JPH0794781A - 面発光型半導体発光ダイオード - Google Patents
面発光型半導体発光ダイオードInfo
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- JPH0794781A JPH0794781A JP23706193A JP23706193A JPH0794781A JP H0794781 A JPH0794781 A JP H0794781A JP 23706193 A JP23706193 A JP 23706193A JP 23706193 A JP23706193 A JP 23706193A JP H0794781 A JPH0794781 A JP H0794781A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
- H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ａｌ量などの活性層材料の制限を受けることな
く波長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオー
ドを提供することにある。 【構成】本発明は、発光層をＩｎＧａＡｌＰとする面発
光型半導体発光装置において、発光層に引っ張り歪を導
入させ、波長を短波長化する。その際、価電子帯側の重
い正孔と軽い正孔の相対位置ずれに伴い、発光ピークが
多峰化するが、多重半導体層からなる、波長選択層によ
り所望の発光波長を選択するようにしたものである。
く波長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオー
ドを提供することにある。 【構成】本発明は、発光層をＩｎＧａＡｌＰとする面発
光型半導体発光装置において、発光層に引っ張り歪を導
入させ、波長を短波長化する。その際、価電子帯側の重
い正孔と軽い正孔の相対位置ずれに伴い、発光ピークが
多峰化するが、多重半導体層からなる、波長選択層によ
り所望の発光波長を選択するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体材料を用
いた面発光型半導体発光ダイオードに関する。
いた面発光型半導体発光ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、屋外表示板、交通信号等への応用
を目的として緑色から黄色、燈色、赤色の発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）の開発が盛んに進められている。この中で
も緑色から黄色といった、０．６μｍよりも波長の短い
領域では従来材料による高輝度化が困難であり、新材料
による高輝度ＬＥＤの開発が望まれていた。
を目的として緑色から黄色、燈色、赤色の発光ダイオー
ド（ＬＥＤ）の開発が盛んに進められている。この中で
も緑色から黄色といった、０．６μｍよりも波長の短い
領域では従来材料による高輝度化が困難であり、新材料
による高輝度ＬＥＤの開発が望まれていた。
【０００３】ＩｎＧａＡｌＰ４元混晶はＧａＡｓ基板に
格子整合し、緑色まで直接遷移型であるため。ＬＥＤ材
料として注目されており、最近では黄色領域で高輝度Ｌ
ＥＤが実現されている。しかしながら、黄色よりも短波
長化を進めると著しく発光効率の低下する問題が明らか
となっている。これは短波長化のためにＡｌ組成を多く
する手法を通常用いるが、化学的に活性なＡｌが結晶成
長中に酸素を取り込み、これが結晶中に、非発光センタ
ーを形成する事が原因となっている。実際のＬＥＤにお
いても黄色では１％以上の高効率が得られるものの緑色
では０．３％と低下していた。これを回避する手段とし
てブラッグ反射層を面発光型ダイオードの発光層下部に
設けるなどの光取り出し効率を向上させることが行われ
ているが十分ではなく、短波長化における発光効率の改
善を行うことが要請されていた。
格子整合し、緑色まで直接遷移型であるため。ＬＥＤ材
料として注目されており、最近では黄色領域で高輝度Ｌ
ＥＤが実現されている。しかしながら、黄色よりも短波
長化を進めると著しく発光効率の低下する問題が明らか
となっている。これは短波長化のためにＡｌ組成を多く
する手法を通常用いるが、化学的に活性なＡｌが結晶成
長中に酸素を取り込み、これが結晶中に、非発光センタ
ーを形成する事が原因となっている。実際のＬＥＤにお
いても黄色では１％以上の高効率が得られるものの緑色
では０．３％と低下していた。これを回避する手段とし
てブラッグ反射層を面発光型ダイオードの発光層下部に
設けるなどの光取り出し効率を向上させることが行われ
ているが十分ではなく、短波長化における発光効率の改
善を行うことが要請されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の、Ｉ
ｎＧａＡｌＰ系ＬＥＤでは短波長化とともに発光効率が
著しく低下するという問題点があった。本発明は上記事
情を考慮してなされたもので、その目的とするところ
は、Ａｌ量などの活性層材料の制限を受けることなく波
長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオードを
提供することにある。
ｎＧａＡｌＰ系ＬＥＤでは短波長化とともに発光効率が
著しく低下するという問題点があった。本発明は上記事
情を考慮してなされたもので、その目的とするところ
は、Ａｌ量などの活性層材料の制限を受けることなく波
