KR20150012820A

KR20150012820A - 발광소자

Info

Publication number: KR20150012820A
Application number: KR1020130088862A
Authority: KR
Inventors: 웬-루 리아오; 치엔-충 수; 야오-루 장; 시-이 첸; 치아-리앙 슈
Original assignee: 에피스타 코포레이션
Priority date: 2013-07-26
Filing date: 2013-07-26
Publication date: 2015-02-04

Abstract

발광소자는 능동층을 포함하는 발광적층 및 발광적층의 아래에 위치하는 비산화물 절연층을 포함하고, 그중 비산화물 절연층의 굴절율은 1.4보다 작다.

Description

발광소자{LIGHT-EMITTING ELEMENT}

본 발명은 발광소자에 관한 것으로, 특히 고반사율을 가진 발광소자에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light-emitting Diode; LED)와 같은 발광소자는 현재 광학 디스플레이 장치, 교통 표지, 데이터 저장 장치, 통신 장치, 조명 장치 및 의료 장치에 이미 광범위하게 사용되고 있다. 그밖에, 상기의 LED는 다른 소자와 결합 연결되어 발광장치를 형성한다. 도 1은 종래의 발광장치의 구조를 나타낸 개략도이며, 도 1에 도시한 바와 같이, 발광장치(1)는 회로(14)를 갖는 서브 캐리어(12); 상기 서브 캐리어(12) 상에 위치하고 LED(11)를 서브 캐리어(12) 상에 고정시키고, 서브 캐리어(12) 상의 회로(14)와 전기적으로 연결되는 솔더(16); 및 LED(11)의 전극(15)과 서브 캐리어(12) 상의 회로(14)를 전기적으로 연결시키는 전기적 연결 구조(18)를 포함하며, 그중 상기 서브 캐리어(12)는 리드 프레임(Lead Frame) 또는 큰 사이즈의 임베디드 기판일 수 있다.

본 발명은 종래의 발광소자보다 출광 효율을 더욱 상승시킬 수 있는 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 실현하기 위하여, 본 발명의 발광소자는 능동층을 포함하는 발광적층 및 발광적층의 아래에 위치하는 비산화물 절연층을 포함하고, 그중 비산화물 절연층의 굴절율은 1.4보다 작다.

본 발명은 반사율이 비교적 낮은 비산화물 절연층을 이용하여 내부 전반사의 확률을 향상시켜, 발광소자의 출광 효율을 상승시킬 수 있다.

도 1은 종래의 발광장치의 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자의 저면도이다.
도 2b는 도 2a의 단면선 AA'에 따른 단면도이다.
도 3은 제1 접촉 상표면과 제2 접촉 상표면의 표면적의 총합에 대한 제1 접촉 상표면의 표면적의 백분비 대 전력의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 램프 분해 개략도이다.

도면에 도시한 본 발명의 실시예를 상세하게 서술한다. 각 도면 및 명세서에서 동일하거나 유사한 부분은 동일한 부호로 표시한다.

도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 저면도이며, 도 2b는 도 2a의 단면선 AA'에 따른 단면도이다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 발광소자(2)는 기판(20); 기판의 위에 위치하는 도전 접착층(21); 도전 접착층(20)의 위에 위치하는 반사구조(22); 반사구조(22)의 위에 위치하는 투명 도전 구조(23); 투명 도전 구조(23)의 위에 위치하는 윈도우층(29); 투명 도전 구조(23)와 윈도우층(29) 사이에 위치하는 비산화물 절연층(24); 윈도우층(29)의 위에 위치하는 발광적층(25); 발광적층(25)의 위에 위치하는 전기 접촉층(26); 발광적층(25)과 전기 접촉층(26)의 위에 위치하는 제1 전극(27) 및 기판(20)의 아래에 위치하는 제2 전극(28)을 구비한다. 발광적층(25)은 윈도우층(29)과 제1 전극 (27) 사이에 위치하는 제1 반도체층(251); 제1 반도체층(251)과 제1 전극(27) 사이에 위치하는 능동층(252) 및 능동층(252)과 제1 전극(27) 사이에 위치하는 제2 반도체층(253)을 구비한다.

