CN107706275B - 一种发光二极管芯片、面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管芯片、面板及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，所述叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，所述P型电极设置在所述导电层上，所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层设置在所述叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层。本发明可提高出射光线的有效利用率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片、面板及其制作方法。
背景技术
发光二极管（英文：Light Emitting Diode，简称：LED）是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED中最重要的组成部分，广泛应用在户内和户外的显示屏上。从最先开始的电视机显示屏，发展到电脑显示屏，再发展到现在的手机显示屏，显示屏的尺寸逐渐减小，应用在显示屏上的LED芯片的尺寸也要相应减小，从而产生了尺寸大小达到微米级的微型发光二极管（英文简称：Micro LED）芯片。
Micro LED芯片一般采用垂直结构，实际应用时先在衬底上依次形成N型半导体层、发光层、P型半导体层和P型电极，再将P型电极转移到粘膜上，采用激光技术去除衬底，然后将N型半导体层固定连接在透明的N型电极板上，去除粘膜，最后将P型电极固定连接在控制电路板上即可。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
Micro LED芯片会向所有方向出射光线，但是其中只有N型电极侧出射的光线能够被有效地使用，从其它方向出射的光线都被白白浪费掉，造成出射光线的有效利用率较低。
发明内容
为了解决现有技术出射光线的有效利用率较低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片、面板及其制作方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，所述叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，所述P型电极设置在所述导电层上，所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层设置在所述叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层。
可选地，所述绝缘反射层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。
优选地，所述第一金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的一种，所述第二金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的另一种。
优选地，所述第一金属氧化物薄膜的数量与所述第二金属氧化物薄膜的数量相同，所述第二金属氧化物薄膜的数量为2个~100个。
可选地，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。
优选地，所述金属反射层的材料采用银或铝，所述金属粘附层的材料采用钛或铬，所述金属保护层的材料采用铂、金或者钨。
优选地，所述金属反射层的厚度为50nm~1000nm，所述金属粘附层的厚度为0.1nm~1000nm，所述金属保护层的厚度为1nn~1000nm。
可选地，所述N型半导体层的表面具有多个凸块，各个所述凸块的高度小于所述N型半导体层的厚度。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管面板，所述发光二极管面板包括控制电路板、透明的N型电极板和多个发光二极管芯片，各个所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，各个所述发光二极管芯片的叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，各个所述发光二极管芯片的P型电极设置同一个所述发光二极管芯片的导电层上，所述控制电路板和所述N型电极板相对设置，所述多个发光二极管芯片以阵列形式排列在所述控制电路板和所述N型电极板之间，且各个所述发光二极管芯片的N型半导体层分别固定连接在N型电极板上，各个所述发光二极管芯片的P型电极分别固定连接在所述控制电路板上，各个所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，各个所述发光二极管芯片的绝缘反射层设置在同一个所述发光二极管芯片的叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，各个所述发光二极管芯片的P型电极和导电层中的一个中设有反射层。
又一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：
在衬底上依次沉积N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层；
