CN1897318A - 具有反射层的高亮度发光二极管制造方法 - Google Patents

具有反射层的高亮度发光二极管制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种高亮度发光二极管的制造方法，其包括至少下列步骤：在第一基板上由下而上依序形成一发光结构、一非合金奥姆接触层、及一第一金属层而形成第一层状结构；以及形成包括至少一个第二基板的第二层状结构。使第二层状结构的上层与第一层状结构的上层彼此贴合，并利用芯片粘贴技术将两层层状结构接合在一起。第一金属层作为反射镜，且由于其由纯金属或金属氮化物所形成，因此该第一金属层具有优良的反射性，且其反射表面并不直接参与芯片粘贴。

Description

具有反射层的高亮度发光二极管制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，更特别的是，本发明涉及一种具有反射层的发光二极管的制造方法，以解决发光二极管基板的吸光问题。
背景技术
图1是已知发光二极管结构的示意剖面图。如图1所示，发光二极管100包括一半导体基板103；一发光结构102，其位于该半导体基板103上；以及二个奥姆接触电极，其分别形成在发光结构102上以及在基板103相对于发光结构102的另一面上。
发光结构102通常由多层的含铝的III-V族化合物半导体层所组成，例如：可发出红外光及红光的AlGaAs，或可发出黄绿光、黄光及红光的AlGaInP。基板103的材料通常为砷化镓(GaAs)，而砷化镓的晶格常数可与发光结构102的晶格常数相匹配。由发光结构102所发出的光是射向所有方向(亦即，同向性)。然而，由于GaAs基板103的能隙能量小于可见光的能量，因此GaAs基板103会吸收发光结构102所发出大部分的光，而使得发光二极管100的外部量子效率(external quantum efficiency)大幅降低，进而影响发光二极管100的亮度。
图1b是已知的另一发光二极管结构的剖面示意图。图1b所示，需要对发光二极管100的部分发光结构102’进行蚀刻，以使电极109’与电极101’皆位于发光二极管100’的同一侧。此外，如图1a所示的发光二极管100的基板103必须具有导电性，以使电极101与电极109之间可导通注入电流，然而如图1b所示的发光二极管100’的基板103’可具有电导性或不具有电导性。与发光二极管100一样，发光二极管100’也有基板吸光的问题。本文将图1a所示的发光二极管100称为具有垂直电极的配置，而将图1b所示的发光二极管100’称为具有平面电极的配置。
现已提出多种方法，以解决基板吸光的问题。除了将基板上的发光结构夹在上、下两个分布布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflectors，DBRs)之间的方法以外，美国专利No.4,570,172与5,237,581公开了与本申请图1类似的发光二极管结构。在使用分布布拉格反射镜的情形下，当发光结构所发出的光射向基板时，会被反射回去，因而解决了基板的光吸收问题。然而分布布拉格反射镜仅对垂直进入的入射光有高的反射率，而当光的入射角增加时，其反射率会随之降低。因此，使用分布布拉格反射镜，发光二极管之外部量子效率及其亮度的提升仍会受到限制。
美国专利No.5,376,580公开了两种利用芯片粘贴(wafer bonding)技术的方法。方法之一为先在GaAs基板上成长发光二极管磊晶结构，然后再利用芯片粘贴技术将该发光二极管磊晶结构接合至一透明基板。方法之二为先在GaAs基板上成长发光二极管磊晶结构，然后再利用芯片粘贴技术将发光二极管磊晶结构接合至反射镜。上述两种方法皆通过移除会吸光的GaAs基板来提升发光二极管的外部量子效率，其中第一种方法利用透明基板来透过光，第二种方法利用反射镜来反射光。然而第一种方法中使用透明基板的问题为：芯片粘贴须在高回火温度下进行一段时间，因此会造成其中掺杂物的重新分布，进而降低发光二极管的效能。第二种方法中使用反射镜的问题为：在芯片粘贴过程中直接以反射镜的反射表面进行接合，因而会造成反射表面粗造或变质，同时反射镜的反射表面也会受到污染。
