JP2014090220A - 励起蛍光体を有する可視光出力発生用の高効率固体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放射によって励起された蛍光体が可視光を生じる高効率固体発光装置を提供する。
【解決手段】例えば反射体を蛍光体層に隣接して設けて蛍光体を通過する放射の少なくとも一部を反射させ、蛍光体に戻すことによって効率が向上される。反射体は蛍光体が発する可視光の少なくとも一部を反射して指定された光出力の方向に向わせる。他にまたは付加的に、放射源の能動領域の側方縁を可視光発生蛍光体と反射体とで少なくとも部分的に取り囲み得る。これは放射を更に相互作用させ、蛍光体材料を励起して、装置の効率を更に向上する。反射体はまた隣接する発光装置間の光学的、放射漏出を減じ得る。
【選択図】図１

Description

発明の詳細な説明

（背景技術）
本発明は発光装置、特に一種以上の蛍光又は燐光体（以下、便宜上、総称して蛍光体と称す）を励起して光出力を発生するディスプレー用等の発光装置に関する。また、以下の説明においては、蛍光又は燐光物質を便宜上、総称して蛍光物質と称す。

現在市場に出回っている発光装置には多種の形態がある。独創的な発光装置の一つは陰極線管である。この陰極線管はテレビジョン若しくはコンピュータモニターの応用品として長年使用されている。

他の型の発光装置には液晶ディスプレー（ＬＣＤ）がある。一部はその低エネルギー消費と超高真空環境の不要性のために、ＬＣＤは携帯用コンピュータ若しくは腕時計、計算機、計器盤等の特殊目的の応用品において広く使用されている。ＬＣＤの限界は典型的に背面照明あるいは外部照明を要することにある。更に色彩、輝度、コントラストのような幾つかのディスプレー特性が視角に依存する点に存在し得る。

他の型の発光装置はプラズマディスプレー（ＰＤ）である。従来のＰＤ装置には気体プラズマＵＶ源と蛍光体スクリーンが含まれる。気体プラズマＵＶ源は蛍光体スクリーン内の蛍光体を励起し、可視光出力を発生させるために用いる。ＰＤ装置の限界はこの気体プラズマＵＶ源が真空環境と高電圧とを要することである。

他の型の発光装置は電界エミッタディスプレー（ＦＥＤ）である。ＰＤ装置と同様にＦＥＤ装置も蛍光体を励起して可視光の出力を生じる。しかしながらＰＤ装置とは異なったＦＥＤ装置は電界誘導電子の放出を利用する。電子誘導電子の放出は典型的に真空環境内でのみ達成し得る。従ってＰＤ装置と同様にＦＥＤ装置も真空環境を必要とする。

他型式の発光装置にはエレクトロルミネセンス（ＥＬ）装置がある。ＰＤ装置若しくはＦＥＤ装置と同様に、ＥＬ装置も蛍光体を励起して可視光出力を生じるが、ＰＤ装置あるいはＦＥＤ装置とは異なってＥＬ装置は電流の直接注入を用いて蛍光体を励起する。電流の直接注入は真空環境を必要としないが、ＥＬ装置は色彩発光スペクトルが制限される。

改良された発光装置がメンツ他のＷＯ９７／４８１３８に開示されており、メンツ他には蛍光体層にＵＶを放射する固体ＧａＮ基材型ＵＶ発光ダイオード（ＬＥＤ）が提供される。このＵＶ−ＬＥＤは蛍光体層を励起して可視光出力を発生する。上記のメンツ他ではＬＥＤ，ＰＤ，ＦＥＤ，ＥＬ型の各装置を越える多数の利点を有する。第１にメンツ他ではＬＣＤ型装置が必要となるような背面照明あるいは外部照明を必要としない。更にメンツ他ではＰＤ型、ＦＥＤ型の各装置が必要とする真空源ないしは高電圧電力源を必要としない。最終的にメンツ他の蛍光体励起型固体ＧａＮ基材型ＵＶ−ＬＥＤはＥＬ型装置より色彩範囲を広くし得る。

