JP3697609B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は透明導電層を有する半導体発光素子に関し、特に高輝度で製造コストが低く、剥離の問題がない金属酸化物系透明導電層を有する半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来発光ダイオード（LED）としては、GaP系の緑色発光ダイオードやAlGaAs系の赤色発光ダイオードがほとんどであった。しかし、最近GaN系やAlGaInP系の結晶層を有機金属気相成長法(MOVPE）により成長させる技術が開発され、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度発光ダイオードが製造できるようになった。
【０００３】
MOVPE法により形成したエピタキシャルウエハを用いると、これまで不可能であった短波長の発光や、高輝度が得られるLEDが作製できる。図５は従来のLEDの断面構造の一例を示す。このLEDは、n型GaAs基板１の第一の主面上に、ｎ型AlGaInPクラッド層２／アンドープAlGaInP活性層３／ｐ型AlGaInPクラッド層４からなるダブルヘテロ構造の発光部層12を有する。さらにp型クラッド層４上にp型GaP等からなる電流分散層５が形成され、その上に透明導電層６が形成されている。透明導電層６の表面の一部にはAu等からなる表面電極９（光取り出し側）が形成され、基板１の第二の主面全面にはAuGe合金等からなる電極10（基板側電極）が形成されている。
【０００４】
この構造のLEDにより高輝度の発光を得るには、発光素子の表面電極９から発光素子に注入する電流を増大させる必要があるが、p型半導体からなる活性層３は一般に比抵抗が高いため、表面電極９から活性層３に注入される電流は電極９の近傍で密となる。電極９近傍の電流が密な部分に発光が集中するので、電流の局所的な集中を防止して高輝度なLEDを得るためには、発光部層における電流分布を均一化する必要がある。そのために低抵抗で発光波長に対して吸収の少ない物質からなる電流分散層を発光部層と電極との間に設けることが行なわれている。
【０００５】
しかしながら電流分散層５に使用されているGaPはキャリア密度が余り高くなく、比較的高い比抵抗を有する。このため、十分な電流分散作用を得るには、GaP層を厚く成長させる必要がある。例えば、p型GaP（Znドープ量1×1018cm-3）の場合約50μm以上の膜厚とする必要がある。しかしGaP層を厚くするとLEDの製造コストが高くなる。
【０００６】
LEDのコストを下げるには電流分散層を薄くできれば良いが、これには抵抗の低いエピタキシャル層が必要であり、高キャリア濃度層が求められている。しかしAlGaInPやGaNのような半導体材料では、ｐ型で高キャリア濃度のエピタキシャル層を成長させることが難しい。また他にもこの条件を満たす半導体があれば良いが、そのような特性の半導体は発見されていない。
【０００７】
そのため、低抵抗の電流分散層として種々の提案がなされている。その一つは、GaN系のLEDに金属薄膜を透明導電層として用いることである（特開平10-173224号）。しかしながら、金属薄膜の透光性を十分に高めるためには非常に薄くする必要があり、低抵抗でなくなる。一方、低抵抗を保持しようとすると、金属薄膜の膜厚には限界があり、透光性に劣るようになる。
【０００８】
十分な透光性と十分な電流分散を得るのに必要な導電性とを満たす材料として、酸化インジウムスズ（ITO）のような金属酸化物が知られている。ITO膜を電流分散層として用いると、従来の厚い半導体電流分散層が不要になるので、低コストで高輝度のLEDが得られるようになる。光取り出し側の表面電極と発光部層との間にITO膜を設けたLEDの例は、米国特許5,481,122号、特開平11-4020号等に記載されている。
【０００９】
しかしエピタキシャルウエハ上にITO膜が形成されたLEDでは、ダイシング等の工程で、ITO膜が剥離してしまうという問題が生じることが分かった。そのため、エピタキシャルウエハ上にITO膜を有するLEDの実用化は困難であった。そのため、ITOのような金属酸化物系透明導電層を使用しながらダイシング時のエピタキシャルウエハからの剥離の問題がない半導体発光素子の開発が望まれている。
【００１０】
従って本発明の目的は、高輝度でダイシング等による透明導電層の剥離の問題がない半導体発光素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者等は、発光部層上（電流分散層及び／又は化合物半導体層が設けられている場合にはその上）に単層の透明導電層を形成する代わりに、組成の異なる２層以上の透明導電層を形成するか、組成が徐々に変化する透明導電層を形成することにより、ダイシング時の透明導電層の剥離を抑制できることを発見し、本発明に想到した。
【００１２】
すなわち、本発明の第一の半導体発光素子は、第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成され、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第二の半導体発光素子は、第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成され、前記透明導電層は組成が徐々に変化する傾斜組成構造を有することを特徴とする。
【００１４】
第一及び第二の半導体発光素子のいずれにおいても、前記発光部層と前記透明導電層との間に第二導電型の電流分散層及び／又は化合物半導体層が形成されていても良い。
【００１５】
本発明の好ましい一実施例では、前記発光部層側の透明導電層はSnO2又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2からなり、表面電極側の透明導電層はIn2O3又はSnドープIn2O3からなる。
【００１６】
本発明の好ましい別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はZnO又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnOからなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１７】
本発明の好ましいさらに別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はZn2SnO4からなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１８】
本発明の好ましいさらに別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はTiO2からなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１９】
基板はGaAsからなり、前記活性層はAlGaInP又はGaInPからなるのが好ましい。また前記電流分散層はGaP，GaAlP，GaAlAs，GaAsP，AlGaInP，AlInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物半導体からなるのが好ましい。