제1 전극(27) 및/또는 제2 전극(28)은 외부 전압을 수신하는데 이용되며, 투명 도전 재료 또는 금속 재료로 구성될 수 있다. 투명 도전 재료는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴주석(CTO), 산화안티몬주석(ATO), 산화알루미늄아연(AZO), 산화아연주석(ZTO), 산화갈륨아연(GZO), 산화인듐텅스텐(IWO), 산화아연(ZnO), 비소화알루미늄갈륨(AlGaAs), 질화갈륨(GaN), 인화갈륨(GaP), 비소화갈륨(GaAs), 갈륨비소인(GaAsP), 산화인듐아연(IZO), 또는 다이아몬드상 카본(DLC)를 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 금속 재료는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 납(Pb), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 안티몬(Sb), 코발트(Co), 또는 상기 재료의 합금 등을 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 제1 전극(27)은 전류 주입부(271)와 연신부(272)를 구비한다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 전류 주입부(271)는 대체로 제2 반도체층(253)의 중심 상에 위치하고, 연신부(272)는 전류 주입부(271)로부터 발광소자(2)의 가장자리까지 연신되는 제1 분기선(2721) 및 제1 분기선(2721)으로부터 연신되는 제2 분기선(2722)을 구비함으로써 전류 확산을 상승시킨다. 도 2b에 도시한 바와 같이, 연신부(272)는, 전기 접촉층(26)의 위에 위치하며 전기 접촉층(26)의 적어도 일 표면을 피복하는 돌출부(273)를 포함하여, 전기 접촉층(26)과 함께 형성하는 옴 접촉의 면적을 증가시켜, 발광소자(2)의 저항을 낮추고, 그중 돌출부(273)는 전류 주입부(271)보다 높다.

전기 접촉층(26)은 제2 분기선(2722)과 발광적층(25) 사이에 위치하여 제2 분기선(2722)과 발광적층(25) 사이의 옴 접촉을 형성하는데 이용된다. 전기 접촉층(26)과 제2 분기선(2722) 사이의 저항값 및 전기 접촉층(26)과 발광적층(25) 사이의 저항값은 각각 제1 전극(27)과 발광적층(25) 사이의 저항값보다 작다. 전기 접촉층(26)의 재료는 반도체 재료일 수 있으며, 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 인듐(In), 인(P), 질소(N), 아연(Zn), 카드뮴(Cd)과 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 원소를 포함하며, 그 전성(電性)은 제2 반도체층(253)과 동일하다.

발광적층(25)의 재료는 반도체 재료일 수 있으며, 갈륨(Ga), 알루미늄(Al), 인듐(In), 인(P), 질소(N), 아연(Zn), 카드뮴(Cd)과 셀레늄(Se)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함한다. 제1 반도체층(251)과 제2 반도체층(253)의 전성은 상이하고, 전자 또는 전공을 생성하는데 이용된다. 제2 반도체층(253)의 출광 상표면(254)은 거친 표면으로 전반사를 줄이고, 발광소자(2)의 발광 효율을 높일 수 있다. 능동층(252)은 1종 또는 다수 종의 색광을 방출할 수 있으며, 가시광선 또는 비가시광선일 수 있으며, 그 구조는 싱글 헤테로 구조, 더블 헤테로 구조, 더블-사이드 더블 헤테로 구조, 다중 양자우물 구조 또는 양자점일 수 있다. 윈도우층(29)의 전성은 제1 반도체층(251)의 전성과 동일할 수 있으며, 광적출층으로 발광소자(2)의 발광효율을 향상시킬 수 있다. 윈도우층(29)이 능동층(252)에 대해 방출하는 빛이 투명하며, 그 재료는 투명 도전 재료일 수 있으며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴주석(CTO), 산화안티몬주석(ATO), 산화알루미늄아연(AZO), 산화아연주석(ZTO), 산화갈륨아연(GZO), 산화인듐텅스텐(IWO), 산화아연(ZnO), 산화마그네슘(MgO), 비소화알루미늄갈륨(AlGaAs), 질화갈륨(GaN), 인화갈륨(GaP), 또는 산화인듐아연(IZO)을 포함하나, 이에 한정하지 않는다.

