下，注入於傳導性股線上方的載流子產生隨後由傳導性股線吸收的光子。在經鈍化柵格(無鈍化層的導電塗層)的情況下，不存在注入於傳導性股線上方的電荷載流子，因此失去光子。
此外，可呈根據本發明的實施例的絕緣柵格的形式的鈍化層可視情況使限制洩漏電流有可能，且因此，可減少歸因於在粗糙中央地帶上方的當前線的不存在的OLED的使用期限的惡化(假定垂直於基板的平面的當前線，中央地帶變得無電活性)。在其他電子裝置的情況下，可看到類似效應。若另外鈍化層的表面平滑(例如，藉由溶膠凝膠或其他濕式化學方法獲得的層)，則其可夷平主要洩漏電流源故障。
不同於MAM柵格，傳導性股線具有可甚至不可見的小寬度A。另外，不同於產生大致50μm或甚至大於50μm的柵格的側的側向過多的MAM柵格的鈍化，使鈍化侷限在股線上方。若絕緣軌道不側向地延伸超出金屬股線(或極少，超出小於1μm)，則絕緣軌道不造成有光的表面損失或極少此 損失(若給定根據本發明的實施例的股線寬度與可能側向突起之間的比率)。
比中央地帶平滑的側面地帶的存在進一步取得根據本發明的實施例的支撐件的主要優勢。側面地帶不需要自身被鈍化(由於其平滑)。根據本發明的實施例的製造方法使將絕緣軌道部分或完全地位於側面地帶上且因此完全覆蓋粗糙中央地帶有可能。若側面地帶平滑且不產生洩漏電流，則其視情況僅部分的重疊並不麻煩。僅部分重疊的可能性亦使藉由在方法參數的選擇中賦予容差來提供就製造方法而言的優勢有可能。
其愈大，則公差愈大。鈍化層可因此完全或部分覆蓋側面地帶，只要中央地帶被完全覆蓋。
中央地帶的寬度可大於、等於或小於每一側面地帶的寬度(在上表面處界定)。此取決於e2、H以及傳導性材料傳送至空穴所經由的孔洞的寬度。
較佳地，鈍化層在中央地帶上方具有上表面，其具有小於10nm、較好地小於5nm且甚至小於2nm的粗糙度參數Rq，以及甚至小於100nm、較好地小於500nm且甚至小於20nm的粗糙度參數Rmax。另外，鈍化層較佳地具有具小於10nm、甚至小於5nm且較好地仍小於2nm的粗糙度參數Rq以及小於100nm、較好地仍小於50nm且甚至小於20nm的粗糙度參數Rmax的側腹。
鈍化層可為單層或多層，透明或不透明(或多或少的吸收性)，且可具有任何折射率。
鈍化層可為有機，詳言之，聚合。
在鈍化的第一實施例中，電絕緣材料為正型(經退火)光阻，具有在導電塗層上的小於1000nm、甚至至多600nm且甚至至多300nm的厚度e6。
鈍化層可為單層或多層，透明或不透明(或多或少吸收性)，且可具有任何折射率。
鈍化層可具有由正型光阻的顯影引起的傾斜側腹。詳言之，絕緣軌道的基底可具有不超過60°或在40°與50°之間的角度α，具有使得絕緣軌道具有離開第一表面移動的減小寬度的上表面。鈍化層的區段通常呈圓頂形，無銳角。
平坦化材料的厚度較佳地大致為傳導性股線的Rmax的值。
在此第一實施例的一個較佳形式中，鈍化層為具有以下材料中的一者的基底的層：聚醯亞胺、聚矽氧烷、苯基甲醛(在名稱酚醛清漆下已知)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
在第二實施例中，鈍化層為礦物，且更特定言之，較佳地藉由溶膠凝膠的氧化層及/或為金屬及/或矽的材料的氮化物形成，較佳地，氮化矽或氮化鈦，或氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氧化鈮以及其混合物的層。
可使用不同方法(例如，陰極濺鍍、溶膠凝膠)來沈積絕緣軌道的材料。可將三個組態用於鈍化層。
在第一組態中，鈍化層在導電塗層(較佳地，礦物)上。
在第二組態中，鈍化層在導電塗層(較佳地，礦物)與中央地帶(且甚至側面地帶)之間。
在第三組態中，導電塗層(較佳地，具有銦基底)不連續，自中央地帶缺失，且鈍化層(例如)由可為諸如3,4-聚乙烯二羥噻吩(PEDOT)的聚合層的電洞注入層(hole injection layer；HIL)或電洞輸送層(hole transport layer；HTL)覆蓋。
導電塗層可不連續，自中央地帶缺失，且H接著界定於股線表面的中間與導電塗層的表面之間。
第一層可為聚合(高折射率)。
為了使表面儘可能平滑，較佳地，第一(視情況，部分結構化)層具有極少或無擴散粒子，且甚至不具有(顯著)擴散功能。
第一層可為為金屬及/或矽的材料的氧化層(較佳地，藉由溶膠凝膠及/或氮化物形成)，且較佳地氮化矽、氮化鈦或氧化鈦、氧化鋯、氧化矽以及其混合物或傳導性透明氧化物(詳言之，基於鋅)的層。
根據本發明的實施例的第一(視情況，部分結構化)層可具有大的表面，例如，大於或等於0.005m2或甚至大於或等於0.5m2或1m2的表面。當呈柵格的形式時，根據本發明的實施例的柵格可覆蓋大表面，例如，大於或等於0.02m2或甚至大於或等於0.5m2或1m2的表面。
有可能在可為塑膠基板的基板上添加防濕層。防濕層可具有氮化矽、碳氧化矽、氮氧化矽、氮碳氧化矽或二 氧化矽、氧化鋁氧化鈦、氧化錫、氮化鋁、氮化鈦的基底，例如，具有小於或等於10nm且較佳地大於或等於3nm或甚至5nm的厚度。其可涉及多層。
關於傳導性股線，股線為細長的--分離或較佳地互連(至少在發光區域中)，詳言之，網格。絕緣軌道具有相同架構。
較佳地，傳導性股線藉由無電極沈積且較佳地藉由鍍銀形成。
有利地，根據本發明的實施例的傳導性股線可具有小於或等於10歐姆/平方、較佳地小於或等於5歐姆/平方且甚至1歐姆/平方的薄層電阻。
傳導性股線的材料選自由銀、銅、鎳(詳言之，純材料)形成的群組，或可為與此等材料的基底的合金。傳導性股線較佳地具有銀基底。
傳導性股線可較佳地為單層(銀)或多層(較佳地，具有至少80%、甚至90%銀)。
傳導性股線可為多層(詳言之，銀多層)，且按以下次序包括(或按以下次序由以下各者組成)：第一金屬層(直接在空穴的底部或最靠近空穴的底部的金屬層上)，較佳地，自第一金屬材料製造，其較佳地具有銀的基底或自銀製造，形成小於柵格的總厚度e2的15%且甚至10%，及/或至少3nm、5nm或甚至至少10nm，且較佳地小於100nm或甚至50nm，第二金屬層(在第一層上，離開基板移動)，詳 言之，具有與第一層的可辨別界面，具有較佳地選自銀、鋁或銅當中的第二金屬材料的基底，形成第二層的柵格的總厚度e2的至少70%、80%且甚至90%，其較佳地具有銀的基底或自銀製造，詳言之，如同第一層。
詳言之，可根據第一沈積方法形成具有銀的基底的第一金屬層，例如，藉由鍍銀沈積，較佳地，具有至少20nm且甚至至少30nm的厚度，或藉由真空沈積(濺鍍)，以及使用第二沈積方法(較佳地，其為無電極沈積)形成具有銀的基底的第二金屬層，其具有至少3nm或甚至5nm的厚度。無電極沈積的優勢為比鍍銀大的銀使用率以及比濺鍍代價小的方法。
傳導性股線可為具有不同材料層的多層，例如，具有自與底層金屬層不同的材料(詳言之，不同於銀)製造的最後抗腐蝕層(水及/或空氣)，例如，金屬，具有小於10nm、較好地仍小於5nm或甚至3nm的厚度。此層(詳言之)可用於基於銀的柵格。
傳導性股線可進一步為具有兩個不同材料層(例如，雙層)且由以下各者組成的多層：自前述材料製造的(單一)中間層，較佳地，具有銀的基底，具有較佳地至少100nm的厚度，例如，藉由鍍銀或真空沈積(濺鍍)來沈積，以及保護免遭腐蝕(水及/或空氣)的上覆層，例如，自金屬、自不同於金屬層(詳言之，不同於銀)的材料製造，具有小於10nm或較好地仍小於5nm或甚至3nm的厚度。
傳導性股線可包含諸如銀的金屬層，且可塗佈有保護性的上覆層，詳言之，臨時，詳言之，聚合。
傳導性股線可較佳地直接沈積於經選擇以部分結構化的第一層或甚至介電子層上，詳言之，用於捕獲(具有有助於柵格材料的沈積的捕獲功能)。子層直接在部分結構化的層的空穴(底部，且較佳地，空穴的側腹的全部或部分)上，且較佳地不存在於部分結構化的層的表面，捕獲層較佳地為礦物，詳言之，氧化物，例如，傳導性透明氧化物。介電子層具有小於30nm、甚至10nm的厚度eA。此捕獲層易於藉由磁控管陰極濺鍍來沈積。
為簡單起見，傳導性股線較佳地直接與結構化層接觸(無在柵格與空穴底部之間的層)。
選擇A小於或等於50μm以限制股線對裸眼的可視性，且e2為至少100nm以更易於達成低Rsquare的目標。
金屬股線可互連於OLED的活性地帶中，或(僅)經由其其他端部連接至電接點。
傳導性股線可呈平行於彼此的線性股線的形式，且在其端部及/或按閉合圖案或連結(互連的股線界定閉合圖案)(例如，幾何(矩形、正方形、多邊形、蜂窩形等))的形式以及按不規則形狀及/或不規則大小連接(至彼此)至電接點。傳導性股線可具有具線(股線或條帶中的軌道)的地帶，以及具有閉合圖案(股線或具有連結的軌道)的地帶。
在空穴中，沿著股線的寬度，厚度e2未必恆定。較佳地，其界定於股線的表面的中心處。寬度A在給定空穴 中未必恆定。可將B定義為股線之間的最大距離，詳言之，對應於連結的兩個點之間的最大距離或溝槽型的兩個鄰近單獨股線(其可或可不直)之間的平均距離。
A以及B可在股線之間有變化。因為傳導性股線可呈柵格的形式，柵格可不規則，所以尺寸A因此較佳地為股線的平均尺寸，同樣，e2亦為平均值。
厚度e2(在股線的表面的中心處界定)可小於1500nm，較好地小於1000nm，詳言之，在自100nm至1000nm的範圍中，或小於800nm，且詳言之，在自200nm至800nm、詳言之自100nm至500nm或甚至100nm至300nm的範圍中(若結構化層為溶膠凝膠(例如，單獨結構化的上覆層，或第一部分結構化層))。
