TWI395344B - 發光二極體與其製造方法 - Google Patents

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發光二極體與其製造方法
本發明係有關於一種發光二極體與其製造方法，特別是有關於可提升光取出率的發光二極體與其製造方法。
發光二極體係由一種具有同質結構(Homostructure)、單異質結構(Single Heterostructure)、雙異質結構(Double Heterostructure；DH)、或是多重量子井(Multiple Quantum Well；MQW)結構所堆疊而成的磊晶結構，其能自然放射出不同波長之光線的p-n接面二極體。由於發光二極體具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應速度快、以及可發出穩定波長的色光等良好光電特性，因此常應用於家電、儀表之指示燈、光電產品之應用光源、以及光電通訊領域。
傳統的發光二極體係在一個基板(Substrate)，一個n型下包覆層，一個主動層、以及一個p型上包覆層，藉由電流通過主動層的磊晶結構而發光，並藉由磊晶結構的各種不同組成來改變發光二極體發光波長。
通常，對發光二極體元件而言，發光亮度的高低主要係取決於主動層之量子效率(Quantum Efficiency)和光取出效率(Light Extraction Efficiency)。主動層之量子效率愈高，則發光二極體之發光亮度隨之提高，主動層之量子效率一般主要係由磊晶的品質以及主動層之結構設計來增加其效率。另一方面，光取出效率愈高，發光二極體之發光 亮度也會增加，光取出效率的改善主要係致力於克服，主動層所發出的光子中有大部分在發光二極體元件內部全反射而造成光損失的現象。
目前相當常見的一種增加發光二極體元件之光輸出的方法，係透過提高發光二極體之光取出率。增加發光二極體之光取出效率的方法大致有下列幾種。第一種係利用直接蝕刻發光二極體表面，來粗糙化表面，藉以達到提高發光二極體之光取出效率的效果。在表面糙化的方式中，通常係透過遮罩來保護表面之局部區域，再進行濕式或乾式蝕刻，來達到表面糙化的目的。但，表面糙化之方式，表面糙化的均勻度不佳。第二種則係利用蝕刻方式來改變發光二極體之外型。然而，第二種方式之製程較為繁複，因此製程良率不佳。
因此，本發明之一方面係在於提供一種發光二極體與其製造方法，藉以提升發光二極體的光取出率，增進發光效率。
根據本發明之實施例，此發光二極體至少包含永久基板、接合層、幾何圖案層、金層反射層、磊晶結構、第一電極及第二電極。永久基板具有相對的第一表面和第二表面，接合層係設於永久基板的第一表面上，幾何圖案層係設於接合層上，其中幾何圖案層具有一週期性結構。金屬反射層係設於接合層和幾何圖案層之間，磊晶結構係設於幾何圖案層上，第一電極係形成於磊晶結構上，第二電極 係形成於永久基板的第二表面上。
又，根據本發明之實施例，此發光二極體的製造方法，至少包含：提供成長基板；形成磊晶結構於成長基材上；形成幾何圖案層於磊晶結構上，其中幾何圖案層具有一週期性結構；形成金屬反射層於幾何圖案層上；形成接合層於金屬反射層上；形成永久基板於接合層上；移除成長基材；形成第一電極於磊晶結構上；以及形成第二電極於永久基板的表面上。
又，根據本發明之實施例，上述之發光二極體的磊晶結構係依序形成第一電性半導體層、主動層及第二電性半導體層，且第二電性半導體層的電性係相反於第一電性半導體層，其中第二電性半導體層具有一部分表面，而第二電極形成於第二電性半導體層的部分表面上，第一電極形成於第一電性半導體層的表面上。
因此本發明之發光二極體係藉由幾何圖案層和金屬反射層來形成週期性結構的反射面，以反射不同角度的入射光，使發光二極體的發光集中由正向出光，因而可提升光取出率，進而增加發光效率。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，本說明書特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：請參照第1A圖至第1F圖，其繪示依照本發明第一實施例之發光二極體的製程剖面圖。本實施例的發光二極體 100至少包含有磊晶結構120、幾何圖案層130、金屬反射層140、接合層150、永久基板160、第一電極170及第二電極180。接合層150、金屬反射層140、幾何圖案層130及磊晶結構層120係依序地堆疊於永久基板160上。第一電極170和第二電極180係分別形成於發光二極體100的兩側，以形成垂直導通型結構。
請參照第1A圖，首先，提供成長基材110。此成長基材110例如為：砷化鎵(GaAs)、矽、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)基板、藍寶石、磷化銦或磷化鎵。
接著，形成磊晶結構120於成長基材110之上，磊晶結構120係藉由一磊晶製程所形成，例如係有機金屬氣相沉積磊晶法(MOCVD)、液相磊晶法(LPE)或分子束磊晶法(MBE)等磊晶製程。此磊晶結構120具有第一電性半導體層121、主動層122、第二電性半導體層123及第二電性接觸層124，來依序沉積於成長基材110之上，其中第一電性半導體層121的電性係不同於第二電性半導體層123。本實施例的第一電性和第二電性為不同電性。當第一電性為N型時，第二電性為P型；而當第一電性為P型時，第二電性則為N型。在本實施例中，第一電性半導體層121的材料例如為N型磷化鋁鎵銦[(AlxGa1-x)yIn1-yP,x>0.4]，主動層122例如係由磷化鋁鎵銦材質所形成的多重量子井結構，第二電性半導體層123的材料例如為P型磷化鋁鎵銦[(AlxGa1-x)yIn1-yP,x>0.4]，第二電性接觸層124的材料可例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)或氮化鈦(Titanium Nitride)等具有導電性及透光性的材料。另外，本實施例之磊晶結構120可例如係由：同質結構、單異質結構、雙異質結構、或是多重量子井結構所堆疊而成。
