KR20090127959A - 평면형 전방향성 반사기를 가진 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED를 형성하기 위한 반사 서브마운트 및 방법들을 가진 광 추출 효율 발광 다이오드에 관한 것이다. 발광 영역은 최상부 접촉부 및 전도성 홀더 사이에 배치된다. 상기 발광 영역은 최상부 접촉부 아래에 놓이는 영역을 넘어서 연장한다. 전방향성 반사기는 발광 영역 및 전도성 홀더 사이에 배치된다. 일 실시예에 따라, 반사기는 최상부 접촉부 아래에 놓이는 영역을 넘어서는 영역에 일치되도록 구성된 하나 이상의 전기 전도성 접촉부들을 포함한다. 일 실시예에 따라, 반사기는 약 1.0 및 2.25 사이의 굴절률을 가진 유전체층, 반사기를 통하여 연장하는 접촉부들 및 반사 도전막을 포함한다.

Description

평면형 전방향성 반사기를 가진 발광 다이오드{LIGHT-EMITTING DIODE WITH PLANAR OMNI-DIRECTIONAL REFLECTOR}
본 발명은 일반적으로 발광 다이오드(LED), 특히 광 추출 효율을 개선하기 위한 전방향성(omni-directional) 반사기를 가진 LED에 관한 것이다.
LED들은 전류가 반도체 발광 영역을 통과할 때 하나 이상의 적외선, 가시광선 및 자외선 스펙트럼 영역들의 광을 방출한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 LED(1)는 550nm - 700 nm 파장 범위의 광을 방출한다. LED(1)는 갈륨 비소(GaAs) 기판(3)과 격자 매칭된 알루미늄 갈륨 인듐 인화물(AlGaInP) 활성 영역(2)을 포함한다. 활성 영역(2)은 두개의 반대로 도핑된 제한 층들(5)에 의해 둘러싸인 발광 영역(4)을 포함한다. LED(1)는 GaAs 기판(3)의 광 흡수 특성으로 인해 흡수 기판 발광 다이오드(AS-LED)라 한다. 활성 영역 재료의 조성물에 대한 화학식은 (AlxGa1-x)0.5Ino.5P이고, 여기서 x는 0.0 내지 1.0에서 가변할 수 있다. 이러한 화학적 조성물은 일반적으로 AlGaInP로서 축약된 (AlxGa1-x)0.5Ino.5P가 GaAs 기판(3)과 격자 매칭되는 것을 보장한다.
통상적으로, AS-LED(1)는 활성 영역(2)상에 놓이는 윈도우(6)를 포함한다. 또한 윈도우(6)는 Al 및 In 같은 소량의 다른 원소를 포함하는 갈륨 인화물(GaP)로 구성될 수 있다. 윈도우(6)는 또한 알루미늄 갈륨 비소, 또는 일반적으로 AlGaAs로서 축약된 AlxGa1-xAs로 구성될 수 있다. 통상적으로 고전도성 금속 또는 합금을 포함하는 광학적으로 불투명한 상부 접촉부(9)는 윈도우(6)상에 형성되고, 고전도성 기판 접촉부(10)는 활성 영역(2) 반대편 기판(3)에 인접하게 형성된다. 윈도우(6)는 상기 윈도우(6)가 도 2에 도시된 바와 같이 상부 접촉부(9)에 의해 커버된 것보다 큰 영역 상으로 전류를 분배하기 때문에, 또한 전류 분배층(spread layer)이라 불린다. 발광 영역(4)을 포함하는 활성 영역(2)은 이중 헤테로구조(DH)이거나, 보다 일반적으로 종래 기술에서 공지된 바와 같이 다중 양자 우물(MQW) 구조일 수 있다.
전류가 활성 영역(2)을 통하여 최상부 접촉부(9)와 기판 접촉부(10) 사이를 통과할 때, 광은 도 2의 점선의 발광 프로파일(7)에 의해 도시된 바와 같이 발광 영역(4)으로부터 전방향성으로 방출된다. 발광 프로파일(7)은 발광 영역(4)의 전류 세기에 대응한다. 기판(3)쪽으로 방출된 광은 GaAs 기판(3)에 의해 흡수된다. 기판(3)으로부터 먼 방향으로 방출되고 윈도우(6)의 최상부 또는 바닥부 표면들에 대해 거의 수직 또는 수직의 입사각을 가진 광은 LED(1)로부터 방출된다. 그러나, 윈도우(6)에 대해 비스듬한 입사각을 가진 광은 윈도우의 최상부 표면에서 반사되고 그후에 기판(3)에 의해 흡수될 수 있다.
AS-LED(1)의 광 추출 효율성을 개선하기 위한 노력에서, 분배된 브래그(Bragg) 반사기(DBR)(8)는 활성 영역(2)과 기판(3) 사이에 배치될 수 있다. 그러나, 가장 높은 반사도를 제공하는 온-공명(on-resonance) 파장들 및 수직 입사 각도들을 가진 DBR(8)은 단지 부분적으로 반사성이다. DBR(8)에 의해 반사되지 않은 광은 GaAs 기판(3)에 의해 흡수될 것이다.
도 3-7은 다른 LED 구조를 도시한다. 이 구조가 투명한 기판(13)으로 형성되기 때문에, LED(11)는 TS-LED(11)이라 불린다. 활성 영역(12)은 GaAs 기판(13a)(AS-LED 1에 대하여 유사하게)상에 형성된다. 그 다음, GaP 또는 AlGaAs 윈도우(16)는 활성 영역(12)상에 형성되고, GaAs 기판(13a)은 상기 구조에서 제거된다. 다음, 활성 영역(12) 및 GaP 또는 AlGaAs 윈도우(16)는 투명한 GaP 기판(13)에 본딩된 웨이퍼이다. 활성 영역(12)으로부터 투명한 GaP 기판(13)쪽으로 방출된 광은 흡수되지 않고 투명한 GaP 기판(13)을 통하여 통과하고 GaP 기판(13)으로부터 탈출하거나 장치 패키징(도시되지 않음)에 의해 반사된다.