メンツ他では限界がＵＶ放射の相当の部分が可視光に変換されない点である。ある実施形態では大部分のＵＶ放射が蛍光体層に向けられない。これは装置の効率を下げる。また実際上に蛍光体に入るＵＶ放射の一部が蛍光体を通過して他側の外に出る。この通過ＵＶ放射もまた装置の効率を減じる。更に整列させた装置群ではその一つから漏れ出たＵＶ放射が隣の装置の蛍光体に衝突して、隣接の装置には不都合な可視光が発生してしまう。この光学的漏出は多くのディスプレー応用では望ましくない。

（発明の開示）
本発明は蛍光体を励起して可視光出力を発生する更に効率の良い固体発光装置を提供して従来技術の多くの不利点を克服する。これを達成するために本発明は蛍光体層に隣接して反射体を設け蛍光体を通過するＵＶ放射の少なくとも一部を反射させて蛍光体内に戻すことを企図する。反射体はまた蛍光体が発生した可視光の少なくとも一部を所望の可視光出力に向けて反射させる。他の実施形態では反射源を少なくとも部分的に可視光発生蛍光体によって包囲する。この形態は活性領域から発した更なる放射が蛍光体材料に到達してこれと相互作用する。

本発明の図示の実施形態の一では可視光発生蛍光体層を放射源と反射体との間に位置させる。放射源は望ましくは透明な基板上に形成したＵＶ発光ダイオード（ＬＥＤ）である。反射体は蛍光体層の上に位置させ、蛍光体を通過する放射の少なくとも一部を反射させて蛍光体内に戻す。また反射体は蛍光体から発した可視光の少なくとも一部を透明基板に向けて反射させ、視認させる。一部の実施形態では反射体を導電性とし、反射体並びに放射源との連続層の相手側として機能する。

本発明の第２の図示の実施形態では、放射源は可視光発生蛍光体で少なくとも部分的に包囲した活性領域を有する。適切なバイアス下では活性領域は励起放射を可視光発生蛍光体に向けて行う。活性領域は少なくとも一部が可視光発生蛍光体によって外囲されているため、活性領域が発生したより多くの放射を蛍光体材料と相互に作用し、これを励起する。これが発光装置の全効率を上げる補助要素となる。

活性領域を可視光発生蛍光体で外囲することは、放射源が上面と一以上の側壁を持った柱状部を有することになる。活性領域は柱状部分のいずれかに配置される。蛍光体層が次いで柱状部分の一以上の側壁の周りに置かれて、活性領域の周囲の少なくとも一部を取り囲む。反射体は蛍光体層上とその周りに設けられ、装置の効率が向上することを補助する。

上記した可視光発生装置はディスプレー形成のために整列形状で提供されることが企図される。このようなディスプレーでは、各々一以上の励起可能な、可視光発生蛍光体を含む蛍光体セグメント群の列が放射源群の対応列に隣接して位置せしめられる。各放射源は多数の行列接続層を介して個々にアドレスさせることが望ましい。従って放射源は選択した蛍光体セグメントのみに放射を行うよう制御される。行列接続層はまた蛍光体セグメントの各々に隣接する反射体としても作用する。放射源が上面と一以上の側壁を持つ柱状部分を有する実施形態では、反射体が蛍光体層上とその周りとに延びるように構成する。これは１ピクセルに発生したＵＶ放射が隣接するピクセルの蛍光体に衝突しないようにする。

本発明の他の目的と本発明の付随する利点の多くは添付の図面を参照して以下に詳述する説明が進むに従い容易に理解されよう。尚図において同一の番号は同一の部分を示す。

（発明を実施するための最良の形態）
図１は１以上の励起可能で可視光線を発光する蛍光物質を有する固体ＵＶ光発光ダイオード（ＬＥＤ）（ＵＶ・ＬＥＤ）の一部を切り開いて示す斜視図である。ＵＶ・ＬＥＤはＰ−ＡｌＧａＮ層２０、Ｎ−ＡｌＧａＮ層２２及びその間に配設される活性領域２４とで構成される。活性領域２４は以下に詳述するが、ＧａＮ・ＡａｌＧａＮダブルヘテロ構造体あるいは複数の量子井戸を含む。ＵＶ・ＬＥＤは好ましくはサファイア等から作られた透明な基板２６上に成長される。好ましい実施形態においてＮ−ＡｌＧａＮ層２２、活性領域２４、ビアＰ−ＡｌＧａＮ層２０の一部はエッチングされて除去され、側壁３４Ａ、３４Ｂが形成される。

