JP2010251792A - 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード - Google Patents
平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010251792A JP2010251792A JP2010146864A JP2010146864A JP2010251792A JP 2010251792 A JP2010251792 A JP 2010251792A JP 2010146864 A JP2010146864 A JP 2010146864A JP 2010146864 A JP2010146864 A JP 2010146864A JP 2010251792 A JP2010251792 A JP 2010251792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- item
- led
- layer
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 20
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 GaInN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】反射サブマウントを有する高抽出効率の発光ダイオードおよびそのLEDを形成するための方法を提供する。
【解決手段】発光領域が上部接触子160および伝導性ホルダ190の間に配置される。その領域は、上部接触子の下に位置する領域以上に広がる。全方位リフレクタ180が、発光領域120および伝導性ホルダの間に配置される。1つの実施形態では、このリフレクタが、上部接触子の下に位置する領域以上の領域に対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性の接触子を包含する。1つの実施形態では、このリフレクタが、約1.0から2.25の屈折率とリフレクタを通して広がる接触子183と反射伝導性膜184とを有する誘電体層を包含する。
【選択図】図8
【解決手段】発光領域が上部接触子160および伝導性ホルダ190の間に配置される。その領域は、上部接触子の下に位置する領域以上に広がる。全方位リフレクタ180が、発光領域120および伝導性ホルダの間に配置される。1つの実施形態では、このリフレクタが、上部接触子の下に位置する領域以上の領域に対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性の接触子を包含する。1つの実施形態では、このリフレクタが、約1.0から2.25の屈折率とリフレクタを通して広がる接触子183と反射伝導性膜184とを有する誘電体層を包含する。
【選択図】図8
Description
本発明は、概して、LED(発光ダイオード)に関し、より具体的には、光抽出効率を高める全方位リフレクタを有するLEDに関する。
LEDは、半導体の、発光する領域を電流が通るとき、1つ以上の赤外線、可視光線、および紫外線のスペクトル領域で発光する。図1に示すように、通常のLED1が、550nm−700nmの波長領域で光を発する。LED1は、GaAs(ガリウムヒ素)基板3と格子整合するAlGaInP(リン酸化アルミニウム ガリウム インジウム)活性領域2を含む。AlGaInP活性領域2は、2つの逆にドープされた閉じ込め層5に囲まれる発光領域4を含む。LED1は、GaAs基板3の光を吸収する性質から、AS−LED(absorbing−substrate light−emitting diode)と呼ばれ得る。活性基板材料の構成の化学式は、(AlxGa1−x)0.5In0.5Pであり、ここで、xは0.0と1.0との間で変化し得る。この化学構成は、通常AlGaInPと略される(AlxGa1−x)0.5In0.5Pが、GaAs基板3と格子整合であることを確実にする。
通常、AS−LED1は活性領域2の上に位置するウインドウ6を含む。ウインドウ6は、AlおよびInなどの他の要素も少量含み得るGaP(リン化ガリウム)から構成され得る。ウインドウ6はまた、ヒ化アルミニウム ガリウム、つまりAlxGa1−xAsから構成され得る。通常、高電気伝導性の金属または合金を含む、光学的に不透明な上部接触子9がウインドウ6の上に形成され、かつ、高電気伝導性基板接触子10が、活性領域2の反対側に基板3の隣りに形成される。ウインドウ6はまた、電流拡散層と呼ばれ得るが、それは、図2に示すように、上部接触子9によってカバーされる以上に広い範囲に、ウインドウ6が電流を分散させるからである。発光領域4を含む活性領域2は、当該分野では公知のように、DH(ダブルへテロ構造)か、より普通には、多重量子井戸構造である。
電流が、活性領域2を介して、上部接触子9と基板接触子10との間を通過する際、図2の点線で示す発光断面によって示されるように、発光領域4から全方向に光が発光される。発光断面7は発光領域4の電流密度に対応する。基板3に向けて発光される光はGaAs基板3によって吸収される。基板3から離れる方向に発光され、かつウインドウ6の上面または底面に対して法線に近づくまたは法線である入射角を有する光は、LED1から発光される。しかし、ウインドウ6に対して斜めの入射角を有する光は、ウインドウの上面で反射さ得れ、従って、基板3に吸収され得る。
AS−LED1の光抽出効率の向上の努力の中で、分散ブラッグリフレクタ(DBR)8が活性領域2と基板3との間に配置され得る。DBR8は部分的に反射するのみだが、しかし、共鳴する波長と法線の入射角とによって、最も高い反射率を提供している。DBR8によって反射されない光は、GaAs基板3によって吸収される。
図3−7は別のLED構造を示す。この構造は透明基板13を有して形成されるので、LED11はTS−LED11と呼ばれる。活性領域12が、(AS−LED1と同様な)GaAs基板13a上に、形成される。その後、GaPまたはAlGaAsのウインドウ16が活性領域12の上に形成され、そして、GaAs基板13aが構造から除去される。次に、活性領域12およびGaPまたはAlGaAsのウインドウ16は、透明GaP基板13に結合するウェハである。活性領域12から透明GaP基板13に向けて発光される光は、吸収されることなく透明GaP基板13を透過し、かつその光は透明GaP基板13から逃れ得るか、またはデバイスのパッケージ(図示せず)によって反射され得る。
TS−LED11はAS−LED1よりも優れた光抽出効率を提供するが、TS−LED11に関連するいくつかの不利点がある。活性領域12および透明GaP基板13の間の半導体−半導体ウェハ結合は、高精度を必要とし、かつ極端に汚染に敏感であり、したがって、処理工程コストが高くかつ工程歩留まりが低い。TS−LED11の別の不利点は、透明GaP基板13が高価なことである。さらに、GaP/AlGaInPインターフェースおよびGaP基板は、AS−LEDに比べてより高い順電圧を生む。より高い順電圧はTS−LED11の効率を下げる。
したがって、TS−LED11の、不利点となる費用、低い歩留まり、および順電圧を有さない、高光抽出効率を提供するLEDへの要望がある。
(発明の要旨)
このことやその他の要望に応えるため、およびその目的の見地から、本発明の例示的実施形態が、反射サブマウントを有する高抽出効率の発光ダイオードを提供する。発光領域が上部の接触子および伝導性ホルダの間に設置され、上部の接触子の下に位置する領域以上に広がる。全方位リフレクタが、活性領域と伝導性ホルダの間に設置される。1つの実施形態では、リフレクタが、上部の接触子の下に位置する領域以上の領域に、対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性接触子を含む。1つの実施形態によると、リフレクタが、約1.10から2.25の間の屈折率を有する誘電体層と、誘電体層を介して延びる接触子と、金属で構成される反射伝導性膜とを含む。
このことやその他の要望に応えるため、およびその目的の見地から、本発明の例示的実施形態が、反射サブマウントを有する高抽出効率の発光ダイオードを提供する。発光領域が上部の接触子および伝導性ホルダの間に設置され、上部の接触子の下に位置する領域以上に広がる。全方位リフレクタが、活性領域と伝導性ホルダの間に設置される。1つの実施形態では、リフレクタが、上部の接触子の下に位置する領域以上の領域に、対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性接触子を含む。1つの実施形態によると、リフレクタが、約1.10から2.25の間の屈折率を有する誘電体層と、誘電体層を介して延びる接触子と、金属で構成される反射伝導性膜とを含む。
これまでの一般的な説明および以下の詳細な説明は、共に本発明の例示的なものであり、本発明はこれらに制限されないことが理解される。本発明は、AlGaInP材料のシステムの状況の中で説明される。しかし、本発明はまた、他の材料で構成されるLED、特に、GaAs、AlGaAs、GaN、GaInN、AlGaN、およびAlGaInNで構成される発光領域を有するLEDで実施するために、縮小され得ることに留意されたい。
本発明は、添付の図面と共に読まれるとき、以下の詳細な説明から最もよく理解される。慣例により、図面の様々な特徴は比例尺ではないことが強調される。反対に、様々な特徴の寸法は明確さのために、任意に拡大されるかまたは縮小される。
例えば、本発明は以下を提供する。
(項目1)
上部接触子であって、該上部接触子の下に位置する領域を規定する、上部接触子と、
伝導性ホルダと、
該上部接触子および該伝導性ホルダの間に配置され、該上部接触子の下に位置する領域を越えて延びる発光領域と、
該発光領域および該伝導性ホルダとの間に配置される全方位リフレクタであって、該全方位リフレクタが、該上部接触子の下に位置する該領域を越える領域に対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性接触子を有する、全方位リフレクタと
を含む、発光ダイオード。
(項目2)
前記1つ以上の電気伝導性接触子が、約1.10から2.25の屈折率を有する誘電体層の中に配置される、項目1に記載の発光ダイオード。
(項目3)
前記誘電体層が二酸化シリコンを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目4)
前記誘電体層が窒化シリコンを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目5)
前記誘電体層がフッ化マグネシウムを含む、項目2に記載のダイオード。
(項目6)
前記誘電体層が、抽出された光の約1/4の波長に比例しかつその屈折率に反比例する厚さを有する、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目7)
前記1つ以上の電気伝導性接触子が、前記誘電体層の断面積の半分より少ない面積に広がるオーム接触のパターンである、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目8)
前記オーム接触のパターンが、前記誘電体層の断面積の1/10より少ない面積に広がる、項目7に記載の発光ダイオード。
(項目9)
前記全方位リフレクタが、前記上部接触子の下に位置し、約1.10と2.25との間の屈折率を有する絶縁層と、該上部接触子の外辺を越える領域に位置し、約1.10から2.25の間の屈折率を有する、1つの伝導性接触子とを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目10)
前記絶縁層が二酸化シリコンを含む、項目9に記載の発光ダイオード。
(項目11)
前記伝導性接触子が、indium−tin−oxideを含む、項目9に記載の発光ダイオード。
(項目12)
活性領域であって、導電型が逆である2つの閉じ込め層を有し、該層の間に配置される発光領域を有する、活性領域と、
該発光領域に対向する該閉じ込め層のうちの第1の層に近接する、全方位リフレクタと
を含む、発光ダイオード。
(項目13)
前記各閉じ込め層に隣接し、かつ前記発光領域に対向して配置されるウインドウをさらに含む、項目12に記載の発光ダイオード。
(項目14)
前記発光領域が、多重量子井戸構造を含み、前記閉じ込め層が、p型ドーパントでドープされるAlGaInPおよびn型ドーパントでドープされるAlGaInPを含み、、前記ウインドウの少なくとも1つが、ドープされたAlGaInpを含む、項目13に記載の発光ダイオード。
(項目15)
前記ウインドウの1つが、基本的にGaPを含む、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目16)
前記上部ウインドウがGaPを含む、項目15に記載の発光ダイオード。
(項目17)
前記底部ウインドウがGaPを含む、項目15に記載の発光ダイオード。
(項目18)
前記上部および底部ウインドウが約1から25ミクロンの厚さを有する、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目19)
前記上部ウインドウが約5から20ミクロンの厚さを有し、前記底部ウインドウが1から15ミクロンの厚さを有する、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目20)