비록 TS-LED(11)가 AS-LED(1) 보다 우수한 광 추출 효율성을 제공하지만, TS-LED(11)는 몇 가지 단점들을 가진다. 활성 영역(12)과 투명한 GaP 기판(13) 사이에서 반도체와 반도체 웨이퍼의 결합은 높은 정밀도를 요구하고 오염에 극히 민감하여, 처리 비용이 높고 처리 수율은 낮다. TS-LED(11)의 다른 단점은 투명한 GaP 기판(13)이 비싸다는 것이다. 게다가, GaP/AlGaInP 계면 및 GaP 기판은 AS-LED(1)와 비교할때 보다 높은 순방향 전압을 형성한다. 보다 높은 순방향 전압은 TS-LED(11)의 효율성을 감소시킨다.
그러므로, 바람직하지 않은 비용, 낮은 수율 및 TS-LED의 순방향 전압없이 높은 광 추출 효율성을 제공하는 LED가 필요하다.
이것 및 다른 요건들, 및 그 목적 측면을 만족시키기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예는 반사 서브마운트(submount)를 가진 높은 추출 효율성 발광 다이오드를 제공한다. 발광 영역은 최상부 접촉부와 전도성 홀더(holder) 사이에 배치되고 최상부 접촉부 아래에 놓이는 영역을 넘어서 연장한다. 전방향성 반사기는 활성 영역과 전도성 홀더 사이에 배치된다. 일 실시예에 따라, 반사기는 최상부 아래에 놓이는 영역을 벗어난 영역에 일치하도록 구성된 하나 이상의 전도성 접촉부들을 포함한다. 일 실시예에 따라, 반사기는 약 1.10 내지 2.25 사이의 굴절률을 가진 유전체층, 상기 유전체층을 통하여 연장하는 접촉부, 및 금속으로 구성된 반사 전도성 필름을 포함한다.
다음 일반적인 설명 및 다음 상세한 설명 모두는 예시적이고, 본 발명을 제한하지 않는다는 것이 이해된다. 본 발명은 AlGaInP 재료 시스템의 측면에서 기술될 것이다. 그러나, 본 발명이 다른 재료들로 구성된 LED들, 특히 GaAs, AlGaAs, GaN, GaInN, AlGaN 및 AlGaInN으로 구성된 발광 영역들을 가진 LED들에서 실행하도록 변형된다는 것이 주의된다.
본 발명은 첨부된 도면과 연계하여 읽을 때 이하의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 일반적인 실행에 따라, 도면의 다양한 특징부들은 실제 크기가 아니라는 점을 강조한다. 대조적으로, 다양한 피쳐들의 크기들은 명확화를 위하여 임의적으로 확대 또는 축소된다. 이하의 도면들이 도면에 포함된다.
유사한 참조 번호들은 유사한 엘리먼트들을 나타내는 도면을 참조하여, 도 8 및 도 9는 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 반사 서브마운트 발광 다이오드(RS-LED)(101)를 도시한다. 예시적인 RS-LED(101)는 아래쪽(최상부 윈도우로부터 멀어지는 쪽)으로 방출된 광을 반사함으로써 바람직한 광 출력을 제공한다. 도 8 및 도 9에 도시된 RS-LED(101)는 또한 발광 프로파일이 광학적으로 불투명한 최상부 접촉부 아래로부터 시프트되도록 바람직하게 전류를 분배하여, 보다 많은 방출 광이 장치를 빠져나가게 한다.
이 명세서에서 사용된 바와 같이, 최상부, 상부, 위쪽 등의 용어는 대응 도면의 최상부쪽 방향을 가리키고, 상기 대응 도면의 최상부쪽 방향은 광이 완성된 장치로부터 방출되는 방향에 해당한다. 투명(transparent)이란 용어는 광(관련 주파수 범위에서)이 조성물 또는 구조물을 통하여 통과하여 거의 또는 아예 흡수가 발생하지 않는 것을 의미한다.
도 8의 예시적인 RS-LED(101)는 최상부에서 바닥부쪽으로, 최상부 접촉부(109), 최상부 윈도우(160), 활성 영역(120), 바닥부 윈도우(161), 반사기(180) 및 전도성 홀더(190)를 포함한다. 활성 영역(120)은 바닥부 제한층(126)과 최상부 제한층(125) 사이에 삽입된 발광 영역(124)을 포함한다. 도 8에 도시되고 하기에 기술된 장치는 바람직하게 P-업(up) 구조로 성장되고: 반도체 구조들은 발광 영역(124)이 P 타입인후 성장되고 반도체 구조들은 발광 영역(124)이 N 타입이기전 성장된다. 그러나, N-업 구조를 가진 실시예들이 또한 본 발명의 범위내에서 고려된다는 것이 주의되어야 한다. 비록 P 타입 업 성장이 일반적으로 바람직하지만, n 타입 업 성장도 가능하다.
최상부 제한층(125)은 예를 들어 약 5.0EE16 내지 1.0EE18 atm/cm3 사이 농도의 Mg 또는 Zn 이온들 같은 P 타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP를 포함할 수 있다. 바닥부 제한 층(126)은 예를 들어 약 5.0EE16 내지 1.0EE18 atm/cm3 사이 농도의 SI 또는 Te 이온들 같은 N 타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP를 포함할 수 있다. 발광 영역(124)은 예를 들어 균일한 조성물의 반도체층, 이중 헤테로구조(DH) 또는 보다 일반적으로 AlGaInP를 포함하는 다중 양자 우물(MQW)을 포함할 수 있다.
