DE69838841T2 - II-VI HALBLEITERVORRICHTUNG MIT BeTe-PUFFERSCHICHT - Google Patents

II-VI HALBLEITERVORRICHTUNG MIT BeTe-PUFFERSCHICHT Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft II-VI-Halbleitervorrichtungen wie etwa Leuchtdioden und Laserdioden. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung eine II-VI-Halbleitervorrichtung mit verringerten Stapelfehlerdefekten.
  • Gruppe-II-VI-Verbindungs-Halbleitervorrichtungen sind bekannt. Derartige Vorrichtungen sind beim Aufbau von Licht ausstrahlenden oder feststellenden Vorrichtungen, Dioden und Laserdioden wie etwa denjenigen, die in der am 25. Mai 1993 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,213,998 ; der am 28. September 1993 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,248,631 ; der am 28. Dezember 1993 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,274,269 ; der am 1. März 1994 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,291,507 ; der am 7. Juni 1994 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,319,219 ; der am 7. März 1995 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,395,791 ; der am 7. März 1995 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,396,103 ; der am 4. April 1995 ausgegebenen US-Patentschrift Nr.5,404,027 ; der am 8. November 1994 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,363,395 ; der am 7. Mai 1996 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,515,393 ; der am 30. Mai 1995 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,420,446 ; der am 13. Juni 1995 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,423,943 ; der am 23. Juli 1996 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,538,918 ; und der am 30. April 1996 ausgegebenen US-Patentschrift Nr. 5,513,199 beschrieben sind, nützlich.
  • Historisch haben Dioden rotes oder infrarotes Licht erzeugt. Doch es gibt viele Anwendungen, in denen Dioden, die Strahlung mit kürzeren Wellenlängen, zum Beispiel im blauen und grünen Abschnitt des Spektrums (d. h., bei Wellenlängen zwischen 590 nm und 430 nm) ausstrahlen, nützlich wären. Ferner würden derartige Kurzwellenlängen-Laserdioden das Leistungsverhalten und die Fähigkeiten von vielen bestehenden Systemen, die gegenwärtig infrarote oder rote Laserdioden verwenden, erhöhen.
  • Gegenwärtig leiden II-VI (ZnSe-basierte)-Laserdioden und Leuchtdioden, die auf GaAs-Wafern gezüchtet wurden, an Stapelfehlerdefekten, die an der Grenzfläche zwischen dem III-V-Material und dem II-VI-Material entstehen. Diese Defekte erstrecken sich durch den Laserstapel aufwärts und schneiden den aktiven (lichterzeugenden) Bereich. Dieser Schnitt ist eine Stelle für die Erzeugung von beweglichen Punktdefekten im Material. Diese Defekte erscheinen am Beginn der Lasertätigkeit als ein dunkler Fleck. Während die Lasertätigkeit andauert, wächst der dunkle Fleck zu einer dunklen Linie, die wiederum verursacht, dass sich mehr dunkle Linien bilden, bis die Vorrichtung letztendlich versagt. Da ZnSe eine geringe Stapelfehlerenergie aufweist, ist diese Art von Fehler schwer zu vermeiden.
  • JP-A-8 148 765 betrifft ein Halbleiterleuchtelement, das durch epitaktisches Wachstum der Gruppe-II-VI-Halbleiterschicht auf einem Gruppe-III-V-Halbleitersubstrat gebildet wird. Eine Pufferschicht, die aus GaAs oder dergleichen besteht, wird auf einem aus GaAs oder dergleichen bestehenden Halbleitersubstrat gebildet, und eine II-VI-Halbleiter-Pufferschicht, die Be enthält, wird ebenfalls darauf gebildet. Überdies werden auf dieser Pufferschicht auch eine Überzugsschicht, die aus einem Gruppe-II-VI-Halbleiter, eine optische Führungsschicht, eine aktive Schicht, eine optische Führungsschicht, eine Überzugsschicht und eine Kontaktschicht gebildet.
