JP2002319705A

JP2002319705A - Ｌｅｄ装置

Info

Publication number: JP2002319705A
Application number: JP2001124556A
Authority: JP
Inventors: Takuma Hashimoto; 拓磨橋本; Masaru Sugimoto; 勝杉本; Hideyoshi Kimura; 秀吉木村; Eiji Shiohama; 英二塩浜; Kazunari Kuzuhara; 一功葛原; Shigenari Takami; 茂成高見
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2001-04-23
Filing date: 2001-04-23
Publication date: 2002-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】発光面の輝度の均一化と内部量子効率の向上を
図り、更にＬＥＤチップからの光取り出し効率を向上さ
せたＬＥＤ装置を提供することにある。【解決手段】ｐ側電極７、ｎ側電極６はＬＥＤチップ１
の半導体層形成側チップ面内において交互に略等間隔に
配列した並行な直線部を有した電極６，７で並行電極部
を構成し、同じ半導体層側に属する電極６，６同士及び
７，７同士は、ＬＥＤチップ１上に設けた導電部１３，
１４によりそれぞれ電気的に接続され、ＬＥＤチップ１
上の対向する１組の隅部に位置する電極６，７の端部に
形成した給電部１５，１６により給電するされるように
なっており、各電極６，７及び給電部１５，１６を例え
ばＡｌ蒸着により形成している。そして幅広な電極６，
７を形成することで各電極６，７が半導体層形成側チッ
プ面から放射される光の光反射部として機能することに
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透光性基板の結晶
上にｐ型半導体層、ｎ型半導体層及び発光層を形成し、
フェースダウン状態で実装基板に実装するＬＥＤチップ
を用いたＬＥＤ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば窒化ガリウム系（ＩｎＧａ
Ｎなど）の化合物半導体ＬＥＤチップは一般的に次のよ
うな構造をしている。つまり透光性サファイア基板上に
窒化ガリウムのバッファ層を形成し、その上にｎ型窒化
ガリウム層（以下ｎ型半導体層と言う）、更にその上に
多層の量子井戸構造層（発光層を含む）を順次形成し、
また更にその上にｐ型窒化ガリウム層（ｐ型半導体層と
言う）を形成してＬＥＤチップを構成してある。場合に
よっては更にまたその上に光取り出し率向上のためのキ
ャップ層が形成されることがある。

【０００３】基板として用いるサファイアは導電性がな
いため、ｐ型半導体層と発光層の一部をエッチング除去
し、ｎ型半導体層を露出させてその上にｎ型半導体層に
対応するｎ側の電極を形成している。従って、窒化ガリ
ウム系ＬＥＤチップは半導体層形成面側にｎ，ｐの二種
類の電極が存在している構造が一般的である。

【０００４】電極としては、ワイヤボンディングに適し
た面積を持った丸若しくは四角の形状で、ｐ，ｎの各側
に電極をそれぞれ１つずつ形成するのが通常である。

【０００５】また、一般的な窒化ガリウム系ＬＥＤチッ
プは一辺が３００μｍで、厚さが７０μｍのチップサイ
ズに形成されており、チップ自身の面積は従来のＬＥＤ
チップと同様に小型である。

【０００６】上述のように構成された窒化ガリウム系Ｌ
ＥＤチップを光源装置に実装する場合は、ＬＥＤチップ
の半導体層形成面を光源装置の実装基板とは逆の方向に
向けて、フェースアップでダイボンディングを行った後
にワイヤボンディングによってｐ，ｎ、それぞれの電極
と光源装置の実装基板に接続している。

【０００７】この実装形態において、ＬＥＤチップの発
熱部は窒化ガリウム層からなる半導体層であり、熱はサ
ファイヤからなる基板を通じて外部へと放出される。

【０００８】一方ＬＥＤチップ製造工程においては強度
の関係からより厚いサファイア基板を用いて窒化ガリウ
ム層（半導体層）を形成しているが、放熱を良くするた
めにＬＥＤチップを個々に切り出す前の段階において、
サファイヤ基板のバックポリッシュ（裏面研磨）を行
い、７０μｍの厚さにまで削っている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで従来のＬＥＤ
チップ電極構造では、ｐ側、ｎ側の電極が１組のみであ
るため、ＬＥＤチップ面内において十分に電流が流れて
発光するのはｐ側，ｎ側の電極の間にある範囲のみであ
った。

【００１０】これらの電極の間より外れた部分では電流
量が少なく、その分発光輝度も小さくなっていた。

【００１１】従来のように３００μｍ角の小型ＬＥＤチ
ップの場合は、電極面積に対する発光部面積比が小さい
ため、このＬＥＤチップの面内発光輝度むら（電流む
ら）は、さほど大きな問題とはならなかった。

【００１２】しかしながら、光源装置の大出力化の方法
の一つとして、ＬＥＤチップの面積を大きくし、チップ
面積に相当した大電流（電流密度は従来と同じ）での発
光駆動を検討する場合、電極面積に対して発光部面積比
が大きくなるため、ＬＥＤチップ面内の電流むらが大き
くなり、ひいては面内発光輝度むらが著しくなると言う
問題が生じる。

【００１３】更に、面内電流むらが生じている状態で大
電流を流した場合、電流量が大きい部分では劣化が早く
進んでいく。そしてチップ面内で最も発光に寄与してい
る部分がより早く劣化するため、すなわちＬＥＤチップ
全体の劣化が進むということになる。逆に劣化を抑える
ためには、電流量が大きい部分の電流密度が定格値を超
えないようにトータルの電流量を抑えれば良い。しかし
ながら、ＬＥＤチップのその他の部分の電流量は定格以
下となり発光量が低くなる。その結果ＬＥＤチップ全体
としての出力が低くなるという問題があった。

【００１４】本発明は上記問題を鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、発光面の輝度の均一化
を図るとともに内部量子効率の向上を図り、更にＬＥＤ
チップからの光取り出し効率（外部量子効率）を向上さ
せたＬＥＤ装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、透光性基板上に形成されたｐ
形半導体層とｎ形半導体層の各々に接続する電極を半導
体層側のチップ面に設け、フェースダウンの状態で実装
基板に対して実装される１つのＬＥＤチップの発光面全
体を略均一に点灯させるように発光部位を形成するとと
もに、上記チップ面若しくは実装状態のＬＥＤチップに
近接する領域に、発光による光を光取り出し方向に反射
する光反射部を設けたことを特徴とする。