請參照第1B圖和第2圖，第2圖係繪示依照本發明第一實施例之發光二極體之金字塔形結構的側視示意圖。接著，形成幾何圖案層130於磊晶結構120上，其中幾何圖案層130具有週期性結構，其例如係由複數個金字塔形結構131所組成。此幾何圖案層130係沉積介電質材料或透明氧化材料於磊晶結構120上，例如可為：氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)或氧化鋁(AlOx)等氧化物。此些金字塔形結構131係分別相隔一預定間距地設置，以形成週期性結構131，而每一此些金字塔形結構131的底角角度θ係實質小於90度。
請參照第1C圖，接著，形成金屬反射層140於幾何圖案層130上，接著形成接合層150於金屬反射層140。金屬反射層140的材料可例如為：鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫或其合金等具有高反射率的金屬材質。而接合層150的材料可例如為：銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質、鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀或其合金，用以接合永久基板160，以進行一基板轉移(Substrate Transferring)動作。值得注意，由於金屬反射層140係形成於幾何圖案層130的週期性結構上，故金屬反射層140可形成週期性結構的反射面，並可反射不同角度的入射光。
請參照第1D圖，接著，形成永久基板160於接合層150上。本實施例之永久基板160的材料係具有導電性，例如可為：磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、矽或金屬材質。
請參照第1E圖，接著，移除成長基材110，因而裸露出磊晶結構120之第一電性半導體層121的表面。成長基材110例如係藉由雷射剝離技術、蝕刻製程或化學機械研磨製程來被移除。
請參照第1F圖，接著，形成第一電性接觸層125於磊晶結構120的第一電性半導體層121上。第一電性接觸層125的材料可例如為：氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)或氮化鈦(Titanium Nitride)等具有導電性及透光性的材料。接著，利用熱蒸鍍(Thermal Evaporation)、電子束蒸鍍(E-beam)或離子濺鍍(Sputtering)等方法，形成第一電極170於第一電性接觸層125上，並形成第二電極180於永久基板160的裸露表面上，因而完成本實施的發光二極體100。其中第一電極170的材料可例如為：In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金材料。而第二電極180的材料可例如為：Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、 Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、NiIn、Pt3In7或其合金材料。
因此，本實施的發光二極體100係藉由幾何圖案層130和金屬反射層140來形成週期性結構的反射面，因而可反射不同角度的入射光，使由磊晶結構120所發出的光線在經由金屬反射層140的反射後可有效地正向出光，進而提升發光二極體100的光取出率，增加發光二極體100的發光效率。
請參照第3A和3B圖，其繪示依照本發明之第二實施例之發光二極體的製程剖面圖。以下僅就本實施例與第一實施例之相異處進行說明，關於相似處在此不再贅述。相較於第一實施例的第1E和1F圖，第二實施例之發光二極體300至少包含有磊晶結構層320、幾何圖案層330、金屬反射層340、接合層350、永久基板360、第一電極370、第二電極380及絕緣保護層390。接合層350、金屬反射層340、幾何圖案層330及磊晶結構層320係依序地堆疊於永久基板360上，其中磊晶結構層320具有第一電性半導體層321、主動層322、第二電性半導體層323、第二電性接觸層324及第一電性接觸層325，且第二電性半導體層323暴露出一部分表面323a。第一電極370係形成第一電性接觸層325上，而第二電極380係形成於第二電性半導體層323的部分表面323a，且永久基板360的材質為不導電或導電，因而形成橫向導通型結構。
如第3A和3B圖所示，在移除成長基材310和形成第一電性接觸層325後，接著，利用乾式蝕刻、濕式蝕刻或機械切割研磨來移除部分第一電性半導體層321和部分主 動層322，以暴露出第二電性半導體層323的部分表面323a。接著，形成第一電極370於第一電性接觸層325上，並形成第二電極380於第二電性半導體層323的部分表面323a上，以形成橫向導通型結構。接著，形成絕緣保護層390於第一電性接觸層325和第二電性半導體層323所未覆蓋的表面上，以封裝保護元件，絕緣保護層390的材料例如可為：含矽的氧化物、氮化物或高介電有機材料，因而完成本實施例的發光二極體300。因此，第二實施例的發光二極體300可藉由幾何圖案層330和金屬反射層340來提升光取出率，增加發光效率。
由上述本發明之實施例可知，本發明之發光二極體係藉由幾何圖案層和金屬反射層來形成週期性結構的反射面，以反射不同角度的入射光來集中正向出光，因而可提升光取出率，進而增加發光效率。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
θ‧‧‧底角角度
100‧‧‧發光二極體
110‧‧‧成長基材
120‧‧‧磊晶結構
121‧‧‧第一電性半導體層
122‧‧‧主動層
123‧‧‧第二電性半導體層
124‧‧‧第二電性接觸層
125‧‧‧第一電性接觸層
130‧‧‧幾何圖案層
131‧‧‧金字塔形結構
140‧‧‧金屬反射層
150‧‧‧接合層
160‧‧‧永久基板
170‧‧‧第一電極
180‧‧‧第二電極
300‧‧‧發光二極體
310‧‧‧成長基材
320‧‧‧磊晶結構
321‧‧‧第一電性半導體層
322‧‧‧主動層
323‧‧‧第二電性半導體層
323a‧‧‧部分表面
324‧‧‧第二電性接觸層
325‧‧‧第一電性接觸層
330‧‧‧幾何圖案層
340‧‧‧金屬反射層
350‧‧‧接合層
360‧‧‧永久基板
370‧‧‧第一電極
380‧‧‧第二電極
390‧‧‧絕緣保護層
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1A圖至第1F圖係繪示根據本發明之第一實施例之發光二極體的製程剖面圖。
第2圖係繪示根據本發明之第一實施例之發光二極體 之金字塔形結構的側視示意圖。
第3A圖和第3B圖係繪示根據本發明之第二實施例之發光二極體的製程剖面圖。
100‧‧‧發光二極體
110‧‧‧成長基材
120‧‧‧磊晶結構
121‧‧‧第一電性半導體層
122‧‧‧主動層
123‧‧‧第二電性半導體層
124‧‧‧第二電性接觸層
125‧‧‧第一電性接觸層
130‧‧‧幾何圖案層
140‧‧‧金屬反射層
150‧‧‧接合層
160‧‧‧永久基板
170‧‧‧第一電極
180‧‧‧第二電極

Claims (56)

  1. 一種發光二極體，至少包含：一永久基板，具有相對之一第一表面和一第二表面；一接合層，設於該永久基板的該第一表面上；一幾何圖案層，設於該接合層上，其中該幾何圖案層具有一週期性結構，且該幾何圖案層設有複數個金字塔形結構，每一該些金字塔形結構的底角角度係實質小於90度；一金屬反射層，設於該接合層和該幾何圖案層之間；一磊晶結構，設於該幾何圖案層之上，其中該磊晶構具有一第二性接觸層，且該第二電性接觸層直接設於該幾何圖案層之上；一第一電極，形成於該磊晶結構上；以及一第二電極，形成於該永久基板的第二表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該磊晶結構更設有一第二電性半導體層、一主動層及一第一電性半導體層，以依序形成於該幾何圖案層上，且該第二電性半導體層的電性係相反於該第一電性半導體層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體，其中該磊晶結構更設有一第一電性接觸層位於該第一電極和該第一電性半導體層之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該 第二電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體，其中該第一電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該永久基板的材質具有導電性。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該永久基板的材料係選自由磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、矽及金屬材質所組成之一族群。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該幾何圖案層的材料係選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlOx)所組成之一族群。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該金屬反射層的材料係選自由鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫及其合金所組成之一族群。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質、鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀或其合金所組成之一族群。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第一電極的材料係選自由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第二電極的材料係選自Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、NiIn、Pt3In7及其合金所組成之一族群。
  13. 一種發光二極體的製造方法，至少包含： 提供一成長基板；形成一磊晶結構於該成長基材上，其中該磊晶結構具有一第二電性接觸層；形成一幾何圖案層直接於該第二電性接觸層上，其中該幾何圖案層具有一週期性結構，且該幾何圖案層設有複數個金字塔形結構，每一該些金字塔形結構的底角角度係實質小於90度；形成一金屬反射層於該幾何圖案層上；形成一接合層於該金屬反射層上；形成一永久基板於該接合層上；移除該成長基材；形成一第一電極於該磊晶結構上；以及形成一第二電極於該永久基板的表面上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該成長基板的材料係選自由砷化鎵(GaAs)、矽、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、藍寶石、磷化銦及磷化鎵所組成之一族群。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該磊晶結構更設有一第二電性半導體層、一主動層及一第一電性半導體層，以依序形成於該幾何圖案層上，且該第二電性半導體層的電性係相反於該第一電性半導體層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體的製造方法，其中該磊晶結構更設有一第一電性接觸層位於該第一電極和該第一電性半導體層之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  19. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該永久基板的材質具有導電性。
  20. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該永久基板的材料係選自由磷砷化鎵(GaAsP)、 磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、矽及金屬材質所組成之一族群。
  21. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該幾何圖案層的材料係選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlOx)所組成之一族群。
  22. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該金屬反射層的材料係選自由鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫及其合金所組成之一族群。
  23. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質、鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀或其合金所組成之一族群。
  24. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一電極的材料係選自由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
  25. 如申請專利範圍第13項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二電極的材料係選自Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、NiIn、Pt3In7及其合金所組成之一族群。
  26. 一種發光二極體，至少包含：一永久基板；一接合層，設於該永久基板上；一幾何圖案層，設於該接合層上，其中該幾何圖案層具有一週期性結構；一不連續金屬反射層，設於該接合層和該幾何圖案層之間；一磊晶結構，設於該幾何圖案層之上，其中該磊晶結構至少包含：一第二電性接觸層，設於該幾何圖案層之上；一第二電性半導體層，設於該第二電性接觸層上，並暴露出一部分表面；一主動層，設於該第二電性半導體層上；以及一第一電性半導體層，設於該主動層上，其中該第二電性半導體層的電性係相反於該第一電性半導體層；一第二電極，設於該第二電性半導體層的該部分表面上；以及 一第一電極，設於該第一電性半導體層上。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該磊晶結構更至少包含：一第一電性接觸層，設於該第一電極和該第一電性半導體層之間。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體，其中該第一電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  29. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該第二電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  30. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該幾何圖案層設有複數個金字塔形結構，且每一該些金字塔形結構的底角角度係實質小於90度。
  31. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該永久基板的材質具有導電性。
  32. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該永久基板的材質不導電。
  33. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該永久基板的材料係選自由磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、矽及金屬材質所組成之一族群。
  34. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該幾何圖案層的材料係選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlOx)所組成之一族群。
  35. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該金屬反射層的材料係選自由鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫及其合金所組成之一族群。
  36. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質、鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀或其合金所組成之一族群。
  37. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該第一電極的材料係選自由In、Al、Ti、Au、W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
  38. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中該第二電極的材料係選自Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、NiIn、Pt3In7及其合金所組成之一族群。