투명 도전 구조(23)가 발광적층(25)에 대해 방출하는 빛이 투명하여, 윈도우층(251)과 반사구조(22) 사이의 옴 접촉과 전류 전도 및 확산을 증가시키며, 반사구조(22)와 전방향 반사경(Omni-Directional Reflector, ODR)을 형성할 수 있다. 그 재료는 투명 도전 재료일 수 있으며, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴주석(CTO), 산화안티몬주석(ATO), 산화알루미늄아연(AZO), 산화아연주석(ZTO), 산화갈륨아연(GZO), 산화인듐텅스텐(IWO), 산화아연(ZnO), 인화갈륨(GaP), 산화인듐세륨(ICO), 산화인듐텅스텐(IWO), 산화인듐티타늄(ITiO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐갈륨(IGO), 산화갈륨알루미늄아연(GAZO), 또는 상기 재료의 조합을 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 투명 도전 구조(23)는 비산화물 절연층(24)의 아래에 위치하는 제1 도전 산화층(230) 및 발광적층(25)과 제1 도전 산화층(230) 사이에 위치하는 제2 도전 산화층(232)을 구비한다. 그중, 제1 도전 산화층(230)과 제2 도전 산화층(232)의 재료는 서로 다르다. 다른 일 실시예에서, 제1 도전 산화층(230)과 제2 도전 산화층(232)의 재료를 비교하면 적어도 하나의 구성 원소가 상이하며, 예를 들면 제1 도전 산화층(230)의 재료는 산화인듐아연(IZO)이며, 제2 도전 산화층(232)의 재료는 산화인듐주석(ITO)이다. 제2 도전 산화층(232)은 비산화물 절연층(24) 및/또는 윈도우층(29)과 직접적으로 접촉할 수 있으며, 또한 비산화물 절연층(242)의 적어도 일 표면을 피복한다.