蛍光物質被覆３０がＵＶ・ＬＥＤの上面３２上に与えられ、側壁３４Ａ、３４Ｂも被覆される。ＵＶ光線により励起されると、蛍光物質被覆は好ましくは赤、緑、青の色を有する可視光線を発光する。次に金属反射体３６が図示のように蛍光物質被覆３０の上部に設けられ、好ましくは蛍光物質被覆３０の側部に沿って設けられる。反射体の側部３７Ａ、３７Ｂにより、アレイ内の隣接するピクセル間が光学的に遮断される。

反射体３６は蛍光物質被覆３０を通過し蛍光物質被覆３０内に逆に戻るＵＶ光線の少なくとも一部を反射する。反射体３６はまた蛍光物質被覆３０から発光された可視光線の少なくとも一部を観察用に透明基板２６へと反射する。従って反射体３６により装置の効率が増加される。

反射体により与えられる蛍光物質効率が増加されることにより薄い蛍光物質層が使用でき、このため蒸着プロセスを簡略化しパターン化された蛍光物質の構造全体にわたり次の層をパターン化することにより製造コストが低減できる。また反射体により与えられる効率が増加されるので、効率の悪い蛍光物質も使用できる。効率の悪い蛍光物質はコストが安く、良いスペクトル特性が得られる。反射体により可能な効率向上のため、別のＵＶ光線発光材料も使用できる。この別のＵＶ光線発光材料はその強度は低くＵＶ光線のフォトンも低いが、製造コストは安価になる。最後に反射体を用いて蛍光物質を密封し大気劣化に敏感な蛍光物質も使用できるものと考え得る。

ＵＶミラー４６は活性領域２４の下部に設けることができるものと考えられる。ＵＶミラー４６は可視光線が透明基板２６を通過できるが活性領域２４から発光されたＵＶ光線を反射するように調整可能である。従ってＵＶ光線はＵＶミラー４６と反射体３６との間に効果的に捕握される。この結果ＵＶ光線の大半が最終的に蛍光物質被覆と作用し可視光線を発生する。図６に関連して詳しく説明するが、ＵミラーとしてがＰ−Ｎ接合形成の前に成長された多くのＧａＮ・ＡｌＧａＮ１・４波スタックで構成される分布型ブラッグレフレクタ（ＤＢＲ）が援用できるものと考えられる。

装置の全体サイズを減少するため反射体３６は導電性にされ、ＵＶ・ＬＥＤの少なくとも一の端子に対し電気的に接続される。反射体３６がＵＶ光線及び可視光線の大半を反射するアルミニウムから作られ、また導電性であることが考えられる。図示の実施形態では反射体３６はＰオーミックコンタクト３８を介しＰ−ＡｌＧａＮ層（第１のコンタクト領域）に対し電気的に接続するように機能する。従って反射体３６は一方の方向（縦）のバスラインとして機能する。他方の方向（横）のバスラインはＵＶ・ＬＥＤのＵＶ・ＬＥＤ上部の反射体３６と重なるように示す金属ストリップ４０により与えられる。Ｎ−オーミックコンタクト５０が蛍光物質被覆３０及び反射体３６を含まない会報領域内のＮ−ＡｌＧａＮ層２２の上面上に与えられる。金属ストリップ４０はＮ−オーミックコンタクト５０を介しＮ−Ａ１ＧａＮ層（第２のコンタクト領域）に対し連結するように機能する。第１及び第２の金属層３６、４０は絶縁層４２（例えばＳｉＯ２ ）により分離されている。

図２はＵＶ・ＬＥＤ装置のアレイ状に連結されたピクセルを示す。このアレイには蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃが含まれ、それぞれ１以上の励起可能で可視光線を発光する蛍光物質を有する。蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０ＣからなるアレイはＵＶ・ＬＥＤ光源６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃからなる対応するアレイに隣接して配置される。ＵＶ・ＬＥＤ光源６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃは対応する蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃに対し選択的に放射線を与えそれから発光される可視光線を励起可能に設けられる。