Horng等人在1999年11月15日发行的应用物理通信(Applied PhysicsLetters)的第20期第75册第3054至3056页的“利用芯片粘贴技术制造具有反射镜基板之AlGaInP发光二极管”中公开另一种技术。该技术在移除GaAs吸光基板之前，先将具有Au/AuBe反射镜的硅基板粘合至发光二极管磊晶结构。一般而言，AlGaInP发光二极管中使用的Au/AuBe是与p型材料形成奥姆接触。此处Au/AuBe在应用芯片粘贴技术的发光二极管磊晶结构中作为粘合层及金属反射镜。然而由于AuBe合金材料的反射性不佳，因而无法增加发光二极管的亮度。此外，在合金过程中通常需要较高的回火温度，如此会使反射镜的平坦度不佳，进而造成其反射性变差。
美国专利No.6,797,987公开了一种使用反射金属层的发光二极管，将例如铟锡氧化物(ITO)层的透明导电氧化物层插入反射金属层与发光结构之间，以使反射金属层在芯片粘贴过程中不会与发光结构发生反应。为了增进ITO层与发光结构之间的奥姆接触，美国专利No.6,797,987所公开的结构在ITO层中形成奥姆接触格子形图案(grid pattern)或信道或在ITO层与发光结构之间形成合金金属网目。由于所公开结构的制程颇为复杂，因此制造成本会增加。合金金属网目需通过高温合金制程来制得，且不容易控制将合金金属蚀刻成网目形状的步骤。此外，合金的厚度也需要注意。若合金金属太薄，则合金金属与发光结构之间的奥姆接触会不佳，但若合金金属太厚，则芯片粘贴后的接合会不强。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种高亮度发光二极管的制造方法，以避免已知在解决基板吸光问题上的缺点。
根据本发明方法所制造的高亮度发光二极管结构包括：至少一个发光结构以及在该发光结构上依序形成的一非合金奥姆接触层、一第一金属层及一基板。将上述发光二极管结构通过包括形成电极及其它相关步骤的晶粒制程(chip process)来制得发光二极管芯片。
本发明高亮度发光二极管结构的制造方法包括至少下列步骤：在第一基板上由下而上依序形成一发光结构、一非合金奥姆接触层、及一第一金属层而构成第一层状结构；以及形成包括至少一第二基板的第二层状结构。使第二层状结构的上层与第一层状结构的上层彼此贴合，并利用芯片粘贴技术将两层层状结构接合在一起。
本发明的主要特征为非合金奥姆接触层及第一金属层的沉积，以解决基板吸光问题。第一金属层作为反射镜，且第一金属层材料为具有优良反射性的纯金属或金属氮化物。非合金奥姆接触层插入发光结构与第一金属层之间，以获得所需的低电阻导电效应。为了防止第一金属层与非合金奥姆接触层及发光结构彼此相混，且为了维持第一金属层的反射表面的平坦性，本发明制造方法还包括在第一金属层与非合金奥姆接触层之间插入一具有光学透明性及导电性的第一介电层的步骤。
本发明的另一特征为反射镜(亦即，第一金属层)的反射表面并不直接参与芯片粘贴。在形成第一层状结构的步骤中，第一金属层在真空状态下直接涂覆在发光结构上，而第一金属层之底面将参与随后的芯片粘贴步骤。因此，在空气中及高温回火、高压下进行的芯片粘贴步骤将不会使第一金属层的反射表面受到污染，因此可改善第一金属层的表面平坦度及其反射性。为了增强第二基板与第一金属层之间的接合力，本发明制造方法还包括在第一金属层下面、或在第二基板上面沉积至少一层作为粘合剂的其它金属层的步骤。在第一金属层下面形成其它金属层的情形下，为了避免其它金属层与第一金属层相混而使第一金属层的反射性变差，本发明可在第一金属层与其它金属层之间插入一第二介电层。
附图说明
图1a是已知发光二极管结构的示意剖面图。
图1b是已知另一发光二极管结构的示意剖面图。
图2a至图2g是根据本发明一实施例的第一层状结构制程的示意剖面图。
图3a至图3c是根据本发明一实施例的第二层状结构制程的示意剖面图。
图4a至图4f是根据本发明一实施例的发光二极管结构的示意剖面图。
图5a至图5c是根据本发明第四实施例的发光二极管结构的示意剖面图。
主要组件符号说明：
100、100′                发光二极管
101、101′                电极
