JP6257203B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6257203B2 JP6257203B2 JP2013154087A JP2013154087A JP6257203B2 JP 6257203 B2 JP6257203 B2 JP 6257203B2 JP 2013154087 A JP2013154087 A JP 2013154087A JP 2013154087 A JP2013154087 A JP 2013154087A JP 6257203 B2 JP6257203 B2 JP 6257203B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- oxide insulating
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 163
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
本発明は、発光素子に関し、特に、高反射率を有する発光素子に関する。
光電素子、例えば、発光ダイオード(Light-emitting Diode；LED)は、今のところ、光学表示装置、交通標識、データ記憶装置、通信装置、照明装置、及び医療器材などに幅広く使用されている。また、上述のLEDは、他の素子と組み合わせて接続することにより、発光装置を形成することができる。図1は、従来の発光装置の構造図である。図1に示すように、発光装置1は、回路14を有するサブマウント12；上述のサブマウント12に位置するはんだ16であって、このはんだ16によりLED 11をサブマウント12に固定し、LED 11とサブマウント12の回路14とを電気的に接続させる、はんだ16；及び、LED 11の電極15とサブマウント12の回路14とを電気的に接続させる電気接続構造18を含み、そのうち、上述のサブマウント12は、例えば、リードフレーム又は大きいサイズのマウント基板であってもよい。
本発明の目的は、高反射率を有する発光素子を提供することにある。
本発明の一実施例による発光素子は、能動層を含む発光スタック層と、該発光スタック層の下に位置する非酸化物絶縁層とを含み、そのうち、該非酸化物絶縁層の屈折率は、1.4よりも小さい。
以下、添付した図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図2Aは、本発明の一実施例による発光素子の上面図であり、図2Bは、図2Aの線AA’に沿った断面図である。図2Bに示すように、発光素子2は、基板20；基板20の上に位置する導電性接着層21；導電性接着層20の上に位置する反射構造22；反射構造22の上に位置する透明導電構造23；透明導電構造23の上に位置するウィンドウ層29；透明導電構造23とウィンドウ層29との間に位置する非酸化物絶縁層24；ウィンドウ層29の上に位置する発光スタック層25；発光スタック層25の上に位置する電気接触層26；発光スタック層25及び電気接触層26の上に位置する第一電極27；及び、基板20の下に位置する第二電極28を有する。発光スタック層25は、ウィンドウ層29と第一電極27との間に位置する第一半導体層251；第一半導体層251と第一電極27との間に位置する能動層252；及び、能動層252と第一電極27との間に位置する第二半導体層253を有する。
第一電極27及び/又は第二電極28は、外部電圧を受けるためのものであり、透明導電材料又は金属材料により構成され得る。透明導電材料は、ITO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、GZO、IWO、ZnO、AlGaAs、GaN、GaP、GaAs、GaAsP、IZO、又は、DLC（ダイヤモンドライクカーボン）を含んでもよいが、これらに限定されない。金属材料は、Al、Cr、Cu、Sn、Au、Ni、Ti、Pt、Pb、Zn、Cd、Sb、Co、又は、上述の材料の合金などを含んでもよいが、これらに限定されない。第一電極27は、電流注入部271及び延伸部272を有する。図2Aに示すように、電流注入部271は、ほぼ、第二半導体層253の中心の上に位置し、延伸部272は、電流注入部271から発光素子2の境界へ延伸する第一ワイヤ2721、及び、第一ワイヤ2721から延伸する第二ワイヤ2722を有し、これにより、電流の拡散を向上させる。図2Bに示すように、延伸部272は、電気接触層26の上に位置する突部273を含み、該突部273は、電気接触層26の少なくとも一つの表面を覆い、これにより、電気接触層26とともに形成するオーミック接触の面積を増加させ、発光素子2の抵抗を減少させ、そのうち、突部273は、電流注入部271よりも高い。
電気接触層26は、第二ワイヤ2722と発光スタック層25との間に位置し、第二ワイヤ2722と発光スタック層25との間のオーミック接触を形成するために用いられる。電気接触層26と第二ワイヤ2722との間の抵抗値、及び、電気接触層26と発光スタック層25との間的抵抗値は、それぞれ、第一電極27と発光スタック層25との間の抵抗値よりも小さい。電気接触層26の材料は、Ga、Al、In、P、N、Zn、Cd、及び、Seから構成されるグループから選択される１種以上の元素を含む半導体材料であってもよく、その電気特性は、第二半導体層253と同じであってもよい。