【００２０】
前記化合物半導体層は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の三元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種の四元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、又は(6) AlGaInAsPからなる五元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）のいずれかである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施例による半導体発光素子の層構造を示す断面図である。この実施例では第一導電型はn型であり、第二導電型はｐ型であるが、この逆であっても良い。
【００２２】
n型GaAs基板１の第一主面上にｎ型AlGaInPクラッド層２が形成され、このクラッド層２の上にアンドープAlGaInP活性層３が形成され、この活性層３の上にｐ型AlGaInPクラッド層４が形成されている。n型クラッド層２と、活性層３と、p型クラッド層４とはダブルヘテロ構造の発光部層12を構成している。図１の実施例では、発光部層12の上にp型電流分散層５が形成されているが、電流分散層５は必須ではない。透明導電層７の上には部分的にp型表面電極９が形成されており、また基板１の裏面にはn型裏面電極10が形成されている。
【００２３】
発光部層12は、p-n接合型のダブルへテロ接合構造を有するAlGaInP混晶により構成される。特にインジウム組成比を約0.5とする(AlxGa1-x)0.5In0.5P（0≦ｘ≦1）は、GaAs単結晶基板１と格子整合するため好ましい。各クラッド層２，４の厚さは好ましくは0.2〜3.0nmであり、より好ましくは0.3〜1.0nmである。また活性層３の厚さは好ましくは0.2〜1.0nmであり、より好ましくは0.6〜1.0nmである。
【００２４】
p型電流分散層５は、通常ｐ型のGaP、GaAlP，GaAsP，GaAlAs，AlGaInP，AlInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物半導体からなる。p型電流分散層５を構成する化合物半導体は、発光波長の吸収が少なく、比抵抗が低いことが必要である。一般に紅色〜橙色の発光ダイオードでは、電流分散層５はGaAlAsからなり、黄色〜緑色の発光ダイオードでは、電流分散層５はGaP又はGaAsPからなる。電流分散層５はできるだけ薄い方が好ましい。
【００２５】
この実施例では、電流分散層５上に組成が異なる２層の透明導電層６，７が形成されている。勿論透明導電層の層数は２に限定されず、３以上でも良い。
透明導電層６，７の組合せとしては、(1) 透明導電層６が酸化錫（SnO2）又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2からなり、透明導電層７がIn2O3又はSnドープ酸化インジウム（In2O3）からなる場合、(2) 透明導電層６が酸化亜鉛（ZnO）又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnOからなり、透明導電層７が酸化インジウム錫（ITO）からなる場合、(3) 透明導電層６が酸化亜鉛錫（Zn2SnO4）からなり、透明導電層７がITOからなる場合、及び(4) 透明導電層６が酸化チタン（TiO2）からなり、透明導電層がITOからなる場合がある。
【００２６】
(1) の場合、透明導電層６がSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するときには、その元素の含有量は透明導電層６全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。また透明導電層７がSn含有するときには、その含有量は透明導電層７全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。
【００２７】
(2) の場合、透明導電層６がAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するときには、その元素の含有量は透明導電層６全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。
【００２８】
ITOの比抵抗は一般に約3×10-6Ωｍであり、電流分散層５を形成するp形GaPの比抵抗の約百分の一である。従って、透明導電層７がITO又はそれに近い組成からなることにより、電流分散層５の厚さを大幅に減少することができる。
【００２９】
透明導電層６，７は、スピンコータ等で塗布膜を形成後に熱処理する湿式法、又はスパッタリング法や各種の蒸着法等の乾式法により形成できる。
【００３０】
p型表面電極９はワイヤボンディングに供され、n型裏面電極10はダイボンディングに供されるから、p型表面電極９及びn型裏面電極10には良好なボンディング特性、下層との良好なオーミック特性及び下層との密着性が要求される。そのため各電極９，10は複数の金属層により構成するのが好ましい。各電極９，10は酸化物層を有していても良い。さらに各電極９，10は最上層にAu、Al等のボンディング特性の良い金属層を有するのが好ましい。例えば、p型表面電極９にAuZn／Ni／Auの積層電極を使用し、n型裏面電極10にAuGe／Ni／Au積層電極を使用するのが好ましい。
【００３１】
各電極９，10の金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の蒸着法で形成することができる。さらに各電極９，10にオーミック性を付与するための熱処理（アロイング）を施しても良い。酸化物層は各種の公知の成膜方法で形成することができる。
【００３２】
図２は本発明の別の実施例による半導体発光素子の層構造を示す断面図である。n型GaAs基板１、発光部層12（ｎ型AlGaInPクラッド層２、アンドープAlGaInP活性層３及びｐ型AlGaInPクラッド層４）、及びp型電流分散層５、p型表面電極９及びn型裏面電極10については、図１の実施例の半導体発光素子と同じである。この半導体発光素子では、透明導電層８が徐々に変化する傾斜組成を有する。傾斜組成の場合でも、発光部層12側の面の組成（第一の組成）と表面電極９側の面の組成（第二の組成）には、上記と同様に、(1) SnO2（又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2）／In2O3又はSnドープIn2O3、(2) ZnO（又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnO）／ITO、(3) Zn2SnO4／ITO、及び(4) TiO2／ITOの組合せがある。
【００３３】
