JP5169012B2 - 半導体発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、高輝度型の半導体発光素子に関するものである。

近年、ＧａＮ系やＡｌＧａＩｎＰ系の高品質な結晶をＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）により成長出来るようになったため、高輝度の青色、緑色、橙色、黄色、赤色等の発光ダイオード（ＬＥＤ）の製作が可能になった。高輝度化に伴い、ＬＥＤは、自動車のブレーキランプ、液晶ディスプレイのバックライト等の光源としても利用され、その需要は年々増加している。

ＬＥＤの内部効率は、ＭＯＶＰＥ法による成長が可能になってから、理論値及び限界値に近づきつつあるものの、発光素子からの光取り出し効率は未だ低いため、この光取り出し効率の向上が重要になっている。

例えば、高輝度赤色ＬＥＤは、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料で形成され、導電性のＧａＡｓ基板上に格子整合する組成のＡｌＧａＩｎＰ系の材料から成るｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層と、それらに挟まれたＡｌＧａＩｎＰ又はＧａＩｎＰから成る発光層（活性層）を有するダブルヘテロ構造になっている。

しかし、ＧａＡｓ基板のバンドギャップは、発光層のバンドギャップよりも狭いため、発光層からの光の多くがＧａＡｓ基板に吸収され、光の取り出し効率が著しく低下する。これを改善するものとして、発光層とＧａＡｓ基板の間に、屈折率の異なる半導体層から成る多層反射膜構造を形成することによりＧａＡｓ基板による光の吸収を低減し、光取り出し効率を向上させる方法がある。ところが、この方法は、多層反射膜構造へ限定された入射角で入射した光しか反射することができない。

そこで、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料から成るダブルヘテロ構造を、反射率の高い金属膜を介してＧａＡｓ基板よりも熱伝導率の良いＳｉ支持基板に貼り付け、その後、成長用に用いたＧａＡｓ基板を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によると、反射膜に金属膜を用いている為、金属膜への光の入射角を選ばずに高い反射が可能となる。

また、反射膜が反射率の高い金属、例えば、金、アルミ、銀等は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体とオーミックコンタクト接合ができない。その為、反射膜金属とは異なる材料から成るオーミックコンタクト接合部を、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体層と反射金属膜の界面の一部に配置し、電気的抵抗を低減する必要がある。

この場合、表面電極から注入された電子又はホールは、上記オーミックコンタクト接合部を介して支持基板へと流れることになる為、表面電極直下にはオーミックコンタクト電極を配置しないことによって電流狭窄効果が働き、発光出力が向上する。この電流狭窄効果をより有効とする為には、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層における光取り出し側の導電層の抵抗が低いことが重要である。

また、オーミックコンタクト電極は反射率が低い金属となる為、発光出力の観点から面積としてある程度小さいことが好ましく、我々の検討結果から面積比率として１０％以下であることが望ましいことが知られている。

なお、半導体層と反射金属膜が直接接触していると、貼り合せ工程や電極形成後の熱処理工程で半導体層と反射金属膜が反応し、反射金属膜の反射率が低下するといった問題が発生するが、半導体層と反射金属膜の間に透明膜を挟むことにより解決することが出来る。

一方、半導体層と反射金属膜の間に透明膜を挟むと、半導体層と反射金属膜との間で電気伝導が出来なくなる為、オーミックコンタクト電極を、透明膜を貫通し半導体層と反射金属膜に接する様にして透明膜の一部に配置する必要がある。この透明膜として、比較的エッチング処理を行いやすいＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等を用いることが、プロセス工程上望ましい。
特開２００５−１７５４６２号公報

しかし、従来の半導体発光素子によると、電流は電流狭窄効果によって半導体層のチップ面方向に流れるが、半導体層がその厚さ方向に比べてチップ面方向が大きいことから、電流狭窄を行っていない半導体発光素子に対して電流狭窄を行っている半導体発光素子の順方向電圧には半導体層の抵抗成分が大きく現れることになる。

つまり、オーミックコンタクト電極の配置を表面電極直下以外の領域にランダムに配置すると、電流は表面電極に距離の近いオーミックコンタクト電極に集中的に流れ、発光に寄与する領域が部分的になり、チップ面内で不均一な発光になる結果、発光出力が低下する。また、電流が或る特定の半導体層の経路を通って、或る特定のオーミックコンタクト電極に集中的に電流が注入されるため、順方向電圧が上昇するという問題が生じる。