発光スタック層25の材料は、Ga、Al、In、P、N、Zn、Cd、及び、Seから構成されるグループから選択される一種以上の元素を含む半導体材料であってもよい。第一半導体層251と第二半導体層253との電気特性が異なり、これにより、電子又は正孔を生成する。第二半導体層253の光出し上表面254は、粗い表面であってもよく、これにより、全反射を抑え（減少させ）、光電素子2の発光効率を向上させる。能動層252は、一種又は複数種の色の光を発することができ、このような光は、可視光又は不可視光であってもよく、また、能動層252の構造は、シングルへテロ構造、ダブルへテロ構造、両側ダブルへテロ構造、多層量子井戸、又は、量子点であってもよい。ウィンドウ層29の電気特性は、第一半導体層251の電気特性と同じであってもよく、光取り出し層として用いられてもよく、これにより、発光素子2の発光効率を向上させる。ウィンドウ層29は、能動層252の発した光に対して透明であり、その材料は、透明導電材料であってもよく、ITO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、GZO、IWO、ZnO、MgO、AlGaAs、GaN、GaP、又は、IZOを含んでもよいが、これらに限定されない。
透明導電構造23は、発光スタック層25の発した光に対して透明であり、ウィンドウ層251と反射構造22との間のオーミック接触、電流の伝導及び拡散を増加させるために用いられ、また、反射構造22とともに全方向反射器(Omni-Directional Reflector、ODR)を形成することができる。その材料は、透明導電材料であってもよく、ITO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、GZO、IWO、ZnO、GaP、ICO、IWO、ITiO、IZO、IGO、GAZO、又は、上述の材料の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。透明導電構造23は、非酸化物絶縁層24の下に位置する第一導電酸化層230、及び、発光スタック層25と第一導電酸化層230との間に位置する第二導電酸化層232を有する。そのうち、第一導電酸化層230と第二導電酸化層232との材料は異なる。他の実施例では、第一導電酸化層230と第二導電酸化層232との材料は、少なくとも一つの構成元素が異なり、例えば、第一導電酸化層230の材料はIZOであり、第二導電酸化層232の材料はITOである。第二導電酸化層232は、非酸化絶縁層24及び/又はウィンドウ層29と直接接触し、且つ、非酸化絶縁層24の少なくとも一つの表面を覆ってもよい。
非酸化物絶縁層24が発光スタック層25の発した光に対する透過率は90%よりも大きく、屈折率は、1.4よりも小さく、好ましくは、1.3と1.4との間である。非酸化物絶縁層24の材料は、非酸化物絶縁材料であってもよく、例えば、ベンゾシクロブテン（BCB）、環状オレフィンコポリマー（COC）、フルオロカーボンポリマー（Fluorocarbon Polymer）、SiNx、CaF2、又は、MgF2である。他の実施例では、非酸化物絶縁層24の材料は、ハロゲン化物、又は、IIA族及びVII族の化合物を含んでもよく、例えば、CaF2又はMgF2である。非酸化物絶縁層24の屈折率は、ウィンドウ層29及び透明導電構造23の屈折率よりも小さい。非酸化物絶縁層24の屈折率は、ウィンドウ層29及び透明導電構造23の屈折率よりも小さいので、ウィンドウ層29と非酸化物絶縁層24との間の界面の臨界角は、ウィンドウ層29と透明導電構造23との間の界面の臨界角よりも小さい。よって、発光スタック層25が発した光は、非酸化物絶縁層24へ射出した後に、ウィンドウ層29と非酸化物絶縁層24との間の界面において全反射を形成する確率が増加する。また、元々ウィンドウ層29と透明導電構造23との間の界面において全反射を形成せずに透明導電構造23に進入する光は、透明導電構造23と非酸化物絶縁層24との間の界面において全反射を形成することもできるので、光量を増やし、発光素子2の光出し効率を向上させる。透明導電構造23は、ウィンドウ層29と接触する第一接触上表面231を有し、非酸化物絶縁層24は、ウィンドウ層29と接触する第二接触上表面241を有し、第一接触上表面231及び第二接触上表面241は、ほぼ、同一水平面に位置し、即ち、第一接触上表面231と光出し上表面254との距離は、ほぼ、第二接触上表面241と光出し上表面254との距離に等しい。図3は、第一接触上表面231の表面積が第一接触上表面231及び第二接触上表面241の表面積の和に対する比（百分比）と、発光素子2のパワーとの関係図である。図3に示すように、第一接触上表面231の表面積が第一接触上表面231及び第二接触上表面241の表面積の和に対する百分比は、約10%〜50%である時に、発光素子2のパワーは、50mWの上にあり、百分比が50の上にある発光素子のパワーに比べて、良いものである。