透明導電層８は、例えば第一の組成を有する第一のターゲットと第二の組成を有する第二のターゲットとを使用する交互スパッタリング法により形成することができる。透明導電層８の組成の変化率は、第一のターゲットでスパッタする時間と第二のターゲットでスパッタする時間との比を徐々に変化させることにより、適宜設定することができる。すなわち、まず第一のターゲットを100％使用して第一の組成のスパッタを行い、次いで第二のターゲットでスパッタする時間を徐々に増大させするとともに第一のターゲットでスパッタする時間を徐々に減少させ、最後に第二のターゲットを100％にしてスパッタを行なう。
【００３４】
図３に示す半導体発光素子は、電流分散層５と透明導電層６との間に化合物半導体層11が形成されている以外、図１の半導体発光素子と同じである。また図４に示す半導体発光素子は、電流分散層５と透明導電層８との間に化合物半導体層11が形成されている以外、図２の半導体発光素子と同じである。
【００３５】
いずれの場合も、化合物半導体層11は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種であって、Gaのモル比が0.2以下である三元系化合物半導体、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種であって、Gaのモル比が0.2以下である四元系化合物半導体、又は(6) AlGaInAsPからなり、Gaのモル比が0.2以下である五元系化合物半導体により形成するのが好ましい。上記(3) 及び(5) のGa含有化合物半導体では、Gaの化合物半導体６全体に対するモル比を0.2以下とするのが好ましいが、これはGaのモル比が0.2以上になると、ダイシング時に透明導電層６のはがれが多くなっていくためである。Gaのより好ましいモル比は0〜0.15である。
【００３６】
化合物半導体の種類及び化合物半導体層11の厚さ等は、半導体発光素子の発光波長及び輝度等の条件により適宜選択するのが好ましい。化合物半導体層11の厚さは、発光波長に対して透明性が劣る材料を用いた場合は、薄ければ薄いほど良い。透明性に優れた材料を用いた場合は、厚さは問わない。
【００３７】
化合物半導体層11はエピタキシャル成長法、例えば有機金属気相成長法（M0VPE法）により形成できる。
【００３８】
本発明の半導体発光素子は基板１とn型クラッド層２の間に、バッファ層（図示せず）及び分布ブラッグ反射層（DBR層、図示せず）を有してもよい。バッファ層はn型（Seドープ）GaAsにより形成することができる。またDBR層により活性層３からの光線の基板１による吸収を減少して、半導体発光素子の発光効率を高めることができる。
【００３９】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
図１に示す構造を有する発光波長630 nm付近の赤色発光ダイオードチップを下記手順により作製した。
【００４１】
まず700℃に加熱したn型GaAs基板１上に、厚さ500nmのn型（Seドープ）GaAsバッファ層、厚さ500nmのn型(Seドープ)(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層２（Seドープ量：1.0×1018cm-3）、厚さ600nmのアンドープ(Al0.15Ga0.85)0.5In0.5P活性層３、厚さ500nmのp型(亜鉛ドープ)(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層４（亜鉛ドープ量：５×1017cm-3）、及び厚さ2μmのp型(亜鉛ドープ)GaP電流分散層５（亜鉛ドープ量：5×1018cm-3）を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。p型AlGaInPからなるクラッド層４までのMOVPE成長は、700℃の温度及び50 Torrの圧力で、0.3〜1.0 nm／秒の成長速度で行なった。供給したV族元素とIII族元素の比（V／III比）は300〜600の範囲であった。またGaP層は、成長速度１nm／秒、V／III比100の条件で形成した。
【００４２】
キャリアガスに水素を使用し、それぞれAl供給源としてトリメチルアルミニウム（TMA）、Ga供給源としてトリメチルガリウム（TMG）、In供給源としてトリメチルインジウム（TMI）、As供給源としてアルシン（AsH3）、P供給源としてホスフィン（PH3）、Zn供給源としてジエチル亜鉛（DEZ）、及びSe供給源としてH2Seを使用した。
【００４３】
次いで、このエピタキシャルウェハ上にスパッタリング法により5％のSbを含有するSnO2からなる厚さ150nmの透明導電層６を形成し、さらにスパッタリング法により厚さ150nmの酸化インジウムスズ（ITO）からなる透明導電層７を形成した。透明導電層７上に、直径150μmの複数の円形開口部を有するマスクを使用して、厚さ60 nmの金−亜鉛合金、厚さ10 nmのニッケル、及び厚さ1000 nmの金を順に蒸着し、直径150μmの複数の円形ｐ型表面電極９を透明導電層７の表面全体に等間隔に形成した。またn型GaAs基板１の底面全体に、厚さ60 nmの金−ゲルマニウム合金、厚さ10 nmのニッケル及び厚さ500 nmの金を順に蒸着し、n型の裏面電極10を形成した。
【００４４】
このようにして作製した透明導電層６，７及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定し、表面電極９にワイヤボンディングを、裏面電極10にダイボンディングを行なって、発光ダイオードチップを作製した。
【００４５】
得られた発光ダイオードチップについて、透明導電層６，７がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードチップの割合をチップ表面評価装置により調べたところ、全体の１％以下であった。
【００４６】
実施例２
図２に示す構造を有する発光波長630 nm付近の赤色発光ダイオードチップを下記手順により作製した。実施例１と同じエピタキシャルウェハ（発光波長：630nm付近）を作製し、600℃に加熱しながら、SnO2からなる第一のターゲットとIn2O3からなる第二のターゲットとを交互に使用するスパッタリング法により、組成がSnO2からIn2O3に徐々に変化する厚さ300nmの透明導電層８を形成した。
【００４７】
透明導電層８上に、直径150μmの複数の円形開口部を有するマスクを使用して、厚さ60 nmの金−亜鉛合金、厚さ10 nmのニッケル、及び厚さ1000 nmの金を順に蒸着し、直径150μmの複数の円形ｐ型電極９を透明導電層８の表面全体に等間隔に形成した。またn型GaAs基板１の底面全体に、厚さ60 nmの金−ゲルマニウム合金、厚さ10 nmのニッケル及び厚さ500 nmの金を順に蒸着し、n型の裏面電極10を形成した。
【００４８】
このようにして作製した透明導電層８及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定したまま発光ダイオードの表面状態を調べたところ、透明導電層８がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の１％であった。
