CN113437197A - 一种倒装led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光器件技术领域，更为具体地说，涉及一种倒装LED(light-emitting diode，发光二极管)芯片及其制作方法。
背景技术
发光二极管是一种半导体固态发光器件，其利用半导体PN结电致发光原理制成。LED芯片具有开启电压低、体积小、响应快、稳定性好、寿命长、无污染等良好光电性能，因此在室外室内照明、背光、显示、交通指示等领域具有越来越广泛的应用。一般LED芯片分为正装芯片和倒装芯片，其中现有倒装LED芯片性能有待提高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，保证倒装LED芯片发光亮度较高的基础上，提高了其可靠性，同时降低了其工艺流程及成本。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种倒装LED芯片，包括：
外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；
位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
可选的，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
可选的，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
可选的，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；
所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
可选的，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
相应的，本发明还提供了一种倒装LED芯片的制作方法，包括：
提供外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上形成透明导电层；
在所述接触通孔内形成与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
在所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上形成反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
形成覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
可选的，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
可选的，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
可选的，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；
所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
可选的，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括：外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案中，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的制作方法的流程图；
图4至图9为图3中各步骤相应的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，发光二极管是一种半导体固态发光器件，其利用半导体PN结电致发光原理制成。LED芯片具有开启电压低、体积小、响应快、稳定性好、寿命长、无污染等良好光电性能，因此在室外室内照明、背光、显示、交通指示等领域具有越来越广泛的应用。一般LED芯片分为正装芯片和倒装芯片，其中现有倒装LED芯片性能有待提高。
基于此，本发明实施例提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，保证倒装LED芯片发光亮度较高的基础上，提高了其可靠性，同时降低了其工艺流程及成本。
为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图9对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
参考图1所示，为本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的结构示意图，其中，倒装LED芯片包括：
外延片，所述外延片包括衬底110，位于所述衬底110一侧的第一类型半导体层120，位于所述第一类型半导体层120背离所述衬底110一侧的有源层130，及位于所述有源层130背离所述衬底110一侧的第二类型半导体层140，其中，所述第二类型半导体层140和所述有源层130的叠层包括有一接触通孔150，所述接触通孔150处裸露所述第一类型半导体层120。
位于所述第二类型半导体层140背离所述衬底110一侧表面上的透明导电层200。
位于所述接触通孔150内且与所述第一类型半导体层120接触的导电接触层300。
位于所述透明导电层200背离所述衬底110一侧表面上的反射层400，其中，所述反射层400在所述衬底110至所述第二类型半导体层140的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层410，且靠近所述透明导电层200的第一个所述子反射层为铝子反射层。
覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层140一侧的裸露表面、所述透明导电层200的裸露表面、所述反射层400的裸露表面和所述导电接触层300的裸露表面的绝缘层500，其中，所述绝缘层500包括裸露所述导电接触层300背离所述衬底110一侧至少部分表面的第一通孔510，及裸露所述反射层400的第二通孔520。
位于所述绝缘层500背离所述衬底110一侧的第一电极610和第二电极620，其中，所述第一电极610通过所述第一通孔510与所述导电接触层300接触相连，所述第二电极620通过所述第二通孔520与所述反射层400接触相连。
在本发明一实施例中，本发明提供的第一类型半导体层可以为N型半导体层，及第二类型半导体层可以为P型半导体层。以及，本发明实施例提供的接触通孔所在区域位于第二类型半导体层和有源层的叠层的所在范围以内，或者接触通孔所在区域位于第二类型半导体层和有源层的叠层的所在范围的边缘位置，对此本发明不做具体限制。
可以理解的，本发明实施例提供的技术方案中，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明实施例提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。
在本发明一实施例中，本发明所提供的反射层可以为包括多个子反射层的叠层结构。如图2所示，为本发明实施例提供的另一种倒装LED芯片的结构示意图，其中，所述反射层400在所述衬底110至所述第二类型半导体层140的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层411、第一钛子反射层412、铂子反射层413和第二钛子反射层414。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述透明导电层可以为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃，具体如透明导电层的厚度可以为70埃。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层，对此子绝缘层的数量和类型，本发明不做具体限制，需要根据实际应用进行具体选取。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
相应的，本发明实施例还提供了一种倒装LED芯片的制作方法，具体结合图3所述，为本发明实施例提供的一种倒装LED芯片的制作方法的流程图，其中，制作方法包括：
S1、提供外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层。