従って、本発明の目的は、半導体層内における電流集中及び順方向電圧の上昇を抑制することができる半導体発光素子を提供することにある。

本発明は上記目的を達成するため、活性層が設けられるとともに、第１，第２の主表面を有し、前記第１の主表面は光取り出し面を成すとともに表面電極が設けられ、前記第２の主表面が前記活性層からの光を前記第１の主表面へ反射させる反射金属膜を備えたIII−Ｖ族化合物半導体層と、前記反射金属膜の光取り出し側に設けられるとともに、前記表面電極の直下以外の領域に設けられた複数のオーミックコンタクト電極とを備え、前記オーミックコンタクト電極は、前記オーミックコンタクト電極と、前記表面電極の外側との距離全てがほぼ等距離になるように、前記III−Ｖ族化合物半導体層の前記第２の主表面上に設けられ、前記表面電極は、第１の主表面の中心部に設けられた電極パッドと、前記電極パッドから放射状に設けられる複数の細線電極とを備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。

本発明の半導体発光素子によれば、半導体層内における電流集中及び順方向電圧の上昇を抑制することができる。

（半導体発光素子の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。この半導体発光素子１００は、例えば、発光波長が約６３６ｎｍの赤色ＬＥＤである。

半導体発光素子１００は、Ｓｉ支持基板２と、Ｓｉ支持基板２の底面に設けられた裏面電極１と、Ｓｉ支持基板２上に設けられた金属密着層３と、金属密着層３上に設けられた反射金属膜４と、反射金属膜４上に設けられた透明誘電膜５及びオーミックコンタクト電極６と、透明誘電膜５及びオーミックコンタクト電極６上に設けられたＭｇ-ＧａＰコンタクト層７、Ｍｇ-ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、ＡｌＧａＩｎＰ活性層９、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０及びＳｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１からなる化合物半導体層と、Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１上に設けられた表面電極１２とを備えて構成されている。

裏面電極１は、Ｓｉ支持基板２の底面の全面に、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）を順番に蒸着し、その後、窒素ガス雰囲気中にて４００℃に加熱し、５分間熱処理、即ち、電極の合金化であるアロイ工程を施すことにより構成されている。

Ｓｉ支持基板２は、例えば、ｎ型の導電性Ｓｉ-ＧａＡｓ基板である。

金属密着層３は、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕを順番に蒸着して構成されている。ここで、Ｔｉがオーミックコンタクト電極、Ｐｔが拡散防止バリア層、Ａｕが接合層として機能する。

反射金属膜４は、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕを、それぞれ順に蒸着した。Ａｌが反射膜、Ｔｉが拡散防止バリア層、Ａｕが接合層となる。

透明誘電膜５は、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＩＴＯからなる。

オーミックコンタクト電極６は、透明誘電膜５を貫通する複数が真空蒸着法によって表面電極１２の直下以外の領域の枝状部分の近傍に形成される。オーミックコンタクト電極６は、その材料として、例えば、ＡｕＺｎ（金・亜鉛）合金を用いることができる。このオーミックコンタクト電極６は、例えば、４０個（直径１５μｍ）を規則的に配置して構成されている。

Ｍｇ-ＧａＰコンタクト層７は、例えば、ｐ型（Ｍｇドープ）ＧａＰの構成である。

Ｍｇ-ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８は、例えば、ｐ型（Ｍｇドープ）（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐの構成である。

ＡｌＧａＩｎＰ活性層９は、例えば、アンドープ（Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐの構成である。

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０は、例えば、ｎ型（Ｓｉドープ）（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐの構成である。

Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１は、例えば、ｎ型（Ｓｉドープ）ＧａＡｓの構成である。

表面電極１２は、真空蒸着法によって、ＡｕＧｅ（金・ゲルマニウム合金）、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）を順番に蒸着して構成したものであり、円形のバッドと、このパッドから４方向へ放射状（十字形）に延びた複数の細線電極から構成されている。

（半導体発光素子の製造方法）
図２Ａ〜図２Ｃは、半導体発光素子の製造方法を示す工程図である。同図を参照して以下に製造工程を説明する。

（１）ＬＥＤエピタキシャルウエハの製造
まず、図２Ａの（ａ）に示すように、ｎ型のＳｉ-ＧａＡｓ基板１３上に、ＭＯＶＰＥ法により、ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層１４、Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０、ＡｌＧａＩｎＰ活性層９、Ｍｇ-ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８及びＭｇ-ＧａＰコンタクト層７を順次積層成長させ、III−Ｖ族化合物半導体層からなるＬＥＤエピタキシャルウエハ３０を製造した。ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層１４は、例えば、アンドープ（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐの構成である。