前記全方位リフレクタが、低屈折率を有する誘電体層と、該誘電体層を通って広がるオーム接触のアレイと、該発光領域に対向する該誘電層に近接して配置される金属層とを含む、項目12に記載の発光ダイオード。
(項目21)
前記該オーム接触のアレイが、前記上部接触子の外辺を越える領域の下に位置してパターンに配置される、項目20に記載の発光ダイオード。
(項目22)
発光ダイオードを形成するための方法であって、
基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、該エピタキシャル層が発光領域を含む、基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
該エピタキシャル層の上に上部接触子を形成するステップと、
該上部接触子および該エピタキシャル層に一時ホルダを取り付けるステップと、
該基板を除去するステップと、
該エピタキシャル層に全方位リフレクタを形成するステップと、
伝導性ホルダを該全方位リフレクタに取り付けるステップと、
該一時ホルダを除去するステップと
を包含する、発光ダイオードを形成する方法。
(項目23)
前記エピタキシャル層が、上部および底部閉じ込め層ならびに上部および底部ウインドウをさらに含む、項目22に記載の方法。
(項目24)
前記発光領域と、該上部および底部閉じ込め層と、上部および底部ウインドウの少なくとも1つとが、リン酸アルミニウム ガリウム インジウム(aluminum gallium indium phosphide)を含む、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記上部および底部ウインドウの少なくとも1つが、リン酸ガリウムを含む、項目24に記載の方法。
(項目26)
前記全方位リフレクタが、誘電体層を通って広がりかつ前記上部接触子の外辺を越える領域の下に位置する、オーム接触のパターンを含む、項目22に記載の方法。
(項目27)
前記全方位リフレクタが、約1.10から2.25の間の屈折率を有するブランケット式誘電体層をエピタキシャル層上に配置すること、該誘電体層に開口を形成するために該誘電体層をパターニングすること、および該開口の中にオーム接触を形成することによって形成される、項目26に記載の方法。
(項目28)
前記全方位リフレクタが、ブランケット式伝導性層を形成すること、前記上部接触子の外辺を越える領域の下に、1つ以上の伝導性接触子をパターン状に形成するために、該伝導性層をパターニングすること、および約1.10から2.25の間の屈折率を有する誘電体層を、伝導性接触子を有さない領域に形成することによって作成される、前記26に記載の方法。
(項目29)
発光ダイオードを形成する方法であって、
基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、該エピタキシャル層が発光領域を含む、基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
該エピタキシャル層上に全方位リフレクタを形成するステップと、
該全方位リフレクタに伝導性ホルダを取り付けるステップと、
該基板を除去するステップと、
該伝導性ホルダに対向する該エピタキシャル層上に上部接触子を形成するステップと
を含む、発光ダイオードを形成する方法。
例えば、本発明は以下を提供する。
(項目1)
上部接触子であって、該上部接触子の下に位置する領域を規定する、上部接触子と、
伝導性ホルダと、
該上部接触子および該伝導性ホルダの間に配置され、該上部接触子の下に位置する領域を越えて延びる発光領域と、
該発光領域および該伝導性ホルダとの間に配置される全方位リフレクタであって、該全方位リフレクタが、該上部接触子の下に位置する該領域を越える領域に対応するように構成される、1つ以上の電気伝導性接触子を有する、全方位リフレクタと
を含む、発光ダイオード。
(項目2)
前記1つ以上の電気伝導性接触子が、約1.10から2.25の屈折率を有する誘電体層の中に配置される、項目1に記載の発光ダイオード。
(項目3)
前記誘電体層が二酸化シリコンを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目4)
前記誘電体層が窒化シリコンを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目5)
前記誘電体層がフッ化マグネシウムを含む、項目2に記載のダイオード。
(項目6)
前記誘電体層が、抽出された光の約1/4の波長に比例しかつその屈折率に反比例する厚さを有する、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目7)
前記1つ以上の電気伝導性接触子が、前記誘電体層の断面積の半分より少ない面積に広がるオーム接触のパターンである、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目8)
前記オーム接触のパターンが、前記誘電体層の断面積の1/10より少ない面積に広がる、項目7に記載の発光ダイオード。
(項目9)
前記全方位リフレクタが、前記上部接触子の下に位置し、約1.10と2.25との間の屈折率を有する絶縁層と、該上部接触子の外辺を越える領域に位置し、約1.10から2.25の間の屈折率を有する、1つの伝導性接触子とを含む、項目2に記載の発光ダイオード。
(項目10)
前記絶縁層が二酸化シリコンを含む、項目9に記載の発光ダイオード。
(項目11)
前記伝導性接触子が、indium−tin−oxideを含む、項目9に記載の発光ダイオード。
(項目12)
活性領域であって、導電型が逆である2つの閉じ込め層を有し、該層の間に配置される発光領域を有する、活性領域と、
該発光領域に対向する該閉じ込め層のうちの第1の層に近接する、全方位リフレクタと
を含む、発光ダイオード。
(項目13)
前記各閉じ込め層に隣接し、かつ前記発光領域に対向して配置されるウインドウをさらに含む、項目12に記載の発光ダイオード。
(項目14)
前記発光領域が、多重量子井戸構造を含み、前記閉じ込め層が、p型ドーパントでドープされるAlGaInPおよびn型ドーパントでドープされるAlGaInPを含み、、前記ウインドウの少なくとも1つが、ドープされたAlGaInpを含む、項目13に記載の発光ダイオード。
(項目15)
前記ウインドウの1つが、基本的にGaPを含む、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目16)
前記上部ウインドウがGaPを含む、項目15に記載の発光ダイオード。
(項目17)
前記底部ウインドウがGaPを含む、項目15に記載の発光ダイオード。
(項目18)
前記上部および底部ウインドウが約1から25ミクロンの厚さを有する、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目19)
前記上部ウインドウが約5から20ミクロンの厚さを有し、前記底部ウインドウが1から15ミクロンの厚さを有する、項目14に記載の発光ダイオード。
(項目20)
前記全方位リフレクタが、低屈折率を有する誘電体層と、該誘電体層を通って広がるオーム接触のアレイと、該発光領域に対向する該誘電層に近接して配置される金属層とを含む、項目12に記載の発光ダイオード。
(項目21)
前記該オーム接触のアレイが、前記上部接触子の外辺を越える領域の下に位置してパターンに配置される、項目20に記載の発光ダイオード。
(項目22)
発光ダイオードを形成するための方法であって、
基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、該エピタキシャル層が発光領域を含む、基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
該エピタキシャル層の上に上部接触子を形成するステップと、
該上部接触子および該エピタキシャル層に一時ホルダを取り付けるステップと、
該基板を除去するステップと、
該エピタキシャル層に全方位リフレクタを形成するステップと、
伝導性ホルダを該全方位リフレクタに取り付けるステップと、
該一時ホルダを除去するステップと
を包含する、発光ダイオードを形成する方法。
(項目23)
前記エピタキシャル層が、上部および底部閉じ込め層ならびに上部および底部ウインドウをさらに含む、項目22に記載の方法。
(項目24)
前記発光領域と、該上部および底部閉じ込め層と、上部および底部ウインドウの少なくとも1つとが、リン酸アルミニウム ガリウム インジウム(aluminum gallium indium phosphide)を含む、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記上部および底部ウインドウの少なくとも1つが、リン酸ガリウムを含む、項目24に記載の方法。
(項目26)
前記全方位リフレクタが、誘電体層を通って広がりかつ前記上部接触子の外辺を越える領域の下に位置する、オーム接触のパターンを含む、項目22に記載の方法。
(項目27)
前記全方位リフレクタが、約1.10から2.25の間の屈折率を有するブランケット式誘電体層をエピタキシャル層上に配置すること、該誘電体層に開口を形成するために該誘電体層をパターニングすること、および該開口の中にオーム接触を形成することによって形成される、項目26に記載の方法。
(項目28)
前記全方位リフレクタが、ブランケット式伝導性層を形成すること、前記上部接触子の外辺を越える領域の下に、1つ以上の伝導性接触子をパターン状に形成するために、該伝導性層をパターニングすること、および約1.10から2.25の間の屈折率を有する誘電体層を、伝導性接触子を有さない領域に形成することによって作成される、前記26に記載の方法。
(項目29)
発光ダイオードを形成する方法であって、
基板上にエピタキシャル層を形成するステップであって、該エピタキシャル層が発光領域を含む、基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、
該エピタキシャル層上に全方位リフレクタを形成するステップと、
該全方位リフレクタに伝導性ホルダを取り付けるステップと、
該基板を除去するステップと、
該伝導性ホルダに対向する該エピタキシャル層上に上部接触子を形成するステップと
を含む、発光ダイオードを形成する方法。
(発明の詳細な説明)
今から図面を参照するが、全体を通して、同様の参照番号は同様の要素を示し、図8および図9は、本発明の例示的実施形態による反射サブマウント発光ダイオード(RS−LED)101を示す。例示的RS−LED101が、下方に向けて(その上部ウインドウから離れるように)発光される光を反射することによって、利点のある光の出力を提供する。図8および図9に示すRE−LED101はまた、発光断面が光学的に不透明な上部接触子の下から移動して、発光される光が、デバイスからさらに多く出射するように、電流を有利に分散させる。
今から図面を参照するが、全体を通して、同様の参照番号は同様の要素を示し、図8および図9は、本発明の例示的実施形態による反射サブマウント発光ダイオード(RS−LED)101を示す。例示的RS−LED101が、下方に向けて(その上部ウインドウから離れるように)発光される光を反射することによって、利点のある光の出力を提供する。図8および図9に示すRE−LED101はまた、発光断面が光学的に不透明な上部接触子の下から移動して、発光される光が、デバイスからさらに多く出射するように、電流を有利に分散させる。
本明細書において使用される、用語「上部(top)」、「上(over)」「上方に(upwardly)」などは、対応する図の上に向かう方向を示し、それはまた、完成品のデバイスから光が発光される方向にも対応する。用語「透明」は、(関係する周波数領域の中の)光が、構成物または構造物を、わずかに吸収されるかまたは全く吸収されずに通り抜けることを意味する。
図8の例示的RS−LED101は、上から下へ、上部接触子109、上部ウインドウ160、活性領域120、底部ウインドウ161、リフレクタ180、および伝導性ホルダ190を含む。活性領域120は、底部閉じ込め層126と上部閉じ込め層125とに挟まれる発光領域124を含む。図8に示しかつ以下に説明するデバイスは、好ましくはP−up構成の状態に成長される。発光領域124のあとに成長した半導体構造物はP型であり、発光領域124の前に成長した半導体構造物はN型である。しかし、N−up構成を有する実施形態もまた、本発明の範囲内にあると考えられることに留意すべきである。p型up成長が一般的には好ましいが、n型up成長も可能である。
上部閉じ込め層125は、例えば、約5.0EE16から1.0EE18atm/cm3の間の濃度のMgまたはZnイオンなどのP型ドーパントでドープされたAlGaInPを含み得る。底部閉じ込め層126は、例えば、約5.00EE16から1.00EE18atm/cm3間の濃度のSiまたはTeイオンなどのN型ドーパントでドープされたAlGaInPを含み得る。発光領域124は、例えば、均一に構成される半導体層、ダブルへテロ構造(DH)、または、より普通には、AlGaInPを含む多重量子井戸構造を含み得る。