【００１６】請求項２の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記チップ面に設けた少なくとも片方側の電極
で、上記光反射部を構成したことを特徴とする。

【００１７】請求項３の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記チップ面に上記光反射部として機能する薄膜
を形成したことを特徴とする。

【００１８】請求項４の発明では、請求項３の発明にお
いて、上記薄膜として、金属膜を用いたことを特徴とす
る。

【００１９】請求項５の発明では、請求項３の発明にお
いて、上記薄膜として、多層膜を用いたことを特徴とす
る。

【００２０】請求項６の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップと上記実装基板との間に上記光
反射部として機能する充填材を充填したことを特徴とす
る。

【００２１】請求項７の発明では、請求項６の発明にお
いて、上記充填材として、銀ペースト若しくは半田を用
いたことを特徴とする。

【００２２】請求項８の発明では、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板の部位
に上記光反射部を設けたことを特徴とする。

【００２３】請求項９の発明では、請求項８の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板表面を
鏡面に形成して上記光反射部としたことを特徴とする。

【００２４】請求項１０の発明では、請求項８の発明に
おいて、上記実装基板を、上記光反射部として機能する
金属で形成したことを特徴とする。

【００２５】請求項１１の発明では、請求項８の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板上の
導電部を上記光反射部として用いたことを特徴とする。

【００２６】請求項１２の発明では、請求項１の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側チップ
面内において、ｐ側電極と、ｎ側電極とを並行配列して
形成した並行電極部をｐ側電極とｎ極側電極とが交互と
なるように複数並行配置したことを特徴とする。

【００２７】請求項１３の発明では、請求項１２の発明
において、上記ＬＥＤチップでは、各上記並行電極部が
略等間隔に配置されていることを特徴とする。

【００２８】請求項１４の発明では、請求項１２の発明
において、上記各並行電極部を構成する一方側の電極
が、上記並行電極部同士間においてチップ面上で電気的
に接続されていないことを特徴とする。

【００２９】請求項１５の発明では、請求項１２の発明
において、並行に相隣接する２つの電極の主幹部の対向
縁より対向方向に且つ互いに並行となるように枝部を延
出形成したことを特徴とする。

【００３０】請求項１６の発明では、請求項１２の発明
において、ｎ側、ｐ側の２つの電極を、上記ＬＥＤチッ
プの中心から周縁部に向かう方向で渦巻き状に配列する
ことで、中心から周縁方向に並行電極部を複数形成した
ことを特徴とする。

【００３１】請求項１７の発明では、請求項１の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップでは、ｐ型半導体層及びｎ型
半導体層の各々に電極を複数個設置したことを特徴とす
る。

【００３２】請求項１８の発明では、請求項１７の発明
において、異なる半導体層に対応する電極に対する距離
を、同じ半導体層に対応する電極に対する距離よりも近
距離に配置したことを特徴とする。

【００３３】請求項１９の発明では、請求項１８の発明
において、上記両極の電極を略同一距離で交互に配置し
たことを特徴とする。

【００３４】請求項２０の発明では、請求項１の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側のチッ
プ面を一方側の電極によって複数の領域に分けるととも
に、各領域内に他方側の電極を各別に配置したことを特
徴とする。

【００３５】請求項２１の発明では、請求項２０の発明
において、上記一方側の電極が、複数個ある上記他方側
の電極を取り囲んでいることを特徴とする。

【００３６】請求項２２の発明では、請求項２０の発明
において、上記複数個ある一方側の電極が、それらの周
囲に存在する他方側の電極の直線部位の何れかに並行な
電極部分を有することを特徴とする。

【００３７】請求項２３の発明では、請求項１の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップでは、一方側の電極を半導体
層形成側のチップ面の略中心に配置し、該一方側の電極
の周囲に他方側の電極を配置したことを特徴とする。

【００３８】請求項２４の発明では、請求項２３の発明
において、一方側の電極と、他方側の電極とが交互に取
り囲むようにｎ側の電極とｐ側の電極とを配置したこと
を特徴とする。

【００３９】請求項２５の発明では、請求項２４の発明
において、交互に取り囲む上記電極間の距離を略等間隔
としたことを特徴とする。

【００４０】請求項２６の発明では、請求項２４又は２
５の発明において、上記異なる極の電極が交互に取リ囲
む電極の配置構成が同心円状であることを特徴とする。

【００４１】請求項２７の発明では、請求項２４又は２
５の発明において、上記異なる電極を、半導体層形成側
のチップ面の外周形状と略相似形状にて形成したことを
特徴とする。

【００４２】請求項２８の発明では、請求項１２又は請
求項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明におい
て、ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上
記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面から見て略
線対称軸を持つことを特徴とする。

【００４３】請求項２９の発明では、請求項１２又は請
求項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明におい
て、ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上
記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面に垂直な２
以上の整数倍回の回転対称軸を持つことを特徴とする。

【００４４】請求項３０の発明では、請求項１２又は請
求項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明におい
て、ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上
記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面に垂直な２
以上の整数倍回の回転対称軸を持つ且つ、２以上の整数
倍個の異なる略線対称軸を持つことを特徴とする。

【００４５】請求項３１の発明では、請求項１２又は請
求項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明におい
て、上記各電極を個別に制御するための給電部を上記Ｌ
ＥＤチップに設けたことを特徴とする。

【００４６】

【発明の実施の形態】まず本発明のＬＥＤ装置を構成す
るフェースダウン構成のＬＥＤチップについて図３４に
より説明する。

【００４７】この図３４（ａ）（ｂ）に示すようにＬＥ
Ｄチップ１は、サファイヤからなる透光性基板２上にバ
ッファ層（図示せず）を介してｎ型ＧａＮ層からなるｎ
型半導体層３、クラッド層（図示せず）、発光層４、ク
ラッド層（図示せず）、ｐ型ＧａＮ層からｐ型半導体層
５の順に層を形成した窒化ガリウム系化合物半導体によ
り構成される。