ＭＯＶＰＥ成長は、成長温度を６５０℃、成長圧力を５０Ｔｏｒｒ、各層の成長速度を０．３〜１．０ｎｍ／ｓｅｃ、Ｖ／III比を約２００前後にして実施した。ここで、Ｖ／ＩＩＩ比とは、分母をトリメチルガリウム（ＴＭＧ）やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などのIII族原料のモル数とし、分子をアルシン（ＡｓＨ_３）、ホスフィン（ＰＨ_３）などのＶ族原料のモル数とした場合の比率（商）である。

ＭＯＶＰＥ成長に用いる原料として、例えば、ＴＭＧ、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、ＴＭＡ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等の有機金属や、ＡｓＨ_３、ＰＨ_３等の水素化物ガスを用いた。

更に、ｎ型半導体層の添加物原料として、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）を用いた。また、ｐ型半導体層の導電型決定不純物の添加物原料として、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ_２Ｍｇ）を用いた。

その他、ｎ型層の導電型決定不純物の添加物原料として、セレン化水素（Ｈ_２Ｓｅ）、モノシラン（ＳｉＨ_４）、ジエチルテルル（ＤＥＴ）、ジメチルテルル（ＤＭＴ）を用いることができる。また、ｐ型層のｐ型添加物原料として、ジメチルジンク（ＤＭＺ）、ジエチルジンク（ＤＥＺ）を用いることができる。

（２）オーミックコンタクト電極の形成
次に、図２Ａの（ｂ）に示すように、ＬＥＤエピタキシャルウエハ３０のＭｇ-ＧａＰコンタクト層７上にＳｉＯ_２膜１５をプラズマＣＶＤ装置により成膜する。

次に、図２Ａの（ｃ）に示すように、レジスト、マスクアライナ等のフォトリソグラフィ技術を用い、フッ酸系エッチング液によりＳｉＯ_２膜１５に複数の開口部１６を形成した。開口部１６の形成後に残されたＳｉＯ_２膜１５が、図１の（ｂ）に示す透明誘電膜５になる。

次に、図２Ａの（ｄ）に示すように、真空蒸着法により、各開口部１６内にオーミックコンタクト電極６を形成した。この複数のオーミックコンタクト電極６は、後の工程で設けられる表面電極１２のパッド部及び枝状部分（十字形部分）との間の距離が、例えば、３０μｍになるようにし、かつ、図１の（ａ）に示すように、表面電極１２の外側を取り巻くように設けた。

更に、図２Ａの（ｄ）に示すように、透明誘電膜５（ＳｉＯ_２膜１５）及びオーミックコンタクト電極６の表面にＡｌ、Ｔｉ、Ａｕを順番に蒸着して反射金属膜４を形成した。

次に、図２Ｂの（ｅ）に示すように、Ｓｉ支持基板２として導電性Ｓｉ基板を用意し、このＳｉ支持基板２の表面にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを順に蒸着して金属密着層３を形成した。

（３）Ｓｉ支持基板の貼り合わせ
次に、図２Ｂの（ｆ）に示すように、Ｓｉ支持基板２の金属密着層３を貼り合わせ面にして、ＬＥＤエピタキシャルウエハ３０の反射金属膜４を貼り合わせる。この貼り合わせは、圧力０．０１Ｔｏｒｒの雰囲気において、３０Ｋｇｆ／ｃｍ^２の荷重を負荷したまま、３５０℃の温度で３０分間保持して行った。

次に、図２Ｂの（ｇ）に示すように、Ｓｉ支持基板２に貼り合わせたＬＥＤエピタキシャルウエハ３０のＳｉ-ＧａＡｓ基板１３をアンモニア水と過酸化水素水の混合液によってエッチング除去し、ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層１４を露出させる。更に、ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層１４を塩酸により除去し、Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１を露出させる。

次に、図２Ｃの（ｈ）に示すように、レジストやマスクアライナ等のフォトリソグラフィ技術及び真空蒸着法を用いて、Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１の表面に表面電極１２を形成した。そして、表面電極１２は、図１の（ａ）に示すように、例えば、直径１００μｍの円形部分から十字形に延伸した幅１０μｍの枝状部分からなるようにした。

次に、図２Ｃの（ｉ）に示すように、表面電極１２を形成後、表面電極１２をマスクにして、硫酸と過酸化水素水と水の混合液からなるエッチング液を用いて表面電極１２の直下以外のＳｉ-ＧａＡｓコンタクト層１１をエッチング除去し、選択性エッチングによってＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０を露出させた。