上部および底部のウインドウ160および161は、それぞれ、GaP、AlGaInP、AlInP、AlGaAsまたはInの含有率が低いGaInPなどの、透明で電気伝導性の材料を含む。上部ウインドウ160は、例えば、約1.00EE17から1.0EE19atm/cm3の間の濃度のMgまたはZnイオンなどのP型ドーパントでドープされたAlGaInPを含み得る。底部ウインドウ161はまた、約1.00EE17から1.0EE19atm/cm3の間の濃度のSiまたはTeイオンなどのN型ドーパントでドープされたAlGaInPを含み得る。ウインドウ160および161は一般的に透明であり、それらを透過する光のわずかな部分のみを吸収する。なお、GaPは、活性領域120の後で成長した上部または底部のウインドウ160および161のためにのみ使用されるべきである。なぜなら、GaP格子は、GaAs基板と格子整合であるAlGaInP格子と、不整合を引き起こすからである。上部ウインドウ160は、約1から25ミクロン、好ましくは約5から20ミクロンの間の厚さを有する。底部ウインドウ161は、約1から25ミクロン、好ましくは約1から15ミクロンの間の厚さを有する。図10に示すように、上部ウインドウ160は、上部接触子109の境界を越えて電流を拡散する。底部ウインドウ161は、オーム接触182の間に拡散する。
リフレクタ180は、透過層183、オーム接触のアレイ182、および反射膜184を含む。透過層183は、好ましくは約1.10から2.25の間の低い屈折率を有する。図8および9に示す例示的実施形態では、透過層183が、SiO2(二酸化シリコン)、Si3N4(窒化シリコン)またはMgF(フッ化マグネシウム)などの低屈折率の絶縁材料を含む。透過層183の厚さ(th)は以下の式によって近似される。
th=λ/(4n) (式1)
ここで、λはLEDのピーク発光波長であり、nは透過層183の屈折率である。この厚さは、透過層183に広範囲の入射角で当たる光が、高反射率で反射されることを確実にする。
ここで、λはLEDのピーク発光波長であり、nは透過層183の屈折率である。この厚さは、透過層183に広範囲の入射角で当たる光が、高反射率で反射されることを確実にする。
透過層183を通って広がるのはパターン181に構成されるオーム接触のアレイ182である。オーム接触182は、上部接触子109に対応するように配置される、透過層183の中で中心部分185を規定する。オーム接触182は、その上に位置する半導体層との低い電気抵抗接触を提供し、例えば、N型オーム接触にはAuGe−Ni−Au、P型接触にはAuZnまたはAuBeなどの金属化合物を含み得る。図9に示すように、オーム接触182は、反射膜184と底部ウインドウ161との間の小さいインターフェース領域部分を含む。オーム接触182は、約0.25から10パーセントのインターフェース領域を含む。この小さなオーム接触表面領域が、到達する一部の光およびその下に位置する反射膜184によって反射される一部の光を増加させる。増加された反射は、今度は、LEDの光抽出効率を増加させる。
パターン181は、上部ウインドウ160の電流拡散機能を強化する。図10に示すように、電流が、絶縁透過層183の中心部分185を含む、絶縁透過層183を通過するのを防ぎ、かわりに接触子182の方へ引き寄せる。なお、接触子182は上部接触子109の下に位置しない。したがって、発光領域124の(点線の発光断面124Aの幅によって表される)電流分布は、上部接触子109を越える発光領域124の部分では上部接触子109の下に位置する発光領域124の部分よりも大きい。その結果、発光される光のより小さい部分は、不透明な上部接触子109によって、反射されるか、散乱されるか、または吸収される。
反射膜184は、電気接触およびリフレクタの両方の役割を果たす、高反射率を有する電気伝導性材料を含む。反射膜184に適する材料は、銀(Ag)およびアルミニウム(Al)を含む。高反射率の反射膜184に結合される透過層183の厚さおよび低屈折率が、抽出効率を強化して、下向きに発光される光のほぼすべてを、吸収させるよりも反射させる。
図8に示す伝導性ホルダ190が、反射膜184に取り付けられて構造的安定および電気接触を提供する。伝導性ホルダ190は、例えば、伝導性金属構造または上面および底面に金属被膜を有するシリコンウェハであり得る。RS−LED101の活性領域120およびウインドウ160と161は薄く、50ミクロンより薄い厚さであり、その結果、機械的に脆弱である。伝導性ホルダ190は、構造的安定を提供するのに十分な厚さを有する。1つの例示的実施形態では、反射膜184と伝導性ホルダ190のインターフェースは金属−金属である。したがって、伝導性ホルダ190は、はんだ付けまたは伝導性接着剤を使用する接着などの高生産性工程を用いて、機械的におよび電気的に反射膜184に結合され得るので、半導体同士をウェハ接着するTS−LED11の問題点を回避する。
図11から17を参照すると、RS−LED101を形成するための例示的方法が提供される。(集合的には、半導体のまたはエピタキシャルの層を含む)底部ウインドウ161、活性領域120、および上部ウインドウ160はGaAs基板201上にシーケンスとして形成される。エピタキシャル層は、例えば、AlGaInP化学物質を有する有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)プロセスを用いて形成され得る。底部ウインドウ161は、好ましくは約1から15ミクロンに堆積されるかまたは成長させられる。底部閉じ込め層126は、底部ウインドウ161の上に堆積されるかまたは成長させられる。底部閉じ込め層126は、例えば、連続MOVPEによって堆積されるかまたは成長させられ得る。ウインドウ層および閉じ込め層はその層の電気伝導性およびPN接合の形成を確実にするためにドープされる。
AlGaInP発光領域124は底部閉じ込め層126の上に形成される。発光領域124は、例えば、当該分野では公知のように、DHまたはMQW構造を含み得る。次に、上部閉じ込め層125および上部ウインドウ160が発光領域124の上にシーケンスとして堆積されるか成長させられる。上部閉じ込め層125および上部ウインドウ160は両方とも、MgまたはZnイオンなどのp型ドーパントで、上部ウインドウ160は上部閉じ込め層125よりも濃いドーパント濃度を有してドープされる。あるいは、ウインドウ160および161に対して、AlInPまたはAlGaAs化学物質が、AlGaInP化学物質の代わりに使用され得る。および、本発明の方法で活性領域120の後で形成された上部ウインドウ160に対して、GaP化学物質が使用され得る。
MOVPEプロセスを用いてエピタキシャル層を堆積または成長させた後で、上部接触子109が上部ウインドウ160の上に形成される。上部接触子109は、例えば、堆積およびパターニングのプロセスによって形成されるアルミニウムはまた金によって覆われた、AuZnまたはAuBeの合金などの伝導性金属を含み得る。そのような合金はp型半導体の接触を形成する。その後、一時ホルダ203が、上部接触子109および上部ウインドウ160にワックスまたはその他の除去可能な物質によって取り付けられ、その後基板201がエピタキシャル層から除去される。基板201の大部分は、最後の約20ミクロンを残して、化学的機械的な研磨プロセスによって除去され得、その約20ミクロンは、選択されるウェット化学エッチングによって除去される。
図15に示すように、裏側の処理が基板201の除去の後で行われる。オーム接触182のパターン181が形成され、低屈折率を有する透過層183を通って広がる。透過層183が、エピタキシャル層を逆にして、(つまり、一時ホルダ203が下になり、図15に示す位置から反対の位置で)底部ウインドウ161上に、堆積によって形成され得、その後、フォトリソグラフィを用いてオーム接触182のための開口を形成するために、パターニングされ得る。オーム接触182が、その後、別のフォトリソグラフィによって形成され得る。上記のように、オーム接触182は、AuGe−Ni−Auなどのメタリゼーションを含む。そのような合金が、N型半導体との接触を形成する。
あるいは、パターン181が、金属層のブランケット式堆積、およびブランケット式金属層のパターニングによって形成される。透過層183が、その後、パターン181の上に形成され、オーム接触182を露出するために平坦化される。
あるいは、透過層183は、、接触バイアスを形成するために、ブランケット式に堆積およびパターニングされ得る。反射膜184が、その後、透過層183およびオーム接触182の上に形成され、オーム接触子182を介して、反射膜184およびエピタキシャル層との間に電気的連続性を提供する。
伝導性ホルダ190が、伝導性接着剤、ハンダ、または別の処理によって、反射膜184に取り付けられ、機械的連結および電気的接続を提供する。伝導性ホルダ190の反射膜184への取り付けは、TS−LED11に関連するウェハ同士の結合の精度を必要としない。伝導性ホルダ190が取り付けられた後で、一時ホルダ203が除去される。
別の例示的なRS−LED301を図18および19に示す。エピタキシャル層160、120および161、および上部接触子109は上で説明し、図8から17に示す例示的実施形態と同様である。別のRS−LED301は、底部ウインドウ161の下にあるリフレクタ380を含む。リフレクタ380は、伝導性の低屈折率領域382および絶縁低屈折率領域383を有する屈折層を含む。伝導性低屈折率領域382は、上部コンダクタ109に対応するように配置される中心部分385を有して構成される。伝導性低屈折率領域382は、約1.10から2.25の間の屈折率を有する、しばしばITOと呼ばれるInSnOなどの電気伝導性材料を含み得る。絶縁低屈折率領域383は、約1.10から2.25の間の屈折率を有する、SiO2またはSi3N4などの電気絶縁材料を含み得る。絶縁低屈折率領域383は、少なくとも中心部分385の中に形成される。上記の実施形態にあるように、屈折率層の厚さ(th)は式1(th=λ/4n)によって近似される。
RS−LEDを形成するための別の例示的方法を図20から24に示す。エピタキシャル層160、120、および161は上記のように、GaAs基板201上に成長されるかまたは堆積される。エピタキシャル層の形成に続き、裏側の処理が図21に示すように行われる。絶縁低屈折率層183が形成され、パターニングされ、その後に、絶縁低屈折率層183の中にオーム接触182の堆積が続く。あるいは、オーム接触層は、オーム接触182の形成のために、オーム接触の間に堆積される絶縁低屈折率層183を有して、ブランケット方式で堆積されパターニングされ得る。平坦化のステップが、必要な場合、行われ得る。反射金属膜184が、その後、オーム接触182および絶縁低屈折率層183の上に形成される。オーム接触182、絶縁低屈折率層183,および反射膜184の材料および厚さは、上記の実施形態と同様である。
図22に示すように、伝導性ホルダ190が反射膜184に取り付けられる。図23に示すように、その後、基板201が除去され、図24に示すように、上部接触子109が上部ウインドウ160の上に形成される。この別の例示的方法によって、底部ウインドウ161が活性領域120の後から形成されることが可能となる。これにより、底部ウインドウ161は、GaP、またはGaAsに関して格子と不整合なその他の材料であってもよい。
LEDの表面微細化処理(粗面処理とも呼ばれる)がLEDの光抽出効率を向上し得ることは一般的に公知である。LEDの上部表面の表面微細化処理が特に効果的なのは証明されている。表面微細化処理はランダムな粗面処理、格子構造の製造、および光のバンドギャップ構造の製造を含み得る。表面微細化処理構造は当業者には周知である。そのような表面微細化処理はまた、LEDからの光抽出を増加するために本発明において適用され得る。例えば、図8、図10、または図18の層160の上部表面が微細化処理され得る。
いくつかの具体的な実施形態に関して、上で説明および図示したが、本発明は、しかしながら、示された詳細には限定されることを意図しない。むしろ、本発明の意図から逸脱することなく、項目に等価の範囲および領域内で、様々な改変がなされ得る。
Claims (1)
- 明細書に記載の発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33935501P | 2001-12-13 | 2001-12-13 | |
US10/317,564 US6784462B2 (en) | 2001-12-13 | 2002-12-12 | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003553636A Division JP4907842B2 (ja) | 2001-12-13 | 2002-12-13 | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010251792A true JP2010251792A (ja) | 2010-11-04 |
Family
ID=26981026
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003553636A Expired - Fee Related JP4907842B2 (ja) | 2001-12-13 | 2002-12-13 | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード |
JP2010146864A Withdrawn JP2010251792A (ja) | 2001-12-13 | 2010-06-28 | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003553636A Expired - Fee Related JP4907842B2 (ja) | 2001-12-13 | 2002-12-13 | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6784462B2 (ja) |