【００４８】但し、半導体の種類としては、特に上記の
窒化ガリウム系化合物半導体に限定するものではなく、
基板結晶が透光性のものであれば、他の半導体であって
も良い。そして各半導体層３，５上にｎ側電極６，ｐ側
電極７を形成して、図３４（ｃ）に示すように半導体層
３，５形成側チップ面を実装基板８側に向けて配置する
とともに実装基板８とｐ型半導体層５との間に充填材１
１を充填し、各電極６，７を半田からなるバンプ９、９
により実装基板８側の導電部たる導電体１０に半田付け
し、透光性基板２側を発光面側とした所謂フェースダウ
ンによる実装構成を採用したものであり、例えば図３５
に示すように近紫外線により励起されて黄色を発光する
蛍光体層１２内にＬＥＤチップ１を配置することでＬＥ
Ｄチップ１から発光する青色の光と、蛍光体層１２から
の黄色光とで白色の光源装置を構成する。

【００４９】本発明のＬＥＤ装置はこのようなフェース
ダウン構成を採用したＬＥＤチップ１を用いたことを前
提とするもので、以下本発明を実施形態により説明す
る。（実施形態１）本実施形態は、本発明の請求項１又は請
求項２又は請求項１２又は請求項１３に対応する実施形
態であって、図１に本実施形態の要部の断面図を、図２
に電極配置例を示している。尚図１では図３４における
構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付している。

【００５０】本実施形態のｐ側電極７、ｎ側電極６はＬ
ＥＤチップ１の半導体層形成側チップ面（半導体活性
面）内において交互に略等間隔に配列した並行な直線部
を有した電極６，７で並行電極部を構成し、同じ半導体
層側に属する電極６，６同士及び７，７同士は、ＬＥＤ
チップ１上に設けた導電部１３，１４によりそれぞれ電
気的に接続され、ＬＥＤチップ１上の対向する１組の隅
部に位置する電極６，７の端部に形成した給電部１５，
１６により給電するされるようになっており、各電極
６，７及び給電部１５，１６を例えばＡｌ蒸着により形
成している。

【００５１】そしてＬＥＤチップ１の半導体層形成側の
チップ面の全領域に亘るように幅広な電極６，７を形成
することで各電極６，７が半導体層形成側チップ面から
放射される光の光反射部として機能することになる。

【００５２】而して給電部１５，１６に通電してＬＥＤ
チップ１を点灯させると、平行に対向する直線状の各電
極６，７間の領域で発光する発光部位が形成されること
になり、その結果１チップ内に複数の発光部位からなる
多点灯部が形成され、ＬＥＤチップ１の発光面をほぼ均
一な輝度で発光することが確認できた。

【００５３】そして実装基板１０側に放射される光は、
電極６，７により透光性基板１側、つまり光取り出し方
向に反射されることになって光取り出し効率が向上し、
ＬＥＤチップ１としての発光効率が高くなる。

【００５４】なお、上述の光反射部の有無による発光効
率を確認するために、一方の電極を同じ形状の透明電極
により形成し、この透明電極の端部にＡｌ蒸着により給
電部を形成して同様に点灯させてみたところ、透明電極
でない電極を用いた本実施形態のＬＥＤチップ１の発光
効率の方が高いことが確認できた。

【００５５】図２の例では直線的な電極６，７を平行配
置して並行電極部を構成しているが、電極６，７の形状
及び配置構成は図２の例に限定されるものではない。

【００５６】以下に電極構成のその他の実施例について
説明する。

【００５７】図３で示す実施例は、並行電極部を波状の
曲線形状の電極６，７により構成しており、本実施例で
も上述のような多点灯部が形成されるのを確認すること
ができた。

【００５８】図４で示す実施例は、Ｌ字型に屈曲した電
極６，７を平行配置して並行電極部を構成しており、本
実施例でも上述のような多点灯部が形成されるのを確認
することができた。

【００５９】図５で示す実施例は、図２の電極配置構成
と同様に直線的な電極６、７を等間隔で交互に並行配置
して構成しており、本実施例の場合、同じ半導体層側に
属する電極６，６同士、７，７同士を電気的に接続する
導電部をＬＥＤチップ１上に設けておらず、各電極６，
７…に対応して個別に給電部１５，１６を設けてある。

【００６０】この電極構成のＬＥＤチップ１を点灯させ
た場合、電極同士を電気的に接続する導電部がＬＥＤチ
ップ１上にないことにより、互いに平行（並行）でない
導電（電極）部分の割合が下がるために、各発光部位の
発光にむらがなくなり、実施形態１に比べてさらに発光
面全体を均一に発光を発光させることができることにな
る。

【００６１】尚直線状の電極６，７を用いる代わりに、
曲線でもよく或いは図６に示すようなＬ字型に屈曲して
いる電極６，７を用いても同様の均一な発光が得られ
る。

【００６２】図７で示し実施例は、図２の電極配置構成
に加えて、各電極６，７の主幹部たる部分から平行（並
行））する電極６，７に対して対向する方向に枝部を一
体形成するとともに、平行（並行））する電極６，７の
枝部同士が互いに平行（並行）となるように設置したも
のである。本実施例では、図２の電極配置の場合に比べ
て、対向する電極６，７間の距離が短かく、且つ、対向
して存在する電極６，７の、発光面全体に占める密度が
大きいために、ＬＥＤチップ１を点灯させた場合高い密
度で発光部位ができる多点灯部が形成され、その結果発
光面全体がさらに均一に発光することになる。

【００６３】図８で示す実施例は、対の電極６，７をＬ
ＥＤチップ１の中心から並行する状態で周縁部に向かう
ように渦巻き状に配置形成して中心から周縁部にかけて
並行電極部を複数形成したものであり、渦巻き状に配置
することで、互いに並行（並行）でない電極部分の割合
が小さいために、図２の例よりもさらに発光面全体が均
一に発光させることができる。渦巻きの形状は、特に曲
線に限定するものではなく、図９のような直線であって
もよい。