寬度A較佳地小於30μm以進一步限制股線對裸眼的可視性。A較佳地在自1μm至20μm、再更佳地自1.5μm至20μm或甚至自3μm至15μm的範圍中。B為至少50μm，且甚至至少200μm，且B小於5000μm，較好地小於2000μm，甚至小於1000μm。
根據本發明的實施例的傳導性股線的另一特徵為較佳地小於25%且較好地仍小於10%且甚至小於6%或2%的覆蓋率T。另外，絕緣柵格較佳地具有小於或等於T、小於25%或小於10%且甚至小於6%的覆蓋率T'。
詳言之，當e2小於500nm且A在3μm與20μm或3μm至10μm之間時，某人可能希望具有在2000μm與5000μm之間的B。此對應於在0.5%與22%或0.5%與11%之 間的覆蓋率。
對於給定Rsquare，藉由股線的高寬度A，傳導性股線的大厚度e2將為有利的以獲得透明度。
詳言之，關於在非導電域中錨定傳導性股線的若干實施例是可能的。
在第一實施例中，較佳地電絕緣且甚至較佳地溶膠凝膠的第一層就厚度而言經完全結構化，具有具寬度Wc的通孔且較佳地任何障壁子層未經結構化。
在第二實施例中，較佳地導電且甚至較佳地溶膠凝膠的第一層就厚度而言經部分結構化，且當由以下各者組成時，電絕緣：在傳導性股線下方的叫作下部區域的區域，經結構化的區域，此區域形成非導電域且具有空穴--因此盲孔--具有寬度Wc，且較佳地，側面地帶鄰近第一層且具有L1，L1大於空穴的高度ec的寬度，且L12ec且L11.4ec。
在第三實施例中，自不連續界定通孔的電絕緣材料(較佳地，礦物)製造的上覆層(單一或多層)，上覆層為非導電域的部分，頂表面為上覆層的表面，具有不超過500nm且甚至300nm或不超過100nm且較佳地至少20nm的厚度ez，為電絕緣(較佳地，礦物)的第一層，其：就厚度而言，經全部結構化(3)，具有在上覆層與第一層之間的界面處的具有寬度Wc的通孔--至少收納傳 導性股線的(中央地帶的)下部部分的空穴，傳導性股線的中央地帶的上部部分視情況在上覆層的通孔中延伸，或甚至延伸超出頂表面，或就厚度而言，經部分結構化，由以下各者組成在傳導性股線下方的叫作下部區域的區域，在上覆層下方(且在下部區域上)的結構化區域，區域具有自通孔跨越的具有寬度Wc的空穴(因此，盲開口)，詳言之，空穴至少收納傳導性股線的(中央地帶的)下半部分(傳導性股線的中央地帶的上部部分視情況在上覆層的通孔中延伸，或甚至延伸經過上表面)。
在上覆層與第一層之間的界面(上覆層-結構化區域界面)處，通孔具有寬度W1，空穴具有寬度Wc，較佳地，其中Wc1，甚至Wc>W1。
當Wc>W1時，叫作邊緣地帶的股線地帶鄰近側面地帶，比側面地帶更在周邊，且在上覆層的空穴中--因此與第一層的第一表面齊平(側面地帶形成具有厚度ez的邊緣地帶的凹座)。
當Wc>W1時，側面地帶具有定義為點X"與Y'之間的距離的寬度L1，邊緣地帶具有定義為X'與Y之間的距離的寬度L2，Y"為Y在側面地帶的表面的平面中的正交投影，L3為X"與Y"之間的距離，L3大於總高度ec+e'c，且L32(ec+e'c)，且甚至L31.4(ec+e'c)，其中ec為空穴的高度(在中間取得)且e'c為孔洞的高度。
較佳地，若W1>Wc，則在頂表面處定義A，且 若W1Wc，則在第一層的表面處定義A。較佳地，若W1>Wc，則在頂表面處定義B，且若W1Wc，則在第一層的表面處定義B。
當第一層就厚度而言經部分結構化且具有較佳地大於200nm的高度ec的空穴較佳地由張開的側腹定界時，空穴離開塑膠基板移動而變寬。可定義水平距離L大於ec，且其中L2ec。L在點X與Y之間，使得X為側腹的最高點且Y為在空穴的底部的端部處的點。
上覆層的孔洞(具有高度e'c)可由張開的側腹定界，離開塑膠基板移動而變寬，其中水平距離L'大於e'c且其中L'2e'c。
當第一層為就其厚度而言經部分結構化的層時，上表面視情況形成頂表面，空穴愈深，則側面地帶愈大。
上覆層為透明的，具有最低可能吸收性。
較佳地，上覆層最小，詳言之，包括金屬及/或氧化矽、金屬及/或氮化矽、金屬及/或氮氧化矽(SiON)的層。其厚度ez可小於200nm、150nm、100nm且甚至5nm或20nm至80nm。其可為單層或多層，詳言之，金屬氧化物或金屬氧化物與金屬氮化物(諸如，SiO2/Si3N4)的單層或多層。
上覆層為(例如)障壁(保護)層或酸蝕刻阻止層，例如，王水，其為用於導電塗層的通常ITO蝕刻溶液。較佳地，上覆層包括Ti、Zr、Al氧化物及其混合物或Sn的至少一個層，且視情況含有矽。
此等氧化物可藉由氣相沈積(詳言之，磁控濺鍍) 或藉由溶膠凝膠來沈積。較佳地，上覆層具有大於1.7的折射率。在多層的情況下，定義平均反射率較佳地大於1.7。在多層的情況下，具有低於1.7的折射率的任一層較佳地具有小於50nm的厚度。
上覆層具有盲孔，較佳地，通孔。
孔洞可具有大於20nm且較佳地至少50nm或100mm且較佳地小於300nm的高度e'c，且小於或等於30μm的寬度A'c。e'c是在孔洞的中心處取得。
孔洞可形成任何形狀(例如，直或曲折)的溝槽(一維)，其可或可不規則地間隔開，詳言之，分隔(至少一者在發光地帶中)。
孔洞可形成任何形狀的網格，意即，具有規則或不規則連結的週期性或非週期性的互連開口的網路(二維)：詳言之，幾何形狀(正方形、矩形、蜂窩形)。連結可由連結的兩個點之間的最大長度來界定。
第一層中的空穴(形成於柵格中，界定傳導性股線的配置)較佳地由傳導性股線填充。空穴由最常形成盆地的底部以及側腹定界。空穴可部分或完全地延伸穿過第一層的厚度。
分隔非導電域的第一層中的空穴可具有大於200nm且甚至至少250nm或500nm且較佳地小於1500nm或1200nm的高度ec，以及小於或等於30μm的寬度Ac。ec是在空穴的中心處取得。Ac較佳地在空穴的底部處取得。
第一層中的空穴可形成任何形狀(例如，直或曲 折)的溝槽(一維)，其可或可不規則地間隔開，詳言之，分隔(至少在發光地帶中)。
第一層中的空穴可形式任何形狀的網格，意即，具有規則或不規則連結的週期性或非週期性的互連開口的網路(二維)：詳言之，幾何形狀(正方形、矩形、蜂窩形)。連結可由連結的兩個點之間的最大長度來界定。
較佳地，ec大於200nm，甚至大於250nm或500nm。ec較佳地為次微米級。較佳地，e'c大於100nm，甚至大於250nm，且小於或等於500nm。e'c較佳地為次微米級。
根據本發明的實施例的導電支撐件可用於底部發射發光裝置或用於有機底部以及前部發射發光裝置。在另一實施例中，導電支撐件可用於諸如液晶顯示器的另一電鉻裝置中。
導電塗層具有小於20Ω.cm、甚至10Ω.cm或1Ω.cm且甚至10-1Ω.cm且大於傳導性股線的電阻率的電阻率ρ5，且具有至少1.55但仍為1.6且甚至較好地1.7的給定折射率n5。
較佳地，隨股線之間的距離而變來調整電阻率。當B較高時，其較低。
舉例而言，對於B=1000μm且e5=100nm，小於0.1Ω.cm的電阻率為較佳的。對於B為200μm且e5=100nm，小於1Ω.cm的電阻率為較佳的。
根據本發明的實施例的導電塗層對電流的較好分佈有影響。
導電塗層的表面可較佳地經設計以與OLED的有機層接觸：詳言之，HIL或HTL，或可為HIL或HTL的部分或充當HTL或HIL。
導電塗層的(外)表面可進一步具有非常大規模的波紋，通常大於0.1mm。此外，基板可為彎曲的。
導電塗層較佳地為單層而非多層。
塗層的表面可再現柵格的表面粗糙度(詳言之，藉由氣相沈積獲得)。在中央地帶上方的塗層可與頂表面欠齊平。
塗層可具有用於輸出功的自適應層，其可(例如)具有自4.5eV且較佳地大於或等於5eV的輸出功Ws。
導電塗層可因此包括(或較佳地由以下各者組成)具有在1.7與2.3之間的折射率na的礦物層，較佳地，其為塗層的最後一層(最遠離基板)且甚至是唯一的一個，詳言之。為了輸出功的自適應，較佳地，具有小於150nm的厚度，具有導電透明氧化物、簡單或混合氧化物基底：詳言之，藉由視情況摻雜的以下金屬氧化物中的至少一者的基底：氧化錫、氧化銦、氧化鋅、氧化鉬MoO3、氧化鎢WO3、氧化釩V2O5，ITO(較佳地)，(例如)具有氧化鋅錫SnZnO的基底或氧化銦鋅(叫作IZO)的基底或氧化銦鋅錫(叫作ITZO)的基底的層。
較佳地，具有氧化鋅的基底的層摻雜有鋁及/或鎵(AZO或GZO)。
ZnO氧化物的層較佳地摻雜有Al(AZO)及/或GA(GZO)，其中Zn+Al或Zn+Ga或Zn+Ga+Al或Zn+可能選自B、Sc或Sb當中或選自Y、F、V、Si、Ge、Ti、Zr、Hf且甚至In當中的另一摻雜劑的按重量計的百分比總和為金屬的總重量的至少90%，較好地仍至少95%，且甚至至少97%。
對於根據本發明的實施例的AZO的層，鋁的重量百分比對鋁與鋅的按重量計的百分比的總和(換言之，Al/(Al+Zn))可較佳地為小於10%，較佳地小於或等於5%。
為此，較佳地可使用氧化鋁與氧化鋅的陶瓷靶，使得氧化鋁的重量百分比對氧化鋅與氧化鋁的按重量計的百分比的總和(通常，Al2O3/(Al2O3+ZnO))小於或等於14%，較佳地小於或等於7%。
對於根據本發明的實施例的GZO的層，鎵的重量百分比對鋅與鎵的重量百分比的總和(換言之，Ga/(Ga+Zn))小於10%且較佳地小於或等於5%可為較佳的。
為此，較佳地可使用氧化鋅以與氧化鎵的陶瓷靶，使得氧化鎵的重量百分比對氧化鋅與氧化鎵的按重量計的百分比的總和(通常，Ga2O3/(Ga2O3+ZnO))小於或等於11%，較佳地小於或等於5%。