  39. 如申請專利範圍第26項所述之發光二極體，其中更至少包含：一絕緣保護層，形成於該第一電性接觸層和該第二電性半導體層所未覆蓋的表面上。
  40. 如申請專利範圍第39項所述之發光二極體，其中該絕緣保護層係選自由含矽的氧化物、氮化物及高介電有機材料所組成之一族群。
  41. 一種發光二極體的製造方法，至少包含： 提供一成長基板；形成一磊晶結構於該成長基材上，其中該磊晶結構係依序形成一第一電性半導體層、一主動層、一第二電性半導體層及一第二電性接觸層，且該第二電性半導體層的電性係相反於該第一電性半導體層；形成一幾何圖案層直接於該第二電性接觸層上，其中該幾何圖案層具有一週期性結構；形成一不連續金屬反射層於該幾何圖案層上；形成一接合層於該金屬反射層上；形成一永久基板於該接合層上；移除該成長基材；蝕刻部分該第一電性半導體層和部分該主動層，以暴露出該第二電性半導體層的部分表面；形成一第二電極於該第二電性半導體層的部分表面上；以及形成一第一電極於該第一電性半導體層的表面上。
  42. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該成長基板的材料係選自由砷化鎵(GaAs)、矽、碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、藍寶石、磷化銦及磷化鎵所組成之一族群。
  43. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該磊晶結構更至少包含： 一第一電性接觸層，設於該第一電極和該第一電性半導體層之間。
  44. 如申請專利範圍第43項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  45. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二電性接觸層的材料係選自由氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc oxide)、氧化鎂(Magnesium oxide)及氮化鈦(Titanium Nitride)所組成之一族群。
  46. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該幾何圖案層設有複數個金字塔形結構，且每一該些金字塔形結構的底角角度係實質小於90度。
  47. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該永久基板的材質具有導電性。
  48. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該永久基板的材質不導電。
  49. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該永久基板的材料係選自由磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鋁鎵銦(AlGaInP)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、矽及金屬材質所組成之一族群。
  50. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該幾何圖案層的材料係選自由氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧化鈦(TiOx)及氧化鋁(AlOx)所組成之一族群。
  51. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該金屬反射層的材料係選自由鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫及其合金所組成之一族群。
  52. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該接合層的材料係選自由銀膠、自發性導電高分子或高分子中摻雜導電材質、鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈦、鉛、銅、鈀或其合金所組成之一族群。
  53. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該第一電極的材料係選自由In、Al、Ti、Au、 W、InSn、TiN、WSi、PtIn2、Nd/Al、Ni/Si、Pd/Al、Ta/Al、Ti/Ag、Ta/Ag、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiN、Zr/ZrN、Au/Ge/Ni、Cr/Ni/Au、Ni/Cr/Au、Ti/Pd/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Au/Si/Ti/Au/Si、Au/Ni/Ti/Si/Ti或其合金所組成之一族群。
  54. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中該第二電極的材料係選自Ni/Au、NiO/Au、Pd/Ag/Au/Ti/Au、Pt/Ru、Ti/Pt/Au、Pd/Ni、Ni/Pd/Au、Pt/Ni/Au、Ru/Au、Nb/Au、Co/Au、Pt/Ni/Au、Ni/Pt、NiIn、Pt3In7及其合金所組成之一族群。
  55. 如申請專利範圍第41項所述之發光二極體的製造方法，其中更至少包含：一絕緣保護層，形成於該第一電性接觸層和該第二電性半導體層所未覆蓋的表面上。
  56. 如申請專利範圍第54項所述之發光二極體的製造方法，其中該絕緣保護層係選自由含矽的氧化物、氮化物及高介電有機材料所組成之一族群。
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