  • Darüber hinaus wird auf A. V. Ankudinov et al.: "Observation of the ZnSe/GaAs heterojunctions with the BeTe buffer by cross-sectional STM"; Compound Semiconductors 1996, Proceedings of the Twenty-Third International Symposium an Compound Semiconductors, St. Petersburg, RU, 23. bis 27. September 1996, ISBN 0-7503-0452-9, 1997, Bristol, UK, IOP Publishing, UK, Seite 889 bis 892, XP002067765; T. Litz et al.: "Molecular beam epitaxy of Be-related II-VI-compounds", Materials Science and Engineering B, vol. 43, Nr. 1–3, Januar 1997 Seite 83 bis 87, XP004073400; und A. Waag et al.: "Beryllium Chalcogenides for ZnSe-Based Light Emitting Devices", Materials Science and Engineering B, vol. B43, Nr. 1/03, Januar 1997, Seite 65 bis 70, XP000722613 verwiesen.
  • WO-A-97/18592 , die nach Art. 54(3) EPC den Stand der Technik darstellt, offenbart einen opto-elektronischen Bestandteil aus II-VI-Halbleitermaterial. Der Bestandteil weist eine aktive Schicht, eine Sperrschicht und optional eine Pufferschicht auf, wobei mindestens eine davon ein berylliumhaltiges Chalkogenid enthält. Die aktive Schicht weist mehrere Schichten, zum Beispiel ein Supergitter aus BeTe/ZnSe oder BeTe/ZnCdSe, auf.
  • Die Erfindung wird durch die Merkmale der Ansprüche festgelegt.
  • Die vorliegende Erfindung beinhaltet eine II-VI-Halbleitervorrichtung mit einem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten. Der Stapel von II-VI-Halbleiterschichten wird auf einem GaAs-Substrat getragen. Zwischen dem GaAs-Substrat und dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten ist eine BeTe-Pufferschicht bereitgestellt. Die BeTe-Pufferschicht weist eine Dicke von mehr als etwa 8 nm auf, um dadurch Stapelfehlerdefekte an der Grenzfläche zwischen dem GaAs-Substrat und dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten zu verringern.
  • Ein anderer Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung beinhaltet die Herstellung einer II-VI-Halbleitervorrichtung, die eine zwischen dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten und dem GaAs-Substrat angeordnete BeTe-Pufferschicht aufweist. Während der Herstellung wird die BeTe-Pufferschicht bei einer Temperatur, die ausreichend hoch ist, um eine geringe Defektwachstumsauslösung sicherzustellen, zu einer Dicke von 8 nm gezüchtet.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein vereinfachtes Blockdiagramm, das Schichten einer II-VI-Halbleiterlaserdiode nach der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine Darstellung der Defektdichte in Bezug auf die Dicke einer BeTe-Schicht.
  • 3 ist ein vereinfachtes Blockdiagramm, das Schichten einer II-VI-Halbleiterdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, die auf einem GaAs-Substrat vom p-Typ gebildet sind.
  • Der Aufbau einer Laserdiode 10 nach der vorliegenden Erfindung ist in 1 allgemein veranschaulicht. Die Laserdiode 10 ist eine II-VI-Vorrichtung mit breiter Bandlücke, die aus heteroepitaktischen Schichten hergestellt ist, welche durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf einem GaAs-Substrat gezüchtet wurden. Die Laserdiode 10 ist auf einem GaAs-Substrat 12 hergestellt und weist eine untere (erste) bzw. eine obere (zweite) BeZnSe-Lichtführungsschicht 14 bzw. 16 auf, die durch eine aktive CdZnSe-Quantentrogschicht 18 getrennt sind. Die Flächen der Lichtführungsschichten 14 und 16, die zur aktiven Schicht 18 entgegengesetzt sind, sind durch eine untere (erste) BeMgZnSe:Cl- bzw. eine obere (zweite) BeMgZnSe:N-Überzugsschicht 20 bzw. 22 gebunden. Eine untere ZnSe:Cl-Pufferschicht 24 ist an der Fläche der unteren Überzugsschicht 20 angeordnet, die zur Lichtführungsschicht 14 entgegengesetzt ist. Ein oberer ohmscher BeTe:N/ZnSe-Kontakt 34 vom p-Typ ist an der Fläche der oberen Überzugsschicht 22 angeordnet, die zur Lichtführungsschicht 16 entgegengesetzt ist.