【００６４】図１０で示し実施例は、透光性基板１の結
晶上に形成されたｐ型半導体層３とｎ型半導体層５の各
々に接続する電極７，６の内、直線状の電極７を、四角
いチップ上面の対角部を結ぶように配置することによっ
てチップ面を２つの領域に分け、各領域内に２個あるｎ
側の電極６が、各別に配置してある。本実施例によるＬ
ＥＤチップ１を点灯させたところ、図３４に示す従来の
ＬＥＤチップ１に比べて、電極６，７が対向する部分が
多いため、発光面全体が均一に発光する。

【００６５】図１０の実施例では、ｐ側の電極７が直線
状であったが、特に電極の形状は直線状に限定するもの
ではなく、例えばＳ字のような曲線形状であっても同様
の効果が得られる。

【００６６】また、一方側電極によるチップ面の分割の
仕方は、特に図１０のような対角部を結ぶような配置に
限定されるものではなく、例えば図１１に示すように、
Ｈ型によって分割しても良い。

【００６７】さらに、分割の仕方は２分割に限定される
ものではなく、例えばｐ側の電極７を十字状に形成し
て、チップ面を４つの領域に分割し、各々の領域の略中
央部に４個のｎ側の電極６を配置させる構造としてもよ
く、この場合、図１０、図１１の例に比べて、さらに発
光面全体の輝度の均一性が高められる。

【００６８】なお図１０，図１１の例ではｐ側の電極７
によってチップ面を分割しているが、ｐ側の電極７、ｎ
側の電極６の関係を逆転し、ｎ側の電極６によってチッ
プ面を同様に分割し、各領域にｐ側の電極７を個別配置
する構造のＬＥＤチップ１でも、同様の効果が得られ
る。

【００６９】図１２の実施例は、図１１の実施例におい
て、２個あるｎ側の電極６が、チップ中央部にあるｐ側
の電極７の直線部分に並行な電極部分を備えた構造とし
たもので、この電極構成のＬＥＤチップ１を点灯させた
場合、図１１の実施例に比べて電極６，７が等距離で対
向する部分が多いため、さらに発光面全体が均一に発光
する。

【００７０】尚図１２の実施例でもｐ側の電極７、ｎ側
の電極６の関係を逆転させてもよく、この逆転構成のＬ
ＥＤチップ１でも、同様の効果が得られる。

【００７１】図１３で示し実施例は、日字型のｐ側の電
極７によって、チップ面を、２つの略長方形枠の形状を
した領域に分け、２個のｎ側の電極６が、ｐ側の電極７
によって取り囲まれた構成としたものであり、本実施例
によるＬＥＤチップ１は図１１に示す実施例によるのＬ
ＥＤチップ１に比べて、さらに発光面における輝度の均
一性が向上する。

【００７２】この図１３の実施例では、ｐ側の電極７に
よって発光面内が２つの領域に分けられているが、特に
領域の数は２つに限定されるものではなく、例えば図１
４のように、略田字型枠の形状をしたｐ側の電極７によ
って、チップ面を４領域に分け、各領域の略中央にそれ
ぞれｎ側の電極６を設置して、Ｐ型電極６によって取り
囲まれた構成しても良い。この図１４の実施例のＬＥＤ
チップ１では、図１３の実施例のＬＥＤチップ１に比べ
て、更に発光面における輝度の均一性が向上する。

【００７３】この図１３，図１４の実施例もｐ側の電極
７、ｎ側の電極６の関係を逆転させても図１３，図１４
の例と同様の効果が得られる。

【００７４】図１５で示し実施例は、チップ上面の略中
央部にｐ側の電極７を配置し、ｎ側の電極６によって完
全に取り囲まれた構成としたものである。この図１５の
電極配置構成のＬＥＤチップ１は図２４に示す従来例に
比べ、電極６，７が対向する部分が多いため、輝度の均
一性が向上する。またｐ側の電極７、ｎ側の電極６の配
置関係を逆転させても同様の効果が得られる。

【００７５】図１６で示し実施例は、図１５の実施例の
電極配置構成において、略中心のｐ側の電極７を中心と
して円環状のｎ側の電極６が取リ巻き、更にその外側に
円環状のｐ側電極７を同心状に配置してｎ側の電極６を
取り囲み、更に円環状のｐ側電極７の外側に別の円環状
のｎ側の電極６で取り囲み、近接する電極間の距離を等
間隔とした構成のものである。この図１６の電極配置構
成のＬＥＤチップ１は電極６，７が等距離で対向する部
分が多いため、図１５の実施例によるＬＥＤチップ１に
比べて、さらに発光の均一性が向上する。

【００７６】また、図１６の実施例では、同心円状の各
電極６，７が孤立しており、個々に給電部を備えている
構成であるが、図１７或いは図１８に示すように、同じ
極の電極同士を電気的に結合する導電部１３，１４を設
けても同程度の効果が得られる。

【００７７】図１６の実施例では、円環状の電極を同心
円状に配置した構成であるが、図１９に示すように、チ
ップ面の外周形状と略相似の形状（本実施形態において
は角環状形）の電極６，７を同心状に配置しても良い。

【００７８】この図１９の電極配置構成のＬＥＤチップ
１は図１６の同心円状に配置した例に比べると、チップ
面の中心から等距離の点にける輝度の均一性では劣る
が、チップ面の極く外周縁部に至るまで、チップ面の中
心と同程度の輝度が得られる効果がある。

【００７９】図２０に示す実施例は、チップ面に例えば
ｐ側電極７によって、最外周が略正６角形となるように
形作られ、内部を更に略正三角形の領域で分けるように
各対角間を結合するように電極部位を形成し、各略正三
角形の領域内の略重心位置にそれぞれｎ側電極６を配置
したものである。この図２０の電極配置構成では、電極
６，７が形作るパターンが、チップ面に垂直な６回回転
対称軸と、６個の異なる線対称軸を持つ。この図２０の
実施例によるＬＥＤチップ１は図１０〜図１４に示す電
極配置構成のＬＥＤチップ１に比べて発光面における輝
度の均一性に優れる。