長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオードを
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
基板と、この化合物半導体基板上に形成され引っ張り歪
の入った発光層と、この発光層に接して形成され前記発
光層にキャリアを注入するクラッド層と、前記化合物半
導体基板と前記発光層間に形成され前記発光層が発した
光を単一の発光ピークに波長選択する手段とを具備する
ことを特徴とする面発光型半導体発光ダイオードを提供
するものである。
基板と、この化合物半導体基板上に形成され引っ張り歪
の入った発光層と、この発光層に接して形成され前記発
光層にキャリアを注入するクラッド層と、前記化合物半
導体基板と前記発光層間に形成され前記発光層が発した
光を単一の発光ピークに波長選択する手段とを具備する
ことを特徴とする面発光型半導体発光ダイオードを提供
するものである。
【０００６】特に、波長を選択する手段が屈折率の異な
る複数の半導体層からなるブラッグ反射層であることが
好ましい。ここでは、化合物半導体基板は発光層に対し
て極めて厚いために、発光層は化合物半導体基板によっ
て歪を付与されるが、発光層内部に生じる引っ張り歪み
を負の歪みとして以下説明する。
る複数の半導体層からなるブラッグ反射層であることが
好ましい。ここでは、化合物半導体基板は発光層に対し
て極めて厚いために、発光層は化合物半導体基板によっ
て歪を付与されるが、発光層内部に生じる引っ張り歪み
を負の歪みとして以下説明する。
【０００７】
【作用】本発明者らによれば、発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）において、発光層に引っ張り歪を導入させることに
よって重い正孔がバンドギャップエネルギーを大きくし
て波長を短波長化できる事を見出だした。従って、発光
層に引っ張り歪を導入することで、発光層の例えばＡｌ
組成を増やすことなく波長の短波長化が可能となり、発
光層の材料の制限を受けることなく波長の短波長化が可
能となった。
Ｄ）において、発光層に引っ張り歪を導入させることに
よって重い正孔がバンドギャップエネルギーを大きくし
て波長を短波長化できる事を見出だした。従って、発光
層に引っ張り歪を導入することで、発光層の例えばＡｌ
組成を増やすことなく波長の短波長化が可能となり、発
光層の材料の制限を受けることなく波長の短波長化が可
能となった。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。先ず、図１は本発明の第１の実施例に係わる
ＬＥＤの概略構成を説明するためのものである。図中１
１はｎ−ＧａＡｓ基板（１００）面を［０１１］方向に
１５°傾斜させたもの）であり、この基板１１上にはｎ
−ＧａＡｓバッファ層１２、ｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ
（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3）とｎ−ＧａＡｓ（Ｓ
ｉドープ、３×１０17ｃｍ-3）の１０対から構成される
第１のブラッグ反射層１３が形成されている。さらに、
この層上にはｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１４
（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3）、Ｉｎ0.35（Ｇａ
0.9 Ａｌ0.1 ）0.65Ｐ活性層１５（アンドープ、１２０
Ａ）、ｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１６（Ｚｎド
ープ、５×１０17ｃｍ-3）からなるダブルヘテロ接合構
造が形成されている。
説明する。先ず、図１は本発明の第１の実施例に係わる
ＬＥＤの概略構成を説明するためのものである。図中１
１はｎ−ＧａＡｓ基板（１００）面を［０１１］方向に
１５°傾斜させたもの）であり、この基板１１上にはｎ
−ＧａＡｓバッファ層１２、ｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ
（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3）とｎ−ＧａＡｓ（Ｓ
ｉドープ、３×１０17ｃｍ-3）の１０対から構成される
第１のブラッグ反射層１３が形成されている。さらに、
この層上にはｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１４
（Ｓｉドープ、５×１０17ｃｍ-3）、Ｉｎ0.35（Ｇａ
0.9 Ａｌ0.1 ）0.65Ｐ活性層１５（アンドープ、１２０
Ａ）、ｐ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐクラッド層１６（Ｚｎド
ープ、５×１０17ｃｍ-3）からなるダブルヘテロ接合構
造が形成されている。
【０００９】そしてこのクラッド層１６上には、ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｌＰ電流狭窄層１７（Ｓｉドープ、１×１０18
ｃｍ-3）が円形状に形成されており、その上にはｐ−Ｇ
ａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ（Ｚｎドープ、２×１０18ｃｍ-3）