  • Eine GaAs-Pufferschicht 28 vom n-Typ trennt das Substrat 12 von der unteren ZnSe:Cl-Pufferschicht 24, um eine hohe kristalline Qualität der nachfolgend gezüchteten Schichten sicherzustellen. Der ohmsche Kontakt 34 vom p-Typ ist durch eine ZnSe:N-Schicht 26, eine ZnSe/BeTe:N-Gradierungsschicht 36 und eine BeTe:N-Schicht 38 gebildet und kann eine ZnTe:N-Verkappungsschicht (nicht gezeigt) aufweisen. Elektroden (nicht gezeigt) sind für den elektrischen Kontakt der Laserdiode 10 bereitgestellt. Die Schichten 20 und 24 sind alle mit Cl n-Typ-dotiert (d. h., sind von einem ersten Leitfähigkeitstyp). Ferner sind die Schichten 22 und 26 mit N p-Typ-dotiert (d. h. sind von einem zweiten Leitfähigkeitstyp). Die aktive Schicht 18 ist eine undotierte Quantentrogschicht aus einem CdZnSe- oder alternativ einem CdZnSSe-Halbleiter. Die Schichten 12 bis 26 und 34 stellen ein Beispiel eines „Stapels von Halbleiterschichten" 40 nach der vorliegenden Erfindung bereit.
  • In 1 ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine BeTe-Pufferschicht 42 gezeigt. Die BeTe-Pufferschicht ist im Allgemeinen in einem Bereich nahe der Grenzfläche zwischen dem GaAs-Substrat 12 und dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten 40 angeordnet, um dadurch Stapelfehlerdefekte in der Laserdiode 10 zu verringern. In einer bevorzugten Ausführungsform weist die BeTe-Pufferschicht 42 eine Dicke von mehr als etwa 8 nm auf. Da die BeTe-Schicht eine viel niedrigere Ionizität aufweist, wurde behauptet, dass sie auch eine höhere Stapelfehlerenergie aufweist. Doch Versuche des Stands der Technik bei der Züchtung von BeTe bei etwa 300°C, der Temperatur, bei der andere II-VI-Schichten gezüchtet werden, führten zu hohen Defektdichten. Daher sollte die Substrattemperatur während der Einleitung des BeTe-Wachstums höher als 300°C sein.
  • In einem Versuch wurden GaAs-Pufferschichten nach bekannten Techniken in einer ersten MBE-Kammer auf GaAs-Substraten gezüchtet. Nach dem Wachstum der Pufferschicht 28 wurde die Substrattemperatur auf 300°C verringert. In der ersten Kammer wurde entweder eine (2 × 4)As-Fläche oder eine c(4 × 4)(As-Überschuss)-Fläche hergestellt, wie durch Reflexionshochenergieelektronenbeugung (RHEED) bewiesen wurde.
  • Das Substrat mit der Pufferschicht 28 wurde dann in eine zweite MBE-Kammer übertragen, die mindestens mit Be-, Te-, Zn- und Se-Quellen ausgerüstet war. Die Substrattemperatur wurde dann über etwa 5 Minuten auf eine Temperatur von ungefähr 520°C erhöht, zu welcher Zeit der As-Überschuss einer c(4 × 4)-Fläche zu desorbieren beginnt und einen (2 × 4)-Flächenaufbau zurücklässt. Wenn in der ersten MBE-Kammer eine (2 × 4)-Fläche hergestellt wurde, wurde keine Veränderung im RHEED-Muster beobachtet. Während die Temperatur nach wie vor zunahm, und als die Qualität des (2 × 4)-RHEED-Musters am besten war (besonders im Fall des c(4 × 4)-Übergangs), wurde das BeTe-Wachstum begonnen.