EP (1) | EP1454369B1 (ja) |
JP (2) | JP4907842B2 (ja) |
KR (2) | KR100984887B1 (ja) |
AT (1) | ATE542245T1 (ja) |
AU (1) | AU2002360581A1 (ja) |
CA (1) | CA2470095C (ja) |
WO (1) | WO2003052838A2 (ja) |
Families Citing this family (227)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6507306B1 (en) * | 1999-10-18 | 2003-01-14 | Contec Corporation | Universal remote control unit |
JP3896027B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
US20040140474A1 (en) * | 2002-06-25 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same |
DE10244986B4 (de) * | 2002-09-26 | 2008-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
TWI230473B (en) * | 2003-03-10 | 2005-04-01 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof |
US20040227151A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-18 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
US7286296B2 (en) * | 2004-04-23 | 2007-10-23 | Light Prescriptions Innovators, Llc | Optical manifold for light-emitting diodes |
US6869812B1 (en) | 2003-05-13 | 2005-03-22 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
JP2005019695A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
CN1860599A (zh) | 2003-09-19 | 2006-11-08 | 霆激科技股份有限公司 | 半导体器件的制造 |
JP3979378B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2007-09-19 | 住友電気工業株式会社 | 半導体発光素子 |
US20050104078A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Ite Compound Semiconductor Corporation | Light-emitting diode having chemical compound based reflective structure |
KR101386192B1 (ko) * | 2004-01-26 | 2014-04-17 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 전류 분산 구조물을 갖는 박막 led |
EP1569263B1 (de) * | 2004-02-27 | 2011-11-23 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Verbinden zweier Wafer |
WO2005088743A1 (en) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices |
EP1756875A4 (en) | 2004-04-07 | 2010-12-29 | Tinggi Technologies Private Ltd | FABRICATION OF A RETROFLECTIVE LAYER ON SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DIODES |
US20060255349A1 (en) * | 2004-05-11 | 2006-11-16 | Heng Liu | High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode |
DE102005013894B4 (de) * | 2004-06-30 | 2010-06-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7795623B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures |
TWI299914B (en) * | 2004-07-12 | 2008-08-11 | Epistar Corp | Light emitting diode with transparent electrically conductive layer and omni directional reflector |
JP2006066449A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2006066518A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
DE102004061865A1 (de) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips |
US7274040B2 (en) * | 2004-10-06 | 2007-09-25 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices |
US7304425B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-12-04 | 3M Innovative Properties Company | High brightness LED package with compound optical element(s) |
US20060091411A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ouderkirk Andrew J | High brightness LED package |
US7330319B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-02-12 | 3M Innovative Properties Company | High brightness LED package with multiple optical elements |
KR100682872B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2007-02-15 | 삼성전기주식회사 | 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100624449B1 (ko) | 2004-12-08 | 2006-09-18 | 삼성전기주식회사 | 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US7296916B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US7285802B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Illumination assembly and method of making same |
US20060131601A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Ouderkirk Andrew J | Illumination assembly and method of making same |
TWI352437B (en) | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
US7335920B2 (en) * | 2005-01-24 | 2008-02-26 | Cree, Inc. | LED with current confinement structure and surface roughening |
US10374120B2 (en) * | 2005-02-18 | 2019-08-06 | Koninklijke Philips N.V. | High efficiency solar cells utilizing wafer bonding and layer transfer to integrate non-lattice matched materials |
TW200707799A (en) * | 2005-04-21 | 2007-02-16 | Aonex Technologies Inc | Bonded intermediate substrate and method of making same |
DE102005025416A1 (de) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur |
KR20060131327A (ko) * | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
KR100800071B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2008-01-31 | 비쥬얼 포토닉스 에피탁시 코포레이션 리미티드 | 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드 |
EP1750310A3 (en) * | 2005-08-03 | 2009-07-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Omni-directional reflector and light emitting diode adopting the same |
JP2007059623A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法 |
JP2007059830A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Visual Photonics Epitaxy Co Ltd | 反射層を具えた高輝度発光ダイオード |
JP2007081011A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子 |
US7635874B2 (en) * | 2005-09-26 | 2009-12-22 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Edge-emitting LED assembly |
SG130975A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-26 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
JP2007103725A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
SG131803A1 (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Fabrication of transistors |
WO2007060931A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体素子 |
SG133432A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-30 | Tinggi Tech Private Ltd | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
KR20090009772A (ko) | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
WO2007084640A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films |
US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
KR100682878B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2007-02-15 | 삼성전기주식회사 | 플립칩형 발광소자 |