各ＵＶ・ＬＥＤ光源６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃは第１のコンタクト領域及び第２のコンタクト領域を有する。多くの横コンタクト層６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃが与えられ、この場合各横コンタクト層によりアレイの対応する横と連係する放射線光源の第１のコンタクト領域６５Ａ、６４Ｂが電気的に接続される。同様に多くの縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃが与えられ、この場合各縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃが相当する縦と連係する放射線光源の蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃの少なくとも一部に対し設けられる。また縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃにより、相当する縦と連係する各放射線光源の第１のコンタクト領域６８Ａ、６８Ｂが電気的に接続される。上述したように縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃは反射性であり、対応する蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃから出て蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ内に戻るＵＶ光線ないしは可視光線の少なくとも一部を反射すると考えられる。

上述から蛍光物質セグメント６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃは長さ及び幅を有する長い蛍光物質ストリップであり、この場合その長さはアレイの共通する縦と連係する放射線装置と整合される。あるいは蛍光物質ストリップは図１及び図２に示すように個々の蛍光物質セグメントにできる。

同様に縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃは長さ及び幅を有する長手ストリップであり、この場合その長さはアレイの共通する縦と連係する放射線装置と整合される。あるいは縦コンタクト層６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃは多くの個々のコンタクトセグメントを含むと考えられる。最終的に横コンタクト層６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃは長さ及び幅を有する長手ストリップであり、この場合その長さはアレイの共通の横連係する放射線装置と整合される。あるいは横コンタクト層６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃは多くの個々のコンタクトセグメントを含むと考えられる。

表示装置を形成するため各横コンタクト層６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃは異なる色の可視光線を発生する蛍光物質を含みことができる。即ち第１の横列６４ＡのＵＶ・ＬＥＤは赤い可視光線を発生する。第２の横列６４ＢのＵＶ・ＬＥＤの蛍光物質層６０Ｂは緑の可視光線を発する。最後に、ＵＶ・ＬＥＤの第３の横列６４Ｃの蛍光物質層６０Ｃは青の可視光線を発する。従ってこれにより得られる表示装置の色はアレイの好適なＵＶ・ＬＥＤをオンすることにより制御可能に設けられている。

図３は別の固形ＵＶ光線発光装置の一部切断した斜視図を示し、この場合ＵＶ・ＬＥＤの活性領域は１以上の励起可能な可視光線を発光する蛍光物質により横方向に外囲されて効率が増大されている。本実施形態の場合放射線光源は可視光線を発光する蛍光物質８２により外囲される活性領域８０を有する。活性領域８０は適切にバイアスが与えられると、可視光線を発光する蛍光物質８２に対し励起光線を与える。活性領域８０は可視光線を発光する蛍光物質８２により実質的に外囲されているので、放射線の大部分が蛍光物質８２と相互作用し蛍光物質８２を励起する。これにより装置の効率がより向上される。

放射線光源好ましくは上面８４及び１以上の側壁８６Ａ、８６Ｂを有する縦形状部分を有する。活性領域８０は好ましくは図示のように縦形状部分内に配置される。Ｎ−ＡｌＧａＮ層８１は縦形状部分内に延びる上部と１以上の側壁８６Ａ、８６Ｂから横へ向って外側に延びる底部とを有する。活性領域８０の上部にはＰ−ＡｌＧａＮ層８７及びＰ−オーミックコンタクト領域１０４が設けられる。

図示の実施形態の場合蛍光物質層８２が放射線光源の縦形状部分の１以上の側壁８６Ａ、８６Ｂの周囲に設けられ、これにより活性領域８０の少なくとも円周部が実質的に外囲される。本構成の場合活性領域８０により発光されるＵＶ光線の少量のみが蛍光物質層８２へ配向されない。この浪費光線は光コーン９０Ａ、９０Ｂにより示される。光コーン９０Ａ、９０Ｂは比較的狭いので、発光装置の効率は増大される。