  • Das BeTe wurde bei einer Temperatur im Bereich von zwischen etwa 580°C und etwa 680°C und mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,25 mm/h zu verschiedenen Dicken gezüchtet. Für die Proben mit 50 nm BeTe wurde die Substrattemperatur nach dem Ablagern des ersten Viertels bis der Hälfte des BeTe-Wachstums verringert, so dass das Wachstum des ZnSe bei einer Substrattemperatur von weniger als 330°C ohne Unterbrechung beginnen konnte. Für alle anderen wurde die Temperatur bis zum Ende des BeTe-Wachstums konstant gehalten, zu welcher Zeit das Substrat für das ZnSe-Wachstum auf weniger als 330°C abgekühlt wurde. Bei jedem Wachstum zeigte die BeTe-Fläche während des Wachstums ein (2 × 1)-Muster, was einen Te-Überschuss-Fluss anzeigt.
  • Es wurden mehrere Proben mit verschiedenen BeTe-Dicken im Bereich von 2 bis 50 nm gezüchtet (es wurde vorher bestimmt, dass die kritische Dicke von BeTe auf GaAs etwa 100 nm beträgt). 2 ist eine Darstellung der Defektdichte in Bezug auf die BeTe-Dicke. Diese Darstellung deutet an, dass eine gewisse Mindestdicke des BeTe nötig ist, um im nachfolgenden II-VI-Wachstum eine geringe Defektdichte zu erzielen.
  • Zusätzlich wurden mehrere Proben durch ein Verfahren gezüchtet, das sich nur in der Art und in der Dauer des anfänglichen Flusses (Be oder Te) vor dem unmittelbar danach stattfindenden Wachstum der 50 nm BeTe unterschied. Proben, die vor dem Wachstum der BeTe-Pufferschicht bei 600°C für 10 Sekunden, oder so kurz wie eine Sekunde (was einer Sub-Monoschicht-Te-Bedeckung entspricht), einem Te-Fluss ausgesetzt worden waren, wiesen Defektdichten auf, die so hoch wie 107/cm2 waren. Proben, die vor dem BeTe-Wachstum für bis zu 3 Sekunden (was einer Be-Bedeckung bis zu einer Monoschicht entspricht) einem Be-Vorfluss ausgesetzt worden waren, wiesen Defektdichten von 103/cm2 oder weniger auf, während Proben mit einer Be-Vor-Aussetzung von 10 Sekunden Defektdichten aufwiesen, die so hoch wie 107/cm2 waren.
  • Im Fall der Te-Vor-Aussetzung können die höchsten Defektdichten der Bildung von Ga2Te3 zugeschrieben werden, das, sehr ähnlich wie Ga2Se3 im Fall eines ZnSe-Wachstums auf GaAs, einen Stapelfehler bilden könnte. Im Fall der Be-Vor-Aussetzung ist die Fläche bis zu einer einzelnen Monoschicht von Be, aber nicht darüber hinaus tolerant. Da Be einen niedrigen Dampfdruck aufweist, wird spekuliert, dass sich auf der GaAs-Fläche Be-Cluster bilden können, wenn mehr als eine Monoschicht abgelagert wird, was zu einer hohen Defektdichte führt. Eine Be-Vor-Aussetzung aus einer einzelnen Monoschicht oder weniger kann insofern vorteilhaft sein, als sie die GaAs-Fläche vor dem Te schützt.
  • Wie oben erwähnt unterschieden sich die 50-nm-BeTe-Proben geringfügig im Ausmaß der Zeit, für die die Substrattemperatur hoch gehalten wurde. Diese Zeit entspricht einem BeTe-Wachstum von 10 nm bis 20 nm. Ein zu baldiges Verringern der Temperatur kann eine Wirkung aufweisen, die einem nicht ausreichenden Wachstum von BeTe am Anfang entspricht.