好ましくは、百分比は約12.5%〜25%である時に、パワーは55mWの上にある。換言すれば、非酸化物絶縁層24がウィンドウ層29に対する表面積と、ウィンドウ層29が非酸化物絶縁層24に対する表面積との比は約0.5〜0.9である時に、発光素子2のパワーは良い。他の実施例では、第二接触上表面241は、粗い表面であってもよく、発光スタック層の発した光を散乱させ、これにより、光電素子2の光出し効率を向上させる。非酸化物絶縁層24は、パターン化分布を有してもよく、例えば、ほぼ、電気接触層26及び/又は電流注入部271の真下に位置し、これにより、電流の拡散を増加させる。他の実施例では、非酸化物絶縁層24は、不規則な分布を呈してもよく、又は、電気接触層26及び/又は電流注入部271の真下に位置しなくてもよい。非酸化物絶縁層24の厚さは、透明導電構造23の厚さの半分よりも小さい。他の実施例では、非酸化物絶縁層24の厚さは、透明導電構造23の厚さの1/5よりも小さく、これにより、透明導電構造23形成後の表面平坦化プロセスが非酸化物絶縁層24の構造を破壊するのを避ける。非酸化物絶縁層24の少なくとも一つの表面が透明導電層23により覆われ、これにより、透明導電層23とウィンドウ層29との間の接合を強化し、構造の機械的強度を向上させる。他の実施例では、非酸化物絶縁層24は、反射構造22と直接接合してもよく、これにより、透明導電構造23と反射構造22との間の接着力の不足による剥離を避ける。非酸化物絶縁層24は、更に、非酸化物絶縁層24を貫通する複数の孔隙242を含み、そのうち、透明導電構造23は、複数の孔隙242に充填され、ウィンドウ層29とともにオーミック接触を形成する。
反射構造22は、発光スタック層25からの光を反射することができ、その材料は、金属材料であってもよく、Cu、Al、Sn、Au、Ag、Pb、Ti、Ni、Pt、W、又は、上述の材料の合金などを含んでもよいが、これらに限定されない。反射構造22は、反射層226；反射層226の下に位置する反射性接着層224；反射性接着層224の下に位置する障壁層222；及び、障壁層222の下に位置するオーミック接触層220を含む。反射層226は、発光スタック層25からの光を反射することができ、反射性接着層224は、反射層226と障壁層222とを接着し、障壁層222は、反射層226の材料が電極層220に拡散し、反射層226の構造が破壊され、反射層226の反射率が低下することを防止できる。オーミック接触層220は、下方の導電性接着層21とともにオーミック接触を形成する。導電性接着層21は、基板20と反射構造22とを接続することができ、複数の従属層(図未示ず)を有してもよい。導電性接着層21の材料は、透明導電材料又は金属材料であってもよく、透明導電材料は、ITO、InO、SnO、CTO、ATO、AZO、ZTO、GZO、ZnO、GaP、ICO、IWO、ITiO、IZO、IGO、GAZO、又は、上述の材料の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。金属材料は、Cu、Al、Sn、Au、Ag、Pb、Ti、Ni、Pt、W、又は、上述の材料の合金などを含んでもよいが、これらに限定されない。
基板20は、その上に位置する発光スタック層25及び他の層又は構造を支持するために用いられてもよく、その材料は、透明材料又は導電材料であってもよい。透明材料は、サファイア（Sapphire）、ダイヤモンド(Diamond)、ガラス(Glass)、エポキシ樹脂（Epoxy）、石英(Quartz)、アクリル(Acryl)、Al2O3、ZnO、又は、AlNなどを含んでもよいが、これらに限定されない。導電材料は、Cu、Al、Mo、Sn、Zn、Cd、Ni、Co、DLC(Diamond Like Carbon)、石墨(Graphite)、カーボンファイバー(Carbon fiber)、金属基複合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、セラミック基複合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、Si、IP、ZnSe、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InP、LiGaO2、又は、LiAlO2を含んでもよいが、これらに限定されない。
図4は、ランプの分解図である。ランプ4は、ランプシェード41；ランプシェード41の中に置かれるレンズ42；レンズ42の下に位置する照明モジュール44；放熱溝46を有し、照明モジュール44を載置するためのランプソケット45；接続部47；及び、電気接続器48を含み、そのうち、接続部47は、ランプソケット45と電気接続器48とを接続する。照明モジュール44は、キャリア43、及び、キャリア43の上に位置する複数の上述の任意の実施例による発光素子40を含む。
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の技術的範囲に属する。
1 発光装置
11 LED
12 サブマウント
13、20 基板
14 回路
15 電極
16 はんだ
18 電気接続構造
2、40 発光素子