反射体９２が蛍光物質層８２に対し設けられて発光装置の効率を更に増加することも考慮される。反射体９２は上面９４に亙り、且つ蛍光物質層８２の側壁９６Ａ、９６Ｂの少なくとも一部に亙って延びることが好ましい。反射体９２は導電性にされ、Ｐ−ＧａＮオーミックコンタクト１０４を介しＰ−ＡｌＧａＮ層８７と電気的に接続される。絶縁層９８により反射体９２が下部のＮ−ＡｌＧａＮ層８１から絶縁される。

図３に示す実施形態は特に極めて小さなピクセル次元用途に適している。即ちＵＶ・ＬＥＤが狭い縦形状であるので、各ピクセルの横寸法が減少される。一方Ｐ−Ｎ接合が蛍光物質によりほとんど完全に外囲されるので、このＵＶ・ＬＥＤも効果的に蛍光物質のポンピング動作を生じさせることができる。この効率は上述したように縦バスラインとしても機能できる金属反射体により更に向上される。各ピクセルのサイズを更に一層減少するため、Ｎ−ＡｌＧａＮあるいはＮ−ＧａＮの下部層８１が高くドーピングされて十分に導電性にされ、他方の方向（即ち横方向）のバスラインとして使用される。

図４及び図５は図１〜図３に示す実施形態に関連して使用可能な固形ＵＶ・ＬＥＤ装置を示す。図４は単一の量子井戸を有するＵＶ・ＬＥＤ装置の簡略図を示す。図示のＵＶ・ＬＥＤ装置は下部のＮ−ＡｌＧａＮ層１１０、上部のＰ−ＡｌＧａＮ層１１２、及びその間に配置される単一のＧａＮ量子井戸層１１４を含む。下部のＮ−ＡｌＧａＮ層１１０は０％より大きく５０％未満のＡｌモル分率を有することが好ましい。上部のＰ−ＡｌＧａＮ層１１２は０％より大きく２０％未満のＡｌモル分率を有することが好ましい。単一量子井戸は好ましくはＧａＮ量子井戸であり、その厚さは２０オングストローム〜２００オングストロームである。所望の波長により、ＧａＮ量子井戸材料をＩｎＧａＮと交換することが望ましい。単一量子井戸もまた２０オングストローム〜２００オングストローム間の厚さを有する。

最終的に、Ｐ−ＡｌＧａＮ層１１２に対し低抵抗のコンタクトを与えるために、Ｐ−ＧａＮオーミックコンタクト層１１６が設けられる。同様にＮ−ＡｌＧａＮ層１１０に対し低抵抗のコンタクトを与えるためにＮ−ＧａＮオーミックコンタクト層が設けられる（図示せず）。

図５は複数の量子井戸を有する別のＵＶ・ＬＥＤ装置の簡略図を示す。本実施形態の場合下部のＮ−ＡｌＧａＮ層１２０は０％より大きく５０％未満のＡｌモル分率を有する。上部のＰ−ＡｌＧａＮ層１２２は０％より大きく３０％未満のＡｌモル分率を有する。複数のＧａＮ量子井戸１２４はそれぞれ２０オングストローム〜２００オングストロームの間の厚さを有し、０％より大きく５０％未満のＡｌモル分率を有するＡｌＧａＮバリア層１２６により分離されている。所望の波長によりＧａＮ量子井戸材料及びＡｌＧａＮバリア層をそれぞれＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮと置換することが好ましい。ＩｎＧａＮ量子井戸はそれぞれ０％より大きく１０％未満のＡｌモル分率を有し、厚さが２０オングストローム〜２００オングストローム間である。ＩｎＧａＮバリア層は０％以上且つＩｎＧａＮ量子井戸のモル分率未満のＩｎモル分率を有する。

図６はＵＶミラーを示す簡略図である。図示のＵＶミラーは図１〜図３に沿って説明した実施形態と関連して使用可能である。ＵＶミラーは交互するＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のスタックを含みそれぞれの層はＵＶ・ＬＥＤ発光のピーク波長の１／４の光学波長を有することが好ましい。これによりＵＶミラーはＵＶ光線を反射するが蛍光物質から発光する可視光線を相対的に通過させる。図示の実施形態の場合λはＵＶ・ＬＥＤピーク波長であり、ｎ１ はＡｌＧａＮの屈折率であり、ｎ２ は波長λでのＧａＮの屈折率である。