102、102′、202           发光结构
103、103′                半导体基板
109、109′、201、209      电极
203                       临时成长基板
204                       非合金奥姆接触层
2041                      凹槽
205                       第一金属层
2051                      第一介电层
206                    第二金属层
2061                   第二介电层
207                    永久基板
2071                   绝缘层
208                    第三金属层
通过本发明的下述详细说明及附图，本发明的前述及其它目的、特征、观点及优点将会更加明了。
具体实施方式
下述说明仅作为实施例之用，而非用来限制本发明的范围、应用或组态。下述说明为实施本发明的实例，因此可对该些实例的组件作出多种功能及配置的修改及变化而不脱离本发明的精神和范围。
本发明制造方法包括至少下列步骤：在第一基板上由下而上依序形成一发光结构、一非合金奥姆接触层、及一第一金属层而构成第一层状结构；接着，形成包括至少一个第二基板的第二层状结构。然后将第二层状结构的上层与第一层状结构的上层彼此贴合，并利用芯片粘贴技术使两层层状结构接合在一起。本发明制造方法也可在第一层状结构形成之前先形成第二层状结构。形成第一层状结构及第二层状结构的次序并无关紧要。
图2a至图2e是根据本发明一实施例的第一层状结构的制程示意剖面图。如图2a所示，首先形成临时成长基板203，接着在临时成长基板203上成长多层半导体层而形成发光结构202。该发光结构202包括p-n接面的活性层，其可因导通电流而发光。该发光结构202通常包含多层III-V族化合物半导体层。然而该发光结构202的细节对本发明而言并非关键。为方便起见，所有接近发光结构202的方向或位置称为上方或上方位置而相反的方向称为下方或下方位置。对基板203的主要考虑是其如何使发光结构202的发光效率提高。例如，基板的材料为GaAs，因其可与发光结构202的晶格相匹配。
如图2b所示，接着，利用磊晶成长法、真空蒸发法、溅镀法或电镀法在发光结构202上形成非合金奥姆接触层204。可在发光结构202成长之后，于同一反应器内，立即进行该非合金奥姆接触层204的沉积。在另一实施例中，先制备包含发光结构202与基板203的磊晶结构，并予以储存。然后需要时再将非合金奥姆接触层204沉积在该磊晶结构上。
该非合金奥姆接触层204例如为光学透明或光学吸收的p型或n型掺杂的半导体层，而其掺杂密度通常为至少1E19/cm3。该非合金奥姆接触层204材料的实例包含但不仅限于碳掺杂AlAs、碳掺杂GaP、碳掺杂AlP、碳掺杂AlGaAs、碳掺杂InAlAs、碳掺杂InGaP、碳掺杂InAlP、碳掺杂AlGaP、碳掺杂GaAsP、碳掺杂AlAsP、碳掺杂AlGaInP、碳掺杂AlGaInAs、碳掺杂InGaAsP、碳掺杂AlGaAsP、碳掺杂AIInAsP、碳掺杂InGaAlAsP、镁掺杂AlAs、镁掺杂GaP、镁掺杂AlP、镁掺杂AlGaAs、镁掺杂InAlAs、镁掺杂InGaP、镁掺杂InAlP、镁掺杂AlGaP、镁掺杂GaAsP、镁掺杂AlAsP、镁掺杂AlGaInP、镁掺杂AlGaInAs、镁掺杂InGaAsP、镁掺杂AlGaAsP、镁掺杂AlInAsP、镁掺杂InGaAlAsP、锌掺杂AlAs、锌掺杂GaP、锌掺杂AlP、锌掺杂AlGaAs、锌掺杂InAlAs、锌掺杂InGaP、锌掺杂InAlP、锌掺杂AlGaP、锌掺杂GaAsP、锌掺杂AlAsP、锌掺杂AlGaInP、锌掺杂AlGaInAs、锌掺杂InGaAsP、锌掺杂AlGaAsP、锌掺杂AlInAsP、锌掺杂InGaAlAsP、碳掺杂InP、碳掺杂InAs、碳掺杂GaAs、碳掺杂InAsP、镁掺杂InP、镁掺杂InAs、镁掺杂GaAs、镁掺杂InAsP、碳掺杂InP、锌掺杂InAs、锌掺杂GaAs、以及锌掺杂InAsP。需要注意的是，上述掺杂的化合物半导体可具有光学透明性或光学吸收性而需要根据构成该掺杂化合物半导体的元素而定。