21 導電性接着層
22 反射構造
220 オーミック接触層
222 障壁層
224 反射性接着層
226 反射層
23 透明導電構造
230 第一導電酸化層
231 第一接触上表面
232 第二導電酸化層
24 非酸化物絶縁層
241 第二接触上表面
242 孔隙（隙間）
25 発光スタック層
251 第一半導体層
252 発光層
253 第二半導体層
254 光出し上表面
26 電気接触層
27 第一電極
271 電流注入部
272 延伸部
273 突出部
2721 第一ワイヤ
2722 第二ワイヤ
28 第二電極
29 ウィンドウ層
4 ランプ
41 ランプシェード（ランプの傘）
42 レンズ
43 キャリア
44 照明モジュール
45 ランプソケット
46 放熱溝
47 接続部
48 電気接続器
11 LED
12 サブマウント
13、20 基板
14 回路
15 電極
16 はんだ
18 電気接続構造
2、40 発光素子
21 導電性接着層
22 反射構造
220 オーミック接触層
222 障壁層
224 反射性接着層
226 反射層
23 透明導電構造
230 第一導電酸化層
231 第一接触上表面
232 第二導電酸化層
24 非酸化物絶縁層
241 第二接触上表面
242 孔隙（隙間）
25 発光スタック層
251 第一半導体層
252 発光層
253 第二半導体層
254 光出し上表面
26 電気接触層
27 第一電極
271 電流注入部
272 延伸部
273 突出部
2721 第一ワイヤ
2722 第二ワイヤ
28 第二電極
29 ウィンドウ層
4 ランプ
41 ランプシェード（ランプの傘）
42 レンズ
43 キャリア
44 照明モジュール
45 ランプソケット
46 放熱溝
47 接続部
48 電気接続器
Claims (9)
- 発光素子であって、
能動層を含む発光スタック層と、
前記発光スタック層に接続される非酸化物絶縁層と、
前記非酸化物絶縁層の一つの表面を覆う透明導電構造と、を含み、
前記非酸化物絶縁層の屈折率は、1.4よりも小さく、
前記非酸化物絶縁層の材料は、ハロゲン化物、又は、IIA族及びVIIA族の化合物を含み、
前記非酸化物絶縁層の厚さは、前記透明導電構造の厚さの半分よりも小さい、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記能動層と、前記非酸化物絶縁層との間に位置するウィンドウ層を更に含み、
前記ウィンドウ層の屈折率は、前記非酸化物絶縁層の屈折率よりも大きい、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の真上に位置する電気接触層を更に含む、発光素子。 - 請求項3に記載の発光素子であって、
前記電気接触層は、半導体材料を含む、発光素子。 - 請求項3に記載の発光素子であって、
前記発光スタック層の上に位置する第一電極を更に含む、発光素子。 - 請求項5に記載の発光素子であって、
前記第一電極は、前記電気接触層の上に位置する突部を含み、及び/又は、前記第一電極は、前記電気接触層を覆う延伸部を含む、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層を貫通する複数の孔隙を更に含み、
前記透明導電構造は、前記複数の孔隙に充填される、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の厚さは、前記透明導電構造の厚さの1/5よりも小さく、
前記透明導電構造は、
前記非酸化物絶縁層の下に位置する第一導電酸化層と、
前記発光スタック層と、前記第一導電酸化層との間に位置する第二導電酸化層と、を含み、
前記第一導電酸化層及び前記第二導電酸化層の材料は、少なくとも一つの構成元素が異なる、発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子であって、
前記非酸化物絶縁層の下に位置する基板と、
前記基板と、前記非酸化物絶縁層との間に位置する導電性接着層と、を更に含む、発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013154087A JP6257203B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013154087A JP6257203B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 発光素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017233059A Division JP2018037690A (ja) | 2017-12-05 | 2017-12-05 | 発光素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015026656A JP2015026656A (ja) | 2015-02-05 |
| JP2015026656A5 JP2015026656A5 (ja) | 2016-09-01 |
| JP6257203B2 true JP6257203B2 (ja) | 2018-01-10 |