本発明の好ましい実施形態を上述したが、ここに添付の請求項の範囲内の他の実施形態に応用可能であることは当業者に容易に理解されよう。

図１は本発明に従う一以上の励起可能な、可視光発生蛍光体を有する固体ＵＶ発光装置の一部を切り開いて示す斜視図である。 図２は図１の固体ＵＶ発光装置を列状にしたものを一部を切り開いて示す斜視図である。 図３は効率向上のために一以上の可視光発生蛍光体で側方を外囲するＵＶ・ＬＥＤの活性領域を有する他の固体ＵＶ発光装置を一部を切り開いて示す斜視図である。 図４は単独の量子源を有するＵＶ・ＬＥＤ装置の一例を略図的に示す図である。 図５は多数の量子源を有するＵＶ・ＬＥＤ装置の他の実施形態を略図的に示す図である。 図６はＵＶミラーの一形態を簡略に示す図である。

Claims (12)

1. 発光装置であって、
   第１の接触領域（２０）と、第２の接触領域（２２）と、前記第１の接触領域（２０）と第２の接触領域（２２）との間にあり、前記第１の接触領域（２０）と第２の接触領域（２２）との間に電圧が印加されることにより放射を提供する活性領域（２４）とを有する放射源であって、前記放射源は、上面と、底面と、上面及び底面に隣接する１又は複数の側壁とを有し、前記第１の接触領域（２０）、前記第２の接触領域（２２）及び前記活性領域（２４）は、前記上面と前記底面との間に配置される前記放射源と、
   前記放射源の上面又は底面上に設けられ、かつ、前記放射源の１又は複数の側壁の少なくとも一部を取り囲む蛍光体材料であって、放射によって励起された時に可視光を生成可能な前記蛍光体材料と、
   前記放射源の上面に設けられるとともに、前記第１の接触領域（２０）に電気的に接続された第１の接触層（３６）であって、前記放射源からの放射及び前記可視光を反射する反射器として機能するように構成された面を有し、該面は、前記放射の少なくとも一部及び前記可視光の少なくとも一部を、前記放射源の底面に向けるように構成されている前記第１の接触層（３６）と、を備え、
   前記可視光の出力が前記放射源の底面から取り出されることを特徴とする、発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、前記活性領域（２４）は、ＧａＮ｜ＡｌＧａＮ多重量子井戸、ＧａＮ｜ＡｌＧａＮダブルへテロ構造およびＧａＮ量子井戸層からなるグループから選択される構造を有する、発光装置。
3. 請求項１に記載の発光装置において、前記第１の接触層はアルミニウムを含む、発光装置。
4. 請求項１に記載の発光装置において、前記第１の接触層（３６）と前記第１の接触領域（２０）とを電気的に連結する第１のオーミックコンタクト（３８）を更に備える、発光装置。
5. 請求項１に記載の発光装置において、前記第２の接触領域（２２）に電気的に接続される第２の接触層（４０）を更に備える、発光装置。
6. 請求項１に記載の発光装置において、前記活性領域（２４）に隣接して設けられたミラー（４６）を更に備え、該ミラーは、前記蛍光体材料からの可視光を通過させると共に、前記活性領域（２４）により放出される放射を反射する、発光装置。
7. 請求項６に記載の発光装置において、前記ミラー（４６）は、交互するＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層のスタックから形成された分布型ブラッグ反射器であり、各層が、ＵＶ・ＬＥＤ放射のピーク波長の４分の１の光学長を有し、また、Ｐ−Ｎ接合の形成前に成長される層である、発光装置。
8. 請求項１に記載の発光装置において、前記放射源を成長させる基板を更に有する、発光装置。
9. 請求項８に記載の発光装置において、前記基板はサファイアを含む、発光装置。
10. 請求項１に記載の発光装置において、前記蛍光体材料は、前記放射源の前記上面に設けられる、発光装置。
11. 請求項１に記載の発光装置において、前記蛍光体材料は蛍光体層を形成する、発光装置。
12. 請求項１に記載の発光装置において、前記第１の接触層（３６）の前記面は、前記蛍光体材料からの可視光を、所望の可視光出力に向けて反射する、発光装置。