在所述导电层上开设延伸至所述衬底的凹槽，形成多个以阵列形式排列在在所述衬底上的叠层结构；
在各个所述叠层结构的侧面的所有区域和所述导电层的部分区域上形成绝缘反射层，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面；
在所述导电层上除所述绝缘反射层所在区域之外的其它区域上设置P型电极，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层，形成发光二极管芯片；
将所有所述发光二极管芯片中的P型电极固定在临时基板上，所述临时基板为胶膜或者表面涂覆有粘性物质的基板；
去除衬底，将各个所述发光二极管芯片中的N型半导体层固定连接在N型电极板上；
去除临时基板，将各个所述发光二极管芯片中的P型电极固定连接在控制电路板上。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层组成的叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上设置绝缘反射层，同时在至少位于叠层结构的背面的其它区域的P型电极或者导电层中设置反射层，从而将射向叠层结构的侧面和背面的所有光线都反射回去，直到光线从叠层结构的正面射出，从而避免从叠层结构的侧面和背面射出的光线被白白浪费掉，使所有光线都从叠层结构的正面射出而被有效利用，大大提高了出射光线的有效利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例一提供的绝缘反射层的结构示意图；
图3是本发明实施例一提供的反射层的结构示意图；
图4是本发明实施例一提供的N型半导体层的结构示意图；
图5是本发明实施例二提供的一种发光二极管面板的结构示意图；
图6是本发明实施例三提供的一种发光二极管面板的制作方法的流程图；
图7a-图7g是本发明实施例三提供的发光二极管面板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，参见图1，该发光二极管芯片包括叠层结构10和P型电极20，叠层结构10包括依次层叠的N型半导体层11、发光层12、P型半导体层13和导电层14，P型电极20设置在导电层14上。
在本实施例中，该发光二极管芯片还包括绝缘反射层30，绝缘反射层30设置在叠层结构10的侧面的所有区域和背面的部分区域上；叠层结构10的侧面为叠层结构10中与叠层结构10的层叠方向平行的表面，叠层结构10的背面的部分区域为叠层结构10中设置P型电极20的表面上除P型电极20所在区域之外的其它区域。P型电极20和导电层14中的一个中设有反射层。
本发明实施例通过在N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层组成的叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上设置绝缘反射层，同时在至少位于叠层结构的背面的其它区域的P型电极或者导电层中设置反射层，从而将射向叠层结构的侧面和背面的所有光线都反射回去，直到光线从叠层结构的正面射出，从而避免从叠层结构的侧面和背面射出的光线被白白浪费掉，使所有光线都从叠层结构的正面射出而被有效利用，大大提高了出射光线的有效利用率。
可选地，如图2所示，绝缘反射层30可以包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜31和多个第二金属氧化物薄膜32，第一金属氧化物薄膜31的材料的折射率与第二金属氧化物薄膜32的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。
通过两种折射率不同的绝缘材料形成的金属氧化物薄膜交替层叠形成分散式布拉格反射镜（英文：Distributed Bragg Reflectors，简称：DBR），可以有效实现对光线的反射。
优选地，第一金属氧化物薄膜31的材料可以采用二氧化钛（TiO2）、二氧化硅（SiO2）、二氧化铪（HfO2）和五氧化二钽（Ta2O5）中的一种，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的另一种。
其中，二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽均为绝缘材料，可以有效避免覆盖在叠层结构上时导致叠层结构漏电。
例如，当第一金属氧化物薄膜31的材料采用二氧化钛时，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化硅，也可以采用二氧化铪，还可以采用五氧化二钽。又如，当第一金属氧化物薄膜31的材料采用二氧化硅时，第二金属氧化物薄膜32的材料可以采用二氧化钛，也可以采用二氧化铪，还可以采用五氧化二钽。
在实际应用中，可以选择折射率相差最大的两种材料制作第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜，以达到最佳的反射效果。
优选地，第一金属氧化物薄膜31的数量与第二金属氧化物薄膜32的数量相同，第二金属氧化物薄膜的数量可以为2个~100个。
更优选地，第二金属氧化物薄膜的数量可以为14个~36个。