【００８０】以上のように本実施形態は電極５，６或い
はいずれか一方を光反射部として用いることで発光効率
を高め且つ上述のいずれかの電極配置構成を採用するこ
とで発光面での発光が均一となる。（実施形態２）上記実施形態１では光反射部として電極
６，７を用いたが本実施形態では、ＬＥＤチップ１の半
導体層形成側チップ面に透光性の絶縁薄膜１７を図２１
に示すように形成し、この絶縁薄膜１７の外側面に光反
射部として、Ａｇ蒸着膜１８を形成してある。そして実
装基板８に対して実装する際にはＡｇ蒸着膜１８と実装
基板８との間に充填材１１を充填する。

【００８１】尚比較のために、同じ電極構造のＬＥＤチ
ップで、Ａｇ蒸着膜１８により光反射部を形成させない
ものも作成した。両者を共にフェースダウン状態で実装
基板８に実装し、点灯させたところ、Ａｇ蒸着膜１８を
形成した本実施形態の方が、発光効率に勝ることが確認
できた。

【００８２】尚本実施形態では、電極６，７が光反射部
として機能しないため、図２乃至図２０に示す電極配置
構成のいずれを採用してもよく、またそのほかの電極配
置例として、図２２，図２３、図２４のような点状の電
極を用いた場合にも適用できる。

【００８３】図２２の電極配置で示し実施例は、ｐ型半
導体層５及びｎ型半導体層３の各々に点状の電極７，６
を複数個（４隅で且つ対角位置に同じ極の電極を配置）
した例であり、この電極構成を用いたＬＥＤチップ１を
点灯させた場合、図３４に示すＬＥＤチップ１に此べ
て、異なる極の電極６，７が等距離で対向する部分が多
く、対向する電極６，７間での発光面全体が均一に発光
する。

【００８４】図２３で示し実施例は、図２２の配置構成
に加え、チップ中央部に一対の電極６，７を配置して電
極の総数を６個に増やし、対向する電極６，７間の距離
を変えて、中心部の対向電極６，７間距離を短くしたも
のである。このような電極配置とすることにより、発光
面全体としての輝度の均一性を保ったまま、より中心付
近を明るく発光するＬＥＤチップ１が得られる。

【００８５】図２４で示し実施例は、ｎ側の電極６とｐ
側の電極７とを横方向に交互に等距離に３つ、縦方向に
も交互に３つ等距離に配置してマトリクス状の電極配置
構成としたもので、電極６，７により形作られる配置パ
ターンは、チップ面に垂直な４回回転対称軸と、４個の
真なる線対称軸を持つ。図２２、図２３の電極配置構成
のＬＥＤチップ１と比べて対称性に優れ、図２２、図２
３の電極配置構成のＬＥＤに比べて発光面における輝度
の均一性に優れる。（実施形態３）本実施形態は実施形態２の構成に構成に
おいて絶縁薄膜１７の外側面にＡｇ蒸着膜１８を形成す
る代わりに、図２５に示すように絶縁薄膜１７と実装基
板８との隙間にＡｇぺ一ストからなる充填材１１’を充
填し、この充填材１１’を光反射部として利用したもの
である。

【００８６】而して同じＬＥＤチップ１を用い、充填材
に透明樹脂を用いて実装基板８に実装したものと比較し
たところ、Ａｇぺ一ストからなる充填材１１’を用いた
本実施形態の方が、発光効率に勝ることが確認できた。

【００８７】本実施形態も、電極が光反射部として機能
しないため、図２乃至図２０及び図２２乃至図２４に示
す電極配置構成のいずれを採用してもよい。（実施形態４）本実施形態は、図２６に示すように、Ｌ
ＥＤチップ１をフェースダウン状態で実装基板８に実装
する際に、ＬＥＤチップ１に近接する実装基板８の表面
に鏡面仕上げの金属膜１９を形成し、これを光反射部と
して利用したものである。

【００８８】而して同じＬＥＤチップを、金属膜１９を
作製していない実施基板８に実装した試料も作製し、両
者を比較したところ、実装基板８表面の金属膜１９上に
実装した場合の方が、発光効率に勝ることが確認でき
た。

【００８９】尚実装基板８上の光反射部としては、ＬＥ
Ｄチップ１に近接する実装基板８上の導電体１０を光反
射一部として利用することも可能である。

【００９０】本実施形態も、電極が光反射部として機能
しないため、図２乃至図２３に示す電極配置構成のいず
れを採用してもよい。（実施形態５）図２７に示すように、ＬＥＤチップをフ
ェースダウン状態で回路基板に実装する際に、実装基板
８の導電部１０をＬＥＤチップ１の裏側にまで延長さ
せ、これを光反射部として利用したものである。導電部
１０がＬＥＤチップ１の裏側にまでは延長されていない
実装基板１に同じ構成のＬＥＤチップ１を実装した試料
も作製し、両者を比較したところ、実装基板８の導電部
１０をＬＥＤチップ１の裏側にまで延長させた場合の方
が、発光効率に勝ることが確認できた。

【００９１】本実施形態も、電極が光反射部として機能
しないため、図２乃至図２０及び図２１乃至図２４に示
す電極配置構成のいずれを採用してもよい。（実施形態６）本実施形態は図１０の電極配置構成を採
用したものであった、図２８に示すように一方の対角方
向に亘るようにチップ面をほぼ占有する大きさのｐ側電
極７を形成してこの電極７を覆うように形成している絶
縁薄膜２０の対角方向の隅部にそれぞれ開口した窓孔２
１を介して半田、金、その他の金属によるバンプ２２に
よって電極７を実装基板８の導電体１０に接続固定して
いる。勿論導電性接着剤を用いて固定しても良い。また
他の対角位置にある隅部にはｎ側電極６，６が絶縁薄膜
２０に形成した窓孔２３より露出し、この露出部をｎ側
電極６に対応する給電部１５とし、ｐ側電極７の給電部
１６と同様にバンプ２２或いは導電性接着剤により実装
基板８の導電体１０に接続固定している。

【００９２】そして実装基板８は金属板８０をベースと
し、この金属板８０の上面に樹脂層８１を形成し、この
樹脂層８１の表面に上記導電体１０を形成したものであ
って、ＬＥＤチップ１の中央部の絶縁薄膜２０の部位に
対応する部分には金属板８０の一部が外部に露出するよ
うに突出させ、この突出部８２と絶縁薄膜２０との間に
熱伝導性に優れた接着剤を充填材１１として充填配置
し、ＬＥＤチップ１側の熱を金属板８０に放熱させるよ
うに構成している。光反射部としては電極６，７を利用
している。

【００９３】尚光反射部として電極６，７を用いる代わ
りに図２９に示すように絶縁薄膜２２の中央部の外側面
に光反射部用の金属薄膜２４を形成しても良い。またｎ
側電極６又はｐ側電極７或いは両者の導電体１０への接
合面に導電体１０に対する接合を容易とするために金属
膜２５を図３０に示すように形成しても良い。この構成
は図２５の構成と併用しても良い。

【００９４】更に上記構造ではＬＥＤチップ１の実装側
の周部には発光層４付近まで絶縁薄膜２０が形成されて
いるため発光層４の端面から出る光がＳｉＯ２からなる
絶縁薄膜２０により反射されて外部に出ない。そこで図
３１（ａ）（ｂ）に示すようにこの発光層４に至るまで
の周部を傾斜面となるように半導体層３，５及び発光素
４をエッチングしてこの傾斜面に沿って絶縁薄膜２０が
形成されるようにすることで、発光層４の端面より出た
光が外部に放射され、図３５に示すような光源装置を構
成する場合に、有効に使用できるようにしても良い。

【００９５】尚、上記図３１のような構成で外部に出る
光を有効に使用するための反射鏡を外部に形成する場
合、チップ面から発光層４までの厚さが極微小であるた
め、困難な場合がある。そこで図３２に示すようこの傾
斜面に沿う絶縁薄膜２０の外面に金属薄膜による反射膜
２６を形成することで前方へ発光層４の端面から出る光
を透光性基板１側へ反射させるようにしても良い。

【００９６】尚チップサイズが大きい場合には発光層４
の端面から出る光量の割合が少ないため、絶縁性を優先
させてダイヤモンド薄膜など無色透明でない材料を使用
することもできる。（実施形態７）直線状の電極６，７を平行配設した場合
のパターンにおいて、本実施形態ではｐ側電極７の幅を
図３３に示すようには幅広とするとともにそれぞれを独
立的に形成し、細い幅のｎ側電極６を各電極７，７間に
配置して電気的に接続し、ｐ側電極７を光反射部として
機能させたものである。尚この場合ｐ型半導体層５を各
電極７に対応させて分割しても良い。

【００９７】

【発明の効果】請求項１の発明は、透光性基板上に形成
されたｐ形半導体層とｎ形半導体層の各々に接続する電
極を半導体層側のチップ面に設け、フェースダウンの状
態で実装基板に対して実装される１つのＬＥＤチップの
発光面全体を略均一に点灯させるように発光部位を形成
するとともに、上記チップ面若しくは実装状態のＬＥＤ
チップに近接する領域に、発光による光を光取り出し方
向に反射する光反射部を設けたので、発光面をほぼむら
無く均一に発光させることができるとともに内部量子効
率の向上を図れ、しかも光取出し効率に優れたＬＥＤ装
置を実現できる。

【００９８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記チップ面に設けた少なくとも片方側の電極で、
上記光反射部を構成したので、光反射部を別途設ける事
無く、光取出し効率に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【００９９】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記チップ面に上記光反射部として機能する薄膜を
形成したので、光取出し効率に優れたＬＥＤ装置を実現
できる。

【０１００】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、上記薄膜として、金属膜を用いたので、光取出し効
率に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１０１】請求項５の発明は、請求項３の発明におい
て、上記薄膜として、多層膜を用いたので、光取出し効
率に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１０２】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、上記ＬＥＤチップと上記実装基板との間に上記光反
射部として機能する充填材を充填しているので、充填材
を光反射部に兼用させて光取出し効率に優れたＬＥＤ装
置を実現できる。ことを特徴とする。

【０１０３】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、上記充填材として、銀ペースト若しくは半田を用い
るので、充填材を光反射部に兼用させて、光取出し効率
に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１０４】請求項８の発明は、請求項１の発明におい
て、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板の部位に
上記光反射部を設けたので、光取出し効率に優れたＬＥ
Ｄ装置を実現できる。

【０１０５】請求項９の発明は、請求項８の発明におい
て、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板表面を鏡
面に形成して上記光反射部としたので、光取出し効率に
優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１０６】請求項１０の発明は、請求項８の発明にお
いて、上記実装基板を、上記光反射部として機能する金
属で形成したので、さらに光取出し効率に優れたＬＥＤ
装置を供することができる。

【０１０７】請求項１１の発明は、請求項８の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板上の導
電部を上記光反射部として用いるので、光取出し効率に
優れたＬＥＤ装置を供することができる。

【０１０８】請求項１２の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側チップ面
内において、ｐ側電極と、ｎ側電極とを並行配列して形
成した並行電極部をｐ側電極とｎ極側電極とが交互とな
るように複数並行配置したので、従来例に比べ、発光面
内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現でき
る。

【０１０９】請求項１３の発明は、請求項１２の発明に
おいて、上記ＬＥＤチップでは、各上記並行電極部が略
等間隔に配置されているので、さらに発光面内における
輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１０】請求項１４の発明は、請求項１２の発明に
おいて、上記各並行電極部を構成する一方側の電極が、
上記並行電極部同士間においてチップ面上で電気的に接
続されていないので、チップ面上において平行でない電
極部分の割合が下がるため、さらに発光面内における輝
度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１１】請求項１５の発明は、請求項１２の発明に
おいて、上記各並行電極部の両側の電極の主幹部から対
向する方向且つ互いに並行に配列されるように枝部を延
出形成したので、両側電極が近距離で、且つ平行に対向
する領域が増えるため、さらに発光面内における輝度の
均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１２】請求項１６の発明は、請求項１２の発明に
おいて、上記並行電極部の両側の電極を、上記ＬＥＤチ
ップの中心から周縁部に向かう方向で配列した渦巻き状
構造を持つので、さらに発光面内における輝度の均一性
に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１３】請求項１７の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップでは、ｐ型半導体層及びｎ型半
導体層の各々に電極を複数個設置したので、従来例に比
べ、発光面内において電極が対向する部分が多いため
に、発光面内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置
を実現できる。