在具有氧化錫鋅(SnZnO)的基底的層中，Sn金屬的總重量百分比較佳地自20%至90%(且較佳地，對於Zn，自80%至10%)，且詳言之，自30%至80%(且較佳地，對於Zn，自70%至20%)，詳言之，Sn/(Sn+Zn)的重量比較佳地自20%至90%，且詳言之，自30%至80%。
礦物層(較佳地，ITO或具有氧化鋅的基底)較佳地具有小於或等於60nm、50nm或甚至40nm或30nm且甚至10nm的厚度，且具有小於10-1Ω.cm的電阻率。較佳地，選擇藉由物理氣相沈積(詳言之，藉由磁控濺鍍)沈積、選自ITO以及ZnO(AZO、GZO、AGZO)或MoO3、WO3、V2O5的層。
氧化銦錫(或摻雜有錫的氧化銦，或ITO)較佳地指自銦(III)的氧化物(In2O3)與氧化錫(IV)(SnO2)獲得的混合氧化物或混合物，較佳地對於第一氧化物按70%與95%之間的重量比例，且對於第二氧化物，按5%至20%之間的重量比例。典型重量比例為按重量計大致90%的In2O3(對於按重量計大致10%的SnO2)。
導電塗層可由具有在1.7與2.3之間、接著等於n5的折射率na的礦物層組成。
導電塗層至少在最遠離基板的(塗層的)最後一層上可包括或由以下者組成：導電聚合物的有機層，具有次微米厚度e'5，具有至少1.55、較好地仍1.6的折射率nb，聚合層能夠充當有機發光系統的電洞輸送層(HTL)或電洞注入層(HIL)。
導電塗層可由具有在1.7與2.3之間、接著等於n5的折射率nb的有機層組成。
舉例而言，其涉及來自聚噻吩族(諸如，PEDOT或PEDOT：PSS，意即，與聚苯乙烯磺酸酯混合的PEDOT)的一或多種(電)傳導性聚合物的層。
商業PEDOT或PEDOT：PSS的實例包含來自賀利氏(Heraeus)公司的：具有小於10-2Ohm.cm的ρ的CleviosTM F AND，或具有大致10的ρ的CleviosTM HIL 1.1。
導電塗層可為多層且在前述礦物層(詳言之，最後一層)下方包括(較佳地直接)直接在傳導性股線上的第一層(單層或多層柵格)，其自傳導性透明氧化物製造，具有小於200nm的厚度e'5，具有在1.7與2.3之間的折射率n'5，在絕對值n'5至n3中的偏差較佳地小於0.1，詳言之，第一層選自以下各者當中：較佳地，具有氧化鋅的基底的層，詳言之，摻雜有鋁及/或鎵(AZO或GZO)，或視情況，摻雜有ITZO，及/或(例如)具有氧化鋅錫SnZnO的基底的層(詳言之，非晶形)，較佳地，具有小於100nm的厚度，或具有氧化銦鋅(叫作IZO)的基底的層，或具有氧化銦鋅錫(叫作ITZO)的基底的層。
AZO或GZO的層可(例如)使將金屬層(詳言之，ITO層)的厚度減小至小於50nm有可能。
詳言之，有可能具有ITO/A(G)ZO或GZO雙層，或(A)GZO或AZO/ITO雙層。
導電塗層較佳地為與已提到的層相同的層(較佳地，單層)，或為複合層，在(弱)導電聚合基質中包含金屬奈米線(詳言之，銀)。
導電支撐件亦可包含為(例如)礦物(例如，氧化物或氮化物)或聚合的臨時(抽取式)保護層，用於其輸送至與柵格的沈積位置分隔的導電塗層的沈積位置。
基板可為平坦或彎曲的，且可進一步為硬性、可撓性或半可撓性的。
其主面可為矩形、正方形或甚至任何其他形狀(圓形、卵形、多邊形等)。此基板可為大的，例如，具有大於0.2m2或甚至0.5m2或1m2的表面，且具有實質上佔據表面(至結構化地帶內)的下部電極。
自塑膠材料製造的基板可為實質上透明的，可來自聚碳酸酯(PC)或PMMA或聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚氨酯(PU)、聚四氟乙烯(PTFE)等。
有利地，選擇具有高折射率的熱塑性聚合物，諸如，PEN。
基板的厚度可為至少0.1mm，較佳地，在自0.1mm至6mm(詳言之，自0.3mm至3mm)的範圍中。
如先前所定義的支撐件可更包含沈積(較佳地，直接)於導電塗層以及視情況包含HTL或HIL的鈍化層上的有機發光系統。
OLED裝置總體資訊
本發明的一實施例可為併有如先前所描述的支撐件的有機發光裝置，具有傳導性股線的電極最靠近第一表 面形成下部電極(通常為陽極)，詳言之，由有機發光材料的發光層覆蓋，發光層由上部電極(通常為陰極)覆蓋。
對於上部電極，可使用(例如)自Ag、Al、Pd、Cu、Pd、Pt、In、Mo、Au製造的金屬層(反射性，或甚至半反射性等)。
OLED裝置可產生單色光，詳言之，藍及/或綠及/或紅，或可經調適以產生白光。
為了產生白光，若干方法是可能的：在單層中的混合分量(紅、綠、藍發射)，堆疊於三個有機結構(紅、綠、藍發射)或兩個有機結構(黃以及藍)的電極的面上，三個鄰近有機結構(紅、綠、藍發射)的系列，在電極的面上，呈一個色彩的一有機結構，且在另一面上，適當發光團層。
OLED裝置可包括多個鄰近有機發光系統，每一者發射白光，或每一系列孔洞，發射紅光、綠光以及藍光，系統(例如)串聯連接。
每一行可(例如)根據給定色彩發射。
取決於使用的有機材料，OLED通常被分成兩個主要族系。若發光層為小分子，則其叫作SM-OLED(小分子有機發光二極體)。薄層的有機發光材料是自諸如AlQ3(參(8-羥基喹啉)鋁)、DPVBi(4,4'-(二苯基伸乙烯基聯二苯))、DMQA(二甲基喹吖啶酮)或DCM(4-(二氰基亞甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基胺基苯乙烯基)-4H-哌喃)的錯合物的汽化分子製造。發射層亦可(例如)為摻雜有面式三(2-苯基吡啶)銥[Ir(ppy)3]的4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)。
一般而言，SM-OLED的結構包含HIL、HTL、發射層、電子輸送層(electron transport layer；ETL)的堆疊。
有機發光堆疊的實例(例如)描述於被以引用的方式全部併入本文中的文獻US 6,645,645中。
若有機發光層為聚合物，則其叫作PLED(聚合物發光二極體)。
較佳地，導電塗層抵抗用於製造OLED的以下步驟：保持在150℃下達1h，保持在pH值13下(清潔溶液)，保持在1.5與2之間的pH值下(詳言之，在OLED系統的沈積前，若用於導電聚合物塗層的沈積)，拉出測試(擦傷測試)。
詳言之，當塑膠具有大於1.65且甚至至少1.7的高指數時，無必要在防濕層(或用於防濕層擴散)與呈漫射層的形式的第一層之間添加光提取層，且使第一面擴散。
用於提取光的構件可坐落於基板的外面(亦即，將與支承電極柵格的第一主面相對的面)上。此可為微透鏡或微角錐的網路，詳言之，如在日本應用物理學期刊(Japanese Journal of Applied Physics)第46冊第7A號第4125至4137頁(2007)中的論文中所描述。
本發明的實施例最後是關於一種用於製造如先前所定義的導電支撐件的方法，所述方法按以下次序包含以下步驟： 提供基板，包含：潛在子層在第一表面上形成防濕層，高指數連續層，其自第一層的具有折射率n3的組合物製造，高指數層中的空穴或通孔的形成，藉此形成具有結構化的厚度的第一層，其中表面為頂表面，此形成包含：在高指數層上產生不連續遮蔽層，不連續遮蔽層自具有通孔開口的給定配置的(負型或正型)光阻製造，具有側腹，詳言之，用於：塗佈光阻，使用紫外線來源在第一表面的側上暴露於紫外線。
經由遮蔽層的通孔開口對高指數層的濕式蝕刻，從而創造懸掛於空穴或通孔上方且因此界定自空穴或通孔跨越的遮蔽層的叫作內表面的表面部分的遮蔽層的地帶，開口的寬度W1小於在上表面處的空穴或通孔的寬度Wc，形成傳導性股線包括在空穴或通孔中的柵格的第一金屬材料的濕式化學沈積(較佳地，無電極)，第一材料沈積於空穴的(第一定界層的)側腹上且完全在遮蔽層的內表面上，藉此形成與頂表面齊平且粗糙比不上股線的中央地帶的側股線地帶，移除遮蔽層，詳言之，藉由濕式化學方式，較佳地，沈積導電塗層，較佳地礦物，例如，藉由物理氣相沈積， 視情況，以絕緣軌道的形式在股線的中央地帶上方形成鈍化層，所述鈍化層較佳地在存在於中央地帶上的導電塗層上。
使用濕式蝕刻方法進行蝕刻。空穴的深度藉由溶液的濃度、溶液的類型、蝕刻的持續時間及/或溶液的溫度調整。感光性遮蔽層接著抵抗蝕刻溶液。
藉由濕溶液的蝕刻為垂直以及側向，因為蝕刻溶液在所有方向上蝕刻(挖空)。蝕刻輪廓可形成半球類型的盆地。
空穴具有朝向與基板相對的方向的張開式側腹(變寬，離開基板移動)。區段可為甚至半球類型的盆地形。
以下描述使用在第一層上的結構化的上覆層的類似製造方法，所述上覆層已經描述且其表面形成頂層。
本發明的實施例因此亦關於一種用於製造如先前所定義的導電支撐件(具有在第一層上的上覆層)的方法，其按以下次序包含以下步驟：提供基板，包括：在第一表面上的可選子防濕層，連續高指數層，其自第一層的具有折射率n3的組合物製造，(直接)在高指數層上，叫作額外層的電絕緣連續層自上覆層的材料製造，在額外層中形成盲開口或通孔開口，藉此形成上覆層，其厚度經完全或部分結構化，此形成包含： 在額外層上產生自具有通孔開口的給定配置的(負型或正型)光阻製造且具有側腹的遮蔽層，詳言之，藉由塗佈光阻，使用紫外線來源在第一表面的側上暴露於紫外線，經由遮蔽層的通孔開口，藉由第一蝕刻溶液進行額外層的濕式蝕刻，從而創造懸掛於盲孔或通孔上方且因此界定自盲孔或通孔跨越的遮蔽層的表面部分(叫作內表面)的遮蔽層的地帶，在高指數層中形成空穴或通孔，藉此形成其中Wc>W1的第一部分結構化層，此形成包含：經由遮蔽層的通孔開口、上覆層的通孔，藉由較佳地不同於第一溶液的第二蝕刻溶液進行的高指數層的濕式蝕刻，且較佳地不蝕刻上覆層，從而創造懸掛於第一層中的空穴上方且藉此界定自第一層中的空穴跨越的上覆層的叫作其他內表面的表面部分的遮蔽層以及上覆層的地帶，形成傳導性股線包括在第一層中的通孔空穴以及在上覆層的通孔中的傳導性股線的第一金屬材料的濕式化學沈積(較佳地，無電極)，藉此形成在內表面下方的與頂表面齊平同時粗糙比不上股線的中央地帶的側面股線地帶，第一材料沈積於上覆層的通孔的側腹上、完全在上覆層的其他內表面上、在遮蔽層的內表面上，藉此形成邊緣地帶以及側面股線地帶， 移除遮蔽層(60)，詳言之，藉由濕式化學方式，較佳地，沈積導電塗層，較佳地礦物，例如，藉由物理氣相沈積，較佳地，以絕緣軌道的形式在股線的中央地帶上方形成鈍化層，較佳地，在存在於中央地帶上的導電塗層上。
藉由溶液的濃度、蝕刻持續時間及/或溶液的溫度調整空穴的深度(及/或上覆層的孔洞)。感光性遮蔽層抵抗蝕刻溶液(抵抗第一以及第二蝕刻溶液)。在與基板相對的方向上張開空穴(及/或上覆層的孔洞)(變寬，離開基板移動)。
藉由濕溶液的蝕刻為垂直以及側向，因為蝕刻溶液在所有方向上蝕刻(挖空)。蝕刻輪廓可為半球類型的盆地形。在所有方向上的此蝕刻為懸掛於空穴或盲孔或通孔上方的遮蔽層的地帶的來源。
Wc>W1為較佳的，因為因此更易於建立平滑的與頂表面齊平的周邊側面地帶。
導電塗層較佳地為礦物，因為後者較好地抵抗在光阻的層的化學顯影步驟及/或光阻的層的部分的消除期間使用的含水的化學溶液。
有利地，方法包括以絕緣軌道的形式在股線的中央地帶上形成鈍化層，且包含：塗佈覆蓋導電塗層的鈍化層的正型光阻，使用紫外線來源在第二主面的側上暴露於紫外線，溶液中的顯影，直至使正型光阻的層不連續，正 型光阻保持侷限於傳導性股線上方以形成鈍化層。
鈍化方法包含光微影步驟，但不使用將創造過多成本以及複雜度的光微影罩幕或對準步驟。在於第二面的側上的UV暴露期間，每一(不透明)金屬股線形成至UV的篩網，使得在股線上方的正型光阻不受暴露且不可溶於顯影劑中。鈍化層因此在傳導性股線上自對準。基於顯影，側腹將或多或少傾斜，通常使得絕緣股線的寬度隨著厚度而減小。
可經由輻射條件以及正型光阻的層的顯影條件來控制鈍化層的寬度，以便大於股線的中央地帶的寬度，以便使洩漏電流的消除更有效，同時除去邊緣效應。
可經由感光性鈍化材料的溶液的濃度以及亦輻射條件及/或顯影條件(時間以及濃度)來控制鈍化的厚度。
鈍化層的形成特別快速且容易，因為不存在對於用於沈積必須隨後被完全移除的另一犧牲材料的步驟的需求。詳言之，當H不超過100nm時，遮蔽層的移除(在導電塗層的沈積前)建立沿著傳導性股線的側面地帶的內邊緣伸展的具有至少10nm的高度的金屬隆凸，且方法包括在遮蔽層的移除後且在導電層的沈積前用於濕式蝕刻以消除隆凸的步驟。
第一金屬材料的濕式化學沈積較佳地為鍍銀，且較佳地，柵格為單層。
有利地，濕式化學沈積(較佳地，僅用於金屬柵格的沈積)可為鍍銀，且較佳地，柵格為單層，且甚至直接在空穴或盲孔的底部中沈積第一材料(其具有銀的基底)。
用於鍍銀步驟的溶液可含有銀鹽、銀離子還原劑以及甚至螯合劑。鍍銀步驟可根據在製造鏡的領域中最常用的傳統操作來進行，且(例如)描述於Mallory,Glenn O.、Hajdu,Juan B.(1990)威廉安德魯出版社/諾耶斯(William Andrew Publishing/Noyes)出版的作品《無電極電鍍-原理以及應用(Electroless Plating-Fundamentals and Applications)》的第17章中。
在一個較佳實施例中，過濾步驟包括(藉由浸沒在浴槽中或用溶液的噴霧)置放具有可能子層、第一層、可能上覆層以及遮蔽層的基板，其中通孔開口與兩個水溶液的混合物接觸，一個水溶液含有金屬鹽(例如，硝酸銀)，且另一者含有金屬離子還原劑(Ag+離子)，例如，鈉、鉀、醛、醇、糖。
最常用還原劑為羅謝爾(Rochelle)鹽(雙倍酒石酸鉀鈉KNaC4H4O6,4H2O)、葡萄糖、葡糖酸鈉以及甲醛。
較佳地，在此置於接觸前，鍍銀步驟包括(上覆層的空穴及/或孔洞的表面的)敏感化步驟，較佳地包括使用錫鹽的處理，及/或(上覆層的空穴及/或孔洞的表面的)活化步驟較佳地包括藉由鈀鹽的處理。此等處理基本上用以促進稍後的金屬化(藉由銀)以及增大形成的銀金屬層(在在空穴及/或上覆層或孔洞中)的外觀。為了此等敏感化以及活化步驟的詳細描述，可(例如)對US 2001/0033935進行參考。
更具體言之，可藉由在光阻中、在浴盆中借助通孔開口浸沒具有可能子層、第一層、可能上覆層以及遮蔽層 的基板來執行鍍銀，每一者按以下次序具有以下三個溶液中的一者：SnCl2的第一水溶液(敏感化)，較佳地，藉由攪拌(較佳地，達小於5分鐘，例如，0.5至3分鐘)，接著用(蒸餾)水沖洗，PdCl2的第二水溶液(活化)，較佳地，藉由攪拌(較佳地，達小於5分鐘，例如，0.5至3分鐘)，接著用(蒸餾)水沖洗，為銀鹽溶液的混合物的第三者，較佳地，硝酸銀，以及用於銀的還原溶液，較佳地，葡糖酸鈉，較佳地，藉由攪拌(較佳地，達小於15分鐘且甚至5分鐘，例如，0.5至3分鐘)，接著用(蒸餾)水沖洗。
經塗佈且因此鍍銀的基板接下來自最後浴槽移除，且用(蒸餾)水沖洗。
另一實施例包含按與以上相同的次序噴霧三個先前溶液，而非藉由光阻中的通孔開口浸沒具有可能子層、第一層、可能上覆層以及遮蔽層的基板。
較佳地經由濕式化學方法進行遮蔽層的移除(在導電塗層的沈積前)，詳言之，藉由溶劑(例如，丙酮等)中的超音波。
高指數層可為聚合的。
導電層、在柵格上以及(直接)在第一層上的方向或任何上覆層、單層或多層塗層及/或單或多材料塗層的沈積可為藉由物理氣相沈積，詳言之，藉由陰極濺鍍，藉由 SnZnO或AZO的可能第一沈積，以及ITO或具有ZnO(經摻雜)或MoO3、WO3或V2O5的基底的第二或最後--且較佳地，單一--沈積。
方法可包括在沈積導電塗層前至低於200℃(較佳地，在150℃與180℃之間)的溫度、達較佳地在5分鐘與120分鐘之間(且詳言之，在15分鐘與90分鐘之間)的加熱步驟，及/或在導電塗層(較佳地，礦物)的沈積後、在鈍化層的沈積前或後在低於200℃的溫度下(較佳地，在150℃與180℃之間)達較佳地在5分鐘與120分鐘之間(詳言之，在15分鐘與90分鐘之間)的加熱步驟。
此退火可用以改良銀的品質，減小諸如ITO的導電塗層的吸收(若其涉及第一退火)以及鈍化層的耐久性。
圖1圖解繪示用於具有底部發射的有機發光裝置OLED的導電支撐件100的側向剖視圖。
此支撐件100包含具有1.45至1.8的折射率ns的塑膠基板，其平滑，其中第一主面11(叫作第一表面)按以下次序支承離開基板移動的以下各者：防濕層4，諸如，氮化矽41或一堆疊薄層，具有部分結構化的厚度的第一層3，聚合或較佳地為礦物，具有高指數，具有1.7至2.3(較佳地自1.80至2.10，且詳言之自1.85至2.00)的折射率n3，較佳地，電絕緣材料，具有較佳地細微或次微米級的厚度e3，且具有主要表面36，包含：叫作下部區域30的(連續)區域，其此處直接 在子層上，具有給定厚度e'3(較佳地，細微)，覆蓋子層的表面，升高以及中空的結構化區域31，升高部分界定平頂表面34，空穴或空洞由底部33(界定下表面)以及側腹32定界，空穴具有在頂表面34處的寬度Wc以及在中間的高度ec，較佳地至多1500nm且較佳地大於100nm，空穴在可為規則或不規則的給定配置中延伸，頂表面局部平坦，包含在叫作金屬柵格的柵格2中配置的層的電極2，其自藉由無電極沈積獲得的金屬材料製造，較佳地，銀的單層(藉由鍍銀獲得)，柵格此處為藉由錨定於空穴中的股線20形成的單層--另外叫作軌道，股線在頂表面34處具有小於50μm、較好地小於或等於30μm(且至少1μm)的寬度A，且在頂表面34處間隔開小於或等於5000μm且至少50μm的距離B，柵格具有至少100nm且較佳地小於1500nm的界定於股線的中間處的厚度e2，金屬柵格具有小於20Ω/□且甚至小於10Ω/□或5Ω/□的薄層電阻，導電塗層5，較佳地呈單層以及甚至礦物，具有小於或等於500nm或100nm且甚至小於或等於60nm的厚度e5，具有小於20Ω.cm且大於金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，且具有至少1.5且較好地仍為1.7的給定折射率，此處由較佳地自ITO(或AZO或GZO、AGZO)製造的礦物層在柵格2以及頂表面34上組成，或替代地其為高指數傳導性聚合層(諸如，藉由濕式化學方式沈積的PEDOT：PSS)，具有(例如)大致10-1Ohm.cm的電阻率ρ1，具有大致100nm或更大 的厚度，直接在導電塗層5上的鈍化層6，在光阻中不連續，具有小於1000nm的厚度e6(在空穴的中間處取得)。
空穴具有張開式側腹，此歸因於在以下概述的第一部分結構化層的形成期間的連續層的濕式蝕刻方法。
股線20沿著其長度具有在與頂表面34齊平的側面地帶22、22'之間的中央地帶21，且中央地帶21的表面粗糙度大於側面地帶22、22'的表面粗糙度。
為了特性化金屬柵格2，如圖1a中所繪示(圖1的詳圖無鈍化層)，吾人已繪示A、B、e2以及中央地帶Am的寬度，且對於空穴，在空穴的底部處的寬度Ac，且ec為自空穴的底部的中心開始的高度。