【００４９】
実施例３
実施例２と同じ条件で基板１上に、バッファ層、第一のクラッド層２、活性層３、第二のクラッド層４及び電流分散層５を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。得られたエピタキシャルウェハ上に、５％のSbを含有するSnO2からなる第一のターゲットとIn2O3からなる第二のターゲットとを使用する交互スパッタリング法により、組成がSb／SnO2からIn2O3に徐々に変化する厚さ300nmの透明導電層８を形成した。
【００５０】
このようにして作製したエピタキシャルウェハに実施例１と同じ電極を形成した後、実施例１と同じ方法で発光ダイオードチップの表面状態を調べたところ、透明導電層８がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の１％であった。
【００５１】
比較例１
図５に示す構造を有する発光波長630nm付近の発光ダイオードを作製した。まず実施例１と同じ条件で基板１上に、バッファ層、第一のクラッド層２、活性層３、第二のクラッド層４及び電流分散層５を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。得られたエピタキシャルウエハ上に、スパッタリング法により厚さ300nmのITO膜（透明導電層６）を形成し、さらに両面に実施例１と同じ条件で電極９，10を形成した。
【００５２】
このようにして作製した透明導電層（ITO）６及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定したまま発光ダイオードチップの表面状態を調べたところ、透明導電層６がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の90％以上であった。
【００５３】
以上、ダブルヘテロ構造の発光部層12をAlGaInPにより形成した場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定される訳ではなく、例えばAlGaAsのような他の化合物半導体を発光部層12に用いる半導体発光素子にも適用可能である。また化合物半導体層11を有する半導体発光素子の場合、透明導電層の耐剥離性はさらに向上する。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、金属酸化物からなる透明導電層を異なる組成の二層以上の構造とするか、組成が徐々に変化する傾斜組成構造とするこれにより、透明導電層のエピタキシャルウエハからの剥離を著しく抑制することができる。これにより、半導体発光素子のエピタキシャルウエハの膜厚を従来の半導体発光素子よりも１／５〜１／10と薄くすることができ、輝度も約50％も向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図２】 本発明の別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図３】 本発明のさらに別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図４】 本発明のさらに別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図５】 従来の半導体発光素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・第1クラッド層
３・・・活性層
４・・・第2クラッド層
５・・・電流分散層
６・・・第一透明導電層
７・・・第二透明導電層
８・・・傾斜組成の透明導電層
９・・・表面電極
10・・・裏面電極
11・・・化合物半導体層
12・・・発光部層
【発明の属する技術分野】
本発明は透明導電層を有する半導体発光素子に関し、特に高輝度で製造コストが低く、剥離の問題がない金属酸化物系透明導電層を有する半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来発光ダイオード（LED）としては、GaP系の緑色発光ダイオードやAlGaAs系の赤色発光ダイオードがほとんどであった。しかし、最近GaN系やAlGaInP系の結晶層を有機金属気相成長法(MOVPE）により成長させる技術が開発され、橙色、黄色、緑色、青色の高輝度発光ダイオードが製造できるようになった。
【０００３】
MOVPE法により形成したエピタキシャルウエハを用いると、これまで不可能であった短波長の発光や、高輝度が得られるLEDが作製できる。図５は従来のLEDの断面構造の一例を示す。このLEDは、n型GaAs基板１の第一の主面上に、ｎ型AlGaInPクラッド層２／アンドープAlGaInP活性層３／ｐ型AlGaInPクラッド層４からなるダブルヘテロ構造の発光部層12を有する。さらにp型クラッド層４上にp型GaP等からなる電流分散層５が形成され、その上に透明導電層６が形成されている。透明導電層６の表面の一部にはAu等からなる表面電極９（光取り出し側）が形成され、基板１の第二の主面全面にはAuGe合金等からなる電極10（基板側電極）が形成されている。
【０００４】
この構造のLEDにより高輝度の発光を得るには、発光素子の表面電極９から発光素子に注入する電流を増大させる必要があるが、p型半導体からなる活性層３は一般に比抵抗が高いため、表面電極９から活性層３に注入される電流は電極９の近傍で密となる。電極９近傍の電流が密な部分に発光が集中するので、電流の局所的な集中を防止して高輝度なLEDを得るためには、発光部層における電流分布を均一化する必要がある。そのために低抵抗で発光波長に対して吸収の少ない物質からなる電流分散層を発光部層と電極との間に設けることが行なわれている。
【０００５】
しかしながら電流分散層５に使用されているGaPはキャリア密度が余り高くなく、比較的高い比抵抗を有する。このため、十分な電流分散作用を得るには、GaP層を厚く成長させる必要がある。例えば、p型GaP（Znドープ量1×1018cm-3）の場合約50μm以上の膜厚とする必要がある。しかしGaP層を厚くするとLEDの製造コストが高くなる。
【０００６】
LEDのコストを下げるには電流分散層を薄くできれば良いが、これには抵抗の低いエピタキシャル層が必要であり、高キャリア濃度層が求められている。しかしAlGaInPやGaNのような半導体材料では、ｐ型で高キャリア濃度のエピタキシャル層を成長させることが難しい。また他にもこの条件を満たす半導体があれば良いが、そのような特性の半導体は発見されていない。
【０００７】
そのため、低抵抗の電流分散層として種々の提案がなされている。その一つは、GaN系のLEDに金属薄膜を透明導電層として用いることである（特開平10-173224号）。しかしながら、金属薄膜の透光性を十分に高めるためには非常に薄くする必要があり、低抵抗でなくなる。一方、低抵抗を保持しようとすると、金属薄膜の膜厚には限界があり、透光性に劣るようになる。
【０００８】