최상부 및 바닥부 윈도우들(160, 161)은 각각 낮은 In 함량을 가진 GaP, AlGaInP, AlInP, AlGaAs 또는 GaInP 같은 투명한 전기 전도성 재료를 각각 포함한다. 최상부 윈도우(160)는 예를 들어 약 1.0EE17 내지 1.0EE19 atm/cm3 사이 농도의 Mg 또는 Zn 이온들 같은 P 타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP를 포함할 수 있다. 바닥부 윈도우(161)는 또한 약 1.0EE17 내지 1.0EE19 atm/cm3 사이 농도의 Sl 또는 Te 이온들 같은 N 타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP를 포함할 수 있다. 윈도우들(160, 161)은 일반적으로 투명하여, 상기 윈도우들을 통하여 투과된 광의 최소 부분만을 흡수한다. GaP 격자가 GaAs 기판과 격자 매칭되는 AlGaInP 격자와 미스매칭을 유발하기 때문에, GaP가 활성 영역(120) 다음 성장되는 최상부 또는 바닥부 윈도우(160, 161)에 사용되어야 한다는 것이 주의된다. 최상부 윈도우(160)는 약 1 내지 25 미크론 사이, 바람직하게 약 5 내지 20 미크론 사이의 두께를 가진다. 바닥부 윈도우(161)는 약 1 내지 25 미크론 사이, 바람직하게 약 1 내지 15 미크론 사이의 두께를 가진다. 최상부 윈도우(160)는 도 10에 도시된 바와 같이 최상부 접촉부(109)의 경계를 넘어 전류를 분배(spread)한다. 바닥부 윈도우(161)는 옴 접촉부들(182) 사이에 전류를 분배한다.
반사기(180)는 절연성 투명층(183), 옴 접촉부들(182) 및 반사성 막(184)을 포함한다. 절연성 투명층(183)은 낮은 굴절률, 바람직하게 약 1.10 내지 2.25 사이의 굴절률을 가진다. 도 8 및 도 9에 도시된 예시적인 실시예에서, 절연성 투명층(183)은 실리콘 이산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4) 또는 마그네슘 플루오르화물(MgF) 같은 낮은 굴절률 절연 재료를 포함한다. 절연성 투명층(183)의 두께(th)는 대략 다음 방정식에 의해 근사화된다.
th = λ/(4n) (방정식 1)
여기서 λ는 LED의 피크 방출 파장이고 n은 절연성 투명층(183)의 굴절률이다. 이 두께는 넓은 범위의 입사 각도들 이상에서 절연성 투명층(183)을 때리는 광이 높은 반사도로 반사되는 것을 보장하도록 돕는다.
절연성 투명층(183)을 통하여 패턴(181)으로 구성된 옴 접촉부들(182)의 어레이가 연장한다. 옴 접촉부들(182)은 절연성 투명층(183)에서 최상부 접촉부(109)에 대응하도록 배치된 중앙부(185)를 형성한다. 옴 접촉부들(182)은 저저 항 접촉부들 위에 놓이는 반도체층들에 제공되고 N 타입 옴 접촉부들에 대하여 AuGe-Ni-Au 같은 금속 조성물 및 P 타입 접촉부들에 대하여 AuZn 또는 AuBe 같은 금속 조성물을 포함할 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 옴 접촉부들(182)은 반사성 막(184)과 바닥부 윈도우(161) 사이에 작은 분율의 계면 면적(interface area)을 포함한다. 옴 접촉부들(182)은 계면 면적의 약 0.25% 내지 10%를 포함한다. 이런 작은 옴 접촉부 표면적은 도달된 광 부분을 증가시키고 아래놓여있는 반사성 막(184)에 의해 반사된다. 차례로 반사의 증가는 LED 광 추출 효율성을 증가시킨다.
패턴(181)은 최상부 윈도우(160)의 전류 분배 기능을 강화시킨다. 도 10에 도시된 바와 같이, 전류는 절연성 투명층(183)의 중앙부(185)를 포함하는 절연성 투명층(183)을 통하여 통과되는 것이 방지되고 대신 옴 접촉부들(182)쪽으로 인출된다. 옴 접촉부들(182)이 최상부 전도체(109) 아래에 놓이지 않는다는 것이 주의된다. 따라서, 발광 영역(124)에서 전류 분배(점선 발광 프로파일 124A의 폭에 의해 표현됨)는 최상부 전도체(109) 아래에 놓이는 발광 영역(124)의 부분에서 보다 최상부 전도체(109)를 벗어난 발광 영역(124) 부분에서 크다. 결과적으로, 보다 작은 부분의 방출된 광이 불투명한 최상부 접촉부(109)에 의해 반사, 산란, 또는 흡수된다.
반사성 막(184)은 높은 반사도를 가진 전기 전도성 재료를 포함하여, 전기 접촉부 및 반사기 모두로서 사용한다. 반사성 막(184)에 적당한 재료들은 은(Ag) 및 알루미늄(Al)을 포함한다. 반사성 막(184)의 높은 반사도와 결합된 절연성 투 명층(183)의 두께 및 낮은 굴절률은 아래쪽으로 방출된 거의 모든 광이 흡수되기 보다 오히려 반사되게 하여, 추출 효율성을 강화시킨다.
도 8에 도시된 전도성 홀더(190)는 반사성 막(184)에 부착되어, 구조적 안정성 및 전기 접촉부를 제공한다. 전도성 홀더(190)는 예를 들어 전도성 금속 구조 또는 그 최상부 및 바닥부 면들상에 금속 코팅을 가진 실리콘 웨이퍼일 수 있다. RS-LED(101)의 활성 영역(120) 및 윈도우들(160, 161)은 50 미크론 두께 미만으로 얇고 결과적으로 기계적으로 부서지기 쉽다. 전도성 홀더(190)는 구조적 안정성을 제공하기에 충분한 두께를 가진다. 예시적인 실시예에서, 반사성 막(184) 및 전도성 홀더(190)의 계면은 금속 대 금속이다. 그러므로, 전도성 홀더(190)는 전도성 접착제를 사용하여 납땜 또는 접착 같은 고수율 처리를 사용하여 반사성 막(184)에 기계적 및 전기적으로 접속될 수 있고, 따라서 TS-LED(11)의 반도체 대 반도체 웨이퍼 본딩 문제들을 방지한다.
도 11-17을 참조하여, 하나의 예시적인 방법이 RS-LED(101)를 형성하기 위하여 제공된다. 바닥부 윈도우(161), 활성 영역(120) 및 최상부 윈도우(160)(공통적으로 반도체 또는 에피택셜층들을 포함함)는 GaAs 기판(201)상에 순차적으로 형성된다. 에피택셜층들은 예를 들어 AlGaInP 화학물을 가진 금속 유기 기상 에피텍셜(MOVPE) 처리를 사용하여 형성될 수 있다. 바닥부 윈도우(161)는 바람직하게 약 1 내지 15 미크론의 두께로 증착되거나 성장된다. 바닥부 제한 층(126)은 바닥부 윈도우(161)상에 증착되거나 성장된다. 바닥부 제한 층(126)은 예를 들어 연속적인 MOVPE에 의해 증착되거나 성장된다. 윈도우 층들 및 제한 층들은 상기 층들의 전기 전도성 및 PN 접합 형성을 보장하도록 도핑된다.