비산화물 절연층(24)은 발광적층(25)에 대해 방출하는 광선의 투과율이 90%보다 크며, 굴절율은 1.4보다 작고, 1.3~1.4인 것이 비교적 바람직하다. 비산화물 절연층(24)의 재료는 벤조사이클로부텐(BCB), 시클로올레핀 공중합체(COC), 플루오로 카본 중합체(Fluorocarbon Polymer), 질화규소(SiN_x), 불화칼슘(CaF₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)과 같은 비산화물 절연 재료이다. 다른 일 실시예에서, 비산화물 절연층(24)의 재료는 할로겐화물 또는 IIA족 및 VII족의 화합물을 포함할 수 있으며, 예를 들면 불화칼슘(CaF₂) 또는 불화마그네슘(MgF₂)이다. 비산화물 절연층(24)의 굴절율은 윈도우층(29)과 투명 도전 구조(23)의 굴절율보다 작다. 비산화물 절연층(24)의 굴절율은 윈도우층(29)과 투명 도전 구조(23)의 굴절율보다 작고, 윈도우층(29)과 비산화물 절연층(24) 사이의 계면의 임계각은 윈도우층과 투명 도전 구조의 계면의 임계각보다 작으므로, 발광적층(25)에서 방출하는 빛이 비산화물 절연층(24)에 발사된 후, 윈도우층(29)과 비산화물 절연층(29) 사이의 계면에 전반사를 형성하는 확률이 증가한다. 그밖에, 원래 윈도우층(29)과 투명 도전 구조(23) 사이의 계면에서 전반사되지 않고 투명 도전 구조(23)에 진입하는 빛은, 투명 도전 구조(23)와 비산화물 절연층(24) 사이의 계면에서 전반사하게 된다. 따라서, 발광을 향상시켜 발광소자(2)의 출광 효율을 향상시킨다. 투명 도전 구조(23)는 제1 접촉상표면(231)을 구비하여 윈도우층(29)과 접촉하며, 비산화물 절연층(24)은 제2 접촉상표면(241)을 구비하여 윈도우층(29)과 접촉하며, 제1 접촉 상표면(231)과 제2 접촉 상표면(241)은 대체로 동일한 수평면에 위치하고, 즉 제1 접촉 상표면(231)과 출광 상표면(254)의 거리는 대체로 제2 접촉 상표면(241)과 출광 상표면(254)의 거리와 동일하다. 도 3은 제1 접촉 상표면(231)과 제2 접촉 상표면(241)의 표면적 총합에 대한 제1 접촉 상표면(231)의 표면적의 백분비 대(對) 발광소자(2)의 전력의 개략도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 접촉 상표면(231)의 표면적은 제1 접촉 상표면(231)과 제2 접촉 상표면(241)의 표면적 총합에 대한 백분비가 10% ~ 50%일 때, 발광소자(2)의 전력은 50mW 이상이며, 백분비가 50 이상인 것에 비해 발광소자의 전력이 우수한 편이다. 더욱 바람직하게는 백분비가 12.5% ~ 25%일 때, 전력이 55mW 이상이다. 바꾸어 말하자면, 비산화물 절연층(24)이 윈도우층(29)과 마주하는 표면적과 윈도우층(29)이 비산화물 절연층(24)과 마주하는 표면적의 비율은 약 0.5% ~ 0.9%이며, 발광소자(2)의 전력은 우수하다. 다른 일 실시예에서, 제2 접촉 상표면(241)은 거친 표면으로, 발광적층에서 방출하는 빛을 난반사하여 발광소자(2)의 출광 효율을 향상시킨다. 비산화물 절연층(24)은 패턴화 분포를 가질 수 있으며, 예를 들면 전기 접촉층(26) 및/또는 전류 주입부(271)의 바로 아래에 실질적으로 위치하여, 전류의 확산을 증진시킨다. 다른 일 실시예에서, 비산화물 절연층(24)은 비규칙적인 분포로 나타낼 수 있거나 또는 전기 접촉층(26) 및/또는 전류 주입부(271)의 바로 아래에 위치하지 않는다. 비산화물 절연층(24)의 두께는 투명 도전 구조(23)의 1/2 두께보다 작다. 다른 일 실시예에서, 비산화물 절연층(24)의 두께는 투명 도전 구조(23)의 1/5 두께보다 작으므로, 투명 도전 구조(23)가 형성된 후의 표면 평탄화 공정에서 비산화물 절연층(24)의 구조를 파괴하는 것을 방지한다. 비산화물 절연층(24)의 적어도 일 표면은 투명 도전층(23)에 의해 피복되어, 투명 도전층(23)과 윈도우층(29) 사이의 접합을 증가시켜, 구조의 기계 강도를 향상시킨다. 다른 일 실시예에서, 비산화물 절연층(24)은 반사 구조(2)와 직접적으로 접합할 수 있어 투명 도전 구조(23)와 반사 구조(22) 사이의 접합력이 부족하여, 박리되는 것을 방지한다. 비산화물 절연층(24)은 비산화물 절연층(24)을 관통하는 복수의 공극(242)을 더 포함하고, 그중 투명 도전 구조(23)는 복수의 공극(242)에 충전(充塡)되어 윈도우층(29)과 옴 접촉을 형성한다.