JP2007221029A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US7622746B1 (en) | 2006-03-17 | 2009-11-24 | Bridgelux, Inc. | Highly reflective mounting arrangement for LEDs |
US20070243703A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Aonex Technololgies, Inc. | Processes and structures for epitaxial growth on laminate substrates |
US9084328B2 (en) * | 2006-12-01 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Lighting device and lighting method |
US7573074B2 (en) | 2006-05-19 | 2009-08-11 | Bridgelux, Inc. | LED electrode |
US7737455B2 (en) * | 2006-05-19 | 2010-06-15 | Bridgelux, Inc. | Electrode structures for LEDs with increased active area |
KR101263934B1 (ko) * | 2006-05-23 | 2013-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
CN102403439A (zh) * | 2006-06-12 | 2012-04-04 | 3M创新有限公司 | 具有再发光半导体构造和会聚光学元件的led装置 |
US7952110B2 (en) | 2006-06-12 | 2011-05-31 | 3M Innovative Properties Company | LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element |
US20070284565A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element |
US7902542B2 (en) * | 2006-06-14 | 2011-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction |
KR100812736B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2008-03-12 | 삼성전기주식회사 | 고휘도 질화물계 반도체 발광소자 |
SG140473A1 (en) | 2006-08-16 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Improvements in external light efficiency of light emitting diodes |
SG140512A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Electrical current distribution in light emitting devices |
US7829905B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-11-09 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8008694B2 (en) * | 2006-09-23 | 2011-08-30 | Ylx, Ltd. | Brightness enhancement method and apparatus of light emitting diodes |
KR101229834B1 (ko) | 2006-09-25 | 2013-02-04 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US7483212B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-01-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same |
JP2008103534A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP4835376B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2011-12-14 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
JP4835377B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2011-12-14 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
KR100809227B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2008-03-05 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법 |
KR100826395B1 (ko) * | 2006-12-18 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
KR101308131B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2013-09-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그제조방법 |
TWI370555B (en) * | 2006-12-29 | 2012-08-11 | Epistar Corp | Light-emitting diode and method for manufacturing the same |
TWI331411B (en) * | 2006-12-29 | 2010-10-01 | Epistar Corp | High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same |
DE102007003282B4 (de) * | 2007-01-23 | 2023-12-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip |
JP2008211164A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体発光装置及びその製造方法 |
DE102007020291A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für einen derartigen Chip |
US20080198572A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
KR101239854B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2013-03-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
GB2447091B8 (en) | 2007-03-02 | 2010-01-13 | Photonstar Led Ltd | Vertical light emitting diodes |
US7601989B2 (en) * | 2007-03-27 | 2009-10-13 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED with porous diffusing reflector |
JP5346443B2 (ja) | 2007-04-16 | 2013-11-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
US7732301B1 (en) | 2007-04-20 | 2010-06-08 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
JP4770785B2 (ja) | 2007-04-25 | 2011-09-14 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオード |
DE102007022947B4 (de) * | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
DE102007029370A1 (de) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
JP5169012B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2013-03-27 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2008288248A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
US7683380B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-03-23 | Dicon Fiberoptics, Inc. | High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same |
WO2009010762A1 (en) * | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Photonstar Led Limited | Vertical led with conductive vias |
KR100843426B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자 |
US20090278233A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-11-12 | Pinnington Thomas Henry | Bonded intermediate substrate and method of making same |
JP4985260B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-07-25 | 日立電線株式会社 | 発光装置 |
KR101501307B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2015-03-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 발광 장치 제작 방법 |
TWI369009B (en) * | 2007-09-21 | 2012-07-21 | Nat Univ Chung Hsing | Light-emitting chip device with high thermal conductivity |
TWI419355B (zh) * | 2007-09-21 | 2013-12-11 | Nat Univ Chung Hsing | 高光取出率的發光二極體晶片及其製造方法 |
DE102007046519A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung |
JP5236924B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2013-07-17 | ローム株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2009123754A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US7915629B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
US8368100B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
US8575633B2 (en) * | 2008-12-08 | 2013-11-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode with improved light extraction |
KR101449005B1 (ko) | 2007-11-26 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102008005332A1 (de) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip mit einer dielektrischen Schichtstruktur |