側腹為張開式(變寬，離開基板1移動)，且水平距離L界定於X與Y之間，使得X為側腹的最高點且Y為在空穴的底部的端部處的點。L大於ec，L2ec，且甚至L1.4ec。
在中央地帶21中，股線表面的中間與頂表面分隔開在第一表面的法線處取得且小於或等於500nm的垂直距離H。此處，中央地帶21與頂部地帶34欠齊平。
股線具有比側面地帶粗糙(歸因於諸如鍍銀的無電極沈積)的中央地帶21以及具有寬度L1的平滑側面地帶22、22'。中央地帶Am的寬度未必大於L1；此取決於A、H以及ec的值。
中央地帶以及平坦側面地帶的粗糙度參數的實例隨厚度e2而變記錄於下表中。
ITO塗層5較佳地藉由磁控管陰極濺鍍來沈積。其表面接著與底層表面(第一部分結構化層3的表面)一致，具有平坦以及平滑側面地帶22、22'，其中中央地帶21比側面地帶粗糙。
鈍化層6形成位於中央地帶21上方以及股線的側面地帶22、22'上方的絕緣軌道的柵格，其覆蓋中央地帶且部分或完全覆蓋側面地帶且不側向突起經過股線的外邊緣或側向凸起經過股線的外邊緣至多1μm。此處每一絕緣軌道的側腹6f按大致45°的與頂表面34的角度α傾斜。每一絕緣軌道的區段為圓頂形，無銳角。每一絕緣軌道的上表面6s以及每一絕緣軌道的側腹6f平滑，鈍化層6使中央地帶21平坦化且保留側面地帶22、22'的平滑本質。
為了接下來製造OLED裝置，將單接面或多接面(串接等)的有機發光系統添加至反射性(半反射性)上部電極，詳言之，金屬(例如，具有銀或鋁的基底)。
圖1b說明(例如)在圖1的支撐件100中使用 的金屬柵格的圖解俯視圖。其為具有線性分隔股線20(因此，在形成線性分隔槽溝的空穴中)的金屬柵格，具有在頂表面處的寬度A以及在頂表面處的距離B，例如，在圖1的支撐件100中使用。在圖案B之間的距離對應於鄰近股線之間的平均距離。
圖1c繪示(例如)在圖1的支撐件100中使用的金屬柵格的圖解俯視圖。金屬柵格2呈(例如)按蜂窩或任何其他幾何形狀(正方形等)或非幾何形狀形成連結或閉合圖案的互連股線20的形式。圖案B之間的距離對應於連結的兩個點之間的最大距離。
在相對於(圖1的)第一實施例的實例編號1中，已選擇以下特徵。
塑膠1平坦、平滑，自PEN製造，具有大致1.75的指數，例如，150μm厚，且至少90%的TL。
障壁層為一堆疊金屬氧化物或氮化物或氧化矽或氮化矽的薄層。
第一層為TiOx溶膠凝膠層，具有400nm的厚度。此層可替代地藉由陰極濺鍍來沈積。
厚度ec為350nm。第一層3的空穴是藉由蝕刻獲得，如稍後概述。
第一部分結構化層3局部平坦。頂表面34的粗糙度由小於4nm的Rq界定。
柵格2為藉由鍍銀直接沈積在空穴中的銀單層，如稍後概述。銀此處部分填充空穴，具有等於大致300nm的 e2。H因此等於50nm。為網格的柵格的圖案為六邊形。寬度A等於12μm，且最大距離B為560μm。覆蓋率T為4.5%。
導電塗層5為50nm的氧化銦錫ITO層組成，具有大致2的折射率，以及小於10-1Ω.cm的電阻率ρ5。
使用傳統4點方法量測的總成的Rsquare(在於150℃下退火達30分鐘後)為大致3.0歐姆/平方。
形成局部化的絕緣柵格的鈍化層又為正型感光性聚醯亞胺層，其中e6為大致300nm。
接下來，添加發光系統，其可包含：具有可變厚度(在大致200nm與600nm之間)的HTL
10nm的電子阻擋層(electron blocking layer；EBL)
10nm的有機發光層
25nm的藍發光層
10nm的電洞阻擋層(hole blocking layer；HBL)
40nm的電子輸送層(ETL)。
陰極為量測100nm的鋁層。
圖7a至圖7i為根據第一實施例(詳言之，相對於實例編號1)的導電支撐件的製造的圖解視圖(未按比例)，其中第一部分結構化層的製造藉由化學蝕刻，且銀柵格的製造藉由鍍銀。
自塗佈有子層的PEN基板1，圖7a中說明的第一步驟包含： 在子層上形成高指數層3a，其包含具有所述折射率n3的第一層的材料，藉由旋塗在層3a上塗覆呈液態的遮蔽材料、正型光阻、AZ®1505樹脂的層60。
接下來在對流烘箱中於100℃下對沈積的光阻退火達20分鐘。光阻的厚度為800nm。
圖7b中說明的第二步驟包含產生光阻圖案。為此，將具有不連續部71的光微影罩幕70塗覆於樹脂60上，且經由不連續部71，在不規則或規則配置中，在用於網格的分隔(平行)條帶或互連條帶中，藉由Hg燈在20mW/cm2(在365nm下)下使樹脂60經受在主要第一面11的側上的UV輻射達10秒。
圖7c中說明的第三步驟包含在光阻60中創造通孔開口。輻射地帶是藉由溶解於具有四甲基銨氫氧化物(TMAH)的基底的特定顯影劑中來消除，且用去離子水沖洗，因此形成穿過光阻的通孔開口。定界通孔開口的光阻的側腹61為張開式，離開PEN基板移動。因此，在光阻60的外或上表面63處，每一通孔開口的寬度大於在頂表面34處的寬度W0。
替代地，可使用負型光阻以及逆光蝕刻罩幕(移除非輻射地帶以形成開口)。
圖7d中說明的第四步驟包含在介電質以及高指數連續層3a(諸如，TiOx層)中創造空穴。較佳地，藉由濕式蝕刻而非乾式在環境溫度下形成第一部分結構化層。選定 抗蝕劑60因此抵抗蝕刻溶液(此處為具有NH3以及H2O2的基底的溶液)。蝕刻形成具有深度ec的空穴、側腹32，且空穴為張開式，離開塑膠1移動。對於實例編號1，ec等於350nm。
蝕刻溶液在所有方向上蝕刻(挖空)：垂直以及側向。
蝕刻輪廓為盆地形。高指數層3a的濕式蝕刻創造懸掛於空穴上方且藉此界定自空穴32跨越的遮蔽表面60的表面部分(叫作內表面62、62')的遮蔽層的地帶。每一空穴具有大於寬度W0的寬度Wc(在頂表面處)。內表面62、62'具有實質上等於L的寬度L0。空穴的底部33為平的。
圖7e中說明的第五步驟包含經由濕式化學方法(且更具體言之，無電極方法)沈積柵格材料2，因此較佳地，藉由鍍銀。在空穴中經由光阻60的開口進行沈積(抵抗蝕刻)，以較佳地部分填充其，如此處所說明。
在空穴的底部中、在空穴的側腹上、在光阻的內表面62、62'上、在光阻的側腹上(且不存在於層3的頂表面)以及在不連續上表面63上沈積銀。
更具體言之，鍍銀部分地填充每一空穴且沈積於底部中、側腹上以及遮蔽層的全部內表面62、62'上，藉此自通孔開口跨越形成與頂表面齊平且粗糙比不上中央股線地帶21的側面股線地帶22、22'。每一側面地帶22、22'的寬度L1大致等於L0+e2。
對於實例編號1，對於大致300nm的厚度e2(其 中H等於50nm且中央地帶欠齊平)，使用以下操作模式在第一部分結構化層3中沈積銀層：根據以下來稀釋鍍銀溶液(由DR.-ING.SCHMITT公司(GMBH Dieselstr.16，64807 Dieburg/德國)提供的用於稀釋的溶液：在250cm3的瓶中100μL的Miraflex® 1200(SnCl2溶液)(溶液編號1)
在250cm3的瓶中200μL的Miraflex® PD(PdCl2溶液)(溶液編號2)
在250cm3的瓶中15mL的Miraflex® RV(還原溶液，葡糖酸鈉)(溶液編號3)
在250cm3的瓶中15mL的Miraflex® S(硝酸銀溶液)(溶液編號4)
在環境溫度下使用前述溶液；將基板(具有層4、3)置放於倒入溶液編號1的內容物的浴盆中，攪拌達1分鐘，接著用蒸餾水沖洗；將基板(具有層4、3)置放於倒入溶液編號2的內容物的第二浴盆中，攪拌達1分鐘，接著用蒸餾水沖洗；將基板(具有層4、3)置放於倒入溶液編號3以及4的內容物的最後浴盆中，攪拌達2分鐘，接著用蒸餾水沖洗。
圖7f中說明的第六步驟包含藉由丙酮溶劑且使用超音波經由濕式化學方法移除光阻。
接下來較佳地在環境溫度下將導電支撐件浸沒 於H2O：H2O2：NH3(500：20：1)的溶液中達3至5分鐘，以便消除銀隆凸。在具有H小於100nm的欠齊平柵格的情況下，或當柵格過齊平時，特別推薦此化學處理。
圖7g中說明的第七步驟包含藉由陰極濺鍍沈積導電塗層5。對於實例編號1，此為氧化銦錫ITO層。藉由自氧化銦(按重量計90%)以及氧化錫(按重量計10%)製造的陶瓷靶，在2x10-3毫巴的壓力的1%下，在氬與氧O2的混合物/(Ar+O2)下藉由磁控管陰極濺鍍來沈積ITO。
替代地，選擇AZO、GZO或AGZO。替代地，其涉及此等材料或甚至具有或無金屬奈米線的傳導性聚合物的濕式化學沈積。
接下來在150℃下進行第一退火達30分鐘。
第八步驟包含：藉由覆蓋導電塗層5的旋塗，沈積自正型光阻(對於實例編號1，其為感光性聚醯亞胺(Toray，聚醯亞胺系列-DL 1600))製造的層6a，接著為用於在對流烘箱中退火(100℃，20分鐘)的步驟
使用紫外線來源(對於實例編號1，其為Hg燈)，在20mW/cm2下(在355nm下)，在第二主面12的側上，暴露於在圖7h中說明的紫外線。
圖7i中說明的第九步驟包含在具有四甲基銨氫氧化物(TMAH)的基底的溶液中的正型光阻的顯影的結果，以及用於在去離子水中沖洗直至使聚醯亞胺層6不連續的步驟，從而使導電塗層5的地帶中的未暴露的聚醯亞胺(歸因 於由銀股線進行的開缺口)位於銀股線20上方。
形成絕緣柵格6的聚醯亞胺鈍化層位於大致300nm的厚度處。
接下來在170℃下進行第二退火達60分鐘，伴隨著消除或不消除第一退火。在第二退火後，聚醯亞胺鈍化層的厚度自380nm減小至300nm。