반사 구조(22)는 발광적층(25)으로부터의 빛을 반사할 수 있으며, 그 재료는 금속 재료일 수 있으며, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 납(Pb), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 백금(Pt), 텅스텐(W), 또는 상기 재료의 합금 등을 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 반사구조(22)는 반사층(266); 반사층(226)의 아래에 위치하는 반사 접착층(224); 반사 접착층(224)의 아래에 위치하는 장벽층(222) 및 장벽층(222)의 아래에 위치하는 옴 접촉층(220)을 포함한다. 반사층(226)은 발광적층(25)으로부터의 빛을 반사할 수 있으며, 반사 접착층(224)은 반사층(226)과 장벽층(222)을 접착시키고, 장벽층(222)은 반사층(226)의 재료가 전극층(220)으로 확산되어 반사층(226)의 구조가 파괴되어, 반사층(226)의 반사 효율이 낮아지는 것을 방지할 수 있으며, 옴 접촉층(220)과 하측의 도전 접착층(21)은 옴 접촉을 형성한다. 도전 접착층(21)은 기판(20)과 반사구조(22)를 연결할 수 있으며, 복수의 종속층(미도시)을 구비할 수 있다. 도전 접착층(21)의 재료는 투명 도전 재료 또는 금속 재료일 수 있으며, 투명 도전 재료는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(InO), 산화주석(SnO), 산화카드뮴주석(CTO), 산화안티몬주석(ATO), 산화알루미늄아연(AZO), 산화아연주석(ZTO), 산화갈륨아연(GZO), 산화아연(ZnO), 인화갈륨(GaP), 산화인듐세륨(ICO), 산화인듐텅스텐(IWO), 산화인듐티타늄(ITiO), 산화인듐아연(IZO), 산화인듐갈륨(IGO), 산화갈륨알루미늄아연(GAZO), 또는 상기 재료의 조합을 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 금속 재료는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 금(Au), 은(Ag), 납(Pb), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 백금(Pt), 텅스텐(W), 또는 상기 재료의 합금 등을 포함하나, 이에 한정하지 않는다.

기판(20)은 기판 상에 위치하는 발광적층(25)과 기타 층 또는 구조를 지지하는데 이용될 수 있으며, 그 재료는 투명 재료 또는 도전 재료일 수 있다. 투명 재료는 사파이어(Sapphire), 다이아몬드(Diamond), 유리(Glass), 에폭시(Epoxy), 석영(Quartz), 아크릴(Acryl), 산화알루미늄(Al₂O₃), 산화아연(ZnO) 또는 질화알루미늄(AlN) 등을 포함하나, 이에 한정하지 않는다. 도전 재료는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 니켈(Ni), 코발트(Co), 다이아몬드상 카본(Diamond Like Carbon； DLC), 흑연(Graphite), 탄소 섬유(Carbon fiber), 금속 매트릭스 복합 재료(Metal Matrix Composite；MMC), 세라믹 매트릭스 복합재료(Ceramic Matrix Composite；CMC), 규소(Si), 인화요오드(IP), 아연셀레늄(ZnSe), 비소화갈륨(GaAs), 탄소화규소(SiC), 인화갈륨(GaP), 인비소화갈륨(GaAsP), 인화인듐(InP), 산화리튬갈륨(LiGaO₂), 또는 산화리튬알루미늄(LiAlO₂) 등을 포함하나, 이에 한정하지 않는다.

도 4는 램프 분해 개략도이며, 램프(4)는 램프 커버(41), 램프 커버(41) 안에 설치된 렌즈(42), 렌즈(42)의 아래에 위치하는 조명 모듈(44), 방열홈(46)을 구비하고 조명 모듈(44)을 지지하는 램프 홀더(45), 연결부(47) 및 전기 접속부(48)를 구비한다. 그중, 연결부(47)는 램프 홀더(45)와 전기 접속부(48)를 연결한다. 조명 모듈(44)은 캐리어(43) 및 캐리어(43)의 상부에 위치하는 전술한 임의의 일 실시예의에 따른 복수의 발광소자(40)를 구비한다.

상기 실시예는 본 발명의 원리 및 그 효과를 설명하기 위한 예시일 뿐, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명의 기술 원리 및 정신을 위배하지 않는 전제하에서, 당업자는 상기 실시예에 대해 수정 및 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재한 바와 같다.

1: 발광장치
11: LED
12: 서브 캐리어
13, 20: 기판
14: 회로
15: 전극
16: 솔더
18: 전기적 연결 구조
2, 40: 발광소자
21: 도전 접착층
22: 반사구조
220: 옴 접촉층
222: 장벽층
224: 반사 접착층
226: 반사층
23: 투명 도전 구조
230: 제1 도전 산화층
231: 제1 접촉 상표면
232: 제2 도전 산화층
24: 비산화물 절연층
241: 제2 접촉 상표면
242: 공극
25: 발광적층
251: 제1 반도체층
252: 발광층
253: 제2 반도체층
254: 출광 상표면
26: 전기 접촉층
27: 제1 전극
271: 전류 주입부
272: 연신부
273: 돌출부
2721: 제1 분기선
2722: 제2 분기선
28: 제2 전극
29: 윈도우층
4: 램프
41: 램프 커버
42: 렌즈
43: 캐리어
44: 조명 모듈
45: 램프 홀더
46: 방열홈
47: 연결부
48: 전기 접속부