AlGaInP 발광 영역(124)은 바닥부 제한 층(126)상에 형성된다. 발광 영역(124)은 예를 들어 공지된 기술과 같이 DH 또는 MQW 구조를 포함할 수 있다. 다음 최상부 제한층(125) 및 최상부 윈도우(160)는 발광 영역(124)상에 순차적으로 증착되거나 성장된다. 최상부 제한층(125) 및 최상부 윈도우(160)는 Mg 또는 Zn 이온들 같은 P 타입 도펀트로 도핑되고, 상기 최상부 윈도우(160)는 최상부 제한 층(125) 보다 높은 도펀트 농도를 가진다. 선택적으로, AlInP 또는 AlGaAs 화학물은 윈도우들(160, 161)에 대한 AlGaInP 화학물 대신 사용될 수 있다. 또한, GaP 화학물은 본 발명의 방법에서 활성 영역(120) 다음에 형성되는 최상부 윈도우(160)를 위하여 사용될 수 있다.
에피택셜층들이 MOVPE 처리를 사용하여 증착되거나 성장된후, 최상부 접촉부(109)는 최상부 윈도우(160)상에 형성된다. 최상부 접촉부(109)는 예를 들어 증착 및 패터닝 처리에 의해 형성되는 알루미늄 또는 금에 의해 커버된 AuZn 또는 AuBe 합금 같은 전도성 금속을 포함할 수 있다. 상기 합금들은 P 타입 반도체들과 접촉을 형성한다. 그 다음, 임시적인 홀더(203)는 왁스 또는 다른 제거 가능한 물질에 의해 최상부 접촉부(109) 및 최상부 윈도우(160)에 부착되고, 기판(201)은 에피택셜층들로부터 제거된다. 기판(201)의 벌크(bulk)는 화학 기계적 폴리싱 처리에 의해 제거될 수 있고, 최종적으로 약 20 미크론이 선택적 습식 화학 에칭에 의해 제거된다.
도 15에 도시된 후면측 처리는 기판(201) 제거 후 수행된다. 옴 접촉부 들(182)의 패턴(181)은 형성되고, 낮은 굴절률을 가진 절연성 투명층(183)을 통하여 연장한다. 절연성 투명층(183)은 인버트된 에피택셜층들(즉, 도 15에 도시된 위치에서 뒤집어진 위치에서, 아래쪽에 임시 홀더(203)를 가짐)을 가진 바닥부 윈도우(161)상에 증착에 의해 형성될 수 있고, 그 다음 포토리소그래피 처리를 사용하여 옴 접촉부들(182)에 개구부들을 형성하도록 패턴화된다. 그 다음 옴 접촉부들(182)은 다른 포토리소그래픽 처리에 의해 형성될 수 있다. 상기된 바와 같이, 옴 접촉부들(182)은 AuGe-Ni-Au 같은 금속화부를 포함할 수 있다. 상기 합금들은 N 타입 반도체들에 대한 접촉부를 형성한다.
선택적으로, 패턴(181)은 금속 층의 블랭킷 증착 및 상기 블랭킷 금속 층 패턴화에 의해 형성될 수 있다. 그 다음 절연성 투명층(183)은 패턴(181)상에 형성되고 옴 접촉부들(182)을 노출시키기 위하여 평탄화된다. 선택적으로, 절연성 투명층(183)은 접촉 바이어스들을 형성하기 위하여 블랭킷 증착되고 패턴화될 수 있다. 그 다음 반사성 막(184)은 절연성 투명층(183) 및 옴 접촉부들(182)상에 형성되어, 옴 접촉부들(182)을 통하여 반사성 막(184)과 에피택셜층들 사이에 전기적 연속성을 제공한다.
전도성 홀더(190)는 전도성 부착, 납땜, 또는 기계적 부착력 및 전기 전도성을 제공하는 다른 처리에 의해 반사성 막(184)에 부착된다. 전도성 홀더(190)를 반사성 막(184)에 부착하는 것은 TS-LED(11)와 관련된 정밀한 웨이퍼 대 웨이퍼 본딩을 요구하지 않는다는 것을 주지해야 한다. 전도성 홀더(190)가 부착된 후, 임시 홀더(203)는 제거된다.
다른 예시적인 RS-LED(301)는 도 18 및 도 19에 도시된다. 에피택셜층들(160, 120, 161) 및 최상부 접촉부(109)는 앞서 개시되고 도 8-17에 도시된 예시적인 실시예와 유사하다. 다른 RS-LED(301)는 바닥부 윈도우(161) 아래에 놓이는 반사기(380)를 포함한다. 반사기(380)는 전도성의 낮은 굴절률 영역(382) 및 절연성의 낮은 굴절률 영역(383)을 가진 굴절층을 포함한다. 전도성의 낮은 굴절률 영역(382)에는 최상부 전도체(109)에 대응하도록 배치된 중앙부(385)가 구성된다. 전도성의 낮은 굴절률 영역(382)은 약 1.10 내지 2.25 사이의 굴절률을 가진 주로 ITO라 불리는 InSnO 같은 전기 전도성 재료를 포함할 수 있다. 절연성의 낮은 굴절률 영역(383)은 약 1.10 내지 2.25 사이의 굴절률을 가진 SiO2 또는 Si3N4 같은 전기 절연 재료를 포함할 수 있다. 절연성의 낮은 굴절률 영역(383)은 최소한 중앙부(385)에 형성된다. 상기된 실시예에서, 굴절층의 두께(th)는 방정식 1(th = λ/4n)에 의해 근사화된다.
RS-LED를 형성하기 위한 다른 예시적인 방법은 도 20-24에 도시된다. 에피택셜층들(160, 120, 161)은 상기된 바와 같이 GaAs 기판(201)상에 성장 또는 증착된다. 에피택셜층들의 형성후, 후면측 처리가 도 21에 도시된 바와 같이 수행된다. 낮은 굴절률을 갖는 절연성 투명층(183)은 낮은 굴절률을 갖는 절연성 투명층(183)에 옴 접촉부들(182)의 증착후 형성 및 패턴화된다. 선택적으로, 옴 접촉층은 옴 접촉부들(182)을 형성하기 위하여 블랭킷 증착되고 패턴화되며, 낮은 굴절률을 갖는 절연성 투명층(183)은 옴 접촉부들(182) 사이에 증착된다. 평탄화 단계 들은 요구된 바와 같이 수행될 수 있다. 그 다음 반사성 막(184)은 옴 접촉부들(182) 및 낮은 굴절률을 갖는 절연성 투명층(183)상에 형성된다. 옴 접촉부들(182), 낮은 굴절률을 갖는 절연성 투명층(183) 및 반사성 막(184)의 재료들 및 두께는 상기된 실시예와 유사하다.
전도성 홀더(190)는 도 22에 도시된 바와 같이 반사성 막(184)에 부착된다. 그 다음, 기판(201)은 도 23에 도시된 바와 같이 제거되고, 최상부 접촉부(109)는 도 24에 도시된 바와 같이 최상부 윈도우(160)상에 형성된다. 이런 다른 예시적인 방법은 바닥부 윈도우(161)가 활성 영역(120) 다음에 형성되도록 하여, 바닥부 윈도우(161)는 GaAS에 대해 격자 미스매칭되는 GaP 또는 다른 재료들일 수 있다.
LED의 표면 텍스츄어링(texturing)(또한 표면 거칠기 형성 작업이라 함)이 LED의 광 추출 효율성을 증가시킬 수 있다는 것이 일반적으로 공지되어 있다. LED의 최상부 표면의 표면 텍스츄어링은 특히 효과적인 것으로 밝혀졌다. 표면 텍스츄어링은 임의의 거칠기 형성 작업, 격자 구조들의 형성 및 광자 밴드갭(bandgap) 구조들의 형성을 포함할 수 있다. 표면 텍스츄어링된 구조들은 당업자에게 잘 공지되어 있다. 상기 표면 텍스츄어링은 본 발명에 적용되어 LED로부터 광 추출을 증가시킨다. 예를 들어, 도 8, 도 10, 또는 도 18의 층(160)의 최상부 표면은 표면 텍스츄어링될 수 있다.
비록 특정 실시예들을 참조하여 상기에서 도시 및 기술되었지만, 본 발명은 도시된 항목들로 제한될 의도는 없다. 오히려, 본 발명의 사상을 벗어남이 없이 그리고 청구항들의 등가물들의 사상과 범위 내에서 세부사항들에 대한 다양한 변형 들이 이루어질 수 있다.
도 1은 종래 AS-LED의 단면도.
도 2는 종래 AS-LED에서 전류 분배층을 도시한 도면.
도 3-7은 종래 TS-LED에 대한 제조 공정의 일련의 단계들을 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 반사 서브마운트 LED의 단면도.
도 9는 도 8의 라인 9-9를 따라 일반적으로 얻어진 도 8의 반사 서브마운트 LED의 단면도.
도 10은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 반사 서브마운트 LED에서 전류 분배층의 효과를 도시한 도면.
도 11-17은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 반사 서브마운트 LED에 대한 제조 방법의 순차적 단계들을 도시한 도면.
도 18은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반사 서브마운트 LED의 단면도.
도 19는 라인 19-19를 따라 얻어진 도 18의 반사 서브마운트 LED의 단면도.
도 20-24는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 서브마운트 LED에 대한 제조 방법의 순차적 단계들을 도시한 도면.

Claims (10)

  1. 발광 다이오드로서,
    최상부 제한층 및 바닥부 제한층의 2개의 반대-전도성-타입의 제한층들을 갖는 활성 영역 ― 상기 제한층들 사이에 발광 영역이 배치됨 ―; 및
    상기 발광 영역에 대향하는 상기 바닥부 제한층에 인접한 전방향성 반사기
    를 포함하고, 상기 전방향성 반사기는 최상부 접촉부 아래에 놓이는 영역을 벗어난 영역에 대응하도록 구성된 하나 이상의 옴 접촉부들을 가지며, 상기 최상부 접촉부는 상기 최상부 접촉부 아래에 놓이는 상기 영역을 한정하는,
    발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 제한층에 인접하게 배치되고 상기 발광 영역에 대향하는 윈도우를 더 포함하는, 발광 다이오드.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 영역은 다중 양자 우물(quantum well) 구조를 포함하고, 상기 제한층들은 p-타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP 및 n-타입 도펀트로 도핑된 AlGaInP를 포함하며, 적어도 하나의 상기 윈도우는 도핑된 AlGaInP를 포함하는, 발광 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 윈도우 중 하나는 필수적으로 GaP를 포함하는, 발광 다이오드.
  5. 제 4 항에 있어서,
    최상부 윈도우는 GaP를 포함하는, 발광 다이오드.
  6. 제 4 항에 있어서,
    바닥부 윈도우는 GaP를 포함하는, 발광 다이오드.
  7. 제 3 항에 있어서,
    최상부 윈도우 및 바닥부 윈도우는 1 내지 25 미크론의 두께를 갖는, 발광 다이오드.
  8. 제 3 항에 있어서,
    최상부 윈도우는 5 내지 20 미크론 사이의 두께를 가지며, 바닥부 윈도우는 1 내지 15 미크론의 두께를 갖는, 발광 다이오드.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전방향성 반사기는 낮은 굴절률을 가진 절연성 투명층, 상기 절연성 투 명층을 통하여 연장하는 옴 접촉부들의 어레이, 및 상기 발광 영역에 대향하는 상기 절연성 투명층에 인접하게 배치된 금속층을 포함하는, 발광 다이오드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 옴 접촉부들의 어레이는 상기 최상부 접촉부의 주변부를 벗어난 영역 아래에 놓이는 패턴으로 배치되는, 발광 다이오드.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140097899A (ko) * 2013-01-30 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20140108276A (ko) * 2011-12-12 2014-09-05 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 자외선 반사성 접촉부
KR20150117409A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137615A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137616A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137617A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자

Families Citing this family (221)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507306B1 (en) * 1999-10-18 2003-01-14 Contec Corporation Universal remote control unit
JP3896027B2 (ja) * 2002-04-17 2007-03-22 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
DE10244986B4 (de) * 2002-09-26 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
TWI230473B (en) * 2003-03-10 2005-04-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
US20040227151A1 (en) * 2003-03-31 2004-11-18 Hitachi Cable, Ltd. Light emitting diode
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP2005019695A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Toshiba Corp 半導体発光装置
TWI228272B (en) 2003-09-19 2005-02-21 Tinggi Technologies Pte Ltd Fabrication of semiconductor devices
JP3979378B2 (ja) * 2003-11-06 2007-09-19 住友電気工業株式会社 半導体発光素子
US20050104078A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Ite Compound Semiconductor Corporation Light-emitting diode having chemical compound based reflective structure
EP1709694B1 (de) * 2004-01-26 2017-03-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur
EP1569263B1 (de) * 2004-02-27 2011-11-23 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zum Verbinden zweier Wafer
EP1730790B1 (en) * 2004-03-15 2011-11-09 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
EP1756875A4 (en) 2004-04-07 2010-12-29 Tinggi Technologies Private Ltd FABRICATION OF A RETROFLECTIVE LAYER ON SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DIODES
EP1738107A4 (en) * 2004-04-23 2008-12-31 Light Prescriptions Innovators OPTICAL DISTRIBUTOR FOR LIGHT-EMITTING DIODES
US20060255349A1 (en) * 2004-05-11 2006-11-16 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
TWI299914B (en) * 2004-07-12 2008-08-11 Epistar Corp Light emitting diode with transparent electrically conductive layer and omni directional reflector
JP2006066449A (ja) * 2004-08-24 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2006066518A (ja) * 2004-08-25 2006-03-09 Sharp Corp 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
DE102004061865A1 (de) * 2004-09-29 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmhalbleiterchips
US7274040B2 (en) * 2004-10-06 2007-09-25 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7330319B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
KR100682872B1 (ko) * 2004-12-08 2007-02-15 삼성전기주식회사 고효율 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR100624449B1 (ko) 2004-12-08 2006-09-18 삼성전기주식회사 요철 구조를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법
US20060131601A1 (en) * 2004-12-21 2006-06-22 Ouderkirk Andrew J Illumination assembly and method of making same
US7296916B2 (en) * 2004-12-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
US7285802B2 (en) * 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
US10374120B2 (en) * 2005-02-18 2019-08-06 Koninklijke Philips N.V. High efficiency solar cells utilizing wafer bonding and layer transfer to integrate non-lattice matched materials
US8101498B2 (en) * 2005-04-21 2012-01-24 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
DE102005025416A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
KR20060131327A (ko) * 2005-06-16 2006-12-20 엘지전자 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
KR100800071B1 (ko) * 2005-07-29 2008-01-31 비쥬얼 포토닉스 에피탁시 코포레이션 리미티드 반사층을 갖는 고휘도 발광 다이오드
EP1750310A3 (en) * 2005-08-03 2009-07-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Omni-directional reflector and light emitting diode adopting the same
JP2007059623A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Visual Photonics Epitaxy Co Ltd 反射層を具えた高輝度発光ダイオードの製造方法
JP2007059830A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Visual Photonics Epitaxy Co Ltd 反射層を具えた高輝度発光ダイオード
JP2007081011A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
US7635874B2 (en) * 2005-09-26 2009-12-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Edge-emitting LED assembly
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
JP2007103725A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Toshiba Corp 半導体発光装置
SG131803A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
TW200735418A (en) * 2005-11-22 2007-09-16 Rohm Co Ltd Nitride semiconductor device
SG133432A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US8264138B2 (en) * 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR100682878B1 (ko) * 2006-02-09 2007-02-15 삼성전기주식회사 플립칩형 발광소자
JP2007221029A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Sony Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US7622746B1 (en) 2006-03-17 2009-11-24 Bridgelux, Inc. Highly reflective mounting arrangement for LEDs
US20070243703A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Aonex Technololgies, Inc. Processes and structures for epitaxial growth on laminate substrates
US9084328B2 (en) * 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7737455B2 (en) * 2006-05-19 2010-06-15 Bridgelux, Inc. Electrode structures for LEDs with increased active area
US7573074B2 (en) * 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
KR101263934B1 (ko) * 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
US7952110B2 (en) * 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
JP2009540616A (ja) * 2006-06-12 2009-11-19 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 再発光半導体構造物を有するｌｅｄ装置及び集束光学要素
US7902542B2 (en) * 2006-06-14 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction
KR100812736B1 (ko) * 2006-06-29 2008-03-12 삼성전기주식회사 고휘도 질화물계 반도체 발광소자
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US7829905B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2008036958A2 (en) * 2006-09-23 2008-03-27 Ylx Corporation Brightness enhancement method and apparatus of light emitting diodes
KR101229834B1 (ko) 2006-09-25 2013-02-04 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7483212B2 (en) * 2006-10-11 2009-01-27 Rensselaer Polytechnic Institute Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same
JP2008103534A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP4835377B2 (ja) * 2006-10-20 2011-12-14 日立電線株式会社 半導体発光素子
JP4835376B2 (ja) * 2006-10-20 2011-12-14 日立電線株式会社 半導体発光素子
KR100809227B1 (ko) * 2006-10-27 2008-03-05 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법
KR100826395B1 (ko) * 2006-12-18 2008-05-02 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 제조방법
KR101308131B1 (ko) * 2006-12-23 2013-09-12 서울옵토디바이스주식회사 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그제조방법
TWI370555B (en) * 2006-12-29 2012-08-11 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
TWI331411B (en) * 2006-12-29 2010-10-01 Epistar Corp High efficiency light-emitting diode and method for manufacturing the same
DE102007003282B4 (de) 2007-01-23 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
JP2008211164A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
DE102007020291A1 (de) 2007-01-31 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für einen derartigen Chip
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
KR101239854B1 (ko) * 2007-02-28 2013-03-06 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
GB2447091B8 (en) 2007-03-02 2010-01-13 Photonstar Led Ltd Vertical light emitting diodes
US7601989B2 (en) * 2007-03-27 2009-10-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED with porous diffusing reflector
JP5346443B2 (ja) 2007-04-16 2013-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US7732301B1 (en) 2007-04-20 2010-06-08 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4770785B2 (ja) 2007-04-25 2011-09-14 日立電線株式会社 発光ダイオード
DE102007022947B4 (de) * 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007029370A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
JP5169012B2 (ja) * 2007-05-08 2013-03-27 日立電線株式会社 半導体発光素子
JP2008288248A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US7683380B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same
US8212273B2 (en) * 2007-07-19 2012-07-03 Photonstar Led Limited Vertical LED with conductive vias
KR100843426B1 (ko) 2007-07-23 2008-07-03 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
US20090278233A1 (en) * 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4985260B2 (ja) * 2007-09-18 2012-07-25 日立電線株式会社 発光装置
TWI419355B (zh) * 2007-09-21 2013-12-11 Nat Univ Chung Hsing 高光取出率的發光二極體晶片及其製造方法
TWI369009B (en) * 2007-09-21 2012-07-21 Nat Univ Chung Hsing Light-emitting chip device with high thermal conductivity
KR101501307B1 (ko) * 2007-09-21 2015-03-10 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치 제작 방법
DE102007046519A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
JP5236924B2 (ja) * 2007-10-11 2013-07-17 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP2009123754A (ja) * 2007-11-12 2009-06-04 Hitachi Cable Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
US7915629B2 (en) * 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US8575633B2 (en) * 2008-12-08 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting diode with improved light extraction
KR101449005B1 (ko) 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102008005332A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit einer dielektrischen Schichtstruktur
US8692286B2 (en) 2007-12-14 2014-04-08 Philips Lumileds Lighing Company LLC Light emitting device with bonded interface
US7985979B2 (en) 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
DE102008024517A1 (de) * 2007-12-27 2009-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers
US8096668B2 (en) * 2008-01-16 2012-01-17 Abu-Ageel Nayef M Illumination systems utilizing wavelength conversion materials
KR101459764B1 (ko) * 2008-01-21 2014-11-12 엘지이노텍 주식회사 질화물계 발광 소자
JP2009200178A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
DE102008027045A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterleuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterleuchtdiode
JP4831107B2 (ja) * 2008-04-03 2011-12-07 日立電線株式会社 半導体発光素子
KR101510382B1 (ko) * 2008-04-23 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법
DE102008035900A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
KR101449035B1 (ko) * 2008-04-30 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자
JP5416363B2 (ja) * 2008-05-01 2014-02-12 日立金属株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
DE102008050538B4 (de) 2008-06-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP5167974B2 (ja) * 2008-06-16 2013-03-21 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
KR20100003321A (ko) * 2008-06-24 2010-01-08 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
US20090321775A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-31 Ghulam Hasnain LED with Reduced Electrode Area
KR20100008123A (ko) * 2008-07-15 2010-01-25 고려대학교 산학협력단 이중 히트 씽크층으로 구성된 지지대를 갖춘 고성능수직구조의 반도체 발광소자
TWI420693B (zh) * 2008-07-17 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
JP2010034100A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Oki Data Corp 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
DE102008035110A1 (de) * 2008-07-28 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
JP5376866B2 (ja) * 2008-08-22 2013-12-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
DE102008039360B4 (de) * 2008-08-22 2021-05-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
CN102197596B (zh) * 2008-09-08 2014-10-29 3M创新有限公司 电像素化发光装置
JP5024247B2 (ja) * 2008-09-12 2012-09-12 日立電線株式会社 発光素子
DE102008048648A1 (de) * 2008-09-24 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102008054218A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
WO2010056596A2 (en) 2008-11-13 2010-05-20 3M Innovative Properties Company Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements
KR101047634B1 (ko) * 2008-11-24 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR101064082B1 (ko) * 2009-01-21 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR100974776B1 (ko) 2009-02-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI470823B (zh) 2009-02-11 2015-01-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
JP5298927B2 (ja) * 2009-02-18 2013-09-25 日立電線株式会社 発光素子
KR100974784B1 (ko) * 2009-03-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP2010251531A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2010278112A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
US20100327300A1 (en) 2009-06-25 2010-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US8476660B2 (en) * 2009-08-20 2013-07-02 Integrated Photovoltaics, Inc. Photovoltaic cell on substrate
US9362459B2 (en) * 2009-09-02 2016-06-07 United States Department Of Energy High reflectivity mirrors and method for making same
KR101154750B1 (ko) * 2009-09-10 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US9435493B2 (en) * 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
KR100986327B1 (ko) * 2009-12-08 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
TWI580068B (zh) * 2010-02-09 2017-04-21 晶元光電股份有限公司 光電元件
US10205059B2 (en) 2010-02-09 2019-02-12 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
KR101047720B1 (ko) * 2010-04-23 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101459809B1 (ko) * 2010-05-04 2014-11-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN101908594A (zh) * 2010-06-23 2010-12-08 山东华光光电子有限公司 一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法
JP5258853B2 (ja) * 2010-08-17 2013-08-07 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
US8410515B2 (en) * 2010-08-31 2013-04-02 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with point contacts and associated methods of manufacturing
US8664684B2 (en) * 2010-08-31 2014-03-04 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices with improved contacts and associated methods of manufacturing