からなる電流拡散層１８、ＡｌＡｓ（Ｚｎドープ、１×
１０18ｃｍ-3）とＧａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ（Ｚｎドープ、
１×１０18ｃｍ-3）の３０対から構成される第２のブラ
ッグ反射層１９が形成され、さらにｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ
0.2 Ａｓ（Ｚｎドープ、２×１０18ｃｍ-3）電流拡散層
２０、、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１（Ｚｎドープ、
５×１０18ｃｍ-3）が形成されている。
ｎＧａＡｌＰ電流狭窄層１７（Ｓｉドープ、１×１０18
ｃｍ-3）が円形状に形成されており、その上にはｐ−Ｇ
ａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓ（Ｚｎドープ、２×１０18ｃｍ-3）
からなる電流拡散層１８、ＡｌＡｓ（Ｚｎドープ、１×
１０18ｃｍ-3）とＧａ0.6 Ａｌ0.4 Ａｓ（Ｚｎドープ、
１×１０18ｃｍ-3）の３０対から構成される第２のブラ
ッグ反射層１９が形成され、さらにｐ−Ｇａ0.8 Ａｌ
0.2 Ａｓ（Ｚｎドープ、２×１０18ｃｍ-3）電流拡散層
２０、、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１（Ｚｎドープ、
５×１０18ｃｍ-3）が形成されている。
【００１０】また、コンタクト層２１の上面には金属電
極２２が被着され、基板１１の下面に金属電極２３が被
着されている。各半導体層の結晶成長はＭＯＣＶＤ法に
よって行っているが、その他の気相成長方法例えばＭＢ
Ｅ法、ＭＥＥ法であっても良い。ここでは、Ｉｎ
0.35（Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 ）0.65Ｐ活性層１５が、発光層
として働く。
極２２が被着され、基板１１の下面に金属電極２３が被
着されている。各半導体層の結晶成長はＭＯＣＶＤ法に
よって行っているが、その他の気相成長方法例えばＭＢ
Ｅ法、ＭＥＥ法であっても良い。ここでは、Ｉｎ
0.35（Ｇａ0.9 Ａｌ0.1 ）0.65Ｐ活性層１５が、発光層
として働く。
【００１１】発光効率の高いＬＥＤを得るためには、構
造パラメータ、ここでは活性層の歪、ブラッグ反射層の
設計を適切に行う必要があり、上述した値はその一例を
示したものである。
造パラメータ、ここでは活性層の歪、ブラッグ反射層の
設計を適切に行う必要があり、上述した値はその一例を
示したものである。
【００１２】まず、活性層に関係する歪と発光波長の短
波長化の関係について述べる。図２に上述のＬＥＤにお
ける活性層に入った歪（ミスマッチ）をパラメーターと
した場合の発光スペクトルの変化を示す。活性層として
は幅 １２０ＡのＩｎ1-x Ｇａx Ｐとした。このように
歪の増加とともにピーク波長は短波長側にシフトする
が、歪量（ここでは、歪んだ状態での基板との格子定数
差比で定義）が−２％を越える（−２．５％のデータを
示した）と、スペクトルは双峰になる。これを説明する
ために歪み量とバンドギャップエネルギーの関係を重い
正孔（実線）、軽い正孔（破線）について図３に示し
た。図３から明らかなように、引っ張り歪の導入により
価電子帯側の重い正孔と軽い正孔の相対位置が別れ、伝
導帯側とこれら２つの正孔バンド間での発光過程が出現
するためである。重い正孔に注目すると歪、つまりＩｎ
とＧａの相対組成を変化させるだけで２．１ｅＶ以上の
高エネルギー側（緑色発光が可能なエネルギー）まで直
線性良くシフトさせることができる。
波長化の関係について述べる。図２に上述のＬＥＤにお
ける活性層に入った歪（ミスマッチ）をパラメーターと
した場合の発光スペクトルの変化を示す。活性層として
は幅 １２０ＡのＩｎ1-x Ｇａx Ｐとした。このように
歪の増加とともにピーク波長は短波長側にシフトする
が、歪量（ここでは、歪んだ状態での基板との格子定数
差比で定義）が−２％を越える（−２．５％のデータを
示した）と、スペクトルは双峰になる。これを説明する
ために歪み量とバンドギャップエネルギーの関係を重い
正孔（実線）、軽い正孔（破線）について図３に示し
た。図３から明らかなように、引っ張り歪の導入により
価電子帯側の重い正孔と軽い正孔の相対位置が別れ、伝
導帯側とこれら２つの正孔バンド間での発光過程が出現
するためである。重い正孔に注目すると歪、つまりＩｎ
とＧａの相対組成を変化させるだけで２．１ｅＶ以上の
高エネルギー側（緑色発光が可能なエネルギー）まで直
線性良くシフトさせることができる。
【００１３】従って、Ａｌを入れることなく、−２．５
％の歪み導入によって５９０ｎｍまで短波長化が実現で
きている。これは、Ａｌを導入した場合、 Ｉｎ0.5
（Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐの表式でｘ＝０．３の割合で
Ａｌを入れた時と同等である。
％の歪み導入によって５９０ｎｍまで短波長化が実現で
きている。これは、Ａｌを導入した場合、 Ｉｎ0.5
（Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐの表式でｘ＝０．３の割合で
Ａｌを入れた時と同等である。
【００１４】このように、歪活性層の場合は著しくＡｌ
を低減でき、重い正孔と伝導帯間の発光による短波長側
のピークの発光効率だけでも４元活性層に比べて５倍発
光効率が改善された。歪による短波長化に関しては、重
い正孔側の発光過程を積極的に利用するのが望ましい。
を低減でき、重い正孔と伝導帯間の発光による短波長側
のピークの発光効率だけでも４元活性層に比べて５倍発
光効率が改善された。歪による短波長化に関しては、重
い正孔側の発光過程を積極的に利用するのが望ましい。
【００１５】発光層厚としては５０Ａ〜１５００Ａ、歪
としては−０．４％〜−０．３％が重い正孔に起因した
発光がでやすい。さらに、発光層厚としては１００Ａ〜
３００Ａ、歪として−２．５％〜−３．０％とすること
で最も発光効率が高くなった。
としては−０．４％〜−０．３％が重い正孔に起因した
発光がでやすい。さらに、発光層厚としては１００Ａ〜
３００Ａ、歪として−２．５％〜−３．０％とすること
で最も発光効率が高くなった。
【００１６】しかしながら、表示用などの応用に供する
ためには長波長側のピークと分離して、短波長側の光を
選択しなければ、歪による短波長化のメリットを十分に
生かすことはできない。ここでは応用面でも自由度があ
り、プロセス上でもチップに作りつけることのできる、
ブラッグ反射層によっても波長選択を行っている。
ためには長波長側のピークと分離して、短波長側の光を
選択しなければ、歪による短波長化のメリットを十分に
生かすことはできない。ここでは応用面でも自由度があ
り、プロセス上でもチップに作りつけることのできる、
ブラッグ反射層によっても波長選択を行っている。
【００１７】図４に本実施例で採用している第１の基板
側のブラッグ反射層１３と第２の表面側のブラッグ反射
層１９の反射層特性を示す。この様に基板側のブラッグ
反射層１３のピークは短波長側のピークに設定されてお
り、この波長の光に対して表面からの取り出し効率を約
２．５倍向上させている。一方、表面側のブラッグ反射
層１９のピークは長波長側の軽い正孔を介した発光ピー
クに設定されており、表面まで透過する率を１０％程度
に押さえている。つまり、取り出す短波長光に対して、
第１の基板側のブラッグ反射層１３は反射特性を主とし
て有し、第２の表面側のブラッグ反射層１９は逆に主と
して透過性を有すると共に他の波長光をを透過させない
ようにしている。
側のブラッグ反射層１３と第２の表面側のブラッグ反射
層１９の反射層特性を示す。この様に基板側のブラッグ
反射層１３のピークは短波長側のピークに設定されてお
り、この波長の光に対して表面からの取り出し効率を約
２．５倍向上させている。一方、表面側のブラッグ反射
層１９のピークは長波長側の軽い正孔を介した発光ピー
クに設定されており、表面まで透過する率を１０％程度
に押さえている。つまり、取り出す短波長光に対して、
第１の基板側のブラッグ反射層１３は反射特性を主とし
て有し、第２の表面側のブラッグ反射層１９は逆に主と
して透過性を有すると共に他の波長光をを透過させない
ようにしている。
【００１８】この様な複合型のブラッグ反射層対を設け
ることにより、図５に示すように、選択的に所望の発光
を得ることができた。表面側のブラッグ反射層に反射さ
れた光は再度活性層に吸収される。エネルギーとしては
重い正孔を介した発光よりも小さいがなんらかのフォト
ンリサイクル過程の影響と考えられる短波長側の発光効
率の改善も観測された。
ることにより、図５に示すように、選択的に所望の発光
を得ることができた。表面側のブラッグ反射層に反射さ
れた光は再度活性層に吸収される。エネルギーとしては
重い正孔を介した発光よりも小さいがなんらかのフォト
ンリサイクル過程の影響と考えられる短波長側の発光効
率の改善も観測された。
【００１９】また、第１の基板側のブラッグ反射層と活
性層との距離、すなわち、ｎ−クラッド層１４の厚さに
発光効率は大きな依存性を示した。われわれの実験では
発光波長のλ／２の整数倍に設定したときに、大きな強
調が見られた。この設定を短波長側のピークに設定した
時、さらに長波長側ピークとの選択性は良くなった。
性層との距離、すなわち、ｎ−クラッド層１４の厚さに
発光効率は大きな依存性を示した。われわれの実験では
発光波長のλ／２の整数倍に設定したときに、大きな強
調が見られた。この設定を短波長側のピークに設定した
時、さらに長波長側ピークとの選択性は良くなった。
【００２０】短波長側の光を選択する簡便な方法とし
て、ＬＥＤのチップをモールドする際、樹脂材として波
長選択特性を有する着色樹脂を用た。この様にしても効
果は認められ、黄色において５ｃｄの高輝度特性を得
た。
て、ＬＥＤのチップをモールドする際、樹脂材として波
長選択特性を有する着色樹脂を用た。この様にしても効
果は認められ、黄色において５ｃｄの高輝度特性を得
た。
【００２１】本実施例では緑色光に対して１０ｃｄの高
輝度特性が得られた。これは無歪のＡｌを含むＩｎＧａ
ＡｌＰを活性層とした時の約５倍の明るさであった。な
お、本発明は本実施例に限られるものではなく、発光層
として活性層単層から構成されるもののほか、単層や多
重等の量子井戸構造としても良い。また、発光層は、他
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体例えばＩｎＧａＡｓ、や緑
色発光〜青色発光が可能な例えばＺｎＳＳｅなどのＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を用いても良い。化合物半導体基
板は、ＧａＡｓに限るものではなく、発光層に歪みを入
れることができる他の材料例えばＩｎＰであっても良
い。
輝度特性が得られた。これは無歪のＡｌを含むＩｎＧａ
ＡｌＰを活性層とした時の約５倍の明るさであった。な
お、本発明は本実施例に限られるものではなく、発光層
として活性層単層から構成されるもののほか、単層や多
重等の量子井戸構造としても良い。また、発光層は、他
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体例えばＩｎＧａＡｓ、や緑
色発光〜青色発光が可能な例えばＺｎＳＳｅなどのＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を用いても良い。化合物半導体基
板は、ＧａＡｓに限るものではなく、発光層に歪みを入
れることができる他の材料例えばＩｎＰであっても良
い。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、Ａ
ｌ量などの活性層材料の制限を受けることなく波長の短
波長化が可能となる。
ｌ量などの活性層材料の制限を受けることなく波長の短
波長化が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わる断面図
【図２】本発明の第１の実施例を説明する図
【図３】本発明の第１の実施例を説明するための歪と重
い正孔と軽い正孔の相対位置の関係を示す図
い正孔と軽い正孔の相対位置の関係を示す図
【図４】本発明の第１の実施例を説明するための基板側
のブラッグ反射層と表面側のブラッグ反射層の反射層特
性を示す図
のブラッグ反射層と表面側のブラッグ反射層の反射層特
性を示す図
【図５】本発明の第１の実施例を説明するためのＬＥＤ
の発光スペクトルを示す図
の発光スペクトルを示す図
１１…ｎ−ＧａＡｓ基板 １２…ｎ−ＧａＡｓバッファ層 １３…第１のブラッグ反射層 １４…ｎ−ＩｎＡｌＰクラッド層 １５…ＩｎＧａＡｌＰ活性層 １６…ｐ−ＩｎＡｌＰクラッド層 １７…ｎ−ＩｎＧａＡｌＰ電流狭窄層 １８…ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層 １９…第２のブラッグ反射層 ２０…ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層 ２１…ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ２２…金属電極 ２３…金属電極
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体基板と、この化合物半導体
基板上に形成され引っ張り歪の入った発光層と、この発
光層に接して形成され前記発光層にキャリアを注入する
クラッド層と、前記化合物半導体基板と前記発光層間に
形成され前記発光層が発した光を単一の発光ピークに波
長選択する手段とを具備することを特徴とする面発光型
半導体発光ダイオード。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23706193A JPH0794781A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 面発光型半導体発光ダイオード |
| DE4433867A DE4433867A1 (de) | 1993-09-24 | 1994-09-22 | Halbleiter-Lichtemissionseinrichtung und Verfahren |
| US08/309,491 US5466950A (en) | 1993-09-24 | 1994-09-22 | Semiconductor light emitting device with short wavelength light selecting means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23706193A JPH0794781A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 面発光型半導体発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794781A true JPH0794781A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17009844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23706193A Pending JPH0794781A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 面発光型半導体発光ダイオード |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5466950A (ja) |
| JP (1) | JPH0794781A (ja) |
| DE (1) | DE4433867A1 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4433867A1 (de) | 1995-06-01 |
| US5466950A (en) | 1995-11-14 |
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