十分な透光性と十分な電流分散を得るのに必要な導電性とを満たす材料として、酸化インジウムスズ（ITO）のような金属酸化物が知られている。ITO膜を電流分散層として用いると、従来の厚い半導体電流分散層が不要になるので、低コストで高輝度のLEDが得られるようになる。光取り出し側の表面電極と発光部層との間にITO膜を設けたLEDの例は、米国特許5,481,122号、特開平11-4020号等に記載されている。
【０００９】
しかしエピタキシャルウエハ上にITO膜が形成されたLEDでは、ダイシング等の工程で、ITO膜が剥離してしまうという問題が生じることが分かった。そのため、エピタキシャルウエハ上にITO膜を有するLEDの実用化は困難であった。そのため、ITOのような金属酸化物系透明導電層を使用しながらダイシング時のエピタキシャルウエハからの剥離の問題がない半導体発光素子の開発が望まれている。
【００１０】
従って本発明の目的は、高輝度でダイシング等による透明導電層の剥離の問題がない半導体発光素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者等は、発光部層上（電流分散層及び／又は化合物半導体層が設けられている場合にはその上）に単層の透明導電層を形成する代わりに、組成の異なる２層以上の透明導電層を形成するか、組成が徐々に変化する透明導電層を形成することにより、ダイシング時の透明導電層の剥離を抑制できることを発見し、本発明に想到した。
【００１２】
すなわち、本発明の第一の半導体発光素子は、第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成され、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第二の半導体発光素子は、第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成され、前記透明導電層は組成が徐々に変化する傾斜組成構造を有することを特徴とする。
【００１４】
第一及び第二の半導体発光素子のいずれにおいても、前記発光部層と前記透明導電層との間に第二導電型の電流分散層及び／又は化合物半導体層が形成されていても良い。
【００１５】
本発明の好ましい一実施例では、前記発光部層側の透明導電層はSnO2又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2からなり、表面電極側の透明導電層はIn2O3又はSnドープIn2O3からなる。
【００１６】
本発明の好ましい別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はZnO又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnOからなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１７】
本発明の好ましいさらに別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はZn2SnO4からなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１８】
本発明の好ましいさらに別の実施例では、前記発光部層側の透明導電層はTiO2からなり、表面電極側の透明導電層はITOからなる。
【００１９】
基板はGaAsからなり、前記活性層はAlGaInP又はGaInPからなるのが好ましい。また前記電流分散層はGaP，GaAlP，GaAlAs，GaAsP，AlGaInP，AlInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物半導体からなるのが好ましい。
【００２０】
前記化合物半導体層は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の三元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種の四元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、又は(6) AlGaInAsPからなる五元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）のいずれかである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施例による半導体発光素子の層構造を示す断面図である。この実施例では第一導電型はn型であり、第二導電型はｐ型であるが、この逆であっても良い。
【００２２】
n型GaAs基板１の第一主面上にｎ型AlGaInPクラッド層２が形成され、このクラッド層２の上にアンドープAlGaInP活性層３が形成され、この活性層３の上にｐ型AlGaInPクラッド層４が形成されている。n型クラッド層２と、活性層３と、p型クラッド層４とはダブルヘテロ構造の発光部層12を構成している。図１の実施例では、発光部層12の上にp型電流分散層５が形成されているが、電流分散層５は必須ではない。透明導電層７の上には部分的にp型表面電極９が形成されており、また基板１の裏面にはn型裏面電極10が形成されている。
【００２３】
発光部層12は、p-n接合型のダブルへテロ接合構造を有するAlGaInP混晶により構成される。特にインジウム組成比を約0.5とする(AlxGa1-x)0.5In0.5P（0≦ｘ≦1）は、GaAs単結晶基板１と格子整合するため好ましい。各クラッド層２，４の厚さは好ましくは0.2〜3.0nmであり、より好ましくは0.3〜1.0nmである。また活性層３の厚さは好ましくは0.2〜1.0nmであり、より好ましくは0.6〜1.0nmである。
【００２４】
p型電流分散層５は、通常ｐ型のGaP、GaAlP，GaAsP，GaAlAs，AlGaInP，AlInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物半導体からなる。p型電流分散層５を構成する化合物半導体は、発光波長の吸収が少なく、比抵抗が低いことが必要である。一般に紅色〜橙色の発光ダイオードでは、電流分散層５はGaAlAsからなり、黄色〜緑色の発光ダイオードでは、電流分散層５はGaP又はGaAsPからなる。電流分散層５はできるだけ薄い方が好ましい。
【００２５】
この実施例では、電流分散層５上に組成が異なる２層の透明導電層６，７が形成されている。勿論透明導電層の層数は２に限定されず、３以上でも良い。
透明導電層６，７の組合せとしては、(1) 透明導電層６が酸化錫（SnO2）又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2からなり、透明導電層７がIn2O3又はSnドープ酸化インジウム（In2O3）からなる場合、(2) 透明導電層６が酸化亜鉛（ZnO）又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnOからなり、透明導電層７が酸化インジウム錫（ITO）からなる場合、(3) 透明導電層６が酸化亜鉛錫（Zn2SnO4）からなり、透明導電層７がITOからなる場合、及び(4) 透明導電層６が酸化チタン（TiO2）からなり、透明導電層がITOからなる場合がある。