  • Ein Gesichtspunkt der Erfindung ist eine auf GaAs gezüchtete BeTe-Pufferschicht mit einer Dicke, die größer als ein Mindestwert von etwa 8 nm und geringer als ein Höchstwert von etwa 100 nm ist. In der Erfindung beinhaltet ist eine hohe Substrattemperatur für das BeTe-Wachstum, und die Herstellung der (2 × 4)-GaAs-Fläche vor dem BeTe-Wachstum.
  • BeTe-Puffer mit geringen Defekten, die durch das oben umrissene Verfahren gezüchtet wurden, wurden benutzt, um blau-grüne Laserdioden mit geringen Defekten wie die in 1 gezeigte Diode 10 zu züchten. Zur Einfachheit haben ähnliche Halbleiterschichten in 3 ihre Nummerierung von 1 behalten. In der Ausführungsform von 3 ist neben dem GaAs-Substrat 112 vom p-Typ ein Kontakt 34 vom p-Typ auf der GaAs-Pufferschicht 128 vom p-Typ gebildet. In der Ausführungsform von 3 weist der Kontakt 34 vom p-Typ eine BeTe:N-Pufferschicht 142 nach der vorliegenden Erfindung auf, die auf dem GaAs-Puffer 128 vom p-Typ abgelagert ist. Die BeTe-Pufferschicht 142 wird wie oben beschrieben und zum gleichen Dickenbereich gezüchtet, um dadurch Defekte zu verringern. Es ist zu beachten, dass es für n-Substrat-Laseraufbauten (1) erwünscht ist, die BeTe-Dicke bei einem Mindestwert zu halten, da der Leitungsbandversatz zwischen GaAs und BeTe groß ist ( ~1 eV). Bei Substraten vom n-Typ wird die BeTe-Schicht nur verwendet, um eine geringe Defektdichte zu erzielen, und weist sie eine nachteilige Wirkung auf den Elektronentransport auf. Doch bei GaAs-Substraten vom p-Typ (3) ist ein dickerer BeTe-Puffer annehmbar, da der Valenzbandversatz zwischen GaAs und BeTe klein ist. Dies gestattet dem BeTe, auch die Löcherinjektion zu unterstützen. In jedem Fall sollte die BeTe-Dicke in den oben angegebenen Bereich fallen, um eine geringe Defektdichte sicherzustellen. In einem Versuch unter Verwendung eines BeTe-Puffers von 8 nm, der durch diese Technik gezüchtet wurde, wurden zwei Laser mit einem Substrat vom n-Typ gezüchtet, die Defektdichten von etwa 3000/cm2 aufwiesen. Außerdem wurden auf diesen BeTe-Puffern Einzelschichten aus ZnSe gezüchtet, was zu Defektdichten im ZnSe von weniger als 1000/cm2, und in manchen Fällen von weniger als 500/cm2 führte.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen beschrieben wurde, werden Fachleute erkennen, dass an der Form und an Einzelheiten Veränderungen vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Ansprüche abzuweichen. Wie hierin verwendet beinhaltet „Stapel von II-VI-Halbleiterlasern" jede beliebige Schicht oder Gruppierung von Schichten einschließlich von lichterzeugenden Vorrichtungen, den hierin dargelegten Laserdioden oder anderen Gestaltungen wie etwa Dioden, Vorrichtungen mit einem vom n-Typ ausgehenden Aufbau usw. Halbleitervorrichtungen der Erfindung sind als Laser, Leuchtdioden, Sensoren usw. nützlich. Laser sind in elektronischen Systemen, elektronischen Anzeigen, optischen Datenspeichersystemen, optischen Kommunikationssystemen usw. nützlich.