如图2c所示，可视需要而在非合金奥姆接触层204形成之后，对该非合金奥姆接触层204进行蚀刻，以在其上形成多个凹槽2041。在该非合金奥姆接触层204上形成多个凹槽2041的优点为其有助于注入电流(injection current)分布的控制。在该非合金奥姆接触层204上形成多个凹槽2041的另一优点为当该非合金奥姆接触层204是由光学吸收材料所组成时，多个凹槽2041的形成可降低光的吸收。当对非合金奥姆接触层204进行蚀刻时，通常会蚀刻至曝露出部分发光结构202。
如图2d所示，接着，利用真空蒸发法、沉积法、溅镀法或电镀法在非合金奥姆接触层204上形成第一金属层205。该第一金属层205作为反射镜，而当由发光结构202所发出的光射向第一金属层205时，该光会反射回该发光结构202。该第一金属层205的材料为纯金属(例如为具有高反射性的金、铝、银)或金属氮化物(例如为具有高反射性的氮化钛(TiNx)、氮化锆(ZrNx))。由于纯金或金属氮化物是用来取代已知合金反射镜，以达到绝佳之反射效果，同时又可省略高温回火步骤。该非合金奥姆接触层204是先沉积以使发光结构202与第一金属层205之间可形成低电阻导电路径。到此，已完成第一层状结构。
在另一实施例中，如图2e所示，在沉积第一金属层205之前，先将具有光学透明性及导电性的第一介电层2051沉积在非合金奥姆接触层204上。沉积第一介电层2051的目的在于避免第一金属层205与发光结构202及非合金奥姆接触层204之间进一步相混。若该非合金奥姆接触层204上存在有凹槽2041，则可维持第一金属层205的反射性及其反射表面的平坦性。该第一介电层2051材料通常为透明的导电氧化物(TOC)，其实例包含但不仅限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌(ZnO)、铝掺杂氧化锌、氧化铟(InO)、氧化镉(CdO)、锡酸镉(CTO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)、以及氧化锶铜(SrCuO)。
在另一实施例中，如图2f所示，为了加强芯片粘贴，可进一步将第二金属层206沉积在第一金属层205上。换言之，由纯金属或金属氮化物构成的第一金属层205用来反射由发光结构202所发出的光，然而由纯金属或合金构成的第二金属层206用来在随后的芯片粘贴步骤中作为粘合剂。同样地，为了避免第二金属层206与第一金属层205相混合，且为了维持第一金属层205的反射性，可先将第二介电层2061沉积在第一金属层205上，如图2g所示。
值得注意的是，当第一金属层205作为反射镜时，第二介电层2061的光学特性并无关紧要。此外，若图2g所示的发光二极管结构的电极以垂直方式配置，则第二介电层2061必须具有导电性，以便在电极之间形成导电路径。若如图2g所示的发光二极管结构的电极以平面方式配置，则第二介电层2061是否具有导电性，将会影响平面电极其中之一的配置。细节将说明如下。
值得注意的是，可将另外一对介电层及金属层形成在如图2g所示的第一层状结构上。同样地，另外形成的介电层不需要具有光学透明性及导电性，而另外形成的金属层的材料可为纯金属或合金金属。如上所述的第二介电层2061及其它介电层的材料可为透明的导电氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌(ZnO)、铝掺杂氧化锌、氧化铟(InO)、氧化镉(CdO)、锡酸镉(CTO)、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)、及氧化锶铜(SrCuO))；金属氮化物(例如非光学透明的TiNx、ZrNx)；或绝缘材料(例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx))。