【０１１４】請求項１８の発明は、請求項１７の発明に
おいて、他極の電極に対する距離を、同極の電極に対す
る距離よりも近距離に配置したので、同じ半導体層に対
応する電極間が近接する部分がないために、さらに発光
面内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現で
きる。

【０１１５】請求項１９の発明は、請求項１８の発明に
おいて、上記両極の電極を略同一距離で交互に配置した
ので、さらに発光面内における輝度の均一性に優れたＬ
ＥＤ装置を実現できる。

【０１１６】請求項２０の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側のチップ
面を一方側の電極によって複数の領域に分けるととも
に、各領域内に他方側の電極を各別に配置したので、従
来例に比べ、発光面内において電極が対向する部分が多
いために、発光面内における輝度の均一性に優れたＬＥ
Ｄ装置を実現できる。

【０１１７】請求項２１の発明は、請求項２０の発明に
おいて、上記一方側の電極が、複数個ある上記他方側の
電極を取り囲んでいるので、さらに発光面内における輝
度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１８】請求項２２の発明は、請求項２０の発明に
おいて、上記複数個ある一方側の電極が、それらの周囲
に存在する他方側の電極の直線部位の何れかに並行な電
極部分を有するので、請求項１８に係るＬＥＤチップに
比べて、さらに発光面内における輝度の均一性に優れた
ＬＥＤ装置を実現できる。

【０１１９】請求項２３の発明は、請求項１の発明にお
いて、上記ＬＥＤチップでは、一方側の電極を半導体層
形成側のチップ面の略中心に配置し、該一方側の電極の
周囲に他方側の電極を配置したので、従来のものに比
べ、発光面内において電極が対向する部分が多いため
に、発光面内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置
を実現できる。

【０１２０】請求項２４の発明は、請求項２３の発明に
おいて、一方側の電極と、他方側の電極とが交互に取り
囲むようにｎ側の電極とｐ側の電極とを配置したので、
さらに発光面内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装
置を実現できる。

【０１２１】請求項２５の発明は、請求項２４の発明に
おいて、交互に取り囲む上記電極間の距離が等間隔であ
るので、さらに発光面内における輝度の均一性に優れた
ＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２２】請求項２６の発明は、請求項２４又は２５
の発明において、発光面内における輝度の均一性に優れ
たＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２３】請求項２７の発明は、請求項２４又は２５
の発明において、上記異なる電極を半導体層形成側のチ
ップ面の外周形状と略相似形状にて形成したので、さら
にチップの極周辺部に至るまでチップ中心と同程度の輝
度を得ることのできるＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２４】請求項２８の発明は、請求項１２又は請求
項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明において、
ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上記Ｌ
ＥＤチップの半導体層形成側のチップ面から見て略線対
称軸を持つので、さらに発光面内における輝度の均一性
に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２５】請求項２９の発明は、請求項１２又は請求
項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明において、
ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上記Ｌ
ＥＤチップの半導体層形成側のチップ面に垂直な２以上
の整数倍回の回転対称軸を持つので、さらに発光面内に
おける輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２６】請求項３０の発明は、請求項１２又は請求
項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明において、
ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパターンが、上記Ｌ
ＥＤチップの半導体層形成側のチップ面に垂直な２以上
の整数倍回の回転対称軸を持つ且つ、２以上の整数倍個
の異なる略線対称軸を持つので、さらに発光面内におけ
る輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を実現できる。

【０１２７】請求項３１の発明は、請求項１２又は請求
項１７又は請求項２０又は請求項２３の発明において、
上記各電極を個別に制御するための給電部を上記ＬＥＤ
チップに設けたので、個々の対向する電極間を、発光強
度が他の対向電極間と略均一になるように、個別に制御
しつつ点灯させることができる。従って、さらに発光面
内における輝度の均一性に優れたＬＥＤ装置を供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の要部の断面図である。

【図２】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図３】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図４】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図５】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図６】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図７】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図８】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図９】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施例
図である。

【図１０】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１１】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１２】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１３】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１４】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１５】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１６】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１７】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１８】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図１９】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図２０】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図２１】本発明の実施形態２の要部の断面図である。

【図２２】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図２３】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図２４】同上のＬＥＤチップ電極構造の概略配置実施
例図である。

【図２５】本発明の実施形態３の要部断面図である。

【図２６】本発明の実施形態４の要部断面図である。

【図２７】本発明の実施形態５の要部断面図である。

【図２８】（ａ）は本発明の実施形態６にかかるＬＥＤ
チップの半導体層形成側チップ面の平面図である。
（ｂ）は同上の要部断面図である。

【図２９】同上の光反射部の別の例を示すＬＥＤチップ
の断面図である。

【図３０】同上の光反射部の別の例を示すＬＥＤチップ
の断面図である。

【図３１】（ａ）は同上にかかる絶縁薄膜の問題点の説
明図である。（ｂ）は同上にかかる絶縁薄膜の問題点を
解消したＬＥＤチップの断面図である。

【図３２】同上にかかる絶縁薄膜の問題点を解消した他
の例のＬＥＤチップの断面図である。

【図３３】本発明の実施形態７に係るＬＥＤチップの半
導体層形成側チップ面の概略平面図である。

【図３４】（ａ）はフェースダウン実装型のＬＥＤチッ
プの基本例の半導体層形成側チップ面の平面図である。
（ｂ）は同上のＬＥＤチップの側面断面図である。
（ｃ）は同上の実装時の要部断面図である。