US8692286B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-08 | Philips Lumileds Lighing Company LLC | Light emitting device with bonded interface |
US7985979B2 (en) | 2007-12-19 | 2011-07-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Semiconductor light emitting device with light extraction structures |
DE102008024517A1 (de) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers |
WO2009092041A2 (en) * | 2008-01-16 | 2009-07-23 | Abu-Ageel Nayef M | Illumination systems utilizing wavelength conversion materials |
KR101459764B1 (ko) * | 2008-01-21 | 2014-11-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
DE102008027045A1 (de) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode |
JP4831107B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2011-12-07 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
KR101510382B1 (ko) * | 2008-04-23 | 2015-04-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법 |
DE102008035900A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip |
KR101449035B1 (ko) * | 2008-04-30 | 2014-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 |
JP5416363B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2014-02-12 | 日立金属株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
DE102008050538B4 (de) | 2008-06-06 | 2022-10-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5167974B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2013-03-21 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
KR20100003321A (ko) * | 2008-06-24 | 2010-01-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법 |
US20090321775A1 (en) * | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Ghulam Hasnain | LED with Reduced Electrode Area |
KR20100008123A (ko) * | 2008-07-15 | 2010-01-25 | 고려대학교 산학협력단 | 이중 히트 씽크층으로 구성된 지지대를 갖춘 고성능수직구조의 반도체 발광소자 |
TWI420693B (zh) * | 2008-07-17 | 2013-12-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體及其製程 |
JP2010034100A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Oki Data Corp | 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
DE102008035110A1 (de) * | 2008-07-28 | 2010-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102008039360B4 (de) * | 2008-08-22 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
JP5376866B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-12-25 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
JP2012502482A (ja) * | 2008-09-08 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電気的に画素化された発光素子 |
JP5024247B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2012-09-12 | 日立電線株式会社 | 発光素子 |
DE102008048648A1 (de) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
DE102008054218A1 (de) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
US8513685B2 (en) | 2008-11-13 | 2013-08-20 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements |
KR101047634B1 (ko) * | 2008-11-24 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR101064082B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR100974776B1 (ko) | 2009-02-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
TWI470823B (zh) * | 2009-02-11 | 2015-01-21 | Epistar Corp | 發光元件及其製造方法 |
JP5298927B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-09-25 | 日立電線株式会社 | 発光素子 |
KR100974784B1 (ko) * | 2009-03-10 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2010251531A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2010278112A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
US20100327300A1 (en) | 2009-06-25 | 2010-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Contact for a semiconductor light emitting device |
US8476660B2 (en) * | 2009-08-20 | 2013-07-02 | Integrated Photovoltaics, Inc. | Photovoltaic cell on substrate |
US9362459B2 (en) * | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
KR101154750B1 (ko) * | 2009-09-10 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US9435493B2 (en) * | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
KR100986327B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
US10205059B2 (en) | 2010-02-09 | 2019-02-12 | Epistar Corporation | Optoelectronic device and the manufacturing method thereof |
TWI762930B (zh) * | 2010-02-09 | 2022-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件 |
US9012938B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-04-21 | Cree, Inc. | High reflective substrate of light emitting devices with improved light output |
US9105824B2 (en) | 2010-04-09 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | High reflective board or substrate for LEDs |
KR101047720B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2011-07-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
KR101459809B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2014-11-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN101908594A (zh) * | 2010-06-23 | 2010-12-08 | 山东华光光电子有限公司 | 一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法 |
JP5258853B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US8664684B2 (en) * | 2010-08-31 | 2014-03-04 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing |
US8410515B2 (en) * | 2010-08-31 | 2013-04-02 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with point contacts and associated methods of manufacturing |
GB201019212D0 (en) | 2010-11-12 | 2010-12-29 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Polyester film |
JP5404596B2 (ja) | 2010-12-27 | 2014-02-05 | 株式会社東芝 | 発光素子およびその製造方法 |
US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
US20130001510A1 (en) * | 2011-06-29 | 2013-01-03 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Optoelectronic device having current blocking insulation layer for uniform temperature distribution and method of fabrication |
JP6077201B2 (ja) | 2011-08-11 | 2017-02-08 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP5501319B2 (ja) | 2011-09-24 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US9012921B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting devices having light coupling layers |