GB201019212D0 (en) 2010-11-12 2010-12-29 Dupont Teijin Films Us Ltd Polyester film
JP5404596B2 (ja) 2010-12-27 2014-02-05 株式会社東芝 発光素子およびその製造方法
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US20130001510A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Optoelectronic device having current blocking insulation layer for uniform temperature distribution and method of fabrication
JP6077201B2 (ja) 2011-08-11 2017-02-08 昭和電工株式会社 発光ダイオードおよびその製造方法
JP5501319B2 (ja) * 2011-09-24 2014-05-21 株式会社東芝 半導体発光素子
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
KR101868537B1 (ko) 2011-11-07 2018-06-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
JP5806608B2 (ja) * 2011-12-12 2015-11-10 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5865695B2 (ja) * 2011-12-19 2016-02-17 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
US20130285010A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Phostek, Inc. Stacked led device with posts in adhesive layer
KR101239852B1 (ko) * 2012-05-10 2013-03-06 학교법인 포항공과대학교 ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자
JP6063220B2 (ja) * 2012-11-21 2017-01-18 スタンレー電気株式会社 発光素子
KR101322928B1 (ko) * 2012-12-27 2013-10-28 서울바이오시스 주식회사 투광성 물질 패턴을 갖는 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
TWI590493B (zh) * 2013-01-30 2017-07-01 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光器件
EP2763195A3 (en) * 2013-01-30 2016-04-06 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
TWI506813B (zh) * 2013-04-09 2015-11-01 Unity Opto Technology Co Ltd Single crystal dual light source light emitting element
JP5468158B2 (ja) * 2013-04-18 2014-04-09 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5584331B2 (ja) * 2013-06-10 2014-09-03 ローム株式会社 半導体発光素子
US10002991B2 (en) 2013-07-10 2018-06-19 Epistar Corporation Light-emitting element
JP6257203B2 (ja) * 2013-07-25 2018-01-10 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光素子
JP6529713B2 (ja) * 2013-09-17 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
DE102013113106A1 (de) * 2013-11-27 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip
US9419185B2 (en) 2014-01-27 2016-08-16 Glo Ab Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector
CN103779460A (zh) * 2014-02-13 2014-05-07 马鞍山太时芯光科技有限公司 一种发光器件芯片及其制造方法
CN103794712A (zh) * 2014-02-13 2014-05-14 马鞍山太时芯光科技有限公司 一种提高发光器件芯片散热效率的方法
US10388807B2 (en) * 2014-04-30 2019-08-20 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Mirrors including reflective and second layers disposed on photodetectors
JP6595801B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
JP5981493B2 (ja) * 2014-07-16 2016-08-31 ローム株式会社 半導体発光素子
JP2014220536A (ja) * 2014-08-27 2014-11-20 ローム株式会社 半導体発光素子
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
US10236413B2 (en) 2015-04-20 2019-03-19 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US10069037B2 (en) * 2015-04-20 2018-09-04 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
TWI565098B (zh) * 2015-06-10 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 發光元件
EP3357097B1 (en) 2015-10-01 2020-12-16 Cree, Inc. Low optical loss flip chip solid state lighting device
CN105355742B (zh) * 2015-12-04 2017-11-07 天津三安光电有限公司 发光二极管芯片及其制作方法
JP6162851B2 (ja) * 2016-05-02 2017-07-12 ローム株式会社 半導体発光素子
JP2017204640A (ja) 2016-05-11 2017-11-16 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光デバイス及びその製造方法
KR101725783B1 (ko) * 2016-07-19 2017-04-11 고려대학교 산학협력단 광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자
JP2018037690A (ja) * 2017-12-05 2018-03-08 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光素子
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387212B2 (en) * 2018-03-14 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of transferring a plurality of micro light emitting diodes to a target substrate, array substrate and display apparatus thereof
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
KR20200095210A (ko) 2019-01-31 2020-08-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
WO2020196739A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 赤外ｌｅｄ素子
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
JP7201574B2 (ja) * 2019-12-05 2023-01-10 ウシオ電機株式会社 赤外ｌｅｄ素子

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4212021A (en) 1976-07-21 1980-07-08 Hitachi, Ltd. Light emitting devices
US5060028A (en) 1989-01-19 1991-10-22 Hewlett-Packard Company High band-gap opto-electronic device
US5048035A (en) 1989-05-31 1991-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US5153889A (en) 1989-05-31 1992-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
JP2658446B2 (ja) 1989-12-04 1997-09-30 日立電線株式会社 発光ダイオードの製造方法
US5008718A (en) 1989-12-18 1991-04-16 Fletcher Robert M Light-emitting diode with an electrically conductive window
JP2798545B2 (ja) 1992-03-03 1998-09-17 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
GB2270199B (en) 1992-08-25 1995-05-10 Mitsubishi Cable Ind Ltd Semiconductor light emitting element
JPH0794781A (ja) 1993-09-24 1995-04-07 Toshiba Corp 面発光型半導体発光ダイオード
JP3293996B2 (ja) * 1994-03-15 2002-06-17 株式会社東芝 半導体装置
JP3511213B2 (ja) * 1994-03-30 2004-03-29 スタンレー電気株式会社 光半導体デバイス
JPH08148714A (ja) * 1994-11-25 1996-06-07 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US5917202A (en) 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
JP3635757B2 (ja) 1995-12-28 2005-04-06 昭和電工株式会社 ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JP2806423B2 (ja) 1996-03-08 1998-09-30 日本電気株式会社 面発光型半導体素子
US5905275A (en) 1996-06-17 1999-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
JPH1012917A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP3706452B2 (ja) 1996-12-24 2005-10-12 ローム株式会社 半導体発光素子
JP3531475B2 (ja) * 1998-05-22 2004-05-31 日亜化学工業株式会社 フリップチップ型光半導体素子
JP3739951B2 (ja) 1998-11-25 2006-01-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
JP2001044491A (ja) 1999-07-13 2001-02-16 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi Ｌｅｄ及びその製造方法
TW425726B (en) * 1999-10-08 2001-03-11 Epistar Corp A high-luminance light emitting diode with distributed contact layer
JP2001111103A (ja) * 1999-10-14 2001-04-20 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 領域電流密度を制御可能なｌｅｄ
JP2001144321A (ja) * 1999-11-04 2001-05-25 Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光素子及びその製造方法
US6492661B1 (en) 1999-11-04 2002-12-10 Fen-Ren Chien Light emitting semiconductor device having reflection layer structure
CN1292494C (zh) 2000-04-26 2006-12-27 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光半导体元件及其制造方法
TW474033B (en) * 2000-11-03 2002-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED structure and the manufacturing method thereof
DE20202493U1 (de) 2002-02-19 2002-06-20 Opto Tech Corporattion, Hsinchu Lichtemittierende Diode mit verbesserter Helligkeit

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140108276A (ko) * 2011-12-12 2014-09-05 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 자외선 반사성 접촉부
KR20140097899A (ko) * 2013-01-30 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150117409A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137615A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137616A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR20150137617A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자

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