Claims

능동층을 포함하는 발광적층; 및
상기 발광적층에 연결되는 비산화물 절연층;
을 포함하고,
상기 비산화물 절연층의 굴절율은 1.4보다 작은,
발광소자.
제1항에 있어서,
상기 능동층과 상기 비산화물 절연층 사이에 위치하는 윈도우층을 더 포함하고,
상기 윈도우층의 굴절율은 상기 비산화물 절연층의 굴절율보다 큰, 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 바로 위에 위치하는 전기 접촉층을 더 포함하는 발광소자.
제3항에 있어서,
상기 전기 접촉층은 반도체 재료를 포함하는 발광소자.
제3항에 있어서,
상기 발광적층 위에 위치하는 제1 전극을 더 포함하는 발광소자.
제5항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 전기 접촉층 위에 위치하는 돌출부 및/또는 상기 전기 접촉층을 피복하는 연신부를 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 굴절율이 1.3 ~ 1.4인, 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층 아래에 위치하는 반사층을 더 포함하는 발광소자.
제8항에 있어서,
상기 비산화물 절연층은 상기 반사층과 직접 연결되는, 발광소자.
제8항에 있어서,
상기 반사층 아래에 위치하는 반사 접착층;
상기 반사층 접착층 아래에 위치하는 장벽층; 및
상기 장벽층 아래에 위치하는 옴 접촉층을 더 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 한 표면을 피복하는 투명 도전 구조를 더 포함하는 발광소자.
제11항에 있어서,
상기 투명 도전 구조는 상기 발광적층에 접촉하는 제1 접촉 상표면을 포함하고, 상기 비산화물 절연층은 상기 발광적층에 접촉하는 제2 접촉 상표면을 포함하고, 상기 제1 접촉 상표면과 상기 제2 접촉 상표면의 표면적 총합에 대한 상기 제1 접촉 상표면의 표면적의 백분비는 약 10% ~ 50%인, 발광소자.
제11항에 있어서,
상기 비산화물 접촉층을 관통하는 복수의 공극을 더 포함하고,
상기 투명 도전 구조는 상기 복수의 공극에 충전(充塡)되는, 발광소자.
제11항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 두께는 상기 투명 도전 구조의 1/2 두께보다 작은, 발광소자.
제11항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 두께는 상기 투명 도전 구조의 1/5 두께보다 작은, 발광소자.
제11항에 있어서,
상기 투명 도전 구조는,
상기 비산화물 절연층의 아래에 위치하는 제1 도전 산화층; 및
상기 발광적층과 상기 제1 도전 산화층 사이에 위치하는 제2 도전 산화층
을 포함하는 발광소자.
제16항에 있어서,
상기 제1 도전 산화층과 상기 제2 도전 산화층의 재료는 적어도 하나의 구성 원소가 서로 다른, 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 아래에 위치하는 기판; 및
상기 기판과 상기 비산화물 절연층 사이에 위치하는 도전 접착층을 더 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 재료는 할로겐화물을 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층의 재료는 ⅡA족 및 VIIA족 화합물을 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층은 상기 발광적층에 대해 방출하는 광선의 투과율이 90%보다 큰, 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층과 상기 발광적층 사이에 위치하는 윈도우층; 및
상기 윈도우층과 상기 비산화물 절연층의 아래에 위치하는 투명 도전 구조를 더 포함하고,
상기 윈도우층과 상기 비산화물 절연층의 계면의 임계각은 상기 윈도우층과 투명 도전 구조의 계면의 임계각보다 작은, 발광소자.
제1항에 있어서,
상기 비산화물 절연층이 상기 윈도우층과 마주하는 표면 면적과 상기 윈도우층이 상기 비산화물 절연층과 마주하는 표면 면적의 비율은 0.5% ~ 0.9%인, 발광소자.