US8698163B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-04-15 | Toshiba Techno Center Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US8664679B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-03-04 | Toshiba Techno Center Inc. | Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes |
US20130082274A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Bridgelux, Inc. | Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers |
US9178114B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-11-03 | Manutius Ip, Inc. | P-type doping layers for use with light emitting devices |
US8853668B2 (en) | 2011-09-29 | 2014-10-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting regions for use with light emitting devices |
KR101868537B1 (ko) | 2011-11-07 | 2018-06-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 |
US9184346B2 (en) * | 2011-12-12 | 2015-11-10 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ultraviolet reflective contact |
JP5806608B2 (ja) * | 2011-12-12 | 2015-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP5865695B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-02-17 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
US20130285010A1 (en) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Phostek, Inc. | Stacked led device with posts in adhesive layer |
KR101239852B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2013-03-06 | 학교법인 포항공과대학교 | GaN계 화합물 반도체 발광 소자 |
JP6063220B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2017-01-18 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
KR101322928B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2013-10-28 | 서울바이오시스 주식회사 | 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US9112114B2 (en) * | 2013-01-30 | 2015-08-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device with metal electrode layer having protrusion portions |
CN103972362A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
KR102035180B1 (ko) * | 2013-01-30 | 2019-10-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
TWI506813B (zh) * | 2013-04-09 | 2015-11-01 | Unity Opto Technology Co Ltd | Single crystal dual light source light emitting element |
JP5468158B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5584331B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US10002991B2 (en) | 2013-07-10 | 2018-06-19 | Epistar Corporation | Light-emitting element |
JP6257203B2 (ja) * | 2013-07-25 | 2018-01-10 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光素子 |
JP6529713B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2019-06-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI597863B (zh) * | 2013-10-22 | 2017-09-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
DE102013113106A1 (de) * | 2013-11-27 | 2015-06-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierender Halbleiterchip |
US9419185B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-16 | Glo Ab | Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector |
CN103794712A (zh) * | 2014-02-13 | 2014-05-14 | 马鞍山太时芯光科技有限公司 | 一种提高发光器件芯片散热效率的方法 |
CN103779460A (zh) * | 2014-02-13 | 2014-05-07 | 马鞍山太时芯光科技有限公司 | 一种发光器件芯片及其制造方法 |
KR102153111B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2020-09-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
WO2015167524A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Mirrors including reflective and second layers disposed on photodetectors |
KR102163987B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP6595801B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2019-10-23 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子 |
KR102164063B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102164070B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP5981493B2 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-08-31 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2014220536A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
USD826871S1 (en) | 2014-12-11 | 2018-08-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode device |
US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
US10236413B2 (en) | 2015-04-20 | 2019-03-19 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US10069037B2 (en) * | 2015-04-20 | 2018-09-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
TWI565098B (zh) * | 2015-06-10 | 2017-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光元件 |
CN113345988A (zh) | 2015-10-01 | 2021-09-03 | 克利公司 | 包括倒装芯片发光二极管的发光设备 |
CN105355742B (zh) * | 2015-12-04 | 2017-11-07 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
JP6162851B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2017-07-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2017204640A (ja) | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光デバイス及びその製造方法 |
KR101725783B1 (ko) * | 2016-07-19 | 2017-04-11 | 고려대학교 산학협력단 | 광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자 |
JP2018037690A (ja) * | 2017-12-05 | 2018-03-08 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 発光素子 |
KR102543183B1 (ko) | 2018-01-26 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
US11387389B2 (en) | 2018-01-29 | 2022-07-12 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
US11923481B2 (en) | 2018-01-29 | 2024-03-05 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
US11031527B2 (en) | 2018-01-29 | 2021-06-08 | Creeled, Inc. | Reflective layers for light-emitting diodes |
EP3766105A4 (en) * | 2018-03-14 | 2023-08-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | METHOD FOR TRANSFERRING A PLURALITY OF LIGHT EMITTING MICRO-DIODES TO A TARGET SUBSTRATE, MATRIX SUBSTRATE AND ASSOCIATED DISPLAY APPARATUS |
US10879441B2 (en) | 2018-12-17 | 2020-12-29 | Cree, Inc. | Interconnects for light emitting diode chips |
KR20200095210A (ko) | 2019-01-31 | 2020-08-10 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US10985294B2 (en) | 2019-03-19 | 2021-04-20 | Creeled, Inc. | Contact structures for light emitting diode chips |
WO2020196739A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 赤外led素子 |