S2、在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上形成透明导电层。
S3、在所述接触通孔内形成与所述第一类型半导体层接触的导电接触层。
S4、在所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上形成反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层。
S5、形成覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔。
S6、在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
下面结合具体结构对本发明实施例提供的制作方法进行更详细的描述。如图4至图9所示，为图3中各步骤相应的结构示意图。
如图4所示，对应步骤S1，提供外延片，所述外延片包括衬底110，位于所述衬底110一侧的第一类型半导体层120，位于所述第一类型半导体层120背离所述衬底110一侧的有源层130，及位于所述有源层130背离所述衬底110一侧的第二类型半导体层140，其中，所述第二类型半导体层140和所述有源层130的叠层包括有一接触通孔150，所述接触通孔150处裸露所述第一类型半导体层120。
在本发明一实施例中，在衬底上制作形成整面的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层后，可以采用光刻工艺及结合ICP(Inductive Coupled Plasma，电感耦合等离子体)刻蚀工艺，在外延片上形成裸露第一类型半导体层的接触通孔。
在本发明一实施例中，本发明提供的第一类型半导体层可以为N型半导体层，及第二类型半导体层可以为P型半导体层。以及，本发明实施例提供的接触通孔所在区域位于第二类型半导体层和有源层的叠层的所在范围以内，或者接触通孔所在区域位于第二类型半导体层和有源层的叠层的所在范围的边缘位置，对此本发明不做具体限制。
如图5所示，对应步骤S2，在所述第二类型半导体层140背离所述衬底110一侧表面上形成透明导电层200。
在本发明一实施例中，本发明可以采用蒸镀或溅镀方式，在第二类型半导体层背离衬底一侧形成整面的透明导电层，而后可以在氮气保护氛围内进行退火处理；然后采用刻蚀溶液对整面的透明导电层进行刻蚀，去除接触通孔的侧壁和底部等处的透明导电材料，使得透明导电层仅位于第二类型半导体层背离衬底一侧表面的范围内。其中，本发明提供的所述透明导电层可以为ITO层，及刻蚀溶液可以是盐酸和氯化铁的混合刻蚀溶液；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃，具体如透明导电层的厚度可以为70埃。
如图6所示，对应步骤S3，在所述接触通孔150内形成与所述第一类型半导体层120接触的导电接触层300。
在本发明一实施例中，本发明可以采用负性光刻胶光刻的方式制备导电接触层的光刻胶图形，而后进行导电材料蒸镀，撕金去除光刻胶后完成导电接触层的制备。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种。
如图7所示，对应步骤S4，在所述透明导电层200背离所述衬底110一侧表面上形成反射层400，其中，所述反射层400在所述衬底110至所述第二类型半导体层140的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层410，且靠近所述透明导电层200的第一个所述子反射层为铝子反射层。
在本发明一实施例中，反射层为导电反射层，其中本发明可以采用负性光刻胶光刻的方式制备反射层的光刻胶图形，而后进行导电反射材料蒸镀，撕金去除光刻胶后完成反射层的制备。
在本发明一实施例中，本发明所提供的反射层可以为包括多个子反射层的叠层结构。其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
如图8所示，对应步骤S5，形成覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层140一侧的裸露表面、所述透明导电层200的裸露表面、所述反射层400的裸露表面和所述导电接触层300的裸露表面的绝缘层500，其中，所述绝缘层500包括裸露所述导电接触层300背离所述衬底110一侧至少部分表面的第一通孔510，及裸露所述反射层400的第二通孔520。
在本发明一实施例中，本发明可以在反射层背离衬底一侧形成整面的绝缘层后，采用光刻工艺及干法刻蚀工艺在整面的绝缘层上形成第一通孔和第二通孔。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层，对此子绝缘层的数量和类型，本发明不做具体限制，需要根据实际应用进行具体选取。
如图9所示，对应步骤S6，在所述绝缘层500背离所述衬底110一侧形成第一电极610和第二电极620，其中，所述第一电极610通过所述第一通孔510与所述导电接触层300接触相连，所述第二电极620通过所述第二通孔520与所述反射层400接触相连。
在本发明一实施例中，本发明可以采用负性光刻胶光刻的方式制备第一电极和第二电极的光刻胶图形，而后进行导电材料蒸镀，撕金去除光刻胶后完成导第一电极和第二电极的制备。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
在本发明一实施例中，本发明所提供的倒装LED芯片可以为倒装Mini-LED芯片，其中反射层采用铝子反射层的方式，在保证倒装Mini-LED芯片的发光亮度较大的基础上，还能够避免倒装Mini-LED芯片的发光亮度过剩的情况出现。
本发明实施例提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括：外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案中，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明实施例提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；
位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；
所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
6.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上形成透明导电层；
在所述接触通孔内形成与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
在所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上形成反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
形成覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
8.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
9.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；
所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
10.根据权利要求6所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
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| WO2023221765A1 (zh) * | 2022-05-16 | 2023-11-23 | 高创(苏州)电子有限公司 | 发光组件、背光模组及其驱动方法、显示装置 |
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- 2021-06-25 CN CN202110713218.1A patent/CN113437197A/zh active Pending
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