【００２６】
(1) の場合、透明導電層６がSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するときには、その元素の含有量は透明導電層６全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。また透明導電層７がSn含有するときには、その含有量は透明導電層７全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。
【００２７】
(2) の場合、透明導電層６がAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するときには、その元素の含有量は透明導電層６全体を100原子％として１〜10原子％であるのが好ましい。
【００２８】
ITOの比抵抗は一般に約3×10-6Ωｍであり、電流分散層５を形成するp形GaPの比抵抗の約百分の一である。従って、透明導電層７がITO又はそれに近い組成からなることにより、電流分散層５の厚さを大幅に減少することができる。
【００２９】
透明導電層６，７は、スピンコータ等で塗布膜を形成後に熱処理する湿式法、又はスパッタリング法や各種の蒸着法等の乾式法により形成できる。
【００３０】
p型表面電極９はワイヤボンディングに供され、n型裏面電極10はダイボンディングに供されるから、p型表面電極９及びn型裏面電極10には良好なボンディング特性、下層との良好なオーミック特性及び下層との密着性が要求される。そのため各電極９，10は複数の金属層により構成するのが好ましい。各電極９，10は酸化物層を有していても良い。さらに各電極９，10は最上層にAu、Al等のボンディング特性の良い金属層を有するのが好ましい。例えば、p型表面電極９にAuZn／Ni／Auの積層電極を使用し、n型裏面電極10にAuGe／Ni／Au積層電極を使用するのが好ましい。
【００３１】
各電極９，10の金属層は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の蒸着法で形成することができる。さらに各電極９，10にオーミック性を付与するための熱処理（アロイング）を施しても良い。酸化物層は各種の公知の成膜方法で形成することができる。
【００３２】
図２は本発明の別の実施例による半導体発光素子の層構造を示す断面図である。n型GaAs基板１、発光部層12（ｎ型AlGaInPクラッド層２、アンドープAlGaInP活性層３及びｐ型AlGaInPクラッド層４）、及びp型電流分散層５、p型表面電極９及びn型裏面電極10については、図１の実施例の半導体発光素子と同じである。この半導体発光素子では、透明導電層８が徐々に変化する傾斜組成を有する。傾斜組成の場合でも、発光部層12側の面の組成（第一の組成）と表面電極９側の面の組成（第二の組成）には、上記と同様に、(1) SnO2（又はSb及びFの少なくとも１種の元素を含有するSnO2）／In2O3又はSnドープIn2O3、(2) ZnO（又はAl、In及びFからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有するZnO）／ITO、(3) Zn2SnO4／ITO、及び(4) TiO2／ITOの組合せがある。
【００３３】
透明導電層８は、例えば第一の組成を有する第一のターゲットと第二の組成を有する第二のターゲットとを使用する交互スパッタリング法により形成することができる。透明導電層８の組成の変化率は、第一のターゲットでスパッタする時間と第二のターゲットでスパッタする時間との比を徐々に変化させることにより、適宜設定することができる。すなわち、まず第一のターゲットを100％使用して第一の組成のスパッタを行い、次いで第二のターゲットでスパッタする時間を徐々に増大させするとともに第一のターゲットでスパッタする時間を徐々に減少させ、最後に第二のターゲットを100％にしてスパッタを行なう。
【００３４】
図３に示す半導体発光素子は、電流分散層５と透明導電層６との間に化合物半導体層11が形成されている以外、図１の半導体発光素子と同じである。また図４に示す半導体発光素子は、電流分散層５と透明導電層８との間に化合物半導体層11が形成されている以外、図２の半導体発光素子と同じである。
【００３５】
いずれの場合も、化合物半導体層11は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種であって、Gaのモル比が0.2以下である三元系化合物半導体、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種であって、Gaのモル比が0.2以下である四元系化合物半導体、又は(6) AlGaInAsPからなり、Gaのモル比が0.2以下である五元系化合物半導体により形成するのが好ましい。上記(3) 及び(5) のGa含有化合物半導体では、Gaの化合物半導体６全体に対するモル比を0.2以下とするのが好ましいが、これはGaのモル比が0.2以上になると、ダイシング時に透明導電層６のはがれが多くなっていくためである。Gaのより好ましいモル比は0〜0.15である。
【００３６】
化合物半導体の種類及び化合物半導体層11の厚さ等は、半導体発光素子の発光波長及び輝度等の条件により適宜選択するのが好ましい。化合物半導体層11の厚さは、発光波長に対して透明性が劣る材料を用いた場合は、薄ければ薄いほど良い。透明性に優れた材料を用いた場合は、厚さは問わない。
【００３７】
化合物半導体層11はエピタキシャル成長法、例えば有機金属気相成長法（M0VPE法）により形成できる。
【００３８】
本発明の半導体発光素子は基板１とn型クラッド層２の間に、バッファ層（図示せず）及び分布ブラッグ反射層（DBR層、図示せず）を有してもよい。バッファ層はn型（Seドープ）GaAsにより形成することができる。またDBR層により活性層３からの光線の基板１による吸収を減少して、半導体発光素子の発光効率を高めることができる。
【００３９】
【実施例】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
図１に示す構造を有する発光波長630 nm付近の赤色発光ダイオードチップを下記手順により作製した。
【００４１】
まず700℃に加熱したn型GaAs基板１上に、厚さ500nmのn型（Seドープ）GaAsバッファ層、厚さ500nmのn型(Seドープ)(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層２（Seドープ量：1.0×1018cm-3）、厚さ600nmのアンドープ(Al0.15Ga0.85)0.5In0.5P活性層３、厚さ500nmのp型(亜鉛ドープ)(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層４（亜鉛ドープ量：５×1017cm-3）、及び厚さ2μmのp型(亜鉛ドープ)GaP電流分散層５（亜鉛ドープ量：5×1018cm-3）を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。p型AlGaInPからなるクラッド層４までのMOVPE成長は、700℃の温度及び50 Torrの圧力で、0.3〜1.0 nm／秒の成長速度で行なった。供給したV族元素とIII族元素の比（V／III比）は300〜600の範囲であった。またGaP層は、成長速度１nm／秒、V／III比100の条件で形成した。