  • 1
    • 36
    ZnSe/BeTe:N-Gradierung
    (34)
    Kontakt vom p-Typ
    22
    BeMgZnSe:N-Überzug
    16
    BeMgZnSe-Führung
    18
    CdZnSe-Quantentrog
    14
    BeMgZnSe-Führung
    20
    BeMgZnSe:Cl-Überzug
    24
    ZnSe:Cl-Puffer
    42
    BeTe:Cl-Puffer
    28
    GaAs-Puffer vom n-Typ
    12
    GaAs-Substrat vom n-Typ
  • 2
    • Ätzgrubendichte
    [/cm2]
    BeTe-Dicke
    (Angström)
  • 3
    • 20
    BeMgZnSe:Cl-Überzug
    14
    BeMgZnSe-Führung
    18
    CdZnSe-Quantentrog
    16
    BeZnSe-Führung
    22
    BeMgZnSe:N-Überzug
    36
    ZnSe/BeTe:N-Gradierung
    (34)
    Kontakt-vom p-Typ
    142
    BeTe:N-Puffer
    128
    GaAs-Puffer vom p-Typ
    112
    GaAs-Substrat vom p-Typ

Claims (18)

  1. II-VI-Halbleitervorrichtung, mit: einem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten; einem GaAs-Substrat benachbart dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten; und einer BeTe-Pufferschicht zwischen dem GaAs-Substrat und dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten, wobei die BeTe-Pufferschicht eine Dicke von mehr als 8 nm aufweist, um dadurch Stapelfehlerdefekte in einem Bereich nahe einer Grenzfläche zwischen dem GaAs-Substrat und dem Stapel von II-VI-Halbleiterschichten auf eine Dichte von weniger als oder gleich 3000 Stapelfehlern pro Quadratzentimeter zu verringern.
  2. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das GaAs-Substrat vom n-Typ und die BeTe-Pufferschicht vom n-Typ ist.
  3. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei das GaAs-Substrat vom p-Typ und die BeTe-Pufferschicht vom p-Typ ist.
  4. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Stapel von II-VI-Halbleiterschichten eine Laserdiode bildet.
  5. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die BeTe-Pufferschicht eine Dicke von weniger als 100 nm aufweist.
  6. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, aufweisend eine Zwischenschicht zwischen dem GaAs-Substrat und der BeTe-Pufferschicht.
  7. II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Zwischenschicht eine GaAs-Pufferschicht aufweisend.
  8. Optisches Datenspeichersystem, aufweisend eine II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
  9. Elektronisches Anzeigesystem, aufweisend eine II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
  10. Optisches Kommunikationssystem, aufweisend eine II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
  11. Laserpointer, aufweisend eine II-VI-Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1.
  12. Verfahren zur Herstellung einer II-VI-Halbleitervorrichtung, mit den Schritten: Anordnen eines GaAs-Substrats in einer Molekularstrahlepitaxiekammer; Züchten einer BeTe-Pufferschicht in betrieblichem Kontakt mit dem GaAs-Substrat zu einer Dicke von mehr als 8 nm, wobei die Temperatur des Substrats während des Züchtens bei mehr als 300°C gehalten wird; und Züchten nachfolgender Schichten auf der BeTe-Pufferschicht, um einen Stapel von II-VI-Halbleiterschichten einer II-VI-Halbleitervorrichtung zu bilden.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Schritt des Züchtens einer BeTe-Pufferschicht das Züchten einer BeTe-Pufferschicht zu einer Dicke von weniger als 100 nm aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das GaAs-Substrat vom n-Typ ist, und der Schritt des Züchtens einer BeTe-Pufferschicht ein n-Typ-Dotieren der BeTe-Pufferschicht aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das GaAs-Substrat vom p-Typ ist, und der Schritt des Züchtens einer BeTe-Pufferschicht ein p-Typ-Dotieren der BeTe-Pufferschicht aufweist.
  16. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die BeTe-Pufferschicht mit einer Geschwindigkeit von 0,25 mm/h gezüchtet wurde.
  17. Verfahren nach Anspruch 12, aufweisend das Voreinwirken von Be auf das GaAs-Substrat vor dem Schritt des Züchtens der BeTe-Pufferschicht.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Schritt des Bereitstellens einer Be-Voreinwirkung das Züchten einer Be-Schicht auf bis zu eine Monoschicht aufweist.
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