一般情况下，第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量越多，绝缘反射层的反射效果越好；但当第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量达到一定时，绝缘反射层的反射效果变化很小，此时继续增加第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量，只会增加工艺步骤，加大实现难度，提高加工成本，因此第一金属氧化物薄膜和第二金属氧化物薄膜的数量之和需要限定在一定的范围内。在本实施例中，第一金属氧化物薄膜的数量为14个~36个，第二金属氧化物薄膜的数量与第一金属氧化物薄膜的数量相同，既能达到较佳的反射效果，也能尽量减少工艺步骤，控制加工成本。
可选地，参见图3，反射层40可以包括依次层叠的金属反射层41、金属粘附层42和金属保护层43。
其中，金属反射层设置在底层，可以与绝缘反射层一起，有效减少除所需方向之外其它方向的出光。同时由于金属反射层采用的金属材料通常性质不够稳定，因此本实施例通过在金属反射层上设置金属保护层，以有效防止金属反射层扩散。又由于金属反射层和金属保护层之间的连接通常不牢固，因此本实施例通过在金属反射层和金属保护层之间设置金属粘附层，以将减少反射层和金属保护层牢牢连接在一起。金属反射层、金属粘附层和金属保护层相互配合，从而实现对出射光线的长久反射。
优选地，金属反射层41的材料可以采用银（Ag）或铝（Al），金属粘附层42的材料可以采用钛（Ti）或铬（Cr），金属保护层43的材料可以采用铂（Pt）、金(Au)或者钨（W）。
其中，银和铝为折射率为较高的金属材料，可以有效实现对光线的反射；钛和铬为粘性较强的金属材料，可以有效实现金属反射层和金属保护层之间的牢固连接；铂或者钨的性质较为稳定，可以有效防止金属反射层的扩散，提高绝缘反射层的稳定性。
优选地，金属反射层41的厚度可以为50nm~500nm，金属粘附层42的厚度可以为0.1nm~1000nm，金属保护层43的厚度可以为1nm~1000nm。
如前所述，金属反射层、金属粘附层和金属保护层是相互配合的，若金属反射层的厚度小于50nm，或者金属粘附层的厚度小于0.1nm，又或者金属保护层的厚度小于1nm，则可能造成反射层的反射效果无法持续实现；同时若金属反射层的厚度大于500nm，或者金属粘附层的厚度大于1000nm，又或者金属保护层的厚度大于1000nm，虽然可以保证反射层反射效果的持续实现，但是会造成材料的浪费，白白增加加工成本。
在本实施例的一种实现方式中，当反射层40设置在P型电极20中时，导电层14的材料可以采用透明且导电的金属氧化物薄膜。
可选地，导电层14的材料可以为氧化铟锡（英文：Indium Tin Oxides，简称：ITO）、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃（英文简称：AZO）、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃（英文简称：GZO）、铟镓锌氧化物（英文:Indium Gallium Zinc Oxide，简称：IGZO）、氧化锌中的一种。
具体地，导电层14中金属氧化物薄膜的厚度可以为1nm~1000nm。
在本实施例的另一种实现方式中，当反射层40设置在导电层14中时，P型电极20可以包括依次层叠的粘附层和电极层。
其中，粘附层用于将P型电极20固定在导电层14上，电极层用于实现电流的注入。
可选地，粘附层的材料可以为铬，电极层的材料可以为镍、铂、金中的一种或多种。其中，当电极层的材料为多种时，各种材料形成的子层依次层叠形成电极层。
由于铬的粘附性较好，因此可以将P型电极牢牢固定在导电层上；镍、铂、金的导电性和稳定性均较好，不容易氧化，在实现电流的有效注入的情况下，可以延长芯片的使用寿命。
具体地，P型电极20的厚度可以为100nm~10000nm。
可选地，参见图4，N型半导体层11的表面可以具有多个凸块11a，各个凸块11a的高度小于N型半导体层11的厚度。通过粗化N型半导体层的表面，可以改变出射光线与交界面的夹角，减少全反射的情况发生，提高出光效率。
优选地，多个凸块11a可以以阵列形式排列在N型半导体层11的表面上，从而均匀提高出光效率。
优选地，各个凸块11a的高度可以为0.5μm~3um
在实际应用中，多个凸块可以为圆锥、圆柱、棱锥或者棱柱，本发明对此不作限制。
具体地，N型半导体层的材料可以为N型掺杂的氮化镓，发光层可以包括交替层叠的多个量子阱和多个量子垒，量子阱的材料可以为铟镓氮，量子垒的材料可以为氮化镓，P型半导体层的材料可以为P型掺杂的氮化镓。
更具体地，N型半导体层的厚度可以为1μm~5μm，N型半导体层中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018cm-3~1019cm-3；量子阱的厚度可以为2nm~9nm，量子垒的厚度可以为9nm~20nm，量子垒层的数量与量子阱层的数量相同，量子阱层的数量可以为5个~15个；P型半导体层的厚度可以为10nm~500nm，P型半导体层中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1018cm-3~1020cm-3。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管面板，参见图5，该发光二极管面板包括控制电路板100、透明的N型电极板200和多个发光二极管芯片300。各个发光二极管芯片300包括叠层结构10和P型电极20，各个发光二极管芯片300的叠层结构包括依次层叠的N型半导体层11、发光层12、P型半导体层13和导电层14，各个发光二极管芯片300的P型电极20设置同一个发光二极管芯片300的导电层14上。控制电路板100和N型电极板200相对设置，多个发光二极管芯片300以阵列形式排列在控制电路板100和N型电极板200之间，且各个发光二极管芯片300的N型半导体层11分别固定连接在N型电极板200上，各个发光二极管芯片300的P型电极20分别固定连接在控制电路板100上。
在本实施例中，各个发光二极管芯片300还包括绝缘反射层30，各个发光二极管芯片300的绝缘反射层30设置在同一个发光二极管芯片300的叠层结构10的侧面的所有区域和背面的部分区域上，叠层结构10的侧面为叠层结构10中与叠层结构10的层叠方向平行的表面，叠层结构10的背面的部分区域为叠层结构10中设置P型电极20的表面上除P型电极20所在区域之外的其它区域，各个发光二极管芯片300的P型电极20和导电层14中的一个中设有反射层。
具体地，各个发光二极管芯片300可以与实施例一提供的发光二极管芯片相同，在此不再详述。
本发明实施例通过在N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层组成的叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上设置绝缘反射层，同时在至少位于叠层结构的背面的其它区域的P型电极或者导电层中设置反射层，从而将射向叠层结构的侧面和背面的所有光线都反射回去，直到光线从叠层结构的正面射出，从而避免从叠层结构的侧面和背面射出的光线被白白浪费掉，使所有光线都从叠层结构的正面射出而被有效利用，大大提高了出射光线的有效利用率。
实施例三
本发明实施例提供了一种发光二极管面板的制作方法，适用于制作实施例二提供的发光二极管面板，参见图6，该制作方法包括：
步骤301：在衬底上依次沉积N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层。
图7a为步骤301执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，50为衬底，11为N型半导体层，12为发光层，13为P型半导体层，14为导电层。如图7a所示，N型半导体层11、发光层12、P型半导体层13、导电层14依次层叠在衬底50上。
具体地，衬底的材料可以为蓝宝石，在保证一定效果的情况下将实现成本降至最低。
具体地，该步骤301可以包括：
采用金属有机化合物化学气相沉淀（英文：Metal Organic Chemical VaporDeposition，简称：MOCVD）技术在衬底上依次生长N型半导体层、发光层和P型半导体层；
采用物理气相沉积（英文：Physical Vapor Deposition，简称：PVD）技术在P型半导体层上形成导电层。
在实际应用中，为了提高发光层的生长质量，可以在衬底上生长N型半导体层之前，先在衬底上依次生长缓冲层和未掺杂氮化镓层，再在未掺杂氮化镓层上生长N型半导体层，以缓解N型半导体层和蓝宝石衬底之间的晶格失配，从而提高发光层的生长质量。此为现有技术，在此不再详述。
步骤302：在导电层上开设延伸至衬底的凹槽，形成多个以阵列形式排列在在衬底上的叠层结构。
在本实施例中，叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层。
图7b为步骤302执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，60为凹槽，10为叠层结构。如图7b所示，凹槽60从导电层14依次经过P型半导体层13、发光层12和N型半导体层11延伸到衬底50，将步骤301中整个沉积的部分沿沉积的相反方向切成多个相互独立的叠层结构10，每个叠层结构10包括依次层叠的N型半导体层11、发光层12、P型半导体层13和导电层14。
具体地，该步骤302可以包括：
采用光刻技术在导电层上形成第一图形的光刻胶；
在第一图形的光刻胶的保护下，依次刻蚀导电层、P型半导体层、发光层和N型半导体层，形成凹槽；
剥离第一图形的光刻胶。
其中，第一图形的光刻胶为覆盖在导电层上除凹槽所在区域之外的其它区域上的光刻胶。
在实际应用中，采用光刻技术形成某个图形时，先铺设一层光刻胶，再透过与形成图形匹配的掩膜版对光刻胶进行曝光，然后将光刻胶浸泡在显影液中，部分光刻胶（被曝光的光刻胶或者未曝光的光刻胶）会溶解在显影液中，留下的光刻胶的形状与所需图形一致。
步骤303：在各个叠层结构的侧面的所有区域和导电层的部分区域上形成绝缘反射层，叠层结构的侧面为叠层结构中与叠层结构的层叠方向平行的表面。
图7c为步骤303执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，30为绝缘反射层。如图7c所示，绝缘反射层30覆盖在叠层结构10的所有侧面以及导电层14的部分区域上。
具体地，该步骤303可以包括：
在各个叠层结构的侧面的所有区域和导电层的部分区域上铺设绝缘反射层材料；
采用光刻技术在绝缘反射层上形成第二图形的光刻胶；
在第二图形的光刻胶的保护下，刻蚀绝缘反射材料，留下的绝缘反射材料形成绝缘反射层。
其中，第二图形的光刻胶覆盖在绝缘反射层材料上绝缘反射层所在的区域上。
步骤304：在导电层上除绝缘反射层所在区域之外的其它区域上设置P型电极，P型电极和导电层中的一个中设有反射层，形成发光二极管芯片。
在本实施例中，发光二极管芯片包括叠层结构、绝缘反射层和P型电极。
图7d为步骤304执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，20为P型电极。如图7d所示，P型电极20设置在导电层14上除绝缘反射层30所在区域之外的其它区域上，叠层结构10、P型电极20和绝缘反射层30组成发光二极管芯片300。
具体地，该步骤304可以包括：
在第二图形的光刻胶和导电层上铺设电极材料；
剥离第二图形的光刻胶和第二图形的光刻胶上的电极材料，导电层上的电极材料留下形成P型电极。
需要说明的是，本实施例在利用第二图形的光刻胶刻蚀绝缘反射层进行图形化之后，并没有立即剥离第二图形的光刻胶，而是继续在上面铺设电极材料，然后再利用剥离第二图形的光刻胶实现P型电极的图形化。与分别采用光刻技术形成的光刻胶实现绝缘反射层和P型电极的图形化相比，减少了光刻工艺的次数，降低了实现成本。当然在实际应用中，也可以分别采用光刻技术形成的光刻胶实现绝缘反射层和P型电极的图形化，此为现有技术，在此不再详述。
步骤305：将所有发光二极管芯片中的P型电极固定在临时基板上，临时基板为胶膜或者表面涂覆有粘性物质的基板。
图7e为步骤305执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，70为临时基板。如图7e所示，所有发光二极管芯片300中的P型电极20固定在临时基板70上。
由于临时基板为胶膜或者表面涂覆有粘性物质的基板，因此P型电极20和临时基板70之间虽然有连接，但是连接并不牢固，很容易分开。
具体地，当临时基板为胶膜时，临时基板可以具体为包括聚氯乙烯（英文：Polyvinyl chloride，简称：PVC）基材和亚克力系粘着剂的胶膜或者无影胶（英文简称：UV胶）；当临时基板为表面涂覆有粘性物质的基板时，临时基板可以具体为玻璃板、金属板等无机基板。
步骤306：去除衬底，将各个发光二极管芯片中的N型半导体层固定连接在N型电极板上。
图7f为步骤306执行之后发光二极管面板的结构示意图。其中，200为N型电极板。如图7f所示，各个发光二极管芯片300中的N型半导体层11连接的部件从衬底50换成了N型电极板200。
具体地，该步骤306可以包括：
采用激光剥离技术或者湿法腐蚀技术去除衬底；
采用金属键合技术将各个发光二极管芯片中的N型半导体层固定连接在N型电极板上。
可选地，在采用激光剥离技术或者湿法腐蚀技术去除衬底之后，该制作方法还可以包括：
对N型半导体层的表面进行粗化。
在实际应用中，可以先采用光刻技术在N型半导体层上形成以阵列方式分布的光刻胶，再在光刻胶的保护下刻蚀N型半导体层，最后剥离光刻胶即可。
步骤307：去除临时基板，将各个发光二极管芯片中的P型电极固定连接在控制电路板上。
图7g为步骤307执行之后发光二极管面板的机构示意图。其中，100为控制电路板。如图7g所示，各个发光二极管芯片300中的P型电极20连接的部件从临时基板70换成了控制电路板100。
具体地，该步骤307可以包括：
将临时基板浸泡在去胶液中，将临时基板与各个发光二极管芯片中的P型电极分离；
采用金属键合技术将各个发光二极管芯片中的P型电极固定连接在控制电路板上。
本发明实施例通过形成从导电层延伸到衬底的凹槽，将在衬底上依次沉积的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层沿沉积的相反方向切分成多个叠层结构，再在各个叠层结构上设置绝缘反射层和P型电极之后，直接去除衬底，避免由于衬底减薄和采用激光切割而影响芯片的良率，实现芯片尺寸的微小化（达到微米级）。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，所述叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，所述P型电极设置在所述导电层上，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层设置在所述叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层；
当所述反射层设置在所述P型电极中时，所述导电层的材料采用透明且导电的金属氧化物薄膜，为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃、铟镓锌氧化物、氧化锌中的一种，所述导电层中金属氧化物薄膜的厚度为1nm~1000nm；
当所述反射层设置在所述导电层中时，所述P型电极包括依次层叠的粘附层和电极层，所述粘附层的材料为铬，所述电极层的材料为镍、铂、金中的一种或多种，所述P型电极的厚度为100nm~10000nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘反射层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的一种，所述第二金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的另一种。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜的数量与所述第二金属氧化物薄膜的数量相同，所述第二金属氧化物薄膜的数量为2个~100个。
5.根据权利要求1~4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属反射层的材料采用银或铝，所述金属粘附层的材料采用钛或铬，所述金属保护层的材料采用铂、金或者钨。
7.根据权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属反射层的厚度为50nm~1000nm，所述金属粘附层的厚度为0.1nm~1000nm，所述金属保护层的厚度为1nn~1000nm。
8.根据权利要求1~4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述N型半导体层的表面具有多个凸块，各个所述凸块的高度小于所述N型半导体层的厚度。
9.一种发光二极管面板，所述发光二极管面板包括控制电路板、透明的N型电极板和多个发光二极管芯片，各个所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，各个所述发光二极管芯片的叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，各个所述发光二极管芯片的P型电极设置同一个所述发光二极管芯片的导电层上，所述控制电路板和所述N型电极板相对设置，所述多个发光二极管芯片以阵列形式排列在所述控制电路板和所述N型电极板之间，且各个所述发光二极管芯片的N型半导体层分别固定连接在N型电极板上，各个所述发光二极管芯片的P型电极分别固定连接在所述控制电路板上，其特征在于，各个所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，各个所述发光二极管芯片的绝缘反射层设置在同一个所述发光二极管芯片的叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，各个所述发光二极管芯片的P型电极和导电层中的一个中设有反射层；
当所述反射层设置在所述P型电极中时，所述导电层的材料采用透明且导电的金属氧化物薄膜，为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃、铟镓锌氧化物、氧化锌中的一种，所述导电层中金属氧化物薄膜的厚度为1nm~1000nm；
当所述反射层设置在所述导电层中时，所述P型电极包括依次层叠的粘附层和电极层，所述粘附层的材料为铬，所述电极层的材料为镍、铂、金中的一种或多种，所述P型电极的厚度为100nm~10000nm。
10.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底上依次沉积N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层；
在所述导电层上开设延伸至所述衬底的凹槽，形成多个以阵列形式排列在在所述衬底上的叠层结构；
在各个所述叠层结构的侧面的所有区域和所述导电层的部分区域上形成绝缘反射层，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面；
在所述导电层上除所述绝缘反射层所在区域之外的其它区域上设置P型电极，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层，形成发光二极管芯片，当所述反射层设置在所述P型电极中时，所述导电层的材料采用透明且导电的金属氧化物薄膜，为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃、铟镓锌氧化物、氧化锌中的一种，所述导电层中金属氧化物薄膜的厚度为1nm~1000nm；当所述反射层设置在所述导电层中时，所述P型电极包括依次层叠的粘附层和电极层，所述粘附层的材料为铬，所述电极层的材料为镍、铂、金中的一种或多种，所述P型电极的厚度为100nm~10000nm；
将所有所述发光二极管芯片中的P型电极固定在临时基板上，所述临时基板为胶膜或者表面涂覆有粘性物质的基板；
去除衬底，将各个所述发光二极管芯片中的N型半导体层固定连接在N型电极板上；
去除临时基板，将各个所述发光二极管芯片中的P型电极固定连接在控制电路板上。
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109659414B (zh) * | 2018-11-22 | 2021-06-11 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种倒装led芯片及其制作方法 |
| CN109904295B (zh) * | 2019-03-21 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种led器件及其制作方法、显示面板 |
| CN109994579B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-12-25 | 成都辰显光电有限公司 | 微型led显示面板的制备方法和微型led显示面板 |
| CN110998871A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种微器件及其制备方法 |
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| CN112635538A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-09 | 昆山梦显电子科技有限公司 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
| CN112987385A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-06-18 | Tcl王牌电器(惠州)有限公司 | 一种偏光芯片、背光模组及显示装置 |
| CN113707780B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-11-14 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 微型发光二极管芯片及其制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1661817A (zh) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法 |
| CN102456783A (zh) * | 2010-10-20 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 |
| CN102522400A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-06-27 | 晶科电子（广州）有限公司 | 一种防静电损伤的垂直发光器件及其制造方法 |
| CN102646768A (zh) * | 2007-12-28 | 2012-08-22 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
| CN103003966A (zh) * | 2010-05-18 | 2013-03-27 | 首尔半导体株式会社 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法 |
| CN103222073A (zh) * | 2010-08-03 | 2013-07-24 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法 |
| CN103325776A (zh) * | 2012-03-22 | 2013-09-25 | 光芯科技股份有限公司 | 发光装置 |
| CN104134735A (zh) * | 2013-05-03 | 2014-11-05 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片结构 |
| CN104576759A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 北京大学 | 一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016177333A1 (zh) * | 2015-05-05 | 2016-11-10 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法 |
-
2017
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1661817A (zh) * | 2004-02-27 | 2005-08-31 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法 |
| CN102646768A (zh) * | 2007-12-28 | 2012-08-22 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
| CN103003966A (zh) * | 2010-05-18 | 2013-03-27 | 首尔半导体株式会社 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法 |
| CN103222073A (zh) * | 2010-08-03 | 2013-07-24 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法 |
| CN102456783A (zh) * | 2010-10-20 | 2012-05-16 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 |
| CN102522400A (zh) * | 2011-11-30 | 2012-06-27 | 晶科电子（广州）有限公司 | 一种防静电损伤的垂直发光器件及其制造方法 |
| CN103325776A (zh) * | 2012-03-22 | 2013-09-25 | 光芯科技股份有限公司 | 发光装置 |
| CN104134735A (zh) * | 2013-05-03 | 2014-11-05 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片结构 |
| CN104576759A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-29 | 北京大学 | 一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 |
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