Family
ID=52491108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013154087A Active JP6257203B2 (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6257203B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6826395B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2021-02-03 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2018037690A (ja) * | 2017-12-05 | 2018-03-08 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 発光素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3697609B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2005-09-21 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
| US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| JP2006179618A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Fujikura Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| EP2176891B1 (en) * | 2007-07-19 | 2018-12-26 | Lumileds Holding B.V. | Vertical led with conductive vias |
| JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
| JP5095848B1 (ja) * | 2011-05-18 | 2012-12-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
-
2013
- 2013-07-25 JP JP2013154087A patent/JP6257203B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015026656A (ja) | 2015-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11699776B2 (en) | Light-emitting element having conductive contact layer | |
| TWI577045B (zh) | 發光元件 | |
| JP6101001B2 (ja) | 発光素子パッケージ及びこれを具備した照明システム | |
| US9318663B2 (en) | Light-emitting element | |
| TW202343836A (zh) | 發光元件 | |
| US9601667B2 (en) | Light-emitting device | |
| CN110265517B (zh) | 发光元件 | |
| JP6257203B2 (ja) | 発光素子 | |
| TWI575776B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| TWI754617B (zh) | 發光元件 | |
| TWI699909B (zh) | 發光元件 | |
| JP2018037690A (ja) | 発光素子 | |
| TWI605615B (zh) | 發光元件 | |
| TWI644451B (zh) | 發光元件 | |
| TWI611602B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 | |
| TW201907582A (zh) | 發光元件 | |
| KR20150012820A (ko) | 발광소자 | |
| TWI632700B (zh) | 具有高效率反射結構之發光元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160712 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160712 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170724 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6257203 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |