DE19745723A1 - Lichtemittierendes Halbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Aus der EP 0 551 001 A1 ist eine Licht-Emitter-Diode (siehe Fig. 2) zu entnehmen, die zum Zwecke der Verbesserung der Leuchtleistung zwischen dem Kontakt und den tieferliegenden Halbleiterschichten eine möglichst dicke Stromausbreitungsschicht (2) mit sehr guter Leitfähigkeit aufweist. Diese ist in ihrem Bandabstand so bemessen, daß sie für das emittierte Licht transparent ist. Aufgrund der hohen Leitfähigkeit kommt es über die Schichtdicke hinweg zu einer kontinuierlichen lateralen Stromausbreitung (i), weshalb die Schicht möglichst dick gewählt werden muß. Aufgrund der verbesserten lateralen Stromausbreitung werden auch die Bereiche der aktiven Zone (5), die nicht direkt unter dem Kontakt (1) liegen, vom Strom durchflossen und können somit Licht emittieren, wodurch sich die Leucht­ leistung deutlich erhöht, wie bspw. auch aus der EP 0 434 233 B1 entnom­ men werden kann, die die erforderliche Dicke einer derartigen Fenster­ schicht mit 2 bis 30 µm angibt. Auch aus dem Artikel von Sugowara/Itaya/Ishi­ kawa/Hatakoshi in Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31 (1992), S. 2446-2451 ist ein sogenannter "current spreading layer" von 7 µm Dicke (vgl. S. 2449) sowie in Fig. 4 des Artikels die Verbesserung der Lichtausbeute deutlich zu ent­ nehmen. Von Huang/Yu/Kuo/Fletcher/Osentowski/Stinson/Craford in Appl. Phys. Letters 61 (9), 31. August 1992, S. 1045 ff. ist ebenso eine dicke Fenster­ schicht zur Stromverteilung zu entnehmen, wobei in diesem Artikel eine Dicke von 15 bis 45 µm angegeben wird.

Wesentlicher Nachteil dieser dicken Fensterschichten ist die gegenüber den aktiven Schichten (Dicke < 1 µm) erhebliche Dicke der Schicht, was zu einem hohen Materialaufwand und bei herkömmlichen Maschinen zu einer sehr langen Epitaxiezeit bei ihrer Herstellung führt. Durch entsprechend auf­ wendige und teure Maschinen können die Epitaxiezeit, nicht jedoch die Materialkosten gedrückt werden.

Deshalb wurden in der US 5,153,889 sowie auch in der DE 44 33 867 Halb­ leiterbauelemente mit einem Isolationsgebiet (3a) zwischen der Stromaus­ breitungsschicht (2) und den tiefer liegenden Halbleiterschichten (4-8) vor­ geschlagen, wie sie in der Fig. 3 dargestellt ist. Dieses Isolationsgebiet (3a) isoliert den Teil der aktiven Zone (5), der direkt unter dem Kontakt (1) liegt, weitgehend. Ein solches Isolationsgebiet ist jedoch technologisch äußerst schwierig, da insbesondere bei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen deren Halbleiterschichten (4, 5, 6) Aluminium-Mischkristallmaterialien enthalten, bspw. AlGaInP-LEDs, die folgende epitaktische Abscheidung nicht gelingt bzw. stark gestört ist, wie dies auch in der US 5,565,694 festgestellt wird. Die US 5,565,694 schlägt daher ein Isolationsgebiet zwischen der aktiven Zone und dem am Substrat anliegenden unteren Kontakt vor, der sich quasi gegenüber der Lichtaustrittsseite befindet.

Die EP 0 616 376 A1 schlägt zur Vermeidung von Kristallstörungen an dem Isolationsgebiet vor, einen Hohlraum im Inneren der Halbleiterschichten­ anordnung (siehe Fig. 3, in diesem Falle ist das Isolationsgebiet 3a ein Hohlraum) unter der Stromausbreitungsschicht (2) zu erzeugen, indem die Stromausbreitungsschicht (2) als ein zweiter, separater wafer hergestellt wird, der in dem zu isolierenden Bereich entsprechend ausgeätzt wird und die zwei Wafer durch Wafer-Bonding aufeinander gebracht werden. Der Aufwand dafür ist sehr erheblich und macht die vergeblichen Versuche nach einfacheren Lösungen deutlich.

Eine weitere Möglichkeit zur Verbesserung der Leuchtleistung ist bspw. durch die US 4,864,370 offenbart (vgl. auch die Schnittdarstellung in Fig. 4), indem der Kontakt (1) auf der Halbleiteroberfläche mit einem Netz von Leitbahnen ausgestaltet wird, wodurch sich der Strom bereits auf der Oberfläche verteilt. Das hier verwandte Isolationsgebiet (3b) befindet sich direkt unter dem Kontakt (1) auf der Halbleiteroberfläche (vgl. Fig. 4). Eine Stromausbreitungsschicht ist nicht vorgesehen. Die Leuchtleistung derartiger Anordnungen wird insbesondere durch die entsprechend große Oberfläche des netzförmigen Kontaktes reduziert.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine weitere Möglichkeit zur Verbesserung der Leuchtleistung von lichtemittierenden Halbleiterelementen anzugeben, die außerdem technologisch sicher und einfach realisierbar ist und somit die beschriebenen Nachteile des Standes der Technik vermeidet.

Diese Aufgabe ist durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruches 1 gelöst. So läßt sich äußerst einfach gerade im Inneren der Stromausbrei­ tungsschicht, also umschlossen von jeweils einem Teil der Stromausbrei­ tungsschicht, eines oder mehrere Isolationsgebiete einfügen. Ein Isolations­ gebiet im Inneren der Stromausbreitungsschicht steht nicht in direktem Kontakt mit den oftmals Al-haltigen tieferen Halbleiterschichten, da es von der Stromausbreitungsschicht umhüllt wird, die meist aus GaP besteht. Ein solches Isolationsgebiet kann ohne weiteres durch Wahl einer entsprechend hohen Bandabstandes für das zu emittierende Licht transparent gemacht werden. Die Stromausbreitung und Leuchtleistung können dabei verbessert und durch den sich an das Isolationsgebiet anschließenden Teil der Strom­ ausbreitungsschicht auch eine lokale Überhöhung der Stromdichte in den Bereichen der aktiven Zone, die unterhalb der Ränder des Isolationsgebietes liegen, vermieden werden.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

So erweist es sich als besonders vorteilhaft, wenn wenigstens eines der Isolationsgebiete unter dem Kontakt angeordnet wird, da so die Strom­ dichte des unter dem Kontakt liegenden Bereichs der aktiven Zone ent­ sprechend gering ist, da dieses Licht zum Großteil vom Kontakt reflektiert bzw. absorbiert wird.

Eine hervorzuhebende technologische Vereinfachung wird auch dadurch erzielbar, daß die Isolationsgebiete aus dem gleichen Halbleitergrund­ material wie die sie umschließende Stromausbreitungsschicht, jedoch mit entgegengesetzter Leitfähigkeit dotiert sind, wobei auch Isolationsgebiete aus nichtleitendem Material grundsätzlich möglich sind. Dadurch können die Isolationsgebiete innerhalb des Epitaxieprozesses einzig durch zwischen­ zeitlichen Wechsel der beigemischten Dotierung, Maskierung, Ätzung und Fortsetzung der Epitaxie erzeugt werden.

Die Anordnung mehrerer Isolationsgebiete beabstandet flächig verteilt in einer Ebene ist fertigungstechnisch sehr einfach, da nur ein Masken- und Ätzprozeß erforderlich ist und gewährleistet gleichzeitig eine sehr gleichmäßige Stromverteilung. Wird die Anzahl der Isolationsgebiete recht hoch, ihre Einzelfläche jedoch recht klein gewählt, so ist die Positionierung dieser gegenüber der Lage des Kontaktes nicht erforderlich.

Durch eine Verteilung und entsprechend versetzte Anordnung von Isola­ tionsgebieten in mehreren Ebenen innerhalb der Stromausbreitungsschicht kann die Stromausbreitung noch stärker beeinflußt werden. Entsprechend der bereits genannten Vorteile erweisen sich auch die in den Ansprüchen 6 und 7 beanspruchten Verfahren als äußerst vorteilhaft, da sie technologisch einfach, sicher und wirkungsvoll sind.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren näher erläutert.

Die Fig. 1 bis 7 sind skizzenhafte Schnittdarstellungen, wobei die Größen der einzelnen Schichten zur besseren Darstellung nicht maßstäblich gewählt sind.

Kurze Beschreibung der Figuren:

Fig. 1 Halbleiterbauelement mit einem Isolationsgebiet in der Strom­ ausbreitungsschicht

Fig. 2 Halbleiterbauelement gemäß dem Stand der Technik mit einer dicken Stromausbreitungsschicht

Fig. 3 Halbleiterbauelement gemäß dem Stand der Technik mit einem Isolationsgebiet unter der Stromausbreitungsschicht

Fig. 4 Halbleiterbauelement gemäß dem Stand der Technik mit einem Isolationsgebiet unter dem Kontakt

Fig. 5 Halbleiterbauelement mit mehreren kleinen und gleichmäßig verteilten Isolationsgebieten in einer Ebene in der Strom­ ausbreitungsschicht

Fig. 6 Halbleiterbauelement gemäß dem Stand der Technik mit auf zwei Ebenen verteilten Isolationsgebieten innerhalb der Strom­ ausbreitungsschicht

Fig. 7.i Zugehörige Stromverteilung über die aktive Zone bei den unterschiedlichen Halbleiterbauelementen gemäß der Fig. i, Index i von 1 bis 6 entsprechend der Fig. 1 bis 6.

Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch ein lichtemittierendes Halbleiterbau­ element. Auf der oberen Halbleiteroberfläche ist der Kontakt 1 angeordnet, an dem bspw. mittels eines Bonddrahtes das Halbleiterbauelement kontak­ tiert wird. Der nicht vom Kontakt bedeckte Bereich der Halbleiteroberfläche bestimmt gleichzeitig die Größe der Lichtaustrittsfläche. Darunter befindet sich die Stromausbreitungsschicht 2 mit einem in der Größe dem Kontakt angepaßten Isolationsgebiet 3. Innerhalb der Stromausbreitungsschicht 2 ist der Stromverteilungsverlauf i visualisiert. Hervorzuheben ist insbesondere der durch den unteren Teil der Stromausbreitungsschicht 2 entstehenden Stromverteilungsverlauf, der die lokalen Maxima an den Rändern des Isolationsgebietes 3 zur aktiven Schicht 5 hin verteilt und ausgleicht. Die Gleichmäßigkeit der Stromverteilung erlaubt die Verwendung höherer Ströme und Spannungen, da die Gefahr lokaler Durchbrüche ausgeschlossen werden kann.

Unter der Stromausbreitungsschicht 2 befinden sich die tieferliegenden Halbleiterschichten, insbesondere die aktive Zone, die gebildet wird von einer oberen Mantelschicht 4, der aktiven Schicht 5 und der unteren Mantelschicht 6. Unter der unteren Mantelschicht 6 ist ein Bragg-Reflektor 7 angedeutet, der aus mehreren alternierenden Halbleiterschichten unter­ schiedlichen Brechungsindexes besteht und den Anteil des emittierten Lichtes, der von der aktiven Zone in Richtung der unteren Mantelschicht 6 abgestrahlt wird, weitgehend in Richtung der Lichtaustrittsfläche, also der oberen Halbleiteroberfläche reflektiert.

Unter dem Bragg-Reflektor 7 befindet sich das Halbleitersubstrat 8, auf dem die vorgenannten Schichten abgeschieden werden und welches als Träger­ substrat dient. Dieses wird an der Unterseite mit dem Kontakt 9 versehen, der mit dem entgegengesetzten Spannungspol verbunden wird.

Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist eine AlGaInP-LED, bei der gitter­ angepaßt auf dem n-dotierten Halbleitersubstrat 8 aus GaAs zunächst mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) der Bragg-Reflektor 7 als n-dotierte λ/4-Schichten alternierender Komposition aus Al_xGa_1-xAs abgeschieden werden. Für ein p-dotiertes Substrat würden sich die Dotierungsverhältnisse der nachfolgenden Schichten einfach entgegen­ gesetzt ergeben. Die untere Mantelschicht 6 besteht aus n-dotiertem, gitterangepaßtem (Al_yGa_1-y)InP. Die aktive Schicht 5 selbst ist undotiert und kann aus einer einzelnen Schicht (Al_zGa_1-z)InP oder aus Quantenfilmen aus (Al_aGa_1-a)InP mit (Al_bGa_1-b)InP-Barrieren bestehen, wobei die Kompositionen 0 ≦ a < b ≦ 1 gewählt sind. Darauf befindet sich eine p-dotierte (Al_yGa_1-y)InP-Schicht als obere Mantelschicht 4. Die Mantelschichten 4 und 6 sind von ihrer Komposition y so gewählt, daß ihr Bandabstand bzw. ihre Energielücke höher ist als die in der aktiven Schicht 5, so daß sie für das emittierte Licht quasi transparent sind und es nicht wieder absorbieren.

Auf diese Diodenstruktur wird zunächst ein erster Teil der Strom­ ausbreitungsschicht 2 GaP gitterfehlangepaßt und p-dotiert aufgebracht.

Darauf wird eine Schicht n-dotierten GaP entsprechend der gewünschten Dicke des Isolationsgebietes aufgewachsen bspw. dieses nachfolgend durch Maskieren und Ätzen oder Maskieren und lokales Abscheiden der Isolationsgebiete strukturiert. Die ausgeätzten Bereiche werden in den nachfolgenden epitaktischen Abscheidung von p-dotiertem GaP aufgefüllt. Equivalente Epitaxieschritte, bspw. die Implantation oder das Erstellen eines wirkungsgleichen negativen Abbildes, sind dem Fachmann nahegelegt. Das in Fig. 1 dargestellte große Isolationsgebiet 3 befindet sich ausgerichtet unter dem Kontakt 1. Dadurch wird der Strom von dem Bereich der aktiven Zone 5 ferngehalten, der unter dem Kontakt 1 liegt. Die leichte nachfolgende laterale Stromausbreitung zurück in diesen Bereich der aktiven Zone 5 ist vertretbar, da das emittierte Licht auch eine gewisse Streuung aufweist und somit auch von den direkt unter dem Kontakt 1 liegenden Bereich der aktiven Zone 5 Licht zur Lichtaustrittsfläche gelangt. Um in der Prozessierung den Kontakt 1 nachfolgend exakt mittig über dem Isolationsgebiet 3 zu positionieren, können Justiermarken eingesetzt werden, wie sie aus der strukturierten Halbleitertechnik bekannt sind. Auf das strukturierte Isolationsgebiet 3 wird dann der zweite Teil der Strom­ ausbreitungsschicht 2, also GaP : p-dotiert abgeschieden. Abschließend werden die Kontakte 1 und 9 abgeschieden.

Durch den Einschluß des Isolationsgebietes (3) in die Stromausbreitungs­ schicht (2) ist diese von den Al-haltigen tieferliegenden Halbleiterschichten (4-6) getrennt. Von entscheidender Bedeutung ist auch, daß keine Gefahr störender Kompositionsverschiebungen oder Al-Oxidation besteht. Die Dicke und Lage des Isolationsgebietes (3) kann variert und so die Strom­ ausbreitung gezielt beeinflußt werden.

Die Fig. 2 bis 4 gemäß dem Stand der Technik wurden bereits eingangs beschrieben.

Die Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit mehreren kleinen und gleichmäßig verteilten Isolationsgebieten (3c) in einer Ebene in der Strom­ ausbreitungsschicht (2), zwischen denen sich Stromkanäle ausbilden. Hierbei werden in die zunächst ganzflächig abgeschiedene n-dotierte GaP-Schicht Löcher für die Stromkanäle geätzt. Die Größe und Form sowie die Verteilung der Isolationsgebiete (3c) bzw. der dazwischen liegenden Stromkanäle erlaubt wiederum zahlreiche Einflußmöglichkeiten auf die konkrete Stromverteilung (i) in der aktiven Zone (5). Eine sehr gleichmäßige Strom­ verteilung wird erzielt. Ein solches Sieb aus Isolationsgebieten (3c) muß außerdem nicht so exakt positioniert werden, da eine laterale Verschiebung durch den darunter befindlichen Teil der Stromausbreitungsschicht (2) weitgehend ausgeglichen wird. Auf Justierungsmaßnahmen kann daher eventuell ganz verzichtet werden.

Möglich ist auch insbesondere die Kombination der Ausführungsbeispiele in den Fig. 1 und 5 derart, daß mittig unter dem Kontakt 1 ein groß­ flächiges Isolationsgebiet (vgl. 3 in Fig. 1) und außerhalb eine Mehrzahl ver­ teilter kleinerer Isolationsgebiete (vgl. 3c in Fig. 5) gemeinsam in einer Ebene realisiert werden.

Vorteil der Anordnungen in einer Ebene ist, daß diese gemeinsam durch nur eine Unterbrechung des epitaktischen Prozesses in einem Ätzschritt erstellt werden können.

Demgegenüber weist eine Mehrebenenanordnung, wie in Fig. 6 dargestellt, eine noch bessere Beeinflussung der Stromverteilung (i) auf, die in vielfältiger Weise durch die Lage und Größe, insbesondere durch ihre Verteilung und teilweise Überlappung neben einer gleichmäßigen Strom­ verteilung auch die Realisierung atypischer Stromverteilungen ermöglicht.

Die Fig. 7.1 bis 7.6 erlauben einen Vergleich der Stromverteilungs­ unterschiede jeweils in der aktiven Zone 5. Die seitliche Ausdehnung ist mit x bezeichnet, wobei der Kontakt jeweils mittig über dem Nullpunkt liegt und darum die von dem Kontakt verdeckte Fläche mit x₀ gekennzeichnet ist. Die Bereiche x_l rechts und links davon sind die optisch wirksamen Bereiche. Die Stromdichte bzw. -intensität ist mit i über x dargestellt.

Die klassische Stromausbreitungsschicht gemäß Fig. 2 ohne Isolations­ gebiete weist in der Mitte ein Maximum und in den optisch wirksamen Bereichen x_l zum Rand hin einen starken Abfall auf, wie in Fig. 7.2 dargestellt. Die Fig. 7.3 macht den Nachteil eines unter der Strom­ ausbreitungsschicht angeordneten Isolationsgebietes (3a gemäß Fig. 3) deutlich, da hier zwar die Stromdichte im nicht wirksamen Bereich zwar annähernd Null, an den Rändern aber extrem überhöht ist.

7.4 zeigt die Stromverteilung bei einem Isolationsgebiet (3b in Fig. 4) an der Oberseite der Stromausbreitungsschicht, die gekennzeichnet ist von einer recht schwachen Absenkung im unwirksamen Bereich x_o jedoch recht starkem Abfall in den wirksamen Bereichen x_l bedingt dadurch, daß die Fläche des Kontaktes vergleichbar mit denen der anderen Figuren gewählt wurde. Im Vergleich zu den Fig. 7.2 bis 7.4 macht die Fig. 7.1 den Vorteil der Stromverteilung für ein Isolationsgebiet im Inneren der Stromausbreitungsschicht deutlich, da Strommaxima an den Rändern des Isolationsgebietes durch den darunterliegenden Teil der Stromausbreitungs­ schicht abgeschwächt werden. Der Abfall zu den Außenzonen der wirksamen Bereiche x_list deutlich schwächer und somit die Strom­ verteilung gleichmäßiger.

Aus der Fig. 7.5 wird der wesentliche Vorteil mehrerer kleiner verteilter Isolationsgebiete (vgl. 3c in Fig. 5) deutlich, die eine recht gleichmäßige Stromverteilung gewährleisten. Die leichte Stromerhöhung in der Mitte des unwirksamen Bereiches x₀ kann beispielsweise durch das in Fig. 6 in einer zweiten Ebene gezeigte mittig angeordnete größere Isolationsgebiet vermieden werden, wie auch der Verlauf in Fig. 7.6 anschaulich zeigt. Die Stromverteilung im wirksamen Bereich x_l ist gleichmäßig und ermöglicht eine sehr hohe Leuchtleistung.

Durch Verschiebung der Dicke der unter dem(n) Isolationsgebiet(en) liegenden Teils der Stromausbreitungsschicht sowie der Dicke und Aus­ richtung der Isolationsgebiete kann die Stromverteilung bezielt beeinflußt werden und auch anderweitige gewünschte Stromverteilungen gezielt werden. Die Dotierungsverhältnisse sich bei p-dotiertem Substrat gerade entgegengesetzt, so daß auf eine Darstellung verzichtet werden kann. Auch ein Isolationsgebiet aus nichtleitendem Material, bspw. aus einer un­ dotierten oder mit entsprechend tiefen Störstellen dotierten Halbleiter­ schicht, ist in den Schnittdarstellungen der Fig. 1, 5 und 6 sowie den zugehörigen Stromausbreitungsverläufen 7.1, 7.5 bzw. 7.6 aquivalent.

Neben der in den Figuren gewählten Darstellung mit Isolationsgebieten innerhalb der Stromverteilungsschicht sind selbstverständlich auch quasi Stromverteilungsgebiete innerhalb eines großen, jedoch unterbrochenen Isolationsgebietes äquivalent, da dieses quasi eine Negativkopie der Masken­ struktur bedeuten und durch entsprechende Anpassung der Flächengrößen wirkungsgleich gestaltet werden können.

Claims (8)

1. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Substratschicht und mehreren auf dieser Substratschicht angeordneten Halbleiterschichten, wobei diese Halbleiterschichten eine optisch aktive Zone aufweisen,
die oberste Halbleiterschicht eine mit einem ersten Leitfähigkeitstyp dotierte Stromausbreitungsschicht hoher Leitfähigkeit ist,
auf einem Teil der Oberfläche der Stromausbreitungsschicht ein Kontakt angeordnet ist und
ein Isolationsgebiet zur Stromausbreitung vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß
das wenigstens ein Isolationsgebiet vorgesehen ist, welche(s) innerhalb der Stromausbreitungsschicht sowohl von der Ober- als auch Unterseite durch einen Teil der Stromausbreitungsschicht beabstandet angeordnet sind.

2. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zumindest eines der Isolationsgebiete in Stromflußrichtung unter dem dem Kontakt angeordnet ist.

3. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das oder die Isolationsgebiet(e) aus dem gleichen Halbleitergrundmaterial wie die Stromausbreitungsschicht, jedoch mit entgegengesetzter Dotierung ist.

4. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das mehrere kleine Isolationsgebiete in einer Ebene voneinander beabstandet gleichmäßig verteilt werden.

5. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das mehrere Isolationsgebiete in mehreren Ebenen verwendet werden.

6. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbau­ elements mit einer Stromausbreitungsschicht, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

• a) Abscheidung eines ersten Teils der Stromausbreitungsschicht auf die darunterliegenden Halbleiterschichten,
• b) Abscheidung und Strukturierung des(r) Isolationsgebiet(e),
• c) Abscheidung eines zweiten Teils der Stromausbreitungsschicht.

7. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiter­ bauelements nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung des ersten Teils der Stromausbreitungsschicht und die Abscheidung einer isolierenden Schicht durch Wechsel der Dotierung bei Erreichen des gewünschten Dicke des ersten Teils der Stromausbreitungs­ schicht unter Beibehaltung des gleichen Halbleitergrundmaterials erfolgt und die isolierende Schicht nachfolgend derart strukturiert wird, daß das oder die Isolationsgebiete entstehen.

8. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement nach einem der voran­ gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß deren Mantel­ schichten der aktiven Zone aus Al-Mischkristallen sind, insbesondere AlGaInP-LEDs, indem als Stromausbreitungsschicht dotiertes GaP und als Isolationsgebiet(e) darin eingeschlossen entgegengesetzt dotiertes GaP verwendet wird.