US11094848B2 (en) | 2019-08-16 | 2021-08-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode chip structures |
JP7201574B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-01-10 | ウシオ電機株式会社 | 赤外led素子 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186365A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-15 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法 |
JP2000349349A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | Agilent Technol Inc | 反射特性を有する接触部を備えた発光構造及びその製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4212021A (en) | 1976-07-21 | 1980-07-08 | Hitachi, Ltd. | Light emitting devices |
US5060028A (en) | 1989-01-19 | 1991-10-22 | Hewlett-Packard Company | High band-gap opto-electronic device |
US5048035A (en) | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
US5153889A (en) | 1989-05-31 | 1992-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
US4966862A (en) | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
JP2658446B2 (ja) | 1989-12-04 | 1997-09-30 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
US5008718A (en) | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
JP2798545B2 (ja) | 1992-03-03 | 1998-09-17 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
GB2270199B (en) | 1992-08-25 | 1995-05-10 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Semiconductor light emitting element |
JPH0794781A (ja) | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 面発光型半導体発光ダイオード |
JP3293996B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2002-06-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP3511213B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2004-03-29 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体デバイス |
JPH08148714A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3635757B2 (ja) | 1995-12-28 | 2005-04-06 | 昭和電工株式会社 | AlGaInP発光ダイオード |
JP2806423B2 (ja) | 1996-03-08 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 面発光型半導体素子 |
US5905275A (en) | 1996-06-17 | 1999-05-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device |
JPH1012917A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3706452B2 (ja) | 1996-12-24 | 2005-10-12 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3531475B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2004-05-31 | 日亜化学工業株式会社 | フリップチップ型光半導体素子 |
JP3739951B2 (ja) | 1998-11-25 | 2006-01-25 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2001044491A (ja) | 1999-07-13 | 2001-02-16 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | Led及びその製造方法 |
TW425726B (en) * | 1999-10-08 | 2001-03-11 | Epistar Corp | A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer |
JP2001111103A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 領域電流密度を制御可能なled |
US6492661B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-12-10 | Fen-Ren Chien | Light emitting semiconductor device having reflection layer structure |
JP2001144321A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-25 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光素子及びその製造方法 |
JP2003532298A (ja) | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光半導体素子 |
TW474033B (en) * | 2000-11-03 | 2002-01-21 | United Epitaxy Co Ltd | LED structure and the manufacturing method thereof |
DE20202493U1 (de) | 2002-02-19 | 2002-06-20 | Opto Tech Corporattion Hsinchu | Lichtemittierende Diode mit verbesserter Helligkeit |
-
2002
- 2002-12-12 US US10/317,564 patent/US6784462B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 AU AU2002360581A patent/AU2002360581A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-13 EP EP02795848A patent/EP1454369B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 KR KR1020047009162A patent/KR100984887B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-13 JP JP2003553636A patent/JP4907842B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-13 KR KR1020097024559A patent/KR100984921B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-13 CA CA2470095A patent/CA2470095C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 AT AT02795848T patent/ATE542245T1/de active
- 2002-12-13 WO PCT/US2002/039846 patent/WO2003052838A2/en active Application Filing
-
2010
- 2010-06-28 JP JP2010146864A patent/JP2010251792A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186365A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-15 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法 |
JP2000349349A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-12-15 | Agilent Technol Inc | 反射特性を有する接触部を備えた発光構造及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002360581A1 (en) | 2003-06-30 |
JP2005513787A (ja) | 2005-05-12 |
KR100984921B1 (ko) | 2010-10-01 |
US20030111667A1 (en) | 2003-06-19 |
EP1454369A2 (en) | 2004-09-08 |
WO2003052838A3 (en) | 2004-05-27 |
JP4907842B2 (ja) | 2012-04-04 |
KR100984887B1 (ko) | 2010-10-01 |
CA2470095C (en) | 2013-03-26 |
KR20040075002A (ko) | 2004-08-26 |
US6784462B2 (en) | 2004-08-31 |
WO2003052838A2 (en) | 2003-06-26 |
CA2470095A1 (en) | 2003-06-26 |
EP1454369B1 (en) | 2012-01-18 |
KR20090127959A (ko) | 2009-12-14 |
ATE542245T1 (de) | 2012-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4907842B2 (ja) | 平面全方位リフレクタを有する発光ダイオード | |
US11616172B2 (en) | Semiconductor light emitting device with frosted semiconductor layer | |
US8017963B2 (en) | Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration | |
US8039864B2 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the same | |
JP5304662B2 (ja) | 発光素子 | |
WO2011016201A1 (ja) | 発光素子および発光装置 | |
JP2010278112A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2013540365A (ja) | オプトエレクトロニクス素子及びその製造方法 | |
JP2009277898A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
US9306120B2 (en) | High efficiency light emitting diode | |
JP2010192709A (ja) | 発光素子 | |
EP2017898A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for the manufacture thereof | |
TWI285439B (en) | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector | |
KR20150038933A (ko) | 발광 다이오드 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20121120 |