根據本發明的實施例的導電支撐件因此使製造具有較好的光功效(經由提取層的存在以及由低薄層電阻造成的歐姆損失的減小)的大OLED(藉由獲得低薄層電阻)有可能，而不使洩漏電流(及因此OLED的使用期限)變糟(歸因於金屬柵格的鈍化)。
圖1d說明繪示頂表面34以及在第一結構化高指數層中錨定的股線(如在實例編號1中)的第一部分結構化層的空穴的區段的直接詳圖，其中在由本申請人進行的比較實例中，柵格的股線藉由PVD沈積。
藉由銀靶，在8 10-3mbar的壓力下，在氬氣下，藉由磁控管陰極濺鍍沈積銀。
藉由歸因於遮蔽層的陰影效應，股線的側面地帶22"a以及22"b為盆地形。此等盆地產生洩漏電流。
側面地帶22"a以及22"b創造產生電流的形態破裂。
圖2為根據本發明的第二實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中第一層3經完全結構化且子層經消除。實例1的製造條件是藉由第一高指數層的蝕刻持 續時間來修改，使得ec經自350nm減小至400nm。
圖3為根據本發明的第三實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中鈍化6在中央地帶21與導電塗層5之間。
圖4為根據本發明的第四實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，第四實施例與第一實施例的不同之處在於，中央股線地帶與頂表面34過齊平。實例1的製造條件是藉由第一高指數層的蝕刻持續時間來修改，使得ec經自350nm減小至250nm。
圖5為根據本發明的第五實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，其中柵格與不連續導電塗層的表面齊平，同時不存在於中央地帶21。在金屬柵格以及鈍化層的形成前，已沈積塗層，不連續能夠藉由濕式蝕刻來進行。
圖6為根據本發明的第六實施例的用於OLED的導電支撐件的圖解剖視圖，第六實施例與第一實施例的不同之處在於，仍藉由諸如鍍銀的無電極沈積而沈積的柵格2錨定於第一部分結構化層中，且亦在第一層3上的經結構化的上覆層3'中。
在銀股線之間的非導電域的頂表面為上覆層34'的表面，接著定義在股線21的中央地帶的表面與上覆層34'的表面之間的H。
自電絕緣且較佳地礦物材料製造的上覆層3'經結構化且不連續地界定通孔，具有自20nm至100nm的厚度ez。
在界面34(上覆層3'與第一層3之間的界面)處，通孔具有寬度W1，其中Wc>W1。
叫作邊緣地帶22a、22'a的股線地帶鄰近側面地帶22、22'，且比側面地帶更在周邊，且在上覆層下方的空穴中，因此與第一層3的表面34齊平。
如藉由圖6'中的詳圖所繪示：側面地帶22、22'具有定義為點X"與Y'之間的距離的寬度L1，邊緣地帶22a、22'a具有定義為點X'與Y之間的距離的寬度L2，L3為X"與Y"之間的距離，Y"為Y在側面地帶22、22'的表面的平面中的正交投影。
L3大於總高度ec+e'c且L32(ec+e'c)，其中ec為空穴的高度且e'c為上覆層3的孔洞的高度。
在一個實例中，第一層為量測為400nm的氧化鈦層，且上覆層為具有厚度ez等於30nm的氧化矽層，例如，藉由PVD或溶膠凝膠沈積，或替代地，為儘可能細的二氧化矽層。此可為多層。通常，ec大於e'c(ez)。
上覆層較佳地抵抗諸如ITO的導電塗層的蝕刻溶液(在「圖案化」期間)，諸如，王水。其形成用於第一層的保護層。
許多不同態樣以及實施例是可能的。彼等態樣以及實施例中的一些描述於下文中。在閱讀本說明書後，技術人員應瞭解，彼等態樣以及實施例僅為說明性的且不限制本 發明的範疇。例示性實施例可根據如下所列實施例中的任何一或多個。
實施例1.一種用於OLED的導電支撐件(100)，包含：- 一塑膠基板(1)，具有在自1.45至1.8的範圍中的折射率n1，具有叫作第一表面的第一主面(11)，- 一電極，其由塑膠基板支撐且在第一表面(11)的側上，所述電極包含配置於叫作金屬柵格的柵格(2)中的層，柵格自具有小於20Ω/□的薄層電阻、至少100nm的厚度e2的金屬材料製造，柵格自股線(20)形成，股線具有小於或等於50μm的寬度A且分隔開小於或等於5000μm且至少50μm的股線間距離B，所述股線由具有更遠離基板的頂表面(34、34')多個非電絕緣非導電域(31、3')分隔開，其特性在於，在第一表面(11)的側上，導電支撐件包含第一層，較佳地，電絕緣，具有給定組合物，具有1.7至2.3的折射率n3，第一層直接在第一表面上或在防濕層(4)礦物上，就厚度而言，第一層經部分或完全結構化，具有通孔或空穴，具有寬度Wc以至少部分錨定金屬柵格，頂表面為第一層的表面或在第一層上的上覆層礦物的表面，其中股線(20)沿著其長度具有在與頂表面(34、34')齊平的側面地帶(22、22')之間的中央地帶(21)，且中央地帶(21)的表面粗糙度大於側面地帶(22、22')的表面粗糙度，其中支撐件更包括：- 導電塗層(5)，其自覆蓋頂表面(34、34')的有機或 礦物材料製造，在側面地帶上方且與側面地帶電連接，視情況，存在於中央地帶上方且與中央地帶(2)電連接，具有小於或等於800nm的厚度e5，具有小於20Ω.cm且大於金屬柵格的電阻率的電阻率ρ5，且其具有至少1.5的折射率n5，且在中央地帶(21)中，股線表面(20)的中間與頂表面分隔開在第一表面(11)的法線處取得且小於或等於500nm的垂直距離H。
實施例2.根據先前實施例的導電支撐件(100)，其特性在於，側面地帶(22、22')的粗糙度參數Rq不超過5nm。
實施例3.根據先前實施例的導電支撐件(100)，其特性在於，其包括自電絕緣材料製造的不連續鈍化層(6)，形成位於中央地帶(21)上方且視情況在股線的側面地帶(22、22')上方的隔離軌道的柵格，不自股線的外邊緣側向突起或自股線的外邊緣側向突起不超過1μm。
實施例4.根據實施例3的導電支撐件(100)，其特性在於，鈍化層(6)具有在中央地帶(21)上方的上表面(6s)，其具有小於10nm的粗糙度參數Rq。
實施例5.根據實施例3或4中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，鈍化層(6)為較佳地藉由溶膠凝膠的氧化層及/或為金屬及/或矽的材料的氮化物以及較佳地氮化矽或氮化鈦、或氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氧化鈮以及其混合物的層。
實施例6.根據實施例1至5中的一者的導電支撐 件(100)，其特性在於，導電塗層不連續，自中央地帶缺失，且H接著定義於股線表面(20)的中間與導電塗層的表面之間。
實施例7.根據實施例3或4中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，電絕緣材料為在具有以下材料中的至少一者的基底的導電塗層上的正型光阻，具有小於1000nm的厚度e6：聚醯亞胺、聚矽氧烷、苯酚甲醛、聚甲基丙烯酸甲酯。
實施例8.根據實施例3或4中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，鈍化層在中央地帶與導電塗層之間。
實施例9.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，第一電絕緣層為氧化層，較佳地，藉由溶膠凝膠，及/或為金屬及/或矽的材料的氮化物以及較佳地氮化矽或氮化鈦、或氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氧化鈮以及其混合物的層，或為傳導性透明氧化物的層。
實施例10.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100至200)，其特性在於，塑膠為熱塑性薄膜，較佳地，PEN。
實施例11.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，中央地帶(21)與頂表面(34、34')欠齊平，且H大於100nm，甚至大於150nm。
實施例12.根據實施例1至10中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，H小於或等於100nm，且甚至較佳地中央地帶與頂表面欠齊平，較佳地，金屬股線表面(20) 經剝去在側面地帶(22、22)的內邊緣上伸展的具有大於10nm的高度的隆凸。
實施例13.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，金屬柵格(2、20)是藉由無電極沈積且較佳地藉由鍍銀獲得。
實施例14.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，較佳地自銀製造的金屬柵格(2、20)具有小於25%或小於10%且甚至小於6%的覆蓋率T。
實施例15.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，金屬柵格(2、20)的厚度e2小於1500nm，較佳地，在自100nm至1000nm的範圍中，且詳言之，在自200nm至800nm的範圍中，寬度A小於30μm，較佳地，在自1.5μm至20μm的範圍中。