（４）裏面電極及び表面電極の形成
更に、真空蒸着法により、裏面電極１をＳｉ支持基板２の底面の全面に形成した。この場合、裏面電極１の形成は、Ｔｉ（チタン）、Ａｕ（金）を順に蒸着し、その後、窒素ガス雰囲気中で４００℃に加熱し、更に５分間の熱処理によるアロイ工程を実施した。

次に、表面電極１２が中心になる様にして、図２Ｃの（ｉ）のウエハをダイシング装置を用いて所定のサイズのＬＥＤベアチップに切断した。

更に、前記ＬＥＤベアチップを、ＴＯ-１８ステム上にマウント（ダイボンディング）した。その後、マウントされたＬＥＤベアチップにワイヤボンディングを行い、ＬＥＤ素子を作製した。

（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）表面電極１２とオーミックコンタクト電極６との間の距離が等しくなるようにしたため、各オーミックコンタクト電極６に均一に電流を注入することができる。この結果、電流集中及び順方向電圧の上昇が抑制されるので、高輝度の半導体発光素子を得ることができる。
（２）表面電極１２は、中心から十字形に延伸した細線電極を持つ構成としたことにより、表面電極１２と各オーミックコンタクト電極６との間の距離を等しくする設計が容易になる。

[実施例１]
次に、本発明の実施例について説明する。上記の方法に従って、図１の構成を有する発光波長６３０ｎｍの赤色ＬＥＤ用エピタキシャルウエハを作製した。

この場合、オーミックコンタクト電極６を図１の（ｂ）に示すように配置し、かつ、オーミックコンタクト電極６の全てと表面電極１２との距離が３０μｍとなるようにした。

上記の様に作製したＬＥＤ素子の初期特性を評価した結果、２０ｍＡ通電時の発光出力が５．６ｍＷ、順方向電圧が１．９８Ｖという初期特性を有するＬＥＤ素子が得られた。

本実施例は、オーミックコンタクト電極６と表面電極１２との間の距離を等しくしたことにより、オーミックコンタクト電極６に均一に電流が注入される。その為、チップ面内に均一に電流が分散されて電流集中が生じなくなり、動作電圧が低減したものと思われる。また、チップ面内での電流分散が向上したことから、効率的な面発光が可能となり、発光出力が向上したものと考えられる。

本発明者らは、オーミックコンタクト電極６と表面電極１２との間の距離が、半導体発光素子１００の深さ方向にＡμｍ、発光面方向にＢμｍ離れているとき、（Ａ^２＋Ｂ^２）^０．５の値が、５〜７５μｍにあることが望ましいことを見いだした。

特に、表面電極１２と各オーミックコンタクト電極６との間の距離が、平均距離の±１０％以内になるようにしたとき、最良の結果が得られた。

また、本発明者らは、オーミックコンタクト電極６の面積をＸとし、透明誘電膜５の面積をＹとしたとき、｛（１００Ｘ）／（Ｘ＋Ｙ）｝≦１０とすることが望ましいことも見いだした。

［比較例］
次に、比較例について説明する。

図３は、比較例における半導体発光素子の平面図である。この半導体発光素子２００は、図１の（ａ）に示す実施の形態と層構造及び表面電極１２の構成は同じであるが、オーミックコンタクト電極６の配置が異なっている。

即ち、図３に示すように、オーミックコンタクト電極６は、表面電極１２に対してランダムに配置されている。

比較例のＬＥＤ素子について初期特性を評価した。その結果、２０ｍＡ通電時（評価時）の発光出力が４．２ｍＷ、順方向電圧が２．１０Ｖという初期特性であった。この特性は、上記実施例１の特性に比べると、発光出力及び順方向電圧がともに低い値になっている。その理由は、表面電極１２に対する各オーミックコンタクト電極６の距離が不均一なためである。

[実施例２]
次に、実施例１と同様に表面電極１２と各オーミックコンタクト電極６との間の距離を等しくしながら、オーミックコンタクト電極６の相互間の距離を変えた構成の半導体発光素子１００を第２の実施例とした。