【図３５】フェースダウン実装型のＬＥＤチップを用い
た光源装置の断面図である。

【符号の説明】

１ＬＥＤチップ２透光性基板３ｎ型半導体層４発光層５ｐ型半導体層６，７電極１３，１４導電部１５，１６給電部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木村秀吉大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者塩浜英二大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者葛原一功大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内 (72)発明者高見茂成大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA05 AA43 AA44 CA13 CA40 CA93 CA94 DA02 DA03 DA04 DA09 DA19 DA35 DA36 FF11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板上に形成されたｐ形半導体層と
ｎ形半導体層の各々に接続する電極を半導体層側のチッ
プ面に設け、フェースダウンの状態で実装基板に対して
実装される１つのＬＥＤチップの発光面全体を略均一に
点灯させるように発光部位が形成されるようにｐ側電極
及びｎ側電極を形成配置するとともに、上記チップ面若
しくは実装状態のＬＥＤチップに近接する領域に、発光
による光を光取り出し方向に反射する光反射部を設けた
ことを特徴とするＬＥＤ装置。
【請求項２】上記チップ面に設けた少なくとも一方側の
電極で、上記光反射部を構成したことを特徴とする請求
項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】上記チップ面に上記光反射部として機能す
る薄膜を形成したことを特徴とする請求項１記載のＬＥ
Ｄ装置。
【請求項４】上記薄膜として、金属膜を用いたことを特
徴とする請求項３記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】上記薄膜として、多層膜を用いたことを特
徴とする請求項３記載のＬＥＤ装置。
【請求項６】上記ＬＥＤチップと上記実装基板との間に
上記光反射部として機能する充填材を充填したことを特
徴とする請求項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項７】上記充填材として、銀ペースト若しくは半
田を用いたことを特徴とする請求項６記載のＬＥＤ装
置。
【請求項８】上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板
の部位に上記光反射部を設けたことを特徴とする請求項
１記載のＬＥＤ装置。
【請求項９】上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基板
表面を鏡面に形成して上記光反射部としたことを特徴と
する請求項８記載のＬＥＤ装置。
【請求項１０】上記実装基板を、上記光反射部として機
能する金属で形成したことを特徴とする請求項８記載の
ＬＥＤ装置。
【請求項１１】上記ＬＥＤチップに近接する上記実装基
板上の導電部を上記光反射部として用いたことを特徴と
する請求項８記載のＬＥＤ装置。
【請求項１２】上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側
チップ面内において、ｐ側電極と、ｎ側電極とを並行配
列して形成した並行電極部をｐ側電極とｎ極側電極とが
交互となるように複数並行配置したことを特徴とする請
求項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項１３】上記ＬＥＤチップでは、並行配置される
電極間の間隔を略等間隔としたことを特徴とする請求項
１２記載のＬＥＤ装置。
【請求項１４】上記各並行電極部を構成する少なくとも
一方側の電極が、上記並行電極部同士間においてチップ
面上で電気的に接続されていないことを特徴とする請求
項１２記載のＬＥＤ装置。
【請求項１５】並行に相隣接する２つの電極の主幹部の
対向縁より対向方向に且つ互いに並行となるように枝部
を延出形成したことを特徴とする請求項１２記載のＬＥ
Ｄ装置。
【請求項１６】ｎ側、ｐ側の２つの電極を、上記ＬＥＤ
チップの中心から周縁部に向かう方向で渦巻き状に配列
することで並行電極部を形成したことを特徴とする請求
項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項１７】上記ＬＥＤチップでは、ｐ型半導体層及
びｎ型半導体層の各々に電極を複数個設置したことを特
徴とする請求項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項１８】異なる半導体層に対応する電極に対する
距離を、同じ半導体層に対応する電極に対する距離より
も近距離に配置したことを特徴とする請求項１７記載の
ＬＥＤ装置。
【請求項１９】上記ｎ側、ｐ側の電極を略同一距離で交
互に配置したことを特徴とする請求項１８記載のＬＥＤ
装置。
【請求項２０】上記ＬＥＤチップでは、半導体層形成側
のチップ面を一方側の電極によって複数の領域に分ける
とともに、各領域内に他方側の電極を各別に配置したこ
とを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項２１】上記一方側の電極が、複数個ある上記他
方側の電極を取り囲んでいることを特徴とする請求項２
０記載のＬＥＤ装置。
【請求項２２】上記複数個ある一方側の電極が、それら
の周囲に存在する他方側の電極の直線部位の何れかに並
行な電極部分を有することを特徴とする請求項２０記載
のＬＥＤ装置。
【請求項２３】上記ＬＥＤチップでは、一方側の電極を
半導体層形成側のチップ面の略中心に配置し、該一方側
の電極の周囲に他方側の電極を配置したことを特徴とす
る請求項１記載のＬＥＤ装置。
【請求項２４】一方側の電極と、他方側の電極とが交互
に取り囲むようにｎ側の電極とｐ側の電極とを配置した
ことを特徴とする請求項２３記載のＬＥＤ装置。
【請求項２５】交互に取り囲む上記電極間の距離を略等
間隔としたことを特徴とする請求項２４記載のＬＥＤ装
置。
【請求項２６】上記電極の配置構成が同心円状であるこ
とを特徴とする請求項２４又は請求項２５記載のＬＥＤ
装置。
【請求項２７】上記電極の形状を、半導体層形成側のチ
ップ面の外周形状と略相似形状にて形成したことを特徴
とする請求項２４又は請求項２５記載のＬＥＤ装置。
【請求項２８】ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパタ
ーンが、上記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面
から見て略線対称軸を持つことを特徴とする請求項１２
又は請求項１７又は請求項２０又は請求項２３記載のＬ
ＥＤ装置。
【請求項２９】ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパタ
ーンが、上記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面
に垂直な２以上の整数倍回の回転対称軸を持つことを特
徴とする請求項１２又は請求項１７又は請求項２０又は
請求項２３記載のＬＥＤ装置。
【請求項３０】ｎ側の電極とｐ側の電極とが形作るパタ
ーンが、上記ＬＥＤチップの半導体層形成側のチップ面
に垂直な２以上の整数倍回の回転対称軸を持つ且つ、２
以上の整数倍個の異なる略線対称軸を持つことを特徴と
する請求項１２又は請求項１７又は請求項２０又は請求
項２３記載のＬＥＤ装置。
【請求項３１】上記各電極を個別に制御するための給電
部を上記ＬＥＤチップに設けたことを特徴とする請求項
１２又は請求項１７又は請求項２０記載ＬＥＤ装置。