實施例16.根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，導電塗層(5)包括具有在1.7與2.3之間的折射率na、具有小於150nm的厚度的礦物層，其自導電透明氧化物製造，較佳地，具有氧化銦錫的基底或氧化鋅的基底。
實施例17.根據實施例1至16中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，就厚度而言，第一層經完全結構化(3)，具有具寬度Wc的通孔，較佳地，任何障壁子層並非結構。
實施例18.根據實施例1至16中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，就其厚度而言，第一層(3)經部 分結構化，同時由以下各者組成：- 叫作下部區域的區域(30)，其在金屬柵格下方，- 結構化區域(31)，此區域形成非導電域且具有具寬度Wc的空穴，且較佳地側面地帶鄰近第一層且具有寬度L1，L1大於空穴的高度ec且L12ec且L11.4ec。
實施例19.根據實施例1至16中的一者的導電支撐件(100)，其特性在於，非導電層包含：- 上覆層(3')，其自電絕緣材料(較佳地，礦物)製造，其不連續地界定通孔，上覆層為非導電域的部分，且較佳地至少20nm，- 為較佳地電絕緣(較佳地，礦物)的第一層，其：- 就厚度而言，經全部結構化(3)，在上覆層與第一層之間的界面處具有具寬度Wc的通孔，- 或就厚度而言，經部分結構化(3)，由以下各者組成：- 叫作下部區域的區域(30)，其在金屬柵格下方，- 結構化區域(31)，其在上覆層下方，區域具有自通孔跨越的空穴，在上覆層與第一層之間的界面處具有寬度Wc，在上覆層與第一層之間的界面處，通孔具有寬度W1，較佳地，其中Wc1，當Wc>W1時，叫作邊緣地帶(22a、22'a)的股線地帶鄰近側面地帶，比側面地帶更在周邊，且在上覆層的空穴中，當Wc>W1時，側面地帶具有定義為點X"與Y'之間的距離的寬度L1，邊緣地帶具有定義為點X'與Y之間的距離L2，Y"為Y在側面地帶(22、22')的表面的平面中的正交投影， L3為X"與Y"之間的距離，L3大於總高度ec+e'c且L32(ec+e'c)，其中ec為空穴的高度(在中間取得)且e'c為孔洞的高度。
實施例20.一種併有根據實施例1至20的導電支撐件(100)的有機發光裝置，具有金屬柵格(2)的電極最靠近基板的第一表面(11)形成下部電極。
實施例21.一種用於製造根據先前實施例中的一者的導電支撐件(100)的方法，其特性在於，其按以下次序包含以下步驟：
- 提供基板(1)，按以下次序包含：
- 潛在子層在第一表面(11)上形成防濕層，
- 高指數連續層(3a)，其自第一層的具有折射率n3的組合物製造，
- 高指數層(3a)中的空穴或通孔的形成，藉此形成具有結構化的厚度的第一層(3)，其中表面為頂表面(34)，此形成包含：
- 在高指數層(3a)上產生不連續遮蔽層(60)，不連續遮蔽層自具有通孔開口的給定配置的光阻製造，具有側腹(61)，詳言之，用於：
- 光阻的實心層沈積
- 使用紫外線來源在第一表面(11)的側上暴露於紫外線，
- 經由遮蔽層的通孔開口進行的高指數層(3a)的濕式蝕刻，從而創造懸掛於空穴或通孔上方且因此界定自空穴(32、33)或通孔跨越的遮蔽層(60)的叫作內表面(62、62')的 表面部分的遮蔽層的地帶，
- 形成金屬柵格(2)包括柵格的第一金屬材料在空穴或通孔中的液體沈積(較佳地，無電極)，第一材料沈積於空穴或通孔的側腹(32)上且完全在遮蔽層(60)的內表面(62、62')上，藉此形成與頂表面(34)齊平且粗糙比不上股線(21)的中央地帶的側面股線地帶(22、22')，
- 移除遮蔽層(60)，詳言之，藉由液體方式。
- 較佳地，藉由絕緣軌道在股線的中央地帶上方形成絕緣柵格鈍化層，較佳地，在存在於中央地帶上的導電塗層上。
實施例22.一種用於製造根據先前導電支撐件實施例中的一者的導電支撐件(100)的方法，其特性在於，其按以下次序包含以下步驟：- 提供基板(1)，包括：- 在第一表面(11)上的可選子防濕層，- 連續高指數連續層(3a)，其自第一層的具有折射率n3的組合物製造，- 在高指數層(3a)上，叫作額外層(3'a)的電絕緣連續層自上覆層(3')的材料製造，- 在額外層(3'a)中形成盲開口或通孔開口，藉此形成上覆層(3')，其厚度經完全或部分結構化，此形成包含：- 在額外層(3'a)上產生自具有通孔開口的給定配置的不連續光阻(60)製造且具有側腹的遮蔽層，詳言之，藉由- 光阻的實心層沈積，- 使用紫外線來源在第一表面(11)的側上暴露於紫外線， - 經由遮蔽層的通孔開口(61)，藉由第一蝕刻溶液進行額外層(3'a)的濕式蝕刻，從而創造懸掛於盲孔或通孔上方且因此界定自盲孔或通孔跨越的遮蔽層的叫作內表面(62、62')的表面部分的遮蔽層的地帶，- 在高指數層(3a)中形成空穴或通孔，藉此形成其中Wc>W1的第一部分結構化層(3)，此形成包含：- 經由遮蔽層的通孔開口、上覆層的通孔，藉由較佳地不同於第一溶液的第二蝕刻溶液進行高指數層(3a)的濕式蝕刻，且較佳地不蝕刻上覆層，從而創造懸掛於第一層的空穴或通孔上方且藉此界定自第一層的空穴或通孔跨越的上覆層的叫作其他內表面(22a、22'a)的表面部分的的遮蔽層(60)以及上覆層的地帶，- 形成金屬柵格(2)包括在第一層的通孔空穴或孔洞中以及在上覆層的通孔中的柵格的第一金屬材料的液體沈積(較佳地，無電極)，藉此在內表面(62、62')下方形成與頂表面(34')齊平且粗糙比不上股線(21)的中央地帶的側面股線地帶，第一材料完全在上覆層(3)的其他內表面(22a、22a)上、在遮蔽層(60)的內表面(62、62')上沈積於上覆層的通孔的側腹上，藉此形成邊緣地帶(22a、22'a)以及側面股線地帶(22、22')，- 移除遮蔽層(60)，詳言之，藉由液體方式，- 較佳地，在股線的中央地帶上方形成自絕緣軌道形成的絕緣柵格鈍化層，較佳地，在存在於中央地帶上的導電塗層上。
實施例23.根據先前方法實施例中的一者的用於製造導電支撐件(100)的方法，其特性在於，第一金屬材料的液體沈積為鍍銀，且較佳地柵格(2)為單層。
實施例24.根據先前方法實施例中的一者的用於製造導電支撐件(100)的方法，其特性在於，在股線的中央地帶上自絕緣軌道形成的絕緣柵格鈍化層的形成包含：- 覆蓋導電塗層的鈍化層(6)的正型光阻的實心層沈積，- 使用紫外線來源在第二主面(12)的側上暴露於紫外線，- 溶液中的顯影，直至使正型光阻的層不連續，正型光阻保持侷限於金屬柵格(2)上方以形成鈍化層(6)。
實施例25.根據先前方法實施例中的一者的用於製造導電支撐件(100)的方法，其特性在於，詳言之，當H不超過100nm時，在金屬柵格的形成後的遮蔽層(60)的移除創造沿著金屬柵格的側面地帶(22、22')的內邊緣伸展的具有至少10nm的高度的金屬隆凸，且方法包括在遮蔽層(60)的移除後且在導電層的沈積前用於濕式蝕刻以消除隆凸的步驟。
實施例26.根據先前方法實施例中的一者的用於製造導電支撐件(100)的方法，其特性在於，第一金屬材料的液體沈積為鍍銀，且柵格(2)較佳地為單層。
實施例27.根據先前方法實施例中的一者的用於製造導電支撐件(100至200)的方法，其特性在於，其包括在沈積導電塗層(5)前用於加熱至低於200℃的溫度(較佳地，在150℃與180℃之間)達較佳地在5分鐘與120分鐘之 間且詳言之在15分鐘與90分鐘之間的持續時間的步驟，及/或其中其包括在導電塗層(較佳地，礦物)的沈積後，在鈍化層的沈積前或後，用於加熱至低於200℃的溫度(較佳地，在150℃與180℃之間)達較佳地在5分鐘與120分鐘之間且詳言之在15分鐘與90分鐘之間的持續時間的步驟。
實施例28.一種導電支撐件，包括：第一層，其具有主要表面且界定自主要表面延伸的空穴；在第一層的空穴內的傳導性股線，其中傳導性股線具有在中央地帶以及側面地帶內的上表面，其中：第一絕緣層的主要表面更靠近側面地帶，而非中央地帶；且上表面具有比在側面地帶內的表面粗糙度粗糙的在中央地帶內的表面粗糙度；以及導電層，其上覆於傳導性股線以及第一層，其中導電層沿著在側面地帶內的傳導性股線的上表面接觸傳導性股線。
實施例29.實施例28的導電支撐件，其中在中央地帶內的表面粗糙度比在側面地帶內的表面粗糙度大至少5%、至少10%、至少50%或至少100%。
實施例30.實施例28或29的導電支撐件，其中側面地帶的粗糙度參數Rq為至多5nm、至多3nm、至多2nm或至多1nm。
實施例31.實施例28至30中的任一者的導電支撐件，其中中央地帶的粗糙度參數Rq為至少10nm、至少20nm或至少60nm。
實施例32.實施例28至31中的任一者的導電支撐件，其中如與在側面地帶內的傳導性股線的上表面相比，在中央地帶內的傳導性股線的上表面在不同高程處。
實施例33.實施例28至32中的任一者的導電支撐件，更包括鈍化層，其中導電層安置於第一層與傳導性股線之間，且導電層接觸傳導性股線的中央地帶；或鈍化層安置於傳導性股線與導電層之間，且鈍化層接觸傳導性股線的中央地帶。
實施例34.實施例33的導電支撐件，其中鈍化層具有不大於傳導性股線的寬度的1.9倍、不大於傳導性股線的寬度的1.5倍、不大於傳導性股線的寬度的1.1倍或不大於傳導性股線的寬度的0.99倍的寬度。
實施例35.實施例28至34中的任一者的導電支撐件，其中導電層包含透明傳導性氧化物。