图3a至图3c是根据本发明一实施例的第二层状结构的示意剖面图。如图3a所示，第二层状结构为仅含有永久基板207的最简单结构。在另一实施例中，如图3b图所示，利用真空蒸发法、沉积法、溅镀法或电镀法将至少一层第三金属层208形成在永久基板207上。与第二金属层相同，第三金属层208材料可为纯金属或合金金属，而第三金属层208也用来增强芯片粘贴作用。在第三金属层208沉积之后，可视需要对第三金属层208进行回火，以增进其导电性或粘着性。
由于在芯片粘贴步骤之后的最后发光二极管结构中，第一金属层205可反射大部分(若不是全部)射向基板207的光，因此该基板207的光学特性并不重要。该基板207可为半导体基板、金属基板、或其它适宜的基板。该基板207可具有导电性或不具有导电性。具有导电性的基板207材料的实例包含但不仅限于掺杂的Ge、掺杂的Si、掺杂的GaAs、掺杂的GaP、掺杂的InP、掺杂的InAs、掺杂的GaN、掺杂的AlGaAs、掺杂的SiC、掺杂的GaAsP、Mo、Cu以及Al。不具有导电性的基板207’材料的实例包含但不仅限于Ge、Si、GaAs、GaP、InP、InAs、GaN、AlN、AlGaAs、SiC、GaAsP、蓝宝石、玻璃、石英、以及陶瓷。
该基板207是否具有导电性将会影响随后晶粒制程中的最后发光二极管结构的电极配置。若该基板207不具有导电性，则该些电极须以平面方式配置。若该基板207具有导电性，则该些电极可以垂直方式或以平面方式配置。如图3c所示，若本发明的发光二极管结构以平面方式于导电性基板上配置电极，则可在形成视需要的第三金属层208之前，先将一绝缘层2071沉积在该基板207上。该绝缘层2071的材料可为SiNx或SiOx。也可使基板207进行氧化反应而形成绝缘层2071。值得注意的是，若第二介电层2061与其它介电层中之一不具有导电性，则不需形成绝缘层2071。然而由于介电层通常无法提供所需的绝缘功能，因此仍需形成绝缘层2071。为了达到更佳的绝缘功能，可形成绝缘层2071与不具导电性的基板二者。
至此，已完成第一层状结构与第二层状结构。接着，使第二d至二g图所示的第一层状结构的上层与图3a至图3c所示的第二层状结构的上层彼此贴合，并利用芯片粘贴技术将两层层状结构接合在一起。在芯片粘贴步骤中，还可使用第二金属层206与第三金属层208以外的其它粘合剂，以加速接合作用。然后可将临时成长基板203移除。因为系在发光结构202与永久基板207接合之后，再移除临时成长基板203，所以因发光结构202太薄而不易予以处理的问题可获得解决。值得注意的是，若需要，也可在芯片粘贴步骤之前，先将临时成长基板203移除。芯片粘贴与临时基板移除的技术是本领域技术人员已知的。图4a至图4d分别显示将第三a图所示的第二层状结构与图2d至图2g所示的第一层状结构接合后的最后发光二极管结构。图4e至图4f分别显示将第二g图所示的第一层状结构与第三b至三c图所示的第二层状结构接合后的最后发光二极管结构。
与已知利用芯片粘贴技术将反射镜接合至发光结构的技艺相较，本发明在芯片粘贴步骤之前，先在真空下将第一金属层205(亦即反射镜)直接形成在发光结构上，因而在芯片粘贴步骤中反射镜的反射表面并不会直接参与芯片粘贴，因此，利用本发明制造方法不会使反射表面粗糙，同时反射镜的反射表面也因不参与反应而不会受到污染。因此，与利用已知技艺所形成的反射镜相较，本发明的第一金属层205能具有更高的反射性。
接着，可利用已知晶粒制程将发光二极管结构制造成发光二极管芯片。除了例如利用湿式或干式化学技术来移除发光二极管结构上的残余污染物，并通过烘烤、吹气或晶圆旋转等方法来移除所用的清洁液之外，晶粒制程还包括在本发明的发光二极管结构的适当位置上形成阳极及阴极。在如图5a所示的垂直电极配置中，基板207及所有介电层皆必须具有导电性，以使两个电极201及209之间可形成导电路径。但在如图5b图所示的非导电性基板207，或是如图5c图所示的被绝缘层所隔绝的导电性基板207的情形下，两个电极201及209必须以平面方式配置。在如图5b及图5c所示的平面电极配置中，对部分发光二极管结构向下进行蚀刻，一直达到一适当深度而曝露出位于非合金奥姆接触层204与基板207之间的金属层。在图5b所示的实施例中，对发光二极管结构进行蚀刻，以曝露出部分第一金属层205。然后在发光结构202及第一金属层205所曝露出的区域上分别形成电极201及209。值得注意的是，若形成有多层金属层，则只要电极201及209之间可导通电流，对发光二极管结构向下进行蚀刻的深度并无特别限制。例如在图5c图中，对发光二极管结构进行蚀刻直至曝露出部分第二金属层206。如上所述，第二介电层是否具有导电性将会影响平面电极中之一的配置。因此，为了使图5c图中的电极201及209的平面配置运转，第二介电层2061必须具有导电性。另一方面，由于图5b图中的第二介电层2061并不在电极201及209之间的导电路径上，因此其可不具有导电性。
