JP4985067B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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つまり、貼合せる際の接合温度および成長用基板に対する支持基板の材料を適宜選択することは、貼合せ工程において基板に「割れ」や「クラック」を発生させないために極めて重要なパラメータとなっており、特許文献2において支持基板の材料にSi基板を用いる理由は、これらが要因になっている所が大きい。
本発明の第1の態様は、発光層部を有する化合物半導体層と、前記化合物半導体層を支持する導電性支持基板と、前記化合物半導体層と前記導電性支持基板との間に設けられ、前記発光層部からの光を反射する金属光反射層と、前記化合物半導体層と前記金属光反射層との接合界面の一部に形成された、前記化合物半導体層と合金化した界面電極と、前記導電性支持基板の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたTi層と、前記Ti層の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたAuからなる金属接合層と、前記化合物半導体層の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極と、前記導電性支持基板の前記Ti層とは反対側の主表面側に形成された裏面電極と、を備え、前記導電性支持基板がSi基板であり、前記界面電極が、前記化合物半導体層と前記金属光反射層との間に形成された誘電体層の開口部の内部にのみ、前記化合物半導体層の第二主表面と前記金属光反射層とを接続して形成された金属層であることを特徴とする半導体発光素子である。
された後、表面電極12,13が形成される。
図1の高輝度赤色LEDの場合には、発光層部は、導電性のn型GaAs基板上に格子整合する組成のn型AlGaInPクラッド層4と、p型AlGaInPクラッド層6と、それらに挟まれたAlGaInP活性層(発光層)5とのダブルヘテロ構造となっている。また、図1の化合物半導体層14では、n型AlGaInPクラッド層4と表面電極12との間にn型GaAsコンタクト層3が、またp型AlGaInPクラッド層6と界面電極8との間にp型GaPコンタクト層7がそれぞれ設けられている。
化合物半導体層14のエピタキシャル成長には、MOCVD装置を用いてMOVPE(有機金属気相成長)法による気相成長を行うのが好ましいが、これに限定されるものではなく、例えばLPE法(液相成長)などの別の製造方法によって作製しても勿論よい。
好適である。
導電性支持基板10は、熱伝導や電気伝導を考慮すると、化合物や合金よりも単体が望ましく、例えば、シリコン、ゲルマニウム、アルミニウム、金、銀、銅、白金、チタン、モリブデン、タングステン等が挙げられる。しかし、支持基板10の材料は、必ずしもこれらに限定されるものではなく、例えば、支持基板と成長用基板やエピタキシャル層との線膨張係数の差があまりにも大きくなると、エピタキシャル層や基板の割れ、クラックの問題が生じる為、これらを考慮すると、GaPやCu‐W合金、Cu‐Mo合金などの化合物や合金も、支持基板10材料の選択の範囲となる。
また、貼合せに用いる支持基板材料は、工業的に安価に入手でき、且つGaAsとの線膨張係数差が大きく離れていないSi基板が好適であると言える。Si基板の場合、その抵抗率は0.1Ω・cm以下が好ましい。また、支持基板材料に半導体を用いる場合にお
いては、Ti層18との直列抵抗を低減させる為、0.05Ω・cm以下の抵抗率を有す
る低抵抗基板を用いることが好ましい。
よび第二主表面に形成するTi層18、裏面電極13との接触抵抗を低く抑え、ひいてはLED素子の動作電圧を低く抑える為である。また、抵抗率を0.1Ω・cmよりも高く
してしまうと、電極13,18とのオーミック性接触が得られないばかりか、LEDを動作させる上での支持基板による直列抵抗があまりにも大きくなり過ぎる為、LEDの動作電圧が異常に高くなってしまう。
また、上限値2μmの根拠は次の様なことである。LED素子の特性上、Ti層18の膜厚は、例え5μmや10μmの厚さになっても特に問題は無いが、Ti層18の意図する所の合金化バリア効果、及びオーミック電極としての働きは、Ti層がもっと薄い膜厚であっても十分に得ることが出来る。したがって過剰にTi層を厚くすることは、AuやPtと比較すればTiは安価な材料ではあるが、原料使用量が増える他、真空蒸着に掛かるスループットの悪化など、コストを上げる要因にしかならない。また、Ti層をスパッタ法、真空蒸着法のいずれの方法で形成しても、Ti層を過剰に堆積することは装置内の温度が異常に熱くなる他、過剰堆積によるメンテナンス周期の短期化など、装置への負担が大きくなる。したがって、過剰に堆積しない好適な範囲としておよそ2μm程度が好ましいのである。上述した、オーミック性接触を得ること、AuとSiとの合金化反応を抑止することなどに対して更に好適であるTi層の膜厚範囲は、製造上のウェハ貼合せ時の加熱温度、電極アロイ時のアロイ温度にも依存するが、およそ100nm以上1μm以内であると言える。
ても大きなボイドを発生させ、更には貼合せを行う際の圧力印加の偏りが大きな影響となってボイドに反映されることが多くなってしまう。