實施例36.實施例28至35中的任一者的導電支撐件，更包括基板，其中第一層具有如與基板相比較高的折射率。
實施例37.實施例28至36中的任一者的導電支撐件，更包括基板以及安置於基板與第一層之間的防濕層。
實施例38.實施例28至37中的任一者的導電支撐件，其中傳導性股線為傳導性柵格的部分。
實施例39.一種包含實施例28至38中的任一者的導電支撐件的有機發光裝置。
實施例40.一種形成導電支撐件的方法，包括： 在具有主要表面的第一層上形成經圖案化遮蔽層，其中經圖案化遮蔽層包含開口；蝕刻在開口下方的第一層中的空穴，使得經圖案化遮蔽層的地帶懸掛於空穴上；使用濕式化學沈積在空穴內沈積傳導性材料；以及移除經圖案化遮蔽層以在空穴內形成傳導性股線，其中傳導性股線具有側面地帶以及中央地帶，側面地帶由傳導性股線的由經圖案化遮蔽層的地帶覆蓋的一部分界定，且當沈積傳導性材料時，中央地帶在經圖案化遮蔽層中的開口下；以及形成上覆於傳導性股線以及第一層的導電層，其中導電層沿著在側面地帶內的傳導性股線的上表面接觸第一層以及傳導性股線。
實施例41.實例例40的方法，更包括：在傳導性股線上形成一鈍化層；將鈍化層選擇性暴露於輻射，其中傳導性股線充當罩幕，使得鈍化層的上覆於傳導性股線的部分不暴露於輻射；以及移除鈍化層的暴露部分且留下鈍化層的其餘部分。
實施例42.一種形成導電支撐件的方法，包括：在具有主要表面的第一層上形成經圖案化遮蔽層，其中經圖案化遮蔽層包含開口；蝕刻在開口下方的第一層中的空穴，使得經圖案化遮蔽層的地帶懸掛於空穴上；使用濕式化學沈積在空穴內沈積傳導性材料；以及 移除經圖案化遮蔽層以在空穴內形成傳導性股線，其中傳導性股線具有側面地帶以及中央地帶，側面地帶由傳導性股線的由經圖案化遮蔽層的地帶覆蓋的一部分界定，且當沈積傳導性材料時，中央地帶在經圖案化遮蔽層中的開口下；在傳導性股線上形成一鈍化層；將鈍化層選擇性暴露於輻射，其中傳導性股線充當遮蔽層，使得鈍化層的上覆於傳導性股線的部分不暴露於輻射；以及移除鈍化層的暴露部分且留下鈍化層的其餘部分。
實施例43.實施例40至42中的任一者的方法，其中使用無電極電鍍執行沈積傳導性材料。
實施例44.實施例40至43中的任一者的方法，其中傳導性股線的上表面具有比在側面地帶內的表面粗糙度粗糙的在中央地帶內的表面粗糙度。
實施例45.實施例40至44中的任一者的方法，更包括在形成導電層後形成鈍化層。
實施例46.實施例40至44中的任一者的方法，更包括形成鈍化層，其中在形成鈍化層後執行形成導電層。
實施例47.實施例40至46中的任一者的方法，其中移除經圖案化遮蔽層亦移除上覆於經圖案化遮蔽層的傳導性材料。
應注意，並非所有以上在一般描述或實例中描述的活動皆是需要的，具體活動的一部分可能是不需要的，並且可執行一或多個除描述的活動之外的另外活動。再另外， 列出活動的次序未必為執行其的次序。
已在上文關於特定實施例描述了益處、其他優勢以及問題的解決方案。然而，益處、優勢、問題的解決方案以及可使任何益處、優勢或解決方案出現或變得更明顯的任何特徵不應被解釋為任何或所有申請專利範圍的重要、必需或基本特徵。
本文中所描述的實施例的詳述以及說明意欲提供對各種實施例的結構的一般理解。詳述及說明並不意欲充當使用本文中所描述的結構或方法的設備以及系統的所有要素以及特徵的詳盡且全面的描述。在單一實施例中亦可以組合形式提供單獨的實施例，且相反地，為簡潔起見，在單一實施例的情況下所描述的各種特徵亦可單獨地或按任何子組合來提供。另外，對按範圍敍述的值的提及包含彼範圍內的每一個值。僅在閱讀本說明書後，許多其他實施例對於技術人員可為顯而易知的。可使用其他實施例且其他實施例可自本揭露內容導出，使得在不脫離本發明的範疇的情況下，可進行結構取代、邏輯取代或另一改變。因此，本揭露內容應被視為說明性，而非限制性。
1‧‧‧塑膠/PEN基板
2‧‧‧柵格/柵格材料
3‧‧‧第一層/第一部分結構化層
4‧‧‧防濕層
5‧‧‧導電塗層
6‧‧‧聚醯亞胺層
6f‧‧‧側腹
6s‧‧‧上表面
11‧‧‧第一主面
12‧‧‧第二主面
20‧‧‧股線
21‧‧‧中央地帶
22‧‧‧側面地帶
22'‧‧‧側面地帶
30‧‧‧下部區域
31‧‧‧結構化區域
32‧‧‧側腹
33‧‧‧底部
34‧‧‧頂部地帶
36‧‧‧主要表面
41‧‧‧氮化矽
e3‧‧‧厚度
e5‧‧‧厚度
e6‧‧‧厚度
L1‧‧‧寬度
α‧‧‧角度

Claims (15)

  1. 一種導電支撐件，包括：一第一層，其具有一主要表面且界定自所述主要表面延伸的一空穴；在所述第一層的所述空穴內的一傳導性股線，其中所述傳導性股線具有在一中央地帶以及一側面地帶內的一上表面，其中：所述第一絕緣層的所述主要表面更靠近所述側面地帶，而非所述中央地帶；以及所述上表面具有比在所述側面地帶內的一表面粗糙度粗糙的在所述中央地帶內的一表面粗糙度；以及一導電層，其上覆所述傳導性股線以及所述第一層，其中所述導電層沿著在所述側面地帶內的所述傳導性股線的所述上表面接觸所述傳導性股線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，其中在所述中央地帶內的所述表面粗糙度比在所述側面地帶內的所述表面粗糙度大至少5%、至少10%、至少50%或至少100%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，其中所述側面地帶的一粗糙度參數Rq為至多5nm、至多3nm、至多2nm或至多1nm。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的導電支撐件，其中所述中央 地帶的所述粗糙度參數Rq為至少10nm、至少20nm或至少60nm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，其中如與在所述側面地帶內的所述傳導性股線的所述上表面相比，在所述中央地帶內的所述傳導性股線的所述上表面在一不同高程處。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，其中所述導電層包含一透明傳導性氧化物。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，更包括一基板，其中所述第一層具有如與所述基板相比較高的一折射率。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件，更包括一基板以及安置於所述基板與所述第一層之間的一防濕層。
  9. 一種包含如申請專利範圍第1項所述的導電支撐件的有機發光裝置。
  10. 如前述申請專利範圍中任一項的導電支撐件，更包括一鈍化層，其中：所述導電層安置於所述第一層與所述傳導性股線之間，且 所述導電層接觸所述傳導性股線的所述中央地帶；或所述鈍化層安置於所述傳導性股線與所述導電層之間，且所述鈍化層接觸所述傳導性股線的所述中央地帶。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的導電支撐件，其中所述鈍化層具有不大於所述傳導性股線的一寬度的1.9倍、不大於所述傳導性股線的一寬度的1.5倍、不大於所述傳導性股線的一寬度的1.1倍或不大於所述傳導性股線的一寬度的0.99倍的一寬度。
  12. 一種形成一導電支撐件的方法，包括：在具有一主要表面的一第一層上形成一經圖案化遮蔽層，其中所述經圖案化遮蔽層包含一開口；蝕刻在所述開口下方的所述第一層中的一空穴，使得所述經圖案化遮蔽層的一地帶懸掛於所述空穴上；使用一濕式化學沈積在所述空穴內沈積一傳導性材料；以及移除所述經圖案化遮蔽層以在所述空穴內形成一傳導性股線，其中所述傳導性股線具有一側面地帶以及一中央地帶，所述側面地帶由所述傳導性股線的由所述經圖案化遮蔽層的所述地帶覆蓋的一部分界定，且當沈積所述傳導性材料時，所述中央地帶在所述經圖案化遮蔽層中的所述開口下；以及形成上覆於所述傳導性股線以及所述第一層的一導電 層，其中所述導電層沿著在所述側面地帶內的所述傳導性股線的所述上表面接觸所述第一層以及所述傳導性股線。
  13. 一種形成一導電支撐件的方法，包括：在具有一主要表面的一第一層上形成一經圖案化遮蔽層，其中所述經圖案化遮蔽層包含一開口；蝕刻在所述開口下方的所述第一層中的一空穴，使得所述經圖案化遮蔽層的一地帶懸掛於所述空穴上；使用一濕式化學沈積在所述空穴內沈積一傳導性材料；以及移除所述經圖案化遮蔽層以在所述空穴內形成一傳導性股線，其中所述傳導性股線具有一側面地帶以及一中央地帶，所述側面地帶由所述傳導性股線的由所述經圖案化遮蔽層的所述地帶覆蓋的一部分界定，且當沈積所述傳導性材料時，所述中央地帶在所述經圖案化遮蔽層中的開口下；在所述傳導性股線上形成一鈍化層；將所述鈍化層選擇性暴露於輻射，其中所述傳導性股線充當一遮蔽層，使得所述鈍化層的上覆於所述傳導性股線的部分不暴露於所述輻射；以及移除所述鈍化層的一暴露部分且留下所述鈍化層的一其餘部分。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的方法，其中使用 無電極電鍍執行沈積所述傳導性材料。
  15. 如申請專利範圍第12項或第13項所述的方法，其中所述傳導性股線的一上表面具有比在所述側面地帶內的一表面粗糙度粗糙的在中央地帶內的一表面粗糙度。
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