【００４２】
キャリアガスに水素を使用し、それぞれAl供給源としてトリメチルアルミニウム（TMA）、Ga供給源としてトリメチルガリウム（TMG）、In供給源としてトリメチルインジウム（TMI）、As供給源としてアルシン（AsH3）、P供給源としてホスフィン（PH3）、Zn供給源としてジエチル亜鉛（DEZ）、及びSe供給源としてH2Seを使用した。
【００４３】
次いで、このエピタキシャルウェハ上にスパッタリング法により5％のSbを含有するSnO2からなる厚さ150nmの透明導電層６を形成し、さらにスパッタリング法により厚さ150nmの酸化インジウムスズ（ITO）からなる透明導電層７を形成した。透明導電層７上に、直径150μmの複数の円形開口部を有するマスクを使用して、厚さ60 nmの金−亜鉛合金、厚さ10 nmのニッケル、及び厚さ1000 nmの金を順に蒸着し、直径150μmの複数の円形ｐ型表面電極９を透明導電層７の表面全体に等間隔に形成した。またn型GaAs基板１の底面全体に、厚さ60 nmの金−ゲルマニウム合金、厚さ10 nmのニッケル及び厚さ500 nmの金を順に蒸着し、n型の裏面電極10を形成した。
【００４４】
このようにして作製した透明導電層６，７及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定し、表面電極９にワイヤボンディングを、裏面電極10にダイボンディングを行なって、発光ダイオードチップを作製した。
【００４５】
得られた発光ダイオードチップについて、透明導電層６，７がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードチップの割合をチップ表面評価装置により調べたところ、全体の１％以下であった。
【００４６】
実施例２
図２に示す構造を有する発光波長630 nm付近の赤色発光ダイオードチップを下記手順により作製した。実施例１と同じエピタキシャルウェハ（発光波長：630nm付近）を作製し、600℃に加熱しながら、SnO2からなる第一のターゲットとIn2O3からなる第二のターゲットとを交互に使用するスパッタリング法により、組成がSnO2からIn2O3に徐々に変化する厚さ300nmの透明導電層８を形成した。
【００４７】
透明導電層８上に、直径150μmの複数の円形開口部を有するマスクを使用して、厚さ60 nmの金−亜鉛合金、厚さ10 nmのニッケル、及び厚さ1000 nmの金を順に蒸着し、直径150μmの複数の円形ｐ型電極９を透明導電層８の表面全体に等間隔に形成した。またn型GaAs基板１の底面全体に、厚さ60 nmの金−ゲルマニウム合金、厚さ10 nmのニッケル及び厚さ500 nmの金を順に蒸着し、n型の裏面電極10を形成した。
【００４８】
このようにして作製した透明導電層８及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定したまま発光ダイオードの表面状態を調べたところ、透明導電層８がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の１％であった。
【００４９】
実施例３
実施例２と同じ条件で基板１上に、バッファ層、第一のクラッド層２、活性層３、第二のクラッド層４及び電流分散層５を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。得られたエピタキシャルウェハ上に、５％のSbを含有するSnO2からなる第一のターゲットとIn2O3からなる第二のターゲットとを使用する交互スパッタリング法により、組成がSb／SnO2からIn2O3に徐々に変化する厚さ300nmの透明導電層８を形成した。
【００５０】
このようにして作製したエピタキシャルウェハに実施例１と同じ電極を形成した後、実施例１と同じ方法で発光ダイオードチップの表面状態を調べたところ、透明導電層８がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の１％であった。
【００５１】
比較例１
図５に示す構造を有する発光波長630nm付近の発光ダイオードを作製した。まず実施例１と同じ条件で基板１上に、バッファ層、第一のクラッド層２、活性層３、第二のクラッド層４及び電流分散層５を、MOVPE法により順にエピタキシャル成長させた。得られたエピタキシャルウエハ上に、スパッタリング法により厚さ300nmのITO膜（透明導電層６）を形成し、さらに両面に実施例１と同じ条件で電極９，10を形成した。
【００５２】
このようにして作製した透明導電層（ITO）６及び電極９，10付きのエピタキシャルウェハを、表面電極９を１つ含む300μm角のサイズでダイシングし、フレームに固定したまま発光ダイオードチップの表面状態を調べたところ、透明導電層６がエピタキシャル層から剥離する不良を示す発光ダイオードは全体の90％以上であった。
【００５３】
以上、ダブルヘテロ構造の発光部層12をAlGaInPにより形成した場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限定される訳ではなく、例えばAlGaAsのような他の化合物半導体を発光部層12に用いる半導体発光素子にも適用可能である。また化合物半導体層11を有する半導体発光素子の場合、透明導電層の耐剥離性はさらに向上する。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、金属酸化物からなる透明導電層を異なる組成の二層以上の構造とするか、組成が徐々に変化する傾斜組成構造とするこれにより、透明導電層のエピタキシャルウエハからの剥離を著しく抑制することができる。これにより、半導体発光素子のエピタキシャルウエハの膜厚を従来の半導体発光素子よりも１／５〜１／10と薄くすることができ、輝度も約50％も向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図２】 本発明の別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図３】 本発明のさらに別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図４】 本発明のさらに別の実施例による半導体発光素子を示す断面図である。
【図５】 従来の半導体発光素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・第1クラッド層
３・・・活性層
４・・・第2クラッド層
５・・・電流分散層
６・・・第一透明導電層
７・・・第二透明導電層
８・・・傾斜組成の透明導電層
９・・・表面電極
10・・・裏面電極
11・・・化合物半導体層
12・・・発光部層
Claims (18)