金属接合層11の膜厚による貼合せ歩留りへの影響は、基本的に厚ければ厚い方が良好な結果を得ることが出来る。しかし、当然ながら歩留りには限界があり、金属接合層11の膜厚を増加させても歩留り向上の効果は徐々に飽和する傾向にある。この飽和状態に近づくほどに金属接合層11の膜厚を厚くすることは、LED素子の取得率を向上させることよりもLED製造に掛かる原料費用のデメリットの方が大きくなり、とても得策とは言い難い。したがって、金属接合層11の膜厚には上限があり、十分な接合歩留りを得られる範囲としては3.0μmが適当である。
更に、金属接合層11を構成する材料はAuが好適である。金属を接合層とした熱圧着による接合では、例えばAgやInなど、色々な材料を用いることが可能であるが、Au
は接合面が酸化し難く、且つ高融点であることから、Auは非常に金属接合層11に好適な材料と言える。しかもAuは、AgやAg合金などの金属接合層で接合した場合と比較し、強力な接合強度を有している。これも貼り替え型LEDを製造する上で非常に重要な要因の一つとなっている。金属接合層11の上限膜厚については先に述べた通りであるが、金属接合層の材料がAuであると、その原材料費は非常に高い為、尚更、上限値が重要となってくる。
しかし、界面電極8の部分はそれとは異なり、非常に低い光反射率(およそ50%以下)を有している。これは、界面電極8が化合物半導体層14とオーミック性接触を得る為に設けられた金属電極であり、その為、一般的には化合物半導体層14と合金化した状態を形成する。半導体と合金化した金属の反射率が低下することは既知の通りであり、この為に界面電極8は光反射特性が期待出来ない領域となっているのである。つまりこれらの事から、化合物半導体層14の第二主表面における界面電極8の占有面積率が多くなり過ぎるとLED素子の出力低下が生じてしまうのである。図6には、界面電極の占有面積率(%)に対する、LED素子の発光出力(mW)及び動作電圧(V)の測定結果を示す。
以上の事から、良好な出力特性を有するLED素子の製造においては少なくとも界面電極8の占有面積率が30%以下であることが好ましく、更に好適には15%以下である事が好ましい。
(実施例)
図1に示した上記実施形態と同じ断面構造を有し、発光波長が630nm付近の赤色LED素子を作製した。図2A及び図2Bに、本実施例のLED素子の製造工程の工程図を示す。
ンドープ(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P活性層(膜厚500nm)5、p型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層(Mgドープ、膜厚400nm、キャリア濃度1.2×1018/cm3)6、p型GaPコンタクト層(Mgドープ、膜厚8
00nm、キャリア濃度1×1018/cm3)7を、順次積層成長させ、出発基板であるGaAs基板1上に化合物半導体層14を作製した。なお、ここでいう「アンドープ(un-dope)」とは、ドーパントの積極的添加を行なわない、との意味であり、通常の製造
工程上、不可避的に混入するドーパント成分の含有(例えば1013〜1016/cm3程度を上限とする)をも排除するものではない。
どのIII族原料のモル数とし、分子をAsH3、PH3などのV族原料のモル数とした場
合の比率(商)を指す。MOVPE成長における原料としては、例えばトリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、又はトリメチルインジウム(TMIn)等の有機金属ガスや、アルシン(AsH3)、ホスフィン(PH3)等の水素化物ガスを用いた。n型半導体層の導電型決定不純物の添加物原料としては、ジシラン(Si2H6)を用い、p型半導体層の導電型決定不純物の添加物原料としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いた。その他に、n型層の導電型決定不純物の添加物原料として、セレン化水素(H2Se)、モノシラン(SiH4)、ジエチルテルル(DETe)、ジメチルテルル(DMTe)を用いることもできる。その他に、p型層のp型添加物原料として、ジメチルジンク(DMZn)、ジエチルジンク(DEZn)などを用いる事も出来る。
。LED素子100の第一主表面上から見て表面電極12と重なる部分に位置する界面電極は、フォトマスクの設計段階から予め除去して設計している。
界面電極8は、図3に示すように、隣接する界面電極8,8の中央間ピッチを40μmとし、六方最密充填構造状に配置されている。即ち、一辺40μmの正六角形を蜂の巣状に連続して平面上に描いたときの、各正六角形の頂点および中心に界面電極8が位置するように配置させた。
B(i))。19はAuワイヤー、21はピンである。
これは、Ti層18がSi支持基板10とは直接合金化反応をしないということと、Au金属接合層11bとSi支持基板10との間のAu‐Si合金化反応を抑止するバリア効果に優れるということと、Ti層18が密着性良くSi支持基板10上に形成出来、尚且つSi支持基板10と良好なオーミック性接触が得られるという点が重なって実現したものである。また、Ptなどの既知のバリア材料と異なり、AlやNiなどと同様に安価に入手する事が出来る。更にはSi支持基板10側の金属層の構造を極めて簡素に構成出来る為、製造が容易であると共に真空蒸着器などの装置も蒸発源などを少なく出来る為、安価な構成に抑えることが出来る。これらのことにより、総じて貼り替え型LEDの製造コストを低く抑えられる他、高い製造歩留まりでLEDを作製することが可能となった。