对于本领域技术人员而言，本发明明显地可以作出多种修改及变化而不脱离本发明的精神和范围。因此，本发明包括该些修改及变化，且其皆被包括在所附权利要求书的范围及其等价者中。

Claims (26)

1.一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤：
(a)在一第一基板上由下而上依序形成一发光结构、一非合金奥姆接触层、以及一第一金属层而形成一第一层状结构；
(b)形成包括一第二基板的一第二层状结构；以及
(c)利用芯片粘贴技术，将第二层状结构的上层与第一层状结构的上层接合在一起。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其还包括在步骤(c)之后，移除该第一基板。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其还包括在步骤(a)之后且在步骤(c)之前，移除该第一基板。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)是以相同成长法在该第一基板上形成该发光结构及该非合金奥姆接触层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)在以一成长法于该第一基板上形成该发光结构之后，再以另一沉积法于该发光结构上形成该非合金奥姆接触层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该第一金属层的材料是纯金属或金属氮化物。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其中，该第一金属层的材料是选自由Au、Al、Ag、TiNx及ZrNx所组成的组群。
8.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)在形成该第一金属层之前还包括在该非合金奥姆接触层上形成具有光学透明性及导电性的一介电层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其中，该介电层的材料是透明导电氧化物。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其中，该介电层的材料是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化铟、氧化镉、锡酸镉、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)以及氧化锶铜(SrCuO)所组成的组群。
11.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)在形成该第一金属层之后还包括在该第一金属层上形成一第二金属层，而该第二金属层是作为粘合剂。
12.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二金属层的材料是纯金属或合金金属。
13.根据权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)在形成该第二金属层之前还包括在该第一金属层上形成一第二介电层。
14.根据权利要求13所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二介电层的材料是选自由透明导电氧化物、金属氮化物以及绝缘材料所组成的组群。