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有し、発光部層側の透明導電層は SnO 2 又は Sb 及び F の少なくとも１種の元素を含有する SnO 2 からなり、表面電極側の透明導電層は In 2 O 3 又は Sn ドープ In 2 O 3 からなることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有し、発光部層側の透明導電層は ZnO 又は Al 、 In 及び F からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有する ZnO からなり、表面電極側の透明導電層は ITO からなることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有し、発光部層側の第一透明導電層は Zn 2 SnO 4 からなり、表面電極側の透明導電層は ITO からなることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層は２層以上の多層構造を有し、発光部層側の透明導電層は TiO 2 からなり、表面電極側の透明導電層は ITO からなり、前記活性層は AlGaInP 又は GaInP からなることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記発光部層と前記透明導電層との間に第二導電型の電流分散層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記発光部層と前記透明導電層との間に化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項５に記載の半導体発光素子において、前記電流分散層と前記透明導電層との間に化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項６又は７に記載の半導体発光素子において、前記化合物半導体層は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の三元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種の四元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、又は(6) AlGaInAsPからなる五元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）のいずれかであることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、透明導電層の組成は、前記発光部層側が SnO 2 又は Sb 及び F の少なくとも１種の元素を含有する SnO 2 で、表面電極側が In 2 O 3 又は Sn ドープ In 2 O 3 であり、かつ両者間で組成が徐々に変化していることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層の組成は、前記発光部層側が ZnO 又は Al 、 In 及び F からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有する ZnO で、表面電極側が ITO であり、かつ両者間で組成が徐々に変化していることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層の組成は、前記発光部層側が Zn 2 SnO 4 で、表面電極側が ITO であり、かつ両者間で組成が徐々に変化していることを特徴とする半導体発光素子。
- 第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層と、電極とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層の組成は、前記発光部層側が TiO 2 で、表面電極側が ITO であり、かつ両者間で組成が徐々に変化しており、前記活性層は AlGaInP 又は GaInP からなることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項９〜 12 のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記発光部層と前記透明導電層との間に第二導電型の電流分散層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項９〜 12 のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記発光部層と前記透明導電層との間に化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項13に記載の半導体発光素子において、前記電流分散層と前記透明導電層との間に化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項14 又は 15に記載の半導体発光素子において、前記化合物半導体層は、(1) InP又はInAsの二元系化合物半導体、(2) AlInAs又はAlInPの三元系化合物半導体、(3) AlGaAs、AlGaP、GaInAs及びGaInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の三元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、(4) AlInAsPの四元系化合物半導体、(5) AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP及びGaInAsPからなる群から選ばれた少なくとも１種の四元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）、又は(6) AlGaInAsPからなる五元系化合物半導体（Gaのモル比：0.2以下）のいずれかであることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項１〜16のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記基板はGaAsからなり、前記活性層はAlGaInP又はGaInPからなることを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項１〜17のいずれかに記載の半導体発光素子において、前記電流分散層はGaP，GaAlP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、AlInPからなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子。
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