図４は、実施例２における半導体発光素子１００の２０ｍＡ通電時の発光出力と動作電圧の初期特性である。

オーミックコンタクト電極６と表面電極１２間の距離が小さい場合、半導体層の電流パスが短くなるため、順方向電圧は小さくなるが、ＡｌＧａＩｎＰ活性層９での発光は表面電極１２の近傍で支配的に生じるため、発光出力が小さくなる。逆に、オーミックコンタクト電極６と表面電極１２間の距離が大きい場合、電流パスが長くなるため、順方向電圧は大きくなるが、ＡｌＧａＩｎＰ活性層９での発光が表面電極１２から離れた部分で支配的になるため、発光出力が高くなる。しかし、オーミックコンタクト電極６間の距離を大きくし過ぎると、発光出力が小さくなる。これは半導体層中の電流パスが大きくなることによって熱が発生し、その影響で出力が低くなる現象が生じたものと考えられる。

［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、各実施の形態間の構成要素の組み合わせは任意に行うことができる。

例えば、上記実施の形態においては、活性層９をアンドープのバルク層としたが、活性層を多重量子井戸または歪み多重量子井戸とすることができる。

また、本発明における実施例においては、一例として発光波長６３０ｎｍの赤色ＬＥＤ素子を示したが、同じＡｌＧａＩｎＰ系の材料を用いて製作される他のＬＥＤ素子、例えば、発光波長５６０ｎｍ〜６６０ｎｍの半導体発光素子においても、用いられる各層の材料、キャリア濃度、特に、ウインドウ層においては一切の変更点を持たない。従って、仮に半導体発光素子の発光波長を本発明の実施例と異なる波長帯域としても、同様の効果を得ることができる。

また、上記実施の形態においては、Ｓｉ支持基板２にＳｉを用いるものとしたが、これに限定されるものではなく、ＧｅおよびＧａＡｓを支持基板とするＬＥＤ用エピタキシャルウエハや、金属基板を用いたＬＥＤ用エピタキシャルウエハに対しても、本発明を適用可能である。

本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を示す断面図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。 本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程図である。 図２Ａに続く工程を示す工程図である。 図２Ｂに続く工程を示す工程図である。 比較例における半導体発光素子の平面図である。 実施例２における半導体発光素子の２０ｍＡ通電時の発光出力と動作電圧の初期特性である。

符号の説明

１…裏面電極、２…Ｓｉ支持基板、３…金属密着層、４…反射金属膜、５…透明誘電膜、６…オーミックコンタクト電極、７…Ｍｇ-ＧａＰコンタクト層、８…Ｍｇ-ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、９…ＡｌＧａＩｎＰ活性層、１０…ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１１…Ｓｉ-ＧａＡｓコンタクト層、１２…表面電極、１３…Ｓｉ-ＧａＡｓ基板、１４…ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層、１５…ＳｉＯ_２膜、１６…開口部、３０…ＬＥＤエピタキシャルウエハ、１００，２００…半導体発光素子

Claims (7)

1. 活性層が設けられるとともに、第１，第２の主表面を有し、前記第１の主表面は光取り出し面を成すとともに表面電極が設けられ、前記第２の主表面が前記活性層からの光を前記第１の主表面へ反射させる反射金属膜を備えたIII−Ｖ族化合物半導体層と、
   前記反射金属膜の光取り出し側に設けられるとともに、前記表面電極の直下以外の領域に設けられた複数のオーミックコンタクト電極とを備え、
   前記オーミックコンタクト電極は、
   前記オーミックコンタクト電極と、前記表面電極の外側との距離全てがほぼ等距離になるように、前記III−Ｖ族化合物半導体層の前記第２の主表面上に設けられ、
   前記表面電極は、前記第１の主表面の中心部に設けられた電極パッドと、前記電極パッドから放射状に設けられる複数の細線電極とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記活性層は、前記第１の主表面側に設けられた第１の導電層と前記第２の主表面側に設けられた第２の導電層とに挟まれるように設けられ、前記第１の導電層の抵抗が前記第２の導電層の抵抗より低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記複数のオーミックコンタクト電極は、前記表面電極との間の距離が平均距離の±１０％以内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
4. 前記複数のオーミックコンタクト電極は、前記表面電極との間の距離が、前記III−Ｖ族化合物半導体層の深さ方向にＡμｍ、前記III−Ｖ族化合物半導体層の発光面方向にＢμｍ離れているとき、（Ａ ² ＋Ｂ ² ）^0.5の値が５〜７５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
5. 前記複数のオーミックコンタクト電極は、円柱状を成し、その周囲が透明誘電膜により埋められていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
6. 前記オーミックコンタクト電極及び前記透明誘電膜は、前記オーミックコンタクト電極の面積をＸ、前記透明誘電膜の面積をＹとするとき、１００Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）が１０以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
7. 前記透明誘電膜は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮからなることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。

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