15.根据权利要求14所述的发光二极管的制造方法，其中，该介电层的材料是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、磷掺杂氧化锡、氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化铟、氧化镉、锡酸镉、氧化铜铝(CuAlO)、氧化铜钙(CuCaO)、氧化锶铜(SrCuO)、TiNx、ZrNx、SiNx以及SiOx所组成的组群。
16.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(b)还包括在该第二层状结构上形成至少一层第三金属层，而该第三金属层是作为粘合剂。
17.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该第三金属层的材料是纯金属或合金金属。
18根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(b)在该第二基板形成之后还包括在该第二基板上形成一绝缘层。
19.根据权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其中，该绝缘层的材料是SiNx或SiOx。
20.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二基板是一导电性基板。
21.根据权利要求20所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二基板的材料是选自由掺杂的Ge、掺杂的Si、掺杂的GaAs、掺杂的GaP、掺杂的InP、掺杂的InAs、掺杂的GaN、掺杂的AlGaAs、掺杂的SiC、掺杂的GaAsP、Mo、Cu以及Al所组成的组群。
22.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二基板是一非导电性基板。
23.根据权利要求22所述的发光二极管的制造方法，其中，该第二基板的材料是选自由Ge、Si、GaAs、GaP、InP、InAs、GaN、AlN、AlGaAs、SiC、GaAsP、蓝宝石、玻璃、石英以及陶瓷所组成的组群。
24.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，该非合金奥姆接触层是一掺杂半导体层。
25.根据权利要求24所述的发光二极管的制造方法，其中，该非合金奥姆接触层之材料系选自碳掺杂AlAs、碳掺杂GaP、碳掺杂AlP、碳掺杂AlGaAs、碳掺杂InAlAs、碳掺杂InGaP、碳掺杂InAlP、碳掺杂AlGaP、碳掺杂GaAsP、碳掺杂AlAsP、碳掺杂AlGaInP、碳掺杂AlGaInAs、碳掺杂InGaAsP、碳掺杂AlGaAsP、碳掺杂AlInAsP、碳掺杂InGaAlAsP、镁掺杂AlAs、镁掺杂GaP、镁掺杂AlP、镁掺杂AlGaAs、镁掺杂InAlAs、镁掺杂InGaP、镁掺杂InAlP、镁掺杂AlGaP、镁掺杂GaAsP、镁掺杂AlAsP、镁掺杂AlGaInP、镁掺杂AlGaInAs、镁掺杂InGaAsP、镁掺杂AlGaAsP、镁掺杂AlInAsP、镁掺杂InGaAlAsP、锌掺杂AlAs、锌掺杂GaP、锌掺杂AlP、锌掺杂AlGaAs、锌掺杂InAlAs、锌掺杂InGaP、锌掺杂InAlP、锌掺杂AlGaP、锌掺杂GaAsP、锌掺杂AlAsP、锌掺杂AlGaInP、锌掺杂AlGaInAs、锌掺杂InGaAsP、锌掺杂AlGaAsP、锌掺杂AlInAsP、锌掺杂InGaAlAsP、碳掺杂InP、碳掺杂InAs、碳掺杂GaAs、碳掺杂InAsP、镁掺杂InP、镁掺杂InAs、镁掺杂GaAs、镁掺杂InAsP、碳掺杂InP、锌掺杂InAs、锌掺杂GaAs以及锌掺杂InAsP所组成的组群。
26.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其中，步骤(a)在该非合金奥姆接触层之后还包括在该非合金奥姆接触层上形成复数个凹槽。
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