比較例1として、上記実施例と同様な構造の発光波長630nm付近の赤色LED素子を作製した。エピタキシャル成長の方法、エピタキシャル層膜厚、エピタキシャル層構造、界面電極、金属光反射層、Si支持基板への貼り替え方法、エッチング方法等のプロセス工程やLED素子製作方法は、基本的に上記実施例と同じとしたが、この比較例1では、Si支持基板10の第一主表面上に形成する金属膜の構造を次の様に構成した。
比較例2として、上記実施例と同様な構造の発光波長630nm付近の赤色LED素子を作製した。エピタキシャル成長の方法、エピタキシャル層膜厚、エピタキシャル層構造、界面電極、金属光反射層、Si支持基板への貼り替え方法、エッチング方法等のプロセス工程やLED素子製作方法は、基本的に上記実施例と同じとしたが、この比較例2では、Si支持基板10の第一主表面上に形成する金属膜の構造を次の様に構成した。
しかしながら、それでもメルト化現象を起こし、エピタキシャル層の浮き上がりが生じてしまう理由は、Al層とAu金属接合層とが合金化反応を起こし、AuがAl層側、つまりSi支持基板側に近く拡散して来てしまった為に、AuとSiとの合金化反応が生じたものである。つまり、Pt合金化バリア層(膜厚50nm)はAl層とAu金属接合層との合金化反応を抑止するのに不十分であった。
事が出来ない為にLED素子製造の歩留まりを低下させている。
比較例3として、上記実施例と同様な構造の発光波長630nm付近の赤色LED素子を作製した。エピタキシャル成長の方法、エピタキシャル層膜厚、エピタキシャル層構造、界面電極、金属光反射層、Si支持基板への貼り替え方法、エッチング方法等のプロセス工程やLED素子製作方法は、基本的に上記実施例と同じとしたが、この比較例3では、Si支持基板10の第一主表面上に形成する金属膜の構造を次の様に構成した。
拡散力は非常に強く、Ni‐Siの合金化領域が一挙に金属光反射層の部分にまで到達してしまう。金属光反射層にまで合金化領域が侵食すると、金属光反射層の反射率が著しく低下し、ひいてはLED素子の発光出力が大幅に低下してしまうのである。
2 n型AlGaInPエッチングストップ層
3 n型GaAsコンタクト層
4 n型AlGaInPクラッド層
5 AlGaInP活性層
6 p型AlGaInPクラッド層
7 p型GaPコンタクト層
8 界面電極
9 金属光反射層
10 Si支持基板(導電性支持基板)
11 Auからなる金属接合層
11a 成長用基板側の金属接合層
11b 支持基板側の金属接合層
12 表面電極
13 裏面電極
14 化合物半導体層
15 SiO2膜(誘電体層)
16 合金化バリア層
18 Ti層
19 Auワイヤー
20 TO‐18ステム
100 LED素子
Claims (7)
- 発光層部を有する化合物半導体層と、
前記化合物半導体層を支持する導電性支持基板と、
前記化合物半導体層と前記導電性支持基板との間に設けられ、前記発光層部からの光を反射する金属光反射層と、
前記化合物半導体層と前記金属光反射層との接合界面の一部に形成された、前記化合物半導体層と合金化した界面電極と、
前記導電性支持基板の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたTi層と、
前記Ti層の前記金属光反射層側の主表面に接して形成されたAuからなる金属接合層
と、
前記化合物半導体層の光取出し面となる第一主表面側に形成された表面電極と、
前記導電性支持基板の前記Ti層とは反対側の主表面側に形成された裏面電極と、
を備え、
前記導電性支持基板がSi基板であり、
前記界面電極が、前記化合物半導体層と前記金属光反射層との間に形成された誘電体層の開口部の内部にのみ、前記化合物半導体層の第二主表面と前記金属光反射層とを接続して形成された金属層であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子において、前記導電性支持基板の抵抗率が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1または2に記載の半導体発光素子において、前記Ti層の厚さが50nm以上2μm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記金属接合層の厚みが0.5μm以上3μm以下であることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記化合物半導体層の第二主表面の表面積に対する、前記界面電極が前記化合物半導体層の第二主表面に接する面の表面積の割合が、30%以下であることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記界面電極が、前記表面電極の直下の領域外に分散して形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記誘電体層の主成分がSiO2であることを特徴とする半導体発光素子。
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